JP2860095B2 - 磁気メモリ素子の製造方法 - Google Patents
磁気メモリ素子の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気を用いて情報
の記録、再生を行う磁気メモリ素子の製造方法に関する
ものである。
の記録、再生を行う磁気メモリ素子の製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、取り扱う情報量の増大と共に、そ
れを記録するメモリ装置もより一層高密度、大容量なも
のが要求されてきている。そこで、そのような要求に応
じるメモリ装置として、例えば磁気ディスクメモリや光
磁気ディスクメモリ等が、高密度、大容量であるうえ、
ランダムアクセスも可能なことから、計算機用外部メモ
リ等に幅広く利用されている。
れを記録するメモリ装置もより一層高密度、大容量なも
のが要求されてきている。そこで、そのような要求に応
じるメモリ装置として、例えば磁気ディスクメモリや光
磁気ディスクメモリ等が、高密度、大容量であるうえ、
ランダムアクセスも可能なことから、計算機用外部メモ
リ等に幅広く利用されている。
【０００３】ここで、図１０を参照しながら、上記従来
の磁気ディスクについて以下に説明する。
の磁気ディスクについて以下に説明する。
【０００４】上記従来の磁気ディスクは、図１０に示す
ように、アルミニウム基板２１の上にＣｏＮｉＣｒ等か
ら成る磁性膜層２２が形成され、その上からカーボン膜
等の潤滑層２３が設けられている。そして、この磁気デ
ィスクに対して、サスペンション２５に支持された磁気
ヘッド２７付きの浮上型スライダ２６により記録、再生
が行われるようになっている。なお、磁気ヘッド２７と
磁気ディスク表面との間のスペース２８は、通常０．２
μｍ程度である。
ように、アルミニウム基板２１の上にＣｏＮｉＣｒ等か
ら成る磁性膜層２２が形成され、その上からカーボン膜
等の潤滑層２３が設けられている。そして、この磁気デ
ィスクに対して、サスペンション２５に支持された磁気
ヘッド２７付きの浮上型スライダ２６により記録、再生
が行われるようになっている。なお、磁気ヘッド２７と
磁気ディスク表面との間のスペース２８は、通常０．２
μｍ程度である。
【０００５】上記のような構成によれば、浮上型スライ
ダ２６に設けられている磁気ヘッド２７を所定のスペー
ス２８に保ちながら、アルミニウム基板２１と一体的に
回転する磁性膜層２２をトレースして記録、再生が行わ
れる。なお、アルミニウム基板２１が回転しているとき
は、アルミニウム基板２１との間の空気による浮圧とサ
スペンション２５による押圧とによって所定のスペース
２８が保たれる。
ダ２６に設けられている磁気ヘッド２７を所定のスペー
ス２８に保ちながら、アルミニウム基板２１と一体的に
回転する磁性膜層２２をトレースして記録、再生が行わ
れる。なお、アルミニウム基板２１が回転しているとき
は、アルミニウム基板２１との間の空気による浮圧とサ
スペンション２５による押圧とによって所定のスペース
２８が保たれる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】磁気ディスクでは、上
記スペース２８が小さいほど磁性膜層２２に記録された
情報を磁気ヘッド２７で読み出すときの出力が大きくな
り好ましいが、逆にスペース２８が小さすぎて磁気ヘッ
ド２７が潤滑層２３に接触すると、潤滑層２３の厚みが
薄いためその下に設けられている磁性膜層２２に傷がつ
いたり、雑音が生じたりする。磁気ヘッド２７とディス
クとが接触するのはディスク基板の表面の突出した所で
あるので、傷をつけずに磁気ヘッド２７を近づけるに
は、ディスク表面の面粗さはできるだけ微細であること
が望ましい。
記スペース２８が小さいほど磁性膜層２２に記録された
情報を磁気ヘッド２７で読み出すときの出力が大きくな
り好ましいが、逆にスペース２８が小さすぎて磁気ヘッ
ド２７が潤滑層２３に接触すると、潤滑層２３の厚みが
薄いためその下に設けられている磁性膜層２２に傷がつ
いたり、雑音が生じたりする。磁気ヘッド２７とディス
クとが接触するのはディスク基板の表面の突出した所で
あるので、傷をつけずに磁気ヘッド２７を近づけるに
は、ディスク表面の面粗さはできるだけ微細であること
が望ましい。
【０００７】一方、磁気ディスクでは、磁気ディスクを
起動するときや停止するときに、通常、浮上型スライダ
２６と磁気ディスクとが接触する、所謂コンタクト・ス
タートストップ（ＣＳＳ）方式を取るのが普通である。
しかし、そのとき、磁気ディスクの面粗さが余り細かい
と、浮上型スライダ２６が磁気ディスク表面に吸着して
しまい、磁気ディスクの回転始動ができなくなることが
