CN110137102B - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种减轻供给至旋转的基板的上表面的处理液绕入至基板的下表面侧的基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置(1)包括保持基板(W)的基板保持部(3)。基板保持部(3)包括夹持基板(W)的各两个活动保持销(30)及固定保持销(35)。基板处理装置(1)包括从下方支撑基板保持部(3)所保持的基板(W)的两个支撑销(40)。支撑销(40)包括与基板保持部(3)所保持的基板(W)在铅垂方向上重合的内侧部分(42)。支撑销(40)的上端(40T)位于比与所述内侧部分(42)在铅垂方向上重合的重叠部分(W3)的上表面更靠下侧的位置。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种对基板进行处理的技术，特别是涉及一种保持基板的技术。在成为处理对象的基板中，例如包含半导体基板、液晶显示装置用基板、有机电致发光(Electroluminescence，EL)显示装置等的平板显示器(Flat Panel Display，FPD)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
对如半导体晶片的基板进行处理的基板处理装置可分为统一处理多个基板的批量型处理装置、以及在处理室内对处理对象的基板一次一块地进行处理的单片型处理装置。在一般的单片型处理装置中，在处理室内水平地保持一块基板，对应于处理的内容，进行基板的旋转，或对基板供给处理液(药液或冲洗液)。
单片型处理装置存在例如在围绕着旋转轴旋转的旋转底座上，沿旋转方向包括多个保持构件(例如为夹盘销)的情况。在所述单片型处理装置中，通过多个保持构件夹着基板的周端部，而水平地保持基板(例如，参照专利文献1)。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2016-189452号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
但是，如果是现有的保持构件的形状，那么供给至正在旋转的基板的处理液有可能因为与保持构件相碰撞，而绕入至基板的下表面侧。特别是在处理液包含颗粒(particle)的情况，有可能因为处理液的绕入而使基板的下表面因颗粒而受到污染。当基板的下表面为器件面时，有可能因为所述器件面的污染，而使半导体器件的成品率下降。
因此，本发明的目的在于提供一种减轻供给至旋转的基板的上表面的处理液绕入至基板的下表面侧的技术。
[解决问题的技术手段]
为了解决所述问题，第一实施例是一种对基板进行处理的基板处理装置，其包括：旋转底座；旋转驱动部，使所述旋转底座围绕着沿铅垂方向的旋转轴线旋转；基板保持部，设置在所述旋转底座上，保持基板；基板支撑部，设置在所述旋转底座上，具有配置在所述基板保持部所保持的所述基板的下方而与所述基板在所述铅垂方向上重合的内侧部分；以及处理液供给部，对所述基板保持部所保持的所述基板的上表面供给处理液；并且所述基板支撑部的上端位于比所述基板保持部所保持的所述基板之中与所述内侧部分在所述铅垂方向上重合的重叠部分的上表面更靠下侧的位置。
第二实施例是根据第一实施例的基板处理装置，其中所述基板保持部是抵接于所述基板的周端部上的多个部位而保持所述基板。
第三实施例是根据第一实施例或第二实施例的基板处理装置，其中所述基板保持部包括能够在与所述旋转轴线接离的接离方向上移动的活动保持部、以及固定在所述旋转底座上的固定保持部。
第四实施例是根据第三实施例的基板处理装置，其中所述活动保持部包括能够在所述接离方向上移动，并且抵接于所述基板的周缘部的一个或两个活动保持构件。
第五实施例是根据第三实施例或第四实施例的基板处理装置，其中所述固定保持部包括固定在所述旋转底座上，抵接于所述基板的周缘部的一个或两个固定保持构件。
第六实施例是根据第一实施例至第五实施例中任一项的基板处理装置，其中所述基板支撑部包括朝向与所述旋转轴线相离的方向，向所述铅垂方向的上侧倾斜的倾斜面。
第七实施例是根据第一实施例至第六实施例中任一项的基板处理装置，其中所述基板支撑部包括从所述基板的周端部伸出的外侧部分。
第八实施例是根据第一实施例至第七实施例中任一项的基板处理装置，其中还包括对所述基板保持部所保持的所述基板的上表面进行物理清洗的物理清洗部。
