CN110265325A - 基板处理系统、基板清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。

Description

基板处理系统、基板清洗方法
本申请是申请日为2015年7月31日、申请号为2015104636881、发明名称为“基板处理系统、基板清洗方法”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明的实施方式涉及基板处理系统、基板清洗方法和存储介质。
背景技术
一直以来，已知有对于附着于硅晶圆、化合物半导体晶圆等基板的微粒进行去除的基板清洗装置。例如，专利文献1中公开了，使用面漆液在基板的表面形成处理膜，并将该处理膜去除，由此将处理膜与基板上的微粒一起去除的基板清洗方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-123704号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，专利文献1记载的方法中，存在如下可能性：例如由于对具有基底膜的基板进行处理的情况下等的作为处理对象的基板，处理膜不会被充分地去除而不能得到高的微粒去除性能。
实施方式的一个形式的目的在于提供能够得到高的微粒去除性能的基板处理系统、基板清洗方法和存储介质。
用于解决问题的方案
实施方式的一个形式中的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。该基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。
发明的效果
通过实施方式的一个形式，能够得到高的微粒去除性能。
附图说明
图1A是本实施方式的基板清洗方法的说明图。
图1B是本实施方式的基板清洗方法的说明图。
图1C是本实施方式的基板清洗方法的说明图。
图1D是本实施方式的基板清洗方法的说明图。
图1E是本实施方式的基板清洗方法的说明图。
图2是表示关于现有的面漆液和本实施方式的成膜处理液由基板去除的去除性的评价结果的图。
图3是表示本实施方式的基板清洗系统的结构的示意图。
图4是表示本实施方式的基板清洗装置的结构的示意图。
图5是表示本实施方式的基板清洗系统所实施的基板清洗处理的处理过程的流程图。
图6是表示使用可溶于碱的成膜处理液时的去除处理的处理过程的流程图。
图7是表示使用难溶于碱的成膜处理液时的去除处理的处理过程的流程图。
图8是表示使用难溶于碱的成膜处理液时的去除处理的变形例(之1)的流程图。
图9是表示使用难溶于碱的成膜处理液时的去除处理的变形例(之2)的流程图。
图10是表示去除处理的变形例的流程图。
图11是表示使用稀释有机溶剂作为剥离处理液时的去除处理的变形例的流程图。
图12A是稀释有机溶剂供给处理的说明图(之1)。
图12B是稀释有机溶剂供给处理的说明图(之2)。
图12C是稀释有机溶剂供给处理的说明图(之3)。
图13是表示其他实施方式的基板清洗系统所实施的基板清洗处理的处理过程的流程图。
图14A是第1成膜促进处理的说明图。
图14B是表示实施第1成膜促进处理时的基板清洗系统的结构的示意图。
图15A是第2成膜促进处理的说明图(之1)。
图15B是第2成膜促进处理的说明图(之2)。
图15C是第2成膜促进处理的说明图(之3)。
图15D是表示实施第2成膜促进处理时的基板清洗系统的结构的示意图(之1)。
图15E是表示实施第2成膜促进处理时的基板清洗系统的结构的示意图(之2)。
图15F是表示实施第2成膜促进处理时的基板清洗系统的结构的示意图(之3)。
图16A是第3成膜促进处理的说明图。
图16B是表示实施第3成膜促进处理时的基板清洗系统的结构的示意图。
附图标记说明
W 晶圆
P 微粒
1,1’ 基板清洗系统
2 输入输出站
3 处理站
4 控制装置
14 基板清洗装置
20 腔室
21 FFU
30 基板保持机构
40_1,40_2 液供给部
45a DIW供给源
45b 碱水溶液供给源
45c 有机溶剂供给源
45d DIW供给源
45e IPA供给源
45f 前处理液供给源
45g A+B供给源
45h C供给源
45i 稀释有机溶剂供给源
46a～46c,46g,46h 流量调节器
60 烘焙装置
70 热源
具体实施方式
以下，参照附图，对于本发明公开的基板处理系统、基板清洗方法和存储介质的实施方式详细地进行说明。需要说明的是，本发明不限于以下所示的实施方式。
＜基板清洗方法的内容＞
首先，对于本实施方式的基板清洗方法的内容，使用图1A～图1E进行说明。图1A～图1E是本实施方式的基板清洗方法的说明图。
如图1A所示，本实施方式的基板清洗方法中，对于硅晶圆、化合物半导体晶圆等基板(以下，有时也称为“晶圆W”)的图案形成面供给“成膜处理液”。
本实施方式的“成膜处理液”是包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物(优选为具有后述式(1)所示的部分结构的聚合物)的基板清洗用组合物。通过使用所述成膜处理液，能够不依赖基底膜的种类而得到高的微粒去除性能。需要说明的是，聚合物不限定于具有后述式(1)所示的部分结构的情况，只要含有氟原子则能够得到与上述同样的效果。
向晶圆W的图案形成面所供给的成膜处理液固化或硬化而成为处理膜。由此，形成于晶圆W上的图案、附着于图案的微粒P成为被该处理膜覆盖的状态(参照图1B)。需要说明的是，此处“固化”是指固体化，“硬化”是指分子彼此连接而高分子化(例如，交联、聚合等)。
接着，如图1B所示，对晶圆W上的处理膜供给剥离处理液。剥离处理液是指使前述的处理膜由晶圆W剥离的处理液。
剥离处理液供给至处理膜上之后，浸透至处理膜中并到达处理膜与晶圆W的界面。这样，通过剥离处理液进入到处理膜与晶圆W的界面，由此处理膜以“膜”的状态由晶圆W剥离，与此相伴，附着于图案形成面的微粒P与处理膜一起由晶圆W剥离(参照图1C)。
此处，例如日本特开2014-123704号公报(专利文献1)中公开了使用面漆液在基板的表面形成处理膜，并将该处理膜去除，由此将基板上的微粒与处理膜一起去除的基板清洗方法。面漆液是指为了防止液浸液向抗蚀膜浸渗而涂布于抗蚀膜的表面的保护膜。
本实施方式的基板清洗方法中，作为去除上述处理膜的流体，首先，对于将基板上的处理膜以膜的状态剥离进行说明，但如果使用上述面漆液，则例如由于具有SiN(氮化硅)膜、TiN(氮化钛)膜等基底膜的基板，会产生处理膜的剥离不足，因此处理膜由基板去除的去除性不高。即，存在由于作为处理对象的基板，处理膜不会被充分地去除而微粒去除性能不能充分地发挥的可能性。
此处，本实施方式的基板清洗方法中，使用前述的基板清洗用组合物作为成膜处理液。所述成膜处理液与现有的面漆层膜相比较，处理膜由基板去除的去除性高，即便在将具有SiN膜、TiN膜等基底膜的基板作为处理对象的情况下，也能够得到高的微粒去除性能。
此处，对于涉及现有的面漆液和本实施方式的成膜处理液由基板去除的去除性的评价结果，参照图2进行说明。图2是表示关于现有的面漆液和本实施方式的成膜处理液由基板去除的去除性的评价结果的图。
图2中示出对于支撑硅晶圆和SiN晶圆(具有SiN膜的基板)，分别形成面漆液的处理膜和成膜处理液的处理膜之后，作为剥离处理液供给常温(23～25度左右)的纯水即DIW时的、各处理膜由基板去除的去除性的评价结果。图2的表中，“〇”表示处理膜由基板去除的去除率为90％以上，“×”表示该去除率为10％以下。
如图2所示，可知现有的面漆液的处理膜虽然在以支撑硅晶圆作为处理对象的情况下由基板良好地剥离，但在以SiN晶圆作为处理对象的情况下由基板的剥离不充分、去除性降低。
另一方面，可知本实施方式的成膜处理液的处理膜，无论在以支撑硅晶圆作为处理对象时还是在以SiN晶圆作为处理对象时，都能从基板良好地剥离且去除性高。
这样，本实施方式的基板清洗方法中，与现有的面漆液相比较，通过使用成膜处理液能够提高对于具有SiN膜等基底膜的基板的去除性。因此，与面漆液相比较，通过本实施方式的基板清洗方法，对于多数基板都能够得到高的微粒去除性能。需要说明的是，对于成膜处理液的具体的组成等，如后述。
接着，如图1D所示，对于由晶圆W剥离的处理膜，供给使处理膜溶解的溶解处理液。由此，处理膜溶解并且被处理膜吸入的微粒P成为在溶解处理液中悬浮的状态。之后，通过用纯水等将溶解处理液、溶解后的处理膜流洗，微粒P由晶圆W上被去除(参照图1E)。
这样，本实施方式的基板清洗方法中，通过使形成于晶圆W上的处理膜由晶圆W以“膜”的状态剥离，从而将附着于图案等的微粒P与处理膜一起由晶圆W去除。
因此，通过本实施方式的基板清洗方法，利用处理膜的形成和去除而进行微粒去除，因此能够抑制由蚀刻作用等导致的基底膜的腐蚀。
另外，与现有的利用物理力的基板清洗方法相比较，通过本实施方式的基板清洗方法能够以较弱的力去除微粒P，因此也能够抑制图案崩塌。
进而，通过本实施方式的基板清洗方法，能够容易地去除现有的利用物理力的基板清洗方法中难以去除的、粒径小的微粒P。
需要说明的是，本实施方式的基板清洗方法中，处理膜成膜于晶圆W之后，不进行图案曝光而全部由晶圆W被去除。因此，清洗后的晶圆W成为涂布成膜处理液前的状态、即图案形成面露出的状态。
＜基板清洗用组合物＞
接着，对于上述的成膜处理液进行具体地说明。需要说明的是，以下也有将成膜处理液记载为“基板清洗用组合物”的情况。
基板清洗用组合物包含：[A]有机溶剂、和[B]含有氟原子且可溶于[A]有机溶剂的聚合物。[B]聚合物优选具有下述式(1)所示的部分结构。可以推测，由于[B]聚合物具有下述式(1)所示的部分结构作为极性基团，基板清洗用组合物对于基板表面表现出适度的润湿扩展性，并且形成的处理膜对于剥离处理液具有亲和性和适度的溶解速度，以包裹基板表面的微粒的状态被迅速地去除，从而实现了高去除效率。
(式(1)中，R1、R2分别独立地表示氢原子、氟原子、碳原子数1～8的烷基或氟代烷基。其中，R1或R2的至少任一个为氟原子或碳原子数1～8的氟代烷基。*表示与构成聚合物的其他原子的结合部位。)
基板清洗用组合物可以进一步含有低分子有机酸(以下，也简称为“[C]有机酸”)。此处，低分子有机酸是指一分子内含有1个以上的碳原子且不具有由聚合或缩合反应而产生的重复结构的酸。对于分子量没有限定，通常为40以上且2000以下。基板清洗用组合物由于含有[C]有机酸，从而由基板表面的去除变得更容易。例如，与形成于硅基板表面的处理膜相比较，有形成于具有SiN膜作为基底膜的氮化硅基板、具有TiN膜作为基底膜的氮化钛基板的表面的处理膜的去除花费时间的情况。通过添加[C]有机酸，能够缩短处理膜的去除所需要的时间。其理由并不明确，可以认为其理由之一是例如：形成于基板表面的处理膜成为在[B]聚合物中分散有[C]有机酸的物质，由此处理膜的强度适度地降低。结果，可以认为，即便是氮化硅基板等与[B]聚合物的相互作用强的基板，处理膜的去除也能够变得更容易。
进而，基板清洗用组合物除了[A]～[C]成分以外，在不有损本发明的效果的范围，也可以含有任意成分。
以下，对于各成分进行说明。
＜[A]有机溶剂＞
[A]有机溶剂是溶解[B]聚合物的成分。添加[C]有机酸的情况下，[A]有机溶剂优选为溶解[C]有机酸的溶剂。
