JP3812306B2 - 耐圧評価用パターンを複数備える半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置(半導体チップ)を設計するための耐圧評価用パターンに係り、特にパターンとパターンとの間の距離を定めるための半導体装置の耐圧評価用パターンに関する。
【0002】
【従来の技術】
図5(1)は、半導体装置の一例を示す一部断面図である。この半導体装置10は、シリコンウエハからなる半導体基板12の上部にpウエル14が設けてあって、このpウエル14の上部がLOCOS(Local Oxidationof Silicon)などの選択酸化により形成した素子分離領域16によって、複数の素子形成領域に分割してある。そして、素子形成領域には、半導体素子である例えばnチャネルMOS(nMOS)18a、18bが形成してある。
【0003】
すなわち、これらのnMOS18a、18bは、pウエル14の上にゲート酸化膜20a、20bを介してポリシリコンなどからなるゲート電極22a、22bが設けてある。ゲート電極22a、22bの両側には、pウエル14にn型不純物を拡散して形成したソース領域24a、24bとドレイン領域26a、26bとが設けられ、これらソース領域24a、24bとドレイン領域26a、26bとの間がチャネル領域28a、28bとなっている。そして、nMOS18a、18bを覆って二酸化ケイ素(SiO2 )などからなる絶縁層30が設けてある。この絶縁層30には、コンタクトホール32がソース領域24a、24bとドレイン領域26a、26bとに対応した位置に貫通して形成され、これらのコンタクトホール32を介して絶縁層30の上に設けた金属配線34(34a〜34d)がソース領域24a、24bとドレイン領域26a、26bに接続してある。
【0004】
ところで、絶縁層30のコンタクトホール32は、一般に四フッ化炭素(CH4 )などのエッチングガスをプラズマ化して二酸化ケイ素と反応させるドライエッチングによって形成される。しかし、成膜した絶縁層30の厚さのばらつきやエッチングガスの流れの影響などにより、図5(2)の左側のコンタクトホール32aに示したように、オーバーエッチングとなってソースやドレインを構成している不純物拡散領域の一部までエッチングしてしまう場合がある。そして、このような深いコンタクトホール32aがマスクずれなどによって素子分離領域16の近くに形成されると、コンタクトホール32aを埋めている配線34bが、ドレイン領域26aを突き抜けてしまうことがある。このため、配線34bと配線34cとの間にダイオードが形成された状態となり、配線34b、34c間に順方向の電圧が印加されると、pウエル14を通って配線34b、34c間に電流が流れてnMOSとして機能を発揮させることができない。そこで、従来は、半導体装置を設計する際に、TEG(Test Element Group)と呼ばれる半導体装置の評価用パターンの一部に、図6に示したような耐圧評価用のテストパターンを形成し、コンタクトホール30、すなわち配線34を形成する位置を定めていた。
【0005】
この従来のTEGは、半導体チップ内に複数の素子分離領域40(40a、40b、………)を設け、その両側に組をなす不純物を拡散させたソース42(42a、42b、………)とドレイン44(44a、44b、………)とを形成する。そして、各ソース42とドレイン44とを覆って絶縁層(図示せず)を設けたのち、絶縁層の各ソース42、ドレイン44と対応した位置のそれぞれに、深さのばらつきが生ずるのを考慮して、複数のコンタクトホール46(46a、46b、………)、48(48a、48b、………)を形成する。ソース42のコンタクトホール46は、マスクずれによって形成位置がずれたとしても耐圧が低下しないような、素子分離領域40の端から十分に離れた一定距離D0 の位置に形成する。また、ドレイン44側のコンタクトホール48は、図6に示してあるように、素子分離領域40の端からのd1 、d2 のように、距離dを所定量(例えば0.1μm)ずつ変えた位置に形成する。そして、これらのコンタクトホール46、48を埋めて配線50(50a、50b、………)、52(52a、52b、………)を設け、これらの配線50、52を介してソース42とドレイン44との間に電圧を印加して耐圧(V)を測定する。
