CN107369750B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种显示装置，包括：基板；及发光二极管，设于基板上，其中发光二极管包括：第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层，发光层设置于第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间，且第二导电型半导体层邻近基板，其中第一导电型半导体层包括主体部，反射层设于主体部的侧边上，主体部具有远离发光层的第一表面以及邻近发光层的第二表面，且第二导电型半导体层具有邻近发光层的第三表面以及远离发光层的第四表面，其中第一表面的宽度、发光层的宽度、由第一表面至第四表面的距离及由第一表面至发光层的距离具有特定的关系。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置，且特别是涉及一种具有发光二极管芯片的显示装置。
背景技术
随着数字科技的发展，显示装置已被广泛地应用在日常生活的各个层面中，例如其已广泛应用于电视、笔记本、电脑、移动电话、智慧型手机等现代化资讯设备，且此显示装置不断朝着轻、薄、短小及时尚化方向发展。而此显示装置包括发光二极管显示装置。
发光二极管(LEDs)利用p-n接面中的电子-空穴对的再结合(recombination)来产生电磁辐射(例如光)。在例如GaAs或GaN的直接带隙材料(direct band gap material)形成的顺向偏压的P-N接面中，注入空乏区中的电子-空穴对的再结合产生电磁辐射。上述电磁辐射可位于可见光区或非可见光区，且具有不同带隙的材料会形成不同颜色的发光二极管。
在现今发光二极管显示装置产业皆朝大量生产的趋势迈进的情况下，任何发光二极管显示装置的生产成本的减少皆可带来巨大的经济效益。然而，目前的发光二极管显示装置并非各方面皆令人满意。例如，当需要调整发光二极管显示装置的发光视角以及发光光型时，需要于出光面上设置一额外的第二棱镜(Second Lens)层设计，如此大幅增加了制作工艺成本。
因此，业界仍须一种可自由调控发光视角以及发光光型，或是可以改善出光效率的显示装置。
发明内容
本发明提供一种显示装置，包括：基板；及发光二极管，设于基板上，其中发光二极管包括：第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层，发光层设置于第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间，且第二导电型半导体层邻近基板，其中第一导电型半导体层包括主体部，反射层设于主体部的侧边上，主体部具有远离发光层的第一表面以及邻近发光层的第二表面，且第二导电型半导体层具有邻近发光层的第三表面以及远离发光层的第四表面，其中第一表面的宽度、发光层的宽度、由第一表面至第四表面的距离及由第一表面至发光层的距离具有特定的关系。
为让本发明的特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明一些实施例的显示装置的剖视图；
图2A为本发明一些实施例的反射层的剖视图；
图2B为本发明一些实施例的反射层的剖视图；
图3为本发明一些实施例的堆叠结构中特定宽度及距离的比值与半视角的关系图；
图4A为本发明一些实施例的堆叠结构的示意图；
图4B为本发明一些实施例的堆叠结构的底面宽度与半视角的关系图；
图4C为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图4D为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图4E为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图4F为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图4G为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图5A为本发明一些实施例的堆叠结构的示意图；
图5B为本发明一些实施例的堆叠结构的底面长轴宽度与半视角的关系图；
图5C为本发明一些实施例的堆叠结构的底面短轴宽度与半视角的关系图；
图5D为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图5E为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图5F为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图5G为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图5H为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图6A为本发明一些实施例的堆叠结构的示意图；
图6B为本发明一些实施例的堆叠结构的底面宽度与半视角的关系图；
图6C为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图6D为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图6E为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图6F为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图6G为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图7A为本发明一些实施例的堆叠结构的示意图；
图7B为本发明一些实施例的堆叠结构的底面长轴宽度与半视角的关系图；
图7C为本发明一些实施例的堆叠结构的底面短轴宽度与半视角的关系图；
图7D为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图7E为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图7F为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图7G为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图7H为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图；
