KR102517890B1 - 웨이퍼 디마운트 스테이지 및 이를 포함하는 웨이퍼 폴리싱 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예에 따르면, 웨이퍼가 수용되는 본체; 상기 본체 내측 바닥에 원주 방향으로 소정 간격을 구비된 복수개의 핀홀; 상기 핀홀들에 각각 돌출되고, 상기 웨이퍼를 지지하는 복수개의 핀; 상기 본체 바닥에 구비된 적어도 하나 이상의 분사홀; 및 상기 분사홀을 통하여 상기 본체 내측으로 순수 또는 친수화 용액 중 하나를 선택적으로 공급하는 유량 제어부;를 포함하는 웨이퍼 디마운트 스테이지를 제공한다.
Description
본 발명은 폴리싱 공정을 완료한 웨이퍼에 대해 습윤성을 향상시켜 미세 파티클의 재흡착을 방지할 수 있는 웨이퍼 디마운트 스테이지 및 이를 포함하는 웨이퍼 폴리싱 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자 제조용 재료로 광범위하게 사용되고 있는 웨이퍼(wafer)는 다결정의 실리콘을 원재료로 하여 만들어진 단결정 실리콘 박판을 말한다.
이러한 웨이퍼는, 다결정의 실리콘을 단결정 실리콘 잉곳(ingot)으로 성장시킨 다음, 실리콘 잉곳을 웨이퍼의 형태로 자르는 슬라이싱(slicing) 공정과, 웨이퍼의 두께를 균일화하여 평면화하는 래핑(lapping) 공정과, 기계적인 연마에 의하여 발생한 손상을 제거 또는 완화하는 에칭(etching) 공정과, 웨이퍼 표면을 경면화하는 폴리싱(polishing) 공정과, 웨이퍼를 세정하는 세정 공정(cleaning) 등을 거쳐 제조된다.
폴리싱 공정은 웨이퍼가 디바이스 과정에 들어가기에 앞서 최종적으로 평탄도와 표면 조도를 만드는 과정이기 때문에 매우 중요한 과정이다.
폴리싱 공정을 살펴보면, 웨이퍼가 헤드의 하면에 지지되고, 연마 패드가 정반의 상면에 부착된 상태에서 연마제가 연마 패드 위에 분사되면, 헤드와 정반이 서로 맞닿도록 하여 회전시킴으로서, 연마 패드와 연마제에 의해 웨이퍼의 표면을 정밀하게 연마시킬 수 있다.
도 1은 종래의 웨이퍼 폴리싱 장치에 적용된 디마운트 스테이지가 도시된 측단면도이다.
폴리싱 공정을 완료한 웨이퍼(W)는 도 1에 도시된 바와 같이 디마운트 스테이지(demount stage : 1)로 이동되고, 언로딩 베쓰(unloading bath)로 수용되기 전 디마운트 스테이지(1)에서 대기한다.
종래 기술에 따르면, 이물질이 외부로부터 디마운트 스테이지(1)로 유입될 수 있는데, 디마운트 스테이지(1)에 안착된 웨이퍼(W)의 습윤성이 저하됨에 따라 미세 파티클이 웨이퍼(W) 표면에 잔류할 수 있고, 웨이퍼의 품질을 떨어뜨리는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 폴리싱 공정을 완료한 웨이퍼에 대해 습윤성을 향상시켜 미세 파티클의 재흡착을 방지할 수 있는 웨이퍼 디마운트 스테이지 및 이를 포함하는 웨이퍼 폴리싱 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 웨이퍼가 수용되는 본체; 상기 본체 내측 바닥에 원주 방향으로 소정 간격을 구비된 복수개의 핀홀; 상기 핀홀들에 각각 돌출되고, 상기 웨이퍼를 지지하는 복수개의 핀; 상기 본체 바닥에 구비된 적어도 하나 이상의 분사홀; 및 상기 분사홀을 통하여 상기 본체 내측으로 순수 또는 친수화 용액 중 하나를 선택적으로 공급하는 유량 제어부;를 포함하는 웨이퍼 디마운트 스테이지를 제공한다.
상기 분사홀은, 상기 본체의 중심에 구비될 수 있다.
상기 분사홀은, 상기 본체의 중심과 상기 핀홀들 사이의 영역에 균일하게 구비될 수 있다.
