CN110168387A - 负载驱动装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种搭载元件间分离使用DTI的半导体芯片、能进行DTI的绝缘耐压的诊断、可靠性高的负载驱动装置及其故障诊断方法。本发明的负载驱动装置搭载有半导体芯片，该负载驱动装置的特征在于，所述半导体芯片具备形成于半导体基板上的负载驱动输出部，所述负载驱动输出部具有形成控制负载驱动的MOSFET的第1区域和通过DTI与所述第1区域绝缘分离的第2区域，该负载驱动装置具备：第1漏电流检测元件，其设置在所述第1区域；第2漏电流检测元件，其设置在所述第2区域；以及故障检测部，其判断所述负载驱动输出部的故障。

Description

负载驱动装置
技术领域
本发明涉及由半导体芯片构成的负载驱动装置，该半导体芯片具备作为元件间绝缘分离结构之一的Deep Trench Isolation(深槽隔离)(以下称为DTI)，尤其涉及具有驱动电路的负载驱动装置以及使用它的车载用电子控制单元。
背景技术
随着车辆中搭载的电子控制单元对各种控制对象进行电子控制，广泛使用将电信号转换为机械运动或液压用的马达、螺线管等电动执行器。为了驱动这些电动执行器，使用由半导体芯片构成的具有驱动电路的负载驱动装置。
在这些负载驱动装置的半导体芯片中，在将驱动电路集成到半导体芯片内时，为了遮蔽噪声、保持电位差而使用为绝缘分离方法之一的DTI。
作为本技术领域的背景技术，例如有专利文献1这样的技术。专利文献1揭示了“一种半导体装置，其具备：半导体基板，其在主表面上具有槽；以及元件，其形成于所述半导体基板的主表面，而且具有导电部分，所述槽形成为在俯视下环绕所述元件，该半导体装置还具备以覆盖在所述元件上而且在所述槽内形成中空的方式形成于所述元件上及所述槽内的绝缘膜，所述绝缘膜具有到达所述导电部分的孔”。
此外，专利文献2揭示了“一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有支承基板、埋入绝缘膜、半导体层依序层叠在一起的构成；以及元件，其形成于所述半导体层的主表面，而且具有导电部分，以在俯视下环绕所述元件而且从所述半导体层的所述主表面到达所述埋入绝缘膜的方式在所述半导体层上形成有槽，该半导体装置还具备以覆盖在所述元件上而且在所述槽内形成中空的方式形成于所述元件上及所述槽内的第1绝缘膜，所述第1绝缘膜上形成有到达所述导电部分的孔”。
专利文献1是与在普通的硅基板也就是所谓的块状基板上设置有DTI的结构相关的技术，专利文献2是与在SOI(Silicon On Insulator，以下称为SOI)基板上设置有DTI的结构相关的技术。
此外，作为负载驱动装置的一例，有图9所示那样的马达驱动电路。图9的马达驱动电路由变换电路INV和前置驱动电路PDRV构成，所述变换电路INV驱动马达，由为FET(FiledEffect Transistor(场效应晶体管))的FETH及FETL构成，所述前置驱动电路PDRV由半导体芯片1构成。
半导体芯片1使输入信号INH、INL经由输入逻辑电路LOGIC和高侧驱动电路DRVH、低侧驱动电路DRVL，利用栅极信号GATEH0、GATEH1、GATEL0、GATEL1来驱动将输出设为OUTH的高侧负载驱动输出部3H以及将输出设为OUTL的低侧负载驱动输出部3L。此处，负载驱动输出部3H、3L分别由LDMOS(Laterally Diffused MOS(横向扩散MOS))等Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor(金属氧化物半导体场效应管)(以下称为MOSFET)构成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2015-122543号公报
