CN110783362A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置，所述显示装置包括多个像素电路以及位于所述多个像素电路中的每个上的发光器件。发光器件包括顺序堆叠在发光器件的底表面和侧壁上的第一半导体层、有源层和第二半导体层。发光器件的侧壁包括第一小平面和与第一小平面相邻的第二小平面。第一角度形成在底表面和第一小平面之间。第二角度形成在底表面和第二小平面之间。第一小平面和第二小平面彼此相交以限定边缘。边缘从发光器件的底表面朝向顶表面延伸。

Description

显示装置
本申请要求于2018年7月27日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0087962号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本发明构思涉及一种具有提高的亮度效率的显示装置以及一种制造其的方法。
背景技术
显示装置包括发光器件。发光器件可以电连接到电极，并且可以通过施加到电极的电压来发射。发光器件可以直接形成在电极上，或者可以单独形成然后设置在电极上。
发光器件可以是发光二极管(LED)。LED是一种其中正向电压被施加到PN结二极管然后由空穴-电子复合产生的能量被转换成光的半导体器件。LED可以形成为无机或有机LED。LED不仅可以用在诸如手机的小型电子产品中，而且可以用在大型电视机中。
发明内容
本发明构思的一些示例实施例提供了一种具有提高的亮度效率的显示装置以及一种制造其的方法。
根据本发明构思的一些示例实施例，一种显示装置可以包括：多个像素电路；以及发光器件，位于所述多个像素电路中的每个上。发光器件可以包括顺序堆叠在发光器件的底表面和侧壁上的第一半导体层、有源层和第二半导体层。发光器件的侧壁可以包括第一小平面和与第一小平面相邻的第二小平面。第一角度可以形成在底表面和第一小平面之间。第二角度可以形成在底表面和第二小平面之间。第一小平面和第二小平面可以彼此相交以限定边缘。边缘可以从发光器件的底表面朝向顶表面延伸。
根据本发明构思的一些示例实施例，一种显示装置可以包括：多个像素电路；发光器件，位于所述多个像素电路中的每个上；以及导电结构，包括在发光器件的侧壁上的反射图案和在发光器件的底表面上的连接图案。发光器件可以包括顺序堆叠在底表面和侧壁上的第一半导体层、有源层和第二半导体层。反射图案可以与侧壁分隔开。连接图案可以在底表面上电连接到第一半导体层。
根据本发明构思的一些示例实施例，一种显示装置可以包括：多个像素电路，位于基体层上；以及发光器件，位于所述多个像素电路中的每个上。发光器件可以包括顺序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层。发光器件可以具有在第一方向上的第一宽度以及在与第一方向相交的第二方向上的第二宽度。第一水平处的第一宽度可以小于高于第一水平的第二水平处的第一宽度。可以在第二水平处的第一宽度和第一水平处的第一宽度之间有第一差值。可以在第二水平处的第二宽度和第一水平处的第二宽度之间有第二差值。
附图说明
图1示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的显示装置的框图。
图2示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的像素的等效电路图。
图3示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的显示装置的显示面板的平面图。
图4A示出了沿图3的线A-A'截取的剖视图。
图4B示出了沿图3的线B-B'截取的剖视图。
图5示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的发光器件的透视图。
图6A和图6B示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的显示装置的分别沿图3的线A-A'和线B-B'截取的剖视图。
图7、图9、图11和图13示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的制造发光器件的方法的平面图。
图8A、图10A、图12A和图14A分别示出了沿图7、图9、图11和图13的线A-A'截取的剖视图。
图8B、图10B、图12B和图14B分别示出了沿图7、图9、图11和图13的线B-B'截取的剖视图。
图15A至图15D示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的在选择性外延生长工艺中发光器件在牺牲图案上的时序生长的透视图。
图16和图17示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的制造发光器件的方法的平面图。
图18、图19和图20示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的制造发光器件的方法的平面图。
图21A和图21B示出了分别沿图20的线A-A'和线B-B'截取的剖视图。
图22和图23示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的制造发光器件的方法的平面图。
图24A和图24B示出了分别沿图23的线A-A'和线B-B'截取的剖视图。
图25示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的制造发光器件的方法的平面图。
图26A和图26B示出了分别沿图25的线A-A'和线B-B'截取的剖视图。
图27和图28示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的制造发光器件的方法的平面图。
图29、图30和图31示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
图32示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的显示装置的显示面板的平面图。
图33示出了沿图32的线C-C'截取的剖视图。
图34示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的显示装置的沿图3的线B-B'截取的剖视图。
具体实施方式