상기 핀홀은, 상기 본체 내측에 공급된 순수 또는 친수화 용액을 배수시킬 수 있다.
상기 유량 제어부는, 글리세린, 프로필렌 글리콜, 아세트산 성분 중 적어도 하나를 포함하는 친수화 용액을 공급할 수 있다.
상기 유량 제어부는, 상기 분사홀과 연결되고, 순수를 공급하는 적어도 하나 이상의 순수 유로와, 상기 분사홀과 연결되고, 친수화 성분을 공급하는 적어도 하나 이상의 친수화 유로와, 상기 순수 유로와 친수화 유로에 각각 설치된 적어도 하나 이상의 유량 밸브를 포함할 수 있다.
상기 본체의 바닥에 내장되고, 상기 웨이퍼가 상기 본체 내측에 안착된 것을 감지하는 웨이퍼 감지센서;를 더 포함하고, 상기 유량 제어부는, 상기 웨이퍼 감지센서로부터 전달된 신호에 따라 순수 또는 친수화 용액의 공급을 제어할 수 있다.
상기 유량 제어부는, 상기 웨이퍼가 상기 핀에 안착되기 전 상기 본체 내측으로 순수를 공급하고, 상기 웨이퍼가 상기 핀홀에 안착되면 상기 본체 내측으로 친수화 용액을 공급할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 웨이퍼를 하면에 마운트시키고, 각 폴리싱 공정을 진행시키는 헤드; 상기 헤드에서 디마운트된 웨이퍼를 안착시키는 디마운트 스테이지; 및 상기 디마운트 스테이지에서 이송된 웨이퍼들이 수용되는 언로딩 베쓰;를 포함하는 웨이퍼 폴리싱 장치를 제공한다.
순수를 공급하는 적어도 하나 이상의 순수 유로; 및 친수화 성분을 공급하는 적어도 하나 이상의 친수화 유로;를 더 포함하고, 상기 디마운트 스테이지는, 상기 순수 유로와 친수화 유로에서 각각 분지된 유로들을 통하여 순수 또는 친수화 용액을 선택적으로 공급 받으며, 상기 언로딩 베쓰는, 상기 순수 유로와 친수화 유로에서 각각 분지된 유로들을 통하여 친수화 용액을 공급받을 수 있다.
본 발명에 따르면, 폴리싱 완료된 웨이퍼가 안착되기 전 순수를 디마운트 스테이지의 수용 공간에 공급함으로서, 디마운트 스테이지에 잔류할 수 있는 미세 파티클 등의 오염원을 제거할 뿐 아니라 누적되는 것이 방지할 수 있고, 디마운트 스테이지의 청정도를 높일 수 있다.
또한, 폴리싱 완료된 웨이퍼가 안착됨에 따라 순수와 친수화 용액을 디마운트 스테이지의 수용 공간에 공급함으로서, 디마운트 스테이지에 안착된 웨이퍼의 표면을 친수화시킬 수 있고, 웨이퍼의 습윤성을 향상시켜 미세 파티클 등의 오염원이 재흡착되는 것을 방지할 수 있으며, 웨이퍼의 품질을 균일하게 제공할 수 있다.
도 1은 종래의 웨이퍼 폴리싱 장치에 적용된 디마운트 스테이지가 도시된 측단면도.
도 2는 본 발명의 웨이퍼 폴리싱 장치가 도시된 구성도.
도 3은 본 발명의 디마운트 스테이지가 도시된 측단면도.
도 4는 본 발명의 디마운트 스테이지가 도시된 평면도.
도 5a 내지 도 5b는 웨이퍼 안착 전/후 본 발명의 디마운트 스테이지 작동 상태가 도시된 측단면도.
도 2는 본 발명의 웨이퍼 폴리싱 장치가 도시된 구성도.
도 3은 본 발명의 디마운트 스테이지가 도시된 측단면도.
도 4는 본 발명의 디마운트 스테이지가 도시된 평면도.
도 5a 내지 도 5b는 웨이퍼 안착 전/후 본 발명의 디마운트 스테이지 작동 상태가 도시된 측단면도.
이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다.
도 2는 본 발명의 웨이퍼 폴리싱 장치가 도시된 구성도이다.
