JP3608520B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、素子分離絶縁膜によって絶縁分離されたMOSトランジスタを有する半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、例えばプレーナ型のMOSトランジスタは、シリコン等からなる半導体基板(以下、単に基板という)において、素子が素子分離絶縁膜により囲まれて周囲の素子から絶縁分離され、その素子分離絶縁膜により絶縁分離された領域内における基板の表層部に、ソース領域とドレイン領域とが形成されている。また、ソース領域とドレイン領域との間における基板をチャネル領域として、チャネル領域上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にゲート電極が形成されている。
【0003】
そして、ゲート電極に電圧を印加することによりソース領域とドレイン領域の間にチャネルが形成され、ソース領域とドレイン領域の間に電流が流れるようになる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
この様なMOSトランジスタにおいて電流能力を大きくするためには、素子全体の面積を大きくして素子分離絶縁膜間の距離を大きくしなければならない。しかし、素子全体の面積を大きくすると、近年の半導体装置の小型化の要求に応えることができない。
【0005】
本発明は、上記問題点に鑑み、素子面積を増加することなく電流能力を向上させることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、半導体基板(1)と、半導体基板に素子形成領域を形成すべく備えられた素子分離絶縁膜(2a、21、31a)と、素子形成領域において少なくとも半導体基板の表層部に形成されたソース領域(3)及びドレイン領域(4)と、ソース領域とドレイン領域との間における半導体基板をチャネル領域として、該チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜(5)と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極(6)とを有してなる半導体装置において、素子分離絶縁膜を挟んで素子形成領域に対する反対側の部位(2b、1c、31b)が、素子形成領域の周囲を囲むように配置されており、素子分離絶縁膜を挟んで前記素子形成領域に対する反対側の部位には、ゲート電極へのゲート電圧が印加されるようになっていることを特徴としている。
【0007】
本発明では、素子分離絶縁膜を挟んで素子形成領域に対する反対側の部位にゲート電圧を印加して、半導体基板におけるソース領域とドレイン領域との間のうち素子分離絶縁膜の側壁にもチャネルが形成されるようにすることで、素子面積を増加させなくてもチャネル幅を大きくすることができる。このため、素子面積を増加することなく電流能力を向上させることができる。
【0008】
この場合、請求項2に記載の発明の様に、素子形成領域の周囲を囲むように形成したトレンチ(2、31)と、トレンチの側壁に形成した側壁絶縁膜(2a、31a)と、トレンチの内部に充填した導電性のPolySi部材(2b、31b)とを有し、素子分離絶縁膜を側壁絶縁膜で構成し、素子分離絶縁膜を挟んで素子形成領域に対する反対側の部位を、PolySi部材で構成することができる。
【0009】
また、請求項3に記載の発明では、半導体基板(1)と、半導体基板に素子形成領域を形成すべく備えられた素子分離絶縁膜(2a、21、31a)と、素子形成領域において少なくとも半導体基板の表層部に形成されたソース領域(3)及びドレイン領域(4)と、ソース領域とドレイン領域との間における半導体基板をチャネル領域として、該チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜(5)と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極(6)とを有してなる半導体装置において、素子形成領域の周囲を囲むように形成した二重のトレンチ(21)と、二重のトレンチ内に形成した絶縁物とを有し、素子分離絶縁膜を絶縁物で構成し、素子分離絶縁膜を挟んで素子形成領域に対する反対側の部位を、半導体基板のうち二重のトレンチに挟まれた部位(1c)で構成して、半導体基板のうち二重のトレンチに挟まれた部位(1c)に、ゲート電極へのゲート電圧が印加されるようになっていることを特徴としている。
【0010】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
(第1実施形態)
以下、図に示す実施形態について説明する。本実施形態では、本発明を半導体装置としてのNchMOSトランジスタに適用した例で説明する。図1はNchMOSトランジスタを上方から見た場合のレイアウトを示す図であり、図2は図1におけるA−A断面を模式的に示す図である。なお、図1では便宜上ハッチングを施しているが、このハッチングは断面を示すものではない。
【0012】
半導体基板(以下、単に基板という)1としてはSOI基板を用いており、SOI基板は支持基板(図示せず)上に埋め込み酸化膜1aが配置され、埋め込み酸化膜1a上にP−型の素子形成基板1bが配置されてなる。なお、素子形成基板1bとしてはN−型を選択してもよい。