专利文献2：日本专利特开2011-151121号公报
发明内容
发明要解决的问题
另外，在驱动马达、螺线管等负载时，在负载与驱动电路输出之间发生了开路故障或短路故障的情况下，会因负载的L分量而产生过大的电涌，有负载驱动输出部发生破坏的担忧。
例如，在前文所述的图9所示的马达驱动电路中，在发生了变换电路INV与马达间的开路故障或短路故障的情况下，会因马达的L分量而产生过大的电涌，有变换电路INV发生破坏的担忧。进而，有前置驱动电路PDRV的输出部即负载驱动输出部3H或3L也发生破坏的担忧。
即便没有瞬间达到破坏，负载驱动装置的使用时的干扰电涌的影响或者经时劣化也会导致DTI的绝缘耐压降低，有电路块间或元件间的电性分离(绝缘分离)变得不足、不久便失去驱动功能的担忧。
另一方面，近年来，由于半导体芯片的小型化、高集成化、高散热化的发展，要求减薄DTI绝缘膜的膜厚，但减薄DTI绝缘膜的膜厚会导致DTI的绝缘耐压降低，因此产生了确认该绝缘耐压的必要性。
上述专利文献1及专利文献2都涉及半导体基板上的元件分离使用DTI的半导体芯片的结构，但未记载有上述那样的问题及其解决方法。
本发明是鉴于上述问题而做成的，其目的在于提供一种搭载元件间分离使用DTI的半导体芯片、能进行DTI的绝缘耐压的诊断、可靠性高的负载驱动装置。
此外，本发明的另一目的在于，提供一种在搭载元件间分离使用DTI的半导体芯片的负载驱动装置中能够诊断由于负载驱动装置的使用时的干扰电涌的影响或者经时劣化造成的DTI的绝缘耐压的降低所引起的故障的负载驱动装置的故障诊断方法。
解决问题的技术手段
为了达成上述目的，本发明的负载驱动装置搭载有半导体芯片，该负载驱动装置的特征在于，所述半导体芯片具备形成于半导体基板上的负载驱动输出部，所述负载驱动输出部具有形成控制负载驱动的MOSFET的第1区域和通过DTI与所述第1区域绝缘分离的第2区域，该负载驱动装置具备：第1漏电流检测元件，其设置在所述第1区域；第2漏电流检测元件，其设置在所述第2区域；以及故障检测部，其判断所述负载驱动输出部的故障。
发明的效果
根据本发明，可以实现能够进行元件间分离所使用的DTI的绝缘耐压的诊断、且可靠性高的负载驱动装置。
此外，根据本发明，能够诊断由于负载驱动装置的使用时的干扰电涌的影响或者经时劣化造成的DTI的绝缘耐压的降低所引起的故障，从而能够提高负载驱动装置的可靠性。
上述以外的课题、构成及效果将通过以下实施方式的说明来加以明确。
附图说明
图1为表示作为本发明的第1实施方式的由半导体芯片构成的负载驱动装置的整体概要的俯视图。
图2为表示图1的负载驱动装置的输出电路例的图。
图3为表示图1的A-A'截面以及故障检测部10的图。
图4为表示图3的故障检测部10的构成例的框图。
图5为表示图3的故障检测部10的其他构成例(变形例)的框图。
图6为表示图1的A-A'截面以及故障检测部10的其他例子(变形例)的图。
图7为表示作为本发明的第2实施方式的由半导体芯片构成的负载驱动装置的整体概要的俯视图。
图8为表示图7的负载驱动装置的输出电路例的图。
图9为表示马达驱动电路的构成例(1个相)的框图。
具体实施方式
下面，一边参考附图，一边对本发明的实施方式进行说明。再者，附图是简略性的，因此不可根据该附图的记载来狭窄地解释本发明的技术范围。此外，对同一要素标注同一符号，并省略重复的说明。
实施例1
在本发明的第1实施方式中，使用图1至图4，对能够诊断因负载驱动装置的使用时的干扰电涌的影响或者经时劣化而导致DTI的绝缘耐压降低这一情况、能够提高可靠性的负载驱动装置的构成及动作进行说明。
图1为表示作为本发明的第1实施方式的由半导体芯片构成的负载驱动装置的整体概要的俯视图。