본 발명의 웨이퍼 폴리싱 장치는 도 2에 도시된 바와 같이 회전 가능하게 설치된 헤드 구동 본체(10)와, 헤드 구동 본체(10) 하측에 이격되게 구비된 복수개의 정반(20)과, 헤드 구동 본체(10)에 의해 회전됨에 따라 정반(20) 위로 이동되고 승강 가능하게 설치된 복수개의 헤드(30)와, 정반들(20) 사이에 구비되는 회전 테이블(40)과, 회전 테이블(40) 위에 구비되어 헤드(30)에 흡착되기 전이나 헤드(30)에서 탈거된 웨이퍼가 안착되는 스테이지(50)와, 폴리싱 전 웨이퍼들이 수용되는 로딩 베쓰(loading bath : LB)와, 폴리싱 공정을 위해 웨이퍼를 하나씩 로딩 베쓰(LB)로부터 스테이지(50)로 이동시키는 제1트랜스퍼 암(TA1)과, 폴리싱 후 웨이퍼들이 수용되는 언로딩 베쓰(unloading bath : UB)와, 폴리싱 공정이 완료된 웨이퍼를 스테이지(50)로부터 언로딩 베쓰(UB)로 이동시키는 제2트랜스퍼 암(TA2)을 포함한다.
세 개의 정반(20)과 회전 테이블(40)는 헤드 구동 본체(10) 하측 둘레의 사방에 배치되고, 한 쌍의 헤드(30)는 헤드 구동 본체(10)의 하면 사방에 각각 구비될 수 있다. 헤드 구동 본체(10)가 90°씩 회전하면, 한 쌍의 헤드(30)가 각각의 정반(20)과 회전 테이블(40) 상측에 위치될 수 있다.
한 쌍의 스테이지(50)는 회전 테이블(40)의 상면 세 군데에 각각 구비되는데, 각 스테이지(50)는 웨이퍼들이 안착되는 로딩 스테이지, 마운트 스테이지, 디마운트 스테이지, 언로딩 스테이지일 수 있다.
회전 테이블(40)이 60 °씩 회전하면, 각 스테이지(50)는 로딩 베쓰(LB)로부터 로딩되는 웨이퍼가 안착되는 로딩 스테이지가 되거나, 헤드(30)에 흡착되는 웨이퍼가 안착되는 마운트 스테이지가 되거나, 헤드(30)에서 탈거되는 웨이퍼가 안착되는 디마운트 스테이지가 되거나, 언로딩 베쓰(UB)로 언로딩되는 웨이퍼가 안착되는 언로딩 스테이지가 될 수 있다.
로딩 베쓰(LB)와 언로딩 배쓰(UB)는 회전 테이블(40) 둘레에 나란히 배치되고, 제1트랜스퍼 암(TA1)은 로딩 베쓰(LB)와 회전 테이블(40) 사이에 구비되며, 제2트랜스퍼 암(TA2)은 언로딩 베쓰(UB)와 회전 테이블(40) 사이에 구비될 수 있다.
도 3은 본 발명의 디마운트 스테이지가 도시된 측단면도이고, 도 4는 본 발명의 디마운트 스테이지가 도시된 평면도이다.
본 발명의 디마운트 스테이지는 상기에서 설명한 바와 같이 헤드에서 탈거된 웨이퍼가 안착되는 부분에 한정하여 설명하지만, 회전 테이블이 회전됨에 따라 다른 역할의 스테이지로도 사용될 수 있으며, 한정되지 아니한다.
상세하게, 디마운트 스테이지(50)는 도 3에 도시된 바와 같이 본체(51)와, 복수개의 핀(52)과, 복수개의 분사홀(53a,53b,53c)과, 웨이퍼 감지센서(54)와, 유량 제어부를 포함한다.
본체(51)는 웨이퍼의 안착 공간을 제공하기 위하여 상면이 개방된 원형 용기 형상으로 구성되는데, 분사홀들(53a,53b,53c)을 통하여 공급된 순수 또는 친수화 용액이 배수시키기 위하여 측벽이 일부 생략되거나, 별도의 배수구가 구비될 수 있다. 일종의 배수구로 사용하기 위하여 핀홀(51h)이 구비될 수 있는데, 핀홀(51h)은 본체(51)의 바닥에 원주 방향으로 일정 간격을 두고 구비될 수 있다.
