JP4608805B2 - 絶縁分離型半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、トレンチ分離技術を用いて素子の絶縁分離を行うようにした絶縁分離型半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
この種の絶縁分離型半導体装置は、シリコン基板上に絶縁分離層を介して単結晶シリコン層を形成したSOI(Silicon On Insulator)基板を利用して製造することが一般的となっている。具体的には、SOI基板の単結晶シリコン層に、その表面から絶縁分離膜まで達する矩形枠形状の絶縁分離トレンチを形成し、それらトレンチ内に互いに絶縁された複数の素子形成領域を形成する構成となっている。このような半導体装置において、複数の素子形成領域を囲むトレンチの平面レイアウトは、従来より、図11に模式的に示すような状態とすることが行われている。即ち、図11に示した半導体チップの例では、SOI基板1上に島状に設定された2個の素子形成領域2a、2bをそれぞれ独立して囲んだ形態の絶縁分離トレンチ3a、3bが形成された構成となっている。
【0003】
このようなレイアウトは、例えば特開平8−83830号公報に見られるように、トレンチに絶縁不良がある半導体チップを検査工程においてリジェクトすることを目的として採用されるものである。そこで、以下においては、このような検査方法及びその検査に必要な関連構成について説明する。
【0004】
即ち、図12(a)には、図11に平面レイアウトを示した半導体チップの要部の断面構造が模式的に示されている(寸法比は正確ではない)。この図12 (a)において、前記素子形成領域2a、2b及びトレンチ3a、3bは、SOI基板1の単結晶シリコン層1Aに形成されるものであり、特にトレンチ3a、3bは当該SOI基板1の絶縁分離膜1Bまで到達するように形成されている。尚、この例では、各素子形成領域2a、2bに、構造的には縦型となるnpnトランジスタ4a、4bが形成された状態を示している。
【0005】
今、一方のトランジスタ4aに対応した絶縁分離トレンチ3a及び絶縁分離膜1Bの絶縁耐圧を検査する例について述べるに、このような検査のために、素子形成領域2a、2b及びトレンチ3a、3bの周囲のフィールド領域5上に、当該フィールド領域5と電気的に接続された検査用の電極パッド6と、トランジスタ4aのコレクタ電極と電気的に接続された状態の電極パッド7とが設けられる。この場合、フィールド領域5上には層間絶縁膜8(図12参照)が形成されており、上記電極パッド6、7は、この層間絶縁膜8上に形成されるものである。尚、図12に示すように、フィールド領域5には、電極パッド6とオーミックコンタクトをとるためのN+ 高濃度層が形成される。また、トランジスタ4a、4bのコレクタ電極も、層間絶縁膜8上に形成される配線膜とオーミックコンタクトをとるためにN+ 高濃度層として形成されている。
【0006】
そして、電極パッド6及び7間に、直流電圧源9から絶縁分離構造部分の保証耐圧に応じたレベルの検査用電圧を印加し(極性は図12(a)に示した状態と逆でも良い)、これに伴い電極パッド6及び7間にリーク電流が流れるか否かを電流計10により検出する。この場合、図12(a)と同等の断面構造を模式的に示す図12(b)のように、トレンチ3aに当該トレンチ3aの底部が絶縁分離膜1Bまで到達していないという絶縁欠陥がある場合には、その欠陥部分を通じて電極パッド6及び7間にリーク電流が流れるから、そのリーク電流の有無をもって絶縁不良の検出(絶縁耐圧の検査)を行い得る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような平面レイアウトでは、フィールド領域5のうち各素子形成領域2a、2b間に位置する部分が、半導体チップ内でのデッドスペース(チップ用に必要ではあるが素子としての機能がないスペース)となるため、そのチップサイズの小形化の障害になるという問題点があった。
【0008】
一方、図13に示す平面レイアウトのように、矩形枠状をなす絶縁分離トレンチ3a、3bが互いに隣接する一辺を共用した形態、つまり、隣接する素子形成領域2a、2bが上記トレンチ3a、3bの共有辺部CSで互いに隣接した形態とすることにより、上記デッドスペースを排除する構成とすれば、チップサイズを小形化することが可能である。しかしながら、このような構成とした場合には、以下に述べるような問題点が発生する。
【0009】