为了充分理解本发明构思的构造和效果，将参考附图描述本发明构思的一些示例实施例。然而，应当注意的是，本发明构思不限于下面的示例性实施例，并且可以以各种形式实现。相反，提供示例性实施例仅是为了公开本发明构思，并让本领域技术人员充分了解本发明构思的范围。
在本说明书中，将理解的是，当元件被称为在另一元件上时，元件可以直接在另一元件上，或者可以在它们之间存在中间元件。在附图中，为了有效地解释技术内容，夸大了一些组件的厚度。贯穿说明书，同样的附图标号表示同样的元件。
将参考作为本发明构思的理想示例性视图的剖视图和/或平面图来讨论本说明书中详细描述的一些示例实施例。在附图中，为了有效地解释技术内容，夸大了层和区域的厚度。因此，在附图中示例性地示出的区域具有一般性质，并且在附图中示例性地示出的区域的形状用于示例性地公开特定形状，但不限制本发明构思的范围。将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在这里用于描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。在这里解释和图示的一些示例实施例包括其互补实施例。
在这里使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，而不旨在限制本发明构思。如在这里所使用的，单数形式旨在也包括复数形式。说明书中使用的术语“包含/包括”和/或其变型不排除存在或添加一种或更多种其它组件。
图1示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的显示装置的框图。
参照图1，显示装置DD可以包括显示面板DP、信号控制器TC(或时序控制器)、数据驱动器DDV和扫描驱动器GDV。电路可以包括在信号控制器TC、数据驱动器DDV和扫描驱动器GDV中的每个中。
显示面板DP可以包括发光器件。例如，显示面板DP可以包括微型LED(micro-LED)。显示面板DP可以包括多条数据线DL1至DLm、多条扫描线SL1至SLn以及多个像素PX。
多条数据线DL1至DLm可以在第一方向D1上延伸。多条数据线DL1至DLm可以沿与第一方向D1相交的第二方向D2布置。多条扫描线SL1至SLn可以在第二方向D2上延伸。多条扫描线SL1至SLn可以沿第一方向D1布置。
每个像素PX可以包括发光器件和电连接到发光器件的像素电路。像素电路可以包括多个晶体管。第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS可以被提供给每个像素PX。
像素PX可以规则地设置在显示面板DP的平坦表面上。每个像素PX可以显示原色中的一种或混合色中的一种。原色可以包括红色、绿色和蓝色。混合色可以包括黄色、青色、品红色和白色。然而，显示在像素PX上的颜色不限于此。
信号控制器TC可以接收外部提供的图像数据RGB。信号控制器TC可以通过转换图像数据RGB来产生转换的图像数据R'G'B'以符合显示面板DP的操作，并且可以将转换的图像数据R'G'B'输出到数据驱动器DDV。
信号控制器TC可以接收外部提供的控制信号CS。控制信号CS可以包括垂直同步信号、水平同步信号、主时钟信号和数据使能信号。信号控制器TC可以向数据驱动器DDV提供第一控制信号CONT1，并向扫描驱动器GDV提供第二控制信号CONT2。第一控制信号CONT1可以是用于控制数据驱动器DDV的信号，第二控制信号CONT2可以是用于控制扫描驱动器GDV的信号。
多条数据线DL1至DLm可以由数据驱动器DDV响应于从信号控制器TC提供的第一控制信号CONT1而驱动。数据驱动器DDV可以以单个集成电路的形式实现，并且可以电连接到显示面板DP的一侧或者直接安装在显示面板DP上。可选地或附加地，数据驱动器DDV可以以单个芯片的形式实现，或者可以包括多个芯片。
多条扫描线SL1至SLn可以由扫描驱动器GDV响应于从信号控制器TC提供的第二控制信号CONT2而驱动。例如，扫描驱动器GDV可以集成在显示面板DP的单个区域上。在这种情况下，扫描驱动器GDV可以包括由低温多晶硅(LTPS)工艺和低温多晶氧化物(LTPO)工艺中的一种工艺形成的多个薄膜晶体管，所述工艺与用于形成用于驱动像素PX的驱动器电路的工艺相同。对于另一示例，扫描驱动器GDV可以以单个集成电路芯片的形式实现，并且可以电连接到显示面板DP的一侧。
当向多条扫描线SL1至SLn中的一条提供栅极导通电压时，可以导通包括在连接到一条扫描线的一行上的每个像素中的开关晶体管。在这种情况下，数据驱动器DDV可以向数据线DL1至DLm提供数据驱动信号。提供给数据线DL1至DLm的数据驱动信号可以通过导通的开关晶体管施加到相应的像素。数据驱动信号可以是对应于图像数据的灰度的模拟电压。
图2示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的像素的等效电路图。
参照图2，像素PX可以连接到多条信号线。根据本发明构思的一些示例实施例的信号线可以包括扫描线SL、数据线DL、第一电源线PL1和第二电源线PL2。
像素PX可以包括发光器件ED和像素电路PXC。像素电路PXC可以包括第一薄膜晶体管TR1、电容器CAP和第二薄膜晶体管TR2。
第一薄膜晶体管TR1可以是控制像素PX的导通/截止的开关晶体管。响应于通过扫描线SL传输的栅极信号，第一薄膜晶体管TR1可以传输或阻断通过数据线DL传输的数据信号。
电容器CAP可以连接在第一薄膜晶体管TR1和第一电源线PL1之间。电容器CAP可以由于从第一薄膜晶体管TR1传输的数据信号与施加到第一电源线PL1的第一电源电压ELVDD之间的电压差而被充电。
第二薄膜晶体管TR2可以连接到第一薄膜晶体管TR1、电容器CAP和发光器件ED。响应于电容器CAP的充电量，第二薄膜晶体管TR2可以控制流过发光器件ED的驱动电流。第二薄膜晶体管TR2的导通时间可以根据电容器CAP的充电量来确定。
第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2可以是n型薄膜晶体管或p型薄膜晶体管。可选地，在其它实施例中，第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2中的一个可以是n型薄膜晶体管，并且第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2中的另一个可以是p型薄膜晶体管。
发光器件ED可以连接在第二薄膜晶体管TR2和第二电源线PL2之间。发光器件ED可以通过由第二薄膜晶体管TR2传输的信号与由第二电源线PL2接收的第二电源电压ELVSS之间的电压差来发光。
