JP2015198225A - 基板処理方法および基板処理システム - Google Patents
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Abstract
【課題】リンス液を効率よく除去することができ、パターンの倒壊を抑制すること。
【解決手段】実施形態の一態様に係る基板処理方法は、リンス工程と、加水分解工程とを含む。リンス工程は、基板に水を含むリンス液を供給して、基板に残存する残留物をリンス液で洗い流す。加水分解工程は、リンス工程後の基板に対し、リンス液と反応してOH基を含む反応物とH基を含む反応物とに変化する加水分解処理流体を供給して、リンス液を分解する。
【選択図】図5
【解決手段】実施形態の一態様に係る基板処理方法は、リンス工程と、加水分解工程とを含む。リンス工程は、基板に水を含むリンス液を供給して、基板に残存する残留物をリンス液で洗い流す。加水分解工程は、リンス工程後の基板に対し、リンス液と反応してOH基を含む反応物とH基を含む反応物とに変化する加水分解処理流体を供給して、リンス液を分解する。
【選択図】図5
Description
開示の実施形態は、基板処理方法および基板処理システムに関する。
従来、洗浄処理後の基板を乾燥させる方法として、基板の表面にIPA(イソプロピルアルコール)などの揮発性流体を供給することによって基板に付着するリンス液等を揮発性流体に置換させ、揮発性流体の揮発によって基板の表面を乾燥させる方法が知られている(たとえば、特許文献1参照)。
しかしながら、上述した従来技術においては、揮発性流体の供給量が少ないと、リンス液が基板のパターン間に残存することがあった。リンス液が残存すると、リンス液の表面張力によってパターン倒壊が引き起こされるおそれがあった。
また、リンス液が残存しないように多量の揮発性流体を基板に供給した場合は、揮発性流体の消費量が増加し、さらに揮発性流体の供給に要する時間も増加する。
実施形態の一態様は、リンス液を効率よく除去することができ、パターンの倒壊を抑制することのできる基板処理方法および基板処理システムを提供することを目的とする。
実施形態の一態様に係る基板処理方法は、リンス工程と、加水分解工程とを含む。リンス工程は、基板に水を含むリンス液を供給して、前記基板に残存する残留物を前記リンス液で洗い流す。加水分解工程は、前記リンス工程後の基板に対し、前記リンス液と反応してOH基を含む反応物とH基を含む反応物とに変化する加水分解処理流体を供給して、前記リンス液を分解する。
実施形態の一態様によれば、リンス液を効率よく除去することができるとともに、パターンの倒壊を抑制することができる。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理方法および基板処理システムの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
(第1の実施形態)
図1は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図1は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図1に示すように、基板処理システム1は、搬入出ステーション2と、処理ステーション3とを備える。搬入出ステーション2と処理ステーション3とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション2は、キャリア載置部11と、搬送部12とを備える。キャリア載置部11には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ(以下ウェハW)を水平状態で収容する複数のキャリアCが載置される。
搬送部12は、キャリア載置部11に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置13と、受渡部14とを備える。基板搬送装置13は、ウェハWを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置13は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアCと受渡部14との間でウェハWの搬送を行う。
処理ステーション3は、搬送部12に隣接して設けられる。処理ステーション3は、搬送部15と、複数の処理ユニット16とを備える。複数の処理ユニット16は、搬送部15の両側に並べて設けられる。
