JP3999940B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置は年々高集積化され、それとともに回路の設計ルールが縮小されている。回路の設計ルールを縮小するためには隣り合う配線間の間隔を狭くし、多層配線構造を利用している。多層配線のうち上層に形成される上層配線が、隣り合う下層配線との絶縁を維持したまま下層配線の間に位置する導電層に電気的に接続することが必要な場合がある。このような場合には、上層配線が容易に導電層に接続するために、通常、下層配線間の導電層に接続する導電プラグが形成される。導電プラグを形成した後、さらに、上層配線と下層配線とを絶縁するために下層配線および導電プラグの上に絶縁膜を堆積する。次に、絶縁膜のうち導電プラグを被覆する部分のみをエッチングすることによって上層配線が導電プラグと接続するためのコンタクト・ホールを形成する。続いて、絶縁膜の上に上層配線の材料となる金属等を堆積する。このような工程を経て、上層配線は下層配線と電気的に絶縁を維持したまま導電プラグを介して導電層に接続することが可能になる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような方法では、回路の設計ルールの縮小により隣り合う配線間の間隔が狭くなるに従い導電プラグの設計ルールを縮小しなければならず、それに伴いコンタクト・ホールの設計ルールも縮小される。さらに、導電プラグ等の径に対するコンタクト・ホールの径の余裕をなくしたボーダーレス・ビア構造が採用される。この構造では、露光時のマスクのアラインメントにずれがあった場合等には、絶縁膜のうち、導電プラグを被覆する部分のみならず下層配線を被覆する部分もエッチングされ、それによって、上層配線と下層配線との間が短絡し、半導体装置の動作不良が起きてしまうという問題がある。
【0004】
本発明は、多層配線のうちの上層配線が、下層配線との電気的な絶縁を確実に維持したまま下層配線の間にある導電体に電気的に接続することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る実施形態に従った半導体装置の製造方法は、シリコン基板上にゲート酸化膜を介して形成された複数の下層配線と、前記下層配線の上面および側面を覆うように形成されたシリコン窒化膜と、前記シリコン窒化膜で表面が覆われた前記下層配線間を埋め込むように堆積されたホウ素またはリンを含有するシリコン酸化膜と、前記下層配線間に形成され、前記シリコン基板と接続する導電材と、前記導電材の上に設けられ、前記導電材に接続された中間配線と、前記シリコン窒化膜で覆われた前記下層配線の上方、前記シリコン酸化膜の上方および前記導電材および前記導電材の上方を覆うように形成されたTEOS膜とを有する半導体装置の製造方法において、
C5F8、O2およびArを含みC 5 F 8 の流量をO 2 の流量よりも多くしたエッチングガスにて、前記TEOS膜をエッチングし、前記中間配線の表面に達するコンタクトホールを形成し、
前記中間配線と接続するように、前記コンタクトホール内および前記TEOS膜上に上層配線を形成することを具備する。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【0010】
図1は、互いに不純物含有量が異なる絶縁層を半導体装置の上に形成した後、絶縁層をエッチングする前の半導体基板の拡大断面図である。本実施例では、半導体基板としてシリコン基板10が使用されている。しかし、本発明はシリコン基板に限定されず、GaAs基板その他の半導体基板にも利用できる。シリコン基板10の上にゲート酸化膜20を介して下層配線としてゲート配線30が設けられている。ゲート配線30の両側には半導体装置の微小化に伴い必要となるLDDを形成するためのSi3N4スペーサ40が形成されている。また、互いに隣り合うゲート配線30の間にはシリコン基板10と電気的に接続する導電プラグ50が形成されている。導電プラグ50は半導体装置の微小化に伴い狭小な配線間の導電体に電気的なコンタクトを得るために使用される。Si3N4スペーサ40で囲まれたゲート配線30の周りおよび導電プラグ50の周りには絶縁膜としてBPSG膜60が堆積されている。ゲート配線30の上には、導電プラグ50およびBPSG膜60をCMPでエッチングしたときにゲート配線30を保護するためのSi3N4膜70がSi3N4スペーサ40と一体的に形成されている。