发光器件ED可以是超小型LED器件。所述超小型LED器件可以是其尺寸在从几纳米至几百微米的范围内的LED器件。超小型LED器件的尺寸仅仅是说明性示例，而不限于上述尺寸范围。
图2示例性地示出连接在第二薄膜晶体管TR2和第二电源线PL2之间的单个发光器件ED，但是发光器件ED可以设置为多个。多个发光器件ED可以彼此并联连接。
图3示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的显示装置的显示面板的平面图。图4A示出了沿图3的线A-A'截取的剖视图。图4B示出了沿图3的线B-B'截取的剖视图。图5示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的发光器件的透视图。
参照图3、图4A、图4B和图5，第一像素PX1至第四像素PX4可以设置在基体层100上。基体层100可以包括硅基底、塑料基底、玻璃基底、介电膜或包括多个介电层的堆叠结构。
第一像素PX1至第四像素PX4可以被二维布置。第一像素PX1和第二像素PX2可以在第二方向D2上彼此相邻，并且第三像素PX3和第四像素PX4可以在第二方向D2上彼此相邻。第一像素PX1和第三像素PX3可以在第一方向D1上彼此相邻，第二像素PX2和第四像素PX4可以在第一方向D1上彼此相邻。第一像素PX1至第四像素PX4中的每个可以包括第一薄膜晶体管TR1、第二薄膜晶体管TR2和发光器件ED。在第一像素PX至第四像素PX4之中，将讨论第一像素PX1作为代表性示例。
第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2可以设置在基体层100上。第一薄膜晶体管TR1可以包括第一控制电极CE1、第一输入电极IE1、第一输出电极OE1和第一半导体图案SP1。第二薄膜晶体管TR2可以包括第二控制电极CE2、第二输入电极IE2、第二输出电极OE2和第二半导体图案SP2。
第一控制电极CE1和第二控制电极CE2可以设置在基体层100上。第一控制电极CE1和第二控制电极CE2可以包括导电材料。基体层100可以在其上设置有覆盖第一控制电极CE1和第二控制电极CE2的第一介电层110。例如，第一控制电极CE1和第二控制电极CE2可以置于第一介电层110和基体层100之间。
第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2可以设置在第一介电层110上。第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2中的每个可以包括半导体材料。例如，半导体材料可以包括非晶硅、多晶硅、单晶硅、半导体氧化物和化合物半导体中的一种或更多种。第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2中的每个可以包括电子或空穴迁移所通过的沟道区域、第一杂质区域和第二杂质区域，第二杂质区域与第一杂质区域分隔开在沟道区域的两侧。
第一输入电极IE1和第一输出电极OE1可以设置在第一半导体图案SP1上。第一输入电极IE1和第一输出电极OE1可以分别连接到第一半导体图案SP1的第一杂质区域和第二杂质区域。第二输入电极IE2和第二输出电极OE2可以设置在第二半导体图案SP2上。第二输入电极IE2和第二输出电极OE2可以分别连接到第二半导体图案SP2的第一杂质区域和第二杂质区域。
第一介电层110可以在其上设置有覆盖第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2、第一输入电极IE1和第二输入电极IE2以及第一输出电极OE1和第二输出电极OE2的第二介电层120。例如，第一介电层110和第二介电层120可以在其间设置有第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2、第一输入电极IE1和第二输入电极IE2以及第一输出电极OE1和第二输出电极OE2。
第三介电层130可以设置在第二介电层120上。第三介电层130可以具有平坦的顶表面。第三介电层130可以在其上设置有连接电极CCE，连接电极CCE将第一输出电极OE1电连接到第二控制电极CE2。连接电极CCE可以包括穿透第二介电层120和第三介电层130并且结合到第一输出电极OE1的第一接触部。连接电极CCE可以包括穿透第一介电层110、第二介电层120和第三介电层130并且结合到第二控制电极CE2的第二接触部。
第三介电层130可以在其上设置有覆盖连接电极CCE的第四介电层140。第一电极E1可以设置在第四介电层140上。第一电极E1可以包括穿透第二介电层120、第三介电层130和第四介电层140并且结合到第二输出电极OE2的第三接触部。
第四介电层140可以在其上设置有覆盖第一电极E1的第五介电层150。发光器件ED可以设置在第一电极E1上。发光器件ED可以设置在第五介电层150中。发光器件ED可以包括顺序堆叠的第一半导体层SL1、有源层(active layer，或可称为“活性层”)ACT、第二半导体层SL2和第三半导体层SL3。
有源层ACT以及第一半导体层SL1、第二半导体层SL2和第三半导体层SL3可以包括III-V族化合物半导体。有源层ACT以及第一半导体层SL1、第二半导体层SL2和第三半导体层SL3可以包括GaN基半导体。例如，有源层ACT以及第一半导体层SL1、第二半导体层SL2和第三半导体层SL3可以包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN以及它们的组合中的一种或更多种。
第一半导体层SL1、第二半导体层SL2和第三半导体层SL3可以包括相同的GaN基半导体。例如，第一半导体层SL1、第二半导体层SL2和第三半导体层SL3可以包括GaN。第一半导体层SL1可以是p型半导体层。第一半导体层SL1可以包括诸如镁(Mg)、锌(Zn)、钾(K)、钙(Ca)、锶(Sr)或钡(Ba)的杂质。第二半导体层SL2可以是n型半导体层。第二半导体层SL2可以包括诸如硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、硒(Se)或碲(Te)的杂质。第三半导体层SL3可以是未掺杂的半导体层。有源层ACT可以置于第一半导体层SL1和第二半导体层SL2之间。
有源层ACT可以是通过第一半导体层SL1注入的空穴与通过第二半导体层SL2注入的电子复合的区域。光可以由于有源层ACT中的电子和空穴的复合而产生。有源层ACT可以具有单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构或量子点结构。例如，有源层ACT可以具有包括InGaN/GaN的多量子阱结构。