搬送部15は、内部に基板搬送装置17を備える。基板搬送装置17は、ウェハWを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置17は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部14と処理ユニット16との間でウェハWの搬送を行う。
処理ユニット16は、基板搬送装置17によって搬送されるウェハWに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム1は、制御装置4を備える。制御装置4は、たとえばコンピュータであり、制御部18と記憶部19とを備える。記憶部19には、基板処理システム1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部18は、記憶部19に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム1の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置4の記憶部19にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム1では、まず、搬入出ステーション2の基板搬送装置13が、キャリア載置部11に載置されたキャリアCからウェハWを取り出し、取り出したウェハWを受渡部14に載置する。受渡部14に載置されたウェハWは、処理ステーション3の基板搬送装置17によって受渡部14から取り出されて、処理ユニット16へ搬入される。
処理ユニット16へ搬入されたウェハWは、処理ユニット16によって処理された後、基板搬送装置17によって処理ユニット16から搬出されて、受渡部14に載置される。そして、受渡部14に載置された処理済のウェハWは、基板搬送装置13によってキャリア載置部11のキャリアCへ戻される。
次に、処理ユニット16の概略構成について図2を参照して説明する。図2は、処理ユニット16の概略構成を示す図である。
図2に示すように、処理ユニット16は、チャンバ20と、基板保持機構30と、処理流体供給部40と、回収カップ50とを備える。
チャンバ20は、基板保持機構30と処理流体供給部40と回収カップ50とを収容する。チャンバ20の天井部には、FFU(Fan Filter Unit)21が設けられる。FFU21は、チャンバ20内にダウンフローを形成する。
基板保持機構30は、保持部31と、支柱部32と、駆動部33とを備える。保持部31は、ウェハWを水平に保持する。支柱部32は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部33によって回転可能に支持され、先端部において保持部31を水平に支持する。駆動部33は、支柱部32を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構30は、駆動部33を用いて支柱部32を回転させることによって支柱部32に支持された保持部31を回転させ、これにより、保持部31に保持されたウェハWを回転させる。
処理流体供給部40は、ウェハWに対して処理流体を供給する。処理流体供給部40は、処理流体供給源70に接続される。
回収カップ50は、保持部31を取り囲むように配置され、保持部31の回転によってウェハWから飛散する処理液を捕集する。回収カップ50の底部には、排液口51が形成されており、回収カップ50によって捕集された処理液は、かかる排液口51から処理ユニット16の外部へ排出される。また、回収カップ50の底部には、FFU21から供給される気体を処理ユニット16の外部へ排出する排気口52が形成される。
次に、処理ユニット16の構成について図3を参照して説明する。図3は、処理ユニット16の構成の一例を示す模式図である。
図3に示すように、FFU21には、バルブ22を介して不活性ガス供給源23が接続される。FFU21は、不活性ガス供給源23から供給されるN2ガス等の不活性ガスをチャンバ20内に吐出する。
また、基板保持機構30が備える保持部31の上面には、ウェハWを側面から保持する保持部材311が設けられる。ウェハWは、かかる保持部材311によって保持部31の上面からわずかに離間した状態で水平保持される。
処理流体供給部40は、ノズル41a〜41eと、ノズル41a〜41eを水平に支持するアーム42と、アーム42を旋回および昇降させる旋回昇降機構43とを備える。
処理流体供給部40は、ウェハWに対し、洗浄液の一種であるDHF(希フッ酸)をノズル41aから供給し、水を含むリンス液の一種であるDIW(純水)をノズル41bから供給する。具体的には、ノズル41aには、バルブ61aを介してDHF供給源71aが、ノズル41bには、バルブ61bを介してDIW供給源71bが、それぞれ接続される。なお、ノズル41bは、リンス液供給部の一例である。
