JP6110292B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

開示の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

従来、基板処理装置では、半導体ウェハやガラス基板などの基板に対し、フッ酸等の薬液を供給して基板の表面を処理（たとえば洗浄）する薬液処理や、純水等のリンス液を供給して基板上の薬液を洗い流すリンス処理などの一連の基板処理が、予め定められたレシピに従って実行される。

かかる基板処理装置では、基板処理中に何らかの異常が発生した場合に、装置を自動停止させる場合がある。このとき基板処理中であった基板は、処理が中断された状態で装置内に残留することとなる。

装置内に残留する基板は、たとえば人手または搬送部により取り出されるが、たとえば薬液処理が中断された基板の表面にはフッ酸等の薬液が付着している可能性がある。そこで、装置に異常が発生した場合の異常対応処理として、現在実行中の処理を中断した後に、純水によるリンス処理と、基板を回転させることによって基板上の液体を振り切って基板を乾燥させる乾燥処理（振り切り乾燥）とを実行する技術が提案されている（特許文献１参照）。

特開２００９−１４８７３４号公報

しかしながら、特許文献１に記載の技術には、異常発生時に基板処理中であった基板を再生可能な基板として回収するという点でさらなる改善の余地があった。

すなわち、特許文献１に記載の技術は、異常が発生した場合に、純水によるリンス処理→振り切り乾燥という一律な内容の異常対応処理を行うため、たとえば純水以外のリンス液を供給する必要がある基板に対しても一律に純水によるリンス処理を行ってしまう。また、振り切り乾燥だけでは十分に乾燥させることができない基板に対しても一律に振り切り乾燥を行ってしまう。このため、特許文献１に記載の技術では、たとえば基板にパターン倒壊を生じさせて、かかる基板を再生不可能にしてしまうおそれがある。

実施形態の一態様は、異常発生時に基板処理中であった基板を再生可能な基板として回収することのできる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。

実施形態の一態様に係る基板処理装置は、基板保持機構と、処理流体供給部と、制御部とを備える。基板保持機構は、基板を回転可能に保持する。処理流体供給部は、基板保持機構に保持された基板に対して処理流体を供給する。制御部は、基板処理の内容を示すレシピ情報に従って基板保持機構および処理流体供給部を制御して、基板に対して薬液を供給する薬液処理、基板に対してリンス液を供給するリンス処理および基板を乾燥させる乾燥処理を含む一連の基板処理を実行する。また、制御部は、薬液の供給源に貯留される薬液の残量が閾値を下回った場合または供給源において薬液の漏洩が発生した場合において、現在実行中の基板処理を含む未完了の基板処理が複数の薬液処理を含み、かつ、現在実行中の基板処理が薬液処理であるならば、未完了の基板処理のうち、現在実行中の薬液処理と次の薬液処理との間に存在するリンス処理とこのリンス処理よりも後段の乾燥処理とをレシピ情報に基づいて実行し、他のリンス処理および薬液処理を省略する。

実施形態の一態様によれば、異常発生時に基板処理中であった基板を再生可能な基板として回収することができる。

図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。 図２は、処理ユニットの概略構成を示す図である。 図３は、処理ユニットの具体的な構成を示す図である。 図４は、制御装置の構成を示す図である。 図５は、処理ユニットにおいて実行される一連の基板処理の処理手順を示すフローチャートである。 図６は、レシピ情報の内容を示す図である。 図７は、異常対応処理の処理手順を示すフローチャートである。 図８は、異常対応処理の一例を示す説明図である。 図９は、異常対応処理の一例を示す説明図である。 図１０は、異常対応処理の一例を示す説明図である。 図１１は、異常対応処理の他の一例を示す説明図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。

図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。

処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。

次に、処理ユニット１６の概略構成について図２を参照して説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。

図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。

チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。

基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。

処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。

回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。

次に、処理ユニット１６の構成について図３を参照して説明する。図３は、処理ユニット１６の構成の一例を示す模式図である。

図３に示すように、ＦＦＵ２１には、バルブ２２を介して不活性ガス供給源２３が接続される。ＦＦＵ２１は、不活性ガス供給源２３から供給されるＮ２ガス等の不活性ガスをチャンバ２０内に吐出する。