图8A为本发明一些实施例的堆叠结构的剖视图；
图8B为本发明一些实施例的堆叠结构的剖视图；
图9A为本发明另外一些实施例的显示装置的剖视图；
图9B为本发明另外一些实施例的显示装置的剖视图；
图9C为本发明另外一些实施例的显示装置的剖视图。
符号说明
100 显示装置；
102 基板；
104 发光二极管；
104A 发光二极管；
104B 发光二极管；
104C 发光二极管；
106 第一导电型半导体层；
106A 基底部；
106B 主体部；
106C 柱状部；
108 发光层；
110 第二导电型半导体层；
112 堆叠结构；
112S 侧边；
112S1 侧边；
112S2 侧边；
114A 第一电极；
114B 第二电极；
116 反射层；
116A 反射层；
116B 反射层；
116S1 侧边；
116S2 表面；
118 凹槽；
118S 侧壁；
120 间隙；
200 显示装置；
300 显示装置；
400 显示装置；
116C1 子反射层；
116C2 子反射层；
116C3 子反射层；
116D1 反射层；
116D2 反射层；
116D3 反射层；
116E 子反射层；
R 比值；
D1A 第一轴；
D1B 第二轴；
D3A 第一轴；
D3B 第二轴；
D1A’ 距离；
D1B’ 距离；
D3A’ 距离；
D3B’ 距离；
S4E 延伸线；
112S1E 延伸线；
112S2E 延伸线；
122 空隙；
θ 角度；
θ1 角度；
θ2 角度；
θe 角度；
θr 角度；
θi 角度；
θo 角度；
A 点；
B 点；
C 点；
D 点；
E 点；
F 点；
G 点；
G’ 点；
H 点；
H’ 点；
P 点；
Q 点；
S1 表面；
S2 表面；
S3 表面；
S4 表面；
H1 距离；
H2 距离；
D1 宽度；
D2 宽度；
D3 宽度；
L 光；
A1 方向；
A2 方向。
具体实施方式
以下针对本发明的显示装置作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本发明的不同样态。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本发明。当然，这些仅用以举例而非本发明的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，也可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如「较低」或「底部」及「较高」或「顶部」，以描述附图的一个元件对于另一元件的相对关系。能理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在「较低」侧的元件将会成为在「较高」侧的元件。
在此，「约」、「大约」、「大抵」的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，较佳是10％之内，且更佳是5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明「约」、「大约」、「大抵」的情况下，仍可隐含「约」、「大约」、「大抵」的含义。
能理解的是，虽然在此可使用用语「第一」、「第二」、「第三」等来叙述各种元件、组成成分、区域、层、及/或部分，这些元件、组成成分、区域、层、及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的元件、组成成分、区域、层、及/或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组成成分、区域、层、及/或部分可在不偏离本发明的教示的情况下被称为一第二元件、组成成分、区域、层、及/或部分。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇揭露所属的一般技术者所通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本发明的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本发明有特别定义。
本发明实施例可配合附图一并理解，本发明的附图也被视为揭露说明的一部分。需了解的是，本发明的附图并未以实际装置及元件的比例绘示。在附图中可能夸大实施例的形状与厚度以便清楚表现出本发明的特征。此外，附图中的结构及装置以示意的方式绘示，以便清楚表现出本发明的特征。
在本发明中，相对性的用语例如「下」、「上」、「水平」、「垂直」、「之下」、「之上」、「顶部」、「底部」等等应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作。而关于接合、连接的用语例如「连接」、「互连」等，除非特别定义，否则可指两个结构直接接触，或者也可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语也可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。
应注意的是，在后文中「基板」一词可包括透明基板上已形成的元件与覆盖在基板上的各种膜层，其上方可以已形成任何所需的晶体管元件，不过此处为了简化附图，仅以平整的基板表示之。此外，「基板表面」包括透明基板上最上方且暴露的膜层，例如一绝缘层及/或金属线。基板的基材可为玻璃、塑胶或其他可于其上制作走线或晶体管元件的材料或膜层，例如聚亚酰胺(Polyimide，PI)。且也可为可挠性基板。
本发明实施例是使发光二极管的堆叠结构中的特定宽度及距离具有特定的关系，使本发明实施例的发光二极管显示装置可自由调控发光视角以及发光光型或出光效率。
首先，参见图1，该图为本发明一些实施例的显示装置100的剖视图。如图1所示，显示装置100包括基板102以及设于基板102上的发光二极管104。在本发明一些实施例中，基板102可包括一薄膜晶体管基板。
此发光二极管104包括第一导电型半导体层106。此第一导电型半导体层106具有基底部106A以及设于此基底部106A上的主体部106B，而此主体部106B具有邻近基底部106A的第一表面S1以及远离基底部106A的第二表面S2。于其他实施例中，可以只有主体部106B而没有基底部106A，直接于主体部106B接出导电电极。