作为[A]有机溶剂，可列举出例如：醇系溶剂、醚系溶剂、酮系溶剂、酰胺系溶剂、酯系溶剂、烃系溶剂等有机溶剂。基板清洗用组合物可以含有[A]有机溶剂以外的溶剂。作为[A]有机溶剂以外的溶剂，可列举出例如水。
作为醇系溶剂的例子，可列举出：乙醇、异丙醇、戊醇、4-甲基-2-戊醇、环己醇、3,3,5-三甲基环己醇、糠醇、苄基醇、二丙酮醇等碳原子数1～18的一元醇，乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇、三丙二醇等碳原子数2～12的二元醇，它们的部分醚等。
作为醚系溶剂的例子，可列举出：二乙基醚、二丙基醚、二丁基醚、二异戊基醚等二烷基醚系溶剂，四氢呋喃、四氢吡喃等环状醚系溶剂，二苯醚、苯甲醚等含芳香环的醚系溶剂等。
作为酮系溶剂的例子，可列举出：丙酮、甲乙酮、甲基正丙酮、甲基正丁酮、二乙酮、甲基异丁酮、2-庚酮、乙基正丁酮、甲基正己酮、二异丁酮、三甲基壬酮等链状酮系溶剂，环戊酮、环己酮、环庚酮、环辛酮、甲基环己酮等环状酮系溶剂，2,4-戊二酮、丙酮基丙酮、乙酰苯酮等。
作为酰胺系溶剂的例子，可列举出：N,N’-二甲基咪唑啉酮、N-甲基吡咯烷酮等环状酰胺系溶剂，N-甲基甲酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二乙基甲酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基丙酰胺等链状酰胺系溶剂等。
作为酯系溶剂的例子，可列举出：乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸苄酯、乙酸环己酯、乳酸乙酯等一元醇羧基酯系溶剂，亚烷基二醇单烷基醚的单羧基酯、二亚烷基二醇单烷基醚的单羧基酯等多元醇部分醚羧基酯系溶剂，丁内酯等环状酯系溶剂，碳酸二乙酯等碳酸酯系溶剂，草酸二乙酯、苯二甲酸二乙酯等多元羧酸烷基酯系溶剂等。
作为烃系溶剂，可列举出例如：
正戊烷、异戊烷、正己烷、异己烷、正庚烷、异庚烷、2,2,4-三甲基戊烷、正辛烷、异辛烷、环己烷、甲基环己烷等脂肪族烃系溶剂；
苯、甲苯、二甲苯、均三甲苯、乙苯、三甲苯、甲基乙基苯、正丙基苯、异丙基苯、二乙基苯、异丁基苯、三乙基苯、二异丙基苯、正戊基萘等芳香族烃系溶剂等。
作为[A]有机溶剂，优选醇系溶剂、醚系溶剂、酯系溶剂，更优选单醇系溶剂、二烷基醚系溶剂、一元醇羧基酯系溶剂，进而优选4-甲基-2-戊醇、二异戊基醚、丙二醇单乙基醚、乙氧基丙醇、乳酸乙酯。
作为[A]有机溶剂与水的总计中的水的含有率，优选为20质量％以下，更优选为5质量％以下，进而优选为2质量％以下，特别优选为0质量％。通过将[A]有机溶剂与水的总计中的水的含有率设为上述上限以下，能够更加适度地降低所形成的处理膜的强度，结果能够提高微粒去除性能。
作为基板清洗用组合物中的[A]有机溶剂的含量的下限，优选为50质量％，更优选为60质量％，进而优选为70质量％。作为上述含量的上限，优选为99.9质量％，更优选为99质量％，进而优选为95质量％。通过将[A]有机溶剂的含量设在上述下限和上限之间，基板清洗用组合物对于氮化硅基板的微粒去除性能进一步提高。基板清洗用组合物也可以含有一种或两种以上[A]有机溶剂。
＜[B]聚合物＞
[B]聚合物是含有氟原子且可溶于[A]有机溶剂的聚合物。[B]聚合物优选具有下述式(1)所示的部分结构。
(式(1)中，R1、R2分别独立地表示氢原子、氟原子、碳原子数1～8的烷基或氟代烷基。其中，R1或R2的至少任一个为氟原子或碳原子数1～8的氟代烷基。*表示与构成聚合物的其他原子的结合部位。)
作为R1或R2所示的烷基、或者R1或R2所示的氟代烷基中的烷基(被氟原子取代前的烷基)，可列举出例如：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基等碳原子数1～8的直链状或支链状的烷基；环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基等碳原子数3～8的环烷基；环戊基甲基、环戊基乙基、环戊基丙基、环己基甲基、环己基乙基等具有直链状或支链状部分和环状部分的碳原子数4～8的烷基等。
R1或R2所示的氟代烷基中，碳原子数1～8的烷基的氢原子可以一部分被氟原子取代，也可以全部被氟原子取代。R1或R2所示的氟代烷基优选为三氟甲基。
对于[B]聚合物的种类，只要含有氟原子且可溶于[A]有机溶剂，则没有特别的限定，从合成的容易性、去除性提高的观点出发，优选为具有氟原子的环状聚烯烃、具有氟原子的聚(甲基)丙烯酸酯。使用具有氟原子的聚(甲基)丙烯酸酯时，作为优选的聚合物，可列举出具有下述式(2)所示的包含氟原子的结构单元(以下，也称为“结构单元(I)”)的聚合物等。
上述式(2)中，R’为氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基。Rf为上述式(1)所示的基团或包含上述式(1)所示的部分结构的基团。
作为上述R’，从赋予结构单元(I)的单体的共聚性的观点出发，优选氢原子、甲基，更优选甲基。
作为上述Rf所示的、包含上述式(1)所示的部分结构的基团，可列举出被上述式(1)所示的基团取代的烃基。该烃基也可以被上述式(1)所示的两个以上基团取代。作为上述式(1)所示基团中优选的基团，可列举出羟基二(三氟甲基)甲基等。
上述烃基可以为链状烃基、脂环式烃基、芳香族烃基、或它们的组合的任一者。链状烃基可以为直链状或支链状的任一者。
作为链状烃基，可列举出例如：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等直链状或支链状的烷基。作为脂环式烃基，可列举出例如：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基等环烷基；从降冰片烷、降冰片烯、三环癸烷、四环十二烷、金刚烷等中去除了一个氢原子的桥联脂环式烃基等。作为芳香族烃基，可列举出例如：苯基、甲苯基、二甲苯基、联苯基、茚基、萘基、二甲基萘基、蒽基、菲基、芴基、芘基、稠二萘基、并四苯基等。作为将链状烃基和环状烃基组合的基团，可列举出例如：环戊基甲基、环戊基乙基、环戊基丙基、环己基甲基、环己基乙基、环己基丙基、甲苯基、二甲苯基、二甲基萘基、苄基、萘甲基、茚基甲基、联苯甲基等。直链状或支链状的烷基的碳原子数例如为1～20，优选为1～10。环烷基的碳原子数为例如3～22，优选为3～12。具有直链状或支链状部分与环状部分的烷基的碳原子数为例如4～23，优选为4～13。
作为Rf所示的优选的基团，可列举出例如：羟基二(三氟甲基)甲基、羟基二(三氟甲基)乙基、羟基二(三氟甲基)丙基、羟基二(三氟甲基)丁基等羟基取代氟代链状烃基；羟基二(三氟甲基)甲基环戊基、羟基二(三氟甲基)甲基环己基等羟基取代氟代脂环式烃基；羟基二(三氟甲基)甲基苯基等羟基取代氟代芳香族烃基等。
作为Rf，其中，优选为羟基取代氟代链状烃基(即被式(1)所示的基团取代的链状烃基)，更优选为羟基二(三氟甲基)丁基。
作为结构单元(I)的含有比例，相对于构成[B]聚合物的总结构单元，优选为10摩尔％～100摩尔％，更优选为50摩尔％～100摩尔％，进而优选为90摩尔％～100摩尔％，特别优选为95摩尔％～100摩尔％。通过将结构单元(I)的含有比例设在上述范围，能够进一步提高处理膜的去除性。
[B]聚合物也可以进一步作为结构单元(II)具有：包含氟代烷基的结构单元、包含β-二酮结构的结构单元、包含羧基的结构单元、包含磺基的结构单元、包含磺酰胺基的结构单元、来自于(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元、包含单环或多环内酯骨架的结构单元、包含羟基的结构单元、包含芳香环的结构单元或者包含酸解离性基团的结构单元等。结构单元(II)包含氟代烷基时，结构单元(II)的含有比例在[B]聚合物中优选为50摩尔％以下，更优选小于30摩尔％，特别优选小于10摩尔％。包含氟代烷基的结构单元(II)的比例超过50摩尔％时，特别是在不添加后述的[C]有机酸的情况下，有处理膜的去除性降低的倾向。
作为[B]聚合物的酸解离常数，优选比后述的[C]有机酸的酸解离常数小。通过使[B]聚合物的酸解离常数小于[C]有机酸，能够进一步提高处理膜由基板表面去除的去除性。[B]聚合物和[C]有机酸的酸解离常数可以通过公知的滴定法而求出。从评价酸解离常数的相对大小的方面出发，作为比滴定法更简便的方法，也可以由使用化学计算软件的计算值求出。例如，可以利用Chem Axon提供的程序进行计算。
作为基板清洗用组合物中的[B]聚合物的含量的下限，优选为0.1质量％，更优选为0.5质量％，进而优选为1质量％。作为上述含量的上限，优选为50质量％，更优选为30质量％，进而优选为15质量％。通过将上述含量设在上述下限与上述上限之间，能够进一步提高处理膜由基板表面的去除性。
作为基板清洗用组合物中的[B]聚合物相对于总固体成分的含量的下限，优选为30质量％，更优选为40质量％，进而优选为50质量％。作为上述含量的上限，优选为99质量％，更优选为98质量％，进而优选为96质量％。
＜[C]有机酸＞
基板清洗用组合物可以进一步含有[C]有机酸。通过添加[C]有机酸，形成于基板表面的处理膜的去除变得更容易。优选[C]有机酸不是聚合物。此处，“不是聚合物”是指不具有重复单元。作为[C]有机酸的分子量的上限，例如为500，优选为400，更优选为300。作为[C]有机酸的分子量的下限，例如为50，优选为55。
作为[C]有机酸，可列举出例如：
乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、环己羧酸、环己基乙酸、1-金刚烷羧酸、苯甲酸、苯乙酸等单羧酸；
二氟乙酸、三氟乙酸、五氟丙酸、七氟丁酸、氟代苯乙酸、二氟苯甲酸等含氟原子的单羧酸；
10-羟基癸酸、硫醇乙酸、5-氧代己酸、3-甲氧基环己烷羧酸、樟脑羧酸、二硝基苯甲酸、硝基苯乙酸等含杂原子的单羧酸；
(甲基)丙烯酸、巴豆酸、肉桂酸等含双键的单羧酸等单羧酸；
草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、十二烷二羧酸、丙烷三羧酸、丁烷四羧酸、六氟戊二酸、环己烷六羧酸、1,4-萘二羧酸等多羧酸；
上述多羧酸的部分酯化物等。
作为[C]有机酸在25℃的水中的溶解度的下限，优选为5质量％，更优选为7质量％，进而优选为10质量％。作为上述溶解度的上限，优选为50质量％，进而优选为40质量％，更优选为30质量％。通过将上述溶解度设在上述下限与上述上限之间，能够更容易地去除形成的处理膜。
[C]有机酸优选在25℃下为固体。如果[C]有机酸在25℃下为固体，则可以认为由基板清洗用组合物形成的处理膜中析出固态的[C]有机酸，进一步提高去除性。
作为[C]有机酸，从处理膜的去除更容易的观点出发，优选为多元羧酸，更优选为草酸、苹果酸、柠檬酸。
作为基板清洗用组合物中的[C]有机酸的含量的下限，优选为0.01质量％，更优选为0.05质量％，进而优选为0.1质量％。作为上述含量的上限，优选为30质量％，更优选为20质量％，进而优选为10质量％。