【0006】
耐圧は、図7に示したように、素子分離領域40とドレイン44のコンタクトホール48との距離dが十分に離れたd0 以上であれば一定の値を示す。しかし、距離dがd0 より小さくなると、距離dが小さくなるに従って耐圧が低下してくる。そこで、従来は、半導体装置を設計する場合、耐圧が低下し始める距離d0 を求めるとともに、これに余裕を持たせた距離da を例えばnMOS18a、18bのためのコンタクトホール32を形成する位置の設計値としていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記のようにTEGを用いて耐圧を測定し、nMOS18a、18bのためのコンタクトホール32を形成する位置を決定する場合、TEGを形成するときに、マスクずれによってTEGのコンタクトホール48の形成位置が設計位置からずれることがある。例えば、設計値では、素子分離領域40とコンタクトホール48との距離dを1μmとしてあるのに、実際には素子分離領域40から1.3μm離れた位置にコンタクトホール48が形成される場合がある。このような場合、本来、d=1μmでは設計した耐圧が得られないにもかかわらず、十分な耐圧が得られるように過大評価され、nMOS18のコンタクトホール32の素子分離領域16からの距離を1μmとして設計されることにより、十分な耐圧が得られず、設計不良を生ずる。
【0008】
本発明は、前記従来技術の欠点を解消するためになされたもので、パターン形成時にマスクずれが生じたとしても、十分な耐圧を有する半導体装置を設計できるようにすることを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る耐圧評価用パターンを複数備える半導体装置は、耐圧評価用パターンを複数備える半導体装置において、前記耐圧評価用パターンは、半導体基板と、前記半導体基板に形成された1対の第1ドレイン及び第2ドレインと、前記第1ドレイン及び前記第2ドレインを挟むように、前記半導体基板に形成された1対の第1ソース及び第2ソースと、前記第1ドレイン、前記第2ドレイン、前記第1ソース及び前記第2ソースを互いに電気的に分離するLOCOSと、前記第1ドレイン、前記第2ドレイン、前記第1ソース及び前記第2ソースを覆う絶縁層と、前記絶縁層の前記第1ドレインに対応した位置に形成され、前記第1ドレインの長手方向に一列に整列された第1コンタクトホールと、前記絶縁層の前記第2ドレインに対応した位置に形成され、前記第2ドレインの長手方向に一列に整列された第2コンタクトホールと、前記絶縁層の前記第1ソースに対応した位置に形成され、前記第1ソースの長手方向に一列に整列された第3コンタクトホールと、前記絶縁層の前記第2ソースに対応した位置に形成され、前記第2ソースの長手方向に一列に整列された第4コンタクトホールと、前記第1コンタクトホールに充填された第1導電材と、前記第2コンタクトホールに充填された第2導電材と、前記第3コンタクトホールに充填された第3導電材と、前記第4コンタクトホールに充填された第4導電材と、前記第1導電材と前記第2導電材とに接続されている第1金属配線と、前記第3導電材と前記第4導電材とに接続されている第2金属配線と、を有し、前記第1コンタクトホール、前記第2コンタクトホール、前記第3コンタクトホール及び前記第4コンタクトホールは、前記第1ドレインと前記第2ドレインとの間の前記LOCOSの幅方向中心に対して、線対称に配置されており、前記第1コンタクトホール及び前記第2コンタクトホールは、複数の前記耐圧評価用パターンごとに、前記LOCOSの端から位置を変えるように形成され、前記第3コンタクトホール及び前記第4コンタクトホールは、前記LOCOSの端から一定位置に形成されている。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る半導体装置の耐圧評価用パターンの好ましい実施の形態について図面を参照して説明する。
【0014】