此发光二极管104还包括设于第一导电型半导体层106的主体部106B的第二表面S2上的发光层108，以及设于此发光层108上的第二导电型半导体层110。易言之，发光层108设置于第一导电型半导体层106与第二导电型半导体层110之间，且此第二导电型半导体层110邻近上述基板102。此外，如图1所示，第一导电型半导体层106的主体部106B的第一表面S1远离发光层108，而第一导电型半导体层106的主体部106B的第二表面S2邻近此发光层108。此外，上述第二导电型半导体层110具有邻近发光层108的第三表面S3以及远离发光层108的第四表面S4。在本发明一些实施例中，此第一表面S1的面积大于第四表面S4的面积。此外，上述主体部106B、发光层108及第二导电型半导体层110共同作为堆叠结构112。
上述第一导电型半导体层106具有第一导电型态。第一导电型半导体层106可为掺杂的InxAlyGa(1-x-y)N，其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤(x+y)≤1，例如可为掺杂的GaN、InN、AlN、InxGa(1-x)N、AlxIn(1-x)N、AlxInyGa(1-x-y)N或其它类似的材料，其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤(x+y)≤1。第一导电型态可为P型，且可通过分子束外延(MBE)、金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)、氢化物气相外延法(HVPE)、液相外延法(LPE)或其它类似制作工艺的外延成长制作工艺形成。
发光层108可包括同质接面(homojunction)、异质接面(heterojunction)、单一量子阱(single-quantum well(SQW))、多重量子阱(multiple-quantum well(E))或其它类似的结构。在一实施例中，发光层108可包括未掺杂的N型InxGa(1-x)N。在其它实施例中，发光层108可包括例如AlxInyGa(1-x-y)N的其它常用的材料。另外，发光层108可为包括多重阱层(例如为InGaN)和阻障层(例如为GaN)交错排列的多重量子阱结构。再者，发光层108的形成方式可包括金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)、分子束外延法(MBE)、氢化物气相外延法(HVPE)、液相外延法(LPE)或其它适当的化学气相沉积法方式。在一实施例中。发光层108的总厚度约介于5nm至200nm之间。
上述第二导电型半导体层110具有第二导电型态，且此第二导电型态与第一导电型态不同。第二导电型半导体层110可包括掺杂的InxAlyGa(1-x-y)N，其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤(x+y)≤1，例如可包括掺杂的GaN、InN、AlN、InxGa(1-x)N、AlxIn(1-x)N、AlxInyGa(1-x-y)N或其它类似的材料，其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤(x+y)≤1。第二导电型态可为N型，且可通过分子束外延(MBE)、金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)、氢化物气相外延法(HVPE)、液相外延法(LPE)或其它类似制作工艺的外延成长制作工艺形成。
在本发明一些实施例中，可先于一第一导电型半导体基板(未绘示)上沉积发光层材料及第二导电型半导体材料，再经由蚀刻步骤形成图1所示的基底部106A以及设于基底部106A上的剖面形状为梯形的堆叠结构112。因此，在本发明一些实施例中，此基底部106A与主体部106B为一体成形。然而，在本发明其它一些实施例中，此基底部106A与主体部106B可不为一体成形。
在本发明一些实施例中，如图1所示，垂直于主体部106B的第一表面S1的方向为第一方向A1，且当由剖视图观察时，堆叠结构112的侧边112S与第一方向A1所夹的锐角为角度θ，此角度θ可为约1度至89度，例如为约10至85度，或约20至80度，或约30至75度，或约40至70度，或约50至60度，或约5至50度，端视设计需求而调整。
继续参见图1，发光二极管104可还包括电连接第一导电型半导体层106的第一电极114A，以及电连接第二导电型半导体层110的第二电极114B。在本发明一些实施例中，此第一电极114A设于第一导电型半导体层106的基底部106A的表面上，而此第二电极114B设于第二导电型半导体层110的第四表面S4上。此外，在本发明一些实施例中，此第二电极114B完全覆盖第二导电型半导体层110的第四表面S4。此外，在本发明一些实施例中，发光二极管104以第二电极114B朝向基板102的方式接合至基板102上。在本发明一些实施例中，此第二电极114B可部分覆盖第二导电型半导体层110的第四表面S4即可，端视设计需求，可达到所需要的反射设计值即可。
此第一电极114A与第二电极114B可各自独立地包括单层或多层的镍、铜、金、氧化铟锡、铟或锡、钛、上述的组合或其它导电性佳的金属材料。在一些实施例中，此第一电极114A与第二电极114B的材料可通过化学气相沉积法(CVD)、溅镀法、电阻加热蒸镀法、电子束蒸镀法、或其它任何适合的沉积方式形成。此化学气相沉积法例如可为低压化学气相沉积法(low pressure chemical vapor deposition，LPCVD)、低温化学气相沉积法(lowtemperature chemical vapor deposition，LTCVD)、快速升温化学气相沉积法(rapidthermal chemical vapor deposition，RTCVD)、等离子体辅助化学气相沉积法(plasmaenhanced chemical vapor deposition，PECVD)、原子层化学气相沉积法的原子层沉积法(atomic layer deposition，ALD)或其它常用的方法。