【0011】
導電プラグ50およびBPSG膜60をCMPでエッチングした後の導電プラグ50、BPSG膜60およびSi3N4膜70の上に絶縁膜としてTEOS膜80が形成されている。TEOS膜80は2層に構成され、次のように形成される。TEOS膜80の2層のうちの下層80Aが形成された後、下層80Aの少なくとも導電プラグ50の上に堆積する部分がエッチングされる。このエッチング部分には、シリコンを堆積することによって、シリコン配線90が導電プラグ50と接続するように形成される。さらに、TEOS膜80の下層80Aの上にTEOS膜80の上層80Bが形成される。
【0012】
フォト・レジスト100がTEOS膜80の上層80Bの上に塗布され、シリコン配線90の上のTEOS膜80をエッチングするためにフォトリソグラフィによりパターニングされる。しかし、フォト・レジスト100を露光するときのマスクのアラインメントがずれる場合がある。例えば、図1においてはフォト・レジスト100を露光するときのマスクのアラインメントのずれがAであるとする。回路の設計ルールの縮小により、隣り合うゲート間の間隔が狭くなるに従いコンタクト・ホールの設計ルールも縮小される。また、導電プラグ50またはシリコン配線90の径に対するコンタクト・ホールの径の余裕をなくしたボーダーレス・ビア構造が採用される。すなわち、図1において、シリコン配線90の径Xとレジストが除去されているコンタクト・ホールの径X‘とが、X=X’の関係にある。従って、アラインメントのずれAによって、ゲート配線30の上にあるフォト・レジストが除去されると、ゲート配線30の上にあるTEOS膜80もエッチングされる。
【0013】
図2および図3は、露光工程のアラインメントずれAにより、ゲート配線30の上にあるTEOS膜80がエッチングされたときの半導体基板の拡大断面図である。 尚、比較を容易にするために、従来例である図2を[発明の実施の形態]に記載している。図2および図3において、プラズマによるドライ・エッチングによってTEOS膜80がエッチングされる。通常、金属配線(図示せず)がシリコン配線90にコンタクト・ホール110を介して十分に接続することができるように、シリコン配線90が露出した後、所定期間、エッチングを継続する。
【0014】
しかし、露光工程のアラインメントずれAにより、ゲート配線30の上にあるTEOS膜80がエッチングされた場合、コンタクト・ホール110がBPSG膜60およびSi3N4膜70に達する。
【0015】
図2は、C5F8を含まず、C4F8が含まれるエッチングガスによってTEOS膜80をエッチングした状態を示す拡大断面図である。より詳細には、TEOS膜80は、C4F8、CO、ArおよびO2の流量比をそれぞれ2:10:40:1として組成されるエッチングガスでエッチングされている。
【0016】
通常、TEOS膜よりもBPSG膜の方が不純物を多く含むため、TEOS膜のエッチング速度よりもBPSG膜のエッチング速度の方が速い。従って、BPSG膜の上にTEOS膜が積層されている構造においては、C4F8が含まれるエッチングガスによりTEOS膜のエッチング後、TEOS膜のエッチング速度よりも速い速度でBPSG膜がエッチングされる。
【0017】
よって、図2のように、TEOS膜80がエッチングされた後、TEOS膜80がエッチングされる速度よりも速い速度でBPSG膜60がエッチングされる。それによって、エッチングガスが物理的にSi3N4膜70およびSi3N4スペーサ40をエッチングして、ゲート配線30が露出する(図2のB参照)。ゲート配線30が露出したコンタクト・ホール110に金属配線(図4参照)を形成すると、シリコン基板10とゲート配線30とが短絡し、半導体装置の不良の原因になる。
【0018】
一方、図3は、C5F8が含まれるエッチングガスによってTEOS膜80をエッチングした状態を示す拡大断面図である。より詳細には、TEOS膜80は、C5F8、O2およびArの流量比をそれぞれ9:5:450として組成されるエッチングガスでエッチングされている。
【0019】