복수개의 핀(52)은 웨이퍼의 하면 둘레 부분을 지지하기 위하여 본체(51)의 바닥에 원주 방향으로 일정 간격을 두고 돌출되는데, 각각의 핀홀(51h)에 구비될 수 있다. 웨이퍼가 복수개의 핀(52)에 의해 지지되면, 본체(51)와 웨이퍼의 접촉 면적을 최소화시킬 수 있고, 순수 또는 친수화 용액이 웨이퍼의 표면에 골고루 적셔질 수 있다.
분사홀들(53a,53b,53c)은 웨이퍼에 순수 또는 친수화 용액을 공급하기 위하여 본체(51)의 바닥에 구비되는데, 본체(51)의 중심과 핀홀들(51h) 사이에 균일하게 구비될 수 있다. 분사홀들(53a,53b,53c)은 본체(51)에 원주 방향으로 소정 간격을 두고 여러 개가 구비되거나, 하나만 구비되더라도 무방하다.
실시예에 따르면, 제1분사홀(53a)은 순수만 공급하지만, 제2,3분사홀(53b,53c)은 순수화 용액을 공급할 수 있다.
따라서, 순수 또는 친수화 용액은 분사홀들(53a,53b,53c)을 통하여 공급되고, 웨이퍼의 센터에서 에지 방향으로 흐른 다음, 핀홀들(51h)을 통하여 배수될 수 있다.
웨이퍼 감지센서(54)는 웨이퍼가 핀홀(51h)에 안착된 것을 감지하기 위하여 본체(51)의 바닥에 구비되는데, 핀홀들(51h)과 분사홀들(53a,53b,53c) 사이에 구비될 수 있다. 웨이퍼 감지센서(54)는 일종의 광센서 형태로 구비될 수 있으나, 한정되지 아니한다.
한편, 언로딩 배쓰(UB)는 폴리싱 공정이 완료된 웨이퍼들이 보관되기 때문에 웨이퍼들의 오염을 방지하기 위하여 순수와 친수화 용액이 항상 공급될 수 있다. 언로딩 배쓰(UB)는 순수를 공급받기 위한 제1순수 유로(D1)와, 친수화 용액을 공급받기 위한 제1친수화 유로(S1)와 연결될 수 있다.
그런데, 디마운트 스테이지(50 : 도 2에 도시) 역시 폴리싱 공정이 완료된 웨이퍼가 언로딩 배쓰(UB)로 이동되기 전 안착되기 때문에 웨이퍼들의 오염을 방지하기 위한 순수와 친수화 용액이 공급되어야 한다. 하지만, 디마운트 스테이지(50)는 마운트 스테이지로 사용될 수 있고, 웨이퍼의 안착 유무에 따라 순수와 친수화 용액의 공급을 제어하는 것이 필요하다.
따라서, 언로딩 배쓰(UB)로 항상 공급되는 순수와 친수화 용액의 일부를 디마운트 스테이지(50 : 도 2에 도시)로 선택적으로 공급되도록 구성시킬 수 있다.
상세하게, 유량 제어부는 디마운트 스테이지(50 : 도 2에 도시)로 순수와 친수화 용액의 공급을 제어하기 위하여 구비되는데, 분사홀들(53a,53b,53c)을 통하여 순수 또는 친수화 용액 중 하나를 선택적으로 공급할 수 있다. 유량 제어부는 순수를 공급하기 위한 순수 유로와, 친수화 용액을 공급하기 위한 친수화 유로와, 순수 유로와 친수화 유로의 유량을 제어하는 유량 밸브들을 포함할 수 있다.
순수 유로는 디마운트 스테이지(50)로 순수를 공급하기 위해 제1순수 유로(D1)에서 분지되는 제2순수 유로(D2)와, 제2순수 유로(D2)와 제1분사홀(53a)을 연결시키도록 디마운트 스테이지(50) 측 본체(51)에 내장된 제1유로(55a)를 포함할 수 있다. 디마운트 스테이지(50 : 도 2에 도시)와 연결된 제2순수 유로(D2)는 항상 순수를 공급하는 언로딩 베쓰(UB)와 연결된 제1순수 유로(D1)에서 분지되도록 구성할 수 있다.