第一半导体层SL1、有源层ACT、第二半导体层SL2和第三半导体层SL3可以顺序地堆叠在发光器件ED的底表面BS上。另外，第一半导体层SL1、有源层ACT、第二半导体层SL2和第三半导体层SL3可以顺序地堆叠在发光器件ED的侧壁SW上。例如，第一半导体层SL1、有源层ACT和第二半导体层SL2中的每个可以具有U形剖面。
与发光器件ED的侧壁SW相邻的有源层ACT可以置于第一半导体层SL1和第二半导体层SL2之间。例如，与发光器件ED的侧壁SW相邻的有源层ACT可以被第一半导体层SL1覆盖并且因此可以不被暴露。与发光器件ED的侧壁SW相邻的第一半导体层SL1可以使有源层ACT钝化。因为有源层ACT由第一半导体层SL1保护，所以有源层ACT可以在电特性方面有改善，并且因此，发光器件ED可以在亮度效率方面有提高。
发光器件ED的侧壁SW可以包括第一小平面(facet)FA1和第二小平面FA2。第一小平面FA1可以在第二方向D2上延伸。第二小平面FA2可以在第一方向D1上延伸。第一小平面FA1和第二小平面FA2可以彼此相邻。第一小平面FA1和第二小平面FA2可以彼此相交以在发光器件ED的侧壁SW上限定边缘VER。边缘VER可以从发光器件ED的底表面BS延伸到顶表面TS。
发光器件ED可以具有纤锌矿晶体结构。发光器件ED的顶表面TS和底表面BS可以是极性面或c-面。顶表面TS和底表面BS可以均为(0001)面。极性面(或c-面)可以是包括一种原子的面。例如，极性面(或c-面)可以是包括镓(Ga)原子或氮(N)原子的面。
发光器件ED的第一小平面FA1可以是半极性面。第一小平面FA1可以相对于顶表面TS和底表面BS倾斜。第一小平面FA1可与底表面BS形成10°至80°的角度θ1。第一小平面FA1可以是诸如(1-101)面的(n-n0k)面。第一小平面FA1可以是诸如(10-11)面的(n0-nk)面。第一小平面FA1可以是诸如(11-22)或(11-21)面的(nn-2nk)面。在这里，n和k中的每个是等于或大于1的整数。例如，第一小平面FA1可以是(1-101)面。
倾斜的第一小平面FA1可以使得发光器件ED在第一方向D1上具有形状类似倒金字塔的剖面。例如，发光器件ED可以在第一方向D1上具有第一宽度W1，第一宽度W1随着距基体层100的距离增加而增加。
发光器件ED的第二小平面FA2可以是非极性面或a-面。第二小平面FA2可以基本垂直于顶表面TS和底表面BS。第二小平面FA2可以与底表面BS形成约90°的角度θ2。例如，第二小平面FA2可以是(11-20)面。
垂直的第二小平面FA2可以使得发光器件ED在第二方向D2上具有形状类似矩形的剖面。例如，发光器件ED可以在第二方向D2上具有第二宽度W2，并且即使远离基体层100，第二宽度W2也可以是基本恒定的。
第一水平LV1和第二水平LV2可以基于距基体层100的顶表面的距离来限定。第二水平LV2可以高于第一水平LV1。例如，第二水平LV2与基体层100的顶表面之间的距离可以大于第一水平LV1与基体层100的顶表面之间的距离。
发光器件ED在第一水平LV1处的第一宽度W1_LV1可以小于在第二水平LV2处的第一宽度W1_LV2。在第二水平LV2处的第一宽度W1_LV2和第一水平LV1处的第一宽度W1_LV1之间可以有第一差值。
发光器件ED在第一水平LV1处的第二宽度W2_LV1可以与在第二水平LV2处的第二宽度W2_LV2基本相同。在第二水平LV2处的第二宽度W2_LV2和第一水平LV1处的第二宽度W2_LV1之间可以有第二差值。第一差值可以不同于第二差值。例如，第一差值可以大于第二差值。对于另一示例，第一差值可以与第二差值基本相同(见下面将讨论的图34)。
根据本发明构思的一些示例实施例的发光器件ED的侧壁SW可以包括彼此相邻的第一小平面FA1和第二小平面FA2。第一小平面FA1和第二小平面FA2可以相对于底表面BS或顶表面TS具有不同的角度。第一小平面FA1可以是半极性面，而第二小平面FA2可以是非极性面。在其它实施例中，第一小平面FA1和第二小平面FA2可以相对于底表面BS或顶表面TS具有基本相同的角度(见下面将讨论的图34)。
当发光器件ED的侧壁SW仅包括第二小平面FA2时，从有源层ACT产生的光不会被提取，这会导致光提取效率的降低。根据本发明构思的一些示例实施例，因为发光器件ED的侧壁SW不仅包括第二小平面FA2而且包括倾斜的第一小平面FA1，所以可以能够通过侧壁SW有效地提取光。因此，本发明构思的发光器件ED可以具有优异的光提取效率。
导电结构MP可以置于发光器件ED和第一电极E1之间以及发光器件ED和第五介电层150之间。导电结构MP可以包括导电材料。例如，导电结构MP可以包括诸如镍、铜、金或银的金属。导电结构MP可以包括镍/金的堆叠层。
导电结构MP可以包括发光器件ED和第一电极E1之间的连接图案CP，并且还包括发光器件ED的侧壁SW上的反射图案RP。连接图案CP可以直接覆盖发光器件ED的底表面BS。
反射图案RP可以从连接图案CP朝向发光器件ED的顶表面TS延伸。绝缘图案IP可以置于反射图案RP和发光器件ED的侧壁SW之间。绝缘图案IP可以使反射图案RP与发光器件ED绝缘。反射图案RP可以防止从有源层ACT产生的光通过发光器件ED的侧壁SW泄漏。例如，反射图案RP可以反射从有源层ACT产生的光，并且引导光通过发光器件ED的顶表面TS发射。
电信号可以选择性地通过第一电极E1和连接图案CP施加到发光器件ED的底表面BS。因为绝缘图案IP使反射图案RP与发光器件ED绝缘，所以没有电信号会施加到发光器件ED的侧壁SW。结果，电信号可选择性地施加到发光器件ED的c-平面或极性面。因为没有电信号施加到包括半极性面和非极性面的侧壁SW，所以发光器件ED可以在亮度效率方面有提高。
第六介电层160可以设置在第五介电层150上。第七介电层170可以设置在第六介电层160上。第二电极E2可以设置在发光器件ED上。第二电极E2可以设置在第七介电层170中。第二电极E2可以通过穿透第六介电层160的第四接触部电连接到发光器件ED的第三半导体层SL3。例如，第二电极E2可以在第六介电层160上沿第一方向D1延伸。第二电极E2可以电连接到上面参照图2讨论的第二电源线PL2。例如，可以向第二电极E2供应图2的第二电源电压ELVSS。