通常、TEOS膜よりもBPSG膜の方が不純物の濃度が高いので、TEOS膜のエッチング速度よりもBPSG膜のエッチング速度の方が速い。しかし、図3の本実施例で使用したエッチングガスは、BPSG膜60の上に積層したTEOS膜80をエッチングした後、BPSG膜60をほとんどエッチングしなかった。その理由として、図3の本実施例で使用したエッチングガスは、TEOS膜80のエッチング速度よりもBPSG膜60のエッチング速度の方が遅いと考えることができる。または、TEOS膜80とBPSG膜60とを積層することにより、C5F8を含むエッチングガスによってはエッチングすることができない材料がTEOS膜80とBPSG膜60との境界に生じた可能性もある。すなわち、本実施例のように、C5F8を使用し、C5F8の流量をO2の流量よりも多くしたエッチングガスでエッチングした場合には、BPSG膜60がエッチングされず、Si3N4膜70およびSi3N4スペーサ40からゲート配線30が露出することがない。従って、コンタクト・ホール110に金属配線(図4参照)を形成しても、シリコン基板10とゲート配線30とが短絡することがない。
【0020】
図4は、図3の実施例に金属配線120を形成した後の半導体基板の拡大断面図である。金属配線120は、BPSG膜60、Si3N4膜70およびSi3N4スペーサ40によってゲート配線30から確実に絶縁されている。
【0021】
図5(A)は図3の実施例におけるC5F8、O2およびArの流量比をそれぞれ9:5:450として組成されるエッチングガスを使用して実験を行ったときの半導体基板の平面図であり、図5(B)および図5(C)はその半導体基板の拡大断面図である。また、図5(A)、(B)および(C)では、エッジ部において金属配線120がシリコン配線90に十分にコンタクトを得るために適切なエッチングを行ったときの状態が示されている。
【0022】
通常、半導体基板のセンター部のエッチング速度に比較してエッジ部のエッチング速度は速い。したがって、センター部において金属配線120がシリコン配線90に十分にコンタクトを得るために適切なエッチングを行うと、エッジ部においてはエッチングしすぎることになる。よって、従来のC4F8を使用したエッチングガスを使用した場合には、図2に示した通り、エッジ部において、ゲート配線30と半導体基板10とが短絡する。
【0023】
一方で、本実施例によるC5F8を使用し、C5F8の流量をO2の流量よりも多くしたエッチングガスでエッチングした場合には、図3に示すように、エッジ部においてゲート配線30と半導体基板10とが短絡しない。従って、半導体基板全体の接触不良を無くし、歩留まりを向上することができる。また、エッチング速度の速い組成のエッチングガスを使用しても、エッチングしすぎによる配線間の短絡を防止できる。よって、エッチング工程を短縮でき、半導体装置の製造工程のスループットを向上することができる。
【0024】
図5によれば、エッジ部におけるTEOS膜に形成されたコンタクト・ホールの径(図5(A)および(C)参照)はセンター部のTEOS膜に形成されたコンタクト・ホールの径(図5(A)および(B)参照)と比較して大きいものの、図3に示す実施例と同様にセンター部およびエッジ部のBPSG膜60がほとんどエッチングされていないことがわかる。
【0025】
本発明による実施例において、エッチングガスは、C5F8のほかにO2およびArを含有する。しかし、エッチングガスはこれに限定することなく、C5F8のほかに、C4F8、C4F6、C3F8、CH2F2、CHF3、CF4、SF6、He、N2またはCOのいずれかを含有してもよい。
【0026】
また、本発明による実施例において、絶縁膜として酸化膜が使用されている。さらに、不純物の含有量が比較的少ない第1の絶縁膜としてTEOSが使用され、不純物の含有量が比較的多い第2の絶縁膜としてBPSGが使用されている。しかし、絶縁膜はこれに限定することなく窒化膜等にも応用できる。また、第1の絶縁膜として使用される酸化膜は、プラズマTEOS、LP−TEOS、プラズマSiONまたはHDP(High Density Plasma)によって製膜されたのTEOSのいずれでもよい。第2の絶縁膜として使用される酸化膜は、BPSG、BSGまたはPSGのいずれでもよい。さらに、第1の絶縁膜および第2の絶縁膜は、ともにBPSG、BSGまたはPSGであってもよい。ただし、第1の絶縁膜よりも第2の絶縁膜の方が不純物の濃度が高い。また、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜の組み合わせは逆であっても良い。