即ち、図14(a)、(b)、(c)には、図13に平面レイアウトを示した半導体チップの要部の断面構造が模式的に示されている(寸法比は正確ではない)。この場合、図14(a)は、絶縁分離構造に欠陥がない状態の例、図14(b)は、例えばトレンチ3aにおけるフィールド領域5に面した部位の底部が絶縁分離膜1Bまで到達していない絶縁欠陥がある状態の例、図14(c)は、トレンチ3a、3bの共有辺部CSの底部が絶縁分離膜1Bまで到達していない絶縁欠陥がある状態の例である。ここで、図14(b)のような絶縁欠陥がある半導体チップにおいて、電極パッド6及び7間に直流電圧源9から検査用電圧を印加した場合には、その電極パッド6及び7間に上記欠陥部分を通じてリーク電流が流れるから、絶縁不良の検出が可能である。しかし、図14(c)のような絶縁欠陥がある半導体チップにおいては、電極パッド6及び7間にリーク電流が流れないため、絶縁不良の検出が不可能となって絶縁欠陥がある半導体チップをリジェクトできなくなるという問題点が出てくる。
【0010】
尚、図14(c)の場合において、例えば、トランジスタ4aのコレクタ電極と接続された電極パッド7と、トランジスタ4bのコレクタ電極と接続した図示しない電極パッドとの間に検査用電圧を印加する構成とすれば、共有辺部CSでの絶縁欠陥を検出可能に見える。しかし、実際にはトランジスタ4a、4bは、各間が配線パターンなどにより電気的に接続されていて電位的に独立していないため、これらの間に検査用電圧を印加しが場合に、絶縁欠陥に起因するリーク電流を検出することがきわめて困難になるものであり、実際には上記問題点を解決できない。
【0011】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、隣接する素子間で絶縁分離トレンチを共用することによりサイズの小形化を図った場合であっても絶縁分離トレンチでの欠陥を確実に検出可能となる絶縁分離型半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
【0018】
請求項1記載の絶縁分離型半導体装置の製造方法によれば、支持基板上に当該支持基板と電気的に絶縁した状態で形成された半導体層に対し、その絶縁機能部分に達するトレンチを形成するトレンチエッチング工程において、仮に、そのトレンチが絶縁機能部分まで到達しないという加工不良があった場合、その底部に残存した半導体層は、この後にトレンチの絶縁分離のために行われる側壁酸化工程において表面側から熱酸化されることになる。従って、このように酸化された半導体層がトレンチ底部に残存したままになった場合には、その後においてトレンチ内に導電性充填物に相当したポリシリコンが充填されたとしても、そのポリシリコンと半導体層との間の導通がなくなる。このため、絶縁分離トレンチが絶縁機能部分まで到達していないという絶縁欠陥がある状態を検査する際に、本来、ポリシリコン及び半導体層を通じて流れるはずのリーク電流が流れなくなって、その検査が不可能になる。しかし、この製造方法によれば、トレンチの底部が絶縁機能部分まで到達しないという加工不良に起因して当該トレンチの底部に酸化された半導体層が存在した状態となったとしても、その酸化半導体層は、側壁酸化工程の後に行われるマスク除去工程、つまり、トレンチエッチングマスクの酸化半導体膜を異方性ドライエッチングにより除去する工程において、そのエッチングマスク用の酸化半導体膜と同時に除去されることになる。この結果、絶縁分離トレンチが絶縁機能部分まで到達していないという絶縁欠陥が発生した場合でも、トレンチ内に充填されたポリシリコンと半導体層との間の導通が確保されるから、その絶縁欠陥の有無の検査を確実に行い得るようになる。
【0019】
請求項2記載の製造方法によれば、絶縁分離トレンチをポリシリコンにより埋め戻すトレンチ埋め戻し工程において、当該ポリシリコンに不純物がドーピングされてその抵抗値が引き下げられるようになるから、ポリシリコンの導電性充填物としての機能が向上するようになる。
【0020】
請求項3記載の製造方法によれば、絶縁膜上のポリシリコンを絶縁分離トレンチ内のポリシリコンと繋がった形状にパターニングしてポリシリコン電極膜を形成する電極膜形成工程において、その絶縁膜上のポリシリコンを他の素子用の電極パターン形状に合わせてパターニングすることにより当該ポリシリコンを他の素子用の電極パターン(例えばMOSトランジスタ用のゲート電極が考えられる)として兼用する構成となっているから、その製造工程の簡略化を図り得るようになる。
【0021】
【発明の実施の形態】
(第1の実施の形態)
以下、本発明の第1実施例について図1ないし図5を参照しながら説明する。
図1には、本実施例による絶縁分離型半導体装置の平面レイアウトの要部が模式的に示されている。この図1において、半導体チップを構成するSOI基板11上には、島状に設定された2個の素子形成領域12a、12bが形成されている。これら素子形成領域12a、12bは、それぞれを包囲するように配置された矩形枠状の絶縁分離トレンチ13群により区分されたものであるが、当該トレンチ13は、互いに隣接する一辺を共用した形態、つまり、隣接する素子形成領域12a、12bが上記トレンチ13の共有辺部CSで互いに隣接した形態とされている。