また、処理流体供給部40は、ウェハWに対し、加水分解処理流体Hをノズル41cから供給する。具体的には、ノズル41cには、バルブ61cを介して加水分解処理流体供給源71cが接続される。
加水分解処理流体Hは、DIWと反応して加水分解する薬液(液体)である。具体的に加水分解処理流体Hは、水を含むリンス液であるDIWと反応してOH基を含む反応物とH基を含む反応物とに変化し、DIWを分解する。
加水分解処理流体Hとしては、DIWと反応して加水分解可能な流体であればどのようなものでもよいが、たとえば、エステル、アミド、チオエステル、アセタール、ヘミアセタール、ケタール、ヘミケタールなどの有機化合物を用いることができる。
なお、上記した加水分解処理流体HをウェハWに供給することで、ウェハWのDIWを効率よく除去することができるが、これについては後に詳しく説明する。また、ノズル41cは、加水分解処理流体供給部の一例である。
さらに、処理流体供給部40は、ウェハWに対し、有機溶剤の一種であるIPA(イソプロピルアルコール)をノズル41dから供給し、不活性ガスの一種であるN2ガスをノズル41eから供給する。具体的には、ノズル41dには、バルブ61dを介してIPA供給源71dが、ノズル41eには、バルブ61eを介してN2供給源71eが、それぞれ接続される。
上記したIPAは、揮発性流体の一例である。また、ノズル41eから供給されるN2ガスは、後述するようにウェハWの乾燥を促進させる。したがって、ノズル41eから供給されるN2ガスは、乾燥気体の一例である。
なお、ここでは、処理流体の供給源の各々に対応して各ノズル41a〜41eが設けられる場合の例を示したが、各ノズル41a〜41eを適宜共用して、ノズルの数を減少させても構わない。また、各ノズル41a〜41eが1つのアーム42に設けられる場合の例を示すが、各ノズル41a〜41eは、別々のアームに設けられてもよい。
次に、本実施形態に係る処理ユニット16において実行される所定の基板処理の内容について図4を参照して説明する。具体的に処理ユニット16においては、基板洗浄処理が行われる。
図4は、処理ユニット16において実行される基板洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。なお、図4に示す基板洗浄処理の処理手順は、制御装置4の記憶部19に格納されているプログラムを制御部18が読み出すとともに、読み出した命令に基づいて処理ユニット16を制御することにより実行される。
図4に示すように、処理ユニット16では、まず、基板搬入処理が行われる(ステップS101)。かかる基板搬入処理では、基板搬送装置17が基板保持機構30の保持部31へウェハWを受け渡す。このときウェハWは、パターン形成面が上向きの状態で、保持部31の保持部材311によって保持される。
つづいて、処理ユニット16では、洗浄処理が行われる(ステップS102)。かかる洗浄処理では、駆動部33によって保持部31が回転する。これにより、ウェハWは、保持部31に水平保持された状態で保持部31とともに回転する。なお、ウェハWの回転速度は、たとえば100〜1500rpmである。
また、処理流体供給部40のノズル41aがウェハWの中央上方に位置する。その後、バルブ61a(図3参照)が所定時間開放されることによって、洗浄液であるDHFが、ノズル41aからウェハWの表面W1(図3参照)へ供給される。ウェハWへ供給されたDHFは、ウェハWの回転に伴う遠心力によってウェハWの表面W1に広がる。これにより、ウェハWの表面W1が洗浄される。
遠心力によってウェハW上から飛散した洗浄液は、回収カップ50の排液口51から排出される。なお、洗浄処理において、処理流体供給部40から供給されるDHFの流量は、たとえば0.1〜3L/minである。
つづいて、処理ユニット16では、ウェハWの表面W1をDIWですすぐリンス処理が行われる(ステップS103)。かかるリンス処理では、バルブ61b(図3参照)が所定時間開放されることによって、DIWが、処理流体供給部40のノズル41bからウェハWの表面W1へ供給され、ウェハWに付着するDHFが洗い流される。
このように、本実施形態にかかる処理ユニット16では、後述する置換処理に先立って、ウェハWの表面W1にDIWを供給して、ウェハWに残存する残留物をDIWで洗い流すリンス処理を行う。なお、リンス処理において、処理流体供給部40から供給されるDIWの流量はたとえば0.1〜3L/minである。
つづいて、処理ユニット16では、リンス処理においてDIWが供給されたウェハWを乾燥させる乾燥処理が行われる(ステップS104)。