【0027】
さらに、互いに不純物含有量が異なる少なくとも2種類の絶縁膜は、通常、電気的または光学的に区別することができる。それによって、絶縁膜のエッチングの状態を簡単に検査することができる。例えば、絶縁膜がエッチングされたか否かによって電気抵抗が変化するようにテストパターンを設けることができる。また、エッチング前後の半導体基板に光を照射し、反射光を検査することによって、絶縁膜がエッチングされたか否かを判断できる。
【0028】
【発明の効果】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、比較的不純物の含有量が少ない絶縁膜よりも比較的不純物を多く含有する絶縁膜を選択的にエッチングすることができ、オーバーエッチングによる導電体の間の短絡を防止できる。それによって、半導体装置の歩留まりが向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】互いに不純物含有量が異なる絶縁層を半導体装置の上に形成した後、絶縁層をエッチングする前の半導体基板の拡大断面図。
【図2】従来の露光工程のアラインメントずれにより、ゲート配線の上にあるTEOS膜がエッチングされたときの半導体基板の拡大断面図。
【図3】本発明の実施例として露光工程のアラインメントずれにより、ゲート配線の上にあるTEOS膜がエッチングされたときの半導体基板の拡大断面図。
【図4】図3の実施例に金属配線を形成した後の半導体基板の拡大断面図。
【図5】図3の実施例におけるC5F8、O2およびArをそれぞれ9:5:450の流量比によって組成されるエッチングガスを使用して実験を行ったときの半導体基板の平面図およびその半導体基板の拡大断面図。
【符号の説明】
10 半導体基板
20 ゲート酸化膜
30 ゲート配線
40 Si3N4スペーサ
50 導電プラグ
60 BPSG膜
70 Si3N4膜
80 TEOS膜
90 シリコン配線
100 フォト・レジスト
110 コンタクト・ホール
120 金属配線
Claims (4)
- シリコン基板上にゲート酸化膜を介して形成された複数の下層配線と、
前記下層配線の上面および側面を覆うように形成されたシリコン窒化膜と、
前記シリコン窒化膜で表面が覆われた前記下層配線間を埋め込むように堆積されたホウ素またはリンを含有するシリコン酸化膜と、
前記下層配線間に形成され、前記シリコン基板と接続する導電材と、
前記導電材の上に設けられ、前記導電材に接続された中間配線と、
前記シリコン窒化膜で覆われた前記下層配線の上方、前記シリコン酸化膜の上方および前記導電材および前記中間配線の上方を覆うように形成されたTEOS膜とを有する半導体装置の製造方法において、
C5F8、O2およびArを含みC 5 F 8 の流量をO 2 の流量よりも多くしたエッチングガスにて、前記TEOS膜をエッチングし、前記中間配線の表面に達するコンタクトホールを形成し、
前記中間配線と接続するように、前記コンタクトホール内および前記TEOS膜上に上層配線を形成することを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記シリコン酸化膜は、BPSGであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記エッチングガスは、C5F8、O2およびArの他に、さらに、C4F8、C4F6、C3F8、CH2F2、CHF3、SF6、HeまたはCOのいずれかを含むことを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記TEOS膜は、プラズマTEOS、LP−TEOS、プラズマSiONまたはHDPのいずれかにより形成されたことを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
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