【0022】
図2(a)には、図1の半導体チップの要部の断面構造が模式的に示されている(寸法比は正確ではない)。この図2(a)において、前記SOI基板11は、単結晶シリコン基板11A(本発明でいう支持基板に相当)上に、酸化シリコン膜より成る絶縁分離膜11B(絶縁機能部分に相当)を介して単結晶シリコン層11C(半導体層に相当)を形成した周知構成のものである。そして、前記素子形成領域12a、12b及びトレンチ13は、SOI基板11の単結晶シリコン層11Cに形成されるものであり、特にトレンチ13は当該SOI基板11の絶縁分離膜11Bまで到達するように形成されている。尚、この実施例では、各素子形成領域12a、12bに、構造的には縦型となるnpnトランジスタ14a、14bを形成した状態を示している。
【0023】
上記のような半導体チップにおいて、絶縁分離トレンチ13及び絶縁分離膜11Bの絶縁耐圧を検査するために、トレンチ13の周囲のフィールド領域15上に、当該フィールド領域15と電気的に接続された電極パッド16と、トランジスタ14aのコレクタ電極と電気的に接続された状態の電極パッド17と、絶縁分離トレンチ13内に充填された埋込ポリシリコン18(本発明でいう導電性充填物に相当)に電気的に接続された状態の電極パッド19(トレンチ用電極に相当)とが設けられる。この場合、フィールド領域15上には層間絶縁膜20(図2参照)が形成されており、上記電極パッド16、17、19は、この層間絶縁膜20上に形成されるものである。尚、図2に示すように、フィールド領域15には、電極パッド16とオーミックコンタクトをとるためのN+ 高濃度層が形成される。また、トランジスタ14a、14bのコレクタ電極も、層間絶縁膜20上に形成される配線膜とオーミックコンタクトをとるためにN+ 高濃度層として形成されている。
【0024】
上記のような構成において、トレンチ13の絶縁不良がある半導体チップをリジェクトするための検査を行う場合には、図2(a)に示すように、電極パッド17と互いに接続した状態の電極パッド16及び19との間に、直流電圧源21から絶縁分離構造部分の保証耐圧に応じたレベルの検査用電圧を印加し(極性は図2に示した状態と逆でも良い)、これに伴い電極パッド17と電極パッド16及び19との間にリーク電流が流れるか否かを電流計22により検出する。この場合、図2(a)の例のように、トレンチ13の底部が絶縁分離膜11Bまで到達している状態であった場合(つまり、絶縁欠陥がない場合)には、上記リーク電流が流れることがないから、検査の結果が正常であると判断できる。
【0025】
これに対して、図2(a)と同等の断面構造を模式的に示す図2(b)、(c)に示すように、絶縁分離トレンチ13におけるフィールド領域15に面した部位の底部が絶縁分離膜11Bまで到達していない絶縁欠陥がある場合や、トレンチ13の共有辺部CSの底部が絶縁分離膜11Bまで到達していない絶縁欠陥がある場合には、何れの場合においても、その欠陥部分(及び埋込ポリシリコン18)を通じてリーク電流が流れるようになる。
【0026】
従って、本実施例の構成によれば、検査工程時において、絶縁分離トレンチ13での欠陥を確実に検出可能になるものであり、この結果、絶縁欠陥がある半導体チップを間違いなくリジェクト可能となるから、製品の信頼性向上に大きく寄与できるようになる。また、絶縁分離トレンチ13が互いに隣接する一辺を共用した形態、つまり、隣接する素子形成領域12a、12bが上記トレンチ13の共有辺部CSで互いに隣接した形態となっているから、フィールド領域15中から従来構成(図11、図12参照)のようなデッドスペースを排除できるようになって、チップサイズの小形化を実現できるようになる。尚、本実施例の構成によれば、半導体チップの表面に電極パッド16、17、19が設けられているから、前記検査用の電圧の印加を、例えば、電極パッド17及び19にそれぞれ接触されるプローブを用いて容易に行い得るものであり、絶縁分離トレンチ13での欠陥を検査する作業を簡単に行うことができる。
【0027】
ここで、上記のような検査を可能にするためには、トレンチ13の底部が絶縁分離膜11Bまで到達していないという絶縁欠陥が発生した状態において、そのトレンチ13の底部に酸化膜が存在しない形態(埋込ポリシリコン18がSOI基板11の単結晶シリコン層11Cと電気的に導通した形態)となることが前提となる。このような形態を確実に実現するためには、トレンチ13を形成するための製造工程に工夫を加える必要がある。そこで、以下においては、このような工夫を加えた本実施例による絶縁分離型半導体装置の製造方法について説明する。
【0028】
即ち、図3には、本実施例によるトレンチ形成のための各工程が模式的な断面図(要部のみ示す:寸法比は正確ではない)によりに示されており、以下、各工程の内容について個別に説明する。