作为基板清洗用组合物中的[C]有机酸相对于总固体成分的含量的下限，优选为0.5质量％，更优选为1质量％，进而优选为3质量％。作为上述含量的上限，优选为30质量％，更优选为20质量％，进而优选为10质量％。
通过将[C]有机酸的含量设在上述下限与上述上限之间，能够更容易地进行处理膜的去除。
＜任意成分＞
基板清洗用组合物也可以含有上述[A]～[C]成分以外的任意成分。
作为任意成分，可列举出例如表面活性剂等。
作为上述表面活性剂，可列举出例如：聚环氧乙烷月桂基醚、聚环氧乙烷硬脂基醚、聚环氧乙烷油醇基醚、聚环氧乙烷正辛基苯基醚、聚环氧乙烷正壬基苯基醚、聚乙二醇二月桂基酯、聚乙二醇二硬脂基酯等非离子系表面活性剂等。
作为上述表面活性剂的含量，通常为2质量％以下，优选为1质量％以下。
＜基板清洗系统的结构＞
接着，使用图3说明本实施方式的基板清洗系统的结构。图3是表示本实施方式的基板清洗系统的结构的示意图。另外，以下，为了使位置关系明确，规定彼此正交的X轴、Y轴以及Z轴，将Z轴正方向设为铅垂向上方向。
如图3所示，基板清洗系统1包括输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3相邻设置。
输入输出站2包括载体载置部11和输送部12。在载体载置部11上载置有能够将多张晶圆W以水平状态收纳的多个输送容器(以下，记载为“载体C”)。
输送部12与载体载置部11相邻设置。在输送部12的内部设有基板输送装置121和交接部122。
基板输送装置121具有用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置121能够一边向水平方向和铅垂方向移动一边以铅垂轴线为中心旋转，使用晶圆保持机构在载体C与交接部122之间进行晶圆W的输送。
处理站3与输送部12相邻设置。处理站3包括输送部13和多个基板清洗装置14。多个基板清洗装置14排列设于输送部13的两侧。
输送部13在内部具有基板输送装置131。基板输送装置131具有用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置131能够一边向水平方向和铅垂方向移动一边以铅垂轴线为中心旋转，使用晶圆保持机构在交接部122与基板清洗装置14之间进行晶圆W的输送。
基板清洗装置14是用于执行基于上述基板清洗方法的基板清洗处理的装置。后面叙述该基板清洗装置14的具体结构。
另外，基板清洗系统1具有控制装置4。控制装置4是用于控制基板清洗系统1的动作的装置。该控制装置4例如是计算机，包括控制部15和存储部16。在存储部16中存储有用于控制基板清洗处理等各种处理的程序。控制部15通过读出并执行存储于存储部16的程序来控制基板清洗系统1的动作。控制部15例如是CPU(Central Processing Unit：中央处理器)、MPU(Micro Processor Unit：微处理器)等，存储部16例如是ROM(Read Only Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)等。
另外，该程序是记录于能够由计算机读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装于控制装置4的存储部16的程序。作为能够由计算机读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在如上所述构成的基板清洗系统1中，首先，输入输出站2的基板输送装置121从载体C中取出晶圆W，并将取出的晶圆W载置于交接部122。载置于交接部122的晶圆W被处理站3的基板输送装置131从交接部122中取出并输入基板清洗装置14，被基板清洗装置14实施基板清洗处理。清洗后的晶圆W被基板输送装置131从基板清洗装置14输出并载置于交接部122，之后，利用基板输送装置121将该晶圆W返回到载体C。
＜基板清洗装置的结构＞
接着，参照图4说明基板清洗装置14的结构。图4是表示本实施方式的基板清洗装置14的结构的示意图。
如图4所示，基板清洗装置14包括腔室20、基板保持机构30、液供给部40以及回收杯50。
腔室20收纳基板保持机构30、液供给部40以及回收杯50。在腔室20的顶部设有FFU(Fan Filter Unit：风机过滤机组)21。FFU21在腔室20内形成下流。
FFU21借助阀22连接于下流气体供给源23。FFU21将从下流气体供给源23供给的下流气体(例如，干空气)喷出到腔室20内。
基板保持机构30包括旋转保持部31、支柱部32以及驱动部33。旋转保持部31设于腔室20的大致中央。在旋转保持部31的上表面设有用于从晶圆W的侧面保持晶圆W的保持构件311。晶圆W被该保持构件311以与旋转保持部31的上表面稍微分开的状态水平保持。
支柱部32是沿铅垂方向延伸的构件，基端部被驱动部33能够旋转地支承，且在顶端部水平支承旋转保持部31。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴线旋转。
该基板保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32旋转来使被支柱部32支承的旋转保持部31旋转，由此，使被保持于旋转保持部31的晶圆W旋转。
液供给部40_1对被保持于基板保持机构30的晶圆W供给各种处理液。所述液供给部40_1具备：喷嘴41_1～41_3、水平地支承喷嘴41_1～41_3的臂42_1、和使臂42_1旋转和升降的旋转升降机构43_1。
喷嘴41_1分别借助流量调节器46a和阀44a与DIW供给源45a连接，借助流量调节器46b和阀44b与碱水溶液供给源45b连接，借助流量调节器46c和阀44c与有机溶剂供给源45c连接。
由该喷嘴41_1排出由DIW供给源45a供给的DIW、由碱水溶液供给源45b供给的碱水溶液或者由有机溶剂供给源45c供给的有机溶剂。另外例如，通过打开阀44a和阀44b，由喷嘴41_1排出DIW与碱水溶液的混合液即被稀释过的碱水溶液。另外例如，通过打开阀44a和阀44c，由喷嘴41_1排出DIW与有机溶剂的混合液即被稀释过的有机溶剂。它们的混合比率通过控制部15控制流量调节器46a～46c而调节。
DIW是用于使处理膜由晶圆W剥离的剥离处理液的一例。碱水溶液是用于使处理膜溶解的溶解处理液的一例。碱水溶液例如是碱显影液。作为碱显影液，例如只要含有氨水、四甲基氢氧化铵(TMAH：Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)等氢氧化季铵水溶液、胆碱水溶液中的至少一者即可。
有机溶剂是用于使处理膜溶解的溶解处理液的另外一例。作为有机溶剂，可以使用例如：稀释剂、IPA(异丙醇)、MIBC(4-甲基-2-戊醇)、甲苯、乙酸酯类、醇类、二醇类(丙二醇单甲基醚)等。
喷嘴41_2借助阀44d与DIW供给源45d连接，排出由DIW供给源45d供给的DIW。由喷嘴41_2排出的DIW是后述的冲洗处理中所使用的冲洗处理液的一例。
喷嘴41_3借助阀44e与IPA供给源45e连接，排出由IPA供给源45e供给的IPA。IPA是后述的干燥处理中使用的干燥溶剂的一例。
液供给部40_2具备：喷嘴41_4、41_5、水平地支承喷嘴41_4、41_5的臂42_2以及使臂42_2旋转和升降的旋转升降机构43_2。
喷嘴41_4借助阀44f与前处理液供给源45f连接，排出由前处理液供给源45f供给的前处理液。前处理液为例如成膜处理液所包含的[A]有机溶剂、[A]有机溶剂以外的溶剂、或者[A]有机溶剂与[A]有机溶剂以外的溶剂的混合液(例如，成膜处理液所包含的全部种类的溶剂的混合液)。前处理液为了使成膜处理液在晶圆W上容易展开而在供给成膜处理液之前被供给至晶圆W。另外，前处理液也可以为例如臭氧水。臭氧水可以用于对晶圆W的表面进行亲水化的亲水化处理。
此处，基板清洗装置14具备1个喷嘴41_4作为用于排出前处理液的喷嘴，基板清洗装置14也可以分别具备：排出前处理液的喷嘴、排出臭氧水等亲水化处理液的喷嘴。
喷嘴41_5分别借助流量调节器46g和阀44g与A+B供给源45g连接，借助流量调节器46h和阀44h与C供给源45h连接。
由A+B供给源45g供给[A]有机溶剂与[B]聚合物的混合液。使用含有[A]有机溶剂以外的溶剂的成膜处理液时，[A]有机溶剂和[B]聚合物的混合液可以含有[A]有机溶剂以外的溶剂。另外，由C供给源45h供给[C]有机酸。它们在至喷嘴41_5的流路内混合而成为成膜处理液，由喷嘴41_5被排出。[A]有机溶剂和[B]聚合物的混合液与[C]有机酸的混合比率通过控制部15控制流量调节器46g、46h而调节。
预先将[A]有机溶剂、[B]聚合物和[C]有机酸进行混合，则有由于经时变化而[C]有机酸析出的可能性。因此，如上所述，通过设置为将[A]有机溶剂和[B]聚合物的混合液与[C]有机酸即将由喷嘴41_5排出之前进行混合的构成，由此能够抑制[C]有机酸的析出。
需要说明的是，可以在上述流路的中途部设置混合槽，在该混合槽内使[A]有机溶剂和[B]聚合物的混合液与[C]有机酸混合。
喷嘴41_1、臂42_1、旋转升降机构43_1、阀44a～44c、DIW供给源45a、碱水溶液供给源45b、有机溶剂供给源45c和流量调节器46a～46c为“去除液供给部”的一例。其中，喷嘴41_1、臂42_1、旋转升降机构43_1、阀44a和DIW供给源45a是“剥离处理液供给部”的一例；喷嘴41_1、臂42_1、旋转升降机构43_1、阀44b(阀44c)和碱水溶液供给源45b(有机溶剂供给源45c)是“溶解处理液供给部”的一例。
另外，喷嘴41_1、臂42_1、旋转升降机构43_1、阀44b和碱水溶液供给源45b是“碱水溶液供给部”的一例；喷嘴41_2、臂42_1、旋转升降机构43_1、阀44d和DIW供给源45d是“冲洗液供给部”的一例。
另外，喷嘴41_5、臂42_2、旋转升降机构43_2、阀44g、44h、A+B供给源45g、C供给源45h和流量调节器46g、46h是“成膜处理液供给部”的一例。
此处，液供给部40_1和液供给部40_2设置为分别具备多个喷嘴41_1～41_5；液供给部40_1和液供给部40_2也可以设置为分别只具备1个喷嘴。
回收杯50以包围旋转保持部31的方式配置，收集因旋转保持部31的旋转而自晶圆W飞散的处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，由回收杯50收集的处理液被从该排液口51排出至基板清洗装置14的外部。另外，在回收杯50的底部形成有用于将从FFU21供给的下流气体向基板清洗装置14的外部排出的排气口52。
＜基板清洗系统的具体操作＞
接着，对于基板清洗装置14的具体动作，参照图5进行说明。图5是表示本实施方式的基板清洗系统1所实施的基板清洗处理的处理过程的流程图。基板清洗系统1所具备的各装置根据控制部15的控制实施图5所示的各处理过程。
需要说明的是，以下对于使用后述的实施例12～16的任一组合物作为成膜处理液时的基板清洗处理进行说明。
如图5所示，基板清洗装置14中，首先实施基板输入处理(步骤S101)。在所述基板输入处理中，通过基板输送装置131(参照图3)被输入至腔室20内的晶圆W被基板保持机构30的保持构件311保持。此时，晶圆W以图案形成面朝向上方的状态被保持构件311保持。之后，旋转保持部31通过驱动部33旋转。由此，晶圆W以被旋转保持部31水平保持的状态与旋转保持部31一起旋转。