如图1所示，本实施例的负载驱动装置300具备具有负载驱动输出部3的半导体芯片1，负载驱动输出部3具备以围绕为MOSFET的MOS00及MOS01的方式形成的元件间绝缘分离结构即DTI20。
在元件间绝缘分离结构DTI20的内侧也就是形成MOS00及MOS01等元件的区域内形成有第1漏电流检测元件101，在元件间绝缘分离结构DTI20的外侧也就是不形成MOS00及MOS01等元件的区域内形成有第2漏电流检测元件100。
此外，如后文叙述的图3及图4所示，具备故障检测部10，其在第1漏电流检测元件101与第2漏电流检测元件100之间设置有电位差时检测到规定值以上的电流的情况下判断为负载驱动装置300的故障。
此处，为MOSFET的MOS00和MOS01可像图1所示那样分别被DTI 200、DTI 201单独围绕。
图2展示图1的负载驱动装置300的输出电路例。负载驱动装置300的负载驱动输出部3由漏极侧连接到电源VH、源极侧连接到输出OUT的Nch LDMOS即MOS00和漏极侧连接到输出OUT、源极侧连接到接地GND的Nch LDMOS即MOS01构成，输出OUT连接到负载4，通过MOS00的栅极信号GATE00以及MOS01的栅极信号GATE01的H电平、L电平所引起的MOSFET即LDMOS的漏极-源极间的导通/断开来进行负载4的驱动。
图3展示图1所示的形成于负载驱动输出部3的DTI20外侧的漏电流检测元件100和形成于DTI20内侧的漏电流检测元件101的A-A'截面图以及故障检测部10的例子。漏电流检测元件100、101是在例如由p型硅构成的半导体基板6上分别设置由n型硅层构成的半导体层90、91、例如由钨构成的导电层80、81、例如由铝构成的线路70、71、以及例如由氧化硅膜构成的层间膜5而构成。
此处，DTI20形成于漏电流检测元件100与漏电流检测元件101之间的半导体基板6的区域。DTI20的纵横比(深度/宽度)优选为1以上。由线路70、71分别形成节点P0、P1。节点P0连接至故障检测部10，从故障检测部10输出故障检测信号DET。另一方面，节点P1连接至接地GND。
使用图4来说明利用图1及图3所示的漏电流检测元件100、101对DTI20的绝缘耐压降低这一情况进行故障诊断用的构成例。
图4为表示图3所示的故障检测部10的一例的框图。故障检测部10由电流检测电路11和开关SW构成，所述开关SW根据使能信号EN，在EN信号为H电平时将电源VH与节点P2之间导通，在EN信号为L电平时将电源VH与节点P2之间断开。电流检测电路11由构成于节点P2与节点P0之间的电流检测电阻R、将电流检测电阻R的两端子间(P2-P0)的电位差放大输出的放大电路1100、进行放大电路1100的输出电压信号CUR与基准电压VREF的比较的比较电路1101、以及比较电路1101的输出信号即故障检测信号DET构成。
接着，对通过图4所示的故障检测部10对图1及图3所示的DTI20的绝缘耐压降低这一情况进行故障诊断用的动作进行说明。
将图4所示的使能信号EN从L变为H，由此导通开关SW，对电流检测电路11的节点P2施加电源电压VH。由此，可以对图1及图3所示的漏电流检测元件100施加电源电压VH，对漏电流检测元件101施加接地GND，从而可以在漏电流检测元件100与101之间设定电位差VH。
此时，图4所示的输出电压信号CUR由从电源VH流至节点P0的电流与电流检测电阻R的积决定。此外，在输出电压信号CUR小于基准电压VREF时，故障检测信号DET输出L电平，在输出电压信号CUR大于基准电压VREF时，故障检测信号DET输出H电平。当DTI20的漏电流检测元件100、101间的绝缘耐压降低时，隔着半导体基板6的节点P0、P1间的阻抗降低，从节点P0流至节点P1的漏电流增大，输出电压信号CUR增加。通过预先设定恰当的基准电压VREF的电压电平，可以根据故障检测信号DET的电压电平从L电平切换至H电平这一情况来判断检测到规定值以上的漏电流，从而诊断DTI20的绝缘耐压已降低。