ところで、従来の乾燥処理においては、ウェハWの表面W1に揮発性流体であるIPAを供給することによってウェハWに付着するDIWをIPAに置換させ、IPAの揮発によってウェハWの表面W1を乾燥させていた。
このような置換処理を乾燥処理で行う場合、たとえば仮に、IPAの供給量が少ないと、DIWをIPAに十分に置換できず、DIWがウェハWのパターン間に残存することがある。DIWが残存すると、DIWの表面張力によってパターン倒壊が引き起こされるおそれがある。また、DIWが残存しないように多量のIPAをウェハWに供給すると、今度はIPAの消費量が増加し、さらにはIPAの供給に要する時間も増加し、結果として乾燥処理時間自体が長くなる。
そこで、本実施形態に係る処理ユニット16では、リンス処理後のウェハWに対し、DIWと反応してOH基を含む反応物とH基を含む反応物とに変化する加水分解処理流体Hを供給して、DIWを分解する加水分解処理を行うようにした。これにより、DIWを効率よく除去することができ、パターンの倒壊を抑制することができる。
以下、上記した加水分解処理を含む乾燥処理の具体的な処理手順について、図5および図6A〜図6Eを参照して詳しく説明する。
図5は、乾燥処理の具体的な処理手順を示す図である。また、図6A〜図6Eは、乾燥処理を説明するための図である。なお、図6A〜図6Eでは、理解し易くするため、ウェハWを拡大して模式的に示している。
図5に示すように、乾燥処理では、リンス処理(図6A参照)の終了後、ウェハWの表面W1に残存するDIWを加水分解処理流体Hで加水分解する加水分解処理と、加水分解処理の終了後、ウェハWの表面W1に残存する加水分解処理流体HをIPAに置換する置換処理と、置換処理の終了後、ウェハWの乾燥を促進する乾燥促進処理とが行われる。なお、上記した加水分解処理、置換処理および乾燥促進処理が行われる時間は、それぞれ任意に設定可能である。
各処理について具体的に説明すると、まず、加水分解処理では、処理流体供給部40のノズル41cがウェハWの中央上方に位置する。その後、バルブ61c(図3参照)が所定時間開放されることによって、ノズル41cからウェハWの表面W1に加水分解処理流体Hが供給される(図6B参照)。なお、加水分解処理において、ノズル41cから供給される加水分解処理流体Hの流量は、たとえば10〜1000ml/minである。
これにより、ウェハWの表面W1に残存するDIWは、加水分解処理流体HによってOH基を含む反応物とH基を含む反応物とに分解される。このように、本実施形態における乾燥処理では、リンス処理後のウェハWに対して加水分解処理流体Hを供給し、DIWと反応して加水分解させるようにしたことから、ウェハWの表面W1に残存するDIWを効率よく除去することができる。そのため、ウェハWのパターンPの間にDIWが残存し難くなり、よってDIWの表面張力によって生じるパターンPの倒壊を抑制することができる。
また、加水分解処理流体Hは、上述したように、DIWと反応して加水分解可能な流体であるが、ウェハWの表面W1に対して影響を与えない流体、詳しくは、ウェハWの表面W1を改質させない流体が好ましい。
加水分解処理につづいて置換処理が行われる。置換処理では、処理流体供給部40のノズル41dがウェハWの中央上方に位置する。その後、バルブ61d(図3参照)が所定時間開放されることによって、ノズル41dからウェハWの表面W1にIPAが供給される(図6C参照)。
これにより、ウェハWの表面W1には、IPAの液膜が形成される。すなわち、ウェハWの表面W1に残存する加水分解処理流体HがIPAに置換される(図6D参照)。また、加水分解処理流体Hによって分解されたOH基を含む反応物とH基を含む反応物とは、IPAによって洗い流される。なお、置換処理において、ノズル41dから供給されるIPAの流量は、たとえば10〜300ml/minである。
そして、ウェハWの表面W1に残存するIPAは、時間の経過に伴って徐々に揮発する。このように、加水分解処理は置換処理前に行われることから、加水分解処理においてウェハWに供給された加水分解処理流体HをIPAに置換して除去することができる。なお、上記した置換処理は、揮発性流体供給処理の一例である。
また、本実施形態では、ウェハWに残存するDIWを加水分解処理において除去することとしたため、たとえば、DIWが残存しないように多量のIPAをウェハWに供給する場合と比較して、IPAの消費量を少なくすることができる。また、IPAの消費量が少なくなるため、IPAの供給に要する時間が減少し、結果として乾燥処理時間を短縮することができる。