接着，在基板清洗装置14中进行前处理(步骤S102)。例如，作为前处理进行预湿处理时，液供给部40_2的喷嘴41_4位于晶圆W的中央上方。之后，阀44f开放规定时间，由此对于没有形成抗蚀层的晶圆W的图案形成面供给前处理液。向晶圆W供给的前处理液利用伴随着晶圆W的旋转的离心力而在晶圆W的图案形成面展开。
这样，通过事先在晶圆W上涂布展开与成膜处理液具有亲和性的前处理液，从而在后述的成膜处理液供给处理(步骤S103)中，成膜处理液容易在晶圆W的上表面展开并且也容易进入图案的间隙。因此，能够削减成膜处理液的使用量并且能够切实地去除进入了图案间隙的微粒P。另外，可以谋求成膜处理液供给处理的处理时间的缩短化。
另外，作为前处理进行亲水化处理的情况下，液供给部40_2的喷嘴41_4位于晶圆W的中央上方。之后，阀44f开放规定时间，由此对于没有形成抗蚀层的晶圆W的图案形成面供给作为前处理液的臭氧水。向晶圆W供给的臭氧水利用伴随着晶圆W的旋转的离心力而在晶圆W的图案形成面展开。由此，晶圆W的图案形成面被亲水化。
这样，通过进行亲水化处理，剥离处理液容易浸透被亲水化的晶圆W的界面(图案形成面)，因此能够进一步提高处理膜的去除性。需要说明的是，进行亲水化处理作为前处理时，也可以代替臭氧水使用例如过氧化氢水作为前处理液。需要说明的是，不需要一定进行步骤S102的前处理。
接着，在基板清洗装置14中，进行成膜处理液供给处理(步骤S103)。所述成膜处理液供给处理中，液供给部40_2的喷嘴41_5位于晶圆W的中央上方。之后，使阀44g、44h开放规定时间，由此对于至喷嘴41_5的流路，分别供给[A]有机溶剂和[B]聚合物的混合液与[C]有机酸。它们在上述流路内被混合而成为成膜处理液，并且被供给至没有形成抗蚀层的晶圆W的图案形成面。这样，成膜处理液不通过抗蚀层地被供给至晶圆W上。
向晶圆W供给的成膜处理液利用伴随着晶圆W的旋转的离心力而在晶圆W的表面展开。由此，在晶圆W的图案形成面形成成膜处理液的液膜。形成的处理膜的膜厚优选为10nm～5000nm，更优选为20nm～500nm。
接着，在基板清洗装置14中进行干燥处理(步骤S104)。所述干燥处理中例如，通过使晶圆W的旋转速度在规定时间内增加而使成膜处理液干燥。由此，例如成膜处理液所包含的有机溶剂的一部分或全部气化并且成膜处理液所包含的固体成分固化或硬化，从而在晶圆W的图案形成面形成处理膜。
需要说明的是，步骤S104的干燥处理可以为例如通过没有图示的减压装置将腔室20内制成减压状态的处理，也可以是通过由FFU21供给的下流气体使腔室20内的湿度降低的处理。通过这些处理，可以使成膜处理液固化或硬化。
另外，基板清洗装置14也可以使晶圆W在基板清洗装置14内待机，直至成膜处理液自然地固化或硬化为止。另外，也可以通过使晶圆W的旋转停止或者以甩掉成膜处理液而不使晶圆W的表面露出程度的转速使晶圆W旋转，由此使成膜处理液固化或硬化。
接着，在基板清洗装置14中进行去除处理(步骤S105)。所述去除处理中，形成于晶圆W上的处理膜被去除。由此，晶圆W上的微粒P与处理膜一起被去除。对于所述去除处理的具体内容，后面进行叙述。
接着，基板清洗装置14中，对于步骤S105中进行至冲洗处理的晶圆W进行干燥处理(步骤S106)。所述干燥处理中，液供给部40_1的喷嘴41_3位于晶圆W的中央上方。之后，通过使阀44e开放规定时间，向晶圆W上供给作为干燥溶剂的IPA。由此，晶圆W上的DIW被置换为IPA。另外，干燥处理中，通过使晶圆W的旋转速度在规定时间内增加，甩掉残留于晶圆W的表面的IPA而使晶圆W干燥。之后，晶圆W的旋转停止。
接着，在基板清洗装置14中进行基板输出处理(步骤S107)。在所述基板输出处理中，通过基板输送装置131(参照图3)，晶圆W由基板清洗装置14的腔室20中被取出。之后，晶圆W经由交接部122和基板输送装置121被收纳于载置于载体载置部11的载体C。所述基板输出处理结束时，1张晶圆W的基板清洗处理结束。
接着，对于步骤S105的去除处理的具体例进行说明。此处，使用实施例12～16的任一组合物作为成膜处理液时，根据聚合物(M1～M10)的组成比，存在可溶于碱的物质和难溶于碱的物质。因此，以下对于使用可溶于碱的成膜处理液时的去除处理、和使用难溶于碱的成膜处理液时的去除处理，分别进行说明。
首先，对于使用可溶于碱的成膜处理液时的去除处理的例子，参照图6进行说明。图6是表示使用可溶于碱的成膜处理液时的去除处理的处理过程的流程图。
如图6所示，基板清洗装置14中，首先实施DIW供给处理(步骤S201)。所述DIW供给处理中，液供给部40_1的喷嘴41_1位于晶圆W的中央上方。之后，通过使阀44a开放规定时间，对形成于晶圆W上的处理膜供给作为剥离处理液的DIW。对处理膜供给的DIW利用伴随着晶圆W的旋转的离心力而在处理膜上展开。
DIW在处理膜中浸透并到达处理膜与晶圆W的界面，从而使处理膜由晶圆W剥离。由此，附着于晶圆W的图案形成面的微粒P与处理膜一起由晶圆W被剥离。
此处，如上所述，成膜处理液含有溶剂、和具有式(1)所示部分结构的聚合物。通过使用这样的成膜处理液，处理膜由晶圆W去除的去除性提高，因此能够提高晶圆W上的微粒P的去除性能。
另外可以认为，成膜处理液由于处理膜的去除性高，所以可以适用于由各种各样材质形成的基板。作为能够适用的基板的例子，可列举出：硅基板、铝基板、镍基板、铬基板、钼基板、钨基板、铜基板、钽基板、钛基板等金属或半金属基板；氮化硅基板、氧化铝基板、二氧化硅基板、氮化钽基板、氮化钛等陶瓷基板等。其中，优选为硅基板、氮化硅基板、氮化钛基板，更优选为氮化硅基板。
接着，在基板清洗装置14中，进行碱水溶液供给处理(步骤S202)。在所述碱水溶液供给处理中，通过使阀44b开放规定时间，对由晶圆W剥离的处理膜供给作为溶解处理液的碱水溶液。由此，处理膜溶解。
使用碱水溶液作为溶解处理液的情况下，能够使晶圆W和微粒P产生同一极性的ζ电位。由此，由于晶圆W与微粒P相互排斥，所以能够防止微粒P向晶圆W再附着。
接着，在基板清洗装置14中进行冲洗处理(步骤S203)。所述冲洗处理中，液供给部40_1的喷嘴41_2位于晶圆W的中央上方。之后，使阀44d开放规定时间，由此对旋转的晶圆W供给DIW作为冲洗液。由此，溶解的处理膜、碱水溶液中悬浮的微粒P与DIW一起由晶圆W被去除。由此，去除处理结束，转移至步骤S106的干燥处理。
这样，使用可溶于碱的成膜处理液时通过使用碱水溶液作为溶解处理液，能够使处理膜溶解。
接着，对于使用难溶于碱的成膜处理液时的去除处理的例子，参照图7进行说明。图7是表示使用难溶于碱的成膜处理液时的去除处理的处理过程的流程图。
如图7所示，基板清洗装置14中，首先，进行与上述的步骤S201同样的DIW供给处理(步骤S301)。
接着，在基板清洗装置14中，进行有机溶剂供给处理(步骤S302)。在所述有机溶剂供给处理中，通过使阀44c开放规定时间，对由晶圆W剥离的处理膜供给作为溶解处理液的有机溶剂。由此，处理膜溶解。
接着，在基板清洗装置14中，进行与步骤S203相同的冲洗处理(步骤S303)。由此，去除处理结束，转移至步骤S106的干燥处理。
这样，使用难溶于碱的成膜处理液时，通过使用稀释剂等有机溶剂作为溶解处理液，能够使处理膜溶解。另外，由于不使用碱水溶液，能够进一步抑制对晶圆W、基底膜的损伤。
需要说明的是，此处，在有机溶剂供给处理(步骤S302)之后，进行冲洗处理(步骤S303)，但由于有机溶剂在晶圆W上挥发，因此不需要一定进行冲洗处理(步骤S303)。
接着，对于使用难溶于碱的成膜处理液时的去除处理的变形例，参照图8进行说明。图8是表示使用难溶于碱的成膜处理液时的去除处理的变形例(之1)的流程图。
如图8所示，基板清洗装置14中，首先进行DIW供给处理(步骤S401)，接着进行有机溶剂供给处理(步骤S402)。这些处理，与上述的步骤S301和步骤S302的处理相同。
接着，在基板清洗装置14中，进行碱水溶液供给处理(步骤S403)。所述碱水溶液供给处理中，液供给部40_1的喷嘴41_1位于晶圆W的中央上方。之后，通过使阀44b开放规定时间，从而对晶圆W供给碱水溶液。之后，在基板清洗装置14中，进行与步骤S303同样的冲洗处理(步骤S404)，去除处理结束。
这样，也可以对有机溶剂供给处理后的晶圆W供给碱水溶液。通过供给碱水溶液，能够使晶圆W和微粒P产生同一极性的ζ电位。由此，由于晶圆W与微粒P相互排斥，所以能够防止微粒P向晶圆W再附着。
接着，对于使用难溶于碱的成膜处理液时的去除处理之外的变形例，参照图9进行说明。图9是表示使用难溶于碱的成膜处理液时的去除处理的变形例(之2)的流程图。
如图9所示，基板清洗装置14中，首先，进行与步骤S301同样的DIW供给处理(步骤S501)。
接着，在基板清洗装置14中，进行碱水溶液供给处理(步骤S502)。所述碱水溶液供给处理中，液供给部40_1的喷嘴41_1位于晶圆W的中央上方。之后，通过使阀44b开放规定时间，从而对晶圆W供给碱水溶液。之后，在基板清洗装置14中，进行与步骤S302同样的有机溶剂供给处理(步骤S503)以及与步骤S303同样的冲洗处理(步骤S504)，去除处理结束。需要说明的是，步骤S504的冲洗处理也可以省略。
这样，也可以对DIW供给处理后的晶圆W供给碱水溶液。DIW供给处理后的晶圆W，有处理膜所包含的特定的成分部分残留的可能性。该特定的成分中，也包含可溶于碱水溶液的成分。与此相对，如本变形例，通过对DIW供给处理后的晶圆W供给碱水溶液，可以将残留于晶圆W的处理膜的成分中可溶于碱水溶液的成分溶解而去除。因此，通过本变形例，能够抑制处理膜的膜残留。
需要说明的是，基板清洗装置14也可以在有机溶剂供给处理(步骤S503)之后，进行与步骤S403同样的碱水溶液供给处理。
上述的各去除处理的例中，通过DIW供给处理使晶圆W上的处理膜由晶圆W剥离，之后进行碱水溶液供给处理或有机溶剂供给处理，从而使处理膜溶解。但是，不限于此，也可以将处理膜由晶圆W剥离的处理、和将剥离的处理膜溶解的处理在1个工序中同时进行。对于所述点，参照图10进行说明。
图10是表示去除处理的变形例的流程图。需要说明的是，图10所示的去除处理的处理过程可以适用于使用可溶于碱的成膜处理液的情况以及使用难溶于碱的成膜处理液情况两者。
如图10所示，基板清洗装置14中，首先实施去除液供给处理(步骤S601)。所述去除液供给处理中，液供给部40_1的喷嘴41_1位于晶圆W的中央上方。之后，通过使阀44b和阀44c的一者与阀44a开放规定时间，从而对晶圆W供给被稀释过的碱水溶液或有机溶剂。
所述碱水溶液或有机溶剂是低浓度的，因此几乎不能使处理膜溶解，可以使之由晶圆W剥离。因此，与供给DIW时同样地，微粒P与处理膜一起由晶圆W被剥离。之后，由晶圆W剥离的处理膜被低浓度的碱水溶液或有机溶剂溶解。之后，进行与步骤S303同样的冲洗处理(步骤S602)，去除处理结束。需要说明的是，使用稀释过的有机溶剂作为去除液时，不需要一定进行步骤S602的冲洗处理。
这样，通过使用被DIW稀释过的碱水溶液或有机溶剂作为去除液，可以将处理膜由晶圆W剥离的处理、和对剥离的处理膜进行溶解的处理在1个工序中同时进行。由此，能够使基板清洗处理所需要的时间缩短。