【0029】
(a)マスク形成工程
まず、図3(a)に示すように、SOI基板11の単結晶シリコン層11C上に、酸化シリコン膜31(絶縁膜に相当)、ポリシリコン膜32(ストッパ膜に相当)、酸化シリコン膜33(酸化半導体膜に相当)を順次成膜すると共に、その三層構造膜をフォトエッチング技術を利用してパターンニングすることによって所定位置に開口部34を形成し、以て層構造のトレンチエッチングマスクを形成する。
【0030】
ここで、トレンチを異方性エッチングする際のエッチングマスクとして機能する酸化シリコン膜33は、特に、深さ寸法が大きいトレンチを形成する場合に、そのトレンチエッチング時のマスク性を確保できる膜厚に設定される。具体的には、例えば、トレンチの深さが5μm以上の場合には、0.5〜1μm程度の膜厚が必要となる。また、酸化シリコン材料に対しエッチング選択性を有するポリシリコン膜32は、前記酸化シリコン膜33を除去する際のストッパの機能を果たすものであり、例えば約400nmの膜厚に成膜される。さらに、酸化シリコン膜31は、ポリシリコン膜32を成膜する際に下地の役目を果たすものである。
【0031】
この場合、SOI基板11の絶縁分離膜11Bは酸化シリコンより成るものであって、酸化シリコン膜33を後述のようにドライエッチングにより除去する際にトレンチ底部に露出した部分が同様にエッチングされるため、絶縁分離構造の保証耐圧に必要な膜厚が残存するような膜厚を備えた状態とされる。具体的には、例えば、保証耐圧を確保するために必要な絶縁分離膜11Bの膜厚が0.5μmであった場合に、酸化シリコン膜33の膜厚が1μmであったときには、絶縁分離膜11Bの膜厚は最低でも1.5μm必要となるが、実際には、その酸化シリコン膜33をドライエッチングにより除去する際のオーバーエッチング量も考慮して、絶縁分離膜11Bの膜厚を約2μm程度に設定したSOI基板11を用意することが望ましい(図1では寸法比を正しく表示していないので注意)。
【0032】
(b)トレンチエッチング工程
上記のようなマスク形成工程の後には、単結晶シリコン層11Cに対し酸化シリコン膜33をマスクとした状態の異方性ドライエッチングを行うことにより、図3(b)に示すように、絶縁分離膜11Bまで達するトレンチ35(図1及び図2に示した絶縁分離トレンチ13に相当)を形成する。
【0033】
(c)側壁酸化工程
上記トレンチエッチング工程の実行後に、トレンチ35の側壁を熱酸化することにより側壁酸化膜36を形成し、以てトレンチ35内と単結晶シリコン層11Cとの間を絶縁分離する(図3(c)参照)。尚、仮に、トレンチ35の底部が絶縁分離膜11Bまで到達していないという加工不良があった場合、その底部に残存した単結晶シリコン層11Cは、この側壁酸化工程において表面側から熱酸化されることになるが、この熱酸化により形成された酸化シリコン膜は次に述べるマスク除去工程において除去される。
【0034】
(d)マスク除去工程
トレンチエッチングマスクとして使用された酸化シリコン膜33を、ポリシリコン膜32をストッパとした異方性ドライエッチングにより除去する(図3(d)参照)。ここで、前述したように、トレンチ35の底部が絶縁分離膜11Bまで到達していないという加工不良部分があった場合には、そのトレンチ35の底部に単結晶シリコン層11Cの残存部分の表面が熱酸化された酸化シリコン膜が存在することになるが、この酸化シリコン膜は上記異方性ドライエッチングにより同時に除去されることになる。
【0035】
(e)ストッパ膜除去工程
上記エッチングマスク工程においてストッパとして使用されたポリシリコン膜32をドライエッチング技術により除去する(図3(e)参照)。
【0036】
(f)トレンチ埋め戻し工程
酸化シリコン膜31上の全面にCVD法によりポリシリコンを堆積することにより、トレンチ35を埋め戻した状態のポリシリコン膜37を成膜する(図3 (f)参照)。この場合、ポリシリコン膜37は、単結晶シリコン層11Cに作り込む素子で用いるポリシリコン膜(MOSトランジスタ用のゲート電極など)に兼用することも可能である。また、本実施例では、トレンチ35内に埋め込まれたポリシリコンを電極として利用するため、ポリシリコン膜37の堆積時において燐などの不純物をドーピングして抵抗値を下げる構成としている。
【0037】
(g)電極膜形成工程
ポリシリコン膜37上にフォトレジスト膜38を成膜すると共に、そのフォトレジスト膜38をトレンチ35の形状に合わせてパターニングし、パターニング後のフォトレジスト膜38をマスクとしてポリシリコン膜37のエッチング処理を行う(図3(g)参照)。これにより、トレンチ35に充填された状態の埋込ポリシリコン37a(図2に示した埋込ポリシリコン18に相当)及びこれに繋がった形状のポリシリコン電極膜37bが形成される。尚、ポリシリコン膜37を、MOSトランジスタのような素子のゲート電極などで用いるポリシリコン膜に兼用する場合には、この電極形成工程におけるフォトレジスト膜38の成膜/パターニング処理並びにエッチング処理も兼用することが可能になる。