ある。そこで、磁気ディスク表面には、例えば図１１に
一部拡大図として示すように、凹凸を設ける加工、いわ
ゆるテクスチャ加工を施したものが使用される。
起動するときや停止するときに、通常、浮上型スライダ
２６と磁気ディスクとが接触する、所謂コンタクト・ス
タートストップ（ＣＳＳ）方式を取るのが普通である。
しかし、そのとき、磁気ディスクの面粗さが余り細かい
と、浮上型スライダ２６が磁気ディスク表面に吸着して
しまい、磁気ディスクの回転始動ができなくなることが
ある。そこで、磁気ディスク表面には、例えば図１１に
一部拡大図として示すように、凹凸を設ける加工、いわ
ゆるテクスチャ加工を施したものが使用される。
【０００８】即ち、アルミニウム基板２１をアルマイト
処理をした後、表面研磨して２００Å程度の凹凸を設
け、その上から、磁性膜層２２、カーボン膜から成る潤
滑層２３等を積層した構造である。そのため、結局凹凸
の一番高い山に当たらないように磁気ヘッド２７の浮上
高さを調整する必要があり、実効的なスペース２８とし
て０．２μｍ程度しか得られないことになる。
処理をした後、表面研磨して２００Å程度の凹凸を設
け、その上から、磁性膜層２２、カーボン膜から成る潤
滑層２３等を積層した構造である。そのため、結局凹凸
の一番高い山に当たらないように磁気ヘッド２７の浮上
高さを調整する必要があり、実効的なスペース２８とし
て０．２μｍ程度しか得られないことになる。
【０００９】つまり、上記従来の磁気ディスクメモリ
は、高密度化しようとすると、磁気ヘッドと磁気ディス
クとのスペースを小さくする必要があり、そのためには
磁気ディスクの表面の面粗さを微細にしなければならな
い。しかし、面粗さを微細にすると、磁気ディスクの回
転始動ができなくなるという問題点を有している。
は、高密度化しようとすると、磁気ヘッドと磁気ディス
クとのスペースを小さくする必要があり、そのためには
磁気ディスクの表面の面粗さを微細にしなければならな
い。しかし、面粗さを微細にすると、磁気ディスクの回
転始動ができなくなるという問題点を有している。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気メモリ
素子の製造方法は、基板表面を研磨する工程と、該研磨
した基板上にフォトレジストを塗布し現像する工程と、
現像されたフォトレジストを介して前記基板上にグルー
ブ及びランドを形成する工程と、前記ランド上のフォト
レジストをそのままにして前記基板上に磁性膜を形成す
る工程と、前記ランド上のフォトレジスト及び磁性層を
除去する工程と、前記グルーブ上の磁性層及び前記ラン
ド上の両方に製膜され、前記グルーブ部分より前記ラン
ド部分の潤滑層が高い位置にある潤滑層を形成する工程
とを有することを特徴としている。
素子の製造方法は、基板表面を研磨する工程と、該研磨
した基板上にフォトレジストを塗布し現像する工程と、
現像されたフォトレジストを介して前記基板上にグルー
ブ及びランドを形成する工程と、前記ランド上のフォト
レジストをそのままにして前記基板上に磁性膜を形成す
る工程と、前記ランド上のフォトレジスト及び磁性層を
除去する工程と、前記グルーブ上の磁性層及び前記ラン
ド上の両方に製膜され、前記グルーブ部分より前記ラン
ド部分の潤滑層が高い位置にある潤滑層を形成する工程
とを有することを特徴としている。
【００１１】本発明においては、ランド部分の表面が磁
性層を形成しているグルーブ部分よりも高くなっている
ので、コンタクト・スタートストップ時の浮上型スライ
ダと接触する部分が、研磨されかつ潤滑層が形成された
ランド部分のみとなり、滑らかでしかもその接触面積を
小さくすることができる。これにより、浮上型スライダ
の動作がスムーズであるとともに、スライダが磁気メモ
リ素子に吸着することも回避することができる。
性層を形成しているグルーブ部分よりも高くなっている
ので、コンタクト・スタートストップ時の浮上型スライ
ダと接触する部分が、研磨されかつ潤滑層が形成された
ランド部分のみとなり、滑らかでしかもその接触面積を
小さくすることができる。これにより、浮上型スライダ
の動作がスムーズであるとともに、スライダが磁気メモ
リ素子に吸着することも回避することができる。
【００１２】また、情報が記録されている磁性膜は、浮
上型スライダとは直接接触することがなくなるので、磁
性膜に傷が生じなくなると共に、浮上型スライダに搭載
された磁気ヘッドと磁性膜との間のスペースを実質的に
小さくでき、再生信号の出力が大きくなり、信頼性が向
上する。
上型スライダとは直接接触することがなくなるので、磁
性膜に傷が生じなくなると共に、浮上型スライダに搭載
された磁気ヘッドと磁性膜との間のスペースを実質的に
小さくでき、再生信号の出力が大きくなり、信頼性が向