图5为表示图3所示的故障检测部10的构成的其他例子(变形例)的框图。使用图5来说明利用图1及图3所示的漏电流检测元件100、101对DTI20的绝缘耐压降低这一情况进行故障诊断用的其他构成例。
图5为表示图3所示的故障检测部10的与图4不一样的其他构成例的一例的框图。由被使能信号EN控制的电流源12和以故障检测信号DET为输出信号的电压检测电路13构成。电压检测电路13由缓冲电路1300和比较电路1301构成。在使能信号EN为H电平时，电流量I从电流源12注入至节点P0。
通过缓冲电路1300将节点P0的电压电平输出至VOL。另外，缓冲电路1300的输入为HiZ接收，从电流源12注入到节点P0的电流量I向缓冲电路1300的流入可以忽略。通过进行缓冲电路1300的输出电压VOL与基准电压VREF的比较的比较电路1301，在VOL电压大于基准电压VREF时，故障检测信号DET输出L电平，在VOL电压小于基准电压VREF时，故障检测信号DET输出H电平。
接着，对通过图5所示的故障检测部10对图1及图3所示的DTI20的绝缘耐压降低这一情况进行故障诊断用的动作进行说明。
关于图1及图3所示的DTI20，当漏电流检测元件100、101间的绝缘耐压(DTI20的绝缘耐压)降低时，隔着半导体基板6的节点P0、P1间的阻抗降低。因此，在通过图5所示的电流源12对节点P0注入了电流量I时，节点P0的电压电平降低，电压VOL电平也降低，通过预先设定恰当的基准电压VREF的电压电平，可以根据故障检测信号DET的电压电平从L切换至H电平这一情况来作出DTI20的绝缘耐压已降低这一故障诊断。
使用图4、图5所示的故障检测部10的故障诊断可以通过将使能信号EN从L电平变为H电平来加以实施。在负载驱动装置300为运用于车辆的电子控制单元的情况下，故障诊断能以车载诊断(オンボード)的方式实施。
另外，半导体的漏电流具有相对于温度呈指数函数增大的特性。因此，通过使实施故障诊断的时机处于负载驱动装置刚进行负载驱动之后、电源断开之前，可以在负载驱动输出部的负载驱动所引起的发热使得半导体芯片的温度已上升的状态下实施故障诊断，所以能够更灵敏地实施故障诊断。
由此，能够诊断因负载驱动装置的使用时的干扰电涌的影响或者经时劣化而导致DTI的绝缘耐压降低这一情况，从而能够提高负载驱动装置的可靠性。
再者，像图6所示那样使用具有支承基板63、埋入绝缘膜62、半导体层61层叠在一起的构成的SOI(Silicon On Insulator)基板作为图3所示的半导体基板6也能获得同样的效果。
实施例2
在本发明的第2实施方式中，对如下负载驱动装置的构成及动作进行说明：除了能够诊断因负载驱动装置的使用时的干扰电涌的影响或者经时劣化而导致DTI的绝缘耐压降低这一情况以外，在为将负载驱动输出部冗余化的构成的情况下，还可以在诊断冗余系统的电路块的电性分离无问题之后切换至冗余系统，能够提高可靠性。
图7为表示作为本发明的第2实施方式的由半导体芯片构成的负载驱动装置的整体概要的俯视图。
与实施例1的图1相比，不同点在于本实施例除了具有主电路的负载驱动输出部30(相当于图1的负载驱动输出部3)以外，还具有用作负载驱动输出部30的冗余系统的冗余输出部31。在丧失主电路的负载驱动输出部30的负载驱动功能时，通过切换至冗余电路的负载驱动输出部(冗余输出部)31，能够维持负载驱动装置300的负载驱动功能。
作为将负载驱动输出部冗余化的例子，在具有马达驱动电路的EPS(ElectricPower Steering(电动助力转向系统))等车辆系统中，研究有通过功能的冗余化来提高安全性、可靠性，由于马达驱动部的故障概率相对高于其他部分，因此，通过将负载驱动输出部冗余化，即便负载驱动输出部发生故障，也可以切换至冗余系统，由此，能够避免丧失驱动功能、提高作为系统的可靠性。