また、基板保持機構３０が備える保持部３１の上面には、ウェハＷを側面から保持する保持部材３１１が設けられる。ウェハＷは、かかる保持部材３１１によって保持部３１の上面からわずかに離間した状態で水平保持される。

また、処理ユニット１６は、処理流体供給部４０（図２参照）として、第１供給部４０ａと、第２供給部４０ｂとを備える。

第１供給部４０ａは、ノズル４１ａ〜４１ｄと、ノズル４１ａ〜４１ｄを水平に支持する第１アーム４２ａと、第１アーム４２ａを旋回および昇降させる第１旋回昇降機構４３ａとを備える。

第１供給部４０ａは、ウェハＷに対し、薬液の一種であるＤＨＦをノズル４１ａから供給し、リンス液の一種であるＤＩＷをノズル４１ｂから供給し、有機溶剤の一種であるＩＰＡ（イソプロピルアルコール）をノズル４１ｃから供給し、不活性ガスの一種であるＮ２をノズル４１ｄから供給する。

具体的には、ノズル４１ａには、バルブ６１ａを介してＤＨＦ供給源７１ａが、バルブ６１ｂを介してＤＩＷ供給源７１ｂが、バルブ６１ｃを介してＩＰＡ供給源７１ｃが、バルブ６１ｄを介してＮ２供給源７１ｄが、それぞれ接続される。

第２供給部４０ｂは、ノズル４１ｅ，４１ｆと、ノズル４１ｅ，４１ｆを水平に支持する第２アーム４２ｂと、第２アーム４２ｂを旋回および昇降させる第２旋回昇降機構４３ｂとを備える。

第２供給部４０ｂは、ウェハＷに対し、薬液の一種であるＳＣ１をノズル４１ｅから供給し、リンス液の一種であるＤＩＷをノズル４１ｆから供給する。

具体的には、ノズル４１ｅには、バルブ６２ａを介してＳＣ１供給源７２ａが接続され、ノズル４１ｆには、バルブ６２ｂを介しＤＩＷ供給源７２ｂが接続される。

なお、ここでは、各ノズル４１ａ〜４１ｆの各々に対応して処理流体の供給源が設けられる場合の例を示したが、各処理流体の供給源は、ノズル４１ａ〜４１ｆ間で適宜共用されても構わない。

回収カップ５０の底部に形成される排液口５１は、３種類の排液ラインに接続される。具体的には、排液口５１は、アルカリ系の排液を排出する排液ラインにバルブ６４ａを介して接続され、酸系の排液を排出する排液ラインにバルブ６４ｂを介して接続され、有機系の排液を排出する排液ラインにバルブ６４ｃを介して接続される。

次に、制御装置４の構成について図４を参照して説明する。図４は、制御装置４の構成を示す図である。なお、図４では、制御装置４の特徴を説明するために必要な構成要素のみを示しており、一般的な構成要素についての記載を省略している。

図４に示すように、制御装置４が備える制御部１８は、基板処理実行部１８ａと、異常対応処理実行部１８ｂとを備える。また、記憶部１９は、レシピ情報１９ａを記憶する。

制御部１８は、たとえばＣＰＵ（Central Processing Unit）であり、記憶部１９に記憶された図示しないプログラムを読み出して実行することにより、基板処理実行部１８ａおよび異常対応処理実行部１８ｂとして機能する。なお、制御部１８は、プログラムを用いずにハードウェアのみで構成されてもよい。

基板処理実行部１８ａは、記憶部１９に記憶されたレシピ情報１９ａに従って処理ユニット１６を制御して、ウェハＷに対して薬液を供給する薬液処理、ウェハＷに対してリンス液を供給するリンス処理およびウェハＷを乾燥させる乾燥処理を含む一連の基板処理を実行する。

レシピ情報１９ａは、基板処理の内容を示す情報である。レシピ情報１９ａの具体的な内容については図６を用いて後述する。

異常対応処理実行部１８ｂは、異常検出部８０から所定の異常が発生した旨の通知を受けた場合に、レシピ情報１９ａに基づく異常対応処理を実行する。ここで、異常対応処理とは、基板処理中のウェハＷを再生可能なウェハＷとして回収するための処理である。