上する。
【００１３】さらに、本発明は、グルーブ及びランド形
成時のフォトレジストの有効利用が図れるものであっ
て、ランド上の磁性膜の除去はランド部分に残している
フォトレジストを介してであり、それらの除去作用が容
易であるとともに、この除去工程により、先に研磨した
基板表面の滑らかさに影響を与えないようにできる利点
があり有用である。
成時のフォトレジストの有効利用が図れるものであっ
て、ランド上の磁性膜の除去はランド部分に残している
フォトレジストを介してであり、それらの除去作用が容
易であるとともに、この除去工程により、先に研磨した
基板表面の滑らかさに影響を与えないようにできる利点
があり有用である。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図１ないし図
８に基づいて説明すれば、以下の通りである。
８に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００１５】磁気メモリ素子としてのディスクには、図
１に示すように、例えばソーダアルミノケイ酸等から成
るガラス基板１が用いられている。このガラス基板１
は、例えば直径５０ｍｍ、厚み０．８ｍｍのディスク型
の形状を有しており、その表面は１０Å程度の粗さまで
研磨されている。
１に示すように、例えばソーダアルミノケイ酸等から成
るガラス基板１が用いられている。このガラス基板１
は、例えば直径５０ｍｍ、厚み０．８ｍｍのディスク型
の形状を有しており、その表面は１０Å程度の粗さまで
研磨されている。
【００１６】また、このガラス基板１上には、図におけ
るＡで示すトラックピッチ、例えば１μｍ〜２μｍの間
隔でスパイラルあるいは同心円状にグルーブ１６が設け
られ、そのグルーブ１６の底面に、例えば磁性体として
ＰｔやＰｄ等とＣｏとの多層膜から成る磁性膜２が形成
されている。このとき、ランド部分とグルーブ部分の幅
の比は１：５程度である。
るＡで示すトラックピッチ、例えば１μｍ〜２μｍの間
隔でスパイラルあるいは同心円状にグルーブ１６が設け
られ、そのグルーブ１６の底面に、例えば磁性体として
ＰｔやＰｄ等とＣｏとの多層膜から成る磁性膜２が形成
されている。このとき、ランド部分とグルーブ部分の幅
の比は１：５程度である。
【００１７】そして、磁性膜２の表面は、各隣接するグ
ルーブ１６の間にあるガラス基板１の平面であるランド
４の面より低くなるように設けられている。さらに、磁
性膜２およびランド４の表面には潤滑性を付与する、例
えばカーボン等の潤滑材がスパッタリングや蒸着等によ
り形成された潤滑層３が設けられている。
ルーブ１６の間にあるガラス基板１の平面であるランド
４の面より低くなるように設けられている。さらに、磁
性膜２およびランド４の表面には潤滑性を付与する、例
えばカーボン等の潤滑材がスパッタリングや蒸着等によ
り形成された潤滑層３が設けられている。
【００１８】なお、上述のようにガラス基板１の表面が
１０Å程度の粗さまで研磨されているので、ランド４の
面は非常に滑らかになっている。従って、磁気ヘッド６
（図２参照）を磁性膜２に接近させても、両者が直接接
触することがなく、磁気ヘッド６と磁性膜２との実質的
なスペースを小さくすることができる。
１０Å程度の粗さまで研磨されているので、ランド４の
面は非常に滑らかになっている。従って、磁気ヘッド６
（図２参照）を磁性膜２に接近させても、両者が直接接
触することがなく、磁気ヘッド６と磁性膜２との実質的
なスペースを小さくすることができる。
【００１９】以上のような構成を有するディスクを回転
させ、磁性膜２と浮上型スライダに搭載した磁気ヘッド
との間の距離を所定のスペースに保ってトレースするこ
とにより、情報の記録、再生が行われるようになってい
る。一方、停止時には、上記浮上型スライダはディスク
におけるランド４上の潤滑層３と接触して保持される。
させ、磁性膜２と浮上型スライダに搭載した磁気ヘッド
との間の距離を所定のスペースに保ってトレースするこ
とにより、情報の記録、再生が行われるようになってい
る。一方、停止時には、上記浮上型スライダはディスク
におけるランド４上の潤滑層３と接触して保持される。
【００２０】次に、上記ディスクを作製する工程を順を
おって説明する。
おって説明する。
【００２１】まず、図３に示すように、（１）例えば直
径５０ｍｍで表面が１０Å程度の粗さに研磨されたディ
スク形状の、例えばソーダアルミノケイ酸等から成るガ
ラス基板１を洗浄し、その研磨面にポジ型のフォトレジ
スト９を約１５００Å塗布する。この後、図４に示すよ
うに、（２）フォトレジスト９の上から、ランド４の部
分にＴａ等の遮蔽金属１１を埋め込んだフォトマスク１