如图7所示，本实施例的负载驱动装置300具备具有负载驱动输出部30的半导体芯片1，负载驱动输出部30具备以围绕为MOSFET的MOS00及MOS01的方式形成的元件间绝缘分离结构即DTI20。
在元件间绝缘分离结构DTI20的内侧也就是形成MOS00及MOS01等元件的区域内形成有第1漏电流检测元件101，在元件间绝缘分离结构DTI20的外侧也就是不形成MOS00及MOS01等元件的区域内形成有第2漏电流检测元件100。
此外，如实施例1中叙述过的图3及图4所示，具备故障检测部10，该故障检测部10在第1漏电流检测元件101与第2漏电流检测元件100之间设置有电位差时检测到规定值以上的电流的情况下判断为负载驱动装置300的故障。(图7中未图示)
本实施例的半导体芯片1区别于主电路的负载驱动输出部30而另行具备设置在冗余电路中的负载驱动输出部(冗余输出部)31。负载驱动输出部(冗余输出部)31具备以围绕为MOSFET的MOS10及MOS11的方式形成的元件间绝缘分离结构即DTI21。
在元件间绝缘分离结构DTI21的内侧也就是形成MOS10及MOS11等元件的区域内形成有第3漏电流检测元件111，在元件间绝缘分离结构DTI21的外侧也就是不形成MOS10及MOS11等元件的区域内形成有第4漏电流检测元件110。
本实施例的负载驱动装置300以上述方式构成，在第1漏电流检测元件101与第2漏电流检测元件100之间设置有电位差时故障检测部10检测到规定值以上的电流而判断为故障、而且第3漏电流检测元件111与第4漏电流检测元件110之间设置有电位差时故障检测部10检测到规定值以下的电流的情况下，从负载驱动输出部30切换至负载驱动输出部(冗余输出部)31。
此处，为MOSFET的MOS00和MOS01以及MOS10和MOS11可像图7所示那样分别被DTI200和DTI 201以及DTI 210和DTI 211单独围绕。此外，负载驱动输出部30和负载驱动输出部(冗余输出部)31可像图7所示那样以将主电路与冗余电路绝缘分离的方式分别被DTI22、DTI23围绕。
图8展示图7所示的负载驱动装置300的输出电路例。负载驱动装置300由负载驱动输出部30及其冗余输出部(负载驱动输出部)31构成。负载驱动输出部30由漏极侧连接到电源VH0、源极侧连接到输出OUT0的Nch LDMOS即MOS00和漏极侧连接到输出OUT0、源极侧连接到接地GND0的Nch LDMOS即MOS01构成，输出OUT0连接到负载40，通过MOS00的栅极信号GATE00以及MOS01的栅极信号GATE01的H电平、L电平所引起的MOSFET即LDMOS的漏极-源极间的导通/断开来进行负载40的驱动。
此外，冗余输出部(负载驱动输出部)31由漏极侧连接到电源VH1、源极侧连接到输出OUT1的Nch LDMOS即MOS10和漏极侧连接到输出OUT1、源极侧连接到接地GND1的NchLDMOS即MOS11构成，输出OUT1连接到负载41，通过MOS10的栅极信号GATE10以及MOS11的栅极信号GATE11的H电平、L电平所引起的MOSFET即LDMOS的漏极-源极间的导通/断开来进行负载41的驱动。
关于负载驱动输出部30及冗余输出部31，可以分别通过漏电流检测元件100、101以及漏电流检测元件110、111而使用实施例1的图3所示的故障检测部10来诊断DTI20及DTI21的绝缘耐压降低这一情况。
通过漏电流检测元件100、101对负载驱动输出部30实施DTI20的故障诊断，在判明绝缘耐压已降低的情况下，在使用负载驱动装置300时有可能因干扰电涌的影响等而发生绝缘耐压降低，冗余输出部(负载驱动输出部)31中也可能产生了该影响。因此，在对负载驱动输出部30检测到故障的情况下，通过漏电流检测元件110、111对冗余输出部(负载驱动输出部)31实施DTI21的故障诊断，在确认绝缘耐压未降低之后，将负载驱动装置300的负载驱动功能从负载驱动输出部30切换至冗余输出部(负载驱动输出部)31。