친수화 유로는 디마운트 스테이지(50)로 친수화 용액을 공급하기 위해 제1친수화 유로(S1)에서 분지되는 제2친수화 유로(S2)와, 제2친수화 유로(S2)와 제2,3분사홀(53b,53c)을 연결시키도록 디마운트 스테이지(50) 측 본체(51)에 내장된 제2,3유로(55b,55c)를 포함할 수 있다. 디마운트 스테이지(50 : 도 2에 도시)와 연결된 제2친수화 유로(S2)는 항상 친수화 용액을 공급하는 언로딩 베쓰(UB)와 연결된 제1친수화 유로(S1)에서 분지되도록 구성할 수 있다.
친수화 유로를 통하여 공급되는 친수화 용액은 일종의 계면활성제로서, 글리세린, 프로필렌 글리콜, 아세트산 성분 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 다양한 성분비로 구성될 수 있으며, 한정되지 아니한다. 친수화 용액은 웨이퍼의 표면을 친수화시킴으로서, 웨이퍼의 습윤성을 향상시키는 동시에 미세 파티클이 웨이퍼에 흡착되더라도 잘 씻겨나가도록 도울 수 있다.
유량 밸브들은 제2순수 유로(D2)를 개폐시키는 제1유량 밸브(V1)와, 제2친수화 유로(S2)를 개폐시키는 제2유량 밸브(V2)를 포함할 수 있다.
제1,2유량 밸브(V1,V2)는 웨이퍼 감지 센서(54)로부터 감지된 신호에 따라 제어될 수 있고, 디마운트 스테이지(50)에 공급되는 순수와 친수화 용액의 공급 및 유량을 제어할 수 있다.
순수 유로와 친수화 유로 및 유량 밸브의 구성은 상기와 같이 한정되지 아니하며, 다양하게 구성될 수 있다.
도 5a 내지 도 5b는 웨이퍼 안착 전/후 본 발명의 디마운트 스테이지 작동 상태가 도시된 측단면도이다.
디마운트 스테이지(50 : 도 2에 도시)에 웨이퍼가 안착되기 전이면, 도 5a에 도시된 바와 같이 웨이퍼 감지 센서(54 : 도 2에 도시)로부터 신호를 전달 받아 제1유량 밸브(V1)를 온시켜 제2순수 유로(D2)를 개방시키는 반면, 제2유량 밸브(V2)를 오프시켜 제2친수화 유로(S2)를 막아준다.
순수는 제2순수 유로(D2)와 제1유로(55a) 및 제1분사홀(53a)을 통하여 본체(51)의 수용 공간으로 공급되고, 본체(51)의 수용 공간에 누적된 미세 파티클(P) 등의 오염원을 씻어낸 다음, 핀홀들(51h)을 통하여 배수될 수 있다.
따라서, 폴리싱 완료된 웨이퍼가 디마운트 스테이지(50 : 도 2에 도시)에 안착되기 전 미세 파티클(P) 등과 같은 오염원을 깨끗하게 제거할 수 있고, 디마운트 스테이지(50 : 도 2에 도시)에 누적 적층되는 것을 방지할 수 있다.
디마운트 스테이지(50 : 도 2에 도시)에 웨이퍼(W)가 안착되면, 도 5b에 도시된 바와 같이 웨이퍼 감지 센서(54 : 도 2에 도시)로부터 신호를 전달 받아 제1유량 밸브(V1)와 제2유량 밸브(V2)를 온시켜서 제2순수 유로(D2)와 제2친수화 유로(S2)를 모두 개방시킨다.
순수는 제2순수 유로(D2)와 제1유로(55a) 및 제1분사홀(53a)을 통하여 본체(51)의 수용 공간으로 공급되고, 계면 활성제도 제2친수화 유로(S2) 및 제2,3유로(55b,55c) 및 제2,3분사홀(53b,53c)을 통하여 본체(51)의 수용 공간으로 될 수 있다. 순수와 계면 활성제가 혼합됨에 따라 친수화 용액을 형성시킬 수 있고, 본체(51)에 안착된 웨이퍼(W)의 표면을 친수화 용액으로 적셔지도록 한다.