０を密着させ、２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長の紫外線
１２を照射する。その後、図５に示すように、３）フォ
トレジスト９を現像する。
径５０ｍｍで表面が１０Å程度の粗さに研磨されたディ
スク形状の、例えばソーダアルミノケイ酸等から成るガ
ラス基板１を洗浄し、その研磨面にポジ型のフォトレジ
スト９を約１５００Å塗布する。この後、図４に示すよ
うに、（２）フォトレジスト９の上から、ランド４の部
分にＴａ等の遮蔽金属１１を埋め込んだフォトマスク１
０を密着させ、２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長の紫外線
１２を照射する。その後、図５に示すように、３）フォ
トレジスト９を現像する。
【００２２】次に、図６に示すように、（４）ＣＦ4等
のガスを用いて反応性イオンエッチングを行い、スパイ
ラルあるいは同心円状のグルーブ１６を形成する。この
グルーブ１６の深さは約８００Åに設定されている。こ
のとき、各グルーブ１６間のガラス基板１上にはランド
４が形成されている。
のガスを用いて反応性イオンエッチングを行い、スパイ
ラルあるいは同心円状のグルーブ１６を形成する。この
グルーブ１６の深さは約８００Åに設定されている。こ
のとき、各グルーブ１６間のガラス基板１上にはランド
４が形成されている。
【００２３】そして、図７に示すように、（５）上記ガ
ラス基板１上に、磁性体としてＰｔ／Ｃｏ等から成る多
層膜の磁性膜２を６００〜７００Åの厚さでほぼ均一に
製膜する。したがって、磁性膜２の表面はランド４より
低くなる。
ラス基板１上に、磁性体としてＰｔ／Ｃｏ等から成る多
層膜の磁性膜２を６００〜７００Åの厚さでほぼ均一に
製膜する。したがって、磁性膜２の表面はランド４より
低くなる。
【００２４】この後、図８に示すように、（６）ランド
４上に残っているフォトレジスト９を除き、同時にフォ
トレジスト９上の磁性膜２も除去する。そして、潤滑層
３としてカーボン等を２０Å〜１００Åの厚さとなるよ
うにスパッタリングや蒸着等により製膜して、図１に示
すディスクが完成する。上記の工程で製造されたディス
クは、ランド４へのカーボン層が直接ガラス基板１に形
成されるため、強固な潤滑層３とすることができる。
４上に残っているフォトレジスト９を除き、同時にフォ
トレジスト９上の磁性膜２も除去する。そして、潤滑層
３としてカーボン等を２０Å〜１００Åの厚さとなるよ
うにスパッタリングや蒸着等により製膜して、図１に示
すディスクが完成する。上記の工程で製造されたディス
クは、ランド４へのカーボン層が直接ガラス基板１に形
成されるため、強固な潤滑層３とすることができる。
【００２５】以上のように本実施例の構成によれば、グ
ルーブ１６の底面に形成された磁性膜２の膜厚がランド
４より低く設定されているため、浮上型スライダと接触
しているディスク面ではランド４部分だけが接触し、磁
性膜２とは直接に接触しなくなる。このことにより、装
置の起動時や停止時に、浮上型スライダと磁気メモリ素
子との接触面積を小さくできる。したがって、起動時
に、浮上型スライダが磁気メモリ素子に吸着しなくなる
ので、磁気ディスクの回転始動が確実に行なえる。
ルーブ１６の底面に形成された磁性膜２の膜厚がランド
４より低く設定されているため、浮上型スライダと接触
しているディスク面ではランド４部分だけが接触し、磁
性膜２とは直接に接触しなくなる。このことにより、装
置の起動時や停止時に、浮上型スライダと磁気メモリ素
子との接触面積を小さくできる。したがって、起動時
に、浮上型スライダが磁気メモリ素子に吸着しなくなる
ので、磁気ディスクの回転始動が確実に行なえる。
【００２６】また、ランド４の表面が１０Å程度の粗さ
まで研磨されているので、磁気ヘッドをランド４面に接
近させても、磁気ヘッドと磁性膜２との実質的なスペー
スを小さくでき、再生時における磁気ヘッドからの信号
出力を増大させることができる。例えば、浮上型スライ
ダに、ディスクにおける記録面に対する対向面として２
×３ｍｍ2のＣａＴｉＯ3等から成るセラミックを用い
て、ディスクを３６００ｒｐｍで回転させた場合、サス
ペンションにかける押圧を調整することで、０．１μｍ
以下のスペースを容易に得ることができた。
まで研磨されているので、磁気ヘッドをランド４面に接
近させても、磁気ヘッドと磁性膜２との実質的なスペー
スを小さくでき、再生時における磁気ヘッドからの信号
出力を増大させることができる。例えば、浮上型スライ
ダに、ディスクにおける記録面に対する対向面として２
×３ｍｍ2のＣａＴｉＯ3等から成るセラミックを用い
て、ディスクを３６００ｒｐｍで回転させた場合、サス
ペンションにかける押圧を調整することで、０．１μｍ