如以上所说明，根据本实施例，除了能够诊断因使用负载驱动装置时的干扰电涌的影响或者经时劣化而导致DTI的绝缘耐压降低这一情况以外，在为将负载驱动输出部冗余化的构成的情况下，还能在诊断冗余系统的电路块的电性分离无问题之后切换至冗余系统，能够提高负载驱动装置的可靠性。
再者，图7展示的是构成负载驱动装置300的负载驱动输出部30及其冗余输出部(负载驱动输出部)31搭载于同一半导体芯片1的例子，但也可为负载驱动输出部30及其冗余输出部(负载驱动输出部)31分别搭载于不同半导体芯片的构成。
再者，本发明包含各种变形例，并不限定于上述实施例。例如，上述实施例是为了以易于理解的方式说明本发明所作的详细说明，并非一定限定于具备说明过的所有构成。此外，可以将某一实施例的构成的一部分替换为其他实施例的构成，此外，也可以对某一实施例的构成加入其他实施例的构成。此外，可以对各实施例的构成的一部分进行其他构成的追加、删除、替换。
此外，控制线、信号线展示的是认为说明上需要的部分，在产品上未必展示了所有控制线、信号线。
再者，本发明还具有以下附注的特征。
(附注1)
一种负载驱动装置的故障诊断方法，所述负载驱动装置搭载有半导体芯片，该负载驱动装置的故障诊断方法的特征在于，
在形成于所述半导体芯片的半导体基板上的控制负载驱动的MOSFET的同一区域内设置的第1漏电流检测元件和通过DTI与形成所述MOSFET的区域绝缘分离的区域内设置的第2漏电流检测元件之间设置电位差，
在检测到规定值以上的电流的情况下，诊断为所述负载驱动装置的故障。
(附注2)
根据上文(附注1)所述的负载驱动装置的故障诊断方法，其特征在于，
在诊断为所述负载驱动装置的故障、而且在形成所述负载驱动装置的冗余电路的半导体基板上的控制负载驱动的MOSFET的同一区域内设置的第3漏电流检测元件和通过DTI与形成所述冗余电路的MOSFET的区域绝缘分离的区域内设置的第4漏电流检测元件之间设置电位差而检测到规定值以下的电流的情况下，将负载驱动功能切换至所述冗余电路。
(附注3)
一种负载驱动装置的故障诊断方法，所述负载驱动装置搭载有半导体芯片，该负载驱动装置的故障诊断方法的特征在于，
对形成于所述半导体芯片的半导体基板上的控制负载驱动的MOSFET的同一区域内设置的第1漏电流检测元件和通过DTI与形成所述MOSFET的区域绝缘分离的区域内设置的第2漏电流检测元件之间施加电流，
在检测到规定值以下的电压的情况下，诊断为所述负载驱动装置的故障。
(附注4)
根据上文(附注3)所述的负载驱动装置的故障诊断方法，其特征在于，
在诊断为所述负载驱动装置的故障、而且对形成所述负载驱动装置的冗余电路的半导体基板上的控制负载驱动的MOSFET的同一区域内设置的第3漏电流检测元件和通过DTI与形成所述冗余电路的MOSFET的区域绝缘分离的区域内设置的第4漏电流检测元件之间施加电流而检测到规定值以上的电压的情况下，将负载驱动功能切换至所述冗余电路。
符号说明
1半导体芯片，20、21、22、23、200、201、210、211 DTI，3、30、31负载驱动输出部，4、40、41负载，5层间膜，6半导体基板，70、71线路，80、81导电层，90、91半导体层，10故障检测部，11电流检测电路，12电流源，13电压检测电路，100、101、110、111漏电流检测元件，300负载驱动装置，VH电源，GND接地，MOS MOSFET，GATE栅极信号，OUT输出(信号)，DET故障检测信号。

Claims (12)

1.一种负载驱动装置，其搭载有半导体芯片，该负载驱动装置的特征在于，