本実施形態に係る基板処理システム１は、レシピ情報１９ａに応じた内容の異常対応処理を実行する。かかる異常対応処理の具体的な内容については後述する。

異常検出部８０は、たとえばＤＨＦ供給源７１ａまたはＳＣ１供給源７２ａに貯留される薬液の残量を検出する残量検出部である。かかる異常検出部８０は、薬液の残量が閾値を下回った場合に、異常が発生した旨の通知を制御部１８の異常対応処理実行部１８ｂへ送る。

なお、異常検出部８０は、ＤＨＦやＳＣ１等の薬液の漏洩を検出するリーク検出部であってもよい。具体的には、リーク検出部は、基板処理システム１自体に２種類、ＤＨＦ供給源７１ａおよびＳＣ１供給源７２ａにそれぞれ１種類設けられる。各リーク検出部は、薬液の漏洩を検出した場合に、異常が発生した旨の通知を制御部１８の異常対応処理実行部１８ｂへ送る。

そして、異常対応処理実行部１８ｂは、ＤＨＦ供給源７１ａまたはＳＣ１供給源７２ａに設けられるリーク検出部から異常が発生した旨の通知を受けた場合、言い換えれば、基板処理システム１自体は正常であるものの基板処理システム１以外で薬液の漏洩が発生した場合に、図７に示す異常対応処理を実行する。

なお、基板処理システム１自体に設けられる２種類のリーク検出部のうち、１つは、処理ユニット１６の下部等に配置されるドレインパンの底部に設けられ、残りの１つは、かかるドレインパンの底部よりもわずかに高い位置（たとえば５〜１０ｍｍ程度高い位置）に設けられる。そして、異常対応処理実行部１８ｂは、ドレインパンの底部に設けられたリーク検出部から異常が発生した旨の通知を受けた場合には、たとえば表示灯を点灯させたり警報を鳴らしたりすることによって、異常が発生した旨を作業者等に報知する処理を異常対応処理として実行する。また、異常対応処理実行部１８ｂは、ドレインパンの底部からわずかに高い位置に設けられたリーク検出部から異常が発生した旨の通知を受けた場合には、処理ユニット１６を即停止させる処理を異常対応処理として実行する。なお、薬液の残量検出方法やリーク検出方法は、いずれの公知技術を用いても構わない。

次に、本実施形態に係る処理ユニット１６において実行される一連の基板処理の内容について図５および図６を参照して説明する。図５は、処理ユニット１６において実行される一連の基板処理の処理手順を示すフローチャートである。

なお、図５に示す一連の基板処理は、基板処理実行部１８ａがレシピ情報１９ａに従って処理ユニット１６の基板保持機構３０、第１供給部４０ａ、第２供給部４０ｂおよびバルブ６１ａ〜６１ｃ，６２ａ，６２ｂ，６４ａ〜６４ｃ（図３参照）を制御することによって達成される。

図５に示すように、処理ユニット１６では、第１薬液処理（ステップＳ１０１）、第１リンス処理（ステップＳ１０２）、第２薬液処理（ステップＳ１０３）、第２リンス処理（ステップＳ１０４）および乾燥処理（ステップＳ１０５）が、この順番で実行される。

第１薬液処理は、ウェハＷに対してＳＣ１を供給する処理であり、第１リンス処理は、ウェハＷに対してＤＩＷを供給してウェハＷ上のＳＣ１を洗い流す処理である。また、第２薬液処理は、ウェハＷに対してＤＨＦを供給する処理であり、第２リンス処理は、ウェハＷに対してＤＩＷを供給してウェハＷ上のＤＨＦを洗い流す処理である。そして、乾燥処理は、ウェハＷ上のＤＩＷを除去してウェハＷを乾燥させる処理である。

かかる一連の基板処理の具体的な内容について図６を参照して説明する。図６は、レシピ情報１９ａの内容を示す図である。

図６に示すように、レシピ情報１９ａは、「Ｎｏ」項目と、「ＩＤ」項目と、「ノズル」項目と、「ＡＲＭ１」項目と、「ＡＲＭ２」項目と、「時間」項目と、「回転数」項目とを関連づけた情報である。