以下のスペースを容易に得ることができた。
【００２７】さらに、グルーブ１６内の磁性膜２がラン
ド４によって保護されているので、浮上型スライダの接
触による磁性膜２の損傷が回避され、磁気ディスクメモ
リの信頼性が向上する。例えば、上記のディスクを使用
したメモリー装置において、振動等により浮上型スライ
ダがディスクに接触しても、直接には磁性膜２が浮上型
スライダと接触しないため、磁性膜２が損傷することは
なく、非常に安全な構造となっている。
ド４によって保護されているので、浮上型スライダの接
触による磁性膜２の損傷が回避され、磁気ディスクメモ
リの信頼性が向上する。例えば、上記のディスクを使用
したメモリー装置において、振動等により浮上型スライ
ダがディスクに接触しても、直接には磁性膜２が浮上型
スライダと接触しないため、磁性膜２が損傷することは
なく、非常に安全な構造となっている。
【００２８】ここで、図２を参照しながら、上記実施例
の構成を有する磁気ディスクを使用して記録、再生する
他の方法について以下に説明する。なお、上記実施例と
同一の機能を有する部材については同一の参照符号を付
記し、その詳細な説明は省略する。
の構成を有する磁気ディスクを使用して記録、再生する
他の方法について以下に説明する。なお、上記実施例と
同一の機能を有する部材については同一の参照符号を付
記し、その詳細な説明は省略する。
【００２９】図２は、図１で示したガラス基板１上に設
けられたグルーブ１６内に形成された磁性膜２を有する
記録層７に、サスペンションによって支持された浮上型
スライダ５が接触している状態を示している。図１に示
した構成を有する磁気ディスクを使用しているために、
磁気ヘッド６が浮上しなくても磁性膜２には傷が生じな
い。従って、図２に示すような状態で磁気記録及びその
再生が可能となる。特に、磁気ディスクの半径が１０ｍ
ｍ〜３０ｍｍのような小さなディスクでは、磁気ディス
クを３６００ｒｐｍ以上の高速回転をしても、半径が小
さいため、その周速度はそれほど大きくならず（例え
ば、半径３０ｍｍのディスクを３６００ｒｐｍで使用し
た場合、線速度は１１ｍ／ｓ程度である）、従って浮上
型スライダ５を接触させても、浮上型スライダ５あるい
は潤滑層３の摩擦による磨耗は発生しない。こうするこ
とで、磁気ヘッドと記録層７内の磁性膜２との距離を浮
上型スライダ５が浮上している場合に比して更に近づけ
ることができるため、再生時の再生出力を大きくでき、
その結果高密度記録が可能となる。特に、図２のガラス
基板１を挟んで浮上型スライダ５と反対側からレーザ光
をレンズで集光して記録層７内の磁性膜２に照射し、レ
ーザ光の微小スポット部分の温度上昇によって、磁性膜
２の当該部分の保磁力を下げて記録し易い状態にして磁
気記録を行うと（例えば特願平２−１５８０７２号や特
願平２−１５８０７７号で提案した光アシスト磁気記録
を行うと）、記録トラック密度を上げることができるた
め、超高密度の記録、再生が行なえる新しいディスクメ
モリ装置を創出できる。
けられたグルーブ１６内に形成された磁性膜２を有する
記録層７に、サスペンションによって支持された浮上型
スライダ５が接触している状態を示している。図１に示
した構成を有する磁気ディスクを使用しているために、
磁気ヘッド６が浮上しなくても磁性膜２には傷が生じな
い。従って、図２に示すような状態で磁気記録及びその
再生が可能となる。特に、磁気ディスクの半径が１０ｍ
ｍ〜３０ｍｍのような小さなディスクでは、磁気ディス
クを３６００ｒｐｍ以上の高速回転をしても、半径が小
さいため、その周速度はそれほど大きくならず（例え
ば、半径３０ｍｍのディスクを３６００ｒｐｍで使用し
た場合、線速度は１１ｍ／ｓ程度である）、従って浮上
型スライダ５を接触させても、浮上型スライダ５あるい
は潤滑層３の摩擦による磨耗は発生しない。こうするこ
とで、磁気ヘッドと記録層７内の磁性膜２との距離を浮
上型スライダ５が浮上している場合に比して更に近づけ
ることができるため、再生時の再生出力を大きくでき、
その結果高密度記録が可能となる。特に、図２のガラス
基板１を挟んで浮上型スライダ５と反対側からレーザ光
をレンズで集光して記録層７内の磁性膜２に照射し、レ
ーザ光の微小スポット部分の温度上昇によって、磁性膜
２の当該部分の保磁力を下げて記録し易い状態にして磁
気記録を行うと（例えば特願平２−１５８０７２号や特
願平２−１５８０７７号で提案した光アシスト磁気記録
を行うと）、記録トラック密度を上げることができるた
め、超高密度の記録、再生が行なえる新しいディスクメ
モリ装置を創出できる。
【００３０】図９は参考例を示すものである。
【００３１】なお、前記の実施例と同様の機能を有する
ものに対しては同じ参照符号を付記して詳細な説明を省