需要说明的是，基板清洗装置14中，可以通过控制流量调节器46a～46c的任一者，缓缓地提高碱水溶液或有机溶剂的浓度。例如，基板清洗装置14也可以在供给第1浓度的碱水溶液或有机溶剂之后，供给第2浓度(＞第1浓度)的碱水溶液或有机溶剂。
如上所述，本实施方式的基板处理系统(相当于基板清洗系统1)具备保持部(相当于基板保持机构30)和去除液供给部。保持部保持基板，所述基板形成有包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于(更优选具有上述的式(1)所示的部分结构)有机溶剂的聚合物的处理膜。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。
因此，利用本实施方式的基板处理系统，能够得到高的微粒去除性能。
(其他的实施方式)
上述进行的实施方式中，以“成膜处理液供给部”和“去除液供给部”设置于1个腔室20内的情况为例进行了例示，也可以是“成膜处理液供给部”和“去除液供给部”分别设置于不同的腔室内。例如，基板清洗系统1也可以具备：由图4所示的基板清洗装置14中去除了液供给部40_2的腔室(第1腔室)、和由图4所示的基板清洗装置14去除了液供给部40_1的腔室(第2腔室)。
另外，基板清洗系统1不需要一定具备“成膜处理液供给部”。即，基板清洗系统1也可以对于实施了图5所示的步骤S104为止的处理的晶圆W，进行图5所示的步骤S105～S107的处理。
另外，上述进行的实施方式中，对于使用液体状的DIW作为剥离处理液的情况的例子进行了说明，但剥离处理液也可以为雾状的DIW。
另外，在上述进行的实施方式中，对于通过使用喷嘴向处理膜直接供给DIW时的例子进行了说明，但也可以例如通过使用加湿装置等提高腔室内的湿度，由此间接地对处理膜供给DIW。
另外，在上述进行的实施方式中，对于使用常温的纯水的DIW作为剥离处理液的情况的例子进行了说明，但也可以使用例如加热的纯水作为剥离处理液。由此，能够进一步提高处理膜的去除性。
另外，上述正在进行的实施方式中，对于使用DIW作为剥离处理液的情况下的例子进行了说明。但是，只要是能够实施不使形成于晶圆W上的处理膜溶解(或者使之溶解前)而剥离的工序的组合，则可以不论剥离处理液的种类。例如，剥离处理液可以含有CO2水(混合有CO2气体的DIW)、酸或碱性的水溶液、表面活性剂添加水溶液、HFE(氢氟醚)等氟系溶剂、稀释IPA(被纯水稀释过的IPA：异丙醇)的至少一者。
例如，以形成与晶圆W的密合性低且剥离容易的处理膜的方式将成膜处理液作为组成。该情况下，有形成的处理膜变得容易剥离，另一方面防水性变高而只是DIW难以浸透的可能性，所以该情况下，作为剥离处理液优选使用稀释IPA这样被纯水稀释过的有机溶剂(以下，称为“稀释有机溶剂”)。
对于使用稀释有机溶剂作为所述剥离处理液的情况，使用图11～图12C进行说明。图11是表示使用稀释有机溶剂作为剥离处理液时的去除处理的变形例的流程图。图12A～图12C是稀释有机溶剂供给处理的说明图(之1)～(之3)。需要说明的是，图11与已经显示的图7相对应。另外，图12A～图12C中省略了阀的图示。
如图11所示，使用稀释有机溶剂作为剥离处理液的情况下，基板清洗装置14中，首先，代替上述的图7的步骤S301的DIW供给处理，进行稀释有机溶剂供给处理(步骤S701)。
所述稀释有机溶剂供给处理中，向晶圆W供给不使形成于晶圆W上的处理膜溶解而向处理膜浸透程度的浓度、例如如果是稀释IPA则为10％以下浓度的稀释有机溶剂。
这样，即便对于到达形成于晶圆W上的图案的深部的处理膜也能使剥离处理液浸透，所以即便是形成有图案的晶圆W也能够得到高的微粒去除性能。
接着，在基板清洗装置14中，进行与步骤S302同样的有机溶剂供给处理(步骤S702)。
接着，在基板清洗装置14中进行与步骤S303同样的冲洗处理(步骤S703)。由此，去除处理结束，转移至步骤S106的干燥处理。
需要说明的是，作为稀释有机溶剂的具体的供给方法，可以例如，如图12A所示，则设置稀释有机溶剂供给源45i的基础上，由所述稀释有机溶剂供给源45i通过喷嘴41直接向晶圆W供给稀释有机溶剂。
另外，例如，如图12B所示，也可以由DIW供给源45a通过流量调节器46a、或者由有机溶剂供给源45c通过流量调节器46c，由喷嘴41向晶圆W供给内部混合后的稀释有机溶剂。
另外，例如，如图12C所示，也可以由DIW供给源45a向晶圆W供给DIW之后，由有机溶剂供给源45c向晶圆W供给有机溶剂，在晶圆W上进行混合，由此生成稀释有机溶剂。另外，该情况下，也可以同时向晶圆W供给DIW和有机溶剂。
这样，使用浸透性低的成膜处理液时，使用稀释有机溶剂作为剥离处理液，由此可以使剥离处理液进一步向处理膜浸透。另外，由此即便是对形成了图案的晶圆W，也能得到高的微粒去除性能。需要说明的是，使用稀释有机溶剂作为此处说明的剥离处理液的情况下，具体而言，成膜处理液优选应用于后面所示的以表1的树脂(P－3)或树脂(P－5)作为基础树脂的情况等。
另外，上述进行的实施方式中，对于由成膜处理液供给处理进行干燥处理之后，进行去除处理的情况的例子进行了说明(参照图5的步骤S103～步骤S105)，也可以在进行去除处理之前，进行促进成膜处理液的固化或硬化的“成膜促进处理”。
对于所述的其他的实施方式，使用图13～图16B进行说明。首先，图13是表示其他实施方式的基板清洗系统1’所实施的基板清洗处理的处理过程的流程图。需要说明的是，图13与已经显示的图5相对应。
如图13所示，基板清洗系统1’的基板清洗装置14中，首先，进行与上述的图5的步骤S101～步骤S104同样的基板输入处理、前处理、成膜处理液供给处理和干燥处理(步骤S801～步骤S804)。
接着，在基板清洗装置14中进行成膜促进处理(步骤S805)。所述成膜促进处理中，进行促进向晶圆W的表面供给的成膜处理液的固化或硬化的处理、作为一例进行晶圆W的加热等处理。对于所述处理的具体的方式，使用图14A以及14A以后的后述描述。
经过所述的成膜促进处理，例如，能够使到达至形成于晶圆W的图案的深部的成膜处理液切实地固化或硬化，提高处理膜与微粒的附着力。即，对于形成有图案的晶圆W，即便对于存在于所述图案深部的微粒也能使其切实地附着于处理膜，能够得到高的微粒去除性能。
接着，基板清洗装置14中，进行与步骤S105～步骤S107同样的去除处理、干燥处理和基板输出处理(步骤S806～步骤S808)，1张晶圆W的基板清洗处理结束。
接着，对于成膜促进处理的具体的方式进行说明。首先，对于作为第1方式的成膜促进处理进行说明。图14A是第1成膜促进处理的说明图。另外，图14B是表示实施第1成膜促进处理情况下的基板清洗系统1’的结构的示意图。需要说明的是，以下，存在对于基板清洗装置14以“_序号”的形式编号来分别区别多个基板清洗装置14的情况。
如图14A所示，第1成膜促进处理中，例如，通过设置烘焙装置60的基础上利用所述烘焙装置60对晶圆W进行烘焙来加热供给至晶圆W的成膜处理液，从而促进成膜处理液的固化或硬化。需要说明的是，第1成膜促进处理也可以在上述的步骤S804的干燥处理之前进行。另外，对于晶圆W进行烘焙的条件优选将温度设为70°～120°、将时间设为60秒以下左右。
作为第1方式，进行所述第1成膜促进处理时，包括烘焙装置60的“成膜促进部”至少设置于与进行成膜处理液供给处理的腔室20不同的腔室20。由此，能够使烘焙处理高性能化，另外，能够在不同的腔室对烘焙处理和成膜处理液供给处理同时进行处理。
具体而言，如图14B所示，配置成例如：在基板清洗装置14_3～14_6中进行成膜处理液供给处理，在基板清洗装置14_9～14_12进行去除处理的情况下，可以使具有与它们不同的腔室20的基板清洗装置14_1、14_2、14_7和14_8收纳烘焙装置60，在所述基板清洗装置14_1、14_2、14_7和14_8中进行第1成膜促进处理。
接着，对于作为第2方式的成膜促进处理进行说明。图15A～图15C是第2成膜促进处理的说明图(之1)～(之3)。另外，图15D～图15F是表示实施第2成膜促进处理时的基板清洗系统1’的结构的示意图(之1)～(之3)。
如图15A所示，第2成膜促进处理中，例如，基板保持机构30中，通过支柱部32设置喷嘴41_6的基础上，晶圆W以由旋转保持部31的上表面间隔的状态被保持构件311水平保持，向所述晶圆W的背面侧由喷嘴41_6供给高温的DIW，由此对晶圆W表面侧的成膜处理液进行加热。
由此，能够间接地促进晶圆W的表面侧的成膜处理液的固化或硬化。需要说明的是，由喷嘴41_6供给的不限定于DIW，只要是高温的流体即可，例如，可以是高温的氮气，也可以是水蒸汽。
另外，不一定由晶圆W的背面，也可以对于向晶圆W的表面侧供给的成膜处理液，如图15B所示，通过喷嘴41由晶圆W的表面侧供给高温的流体，由此对成膜处理液直接地进行加热。
另外，如图15A和图15B所示的第2成膜促进处理可以在成膜处理液的供给中进行，即可以与成膜处理液供给处理同时进行。
另外，图15A和图15B中，以在成膜处理液供给后或供给中进行第2成膜促进处理的情况为例进行了例示，但也可以如图15C所示，在向晶圆W供给成膜处理液之前，由喷嘴41或喷嘴41_6向晶圆W供给高温的流体，从而预先对晶圆W进行加热，从而间接地对成膜处理液进行加热。
进行这样的第2成膜促进处理的情况下，例如包括喷嘴41_6、喷嘴41的“成膜促进部”可以设置于与进行成膜处理液供给处理、去除处理的腔室20相同的腔室20中。
具体而言，如图15D所示，可以配置成例如：将成膜处理液供给处理、第2成膜促进处理和去除处理组合，分别在基板清洗装置14_1～14_12进行。
另外，如图15E所示，配置成例如：在基板清洗装置14_1～14_6中进行成膜处理液供给处理的情况下，可以配置成在具有与它们不同的腔室20的基板清洗装置14_7～14_12中进行第2成膜促进处理和去除处理。
另外，如图15F所示，可以配置成例如：将成膜处理液供给处理和第2成膜促进处理组合，在基板清洗装置14_1～14_6中进行，将去除处理在基板清洗装置14_7～14_12中进行。该情况下，基板清洗装置14_1～14_6的基板保持机构30例如用吸附式的真空卡盘等保持晶圆W的情况下，至少分别在基板清洗装置14_1～14_6进行如图15B和图15C所示的由晶圆W的表面侧的第2成膜促进处理。
接着，对于作为第3方式的成膜促进处理进行说明。图16A是第3成膜促进处理的说明图。另外，图16B是表示实施第3成膜促进处理情况下的基板清洗系统1’的结构的示意图。
如图16A所示，第3成膜促进处理中，例如，在输送部12、13的任一位置设置作为“成膜促进部”的热源70，除此以外，表面被供给了成膜处理液的晶圆W通过热源70的附近时，利用所述热源70的热对成膜处理液进行加热。由此，可以促进晶圆W的表面侧的成膜处理液的固化或硬化。需要说明的是，成膜处理液也可以被晶圆W的表面侧和背面侧的任一者加热。
热源70为例如卤素灯等，如图16B所示，在配置成在基板清洗装置14_1～14_6中进行成膜处理液供给处理、在基板清洗装置14_7～14_12中进行去除处理的情况下，热源70可以设置于输送部13的输送路径、基板输送装置131的晶圆保持机构、输送部12的交接部122等。热源70设置于基板输送装置131的晶圆保持机构的情况下，被供给了成膜处理液的晶圆W被该晶圆保持机构保持期间加热成膜处理液。