ここで、「Ｎｏ」項目は、処理の順番を示すステップナンバーが格納される項目である。「ＩＤ」項目は、基板処理の種別を示す種別情報が格納される項目である。図６では、薬液処理に対応する種別情報を「Ｃ」、リンス処理に対応する種別情報を「Ｒ」、乾燥処理に対応する種別情報を「Ｄ」で表している。基板処理実行部１８ａは、これらのＩＤを参照することにより、現在実行中の処理の内容や次に実行すべき処理の内容を認識する。

また、「ノズル」項目は、使用するノズルおよび処理流体を示す情報が格納される項目である。たとえば、ステップナンバー「２」の「ノズル」項目に含まれる「ＡＲＭ２ ＳＣ１」は、第２供給部４０ｂのノズル４１ｅを用いてＳＣ１を供給することを示している。

「ＡＲＭ１」項目は、第１供給部４０ａの位置およびスキャン動作の有無を示す情報が格納される項目であり、「ＡＲＭ２」項目は、第２供給部４０ｂの位置およびスキャン動作の有無を示す情報が格納される項目である。なお、「ＨＯＭＥ」は、ウェハＷの外方に設定された待機位置を示し、「ＣＥＮＴＥＲ」は、ウェハＷの中央上方の位置を示す。

図５に示す第１薬液処理は、ステップナンバー「１」〜「３」の処理に対応し、第１リンス処理は、ステップナンバー「４」〜「５」の処理に対応する。また、第２薬液処理は、ステップナンバー「６」の処理に対応し、第２リンス処理は、ステップナンバー「７」〜「９」の処理に対応する。そして、乾燥処理は、ステップナンバー「１０」〜「１３」の処理に対応する。以下、各処理の内容について具体的に説明する。

まず、基板処理実行部１８ａは、ステップナンバー「１」に従い、第１供給部４０ａを「ＨＯＭＥ」に、第２供給部４０ｂを「ＣＥＮＴＥＲ」に配置する。また、基板処理実行部１８ａは、基板保持機構３０を制御することにより、ウェハＷを回転数「ｙｙ１」で回転させる。基板処理実行部１８ａは、上記の処理を時間「ｘｘ１」で行う。

つづいて、基板処理実行部１８ａは、ステップナンバー「２」に従い、第２供給部４０ｂのノズル４１ｅからウェハＷの表面に薬液であるＳＣ１を供給する。この処理時間は「ｘｘ２」であり、ウェハＷの回転数は「ｙｙ２」である。

つづいて、基板処理実行部１８ａは、ステップナンバー「３」に従い、ウェハＷの回転数を「ｙｙ３」へ変更する。そして、処理時間「ｘｘ３」が経過した後、基板処理実行部１８ａは、ノズル４１ｅからのＳＣ１の供給を停止する。

つづいて、基板処理実行部１８ａは、ステップナンバー「４」に従い、第２供給部４０ｂのノズル４１ｆからウェハＷの表面にリンス液であるＤＩＷを供給する。また、基板処理実行部１８ａは、第２供給部４０ｂの第２旋回昇降機構４３ｂを制御することにより、第２供給部４０ｂにスキャン動作を行わせる。この処理時間は「ｘｘ４」であり、ウェハＷの回転数は「ｙｙ４」である。

つづいて、基板処理実行部１８ａは、ステップナンバー「５」に従い、ノズル４１ｆからのＤＩＷの供給と第２供給部４０ｂのスキャン動作を停止し、ウェハＷを回転速度「ｙｙ５」で回転させる。この処理時間は「ｘｘ５」である。

つづいて、基板処理実行部１８ａは、ステップナンバー「６」に従い、第１供給部４０ａを「ＣＥＮＴＥＲ」に、第２供給部４０ｂを「ＨＯＭＥ」に配置する。そして、基板処理実行部１８ａは、第１供給部４０ａのノズル４１ａからウェハＷの表面に薬液であるＤＨＦを供給する。この処理時間は「ｘｘ６」であり、ウェハＷの回転数は「ｙｙ６」である。その後、基板処理実行部１８ａは、ノズル４１ａからのＤＨＦの供給を停止する。