略し、また、ディスクの製造方法においては前記製造方
法と異なる点について述べ、同様の方法を用いた工程に
ついてはその詳細な説明をここでは省略した。
ものに対しては同じ参照符号を付記して詳細な説明を省
略し、また、ディスクの製造方法においては前記製造方
法と異なる点について述べ、同様の方法を用いた工程に
ついてはその詳細な説明をここでは省略した。
【００３２】図９に示すように、ディスクには、ランド
４にも磁性膜２が形成されている点が前記の実施例と異
なっており、このような構成は、フォトレジストの有効
利用の点で問題ではあるが、磁性膜２とガラス基板１お
よび潤滑層３との相互の密着性がよければ可能である。
このディスクは、前記実施例における製造方法におい
て、（４）の後にランド４に残るフォトレジスト９を、
例えば酸素プラズマによるアッシングにより除去し、そ
の後に磁性膜２と潤滑層３とを形成するという製造方法
により得ることができる。
４にも磁性膜２が形成されている点が前記の実施例と異
なっており、このような構成は、フォトレジストの有効
利用の点で問題ではあるが、磁性膜２とガラス基板１お
よび潤滑層３との相互の密着性がよければ可能である。
このディスクは、前記実施例における製造方法におい
て、（４）の後にランド４に残るフォトレジスト９を、
例えば酸素プラズマによるアッシングにより除去し、そ
の後に磁性膜２と潤滑層３とを形成するという製造方法
により得ることができる。
【００３３】この製造方法を前記実施例の方法と比較す
ると、（６）の工程が省略されている。すなわち、前記
の方法では、真空中で行われる（５）の工程の後に、そ
の真空を破り（６）の工程を行い、再び真空中で（７）
の工程を行う必要があったが、（６）の工程が省略され
た本方法では、（４）以降の工程を全て真空中で行うこ
とができるため、前記の方法より工程の大幅な簡略化を
図ることができる。
ると、（６）の工程が省略されている。すなわち、前記
の方法では、真空中で行われる（５）の工程の後に、そ
の真空を破り（６）の工程を行い、再び真空中で（７）
の工程を行う必要があったが、（６）の工程が省略され
た本方法では、（４）以降の工程を全て真空中で行うこ
とができるため、前記の方法より工程の大幅な簡略化を
図ることができる。
【００３４】なお、上記各構成では、磁性膜２としてＰ
ｔ／Ｃｏ等から成る多層膜を用いたが、それに限定され
ず、他の磁性体、例えば ＣｏＰやＣｏ、Ｆｅ、ＣｏＣ
ｒ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＮｄＦｅ
等の一層あるいは多層重ねたものでも構成できる。特
に、前記の光アシスト磁気記録の場合は、Ｔｂ２０Ｃｏ
７２等の希土類遷移金属膜を用いると、１５０℃〜２０
０℃付近での保磁力を５００〔エルステッド〕以下にで
き、記録が容易になり好都合である。また、トラックの
ピッチＡは５μｍ〜１０μｍでもよく、ランド４とグル
ーブ１６の幅の比は、１：５でも１：１０でも、或いは
その間の値でもよいことは言うまでもない。
ｔ／Ｃｏ等から成る多層膜を用いたが、それに限定され
ず、他の磁性体、例えば ＣｏＰやＣｏ、Ｆｅ、ＣｏＣ
ｒ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＮｄＦｅ
等の一層あるいは多層重ねたものでも構成できる。特
に、前記の光アシスト磁気記録の場合は、Ｔｂ２０Ｃｏ
７２等の希土類遷移金属膜を用いると、１５０℃〜２０
０℃付近での保磁力を５００〔エルステッド〕以下にで
き、記録が容易になり好都合である。また、トラックの
ピッチＡは５μｍ〜１０μｍでもよく、ランド４とグル
ーブ１６の幅の比は、１：５でも１：１０でも、或いは
その間の値でもよいことは言うまでもない。
【００３５】また、図９では、グルーブ部分の磁性膜２
の表面が基板のランド部分の表面よりも低くなっている
が、これは必ずしも必要としない。即ち、磁性膜と基板
の密着性がよい場合は、グルーブ部分の磁性膜２の表面
がランド部分の表面よりも高くなっていても、ランド部
分にも磁性膜が存在するため、実効的なグルーブの深さ
は、基板のグルーブの深さに磁性膜の厚みが加わったも
のになっている。そのような場合も、本発明の主旨の範
囲にあることは明らかである。
の表面が基板のランド部分の表面よりも低くなっている
が、これは必ずしも必要としない。即ち、磁性膜と基板
の密着性がよい場合は、グルーブ部分の磁性膜２の表面
がランド部分の表面よりも高くなっていても、ランド部
分にも磁性膜が存在するため、実効的なグルーブの深さ
は、基板のグルーブの深さに磁性膜の厚みが加わったも
のになっている。そのような場合も、本発明の主旨の範
囲にあることは明らかである。
【００３６】また、以上の実施例の基板はガラス基板を