连接电极CCE、第一电极E1和第二电极E2中的每个可以包括导电材料。例如，导电材料可以包括铟锌氧化物(IZO)、铟锡氧化物(ITO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌镓氧化物(IGZO)以及它们的组合中的一种或更多种。然而，本发明构思不限于此。对于另一示例，导电材料可以包括诸如钼、银、钛、铜、铝的金属或它们的合金。
遮光图案BM和滤色器CF可以设置在第七介电层170上。遮光图案BM可以具有与发光器件ED垂直叠置的开口，并且滤色器CF可以设置在开口中。遮光图案BM可以是黑色矩阵。
滤色器CF可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的一种或更多种。滤色器CF可以接收从发光器件ED发射的光，并且可以对具有特定波长的光选择性地透明。例如，滤色器CF可以包括量子点。换句话说，滤色器CF可以是量子点滤色器。
滤色器CF可以包括透明材料。当从发光器件ED发射的光为蓝色时，蓝色像素中的滤色器CF可以包括不具有量子点的透明材料。
覆盖层CV可以设置在遮光图案BM和滤色器CF上。覆盖层CV可以包括透明玻璃或透明塑料。覆盖层CV可以保护滤色器CF和发光器件ED。
图6A和图6B示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的显示装置的分别沿图3的线A-A'和线B-B'截取的剖视图。在下面的实施例中，将省略与上面参照图3、图4A、图4B和图5讨论的显示装置的技术特征重复的技术特征的详细描述，并且将详细讨论其差异。
参照图3、图6A和图6B，发光器件ED可在其部分上设置有在发光器件ED内部部分穿透的接触孔CNH。接触孔CNH可以从发光器件ED的底表面BS朝向顶表面TS延伸。接触孔CNH可以不完全穿透发光器件ED。例如，接触孔CNH可以暴露发光器件ED的第三半导体层SL3。
第一接触插塞CNT1可以设置在接触孔CNH中。第一接触插塞CNT1可以接触通过接触孔CNH暴露的第三半导体层SL3。介电材料IM可以填充第一接触插塞CNT1和接触孔CNH之间的空间。第二电极E2可以设置在第一接触插塞CNT1的下方。第二电极E2可以通过第一接触插塞CNT1电连接到第三半导体层SL3。
第二接触插塞CNT2可以设置在发光器件ED和第一电极E1之间。第二接触插塞CNT2可以接触连接图案CP。第一电极E1可以通过第二接触插塞CNT2和连接图案CP电连接到第一半导体层SL1。
图7、图9、图11和图13示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的制造发光器件的方法的平面图。图8A、图10A、图12A和图14A分别示出了沿图7、图9、图11和图13的线A-A'截取的剖视图。图8B、图10B、图12B和图14B分别示出了沿图7、图9、图11和图13的线B-B'截取的剖视图。
参照图7、图8A和图8B，可以在基底SUB上形成多个牺牲图案SAP。基底SUB可以是蓝宝石基底、硅基底、SiC基底或GaAs基底。例如，基底SUB可以是蓝宝石基底。形成牺牲图案SAP的步骤可以包括在基底SUB上形成光致抗蚀剂层以及对光致抗蚀剂层执行曝光和显影工艺。例如，牺牲图案SAP可以包括光致抗蚀剂材料。牺牲图案SAP可以二维地布置在基底SUB上。
每个牺牲图案SAP可以包括第一侧壁SW1和第二侧壁SW2。第一侧壁SW1和第二侧壁SW2可以彼此相邻。第一侧壁SW1可以在第二方向D2上延伸。第二侧壁SW2可以在第一方向D1上延伸。
第一侧壁SW1可以具有线性形状。第二侧壁SW2可以具有朝向牺牲图案SAP的中心区域凹进的凹入形状。例如，第二侧壁SW2可以包括在第四方向D4上延伸的第一部分P1以及在第一方向D1上延伸的第二部分P2。第四方向D4可以平行于基底SUB的顶表面并且可以与第二方向D2相交。当在平面中观看时，第一部分P1和第二部分P2可以彼此形成大于90°的角度θ3。例如，第一部分P1和第二部分P2之间形成的角度θ3可以在从100°至170°的范围内。
参照图9、图10A和图10B，可以在基底SUB的整个表面上共形地形成无机层IL。形成无机层IL的步骤可以包括执行原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺。无机层IL可以包括二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、二氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化钇-氧化锆(Y2O3-ZrO2)、氧化铜、氧化钽、氮化铝(AlN)和氮化硅(Si3N4)中的一种或更多种。例如，无机层IL可以包括氧化铝。
无机层IL可以覆盖基底SUB的顶表面和每个牺牲图案SAP的表面。例如，无机层IL的一部分可以覆盖牺牲图案SAP的表面。无机层IL的覆盖牺牲图案SAP的表面的部分可以是种子图案SEP。
种子图案SEP可以具有由牺牲图案SAP限定的平面形状。例如，种子图案SEP的平面形状可以与牺牲图案SAP的平面形状基本相同。
种子图案SEP可以包括第一侧壁SW1和第二侧壁SW2。种子图案SEP的第一侧壁SW1和第二侧壁SW2可以分别由牺牲图案SAP的第一侧壁SW1和第二侧壁SW2限定。因此，种子图案SEP的第一侧壁SW1可以具有线性形状，并且种子图案SEP的第二侧壁SW2可以具有凹入形状。种子图案SEP的第二侧壁SW2可以包括在第四方向D4上延伸的第一部分P1以及在第一方向D1上延伸的第二部分P2。
参照图11、图12A和图12B，可以选择性地去除牺牲图案SAP。例如，可以执行退火工艺，使得牺牲图案SAP可以被热解并去除。牺牲图案SAP的去除可以在基底SUB和种子图案SEP之间形成空的空间ES。
可以对无机层IL附加地执行退火工艺，并且因此种子图案SEP可以变得致密并且结晶。例如，可以对无机层IL进行退火以使种子图案SEP结晶，以具有与基底SUB的晶体结构相同的晶体结构。
参照图13、图14A和图14B，可以在每个种子图案SEP上形成发光器件ED。可以将多个发光器件ED形成为与种子图案SEP的二维布置对应的二维布置。形成发光器件ED的步骤可以包括执行其中使用种子图案SEP的顶表面作为种子的选择性外延生长工艺。选择性外延生长工艺可以包括化学气相沉积工艺或分子束外延工艺。发光器件ED可以包括诸如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN或它们的组合的至少一种III-V族化合物半导体。
在选择性外延生长工艺期间，可以控制源气体以形成具有多层结构的发光器件ED。例如，形成发光器件ED的步骤可以包括形成第三半导体层SL3、在第三半导体层SL3上形成第二半导体层SL2、在第二半导体层SL2上形成有源层ACT以及在有源层ACT上形成第一半导体层SL1。