つづいて、基板処理実行部１８ａは、ステップナンバー「７」に従い、第１供給部４０ａのノズル４１ｂからウェハＷの表面にリンス液であるＤＩＷを供給する。また、基板処理実行部１８ａは、第１供給部４０ａの第１旋回昇降機構４３ａを制御することにより、第１供給部４０ａにスキャン動作を行わせる。この処理時間は「ｘｘ７」であり、ウェハＷの回転数は「ｙｙ７」である。

つづいて、基板処理実行部１８ａは、ステップナンバー「８」に従い、第１供給部４０ａのスキャン動作を停止し、ウェハＷの回転数を「ｙｙ８」に変更する。この処理時間は「ｘｘ８」である。

つづいて、基板処理実行部１８ａは、ステップナンバー「９」に従い、ウェハＷの回転数を「ｙｙ９」に変更する。この処理時間は「ｘｘ９」である。その後、基板処理実行部１８ａは、ノズル４１ｂからのＤＩＷの供給を停止する。

つづいて、基板処理実行部１８ａは、ステップナンバー「１０」に従い、第１供給部４０ａのノズル４１ｃからウェハＷの表面に有機溶剤であるＩＰＡを供給する。この処理時間は「ｘｘ１０」であり、ウェハＷの回転数は「ｙｙ１０」である。

つづいて、基板処理実行部１８ａは、ステップナンバー「１１」に従い、ウェハＷの回転数を「ｙｙ１１」へ変更する。そして、処理時間「ｘｘ１１」が経過した後、基板処理実行部１８ａは、ノズル４１ｃからのＩＰＡの供給を停止する。

つづいて、基板処理実行部１８ａは、ステップナンバー「１２」に従い、第１供給部４０ａのノズル４１ｄからウェハＷの表面にＮ２を供給する。この処理時間は「ｘｘ１２」であり、ウェハＷの回転数は「ｙｙ１２」である。

そして、基板処理実行部１８ａは、ステップナンバー「１３」に従い、ノズル４１ｄからのＮ２の供給を停止し、第１供給部４０ａを「ＨＯＭＥ」に配置し、ウェハＷの回転速度を「ｙｙ１３」に変更する。そして、処理時間「ｘｘ１３」が経過した後、基板処理実行部１８ａは、ウェハＷの回転を停止して、一連の基板処理を終了する。

このように、基板処理実行部１８ａは、レシピ情報１９ａに従って処理ユニット１６の基板保持機構３０、第１供給部４０ａ、第２供給部４０ｂ等を制御することによって一連の基板処理を実行する。

次に、異常対応処理実行部１８ｂが実行する異常対応処理の内容について図７を参照して説明する。図７は、異常対応処理の処理手順を示すフローチャートである。図７に示す異常対応処理は、予め決められた異常が発生した場合、具体的には、異常検出部８０から異常が発生した旨の通知を受けた場合、または、ＤＨＦ供給源７１ａもしくはＳＣ１供給源７２ａに設けられるリーク検出部から異常が発生した旨の通知を受けた場合に開始される。

図７に示すように、異常対応処理実行部１８ｂは、異常対応処理を開始すると、レシピ情報１９ａを参照し、現在実行中の基板処理を含む未完了の基板処理の中から直近のリンス処理を選択して実行する（ステップＳ２０１）。つづいて、異常対応処理実行部１８ｂは、レシピ情報１９ａを参照し、未完了の基板処理の中から直近の乾燥処理を選択して実行する（ステップＳ２０２）。

直近のリンス処理や直近の乾燥処理を選択する処理は、レシピ情報１９ａの「ＩＤ」項目に基づいて行われる。すなわち、たとえばＩＤ「Ｃ」の処理を実行中に予め決められた異常が発生した場合には、当該「Ｃ」に対して直近の「Ｒ」および「Ｄ」をレシピ情報１９ａから選択する。