用いたが、基板の割れが気になる場合には、基板として
アルミニウムを用いてもよい。さらに、アルミニウム基
板の上に、ニッケル合金等の膜が設けられていてもよ
い。そのときでも、基板にグルーブ部分とランド部分と
があり、グルーブ部分に磁性膜を設けて磁気記録、磁気
再生を行う際、磁気ヘッドを磁気メモリ素子に近づける
ことが可能であり、磁気ヘッドが直接記録部分の磁性膜
に接触しない構造になっておればよい。
用いたが、基板の割れが気になる場合には、基板として
アルミニウムを用いてもよい。さらに、アルミニウム基
板の上に、ニッケル合金等の膜が設けられていてもよ
い。そのときでも、基板にグルーブ部分とランド部分と
があり、グルーブ部分に磁性膜を設けて磁気記録、磁気
再生を行う際、磁気ヘッドを磁気メモリ素子に近づける
ことが可能であり、磁気ヘッドが直接記録部分の磁性膜
に接触しない構造になっておればよい。
【００３７】上記実施例は、主として、磁気ディスクメ
モリについて記しているが、これに限定されず、例えば
メモリ素子の形態としてはカードでもよい。その場合
は、カードへの入出力がディスクに比して比較的ゆっく
り行われるため、換言すれば、磁気ヘッドに対するカー
ドの移動速度が遅いため、カードと磁気ヘッドとが接触
するタイプが望ましい。また、このときは、基板とし
て、プラスティックでも充分実用になると考えられる。
そのときは、潤滑層に代えて、ウレタンアクリレート系
の紫外線硬化型のハードコートを用いるとよい。
モリについて記しているが、これに限定されず、例えば
メモリ素子の形態としてはカードでもよい。その場合
は、カードへの入出力がディスクに比して比較的ゆっく
り行われるため、換言すれば、磁気ヘッドに対するカー
ドの移動速度が遅いため、カードと磁気ヘッドとが接触
するタイプが望ましい。また、このときは、基板とし
て、プラスティックでも充分実用になると考えられる。
そのときは、潤滑層に代えて、ウレタンアクリレート系
の紫外線硬化型のハードコートを用いるとよい。
【００３８】
【発明の効果】以上、本発明によれば、ランド部分の表
面が磁性層を形成しているグルーブ部分よりも高くなっ
ているので、コンタクト・スタートストップ時の浮上型
スライダと接触する部分が、研磨されかつ潤滑層が形成
されたランド部分のみとなり、滑らかでしかもその接触
面積を小さくすることができる。これにより、浮上型ス
ライダの動作がスムーズであるとともに、スライダが磁
気メモリ素子に吸着することも回避することができる。
面が磁性層を形成しているグルーブ部分よりも高くなっ
ているので、コンタクト・スタートストップ時の浮上型
スライダと接触する部分が、研磨されかつ潤滑層が形成
されたランド部分のみとなり、滑らかでしかもその接触
面積を小さくすることができる。これにより、浮上型ス
ライダの動作がスムーズであるとともに、スライダが磁
気メモリ素子に吸着することも回避することができる。
【００３９】また、情報が記録されている磁性膜は、浮
上型スライダとは直接接触することがなくなるので、磁
性膜に傷が生じなくなると共に、浮上型スライダに搭載
された磁気ヘッドと磁性膜との間のスペースを実質的に
小さくでき、再生信号の出力が大きくなり、信頼性が向
上する。
上型スライダとは直接接触することがなくなるので、磁
性膜に傷が生じなくなると共に、浮上型スライダに搭載
された磁気ヘッドと磁性膜との間のスペースを実質的に
小さくでき、再生信号の出力が大きくなり、信頼性が向
上する。
【００４０】さらに、本発明は、グルーブ及びランド形
成時のフォトレジストの有効利用が図れるものであっ
て、ランド上の磁性膜の除去はランド部分に残している
フォトレジストを介してであり、それらの除去作用が容
易であるとともに、この除去工程により、先に研磨した
基板表面の滑らかさに影響を与えないようにできる利点
があり有用である。
成時のフォトレジストの有効利用が図れるものであっ
て、ランド上の磁性膜の除去はランド部分に残している
フォトレジストを介してであり、それらの除去作用が容
易であるとともに、この除去工程により、先に研磨した
基板表面の滑らかさに影響を与えないようにできる利点
があり有用である。
【図１】本発明の一実施例を示す磁気メモリ素子の要部
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図２】磁気メモリ素子をスライダを用いてトレースす
る一例を示す説明図である。
る一例を示す説明図である。
【図３】磁気メモリ素子を製造する方法を説明する第１
段階における基板の要部拡大断面図である。
段階における基板の要部拡大断面図である。
【図４】磁気メモリ素子を製造する方法を説明する第２
段階における基板の要部拡大断面図である。
段階における基板の要部拡大断面図である。