继续参见图1，发光二极管104可还包括设于堆叠结构112的侧边112S上的反射层116，亦即反射层116可分别设置于第一导电型半导体层106的侧边及第二导电型半导体层110的侧边上。于其他实施例中，反射层116可仅设置于第一导电型半导体层106的主体部106A的侧边上即可，只要于的出光光线路径上至少部分区域设置有反射层，即有改变出光光型或是改善出光效率的效果。第一导电型半导体层106的基底部106B也可选择性的设置反射层116。在本发明一些实施例中，此反射层116的材料可为金属材料，且可与上述第一电极114A与第二电极114B的材料相同或相似。然而，在本发明其它一些实施例中，此反射层116可为一布拉格反射层，且其材料可为非金属材料或绝缘层料，例如，在本发明一些实施例中，反射层116的材料可为SiO2的低折射率的绝缘层材料或SiN的高折射率的绝缘层材料，其折射率可能随制作工艺条件或成分比例而调整，因此不限于前述材料。
例如，如图2A所示，作为布拉格反射层的反射层116可包括多个子反射层(例如子反射层116C1、116C2及116C3)，且每一个子反射层(例如子反射层116C1、116C2及116C3)皆依序包括折射率不同的反射层116D1及反射层116D2。且在本发明一些实施例中，此反射层116D1及反射层116D2的厚度可小于或等于光波长的0.25倍(约为1/4波长)。此外，在本发明其它一些实施例中，如图2B所示，作为布拉格反射层的反射层116可包括多个子反射层(例如子反射层116C1及116C2)，且每一个子反射层(例如子反射层116C1及116C2)皆依序包括折射率不同的反射层116D1、反射层116D2及反射层116D3。且在本发明一些实施例中，此反射层116D1、反射层116D2及反射层116D3的厚度可小于或等于光波长的0.25倍。
继续参见图1，在本发明一些实施例中，反射层116顺应性设于堆叠结构112的侧边112S上。此外，在本发明一些实施例中，此反射层116可直接接触堆叠结构112。然而，在本发明其它一些实施例中，此反射层116可不直接接触堆叠结构112，且反射层116与堆叠结构112之间可设有一绝缘层。绝缘层材料于此并不限制。
此外，在本发明一些实施例中，如图1所示，反射层116不接触第二电极114B，亦即此实施例中，反射层116若为导体，则反射层116与第二电极114B电性绝缘。然而，在本发明其它一些实施例中，此反射层116也可直接接触第二电极114B。
此外，在本发明一些实施例中，如图1所示，位于堆叠结构112的主体部106B的侧边上的反射层116A不电连接位于第二导电型半导体层110的侧边上的反射层116B，亦即此实施例中，反射层116A、反射层116B若为导体，则反射层116A、反射层116B电性绝缘。
继续参见图1，主体部106B的第一表面S1的宽度为宽度D1，发光层108的宽度为宽度D2，第二导电型半导体层110的第四表面S4的宽度为宽度D3，由第一表面S1至第四表面S4的距离为距离H1(亦即堆叠结构112的厚度)，由第一表面S1至发光层108的距离为距离H2(也为发光层108自第一表面S1算起的高度)。包括此宽度D1、宽度D2、距离H1及距离H2的特定比值R具有下列式1的关系：
本发明实施例是使发光二极管104的堆叠结构112中的第一表面S1的宽度D1，发光层108的宽度D2，由第一表面S1至第四表面S4的距离H1(亦即堆叠结构112的厚度)，由第一表面S1至发光层108的距离H2(也为发光层108自第一表面S1算起的高度)具有上述式1的特定的关系，可使本发明实施例的发光二极管显示装置可自由调控发光视角以及发光光型或改善出光效率。于此实施例中，堆叠结构的侧壁大致均有设置反射层116，因此其出光方向的开口大小即为第一表面S1，此时第一表面S1与堆叠结构的底面重叠。于其他实施例中，其出光方向的开口大小为反射层的底部开口大小，其开口大小为第一表面S1，第一表面S1不与堆叠结构的底面重叠。
此外，由于本发明并不需要额外的第二棱镜(Second Lens)设计来调控发光视角以及发光光型，故本发明实施例可降低发光二极管显示装置100的制作工艺成本。
详细而言，参见图3，该图为上述特定比值R与显示装置100的出射光的半视角(half width at half maximum，HWHM)的关系图。其中圆形点曲线为第一表面S1与第四表面S4的上视图为圆形时的特定比值R与显示装置100的出射光的半视角的关系图，而方形点曲线为第一表面S1与第四表面S4的上视图为方形时的特定比值R与显示装置100的出射光的半视角的关系图。于此实施例中，R介于0.269≦R≦0.857。
如图3所示，当式1的比值R为大于等于0.269且小于0.3时，半视角为大于等于±30°且小于±45°，此时光型为聚焦型，且可应用于需要具有准直性的装置，如指示灯。
当比值R为大于等于0.3且小于0.328时，半视角为±45°，此时光型为聚焦型，且可应用于需要具有准直性的装置，如车灯。
当比值R为大于等于0.328且小于0.375时，半视角为大于±45°且小于等于±60°，此时光型为扇型，且可应用于需要具有均匀性出光的台灯，或是可解决两发光二极管之间出光不均匀的问题。
当比值R为大于等于0.375且小于0.49时，半视角为±60°，此时光型为介于扇型与高斯分布型之间，且可应用于需要具有均匀性出光的台灯，或是可解决两发光二极管之间出光不均匀的问题。
当比值R为大于等于0.49且小于等于0.857时，半视角为±50°，此时光型为高斯分布型，且可作为SMD(surface-mount device)型(表面粘着型)发光二极管的应用等一般封装芯片，例如可用于作为侧入光光源或是直下式光源。
此外，主体部106B的第一表面S1与第二导电型半导体层110的第四表面S4可具有任何形状。详细而言，此第一表面S1的形状可大致具有互相垂直的第一轴与第二轴，而此第四表面S4的形状也可大致具有互相垂直的第一轴与第二轴。于此使用第一轴与第二轴并非指第四表面S4需完全对称，只需大致上有相对应图案即可，其可忽略走线的拉线或也可能可有些微的差异。在本发明一些实施例中，当上述第一轴的长度与第二轴的长度相同时，此第一表面S1与第四表面S4可为对称形状，例如为圆形或方形。而在本发明其它一些实施例中，当上述第一轴的长度与第二轴的长度不同时，此第一表面S1与第四表面S4可为非对称形状，例如为椭圆形或矩形，此时若第一轴的长度大于第二轴的长度，则第一轴也可称为长轴，第二轴也可称为短轴。此外，在本发明一些实施例中，此第一表面S1的形状与第四表面S4的形状可相同。然而，在本发明其它一些实施例中，此第一表面S1的形状与第四表面S4的形状可不同。