所述半导体芯片具备形成于半导体基板上的负载驱动输出部，
所述负载驱动输出部具有形成控制负载驱动的MOSFET的第1区域和通过DTI与所述第1区域绝缘分离的第2区域，
该负载驱动装置具备：
第1漏电流检测元件，其设置在所述第1区域；
第2漏电流检测元件，其设置在所述第2区域；以及
故障检测部，其判断所述负载驱动输出部的故障。
2.根据权利要求1所述的负载驱动装置，其特征在于，
所述故障检测部在所述第1漏电流检测元件及所述第2漏电流检测元件之间设置电位差，在检测到规定值以上的电流的情况下，判断为所述负载驱动输出部的故障。
3.根据权利要求1所述的负载驱动装置，其特征在于，
所述故障检测部对所述第1漏电流检测元件及所述第2漏电流检测元件之间施加电流，在检测到规定值以下的电压的情况下，判断为所述负载驱动输出部的故障。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的负载驱动装置，其特征在于，
所述半导体芯片具备所述负载驱动输出部的冗余输出部，
所述冗余输出部具有形成控制负载驱动的MOSFET的第3区域和通过DTI与所述第3区域绝缘分离的第4区域，
该负载驱动装置具备：
第3漏电流检测元件，其设置在所述第3区域；以及
第4漏电流检测元件，其设置在所述第4区域。
5.根据权利要求4所述的负载驱动装置，其特征在于，
在所述故障检测部判断为所述负载驱动输出部的故障、而且在所述第3漏电流检测元件及所述第4漏电流检测元件之间设置电位差而检测到规定值以下的电流的情况下，将负载驱动功能从所述负载驱动输出部切换至所述冗余输出部。
6.根据权利要求4所述的负载驱动装置，其特征在于，
在所述故障检测部判断为所述负载驱动输出部的故障、而且对所述第3漏电流检测元件及所述第4漏电流检测元件之间施加电流而检测到规定值以上的电压的情况下，将负载驱动功能从所述负载驱动输出部切换至所述冗余输出部。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的负载驱动装置，其特征在于，
具备形成于不同于所述半导体芯片的别的半导体芯片的半导体基板上的所述负载驱动输出部的冗余输出部，
所述冗余输出部具有形成控制负载驱动的MOSFET的第3区域和通过DTI与所述第3区域绝缘分离的第4区域，
该负载驱动装置具备：
第3漏电流检测元件，其设置在所述第3区域；以及
第4漏电流检测元件，其设置在所述第4区域。
8.根据权利要求7所述的负载驱动装置，其特征在于，
在所述故障检测部判断为所述负载驱动输出部的故障、而且在所述第3漏电流检测元件及所述第4漏电流检测元件之间设置电位差而检测到规定值以下的电流的情况下，将负载驱动功能从所述负载驱动输出部切换至所述冗余输出部。
9.根据权利要求7所述的负载驱动装置，其特征在于，
在所述故障检测部判断为所述负载驱动输出部的故障、而且对所述第3漏电流检测元件及所述第4漏电流检测元件之间施加电流而检测到规定值以上的电压的情况下，将负载驱动功能从所述负载驱动输出部切换至所述冗余输出部。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的负载驱动装置，其特征在于，
以车载诊断的方式进行所述故障检测部对所述负载驱动输出部的故障判断。
11.根据权利要求10所述的负载驱动装置，其特征在于，
在所述负载驱动装置刚进行负载驱动之后或者电源断开之前进行所述故障检测部对所述负载驱动输出部的故障判断。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的负载驱动装置，其特征在于，
所述半导体基板为SOI基板。
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