つづいて、異常対応処理の具体的な内容について、図８〜図１０を参照して説明する。図８〜図１０は、異常対応処理の一例を示す説明図である。ここで、図８には、第１薬液処理中に異常が発生した場合の異常対応処理の内容を、図９には、第２リンス処理中に異常が発生した場合の異常対応処理の内容を、図１０には、乾燥処理中に異常が発生した場合の異常対応処理の内容を、それぞれ示している。

図８に示すように、第１薬液処理におけるステップナンバー「２」の実行中に予め決められた異常が発生した場合、異常対応処理実行部１８ｂは、まず、ステップナンバー「２」の処理を中止する。そして、異常対応処理実行部１８ｂは、第１薬液処理の残りの処理であるステップナンバー「３」を省略し、直近のリンス処理すなわち第１リンス処理であるステップナンバー「４」〜「５」の処理を実行する。

つづいて、異常対応処理実行部１８ｂは、後段の第２薬液処理すなわちステップナンバー「６」の処理と第２リンス処理すなわちステップナンバー「７」〜「９」を省略し、乾燥処理であるステップナンバー「１０」〜「１３」の処理を実行する。

このように、異常対応処理実行部１８ｂは、異常検出部８０から異常が発生した旨の通知を受けた際、現在実行中の基板処理が薬液処理である場合には、現在実行中の薬液処理を中断したうえで、レシピ情報１９ａに応じたリンス処理と乾燥処理とを実行する。これにより、たとえば薬液が漏洩している場合にはかかる漏洩を最小限に留めることがでる。

また、異常対応処理実行部１８ｂは、未完了の基板処理の中に複数のリンス処理が存在する場合には、これら複数のリンス処理のうち、直近のリンス処理（ここでは、第１リンス処理）を実行し、他のリンス処理（ここでは、第２リンス処理）を実行しない。言い換えれば、異常対応処理実行部１８ｂは、未完了の基板処理が複数の薬液処理を含む場合には、未完了の基板処理のうち、現在実行中の薬液処理（ここでは、第１薬液処理）と次の薬液処理（ここでは、第２薬液処理）との間に存在するリンス処理（ここでは、第１リンス処理）を実行し、他のリンス処理（ここでは、第２リンス処理）を実行しない。

これは、複数のリンス処理が残っている場合、未完了の基板処理のうち直近のリンス処理が、異常発生時に実行中であった薬液処理に対応するものであるからである。このように、直近のリンス処理のみを実行することにより、異常対応処理に無駄な処理が包含されることを防止することができる。

つづいて、図９に示すように、第２リンス処理におけるステップナンバー「７」の実行中に異常が発生した場合、異常対応処理実行部１８ｂは、現在実行中の第２リンス処理を最後まで実行する。すなわち、異常対応処理実行部１８ｂは、ステップナンバー「７」の処理およびその後段のステップナンバー「８」〜「９」の処理を実行する。その後、異常対応処理実行部１８ｂは、未完了の基板処理（ここでは、ステップナンバー「７」〜「１３」の処理）のうち、直近の乾燥処理すなわちステップナンバー「１０」〜「１３」の処理を実行する。

このように、異常対応処理実行部１８ｂは、現在実行中の基板処理がリンス処理である場合には、かかるリンス処理を完了させたうえで、乾燥処理をレシピ情報１９ａに基づいて実行する。したがって、前段の薬液処理において供給された薬液を適切に洗い流すことができる。

また、図１０に示すように、乾燥処理におけるステップナンバー「１１」の実行中に異常が発生した場合、異常対応処理実行部１８ｂは、現在実行中の乾燥処理を最後まで実行して異常対応処理を終了する。すなわち、異常対応処理実行部１８ｂは、ステップナンバー「１１」〜「１３」の処理を行ったうえで、異常対応処理を終了する。これにより、ウェハＷを適切に乾燥させることができる。