つづいて、乾燥促進処理が行われる。乾燥促進処理では、処理流体供給部40のノズル41eがウェハWの中央上方に位置する。その後、バルブ61e(図3参照)が所定時間開放されることによって、ノズル41eからウェハWの表面W1にN2ガスが供給される(図6E参照)。かかるN2ガスおよびウェハWの回転によって、ウェハWの表面W1からIPAが除去され、ウェハWの表面W1が乾燥する。そして、ノズル61eからのN2ガスの供給が停止されて、一連の乾燥処理が終了する。その後、ウェハWの回転が停止する。
図4の説明に戻ると、上記した乾燥処理の後、処理ユニット16では、基板搬出処理が行われる(ステップS105)。かかる基板搬出処理では、保持部31(図3参照)に保持されたウェハWが基板搬送装置17へ渡される。かかる基板搬出処理が完了すると、1枚のウェハWについての基板洗浄処理が完了する。
上述してきたように、第1の実施形態に係る基板処理システム1は、保持部31と、リンス液供給部(ノズル41b)と、加水分解処理流体供給部(ノズル41c)と、制御部18とを備える。保持部31は、ウェハWを保持する。リンス液供給部は、保持部31によって保持されたウェハWにDIWを供給する。加水分解処理流体供給部は、保持部31によって保持されたウェハWに、DIWと反応してOH基を含む反応物とH基を含む反応物とに変化する加水分解処理流体Hを供給する。制御部18は、リンス液供給部からウェハWにDIWを供給して、ウェハWに残存する残留物をDIWで洗い流すリンス処理と、加水分解処理流体供給部からリンス処理後のウェハWに対して加水分解処理流体Hを供給して、DIWを分解する加水分解処理とを行う。
これにより、ウェハWからDIWを効率よく除去することができるとともに、パターンPの倒壊を抑制することができる。
なお、第1の実施形態における乾燥処理の処理手順は、図5に示すものに限定されるものではない。ここで、第1の実施形態における乾燥処理の処理手順の変形例について、図7を参照して説明する。
図7は、変形例に係る乾燥処理の処理手順を示す図である。図7に示すように、変形例における処理ユニット16では、加水分解処理の後のみならず、加水分解処理の前にも、置換処理を行うようにした。すなわち、変形例では、リンス処理の終了後、置換処理(以下「第1置換処理」という)、加水分解処理、置換処理(以下「第2置換処理」という)、乾燥促進処理の順で、乾燥処理が行われる。
具体的には、まず、第1置換処理では、ウェハWの表面W1に残存するDIWがIPAに置換される。次いで、たとえば、第1置換処理において、DIWの一部がIPAに置換されなかった場合、その置換されなかったDIWは、つづいて行われる加水分解処理において加水分解処理流体Hによって加水分解される。
そして、第2置換処理では、ウェハWの表面W1に残存する加水分解処理流体HがIPAに置換され、乾燥促進処理を経て、一連の乾燥処理が終了する。
このように、変形例における処理ユニット16では、加水分解処理に先立って第1置換処理を行うことで、加水分解されるDIWの量を予め減少させることができる。これにより、つづく加水分解処理では、ウェハWの表面W1に残存するDIWの量が減少していることから、DIWと効果的に反応して加水分解でき、結果としてウェハWの表面W1からDIWをより一層効率よく除去することができる。さらに、DIWの量が減少していることから、加水分解処理流体Hの量も減少させることができる。
(第2の実施形態)
次いで、第2の実施形態に係る基板処理システム1について説明する。図8は、第2の実施形態に係る基板処理システム1の処理ユニット16において実行される乾燥処理の処理手順を示す図である。また、図9A〜図9Dは、かかる乾燥処理を説明するための図である。なお、以下においては、第1の実施形態と共通の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
次いで、第2の実施形態に係る基板処理システム1について説明する。図8は、第2の実施形態に係る基板処理システム1の処理ユニット16において実行される乾燥処理の処理手順を示す図である。また、図9A〜図9Dは、かかる乾燥処理を説明するための図である。なお、以下においては、第1の実施形態と共通の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
第1の実施形態との相違点に焦点をおいて説明すると、第2の実施形態に係る処理ユニット16にあっては、加水分解処理が、置換処理後に行われるようにした。
詳しくは、図8に示すように、第2の実施形態における乾燥処理では、リンス処理(図9A参照)の終了後、まず置換処理が行われる。置換処理では、ウェハWの表面W1にIPAが供給される(図9B参照)。
これにより、ウェハWの表面W1に残存するDIWがIPAに置換される(図9C参照)。このとき、たとえばIPAの量によっては、パターンP間にDIWが残存することがある。なお、図9Bおよび図9Cにおいては、残存したDIWを符号「DIW1」で示した。