【0038】
(h)トレンチ用電極形成工程
例えば、ポリシリコン電極膜37bの表面を熱酸化して層間絶縁膜39を成膜すると共に、その上を覆うようにして例えばBPSGより成る層間絶縁膜40を形成し、さらに、それらの層間絶縁膜39、40にコンタクトホールを形成し、そのコンタクトホールを通じて埋込ポリシリコン37aと電気的に接続された状態の電極パッド41(図1に示した電極パッド19に相当)を例えばアルミニウムにより形成する(図3(h)参照)。
【0039】
しかして、上述したような製造方法を採用したときには、トレンチエッチング工程(図3(b))で形成したトレンチ35の底部が絶縁分離膜11Bまで到達していないという加工不良が発生した場合に、その後に行われる側壁酸化工程 (図3(c))において、トレンチ35の底部に残存した単結晶シリコン層11Cが熱酸化形成されて酸化シリコン膜が形成されることになるが、この酸化シリコン膜は、その後に行われるにマスク除去工程(図3(d))において酸化シリコン膜33と同時に除去されることになる。
【0040】
従って、前述した図2(b)及び(c)に示すような絶縁欠陥が発生した場合、つまり、トレンチ13の底部が絶縁分離膜11Bまで到達していないという絶縁欠陥が発生した場合においても、そのトレンチ13の底部に酸化膜が存在しない形態(埋込ポリシリコン18がSOI基板11の単結晶シリコン層11Cと電気的に導通した形態)となるから、前述した検査工程時においては、上記欠陥部分(及び埋込ポリシリコン18)を通じてリーク電流が流れるようになり、以て絶縁分離トレンチ13での欠陥を確実に検出可能になる。
【0041】
因みに、従来において一般的に行われているトレンチ形成工程は、図4に模式的な断面図により示す通りであり、以下これについて説明する。
【0042】
(a)マスク形成工程
まず、図4(a)に示すように、SOI基板11の単結晶シリコン層11C上に、酸化シリコン膜51、窒化シリコン膜52、酸化シリコン膜53を順次成膜すると共に、その三層構造膜をフォトエッチング技術を利用してパターンニングすることによって所定位置に開口部54を形成する。
【0043】
ここで、酸化シリコン膜53は、トレンチを異方性エッチングする際のエッチングマスクとして機能する。また、窒化シリコン膜52は、上記酸化シリコン膜53を除去する際のストッパの機能を果たすものであり、酸化シリコン膜51は、窒化シリコン膜52を成膜する際の応力緩和の役目を果たすものである。
【0044】
(b)トレンチエッチング工程
上記のようなマスク形成工程の後には、単結晶シリコン層11Cに対し酸化シリコン膜53をマスクとした状態の異方性ドライエッチングを行うことにより、図4(b)に示すように、単結晶シリコン層11Cに絶縁分離膜11Bまで達するトレンチ55を形成する。
【0045】
(c)側壁酸化工程
上記トレンチエッチング工程の実行後に、トレンチ55の側壁を熱酸化することにより側壁酸化膜56を形成する(図4(c)参照)。尚、仮に、トレンチ55の底部が絶縁分離膜11Bまで到達していないという加工不良があった場合、その底部に残存した単結晶シリコン層11Cは、この側壁酸化工程において表面側から熱酸化されることになる。
【0046】
(d)トレンチ埋め戻し工程
酸化シリコン膜53上の全面にCVD法によりポリシリコンを堆積することにより、トレンチ55を埋め戻した状態のポリシリコン膜57を成膜する(図4 (d)参照)。
【0047】
(e)エッチバック工程
酸化シリコン膜53をストッパとしたドライエッチング処理または化学的機械研磨処理を行うことにより、ポリシリコン膜57を酸化シリコン膜53の面までエッチバックする(図4(e)参照)。
【0048】
(f)マスク除去工程
トレンチエッチングマスクとして使用された酸化シリコン膜53を、窒化シリコン膜52をストッパとしたウエットエッチングにより除去する(図4(f)参照)。
【0049】
(g)ポリシリコン膜除去工程
トレンチ55の上部に突き出した状態のポリシリコン膜57を、窒化シリコン膜52をマスクとしたドライエッチングにより除去する(図4(g)参照)。
【0050】
(h)ポリシリコン膜酸化工程
トレンチ55の上部に対応したポリシリコン膜57に対し熱酸化処理を施すことにより、トレンチ55の上部を酸化シリコン膜51と一体化された酸化シリコン膜で覆った状態とする(図4(h)参照)。
【0051】
(i)窒化シリコン膜除去工程
窒化シリコン膜52を、酸化シリコン膜51とエッチング選択性がある処理液によりウエットエッチングして除去する(図4(i)参照)。
【0052】