上述してきたように、本実施形態に係る基板処理システム１（「基板処理装置」の一例に相当）は、基板保持機構３０と、第１供給部４０ａ、第２供給部４０ｂ（「処理流体供給部」の一例に相当）と、制御部１８とを備える。基板保持機構３０は、ウェハＷを回転可能に保持する。第１供給部４０ａ、第２供給部４０ｂは、基板保持機構３０に保持されたウェハＷに対して処理流体を供給する。制御部１８は、基板処理の内容を示すレシピ情報１９ａに従って基板保持機構３０および第１供給部４０ａ、第２供給部４０ｂを制御して、ウェハＷに対して薬液を供給する薬液処理、ウェハＷに対してリンス液を供給するリンス処理およびウェハＷを乾燥させる乾燥処理を含む一連の基板処理を実行する。また、制御部１８は、予め決められた異常が発生した場合に、現在実行中の基板処理を含む未完了の基板処理の中からリンス処理と乾燥処理とをレシピ情報１９ａに基づいて実行する。

すなわち、装置に異常が発生した場合に、従来技術のように一律な内容の異常対応処理を行ったのでは、たとえばパターン倒壊が生じたり、ウェハＷ上に薬液が残留したりするおそれがあり、かかるウェハＷを再生不可能にしてしまうおそれがある。

これに対し、本実施形態に係る基板処理システム１は、装置に異常が発生した場合に、レシピ情報１９ａに基づいた異常対応処理を実行する。すなわち、たとえばレシピ情報１９ａに含まれるリンス処理がウェハＷの両面にＤＩＷを供給するものであるならば、異常対応処理においてもウェハＷの両面にＤＩＷを供給する処理を実行し、また、ウェハＷに対してＤＩＷではなく他のリンス液を供給するものであるならば、異常対応処理においてもウェハＷに対して当該他のリンス液を供給する処理を実行する。また、たとえばレシピ情報１９ａに含まれる乾燥処理が、ウェハＷに対してＩＰＡ等の有機溶剤を供給する処理を含むものであるならば、異常対応処理においてもウェハＷに対して有機溶剤を供給する処理を実行する。

したがって、本実施形態に係る基板処理システム１によれば、薬液処理後の基板状態に応じたリンス処理、乾燥処理を行うことができるので、異常発生時に基板処理中であったウェハＷを再生可能なウェハＷとして回収することができる。

（他の実施形態）
次に、異常対応処理の他の一例について図１１を参照して説明する。図１１は、異常対応処理の他の一例を示す説明図である。

図１１には、一連の基板処理に複数の乾燥処理が含まれる場合の例を示している。具体的には、第１薬液処理（ステップナンバー「１」）、第１リンス処理（ステップナンバー「２」）、第１乾燥処理（ステップナンバー「３」）、第２薬液処理（ステップナンバー「４」）、第２リンス処理（ステップナンバー「５」）、第２乾燥処理（ステップナンバー「６」）がこの順序で実行される。つまり、図１１に示す例では、乾燥処理が２回行われる。

この場合において、図１１に示すように、第１薬液処理（ステップナンバー「１」）の実行中に異常が発生した場合、異常対応処理実行部１８ｂは、この第１薬液処理を中断したうえで、直近のリンス処理である第１リンス処理（ステップナンバー「２」）と、直近の乾燥処理である第１乾燥処理（ステップナンバー「３」）と、を実行したのち、ステップナンバー「４」〜「６」の処理を省略して異常対応処理を終了する。

このように、異常対応処理実行部１８ｂは、未完了の基板処理に複数の乾燥処理が含まれる場合には、複数の乾燥処理のうち直近の乾燥処理を実行し、他の乾燥処理を実行しない。これにより、異常対応処理に無駄な処理が包含されることを防止することができる。

上述してきた実施形態では、薬液としてＳＣ１およびＤＨＦを例示したが、薬液としては、これらの他に、たとえばＳＣ２（塩酸と過酸化水素水の混合液）、ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水の混合液）、レジスト、現像液、シリル化剤、オゾン水などがある。

また、リンス液も、上述したＤＩＷに限られない。たとえば、リンス処理の内容が、ウェハＷにＤＩＷを供給する処理と、ウェハＷ上のＤＩＷをＩＰＡに置換する処理が含まれる場合には、ＩＰＡもリンス液に含まれる。また、この場合、異常対応処理実行部１８ｂは、ウェハＷにＤＩＷを供給する処理と、ウェハＷ上のＤＩＷをＩＰＡに置換する処理を含むリンス処理を異常対応処理として行う。