以下详细描述当第一表面S1与第四表面S4具有各个形状时，堆叠结构中特定宽度、距离或比值与半视角的关系。参见图4A，该图为本发明一些实施例的堆叠结构112的示意图。如图4A所示，在本发明一些实施例中，第一表面S1的第一轴D1A的距离与第二轴D1B的距离相等(亦即宽度D1)，且第四表面S4的第一轴D3A的距离与第二轴D3B的距离相等(亦即宽度D3)，且此时第一表面S1与第四表面S4为圆形。此时距离H1、距离H2、宽度D1、宽度D2、宽度D3、角度θ(例如第二角度θ2与第一角度θ1)、特定比值R与发光二极管104的出射光的半视角与出光效率的关系如下表1。此外，于此使用第一轴与第二轴并非指需完全对称，只需大致上有相对应图案即可，其可忽略走线的拉线或也可能可有些微的差异。表一内宽度长度单位为um。此外，于此实施例中，堆叠结构112具有互为相反侧的第一侧边112S1与第二侧边112S2，且此第一侧边112S1与第二侧边112S2上涂布反射层的出光开口大小是指第一表面S1。垂直于第一表面S1与第四表面S4的方向为方向A1，而堆叠结构112的第一侧边112S1与方向A1所夹的锐角为第一角度θ1，且堆叠结构112的第二侧边112S2与方向A1所夹的锐角为第二角度θ2。在此实施例中，如图4A所示，第二角度θ2与第一角度θ1相同。
表1
此外，图4B为此实施例的堆叠结构112的第一表面S1(也为堆叠结构112的底面)的宽度D1与半视角的关系图，其对应表1的数据。于此实施例中，R介于0.269≤R≤0.857。此外，图4C在此实施例中，当比值R为大于等于0.269且小于0.3时，出射光于视角上的分布图，此时半视角为±30°。而图4D在此实施例中，当比值R为大于等于0.3且小于0.328时，出射光于视角上的分布图，此时半视角为±40°。而图4E在此实施例中，当比值R为大于等于0.328且小于0.375时，出射光于视角上的分布图，此时半视角为±60°。而图4F在此实施例中，当比值R为大于等于0.375且小于0.49时，出射光于视角上的分布图，此时半视角为±60°。而图4G在此实施例中，当比值R为大于等于0.49且小于等于0.857时，出射光于视角上的分布图，此时半视角为±50°。此外，于上图中，实线为第一轴方向上的出射光视角分布图，而虚线为第二轴方向上的出射光视角分布图。由于在本实施例中，第一轴长度与第二轴长度相同，故上述实线与虚线大抵上重叠。
由上述可知，本发明实施例通过调控上述范围为0.269至0.857的比值R，可自由调控发光二极管显示装置的发光视角以及发光光型。
此外，图4B中当距离H1为3μm时，半视角会变大。这是因为此时堆叠结构112的高度太小，使大部分光还没经由堆叠结构112的侧壁反射即已自堆叠结构112射出。由于光无法通过侧壁反射聚焦，故此时半视角会变大。因此，3μm为此分析图中距离H1的下限值。
参见图5A，该图为本发明一些实施例的堆叠结构112的示意图。如图5A所示，在本发明一些实施例中，第一表面S1的第一轴D1A(或称长轴D1A)的距离大于第二轴D1B(或称短轴D1B)的距离，且第四表面S4的第一轴D3A(或称长轴D3A)的距离大于第二轴D3B(或称短轴D3B)的距离。且第一表面S1与第四表面S4为椭圆形。此时距离H1、距离H2、长轴D3A的距离D3A’、短轴D3B的距离D3B’、长轴D1A的距离D1A’、短轴D1B的距离D1B’与发光二极管104的出光效率、出射光于长轴方向上的半视角A及短轴方向上的半视角B的关系如下表2。于此使用第一轴与第二轴并非指需完全对称，只需大致上有相对应图案即可，其可忽略走线的拉线或也可能可有些微的差异。此外，于此实施例中，堆叠结构112具有互为相反侧的第一侧边112S1与第二侧边112S2，且此第一侧边112S1与第二侧边112S2上涂布反射层的出光开口大小是指第一表面S1。垂直于第一表面S1与第四表面S4的方向为方向A1，而堆叠结构112的第一侧边112S1与方向A1所夹的锐角为第一角度θ1，且堆叠结构112的第二侧边112S2与方向A1所夹的锐角为第二角度θ2。在此实施例中，如图5A所示，第二角度θ2与第一角度θ1相同。
表2
此外，图5B为此实施例的堆叠结构112的第一表面S1(亦即底面)的长轴距离D1A’与半视角的关系图，图5C为此实施例的堆叠结构112的第一表面S1(亦即底面)的短轴距离D1B’与半视角的关系图，此两图对应表2的数据。
请参考图5D～图5H，该些图上实线为长轴方向上的出射光视角分布图，而虚线为短轴方向上的出射光视角分布图。于图5D此实施例中，当第一表面S1的长轴D1A的距离为1μm，第一表面S1的短轴D1B的距离为0.5μm，第四表面S4的长轴D3A的距离为1μm，第四表面S4的短轴D3B的距离为0.5μm，距离H1为7μm，距离H2为6μm时的出射光于视角上的分布图。
此外，图5E在此实施例中，当第一表面S1的长轴D1A的距离为2μm，第一表面S1的短轴D1B的距离为1μm，第四表面S4的长轴D3A的距离为1μm，第四表面S4的短轴D3B的距离为0.5μm，距离H1为7μm，距离H2为6μm时的出射光于视角上的分布图。
此外，图5F在此实施例中，当第一表面S1的长轴D1A的距离为3μm，第一表面S1的短轴D1B的距离为1.5μm，第四表面S4的长轴D3A的距离为1μm，第四表面S4的短轴D3B的距离为0.5μm，距离H1为7μm，距离H2为6μm时的出射光于视角上的分布图。
此外，图5G在此实施例中，当第一表面S1的长轴D1A的距离为4μm，第一表面S1的短轴D1B的距离为2μm，第四表面S4的长轴D3A的距离为1μm，第四表面S4的短轴D3B的距离为0.5μm，距离H1为7μm，距离H2为6μm时的出射光于视角上的分布图。
此外，图5H在此实施例中，当第一表面S1的长轴D1A的距离为5μm，第一表面S1的短轴D1B的距离为2.5μm，第四表面S4的长轴D3A的距离为1μm，第四表面S4的短轴D3B的距离为0.5μm，距离H1为7μm，距离H2为6μm时的出射光于视角上的分布图。
由上述可知，本发明实施例也可通过调控第一表面的长轴的距离与短轴的距离，来自由调控发光二极管显示装置的发光视角以及发光光型。
参见图6A，该图为本发明一些实施例的堆叠结构112的示意图。如图6A所示，在本发明一些实施例中，第一表面S1的第一轴D1A的距离与第二轴D1B的距离相等(亦即宽度D1)，且第四表面S4的第一轴D3A的距离与第二轴D3B的距离相等(亦即宽度D3)，此时第一表面S1与第四表面S4为正方形。此时距离H1、距离H2、宽度D1、宽度D2、宽度D3、角度θ(例如第二角度θ2与第一角度θ1)、特定比值R与发光二极管104的出射光的半视角与出光效率的关系如下表3。于此使用第一轴与第二轴并非指需完全对称，只需大致上有相对应图案即可，其可忽略走线的拉线或也可能可有些微的差异。此外，于此实施例中，堆叠结构112具有互为相反侧的第一侧边112S1与第二侧边112S2，且此第一侧边112S1与第二侧边112S2上涂布反射层的出光开口大小是指第一表面S1。垂直于第一表面S1与第四表面S4的方向为方向A1，而堆叠结构112的第一侧边112S1与方向A1所夹的锐角为第一角度θ1，且堆叠结构112的第二侧边112S2与方向A1所夹的锐角为第二角度θ2。在此实施例中，如图6A所示，第二角度θ2与第一角度θ1相同。