需要说明的是，所述第3成膜促进处理中，不限定于热源70，设置例如UV(Ultraviolet，紫外线)光源代替热源70的基础上，利用所述UV光源的紫外光照射，促进成膜处理液的固化或硬化。
另外，在上述进行的各实施方式中，对于使用碱显影液作为溶解处理液的情况下的例子进行说明，溶解处理液也可以是在碱显影液中加入了过氧化氢水的物质。这样，通过向碱显影液中加入过氧化氢水，能够抑制由碱显影液导致的晶圆W表面的表面粗糙。另外，溶解处理液也可以为乙酸、甲酸、羟基乙酸等酸性显影液。
进而，溶解处理液也可以含有表面活性剂。表面活性剂具有削弱表面张力的作用，因此能够抑制微粒P向晶圆W等再附着。另外，作为去除对象的废物，不限定于微粒P，例如，也可以为干蚀刻后或灰化后残留于基板上的聚合物等其他物质。
实施例
接着，对于基板清洗用组合物的实施例进行说明。
得到的聚合物的重均分子量(Mw)和数均分子量(Mn)通过使用TOSOH CORPORATION制的GPC柱(G2000HXL：2根、G3000HXL：1根、G4000HXL：1根)，在流量：1.0mL/分钟、溶出溶剂：四氢呋喃、试样浓度：1.0质量％、试样注入量：100μL、柱温度：40℃、检测器：差示折射计的分析条件下，以单分散聚苯乙烯作为标准的凝胶渗透色谱(GPC)进行测定。分散度(Mw/Mn)通过Mw和Mn的测定结果而算出。
(聚合物的合成)
将作为聚合物的原料使用的化合物表示如下。
(制造例1)
准备将化合物(M-1)100g(100摩尔％)和偶氮双异丁腈(AIBN)7.29g(7摩尔％)溶解于2-丁酮100g的单体溶液。对于投入了100g 2-丁酮的1000mL三口烧瓶吹扫30分钟氮气。在吹扫氮气之后加热至80℃，边搅拌边使用滴液漏斗花费3小时滴加上述单体溶液。将开始滴加作为聚合起始时间，使之进行6小时聚合。聚合结束之后，将反应溶液冷却至30℃以下。将反应溶液减压浓缩至质量成为150g。投入甲醇150g和正己烷750g，使之分离。分离后，对下层液进行回收。向回收的下层液中投入正己烷750g，再次进行分离纯化。分离后，对下层液进行回收。从回收的下层液去除溶剂，加入4-甲基-2-戊醇，得到包含树脂(P-1)的溶液。将结果示于表1。
(制造例2～10)
将使用的化合物和组合按照表1进行变更，除此之外，与制造例1同样地进行，合成树脂(P-2)～(P-10)。
[表1]
(实施例1)
将聚合物(P-1)100质量份、4-甲基-2-戊醇7400质量份进行混合制成均匀溶液。将该溶液使用HDPE制的滤器(孔径5nm、日本Pall公司制PhotoKleen EZD)进行过滤。用液中微粒计数器(RION Co.,Ltd.制、KS-41B)确认到液中的150μm以下的微粒减少至10个/mL为止，从而调制基板清洗用组合物(D-1)。固体成分浓度为约1.5％。
(实施例2～8和比较例1、2)
除将树脂按照表2进行变更之外，与实施例1同样地进行，调制基板清洗用组合物(D-2)～(D-8)和比较组合物(c-1)、(c-2)。
(实施例9)
将聚合物(P-1)100质量份、作为有机酸的酒石酸(Ac-1)5.0质量份和4-甲基-2-戊醇7400质量份进行混合，制成均匀的溶液。将该溶液使用HDPE制的滤器(孔径5nm、日本Pall公司制PhotoKleen EZD)进行过滤。用液中微粒计数器(RION Co.,Ltd.制、KS-41B)确认到液中的150μm以下的微粒减少至10个/mL为止，从而调制基板清洗用组合物(D-9)。固体成分浓度为约1.5％。
(实施例10～16和比较例3～5)
除将树脂和有机酸按照表2进行变更之外，与实施例9同样地进行，调制基板清洗用组合物(D-10)～(D-16)和比较组合物(c-3)～(c-5)。
[表2]
各实施例和比较例中使用的有机酸如下。本实施例中，有机酸均使用和光纯药制的试剂。
Ac-1：酒石酸
Ac-2：草酸
Ac-3：柠檬酸
Ac-4：马来酸
Ac-5：苹果酸
Ac-6：富马酸
Ac-7：间苯二甲酸
Ac-8：对苯二甲酸
Ac-9：聚丙烯酸(和光纯药制聚丙烯酸5000)
(颗粒去除性和膜去除性的评价)
在预先附着了粒径200nm的二氧化硅颗粒的12英寸晶圆上，使用上述的基板清洗装置14通过旋转涂布法形成各组合物的处理膜。对于形成有处理膜的晶圆，供给2.38质量％的四甲基氢氧化铵水溶液(TMAH溶液)作为溶解处理液，从而去除处理膜。对于去除性，将从TMAH溶液的供给开始起20秒以内全部处理膜均结束去除判定为A，将超过20秒且1分钟以内结束判定为B，将没有在1分钟以内去除结束判定为C。另外，对于去除了处理膜之后残留于晶圆上的二氧化硅颗粒数，使用暗视野缺陷装置(SP2,KLA-TENCOR公司制)进行分析。将二氧化硅颗粒的去除率为70％以上判定为A，将30％以上且小于70％判定为B，将小于30％判定为C。需要说明的是，对于没能形成处理膜的，在颗粒去除性的栏中记载为“不能涂布”。
(评价例1～16和比较评价例1～5)
对于作为晶圆的硅晶圆，分别使用基板清洗用组合物(D-1)～(D-16)和比较用组合物(c-1)～(c-5)，根据上述的评价方法，对于颗粒去除性和膜去除性进行评价。将结果示于表3。
[表3]
Run 组合物 颗粒去除性 膜去除性
评价例1 D-1 A A
评价例2 D-2 A A
评价例3 D-3 B A
评价例4 D-4 A A
评价例5 D-5 A B
评价例6 D-6 A B
评价例7 D-7 A B
评价例8 D-8 B B
评价例9 D-9 A A
评价例10 D-10 A A
评价例11 D-11 A A
评价例12 D-12 A A
评价例13 D-13 A A
评价例14 D-14 A A
评价例15 D-15 A A
评价例16 D-16 A A
比较评价例1 c-1 C C
比较评价例2 c-2 C A
比较评价例3 c-3 C C
比较评价例4 c-4 不能涂布 不能涂布
比较评价例5 c-5 C A
(评价例17～24和比较评价例6、7)
除将硅晶圆变更为氮化硅或氮化钛、将与基板清洗用组合物的组合如表4进行变更之外，与上述同样地进行，对于颗粒去除性和膜去除性进行评价。将结果示于表4。
[表4]
通过各评价例与各比较评价例的比较，可知本发明的基板清洗用组合物，在基板表面形成膜并将其去除的基板清洗方法中，颗粒去除性和膜去除性均优异。另外，通过评价例5～8和评价例13～16的比较可知，通过添加有机酸，膜去除性进一步提高。
(评价例25～31和比较评价例8)
在评价例4、5、12～16和比较评价例3中，代替溶解处理液，供给作为剥离处理液的纯水，除此以外，同样地评价颗粒去除性和膜去除性。将结果示于表5。
[表5]
Run 组合物 颗粒去除性 膜去除性
评价例25 D-4 A A
评价例26 D-5 A B
评价例27 D-12 A A
评价例28 D-13 A A
评价例29 D-14 A A
评价例30 D-15 A A
评价例31 D-16 A A
比较评价例8 c-3 C C
(评价例32～36和比较评价例9)
在评价例20～24和比较评价例6中，代替溶解处理液供给作为剥离处理液的纯水，除此以外，同样地对颗粒去除性和膜去除性进行评价。将结果示于表6。
[表6]
进一步的效果、变形例可以由本领域技术人员容易地导出。因此，本发明的更广泛的方式不限定于以上的表述并且不限定于前述特定的详细内容和代表的实施方式。因此，可以不脱离本发明的权利要求的范围及其等价物定义的综合的发明概念的精神或范围地实施各种变更。
本发明包含以下的发明。
(1)一种基板处理系统，其特征在于，具备：
保持基板的保持部，该基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于前述有机溶剂的聚合物；和
去除液供给部，对前述基板上的处理膜供给用于去除该处理膜的去除液。
(2)根据上述(1)所述的基板处理系统，其特征在于，
前述聚合物具有下述式(1)所示的部分结构。
(式(1)中，R1、R2分别独立地表示氢原子、氟原子、碳原子数1～8的烷基或氟代烷基。其中，R1或R2的至少任一个为氟原子或碳原子数1～8的氟代烷基。*表示与构成聚合物的其他原子的结合部位。)
(3)根据上述(1)或(2)所述的基板处理系统，其特征在于，
前述去除液供给部具备：
剥离处理液供给部，对前述处理膜供给使该处理膜由前述基板剥离的剥离处理液；和
溶解处理液供给部，对前述处理膜供给使该处理膜溶解的溶解处理液。
(4)根据上述(3)所述的基板处理系统，其特征在于，具备：
冲洗液供给部，对前述基板供给冲洗液；和
控制部，控制一系列基板处理，
前述溶解处理液供给部是供给碱水溶液作为前述溶解处理液的碱水溶液供给部，
前述控制部
进行如下处理：通过控制前述剥离处理液供给部、前述碱水溶液供给部和前述冲洗液供给部来对前述处理膜供给前述剥离处理液，之后，对前述基板供给前述碱水溶液，之后，对于前述基板供给前述冲洗液。
(5)根据上述(3)所述的基板处理系统，其特征在于，具备控制一系列基板处理的控制部，
前述溶解处理液供给部是供给有机溶剂作为前述溶解处理液的有机溶剂供给部，
前述控制部进行如下处理：通过控制前述剥离处理液供给部和前述有机溶剂供给部，对前述处理膜供给前述剥离处理液，之后，对前述基板供给前述有机溶剂。
(6)根据上述(3)所述的基板处理系统，其特征在于，具备：
碱水溶液供给部，对前述基板供给碱水溶液；
冲洗液供给部，对前述基板供给冲洗液；和
控制部，控制一系列基板处理，
前述溶解处理液供给部是供给有机溶剂作为前述溶解处理液的有机溶剂供给部，
前述控制部进行如下处理：通过控制前述剥离处理液供给部、前述有机溶剂供给部、前述碱水溶液供给部和前述冲洗液供给部，对前述处理膜供给前述剥离处理液，之后对前述基板供给前述有机溶剂，之后对前述基板供给前述碱水溶液，之后，对前述基板供给前述冲洗液。
(7)根据上述(3)所述的基板处理系统，其特征在于，具备：
碱水溶液供给部，对前述基板供给碱水溶液；和
控制部，控制一系列基板处理，
前述溶解处理液供给部是供给有机溶剂作为前述溶解处理液的有机溶剂供给部，
前述控制部进行如下处理：通过控制前述剥离处理液供给部、前述有机溶剂供给部和前述碱水溶液供给部，对前述处理膜供给前述剥离处理液，之后对前述基板供给前述碱水溶液，之后对前述基板供给前述有机溶剂。
(8)根据上述(3)～(7)的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，前述剥离处理液供给部供给纯水作为前述剥离处理液。
(9)根据上述(5)所述的基板处理系统，其特征在于，前述剥离处理液供给部
供给被纯水稀释过的前述有机溶剂作为前述剥离处理液。
(10)根据上述(9)所述的基板处理系统，其特征在于，前述有机溶剂为异丙醇，
作为前述剥离处理液，被稀释至10％以下的浓度。
(11)根据上述(1)所述的基板处理系统，其特征在于，具备：
冲洗液供给部，对前述基板供给冲洗液；和
控制部，控制一系列基板处理，
前述去除液供给部供给被纯水稀释过的碱水溶液作为前述去除液，