可以将第三半导体层SL3形成为包括GaN。可以将第二半导体层SL2形成为包括包含诸如硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、硒(Se)或碲(Te)的杂质的GaN。可以将有源层ACT形成为具有包括InGaN/GaN的多量子阱结构。可以将第一半导体层SL1形成为包括包含诸如镁(Mg)、锌(Zn)、钾(K)、钙(Ca)、锶(Sr)或钡(Ba)的杂质的GaN。可以在单个工艺腔室中相继地形成有源层ACT以及第一半导体层SL1、第二半导体层SL2和第三半导体层SL3。
在选择性外延生长工艺期间，III-V族化合物半导体可以根据其晶面以不同的生长速率生长。例如，发光器件ED的侧壁SW可以包括第一小平面FA1和第二小平面FA2。第一小平面FA1可以是半极性面。第一小平面FA1可以相对于基底SUB的顶表面倾斜。第二小平面FA2可以是非极性面。第二小平面FA2可以垂直于基底SUB的顶表面。
图15A至图15D示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的发光器件ED的通过使用选择性外延生长工艺在牺牲图案SAP上的时序生长的透视图。参照图13、图14A、图14B以及图15A至图15D，在选择性外延生长工艺期间，可以以第一生长速率生长III-V族化合物半导体的第一小平面FA1，而可以以第二生长速率生长III-V族化合物半导体的第二小平面FA2。第一生长速率可以小于第二生长速率。
种子图案SEP的第一侧壁SW1可以具有线性形状。当III-V族化合物半导体生长时，其生长速率低的第一小平面FA1可以保留在第一侧壁SW1上。种子图案SEP的第二侧壁SW2可以具有凹入形状。当III-V族化合物半导体生长时，其生长速率高的第二小平面FA2可保留在第二侧壁SW2上。结果，发光器件ED的第一小平面FA1可以形成在种子图案SEP的第一侧壁SW1上，发光器件ED的第二小平面FA2可以形成在种子图案SEP的第二侧壁SW2上。
因为第二小平面FA2以相对高的速率生长，所以发光器件ED可以形成为具有大于种子图案SEP的第二方向D2上的宽度的第二方向D2上的宽度。
图16和图17示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的制造发光器件的方法的平面图。在下面的实施例中，将省略与上面参照图7至图15D讨论的制造方法的技术特征重复的技术特征的详细描述，并且将详细讨论其差异。
参照图16，种子图案SEP可以具有不同于上面在图11中示出的种子图案SEP的平面形状的平面形状。种子图案SEP可以包括第一侧壁SW1和第二侧壁SW2。种子图案SEP的第二侧壁SW2可以在第一方向D1上延伸。种子图案SEP的第一侧壁SW1可以具有线性形状，并且种子图案SEP的第二侧壁SW2也可以具有线性形状。例如，种子图案SEP可以具有矩形平面形状。
参照图17，可以在每个种子图案SEP上形成发光器件ED。发光器件ED可以具有多边形平面形状(例如，八边形形状)。发光器件ED的侧壁SW可以包括第一小平面FA1和第二小平面FA2，并且还包括第三小平面FA3。第三小平面FA3可以置于第一小平面FA1和第二小平面FA2之间。第三小平面FA3可以是相对于基底SUB的顶表面倾斜的半极性面。
与上面在图11中示出的种子图案SEP不同，种子图案SEP的第二侧壁SW2可以不具有凹入形状，而是具有线性形状。当III-V族化合物半导体生长时，其生长速率高的第二小平面FA2可以形成在种子图案SEP的第二侧壁SW2上，并且其生长速率低的第三小平面FA3也可以形成在种子图案SEP的第二侧壁SW2上。在第二小平面FA2的生长和第三小平面FA3的生长之间可以有竞争关系。当执行过生长时，种子图案SEP的第二侧壁SW2可以不在其上设置有第二小平面FA2，而是设置有第三小平面FA3。
在根据本发明构思的一些示例实施例的制造发光器件的方法中，种子图案SEP可以被设计成具有与发光器件ED的期望形状对应的平面形状。当发光器件ED的期望形状为图13中示出的矩形形状时，可以将种子图案SEP形成为具有图11中示出的形状，然后可以执行选择性外延生长工艺。当发光器件ED的期望形状是图17中示出的蜂窝形状时，可以将种子图案SEP形成为具有图16中示出的形状，然后可以执行选择性外延生长工艺。
图18、图19和图20示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的制造发光器件的方法的平面图。图21A和图21B示出了分别沿图20的线A-A'和线B-B'截取的剖视图。在下面的实施例中，将省略与上面参照图7至图15D讨论的制造方法的技术特征重复的技术特征的详细描述，并且将详细讨论其差异。
参照图18，可以在基底SUB上形成多个牺牲图案SAP。每个牺牲图案SAP可以在第一方向D1上延伸。
参照图19，可以在基底SUB的整个表面上共形地形成无机层IL。无机层IL可以包括覆盖每个牺牲图案SAP的种子图案SEP。
参照图20、图21A和图21B，可以对种子图案SEP和牺牲图案SAP执行图案化工艺。图案化工艺可形成在第二方向D2上延伸的沟槽TR。图案化工艺可以将在第一方向D1上延伸的单个种子图案SEP分离为多个种子图案SEP。沟槽TR可以将在第一方向D1上延伸的单个种子图案SEP分离为多个种子图案SEP。牺牲图案SAP的侧壁可以部分地暴露于沟槽TR。
随后，如上面参照图11、图12A和图12B所讨论的，可以选择性地去除牺牲图案SAP。因为牺牲图案SAP的侧壁部分地暴露于沟槽TR，所以可以能够容易地去除牺牲图案SAP。种子图案SEP可以经历选择性外延生长工艺以形成发光器件ED。
图22和图23示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的制造发光器件的方法的平面图。图24A和图24B示出了分别沿图23的线A-A'和线B-B'截取的剖视图。在下面的实施例中，将省略与上面参照图7至图15D讨论的制造方法的技术特征重复的技术特征的详细描述，并且将详细讨论其差异。
参照图22，可以在基底SUB上形成多个牺牲图案SAP。与上面参照图7讨论的牺牲图案SAP不同，每个牺牲图案SAP可以被无机层IL完全围绕。可以在基底SUB的整个表面上共形地形成无机层IL。无机层IL可以包括覆盖每个牺牲图案SAP的种子图案SEP。
参照图23、图24A和图24B，可以使种子图案SEP和牺牲图案SAP图案化以形成多个孔HO。每个孔HO可以穿透种子图案SEP和牺牲图案SAP，暴露基底SUB的顶表面。每个孔HO可以暴露牺牲图案SAP的内壁。