表3
此外，图6B为此实施例的堆叠结构112的第一表面S1(也为堆叠结构112的底面)的宽度D1与半视角的关系图，其对应表3的数据。于此实施例中，R介于0.269≤R≤0.857。此外，图6C在此实施例中，当比值R为大于等于0.269且小于0.3时，出射光于视角上的分布图，此时半视角为±30°。而图6D在此实施例中，当比值R为大于等于0.3且小于0.328时，出射光于视角上的分布图，此时半视角为±40°。而图6E在此实施例中，当比值R为大于等于0.328且小于0.375时，出射光于视角上的分布图，此时半视角为±60°。而图6F在此实施例中，当比值R为大于等于0.375且小于0.49时，出射光于视角上的分布图，此时半视角为±60°。而图6G在此实施例中，当比值R为大于等于0.49且小于等于0.857时，出射光于视角上的分布图，此时半视角为±50°。
此外，于图6C～图6G中，实线为第一轴方向上的出射光视角分布图，而虚线为第二轴方向上的出射光视角分布图。由于在本实施例中，第一轴长度与第二轴长度相同，故上述实线与虚线大抵上重叠。
由上述可知，本发明实施例通过调控上述范围为0.269至0.857的比值R，可自由调控发光二极管显示装置的发光视角以及发光光型。
参见图7A，该图为本发明一些实施例的堆叠结构112的示意图。如图7A所示，在本发明一些实施例中，第一表面S1的第一轴D1A(或称长轴D1A)的距离大于第二轴D1B(短轴D1B)的距离，且第四表面S4的第一轴D3A(或称长轴D3A)的距离大于第二轴D3B(或称短轴D3B)的距离。且第一表面S1与第四表面S4为矩形。此时距离H1、距离H2、长轴D3A的距离D3A’、短轴D3B的距离D3B’、长轴D1A的距离D1A’、短轴D1B的距离D1B’与发光二极管104的出光效率、出射光于长轴方向上的半视角A及短轴方向上的半视角B的关系如下表4。于此使用第一轴与第二轴并非指需完全对称，只需大致上有相对应图案即可，其可忽略走线的拉线或也可能可有些微的差异。此外，于此实施例中，堆叠结构112具有互为相反侧的第一侧边112S1与第二侧边112S2，且此第一侧边112S1与第二侧边112S2上涂布反射层的出光开口大小是指第一表面S1。垂直于第一表面S1与第四表面S4的方向为方向A1，而堆叠结构112的第一侧边112S1与方向A1所夹的锐角为第一角度θ1，且堆叠结构112的第二侧边112S2与方向A1所夹的锐角为第二角度θ2。在此实施例中，如图7A所示，第二角度θ2与第一角度θ1相同。
表4
此外，图7B为此实施例的堆叠结构112的第一表面S1(亦即底面)的长轴距离D1A’与半视角的关系图，图7C为此实施例的堆叠结构112的第一表面S1(亦即底面)的短轴距离D1B’与半视角的关系图，此两图对应表4的数据。
此外，图7D在此实施例中，当第一表面S1的长轴D1A的距离为1μm，第一表面S1的短轴D1B的距离为0.5μm，第四表面S4的长轴D3A的距离为1μm，第四表面S4的短轴D3B的距离为0.5μm，距离H1为7μm，距离H2为6μm时的出射光于视角上的分布图。
此外，图7E在此实施例中，当第一表面S1的长轴D1A的距离为2μm，第一表面S1的短轴D1B的距离为1μm，第四表面S4的长轴D3A的距离为1μm，第四表面S4的短轴D3B的距离为0.5μm，距离H1为7μm，距离H2为6μm时的出射光于视角上的分布图。
此外，图7F在此实施例中，当第一表面S1的长轴D1A的距离为3μm，第一表面S1的短轴D1B的距离为1.5μm，第四表面S4的长轴D3A的距离为1μm，第四表面S4的短轴D3B的距离为0.5μm，距离H1为7μm，距离H2为6μm时的出射光于视角上的分布图。
此外，图7G在此实施例中，当第一表面S1的长轴D1A的距离为4μm，第一表面S1的短轴D1B的距离为2μm，第四表面S4的长轴D3A的距离为1μm，第四表面S4的短轴D3B的距离为0.5μm，距离H1为7μm，距离H2为6μm时的出射光于视角上的分布图。
此外，图7H在此实施例中，当第一表面S1的长轴D1A的距离为5μm，第一表面S1的短轴D1B的距离为2.5μm，第四表面S4的长轴D3A的距离为1μm，第四表面S4的短轴D3B的距离为0.5μm，距离H1为7μm，距离H2为6μm时的出射光于视角上的分布图。
此外，于图7D～图7H中，实线为长轴方向上的出射光视角分布图，而虚线为短轴方向上的出射光视角分布图。
由上述可知，本发明实施例也可通过调控第一表面的长轴的距离与短轴的距离，来自由调控发光二极管显示装置的发光视角以及发光光型或出光效率。
图8A为本发明一些实施例的堆叠结构112的剖视图。其中光L为由发光层108所发出的光。垂直于第一表面S1与第四表面S4的方向为方向A1，垂直堆叠结构112的第一侧边112S1的方向为方向A2。其俯视的第一表面S1与第四表面S4形状可任意搭配图4A、5A、6A、7A或其他前述等其他实施例的形状。此外，于此实施例中，堆叠结构112的第一侧边112S1与第二侧边112S2上涂布反射层的出光开口大小是指第一表面S1。
于堆叠结构112中，由发光层108刚发出的光L与方向A1于发光层108所夹的锐角为θe，光L与方向A2于第一侧边112S1上的夹角为θr，经堆叠结构112的侧边112S1反射的光L与方向A1于第一表面S1上的夹角为θi。而当光L自堆叠结构112射出后，其与方向A1于第一表面S1上的夹角为θo。因发光层相对于其他层别的厚度较薄，故而于本实施例推导中省略发光层厚度。
此外，当由剖视图观察时，堆叠结构112的第一侧边112S1与方向A1所夹的锐角为第一角度θ1，此第一角度θ1为1至89度。此外，堆叠结构112还包括第二侧边112S2，且第一侧边112S1与第二侧边112S2互为相反侧，且堆叠结构112的第二侧边112S2与方向A1所夹的锐角为第二角度θ2。在此实施例中，如图8A所示，第二角度θ2与第一角度θ1相同。
由图8A可知，角度θr为90°减去角度θe加上第一角度θ1(θr＝(90°-θe)+θ1)，且角度θi为90°减去角度θr加上第一角度θ1的值(θi＝90°-(θr+θ1))。因此，角度θi为角度θe减去两倍的第一角度θ1(θi＝θe-(2xθ1))。而若光L经过n次反射才自堆叠结构112射出，则角度θi为角度θe减去2n倍的第一角度θ1(θi＝θe-(2nxθ1))。