【0013】
素子形成基板1bには埋め込み酸化膜1aまで達するトレンチ2が形成されている。このトレンチ2は枠状に形成されており、深さは10〜15μm程度になっている。トレンチ2の側壁には側壁絶縁膜としての側壁酸化膜2aが形成されている。この側壁酸化膜2aの厚みは500〜600nmとなっている。また、トレンチ2の内部には導電性のPolySi部材2bが隙間無く充填されている。
【0014】
ここで、側壁酸化膜2aのうち内側に形成されている側壁酸化膜2aが素子分離絶縁膜に相当し、この内側の側壁酸化膜2aによって周囲の素子形成基板1bから絶縁された領域が素子形成領域となっている。つまり、素子形成領域がトレンチ2により囲まれている。
【0015】
素子形成領域における基板1の表層部には、P型のWell領域が側壁酸化膜2aに接触するように形成されている。また、Well領域の表層部にはN+型のソース領域3とN+型のドレイン領域4とが形成されている。このソース領域3とドレイン領域4は側壁酸化膜2aに十分近い部位まで形成されており、ソース領域3及びドレイン領域4と側壁酸化膜2aとの間の距離は2μm以下となっている。また、ソース領域3とドレイン領域4の各々の深さは0.1〜0.5μm程度となっている。
【0016】
また、ソース領域3とドレイン領域4との間におけるWell領域(基板)をチャネル領域として、チャネル領域上にゲート絶縁膜としてのゲート酸化膜5が形成されている。このゲート酸化膜5の厚みは10〜100nm程度になっている。また、ゲート酸化膜5上にゲート電極6が形成されている。このゲート電極6はPolySi等によって形成することができる。
【0017】
また、基板1の表面のうちドレイン領域4やソース領域3及びゲート電極6等が形成されていない部位にはLOCOS酸化膜が形成されている。また、ソース領域3やLOCOS酸化膜等を含む基板1上には層間絶縁膜7が形成されており、層間絶縁膜7上にAl等の金属によって複数の配線8a〜8cが形成されている。
【0018】
これらの配線8a〜8cは、第1のコンタクトホール9aを介してドレイン領域4と電気的に接続された第1の配線8aと、第2のコンタクトホール9bを介してソース領域3及び基板1と電気的に接続された第2の配線8bと、第3のコンタクトホール9cを介してゲート電極6と電気的に接続された第3の配線8cとからなる。
【0019】
ここで、第3の配線8cは、第4のコンタクトホール9dを介してトレンチ2の内側の側壁酸化膜2aを挟んで素子形成領域に対する反対側の部位であるPolySi部材2bと電気的に接続されている。
【0020】
次に、この様なNchMOSトランジスタの製造方法を簡単に述べる。まず、SOI基板を用意してエッチング等によりトレンチ2を形成する。そして、熱酸化等によりトレンチ2の側壁酸化膜2aを形成する。その後、トレンチ2の内部を電気伝導性のPolySiで充填してPolySi部材2bを形成する。その後、LOCOS酸化膜を形成した後、ゲート酸化膜5を形成して、ゲート電極6を形成する。続いて、LOCOS酸化膜をマスクとしてイオン注入及び拡散を行うことによりソース領域3とドレイン領域4を形成する。
【0021】
次に、層間絶縁膜7を形成した後、層間絶縁膜7に第1〜第4のコンタクトホール9a〜9dを形成する。その後、層間絶縁膜7上の一面にAl膜を形成することにより第1〜第4のコンタクトホール9a〜9dにAlを充填し、層間絶縁膜7上のAl膜をパターニングすることで第1〜第3の配線8a〜8cを形成する。このようにして、NchMOSトランジスタを製造することができる。
【0022】
なお、トレンチ2内部を電気伝導性のPolySiで充填する際は、不純物がドーピングされるような雰囲気でPolySiをトレンチ2に充填するようにする。
【0023】
この様なNchMOSトランジスタでは、ゲート電極6に正のゲート電圧を印加すると、ゲート酸化膜5の厚みとWell領域の濃度等によって決まるしきい値電圧Vt1以上で、ゲート酸化膜5の下のチャネル領域にN型のチャネル10が形成され、MOSトランジスタがオン状態となる。このVt1は1〜2V程度である。
【0024】
この際、トレンチ2の内側の側壁酸化膜2aを挟んで素子形成領域と導電性のPolySi部材2bとが対向しており、このPolySi部材2bにもゲート電圧が印加されるようになっているため、ソース領域3とドレイン領域4との間のうちトレンチ2の内側の側壁酸化膜2aと対向する部位(以下、側面対向領域という)にもチャネル11が形成される。つまり、PolySi部材2bをゲート電極として利用し、内側の側壁酸化膜2aをゲート酸化膜として利用し、側面対向領域をチャネル領域として利用することができ、ゲート酸化膜5と対向する部位のチャネル10をトレンチ2の側壁まで伸ばすことができる。
【0025】
この際、PolySi部材2bの全てが導電性となっているため、トレンチ2の内側の側壁酸化膜2aに沿ってトレンチ2の深さだけチャネル11が形成される。このPolySi部材2bを用いたゲートでは、しきい値電圧Vt2はトレンチ2の側壁酸化膜2aの厚さやWell領域の濃度などによって決まり、このVt2は例えば8V程度となる。
【0026】