このような従来技術によるトレンチ形成方法を利用して、外部の電極パッドと電気的に接続されたトレンチ構造(本実施例の構成のように、絶縁分離トレンチ13内に充填された埋込ポリシリコン18と電気的に接続された状態の電極パッド19を設ける構造)とする場合には、例えば、図4(g)のポリシリコン膜除去工程の後に、窒化シリコン膜52を除去して電極用のポリシリコン膜を別途に形成する方法や、図4(i)の窒化シリコン膜除去工程の後に、酸化シリコン膜51にコンタクトホールを開口して別途に電極を形成するという方法が考えられる。しかしながら、何れの方法も、図3に示した本実施例の製造方法に比べて工数が増大して製造コストが高騰するという問題点がある。
【0053】
また、仮に、上記のような従来技術による方法によって、外部の電極パッドと電気的に接続されたトレンチ構造を設けて、本実施例のような絶縁欠陥の検査を行う構成とした場合には、次に述べるような問題点が出てくる。つまり、図4の製造方法では、例えば、(b)のトレンチエッチング工程において、トレンチ55の底部が絶縁分離膜11Bまで到達していないという加工不良があった場合には、その後に行われる(c)の側壁酸化工程において、トレンチ55の底部に残存した単結晶シリコン層11Cが熱酸化されて酸化シリコン膜が形成されることになる。この結果、上記のような従来のトレンチ形成方法を用いて、本実施例のような絶縁分離型半導体装置を製造した場合には、前記図2(b)と同等の断面構造を模式的に示す図5のように、トレンチ13の底部に側壁酸化膜と連続した酸化シリコン膜が残るため、前記検査工程時において本来流れるはずのリーク電流が流れなくなる。このため、図5に示すような絶縁欠陥がある不良チップのリジェクトが不可能なる。
【0054】
(第2の実施の形態)
図6ないし図10には本発明の第2実施例が示されており、以下これについて前記第1実施例と異なる部分のみ説明する。
本実施例による絶縁分離型半導体装置の平面レイアウトを模式的に示す図6において、ICチップを構成するSOI基板61上には、アナログ回路や論理回路のような制御用素子が形成される素子形成領域62群と、パワートランジスタのような電力用素子が形成される例えば2個の素子形成領域63とが形成されている。この場合、素子形成領域62のための絶縁分離トレンチ64と素子形成領域63のための絶縁分離トレンチ65は、互いに独立した形態で形成されているが、それらトレンチ64、65は、互いに隣接する一辺を共用した形態、つまり、隣接する素子形成領域62が上記トレンチ64の共有辺部で互いに隣接した形態とされ、隣接する素子形成領域63が上記トレンチ65の共有辺部で互いに隣接した形態とされている。
【0055】
SOI基板61上には、トレンチ64、65の周囲のフィールド領域66上に当該フィールド領域66と電気的に接続された電極パッド67が層間絶縁膜(図示せず)を介して設けられており、また、その図示しない層間絶縁膜上に以下に述べるような電極パッド68〜72が設けられている。即ち、素子形成領域62と電気的に接続された電極パッド68、トレンチ64内に充填された埋込ポリシリコン(図示せず)と電気的に接続された電極パッド69(トレンチ用電極に相当)、素子形成領域63と電気的に接続された電極パッド70、トレンチ65内に充填された埋込ポリシリコン(図示せず)と電気的に接続された電極パッド71(トレンチ用電極に相当)、回路グラウンド用配線パターン72aと電気的に接続された電極パッド72が設けられている。尚、図示しないが、実際には上記電極パッド67〜72以外にも種々の電極パッドが設けられている。
【0056】
このような構成において、トレンチ64、65に絶縁不良があるICチップをリジェクトするための検査を行う場合には、例えば図6中に示すように、電極パッド68及び70と電極パッド67、69及び71との間に、直流電圧源21から絶縁分離構造部分の保証耐圧に応じたレベルの検査用電圧を印加し(極性は図6に示した状態と逆でも良い)、これに伴い電極パッド68及び70と電極パッド67、69及び71との間にリーク電流が流れるか否かを電流計22により検出する。
【0057】
この場合、本実施例においても、トレンチ64、65は前記第1実施例と同じ製造方法により形成されるものであり、従って、上記検査時において第1実施例と同様の効果が得られる。
【0058】
一方、上記ICチップを実装する際には、図7に示すように、当該ICチップ(SOI基板61)をリードフレームのアイランド73上に固定すると共に、各電極パッド67〜72を当該リードフレームのインナリードに対しワイヤボンディングにより接続するものである。この場合、制御用素子が形成される素子形成領域62のためのトレンチ64に接続された電極パッド69は、電源電圧+Vccが与えられるインナリード74aに対して電極パッド68と共に接続され、以て、電源電圧+Vccの電位レベルに固定される。また、電力用素子が形成される素子形成領域63のためのトレンチ65に接続された電極パッド71は、グランド端子GNDに接続されるインナリード74bに対して電極パッド67及び72と共に接続され、以て、グランド電位レベルに固定される。尚、電極パッド70は、他のインナリード74cに接続される。