此外，由司乃耳定律(Snell`s Law)可知，当n1为主体部106B(或第一导电型半导体层106)的折射率，n2为光L射出堆叠结构112(或主体部106B)后所处在的介质的折射率。则角度θo、角度θi、折射率n1与折射率n2具有以下式2的关系：
在本发明一些实施例中，当第一导电型半导体层106的材料为GaN时，折射率n1约为2.38。当光L射出堆叠结构112(或主体部106B)后所处在的介质为空气时，n2约为1。
图8B为本发明另外一些实施例的堆叠结构112的剖视图，于此实施例中第一侧边112S1与第二侧边112S2上涂布反射层的出光开口大小是指第一表面S1。其俯视的第一表面S1与第四表面S4形状可任意搭配图4A、5A、6A、7A或其他前述等其他实施例的形状。如图8B所示，第二角度θ2与第一角度θ1不同。此外，当由剖视图观察时，第四表面S4的延伸线为延伸线S4E，而第一侧边112S1的延伸线为延伸线112S1E，第二侧边112S2的延伸线为延伸线112S2E，而延伸线S4E与延伸线112S1E的交点为点A，延伸线S4E与延伸线112S2E的交点为点D，第一表面S1与延伸线112S1E的交点为点B，第一表面S1与延伸线112S2E的交点为点C，亦即点B与点C为反射层于第一侧边112S1与第二侧边112S2上的两个端点，发光层108(于图8B以虚线表示，以清楚描述本发明)的两端点为点E与点F。此外，点A沿着方向A1于发光层108上的投影点为点G，点A沿着方向A1于第一表面S1上的投影点为点G’，点D沿着方向A1于发光层108上的投影点为点H，点D沿着方向A1于第一表面S1上的投影点为点H’。此外，平行于线段DC且穿过点A的线段与第一表面S1的交点为点Q，易言之，线段AQ平行于线段DC。此外，线段AQ与发光层108(或线段EF)的交点为点P。因发光层相对于其他层别的厚度较薄，故而于本实施例推导中省略发光层厚度。
由图8B可知，线段AE的长度与线段AB的长度的比值等于线段EP的长度与线段BQ的长度的比值(线段AE长度：线段AB长度＝线段EP长度：线段BQ长度)，且线段AD的长度即为宽度D3，线段BC的长度即为宽度D1。由上述可推知，距离H1减去距离H2的值与距离H1的比值等于线段EP的长度与宽度D1减去宽度D3的比值((H1-H2)：H1＝(线段EP长度)：(D1-D3))。由此可推知，线段EP长度可由下列式3表示。
此外，由图8B可知，线段PF的长度即为宽度D3，且发光层108的宽度D2即为上述线段EP的长度加上此线段PF的长度，亦即，发光层108的宽度D2可由下列式4表示。
此外，由图8B可知，发光层108的宽度D2也可由下列式5表示。
应注意的是，虽然以上式4及式5用以表示图8B所示的第二角度θ2与第一角度θ1不同的堆叠结构112的发光层108的宽度D2。然而，以上式4及式5也可用以表示图8A所示的第二角度θ2与第一角度θ1相同的堆叠结构112的发光层108的宽度D2。
图9A为本发明另外一些实施例的显示装置200的发光二极管104A的剖视图。应注意的是，后文中与前文相同或相似的元件或膜层将以相同或相似的标号表示，其材料、制造方法与功能皆与前文所述相同或相似，故此部分在后文中将不再赘述。
图9A所示的实施例与前述图1的实施例的差别在于反射层116包括多个彼此不电连接的子反射层116E，且此多个子反射层116E围绕堆叠结构112。此外，在本发明一些实施例中，如图9A所示，反射层116可直接接触接触第二电极114B。此外，在本发明一些实施例中，如图9A所示，位于堆叠结构112的主体部106B的侧边112S上的子反射层116E不电连接位于第二导电型半导体层110的侧边上的子反射层116E。于此实施例中，堆叠结构112的侧壁112S大致均有设置反射层116，因此其出光方向的开口大小即为第一表面S1，此时第一表面S1与堆叠结构112的底面重叠。其俯视的第一表面S1与第四表面S4形状可任意搭配图4A、5A、6A、7A或其他前述等其他实施例的形状。于其他实施例中，其出光方向的开口大小为反射层116邻近堆叠结构112底面的底部开口大小，且此开口大小为第一表面S1，第一表面S1不与堆叠结构112的底面重叠。
图9B为本发明另外一些实施例的显示装置300的发光二极管104B的剖视图。图9B所示的实施例与前述图9A的实施例的差别在于反射层116具有渐变的厚度。详细而言，在本发明一些实施例中，反射层116的厚度是由第一表面S1朝第四表面S4逐渐变厚。此外，在本发明一些实施例中，反射层116对应发光层108处可断开，且具有一空隙122。此空隙122可不填有任何材料，或可填有绝缘层。此外，于此实施例中，堆叠结构112的侧壁112S大致均有设置反射层116，因此其出光方向的开口大小即为第一表面S1，此时第一表面S1与堆叠结构112的底面重叠。其俯视的第一表面S1与第四表面S4形状可任意搭配第4A、5A、6A、7A或其他前述等其他实施例的形状。于其他实施例中，其出光方向的开口大小为反射层116邻近堆叠结构112底面的底部开口大小，且此开口大小为第一表面S1，第一表面S1不与堆叠结构112的底面重叠。
此外，在本发明一些实施例中，此反射层116的侧边116S1可垂直第一表面S1，且此反射层116的表面116S2可与第四表面S4齐平。
在本发明一些实施例中，此具有渐变的厚度的反射层116可通过先形成图案化掩模层，露出预定形成此反射层116的区域，再沉积反射层材料制得。
图9C为本发明另外一些实施例的显示装置400的发光二极管104C的剖视图。图9C所示的实施例与前述图9B的实施例的差别在于第一导电型半导体层106还包括设于基底部106A上的多个柱状部106C。且此多个柱状部106C中的两个相邻柱状部106C与基底部106A共同形成凹槽118，且主体部106B设于此凹槽118中。此外，于此实施例中，堆叠结构112的侧壁112S大致均有设置反射层116，因此其出光方向的开口大小即为第一表面S1，此时第一表面S1与堆叠结构112的底面重叠。其俯视的第一表面S1与第四表面S4形状可任意搭配图4A、5A、6A、7A或其他前述等其他实施例的形状。其不同的堆叠结构112的第一表面S1与第四表面S4形状也可不相同。于其他实施例中，其出光方向的开口大小为反射层116邻近堆叠结构112底面的底部开口大小，且此开口大小为第一表面S1，第一表面S1不与堆叠结构112的底面重叠。