前述控制部进行如下处理：通过控制前述去除液供给部和前述冲洗液供给部，对前述处理膜供给前述被稀释过的碱水溶液，之后，对于前述基板供给前述冲洗液。
(12)根据上述(1)所述的基板处理系统，其特征在于，具备控制一系列基板处理的控制部，
前述去除液供给部供给被纯水稀释过的有机溶剂作为前述去除液，
前述控制部进行如下处理：通过控制前述去除液供给部，对前述处理膜供给前述被稀释过的有机溶剂。
(13)根据上述(1)～(12)的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，具备成膜处理液供给部，对前述基板供给含有前述有机溶剂和前述聚合物的成膜处理液，
在前述基板上，前述被供给的成膜处理液固化或硬化而形成前述处理膜。
(14)根据上述(13)所述的基板处理系统，其特征在于，具备：收纳前述成膜处理液供给部、前述保持部和前述去除液供给部的腔室。
(15)根据上述(13)所述的基板处理系统，其特征在于，具备：
收纳前述成膜处理液供给部的第1腔室、和
收纳前述保持部和前述去除液供给部的第2腔室。
(16)根据上述(15)所述的基板处理系统，其特征在于，具备成膜促进部，促进前述成膜处理液的固化或硬化，
前述第1腔室进一步收纳前述成膜促进部。
(17)根据上述(14)所述的基板处理系统，其特征在于，具备成膜促进部，促进前述成膜处理液的固化或硬化，
前述腔室进一步收纳前述成膜促进部。
(18)根据上述(15)所述的基板处理系统，其特征在于，具备成膜促进部，促进前述成膜处理液的固化或硬化，
前述第2腔室进一步收纳前述成膜促进部。
(19)根据上述(15)所述的基板处理系统，其特征在于，还具备：
成膜促进部，促进前述成膜处理液的固化或硬化；和
第3腔室，收纳前述成膜促进部。
(20)根据上述(15)所述的基板处理系统，其特征在于，具备：
成膜促进部，促进前述成膜处理液的固化或硬化；和
输送部，在前述第1腔室与前述第2腔室之间输送前述基板；
前述成膜促进部
设置于前述输送部。
(21)根据上述(20)所述的基板处理系统，其特征在于，
前述输送部包括：保持前述基板且输送前述基板的基板输送装置、和该基板输送装置的输送路径；
前述成膜促进部设置于前述基板输送装置或前述输送路径。
(22)根据上述(13)～(21)的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，前述成膜处理液的水的含量在有机溶剂与水的总计中为20质量％以下。
(23)根据上述(2)～(22)的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，前述处理膜还含有低分子有机酸。
(24).根据上述(23)所述的基板处理系统，其特征在于，低分子有机酸为多元羧酸。
(25)一种基板清洗方法，其特征在于，包括：
成膜处理液供给工序：向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于前述有机溶剂的聚合物；和
去除液供给工序：对处理膜供给使该处理膜由前述基板剥离且使该处理膜溶解的去除液，该处理膜是前述成膜处理液在前述基板上固化或硬化而成的。
(26)一种存储介质，其特征在于，
其为存储有在计算机上工作且控制基板清洗系统的程序的计算机可读取的存储介质，
前述程序在实施时使计算机控制前述基板清洗系统以进行上述(25)所述的基板清洗方法。

Claims (10)

1.一种基板清洗系统，其特征在于，具备：
保持基板的保持部，该基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于所述有机溶剂的聚合物；和
去除液供给部，对所述基板上的处理膜供给用于去除该处理膜的去除液，
所述去除液供给部具备：剥离处理液供给部，对所述处理膜供给使该处理膜由所述基板剥离的剥离处理液。
2.根据权利要求1所述的基板清洗系统，其特征在于，
所述聚合物具有下述式(1)所示的部分结构：
式(1)中，R1、R2分别独立地表示氢原子、氟原子、碳原子数1～8的烷基或氟代烷基，其中，R1或R2的至少任一个为氟原子或碳原子数1～8的氟代烷基，*表示与构成聚合物的其他原子的结合部位。
3.根据权利要求1所述的基板清洗系统，其特征在于，具备：
冲洗液供给部，对所述基板供给冲洗液；和
控制部，控制一系列基板处理，
所述控制部进行如下处理：通过控制所述剥离处理液供给部和所述冲洗液供给部来对所述处理膜供给所述剥离处理液，之后，对于所述基板供给所述冲洗液。
4.根据权利要求1所述的基板清洗系统，其特征在于，具备：
碱水溶液供给部，对所述基板供给碱水溶液；
冲洗液供给部，对所述基板供给冲洗液；和
控制部，控制一系列基板处理，
所述控制部进行如下处理：通过控制所述剥离处理液供给部、所述碱水溶液供给部和所述冲洗液供给部，对所述处理膜供给所述剥离处理液，之后对所述基板供给所述碱水溶液，之后，对所述基板供给所述冲洗液。
5.根据权利要求1所述的基板清洗系统，其特征在于，所述剥离处理液供给部供给纯水作为所述剥离处理液。
6.根据权利要求1所述的基板清洗系统，其特征在于，所述剥离处理液供给部供给被纯水稀释过的所述有机溶剂作为所述剥离处理液。
7.根据权利要求6所述的基板清洗系统，其特征在于，所述有机溶剂为异丙醇，
作为所述剥离处理液，被稀释至10％以下的浓度。
8.根据权利要求1所述的基板清洗系统，其特征在于，具备成膜处理液供给部，对所述基板供给含有所述有机溶剂和所述聚合物的成膜处理液，
在所述基板上，所述被供给的成膜处理液固化或硬化而形成所述处理膜。
9.一种基板清洗方法，其特征在于，包括：
成膜处理液供给工序：向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于所述有机溶剂的聚合物；和
剥离处理液供给工序：对处理膜供给使该处理膜由所述基板剥离的剥离处理液，所述处理膜是所述成膜处理液在所述基板上固化或硬化而成的。
10.一种存储介质，其特征在于，
其为存储有在计算机上工作且控制基板清洗系统的程序的计算机可读取的存储介质，
所述程序在实施时使计算机控制所述基板清洗系统以进行权利要求9所述的基板清洗方法。
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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6426936B2 (ja) * 2014-07-31 2018-11-21 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法および記憶媒体
JP6371253B2 (ja) * 2014-07-31 2018-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体
KR102303994B1 (ko) * 2014-10-20 2021-09-23 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시기판의 제조방법
CN107424908B (zh) * 2016-05-24 2021-03-02 江苏鲁汶仪器有限公司 一种晶圆处理方法
US10734255B2 (en) 2016-05-25 2020-08-04 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method, substrate cleaning system and memory medium
CN107469456A (zh) * 2016-06-07 2017-12-15 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种撕金去胶工艺的金属回收系统
JP6672091B2 (ja) 2016-06-24 2020-03-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR20180003109A (ko) * 2016-06-30 2018-01-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6779701B2 (ja) * 2016-08-05 2020-11-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体
KR20190072532A (ko) * 2016-10-21 2019-06-25 제이에스알 가부시끼가이샤 처리제 및 기판의 처리 방법
JP6762378B2 (ja) * 2017-01-04 2020-09-30 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体
CN116646279A (zh) 2017-01-05 2023-08-25 株式会社斯库林集团 基板清洗装置及基板清洗方法
JP6951229B2 (ja) * 2017-01-05 2021-10-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP7140110B2 (ja) * 2017-04-13 2022-09-21 Jsr株式会社 半導体基板洗浄用組成物
JP6811675B2 (ja) 2017-04-28 2021-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6865632B2 (ja) * 2017-05-09 2021-04-28 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP7030440B2 (ja) * 2017-07-27 2022-03-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法、基板処理液及び基板処理装置
JP6982478B2 (ja) * 2017-09-22 2021-12-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄方法および基板洗浄装置
TWI755609B (zh) 2017-09-22 2022-02-21 日商斯庫林集團股份有限公司 基板洗淨方法及基板洗淨裝置
JP7008489B2 (ja) * 2017-12-05 2022-01-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7013221B2 (ja) * 2017-12-11 2022-01-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7144975B2 (ja) * 2018-05-31 2022-09-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7227758B2 (ja) 2018-05-31 2023-02-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