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。

Ｗ ウェハ
１ 基板処理システム
４ 制御装置
１６ 処理ユニット
１８ 制御部
１８ａ 基板処理実行部
１８ｂ 異常対応処理実行部
１９ 記憶部
１９ａ レシピ情報
３０ 基板保持機構
４０ａ 第１供給部
４０ｂ 第２供給部
４１ａ〜４１ｆ ノズル
８０ 異常検出部

Claims (8)

1. 基板を回転可能に保持する基板保持機構と、
   前記基板保持機構に保持された基板に対して処理流体を供給する処理流体供給部と、
   基板処理の内容を示すレシピ情報に従って前記基板保持機構および前記処理流体供給部を制御して、前記基板に対して薬液を供給する薬液処理、前記基板に対してリンス液を供給するリンス処理および前記基板を乾燥させる乾燥処理を含む一連の基板処理を実行する制御部と
   を備え、
   前記制御部は、
   前記薬液の供給源に貯留される前記薬液の残量が閾値を下回った場合または前記供給源において前記薬液の漏洩が発生した場合において、現在実行中の基板処理を含む未完了の基板処理が複数の薬液処理を含み、かつ、現在実行中の基板処理が前記薬液処理であるならば、前記未完了の基板処理のうち、現在実行中の薬液処理と次の薬液処理との間に存在する前記リンス処理と該リンス処理よりも後段の前記乾燥処理とを前記レシピ情報に基づいて実行し、他の前記リンス処理および前記薬液処理を省略すること
   を特徴とする基板処理装置。
2. 前記制御部は、
   前記現在実行中の基板処理が前記薬液処理である場合には、該薬液処理を中断すること
   を特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記制御部は、
   前記現在実行中の基板処理が前記リンス処理である場合には、該リンス処理を前記レシピ情報に基づいて完了させたうえで、前記乾燥処理を前記レシピ情報に基づいて実行すること
   を特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記制御部は、
   前記現在実行中の基板処理が前記乾燥処理である場合には、該乾燥処理を前記レシピ情報に基づいて完了させて前記一連の基板処理を終えること
   を特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
5. 前記制御部は、
   前記未完了の基板処理が複数の乾燥処理を含む場合には、前記複数の乾燥処理のうち直近の乾燥処理を実行し、他の乾燥処理を実行しないこと
   を特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
6. 前記制御部は、
   現在実行中の基板処理を含む未完了の基板処理の中から、直近の前記リンス処理と直近の前記乾燥処理とを前記レシピ情報に基づいて実行すること
   を特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
7. 前記レシピ情報は、前記一連の基板処理に含まれる各基板処理の種別を示す種別情報を含み、
   前記制御部は、
   予め決められた異常が発生した場合に、前記レシピ情報に含まれる前記種別情報に基づいて前記リンス処理と前記乾燥処理とを前記レシピ情報から選択して実行すること
   を特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
8. 基板を回転可能に保持する基板保持機構と、前記基板保持機構に保持された基板に対して処理流体を供給する処理流体供給部とを、基板処理の内容を示すレシピ情報に従って前記基板保持機構および前記処理流体供給部を制御して、前記基板に対して薬液を供給する薬液処理、前記基板に対してリンス液を供給するリンス処理および前記基板を乾燥させる乾燥処理を含む一連の基板処理を実行する基板処理工程と、
   前記薬液の供給源に貯留される前記薬液の残量が閾値を下回った場合または前記供給源において前記薬液の漏洩が発生した場合において、現在実行中の基板処理を含む未完了の基板処理が複数の薬液処理を含み、かつ、現在実行中の基板処理が前記薬液処理であるならば、前記未完了の基板処理のうち、現在実行中の薬液処理と次の薬液処理との間に存在する前記リンス処理と該リンス処理よりも後段の前記乾燥処理とを前記レシピ情報に基づいて実行し、他の前記リンス処理および前記薬液処理を省略する異常対応処理工程と
   を含むことを特徴とする基板処理方法。

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