そこで、第2の実施形態に係る処理ユニット16にあっては、置換処理後に加水分解処理が行われる。具体的に加水分解処理では、ウェハWの表面W1に加水分解処理流体Hが供給される(図9D参照)。このときの加水分解処理流体Hとしては、DIWと反応して加水分解する薬液を気化させた気体を用いることができる。
これにより、ウェハWの表面W1に残存するDIW(たとえばDIW1)を、加水分解処理流体Hによって分解して、効率良く除去することができる。
なお、上記した加水分解処理は、置換処理によってウェハWに形成されたIPAの液膜が揮発し終わる前に開始されるのが好ましい。これにより、加水分解されたDIWがIPAに溶出することとなり、この加水分解されたDIWが溶出されたIPAが揮発することで、DIWをウェハWから除去することができる。
また、図8に示すように、乾燥促進処理は、加水分解処理の開始と同じタイミングまたは略同じタイミングで開始される。すなわち、加水分解処理は、乾燥促進処理と並行して行われる。このように、加水分解処理と乾燥促進処理とを重複させて行うことで、乾燥処理時間を短縮することができる。
また、置換処理後にDIWが残存した場合であっても、残存したDIWは加水分解処理で除去されることから、置換処理におけるIPAの量を、DIWが残存しないように多量のIPAをウェハWに供給する場合と比較して、少なくすることも可能となる。
また、上述したように、加水分解処理流体Hとして気体を用いるため、ウェハWは加水分解処理流体HとN2ガスの両方によって乾燥させられることとなる。これにより、ウェハWの乾燥をより一層促進させることができる。
なお、上述した第2の実施形態では、加水分解処理と乾燥促進処理とを同じまたは略同じタイミングで開始するようにしたが、これに限定されるものではない。すなわち、たとえば加水分解処理を開始した後に乾燥促進処理を開始してもよく、逆に、乾燥促進処理を開始した後に加水分解処理を開始してもよい。
また、上述した第2の実施形態では、加水分解処理と乾燥促進処理とを並行して行うようにしたが、これに限定されるものではない。すなわち、たとえば、加水分解処理が終了した後に乾燥促進処理を行ってもよい。また、乾燥促進処理が終了した後に加水分解処理を行ってもよい。
(第3の実施形態)
次いで、第3の実施形態に係る基板処理システム1について説明する。図10は、第3の実施形態に係る基板処理システム1の処理ユニット16において実行される乾燥処理の処理手順を示す図である。また、図11A〜図11Dは、かかる乾燥処理を説明するための図である。
次いで、第3の実施形態に係る基板処理システム1について説明する。図10は、第3の実施形態に係る基板処理システム1の処理ユニット16において実行される乾燥処理の処理手順を示す図である。また、図11A〜図11Dは、かかる乾燥処理を説明するための図である。
第1の実施形態との相違点に焦点をおいて説明すると、第3の実施形態に係る処理ユニット16にあっては、加水分解処理が、置換処理および乾燥促進処理と並行して行われるようにした。
詳しくは、図10に示すように、第3の実施形態における乾燥処理では、リンス処理(図11A参照)の終了後、まず、加水分解処理と置換処理とが開始される。すなわち、リンス処理後、加水分解処理と置換処理とが並行して行われる。
したがって、ウェハWの表面W1には、加水分解処理流体HとIPAとが供給される(図11B参照)。なお、このときの加水分解処理流体Hとしては、第2の実施形態と同様、DIWと反応して加水分解する薬液を気化させた気体を用いることができる。
これにより、ウェハWの表面W1に残存するDIWは、加水分解処理流体Hによって分解される。また、ウェハWの表面W1には、IPAも供給されることから、ウェハWの表面W1に残存するDIWはIPAに置換される(図11C参照)。
このように、ウェハWの表面W1では、加水分解処理流体Hによる加水分解とIPAの置換とが行われることから、残存するDIWを除去することができる。
このとき、たとえば加水分解処理流体HやIPAの量によっては、図11Bおよび図11Cにおいて符号DIW1で示すように、パターンP間にDIWが残存することがある。
そこで、第3の実施形態に係る処理ユニット16にあっては、加水分解処理を置換処理後も継続して行うようにした。具体的には、置換処理後に乾燥促進処理が行われ、加水分解処理は、乾燥促進処理と並行して行われる。
したがって、ウェハWの表面W1には、加水分解処理流体HとN2ガスとが供給される(図11D参照)。これにより、DIWは、加水分解処理流体Hによって分解され、よってウェハWの表面W1に残存するDIW(たとえばDIW1)を除去することができる。