この様に、本実施形態ではトレンチ2の内側の側壁酸化膜2aもゲート酸化膜として利用することで、従来のゲート酸化膜5の直下のみにチャネル10を形成する構成に比べて、トレンチ2の深さの2倍の長さだけチャネル幅を大きくすることができる。
【0027】
従って、素子面積を増加させなくてもチャネル幅を大きくすることができ、素子面積を増加することなく電流能力を向上させて、抵抗値を小さくすることができる。
【0028】
(第2実施形態)
本実施形態でも、本発明を半導体装置としてのNchMOSトランジスタに適用した例で説明する。図3はNchMOSトランジスタを上方から見た場合のレイアウトを示す図である。なお、図3では便宜上ハッチングを施しているが、このハッチングは断面を示すものではない。以下、主として第1実施形態と異なる部分について述べ、図3中図1と同一部分は同一符号を付して説明を省略する。
【0029】
本実施形態では、素子形成領域を囲むように二重のトレンチ21が形成されている。そして、二重のトレンチ21内はPolySi部材により充填されるのではなく、絶縁物としての酸化物により充填されている。ここで、この二重のトレンチ21のうち、内側に形成されたトレンチ21内の酸化物が素子分離絶縁膜に相当する。
【0030】
また、基板1のうちの二重のトレンチ21に挟まれた部位1cが素子分離絶縁膜を挟んで素子形成領域に対する反対側の部位に相当し、素子形成領域内のゲート電極6とトレンチ21に挟まれた部位1cとが電気的に接続されている。ここで、各々のトレンチ21の幅は2μm程度となっている。この場合、Vt1は1〜2V程度であり、Vt2は十数Vである。
【0031】
これにより、基板1におけるトレンチ21に挟まれた部位1cをゲート電極として利用し、内側のトレンチ21内の酸化物をゲート酸化膜として利用することができるため、内側のトレンチ21の側壁に沿ってチャネルを形成することができる。そのため、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0032】
また、二重のトレンチ21に挟まれた部位1cと第3の配線8cとを電気的に接続しているため、トレンチ2上の層間絶縁膜7にコンタクトホールを形成する必要がなく、容易にゲート電極6と二重のトレンチ21に挟まれた部位1cとを電気的に接続することができる。
【0033】
(第3実施形態)
本実施形態では、本発明を半導体装置としての出力用パワーMOSトランジスタに適用した例で説明する。図4はNchMOSトランジスタを上方から見た場合のレイアウトを示す図である。なお、図4では便宜上ハッチングを施しているが、このハッチングは断面を示すものではない。以下、主として第1実施形態と異なる部分について述べ、図4中図1と同一部分は同一符号を付して説明を省略する。
【0034】
本実施形態では、基板1の表層部においてドレイン領域4とソース領域3が複数個交互に配置され、各々のソース領域3とドレイン領域4の間における基板1がチャネル領域とされ、このチャネル領域上にゲート酸化膜が形成され、ゲート酸化膜上にゲート電極6が形成されている。
【0035】
これらのドレイン領域4、ソース領域3及びゲート電極6は複数列に配列されており、その列毎にトレンチ2によって囲まれている。つまり、ドレイン領域4、ソース領域3及びゲート電極6が交互に配列された従来のストライプ状のレイアウトに対して、この交互に配列されたレイアウトを配列方向に貫く様にしてトレンチ2が形成されている。そして、図示しないが、ゲート電極6とPolySi部材2bとが電気的に接続されている。
【0036】
この様な構成でも、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。具体的には、トレンチ2の間隔を10μmとし、トレンチ2の幅を2μmとし、トレンチ2の深さ(素子形成基板1bの厚み)を15μmとした場合、従来の構成のドレイン領域とソース領域とがストライプ状に配置されておりPolySi部材にゲート電圧を印加しないMOSトランジスタと比較して、チャネル幅を3.3倍にすることができる。なお、これはチャネル領域の表面積が互いに同じ場合で比較したものである。その結果、パワーMOSトランジスタの電流能力及びオン抵抗を向上することができる。
【0037】
また、オン抵抗の向上により素子形成領域の面積を小さくすることができるため、パワーMOSトランジスタの寄生容量を小さくすることができ、高速動作が可能となる。
【0038】
(他の実施形態)
上記第2実施形態と上記第3実施形態とを組み合わせても第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。つまり、図5のMOSトランジスタのレイアウト図に示すように、ドレイン領域4、ゲート電極6及びソース領域3が一列に交互に配列された複数の領域の各々をトレンチ(内側のトレンチ)21で囲み、このトレンチ21に囲まれた複数の領域を他のトレンチ(外側のトレンチ)21で囲み、基板1のうち内側のトレンチ21と外側のトレンチ21に挟まれた部位1cとゲート電極6とを電気的に接続しても良い。
【0039】
また、図5の様に内側のトレンチ21内の領域に複数のドレイン領域4等を形成しなくても、1組のドレイン領域、ゲート電極及びソース領域を形成しても良い。
【0040】