此外，在本发明一些实施例中，主体部106B与凹槽118的侧壁118S之间具有间隙120，且反射层116设置于此间隙120中，如图9C所示。于其他实施例中，反射层未必填满整个间隙120，可仅部分填充于间隙120中即可，只要反射层的设置设计可具有调整光形或改善出光效率的效果即可。
此外，在本发明一些实施例中，反射层116对应发光层108处可断开，且具有一空隙122。此空隙122可不填有任何材料，或可填有绝缘层。
在本发明一些实施例中，图9C所示的发光二极管104C可通过下述步骤形成。首先，形成图9B所示的发光二极管，但并未形成第一电极与第二电极。接着，沉积第一导电型材料以形成多个柱状部106C。接着，形成第一电极114A、第二电极114B与反射层116，且此第一电极114A形成于柱状部106C上。然而，在本发明其它一些实施例中，也可对一第一导电型半导体基板(未绘示)进行一或多道蚀刻及沉积步骤(用以沉积发光层108、第二导电型半导体层110及/或主体部106B)以形成上述间隙120、堆叠结构112以及多个柱状部106C。然而，应注意的是，本发明并不限于此，图9C所示的发光二极管104C可通过任何适合的制造步骤制得。此外，在本发明一些实施例中，第一导电型半导体层106的基底部106A、主体部106B及柱状部106C可为一体成形。然而，在本发明其它一些实施例中，基底部106A与主体部106B为一体成形，然而基底部106A与柱状部106C并非一体成形。
综上所述，本发明实施例使发光二极管的堆叠结构中的特定宽度及距离具有特定的关系，使本发明实施例的发光二极管显示装置可自由调控发光视角以及发光光型。此外，由于本发明并不需要额外的第二棱镜(Second Lens)设计来调控发光视角以及发光光型。
值得注意的是，以上所述的元件尺寸、元件参数、以及元件形状皆非为本发明的限制条件。此技术领域中具有通常知识者可以根据不同需要调整这些设定值。另外，本发明的显示装置并不仅限于图1-图9C所图示的状态。本发明可以仅包括图1-图9C的任何一或多个实施例的任何一或多项特征。换言之，并非所有图示的特征均须同时实施于本发明的显示装置中。于不违反设计精神下，可混合搭配图1-图9C实施例的设计值，并非各实施例设计值仅各自限定于各实施例中。
另外，于上述该些实施例中，反射层可仅设置于第一导电型半导体层的主体部的侧边上即可，第一导电型半导体层的基底部也可选择性的设置反射层116，只要于的出光光线路径上至少部分区域设置有反射层，即有改变出光光型或是改善出光效率的效果。
虽然以上的实施例及其优点已揭露了本发明，但应该了解的是，任何所属技术领域中熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中具有通常知识者可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本发明使用。因此，本发明的保护范围包括上述制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。

Claims (19)

1.一种显示装置，包括：
基板；及
发光二极管，设于该基板上，其中该发光二极管包括：
第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层，该发光层设置于该第一导电型半导体层与该第二导电型半导体层之间，且该第二导电型半导体层邻近该基板，
其中该第一导电型半导体层包括主体部，一反射层设于该主体部的一侧边上，主体部具有远离该发光层的一第一表面以及邻近该发光层的一第二表面，且该第二导电型半导体层具有邻近该发光层的一第三表面以及远离该发光层的一第四表面；
其中该第一表面的宽度为宽度D1，该发光层的宽度为宽度D2，由该第一表面至该第四表面的距离为距离H1，由该第一表面至该发光层的距离为距离H2，且
2.如权利要求1所述的显示装置，其中该第四表面的宽度为宽度D3，且该发光层的宽度D2可由下列公式表示：
3.如权利要求1所述的显示装置，其中垂直该主体部的第一表面的方向为第一方向，且当由剖视图观察时，该主体部的一第一侧边与该第一方向所夹的锐角为一第一角度，该第一角度为1至89度。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中当由剖视图观察时，该主体部还包括一第二侧边，其中该第一侧边与该第二侧边互为相反侧，且该主体部的该第二侧边与该第一方向所夹的锐角为一第二角度，该第二角度与该第一角度相同。
5.如权利要求3所述的显示装置，其中当由剖视图观察时，该主体部还包括一第二侧边，其中该第一侧边与该第二侧边互为相反侧，且该主体部的该第二侧边与该第一方向所夹的锐角为一第二角度，该第二角度与该第一角度不同。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中该第一表面的面积大于该第四表面的面积。
7.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
第一电极，电连接该第一导电型半导体层；及
第二电极，电连接该第二导电型半导体层。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中该第二电极完全覆盖该第二导电型半导体层的第四表面。
9.如权利要求7所述的显示装置，其中该第一电极设于该第一导电型半导体层的表面上。
10.如权利要求1所述的显示装置，其中该反射层与该主体部间还具有一绝缘层。
11.如权利要求1所述的显示装置，其中该反射层直接接触该主体部。
12.如权利要求7所述的显示装置，其中该反射层与该第二电极电性绝缘。
13.如权利要求1所述的显示装置，其中该反射层还设置于该第二导电型半导体层的一侧边上，且位于该主体部的该侧边上的该反射层不电连接位于该第二导电型半导体层的侧边上的该反射层。
14.如权利要求1所述的显示装置，其中该反射层包括多个彼此不电连接的子反射层。
15.如权利要求1所述的显示装置，其中该反射层具有一渐变的厚度。
16.如权利要求15所述的显示装置，其中该反射层的一侧边垂直该第一表面。
17.如权利要求15所述的显示装置，其中该反射层的表面与该第四表面齐平。
18.如权利要求1所述的显示装置，其中该第一导电型半导体层还包括：
一基底部及二柱状部，该些柱状部设于该基底部上，且该些柱状部与该基底部共同形成一凹槽，其中该主体部设于该凹槽中。
19.如权利要求18所述的显示装置，其中该主体部与该凹槽的侧壁之间具有一间隙，该反射层设置于该间隙中。
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