また、ウェハWの表面W1には、N2ガスも供給されることから、N2ガスおよびウェハWの回転によって、ウェハWの表面W1からIPAが除去され、ウェハWの表面W1が乾燥する。なお、加水分解処理流体Hとして気体を用いるため、ウェハWの乾燥をより一層促進させることができる点は、第2の実施形態と同じである。
また、加水分解処理を、置換処理および乾燥促進処理と重複させて行うことで、乾燥処理全体の時間をより短縮することができる。
なお、上記では、加水分解処理が、置換処理から乾燥促進処理まで連続的に行われる例を示したが、これに限定されるものではなく、加水分解処理は断続的に行われるようにしてもよい。
なお、上述した第3の実施形態においては、加水分解処理と置換処理とを同じまたは略同じタイミングで開始するようにしたが、これに限定されるものではない。すなわち、たとえば加水分解処理を開始した後に置換処理を開始してもよく、逆に、置換処理を開始した後に加水分解処理を開始してもよい。
また、上述した第2、第3の実施形態では、加水分解処理と乾燥促進処理とを同じまたは略同じタイミングで終了するようにしたが、これに限定されるものではない。すなわち、たとえば加水分解処理の終了後に乾燥促進処理を終了してもよく、逆に、乾燥促進処理の終了後に加水分解処理を終了してもよい。
また、上述した第2、第3の実施形態では、加水分解処理に用いる加水分解処理流体Hとして気体を用いる場合の例を示したが、液体であってもよい。
加水分解処理流体Hが液体である場合、たとえば加水分解処理の終了後に乾燥促進処理を終了するのが好ましい。すなわち、加水分解処理流体Hの供給を停止させた後、N2ガスの供給を停止させるのが好ましい。これにより、ウェハWに残存した加水分解処理流体HがN2ガスによって除去されることから、ウェハWを効率よく乾燥させることができる。
また、上述した実施形態では、加水分解処理流体HとN2ガスとを別々のノズル41c,41eからウェハWに供給するようにしたが、これに限定されるものではない。すなわち、たとえば、第2、第3の実施形態においては、加水分解処理流体HとN2ガスとを混合し、混合した加水分解処理流体HとN2ガスとを一つのノズルからウェハWに供給するようにしてもよい。
また、上述した実施形態では、加水分解処理流体HとIPAとを別々のノズル41c,41dからウェハWに供給するようにしたが、これに限定されるものではない。すなわち、たとえば、第3の実施形態においては、加水分解処理流体HとIPAとを混合し、混合した加水分解処理流体HとIPAとを一つのノズルからウェハWに供給するようにしてもよい。
また、上述した実施形態では、揮発性流体の一例としてIPAを用いたが、揮発性流体は、IPAに限定されない。また、上述した実施形態では、乾燥気体の一例としてN2ガスを用いたが、乾燥気体はN2ガスに限定されない。また、上述した実施形態では、洗浄液の一例としてDHFを用いたが、これに限られず、たとえばSC1(アンモニア過水)などその他の洗浄液であってもよい。
また、上述した実施形態では、乾燥処理において、乾燥促進処理を行うようにしたが、ウェハWに供給されたIPAは揮発するため、乾燥促進処理を省略するようにしてもよい。かかる場合、乾燥気体であるN2ガスをウェハWに供給するノズル41eやN2供給源71eなどを基板処理システム1から除去でき、システム構成を簡素化することが可能となる。
また、上述した実施形態では、リンス処理後に乾燥処理を行うようにしたが、これに限られず、たとえば、リンス処理と乾燥処理とが一部重複するようにして行われてもよい。
また、上述した実施形態では、乾燥気体としてN2ガスをウェハWへ供給して乾燥する乾燥促進処理を行うようにしたが、乾燥促進処理はこれに限定されない。たとえば、乾燥促進処理において、ウェハWの回転速度を所定時間増加させることによってウェハWの表面W1に残存するIPAや加水分解処理流体Hを振り切ることで、ウェハWの乾燥を促進するようにしてもよい。
また、上述した実施形態では、基板処理システムが基板洗浄装置を備える場合の例について説明したが、基板処理システムは、基板洗浄装置以外の液処理装置を備えていてもよい。基板洗浄装置以外の液処理装置としては、たとえば、基板にレジストを塗布し、現像処理を行う現像装置などがある。すなわち、基板処理システムにおいて行われる液処理は、上述してきた基板洗浄処理に限らず、現像処理等の他の液処理を含んでいてもよい。
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
W ウェハ
1 基板処理システム
4 制御装置
16 処理ユニット
18 制御部
31 保持部