【0059】
このような構成によれば、ICチップの実装状態において、制御用素子が形成される素子形成領域62のための絶縁分離トレンチ64と、比較的大きな電流が流れる電力用素子が形成される素子形成領域63のための絶縁分離トレンチ65とが互いに独立した形態で形成され、しかも、各絶縁分離トレンチ64、65に接続された電極パッド69、71がそれぞれ電源電圧+Vccに対応した電位レベル及びグランド電位レベルに固定されているから、例えば、電力用素子のスイッチングノイズが制御用素子の動作に悪影響を与える事態を未然に防止できるなど、その動作信頼性の向上を図り得るようになる。
【0060】
また、特に、絶縁分離トレンチ64に接続された電極パッド69が電源電圧+Vccに対応した電位レベルに固定されているから、次に述べるような効果も奏するようになる。即ち、図8(a)及び(b)には、一つの素子形成領域62及びその周囲の絶縁分離トレンチ64の平面レイアウト及び断面構造が模式的に示されている。この場合、素子形成領域62には、図9中に示したカレントミラー回路のための回路素子75が形成されるものであり、この回路素子75は2個のpnp型トランジスタ76a、76bにより構成されている。素子形成領域62には、上記トランジスタ76a、76bの各コレクタとなる二つのP+ 層76A、76Bが形成される。
【0061】
このようなレイアウトの場合、絶縁分離トレンチ64の側壁酸化膜64aをキャパシタンスとした寄生MOS動作が発生することがある。例えば、図8の例において、フィールド領域がグランド電位レベルに固定された状態でP+ 層76A、76Bに対し異なる電圧が印加されると、素子形成領域62における絶縁分離トレンチ64寄りの領域に反転層(図8(b)に符号77を付して示す)が形成されて、寄生PチャネルMOSトランジスタ78に電流が流れる現象が発生する。このような現象が発生したときには、図9の回路において、端子79、80間に電流が流れてカレントミラー回路としての機能に障害が出るなどの問題点が起きる。しかしながら、本実施例の構成では、絶縁分離トレンチ64に接続された電極パッド69、つまり、上記寄生PチャネルMOSトランジスタ78のゲート電極に相当する部分が電源電圧+Vccの電位レベルに固定されているから、当該寄生PチャネルMOSトランジスタ78が能動化する事態が確実に防止され、上記のような機能障害を招く恐れがなくなるものである。
【0062】
尚、この実施例では、寄生PチャネルMOSトランジスタ78の能動化を防止するために、電極パッド69を電源電圧の電位レベルに固定する構成としたが、図10に示すように、寄生PチャネルMOSトランジスタ78のゲート電極に相当する部分(つまり電極パッド69)をトランジスタ76a、76bのベース或いはエミッタに接続する状態とした場合でも、その寄生PチャネルMOSトランジスタ78の能動化を防止できるものであり、要は電極パッド69を寄生PチャネルMOSトランジスタ78のゲートしきい値電圧より高い電位とされたインナリードに接続すれば良いものである。
【0063】
(その他の実施の形態)
尚、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、次のような変形または拡張が可能である。
トレンチエッチングマスクとして、酸化シリコン膜31、ポリシリコン膜32、酸化シリコン膜33を積層したものを使用する構成としたが、ポリシリコン膜32に代えて窒化シリコン膜を使用しても良いなど、その構造を種々変形することが可能である。絶縁分離構造の欠陥検査時には、少なくともトレンチ用電極と素子形成領域との間に検査用電圧を印加すれば良いものである。
【0064】
単結晶シリコン基板11Aを支持基板としたSOI基板11を利用する例で説明したが、支持基板の材料としては、単結晶シリコン基板に限らず、他の半導体基板或いは絶縁性を有するセラミック基板やガラス基板などを用いることができ、特に、絶縁性を有する基板を用いる場合には絶縁分離膜(上記した各実施例の場合、酸化シリコン膜より成る絶縁分離膜11B)が不要になる(例えば、SOS(Silicon On Sapphire )基板を用いる場合が該当する)。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を示す絶縁分離型半導体装置の要部の模式的平面レイアウト図
【図2】同要部の模式的断面図((a)は絶縁欠陥がない例、(b)及び(c)は絶縁欠陥がある例)
【図3】製造工程の流れを示す模式的断面図