図1は、本発明の第1実施の形態に係る半導体装置の耐圧評価用パターンの絶縁層を省略した平面図を示したものである。図1において、TEGの耐圧評価用パターン60は、半導体チップに形成してあって、不純物を拡散させた2つのソース62a、62bと2つのドレイン64a、64bとが1つの組を形成している。そして、これらのソース62(62a、62b)とドレイン64(64a、64b)とは、LOCOSによる選択酸化により形成した厚い二酸化ケイ素(SiO2 )からなる分離領域66(66a、66b、66c)によって電気的に分離してある。さらに、この実施形態においては、各ソース62とドレイン64とが直線的に配置してあるとともに、一対のソース62a、62bが外側に、一対のドレイン64a、64bが一対のソース62a、62bの内側に配置してある。
【0015】
ソース62とドレイン64は、図示しない二酸化ケイ素からなる絶縁層によって覆ってある。そして、ソース62とドレイン64とを覆った絶縁層には、各ソース62a、62b、ドレイン64a、64bとのそれぞれと対応した位置に、パターン部となるコンタクトホール68(68a、68b)、70(70a、70b)が設けてある。これらのコンタクトホール68a、68b、70a、70bは、形成される深さのばらつきを考慮してそれぞれ複数設けてあり、ソース62、ドレイン64の長手方向、すなわち図1の上下方向に一列に整列させてある。
【0016】
各コンタクトホール68、70には、スパッタリングなどによってアルミニウムなどの導電材(配線)が充填してある。このコンタクトホール68、70に充填した導電材は、絶縁層の上に設けた金属配線72(72a、72b)、74(74a、74b)に接続してあり、ソース62、ドレイン64と金属配線72、74とを電気的に接続している。さらに、ソース62a、62bの金属配線72a、72bは、共通配線76に接続してある。また、ドレイン64a、64bの金属配線74a、74bは、共通配線78に接続してある。そして、これらの金属配線76、78を直流電源(図示せず)に接続することにより、ソース62aとドレイン64aとの間、およびソース62bとドレイン64bとの間に電圧を印加できるようになっている。
【0017】
ソース62a、62bのコンタクトホール68a、68bは、基準位置に対して一定位置に形成する一方のパターン部を構成している。そしてコンタクトホール68aは、基準位置となる分離領域66aの端からD0 の位置に形成してある。同様に、ソース62bのコンタクトホール68bは、基準位置となる分離領域66cの端からD0 の位置に形成してある。一方、ソース62aに隣接しているドレイン64aのコンタクトホール70aは、基準位置となる分離領域66aの端からdの位置に形成してある。さらに、もう1つのドレイン64bのコンタクトホール70bは、基準位置となる分離領域66cの端からdの距離に形成してある。これらのコンタクトホール70は、組ごと(耐圧評価用パターン60ごと)に基準位置に対して位置を変える他方のパターン部を構成している。そして、耐圧評価用パターン60は、図から明らかなように、ソース62、ドレイン64およびコンタクトホール68、70が分離領域66bの幅方向(図の左右方向)中心に対して線対称に配置してある。
【0018】
なお、TEGにおいては、図1に示した耐圧評価用パターン60と同様のパターンが複数形成される。ただし、各耐圧評価用パターン間においては、ソース62のコンタクトホール68の形成位置が、分離領域66に対して一定の位置D0 に形成してあるが、ドレイン64のコンタクトホール70の形成位置、すなわち分離領域66の端からの距離dが各パターンごとに異ならせてある。
【0019】
このような耐圧評価用パターン60においては、例えばマスクずれによってコンタクトホール70の形成位置が図1の右方向にずれた場合、ドレイン64aのコンタクトホール70aは、分離領域66aから遠ざかる方向、すなわちdが大きくなる安全側にずれる。しかし、他方のドレイン64bにおいては、コンタクトホール70bの形成位置が分離領域66cに近づき、距離dが小さくなって耐圧の厳しい方向にずれることになる。反対に、コンタクトホール70の形成位置が図1の左方向にずれた場合には、ドレイン64bのコンタクトホール70bが距離dの大きくなる安全側にずれたとしても、ドレイン64aのコンタクトホール70aが距離dの小さくなる厳しい方向にずれる。したがって、コンタクトホール70の形成位置が図1の左右方向のいずれ側にずれたとしても、耐圧を過大評価するようなことを避けることができ、十分な耐圧を有する半導体装置を確実に設計することができる。