따라서, 폴리싱 완료된 웨이퍼(W)가 디마운트 스테이지(50 : 도 2에 도시)에 안착된 상태에서 친수화 용액에 의해 씻겨지기 때문에 웨이퍼(W)의 습윤성이 향상될 뿐 아니라 미세 파티클(P) 등의 오염원이 재흡착되는 것을 방지할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 헤드 구동 본체 20 : 정반
30 : 헤드 40 : 회전 테이블
50 : 스테이지 51 : 본체
51h : 핀홀 52 : 핀
53a,53b,53c : 제1,2,3분사홀 54 : 웨이퍼 감지센서
55a,55b,55c : 제1,2,3유로 D1,D2 : 제1,2순수 유로
S1,S2 : 제1,2친수화 유로 V1,V2 : 제1,2유량 밸브
30 : 헤드 40 : 회전 테이블
50 : 스테이지 51 : 본체
51h : 핀홀 52 : 핀
53a,53b,53c : 제1,2,3분사홀 54 : 웨이퍼 감지센서
55a,55b,55c : 제1,2,3유로 D1,D2 : 제1,2순수 유로
S1,S2 : 제1,2친수화 유로 V1,V2 : 제1,2유량 밸브
Claims (10)
- 웨이퍼를 하면에 마운트시키고, 각 폴리싱 공정을 진행시키는 헤드;
상기 헤드에서 디마운트된 웨이퍼를 안착시키는 디마운트 스테이지;
상기 디마운트 스테이지에서 이송된 웨이퍼들이 수용되는 언로딩 베쓰;
상기 언로딩 베쓰로 순수를 공급하는 제1순수 유로; 및
상기 언로딩 베쓰로 친수화 용액을 공급하는 제1친수화 유로;를 포함하고,
상기 디마운트 스테이지는,
웨이퍼가 수용되는 본체와,
상기 본체 내측 바닥에 원주 방향으로 소정 간격을 구비된 복수개의 핀홀과,
상기 핀홀들에 각각 돌출되고, 상기 웨이퍼를 지지하는 복수개의 핀과,
상기 본체 바닥에 구비된 적어도 하나 이상의 분사홀과,
상기 분사홀을 통하여 상기 본체 내측으로 순수 또는 친수화 용액 중 하나를 선택적으로 공급하는 유량 제어부를 포함하고,
상기 유량 제어부는,
상기 제1순수 유로에서 분지되어 상기 분사홀과 연결되고, 순수를 공급하는 적어도 하나 이상의 제2순수 유로와,
상기 제1친수화 유로에서 분지되어 상기 분사홀과 연결되고, 친수화 용액을 공급하는 적어도 하나 이상의 제2친수화 유로와,
상기 제2순수 유로와 제2친수화 유로에 각각 설치된 적어도 하나 이상의 유량 밸브를 포함하는 웨이퍼 폴리싱 장치. - 제1항에 있어서,
상기 분사홀은,
상기 본체의 중심에 구비되는 웨이퍼 폴리싱 장치. - 제2항에 있어서,
상기 분사홀은,
상기 본체의 중심과 상기 핀홀들 사이의 영역에 균일하게 구비되는 웨이퍼 폴리싱 장치. - 제1항에 있어서,
상기 필홀의 직경은,
상기 핀의 직경 보다 크게 구성되고,
상기 핀홀은,
상기 본체 내측에 공급된 순수 또는 친수화 용액이 배수되는 웨이퍼 폴리싱 장치. - 제1항에 있어서,
상기 유량 제어부는,
글리세린, 프로필렌 글리콜, 아세트산 성분 중 적어도 하나를 포함하는 친수화 용액을 공급하는 웨이퍼 폴리싱 장치. - 제1항에 있어서,
상기 디마운트 스테이지는,
상기 본체의 바닥에 내장되고, 상기 웨이퍼가 상기 본체 내측에 안착된 것을 감지하는 웨이퍼 감지센서를 더 포함하고,
상기 유량 제어부는,
상기 웨이퍼 감지센서로부터 전달된 신호에 따라 순수 또는 친수화 용액의 공급을 제어하는 웨이퍼 폴리싱 장치. - 제1항에 있어서,
상기 유량 제어부는,
상기 웨이퍼가 상기 핀에 안착되기 전 상기 제2순수 유로를 통하여 상기 본체 내측으로 순수를 공급하고,
상기 웨이퍼가 상기 핀홀에 안착되면 상기 제2순수 유로와 제2친수화 유로를 통하여 상기 본체 내측으로 순수와 친수화 용액을 동시에 공급하는 웨이퍼 폴리싱 장치. - 삭제
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JP2004515053A (ja) * | 2000-06-26 | 2004-05-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ウェーハ洗浄方法及び装置 |
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