【図4】本実施例との対比を明確にするために示した従来技術による製造工程の流れを模式的に示す断面図
【図5】従来技術による製造工程により製造した場合の一例を示す図2(b)相当図
【図6】本発明の第2実施例を示す絶縁分離型半導体装置の模式的平面レイアウト図
【図7】実装例を示す図6相当図
【図8】(a)要部の模式的平面レイアウト図、(b)要部の模式的断面図
【図9】回路構成例を示す図
【図10】変形例を示す図9相当図
【図11】従来構成を示す絶縁分離型半導体装置の要部の模式的平面レイアウト図
【図12】同要部の模式的断面図((a)は絶縁欠陥がない例、(b)は絶縁欠陥がある例)
【図13】図11とは異なる従来構成を示す絶縁分離型半導体装置の要部の模式的平面レイアウト図
【図14】同要部の模式的断面図((a)は絶縁欠陥がない例、(b)及び(c)は絶縁欠陥がある例)
【符号の説明】
11はSOI基板、11Aは単結晶シリコン基板(支持基板)、11Bは絶縁分離膜(絶縁機能部分)、11Cは単結晶シリコン層(半導体層)、12a、12bは素子形成領域、13は絶縁分離トレンチ、15はフィールド領域、16、17は電極パッド、18は埋込ポリシリコン(導電性充填物)、19は電極パッド(トレンチ用電極)、31は酸化シリコン膜(絶縁膜)、32はポリシリコン膜(ストッパ膜)、33は酸化シリコン膜(酸化半導体膜)、34は開口部、35はトレンチ、36は側壁酸化膜、37はポリシリコン膜、37aは埋込ポリシリコン、37bはポリシリコン電極膜、39、40は層間絶縁膜、41は電極パッド(トレンチ用電極)、61はSOI基板、62、63は素子形成領域、64、65は絶縁分離トレンチ、66はフィールド領域、69は電極パッド(トレンチ用電極)、71は電極パッド(トレンチ用電極)を示す。
Claims (4)
- 支持基板上に当該支持基板と電気的に絶縁した状態で形成された半導体層に絶縁機能部分に達する絶縁分離トレンチにより区分された複数の素子形成領域を設けて成る絶縁分離型半導体装置の製造方法において、
前記半導体層上に、絶縁膜、酸化半導体材料に対しエッチング選択性を有する材料より成るストッパ膜、酸化半導体膜を順次成膜すると共に、それらの膜に前記絶縁分離トレンチの形成位置に対応した開口部を形成することにより層構造のトレンチエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、
前記半導体層に対し、前記トレンチエッチングマスクを使用した異方性ドライエッチングを行うことにより、前記開口部と対応した位置に前記絶縁機能部分に達するトレンチを形成するトレンチエッチング工程と、
前記トレンチの側壁に熱酸化により酸化半導体膜を形成して当該トレンチ内と前記半導体層との間を絶縁分離する側壁酸化工程と、
前記トレンチエッチングマスクの酸化半導体膜を前記ストッパ膜をストッパとした異方性ドライエッチングにより除去するマスク除去工程と、
前記ストッパ膜を除去するストッパ膜除去工程と、
前記絶縁膜上にポリシリコンを堆積して前記絶縁分離トレンチを当該ポリシリコンにより埋め戻すトレンチ埋め戻し工程と、
前記絶縁膜上のポリシリコンを前記絶縁分離トレンチ内のポリシリコンと繋がった形状にパターニングしてポリシリコン電極膜を形成する電極膜形成工程と、
前記ポリシリコン電極膜を覆う層間絶縁膜を形成すると共に、その層間絶縁膜に形成したコンタクトホールを通じて当該ポリシリコン電極膜と電気的に接続されたトレンチ用電極を形成するトレンチ用電極形成工程とを含み、
前記マスク除去工程において、底部が前記絶縁機能部分まで到達していない前記トレンチの底部に存在する酸化シリコン膜が、異方性ドライエッチングによって除去され、
前記トレンチ用電極形成工程の後に、前記素子形成領域、前記トレンチの周囲に形成されているフィールド領域、および前記トレンチに埋め込まれた導電性充填物に接続された前記トレンチ用電極の間に、検査用電圧を印加し、前記絶縁分離トレンチの欠陥を検出することを特徴とする絶縁分離型半導体装置の製造方法。 - 前記トレンチ埋め戻し工程では、前記絶縁膜上に堆積するポリシリコンに不純物をドーピングすることを特徴とする請求項1記載の絶縁分離型半導体装置の製造方法。
- 前記電極膜形成工程では、前記絶縁膜上のポリシリコンを他の素子用の電極パターン形状に合わせてパターニングすることにより当該ポリシリコンを他の素子用の電極パターンとして兼用することを特徴とする請求項1または2記載の絶縁分離型半導体装置の製造方法。
- 前記マスク除去工程における酸化シリコン膜は、前記トレンチの底部に残存する半導体層の表面が熱酸化されることにより生成することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の絶縁分離型半導体装置の製造方法。
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