【0021】
図2は、参考例1に係る耐圧評価用パターンの絶縁層を省略した平面図である。この耐圧評価用パターン80は、一対のドレイン64a、64bが外側に、一対のソース62a、62bが内側に形成してある。そして、ソース62aのコンタクトホール68aは、マスクずれがあっても耐圧の低下を生ずるおそれのない分離領域66aから十分に離れた距離D0 の位置に形成され、ソース62bのコンタクトホール70bも同様に、分離領域66cから距離D0 の位置に形成してある。一方、ドレイン64aのコンタクトホール70aは分離領域66aの端から距離dだけ離れた位置に形成され、ドレイン64bのコンタクトホール70bは分離領域66cの端から距離dだけ離れた入りに形成してある。他の構成は、前記第1実施の形態と同様であって、距離dを変えた複数のパターンが形成される。この参考例1の耐圧評価用パターン80においても前記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0022】
図3は、参考例2の説明図である。この参考例2に係る耐圧評価用パターン82は、一対のソース62a、62bの間に、ドレインに相当する1つの不純物拡散領域84が設けてある。そして、これらのソース62aと不純物拡散領域84との間、および不純物拡散領域84とソース62bとの間には、分離領域66d、66eが設けてあって、これらを電気的に分離している。ソース62aのコンタクトホール68aは、分離領域66dの端から距離D0 の位置に形成してあり、ソース62bのコンタクトホール68bは分離領域66eの端から距離D0 の位置に形成してある。
【0023】
一方、ドレインに相当する不純物拡散領域84は、通常のドレインより大きく形成してあって、不純物拡散領域84上の絶縁層(図示せず)に、2列のコンタクトホール70a、70bが並行して設けられている。そして、コンタクトホール70a、70bは、不純物拡散領域84の中心に対して線対称に形成してあり、コンタクトホール70aが分離領域66dの端から距離dの位置に設けられ、他方のコンタクトホール70bが分離領域66eの端から距離dの位置に設けられている。また、これらのコンタクトホール70a、70bは、内部にアルミニウムなどの導電材が充填してあって、この導電材が不純物拡散領域84と金属配線74a、74bとを電気的に接続している。
【0024】
このように形成した参考例2においても、不純物拡散領域84のコンタクトホール70a、70bの形成位置が図3の左右方向にずれたとしても、前記実施形態と同様に耐圧を過大に評価するのを防ぐことができ、十分な耐圧を有する半導体装置を設計することができる。また、参考例2においては、不純物拡散領域を少なくできるところから、チップに形成できるパターンの数を多くすることができる。
【0025】
なお、この参考例においては、ソース62a、62bを外側に配置した場合について説明したが、一対のドレイン64a、64bを外側に配置し、これらの間にソースに相当する1つの不純物拡散領域を形成するとともに、この不純物拡散領域と対応した位置の絶縁層に2列のコンタクトホール68a、68bを形成してもよい。
【0026】
図4は、参考例3の説明図である。この参考例3に係る耐圧評価用パターン90は、一対のドレイン64a、64bが外側に形成してあり、これらドレイン64a、64bの内側にソースに対応した不純物拡散領域92が設けてある。この不純物拡散領域92とドレイン64a、64bとは、分離領域66d、66eによって電気的に区画してある。そして、ドレイン64と不純物拡散領域92とを覆っている図示しない絶縁層の、不純物拡散領域92の中央部と対応した位置には、複数のコンタクトホール94が1列に設けてある。このコンタクトホール94は、分離領域66d、66eの端から十分に離れたD0 以上の距離をおいた位置に形成してある。また、コンタクトホール94の上方には、絶縁層の上に設けた金属配線96が位置している。この金属配線96は、コンタクトホール94に充填した導電材を介して不純物拡散領域92に電気的に接続してある。