EP3576134B1 (en) * 2018-05-31 2023-06-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method
JP7227757B2 (ja) * 2018-05-31 2023-02-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
EP3576133B1 (en) 2018-05-31 2023-11-22 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method
TWI804635B (zh) 2018-06-27 2023-06-11 日商東京威力科創股份有限公司 基板洗淨方法、基板洗淨系統及記憶媒體
KR102195007B1 (ko) * 2018-10-11 2020-12-29 세메스 주식회사 기판 세정 조성물, 이를 이용한 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7126429B2 (ja) * 2018-11-22 2022-08-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7191748B2 (ja) * 2019-03-25 2022-12-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102267912B1 (ko) * 2019-05-14 2021-06-23 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
TWI741635B (zh) * 2019-06-28 2021-10-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置
JP7355535B2 (ja) * 2019-06-28 2023-10-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR20210024387A (ko) * 2019-08-23 2021-03-05 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102278561B1 (ko) * 2019-08-23 2021-07-19 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102240542B1 (ko) * 2019-08-23 2021-04-19 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7377026B2 (ja) * 2019-08-29 2023-11-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN112885719A (zh) * 2019-11-29 2021-06-01 株式会社斯库林集团 基板处理方法、基板处理装置以及配方选择方法
JP7440316B2 (ja) * 2020-03-24 2024-02-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
TWI794774B (zh) 2020-03-24 2023-03-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置
CN112222062A (zh) * 2020-09-21 2021-01-15 南通大学 一种衬底片旋转腐蚀清洗设备及其清洗方法
KR102583262B1 (ko) * 2020-10-23 2023-09-27 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102517890B1 (ko) * 2021-02-05 2023-04-04 에스케이실트론 주식회사 웨이퍼 디마운트 스테이지 및 이를 포함하는 웨이퍼 폴리싱 장치

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005051101A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Ses Co Ltd 基板の洗浄方法
JP2005191587A (ja) * 1996-01-12 2005-07-14 Tadahiro Omi 洗浄方法
JP2005340668A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Purex:Kk 有機物質の除去方法および除去装置
CN101416118A (zh) * 2006-04-05 2009-04-22 旭硝子株式会社 器件基板的清洗方法
CN102326233A (zh) * 2008-12-31 2012-01-18 3M创新有限公司 制备设备元件的方法以及所得的元件和设备
JP2013016594A (ja) * 2011-07-01 2013-01-24 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置および記憶媒体
CN103567169A (zh) * 2012-08-07 2014-02-12 东京毅力科创株式会社 基板清洗装置、基板清洗系统以及基板清洗方法
US20140144465A1 (en) * 2012-11-26 2014-05-29 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning system, substrate cleaning method and memory medium

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001093806A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Seiko Epson Corp レジスト膜の除去方法および装置
TW503458B (en) * 2000-07-11 2002-09-21 Tokyo Electron Ltd Cleaning method and cleaning apparatus for substrate
JP3522249B2 (ja) * 2000-10-25 2004-04-26 鹿児島日本電気株式会社 有機膜の剥離方法
US6783599B2 (en) * 2001-07-19 2004-08-31 International Business Machines Corporation Method of cleaning contaminants from the surface of a substrate
JP2006156919A (ja) * 2004-12-01 2006-06-15 Purex:Kk 有機被膜の除去方法及び除去剤
JP4510644B2 (ja) * 2005-01-11 2010-07-28 東京応化工業株式会社 保護膜形成用材料、積層体およびレジストパターン形成方法
EP1720072B1 (en) 2005-05-01 2019-06-05 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Compositons and processes for immersion lithography
JP4882480B2 (ja) * 2006-04-21 2012-02-22 東京エレクトロン株式会社 保護膜除去装置、薬液の回収方法及び記憶媒体
JP2008311250A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Tokyo Electron Ltd リフローシステムおよびリフロー方法
JP2009170554A (ja) * 2008-01-11 2009-07-30 Panasonic Corp 半導体装置の製造方法
US8127713B2 (en) * 2008-12-12 2012-03-06 Sokudo Co., Ltd. Multi-channel developer system
JP5817139B2 (ja) * 2011-02-18 2015-11-18 富士通株式会社 化合物半導体装置の製造方法及び洗浄剤
JP5832397B2 (ja) * 2012-06-22 2015-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR20140123704A (ko) 2013-04-15 2014-10-23 주식회사 쎄코 피혁자동도장장치의 연결컨베이어의 구조
JP6371253B2 (ja) * 2014-07-31 2018-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体
JP6552931B2 (ja) * 2015-09-18 2019-07-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191587A (ja) * 1996-01-12 2005-07-14 Tadahiro Omi 洗浄方法
JP2005051101A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Ses Co Ltd 基板の洗浄方法
JP2005340668A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Purex:Kk 有機物質の除去方法および除去装置
CN101416118A (zh) * 2006-04-05 2009-04-22 旭硝子株式会社 器件基板的清洗方法
CN102326233A (zh) * 2008-12-31 2012-01-18 3M创新有限公司 制备设备元件的方法以及所得的元件和设备
JP2013016594A (ja) * 2011-07-01 2013-01-24 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置および記憶媒体
CN103567169A (zh) * 2012-08-07 2014-02-12 东京毅力科创株式会社 基板清洗装置、基板清洗系统以及基板清洗方法
US20140144465A1 (en) * 2012-11-26 2014-05-29 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning system, substrate cleaning method and memory medium

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