30 基板保持機構
41a〜41e ノズル
1 基板処理システム
4 制御装置
16 処理ユニット
18 制御部
31 保持部
30 基板保持機構
41a〜41e ノズル
Claims (9)
- 基板に水を含むリンス液を供給して、前記基板に残存する残留物を前記リンス液で洗い流すリンス工程と、
前記リンス工程後の基板に対し、前記リンス液と反応してOH基を含む反応物とH基を含む反応物とに変化する加水分解処理流体を供給して、前記リンス液を分解する加水分解工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記基板に揮発性流体を供給する揮発性流体供給工程
をさらに含み、
前記加水分解工程は、
前記揮発性流体供給工程前に行われること
を特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記基板に揮発性流体を供給する揮発性流体供給工程
をさらに含み、
前記加水分解工程は、
前記揮発性流体供給工程後に行われること
を特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記加水分解工程は、
前記揮発性流体供給工程によって前記基板に形成された前記揮発性流体の液膜が揮発し終わる前に開始されること
を特徴とする請求項3に記載の基板処理方法。 - 前記揮発性流体供給工程後に開始され、前記基板に乾燥気体を供給して、前記基板の乾燥を促進する乾燥促進工程
をさらに含み、
前記加水分解工程は、
前記乾燥促進工程と並行して行われること
を特徴とする請求項3または4に記載の基板処理方法。 - 前記基板に揮発性流体を供給する揮発性流体供給工程
をさらに含み、
前記加水分解工程は、
前記揮発性流体供給工程と並行して行われること
を特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記揮発性流体供給工程後に開始され、前記基板に乾燥気体を供給して、前記基板の乾燥を促進する乾燥促進工程
をさらに含み、
前記加水分解工程は、
前記乾燥促進工程と並行して行われること
を特徴とする請求項6に記載の基板処理方法。 - 前記加水分解処理流体は、
前記基板の表面を改質させない流体であること
を特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の基板処理方法。 - 基板を保持する保持部と、
前記保持部によって保持された前記基板に水を含むリンス液を供給するリンス液供給部と、
前記保持部によって保持された前記基板に、前記リンス液と反応してOH基を含む反応物とH基を含む反応物とに変化する加水分解処理流体を供給する加水分解処理流体供給部と、
前記リンス液供給部から前記基板に前記リンス液を供給して、前記基板に残存する残留物を前記リンス液で洗い流すリンス処理と、前記加水分解処理流体供給部から前記リンス処理後の前記基板に対して前記加水分解処理流体を供給して、前記リンス液を分解する加水分解処理とを行う制御部と
を備えることを特徴とする基板処理システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014077048A JP2015198225A (ja) | 2014-04-03 | 2014-04-03 | 基板処理方法および基板処理システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014077048A JP2015198225A (ja) | 2014-04-03 | 2014-04-03 | 基板処理方法および基板処理システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015198225A true JP2015198225A (ja) | 2015-11-09 |
Family
ID=54547742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014077048A Pending JP2015198225A (ja) | 2014-04-03 | 2014-04-03 | 基板処理方法および基板処理システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015198225A (ja) |
-
2014
- 2014-04-03 JP JP2014077048A patent/JP2015198225A/ja active Pending
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