【0027】
このようになっている参考例3の耐圧評価用パターン90においても、前記実施形態と同様の効果が得られる。また、不純物拡散領域を少なくできるとともに、パターン部(コンタクトホール)の数も少なくすることが可能で、パターンの形成が容易となる。
【0028】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、各組の一方と他方とのそれぞれのパターン部を一対ずつ設け、これらを直線的にかつ線対称に配置したことにより、マスクずれによって、形成位置を変える一対のパターン部の1つが耐圧の大きくなる方向にずれると、形成位置を変えるパターン部の他の1つが耐圧の低下する方向にずれることになる。したがって、耐圧評価用のパターンを形成した際に、マスクずれが生じたとしても、誤って耐圧を過大評価することを避けることができ、十分な耐圧を有する半導体装置を確実に設計することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施の形態に係る耐圧評価用パターンの絶縁層を省略した平面図である。
【図2】 本発明の参考例1の形態に係る耐圧評価用パターンの絶縁層を省略した平面図である。
【図3】 本発明の参考例2の形態に係る耐圧評価用パターンの説明図である。
【図4】 本発明の参考例3の形態に係る耐圧評価用パターンの説明図である。
【図5】 半導体装置の一例を示す一部断面図である。
【図6】 従来の耐圧評価用パターンの説明図である。
【図7】 コンタクトホールの素子分離領域からの距離と耐圧との関係を示す図である。
Claims (1)
- 耐圧評価用パターンを複数備える半導体装置において、
前記耐圧評価用パターンは、
半導体基板と、
前記半導体基板に形成された1対の第1ドレイン及び第2ドレインと、
前記第1ドレイン及び前記第2ドレインを挟むように、前記半導体基板に形成された1対の第1ソース及び第2ソースと、
前記第1ドレイン、前記第2ドレイン、前記第1ソース及び前記第2ソースを互いに電気的に分離するLOCOSと、
前記第1ドレイン、前記第2ドレイン、前記第1ソース及び前記第2ソースを覆う絶縁層と、
前記絶縁層の前記第1ドレインに対応した位置に形成され、前記第1ドレインの長手方向に一列に整列された第1コンタクトホールと、
前記絶縁層の前記第2ドレインに対応した位置に形成され、前記第2ドレインの長手方向に一列に整列された第2コンタクトホールと、
前記絶縁層の前記第1ソースに対応した位置に形成され、前記第1ソースの長手方向に一列に整列された第3コンタクトホールと、
前記絶縁層の前記第2ソースに対応した位置に形成され、前記第2ソースの長手方向に一列に整列された第4コンタクトホールと、
前記第1コンタクトホールに充填された第1導電材と、
前記第2コンタクトホールに充填された第2導電材と、
前記第3コンタクトホールに充填された第3導電材と、
前記第4コンタクトホールに充填された第4導電材と、
前記第1導電材と前記第2導電材とに接続されている第1金属配線と、
前記第3導電材と前記第4導電材とに接続されている第2金属配線と、を有し、
前記第1コンタクトホール、前記第2コンタクトホール、前記第3コンタクトホール及び前記第4コンタクトホールは、前記第1ドレインと前記第2ドレインとの間の前記LOCOSの幅方向中心に対して、線対称に配置されており、
前記第1コンタクトホール及び前記第2コンタクトホールは、複数の前記耐圧評価用パターンごとに、前記LOCOSの端から位置を変えるように形成され、
前記第3コンタクトホール及び前記第4コンタクトホールは、前記LOCOSの端から一定位置に形成されている、耐圧評価用パターンを複数備える半導体装置。
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