また、図6のMOSトランジスタのレイアウト図に示すように、ゲート電極6と第3の配線8cとの電気的な接続をトレンチ2の外側において行っても良い。
【0041】
また、上記各実施形態におけるトレンチ2、21は、SOI基板の埋め込み酸化膜1aまで達するものであるが、素子形成基板1bの深さ方向の途中まで形成されたトレンチ(以下、シャロートレンチという)により素子形成領域を絶縁分離しても良い。この際、図7のMOSトランジスタの概略断面図に示すように、例えばシャロートレンチ31の内壁に酸化膜31aを形成し、シャロートレンチ31の内部をPolySi部材31bにより充填することができる。
【0042】
また、SOI基板を用いずにバルク状のウェハからなる基板を用いても良い。この場合、例えば、図7に示すシャロートレンチ31により基板1における素子形成領域を絶縁分離すれば良い。
【0043】
なお、図5、6では便宜上ハッチングを施しているが、このハッチングは断面を示すものではない。
【0044】
また、上記各実施形態やシャロートレンチを用いた例では、ゲート酸化膜5の直下のチャネル10とトレンチ2の内側の側壁酸化膜2aと対向する部位のチャネル11とが繋がっている例について示したが、これらのチャネル10、11が互いに繋がっていなくても、ソース及びドレイン領域3、4と側壁酸化膜2aに対向する部位のチャネル11とが繋がっていれば良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態に係るMOSトランジスタのレイアウト図である。
【図2】第1実施形態に係るMOSトランジスタの概略断面図である。
【図3】第2実施形態に係るMOSトランジスタのレイアウト図である。
【図4】第3実施形態に係るMOSトランジスタのレイアウト図である。
【図5】他の実施形態に係るMOSトランジスタのレイアウト図である。
【図6】他の実施形態に係るMOSトランジスタのレイアウト図である。
【図7】他の実施形態に係るMOSトランジスタの概略断面図である。
【符号の説明】
1…半導体基板、1c…半導体基板におけるトレンチに挟まれた部位、
2、31…トレンチ、2a、31a…側壁酸化膜(素子分離絶縁膜)、
2b、31b…PolySi部材、3…ソース領域、4…ドレイン領域、
5…ゲート酸化膜、6…ゲート電極、21…トレンチ(素子分離絶縁膜)。
Claims (3)
- 半導体基板(1)と、前記半導体基板に素子形成領域を形成すべく備えられた素子分離絶縁膜(2a、21、31a)と、前記素子形成領域において少なくとも前記半導体基板の表層部に形成されたソース領域(3)及びドレイン領域(4)と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間における前記半導体基板をチャネル領域として、該チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜(5)と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極(6)とを有してなる半導体装置において、
前記素子分離絶縁膜を挟んで前記素子形成領域に対する反対側の部位(2b、1c、31b)が、前記素子形成領域の周囲を囲むように配置されており、
前記素子分離絶縁膜を挟んで前記素子形成領域に対する反対側の部位には、前記ゲート電極へのゲート電圧が印加されるようになっていることを特徴とする半導体装置。 - 前記素子形成領域の周囲を囲むように形成されたトレンチ(2、31)と、前記トレンチの側壁に形成された側壁絶縁膜(2a、31a)と、前記トレンチの内部に充填された導電性のPolySi部材(2b、31b)とを有し、
前記素子分離絶縁膜が前記側壁絶縁膜で構成され、前記素子分離絶縁膜を挟んで前記素子形成領域に対する反対側の部位が、前記PolySi部材で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 半導体基板(1)と、前記半導体基板に素子形成領域を形成すべく備えられた素子分離絶縁膜(2a、21、31a)と、前記素子形成領域において少なくとも前記半導体基板の表層部に形成されたソース領域(3)及びドレイン領域(4)と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間における前記半導体基板をチャネル領域として、該チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜(5)と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極(6)とを有してなる半導体装置において、
前記素子形成領域の周囲を囲むように形成された二重のトレンチ(21)と、前記二重のトレンチ内に形成された絶縁物とを有し、
前記素子分離絶縁膜が前記絶縁物で構成され、前記素子分離絶縁膜を挟んで前記素子形成領域に対する反対側の部位が、前記半導体基板のうち前記二重のトレンチに挟まれた部位(1c)で構成されており、
前記半導体基板のうち二重のトレンチに挟まれた部位(1c)には、前記ゲート電極へのゲート電圧が印加されるようになっていることを特徴とする半導体装置。
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