随后，如上面参照图11、图12A和图12B所讨论的，可以选择性地去除牺牲图案SAP。因为孔HO暴露牺牲图案SAP的内壁，所以可以能够容易地去除牺牲图案SAP。种子图案SEP可以经历选择性外延生长工艺以形成发光器件ED。
图25示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的制造发光器件的方法的平面图。图26A和图26B示出了分别沿图25的线A-A'和线B-B'截取的剖视图。在下面的实施例中，将省略与上面参照图7至图15D讨论的制造方法的技术特征重复的技术特征的详细描述，并且将详细讨论其差异。
参照图25、图26A和图26B，可以使基底SUB图案化以形成多个种子图案SEP。例如，基底SUB可以被图案化以形成凹进RS，凹进RS可以将基底SUB的上部限定为种子图案SEP。基底SUB的种子图案SEP可以经历选择性外延生长工艺以形成发光器件ED。
图27和图28示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的制造发光器件的方法的平面图。在下面的实施例中，将省略与上面参照图7至图15D讨论的制造方法的技术特征重复的技术特征的详细描述，并且将详细讨论其差异。
参照图27，可以在基底SUB上形成牺牲图案SAP。可以将牺牲图案SAP形成为具有在第一方向D1上延伸的多个开口OP。可以在基底SUB的整个表面上共形地形成无机层IL。无机层IL可以包括覆盖牺牲图案SAP的种子图案SEP。
参照图28，可以选择性地去除牺牲图案SAP。种子图案SEP可以经历选择性外延生长工艺以形成发光器件ED。发光器件ED的尺寸可以大于图13中示出的发光器件ED的尺寸。
图29、图30和图31示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
参照图29，可以在基体层100上形成第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2。形成第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2的步骤可以包括执行低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺。可以将连接电极CCE形成为将第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2彼此电连接。可以在连接电极CCE上形成第一电极E1。第一电极E1可以电连接到第二薄膜晶体管TR2。第一电极E1可以暴露于外部。
参照图30，可以在上面参照图13、图14A和图14B讨论的发光器件ED上形成绝缘图案IP和导电结构MP。
可以将绝缘图案IP形成为选择性地覆盖发光器件ED的侧壁SW。例如，形成绝缘图案IP的步骤可以包括在发光器件ED的表面上共形地形成介电层以及各向异性地蚀刻介电层，直到发光器件ED的顶表面被暴露。
形成导电结构MP的步骤可以包括在发光器件ED和绝缘图案IP上形成金属层。例如，导电结构MP可以包括镍/金的堆叠层。导电结构MP的连接图案CP可以直接接触发光器件ED。导电结构MP的反射图案RP可以与发光器件ED分隔开在绝缘图案IP的两侧。
可以将发光器件ED与种子图案SEP和基底SUB分离。可以使用机械剥离技术来分离发光器件ED。
可以在第一电极E1上安装分离的发光器件ED。可以上下翻转分离的发光器件ED以允许导电结构MP的连接图案CP位于第一电极E1上。
参照图31，可以将第五介电层150形成为覆盖第一电极E1和导电结构MP。可以在第五介电层150上形成第二电极E2。第二电极E2可以电连接到发光器件ED的第三半导体层SL3。
返回参照图3、图4A和图4B，可以在第二电极E2上形成遮光图案BM和滤色器CF。遮光图案BM可以是黑色矩阵。滤色器CF可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的一种或更多种。可以在遮光图案BM和滤色器CF上形成覆盖层CV。
图32示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的显示装置的显示面板的平面图。图33示出了沿图32的线C-C'截取的剖视图。图4A可以与沿图32的线A-A'截取的剖视图基本相同。图4B可以与沿图32的线B-B'截取的剖视图基本相同。在下面的实施例中，将省略与上面参照图3、图4A、图4B和图5讨论的显示装置的技术特征重复的技术特征的详细描述，并且将详细讨论其差异。
参照图32、图33、图4A和图4B，发光器件ED的侧壁SW可以包括第一小平面FA1和第二小平面FA2，并且还包括第三小平面FA3。例如，根据本实施例的显示装置可以包括通过上面参照图16和图17讨论的方法制造的发光器件ED。
第三小平面FA3可以置于第一小平面FA1和第二小平面FA2之间。第三小平面FA3可以是相对于发光器件ED的顶表面TS和底表面BS倾斜的半极性面。第三小平面FA3可以与底面BS形成10°至80°的角度θ3。例如，在第三小平面FA3和底表面BS之间形成的角度θ3可以与图4A中示出的在第一小平面FA1和底表面BS之间形成的角度θ1基本相同。对于另一示例，在第三小平面FA3和底表面BS之间形成的角度θ3可以不同于图4A中示出的在第一小平面FA1和底表面BS之间形成的角度θ1。在第三小平面FA3和底表面BS之间形成的角度θ3可以小于在图4B中示出的在第二小平面FA2和底表面BS之间形成的角度θ2。
第一小平面FA1和第三小平面FA3可以彼此相邻。第一小平面FA1和第三小平面FA3可以彼此相交以限定发光器件ED的侧壁SW上的边缘VER。第二小平面FA2和第三小平面FA3可以彼此相邻。第二小平面FA2和第三小平面FA3可以彼此相交以限定发光器件ED的侧壁SW上的边缘VER。
倾斜的第三小平面FA3可以使得发光器件ED在第四方向D4上具有形状类似倒金字塔的剖面。例如，发光器件ED可以在第四方向D4上具有宽度W3，宽度W3随着距基体层100的距离增加而增加。
图34示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的显示装置的沿图3的线B-B'截取的剖视图。在下面的实施例中，将省略与上面参照图3、图4A、图4B和图5讨论的显示装置的技术特征重复的技术特征的详细描述，并且将详细讨论其差异。