【図５】磁気メモリ素子を製造する方法を説明する第３
段階における基板の要部拡大断面図である。
段階における基板の要部拡大断面図である。
【図６】磁気メモリ素子を製造する方法を説明する第４
段階における基板の要部拡大断面図である。
段階における基板の要部拡大断面図である。
【図７】磁気メモリ素子を製造する方法を説明する第５
段階における基板の要部拡大断面図である。
段階における基板の要部拡大断面図である。
【図８】磁気メモリ素子を製造する方法を説明する第６
段階における基板の要部拡大断面図である。
段階における基板の要部拡大断面図である。
【図９】本発明の参考例を示す磁気メモリ素子の要部拡
大断面図である。
大断面図である。
【図１０】従来の磁気メモリ素子をスライダを用いてト
レースする一例を示す説明図である。
レースする一例を示す説明図である。
【図１１】従来の磁気メモリ素子の要部拡大断面図であ
る。
る。
１ ガラス基板 ２ 磁性膜 ３ 潤滑層 ４ ランド ５ 浮上型スライダ ６ 磁気ヘッド １６ グルーブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−165416（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−201730（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−42433（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/84 G11B 5/82
Claims (1)
- 【請求項１】 基板表面を研磨する工程と、該研磨した
基板上にフォトレジストを塗布し現像する工程と、現像
されたフォトレジストを介して前記基板にグルーブ及び
ランドを形成する工程と、前記ランド上のフォトレジス
トをそのままにして前記基板上に磁性膜を形成する工程
と、前記ランド上のフォトレジスト及び磁性層を除去す
る工程と、前記グルーブ上の磁性層及び前記ランド上の
両方に製膜され、前記グルーブ部分より前記ランド部分
の潤滑層が高い位置にある潤滑層を形成する工程とを有
することを特徴とする磁気メモリ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9187075A JP2860095B2 (ja) | 1997-07-14 | 1997-07-14 | 磁気メモリ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9187075A JP2860095B2 (ja) | 1997-07-14 | 1997-07-14 | 磁気メモリ素子の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2253740A Division JP2706173B2 (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 磁気メモリ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1069631A JPH1069631A (ja) | 1998-03-10 |
| JP2860095B2 true JP2860095B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=16199705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9187075A Expired - Lifetime JP2860095B2 (ja) | 1997-07-14 | 1997-07-14 | 磁気メモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2860095B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2864670B2 (ja) * | 1990-06-08 | 1999-03-03 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜磁気記録ディスクおよび薄膜磁気記録ディスク駆動装置 |
-
1997
- 1997-07-14 JP JP9187075A patent/JP2860095B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1069631A (ja) | 1998-03-10 |
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