参照图3、图4A和图34，发光器件ED的侧壁SW可以包括第一小平面FA1和第二小平面FA2。第二小平面FA2可以是半极性面。第二小平面FA2可与底表面BS形成约10°至80°的角度θ2。例如，在第二小平面FA2和底表面BS之间形成的角度θ2可以与在第一小平面FA1和底表面BS之间形成的角度θ1基本相同。
发光器件ED在第一水平LV1处的第二宽度W2_LV1可以小于在第二水平LV2处的第二宽度W2_LV2。第二水平LV2处的第二宽度W2_LV2与第一水平LV1处的第二宽度W2_LV1之间的第二差值可以与第二水平LV2处的第一宽度W1_LV2与第一水平LV1处的第一宽度W1_LV1之间的第一差值基本相同。
根据本发明构思的一些示例实施例，发光器件可以在亮度效率方面有提高。在根据本发明构思的一些示例实施例的制造显示装置的方法中，可以调节种子图案的形状以容易地制造具有期望形状的发光器件。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
多个像素电路；以及
发光器件，位于所述多个像素电路中的每个上，其中，
发光器件包括依次堆叠在发光器件的底表面和侧壁上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，
发光器件的侧壁包括第一小平面和与第一小平面相邻的第二小平面，
第一角度形成在底表面和第一小平面之间，
第二角度形成在底表面和第二小平面之间，
第一小平面和第二小平面彼此相交以限定边缘，并且
边缘从发光器件的底表面朝向顶表面延伸。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，第一角度等于或小于第二角度。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，发光器件的侧壁还包括与第二小平面相邻的第三小平面，其中，
第二小平面位于第一小平面和第三小平面之间，并且
第一角度不同于或等于形成在底表面和第三小平面之间的第三角度。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，发光器件包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN以及它们的组合中的一种或更多种。
5.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一电极，电连接到发光器件的底表面；以及
第二电极，电连接到发光器件的顶表面。
6.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一电极，电连接到发光器件的底表面；
接触插塞，穿透发光器件并接触发光器件的第二半导体层；以及
第二电极，连接到接触插塞。
7.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
导电结构，包括侧壁上的反射图案和底表面上的连接图案；以及
绝缘图案，位于侧壁和反射图案之间。
8.一种显示装置，所述显示装置包括：
多个像素电路；
发光器件，位于所述多个像素电路中的每个上；以及
导电结构，包括发光器件的侧壁上的反射图案和发光器件的底表面上的连接图案，其中，
发光器件包括顺序堆叠在底表面和侧壁上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，
反射图案与侧壁分隔开，并且
连接图案电连接到底表面上的第一半导体层。
9.如权利要求8所述的显示装置，其中，
发光器件的侧壁包括第一小平面和与第一小平面相邻的第二小平面，
第一角度形成在底表面和第一小平面之间，
第二角度形成在底表面和第二小平面之间，并且
第一小平面和第二小平面彼此相交以限定边缘。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中，第一角度等于或小于第二角度。
11.如权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括位于侧壁和反射图案之间的绝缘图案，
其中，反射图案与侧壁分隔开在绝缘图案的两侧。
12.如权利要求8所述的显示装置，其中，发光器件包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN以及它们的组合中的一种或更多种。
13.如权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一电极，通过连接图案电连接到发光器件；以及
第二电极，电连接到发光器件的顶表面。
14.如权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一电极，通过连接图案电连接到发光器件；以及
接触插塞，穿透发光器件并接触发光器件的第二半导体层；以及
第二电极，连接到接触插塞。
15.一种显示装置，所述显示装置包括：
多个像素电路，位于基体层上；以及
发光器件，位于所述多个像素电路中的每个上，其中，
发光器件包括顺序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，
发光器件具有在第一方向上的第一宽度以及在与第一方向相交的第二方向上的第二宽度，
第一水平处的第一宽度小于高于第一水平的第二水平处的第一宽度，
在第二水平处的第一宽度和第一水平处的第一宽度之间有第一差值，并且
在第二水平处的第二宽度和第一水平处的第二宽度之间有第二差值。
16.如权利要求15所述的显示装置，所述显示装置还包括发光器件的侧壁上的反射图案，
其中，有源层与反射图案分隔开在第一半导体层的两侧。
17.如权利要求15所述的显示装置，其中，第一差值等于或大于第二差值。
18.如权利要求15所述显示装置，其中，发光器件包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN以及它们的组合中的一种或更多种。
19.如权利要求15所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一电极，电连接到发光器件的底表面；以及
第二电极，电连接到发光器件的顶表面。
20.如权利要求15所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一电极，电连接到发光器件的底表面；
接触插塞，穿透发光器件并接触发光器件的第二半导体层；以及
第二电极，连接到接触插塞。
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