第九实施例是根据第一实施例至第八实施例中任一项的基板处理装置，其中所述基板支撑部包括设置在所述旋转底座上，对所述基板的不同部分进行支撑的多个支撑构件。
第十实施例是一种对基板进行处理的基板处理方法，包括如下的工序：(a)以设置在旋转底座上的基板保持部保持基板；(b)以设置在所述旋转底座上的基板支撑部对在所述工序(a)中所述基板保持部所保持的所述基板进行支撑；(c)通过使所述旋转底座围绕着沿铅垂方向的旋转轴线旋转，而使所述基板旋转；以及(d)对在所述工序(c)中旋转的所述基板的上表面供给处理液；并且所述基板支撑部包括与通过所述工序(a)而保持于所述基板保持部的所述基板在所述铅垂方向上重合的内侧部分，所述基板支撑部的上端位于比所述基板保持部所保持的所述基板之中与所述内侧部分在所述铅垂方向上重合的重叠部分的上表面更靠下侧的位置。
第十一实施例是根据第十实施例的基板处理方法，其中所述基板保持部抵接于所述基板的周端部上的多个部位而保持所述基板。
第十二实施例是根据第十实施例或第十一实施例的基板处理方法，其中所述基板保持部包括能够在与所述旋转轴线接离的接离方向上移动的活动保持部、以及固定在所述旋转底座上的固定保持部，所述工序(a)是通过使所述活动保持部在所述接离方向上移动，而利用所述活动保持部及所述固定保持部保持所述基板的工序。
第十三实施例是根据第十二实施例的基板处理方法，其中所述活动保持部包括多个活动保持构件，所述多个活动保持构件能够在所述接离方向上移动，并且包含抵接于所述基板的周缘部的不同部分的第一抵接部，所述工序(a)是通过使所述多个活动保持构件在所述接离方向上移动，而利用所述多个活动保持构件及所述固定保持部保持所述基板的工序。
第十四实施例是根据第十二实施例或第十三实施例的基板处理方法，其中所述固定保持部包含多个固定保持构件，所述多个固定保持构件固定在所述旋转底座上，包含抵接于所述基板的周缘部的不同部分的第二抵接部，所述工序(a)是利用所述活动保持部及所述多个固定保持构件保持所述基板的工序。
第十五实施例是根据第十实施例至第十四实施例中任一项的基板处理方法，其中所述基板支撑部包括朝向与所述旋转轴线相离的方向，向所述铅垂方向的上侧倾斜的倾斜面。
第十六实施例是根据第十实施例至第十五实施例中任一项的基板处理方法，其中所述基板支撑部包括从所述基板的周端部伸出的外侧部分。
第十七实施例是根据第十实施例至第十六实施例中任一项的基板处理方法，其中还包括如下的工序：(e)对在所述工序(d)中已供给所述处理液的基板的表面进行物理清洗。
第十八实施例是根据第十实施例至第十七实施例中任一项的基板处理方法，其中所述基板支撑部设置在所述旋转底座上，包括支撑所述基板的不同部分的多个支撑构件，所述工序(b)是利用所述多个支撑构件，对在所述工序(a)中保持于所述基板保持部的所述基板进行支撑。
[发明的效果]
根据第一实施例的基板处理装置，支撑部位于比基板的上表面更靠下侧的位置。因此，可以减轻从旋转的基板上向基板的外侧移动的处理液与支撑部相碰撞的情况。由此，处理液绕入至基板下表面侧的情况得以减轻，所以基板下表面的污染得到有效减轻。
根据第二实施例的基板处理装置，通过抵接于基板的周端部的多个部位，可以对基板进行定位而保持所述基板。
根据第三实施例的基板处理装置，通过使活动保持部在接离方向上移动而使基板抵接于固定保持部，可以对基板适当地进行定位。
根据第四实施例的基板处理装置，通过使一个或两个活动保持构件在接离方向上移动而使基板抵接于固定保持部，可以对基板适当地进行定位。并且，通过将抵接于基板的周缘部的活动保持构件的数量限定为一个或两个，可以减轻处理液经由活动保持构件绕入至基板的下表面侧的可能性。
根据第五实施例的基板处理装置，通过使一个或两个固定保持构件在接离方向上移动而使基板抵接于固定保持部，可以对基板适当地进行定位。并且，通过将抵接于基板的周缘部的固定保持构件的数量限定为一个或两个，可以减轻处理液经由固定保持构件绕入至基板的下表面侧的可能性。
根据第六实施例的基板处理装置，支撑部具有锥形面，所以能够减小与基板的下表面接触的面的大小。因此，当处理液绕入至经由支撑部的基板的下表面侧时，可以减轻基板的下表面被污染的情况。
根据第七实施例的基板处理装置，支撑部是从基板的周端部跨越至内侧及外侧而配置，因此可以利用支撑部来支撑基板的周端部。
根据第八实施例的基板处理装置，可以对基板的上表面进行物理清洗。
根据第九实施例的基板处理装置，可以利用支撑构件，在多个部位支撑基板。
根据第十实施例的基板处理方法，支撑部位于比基板的上表面更靠下侧的位置。因此，可以减轻从旋转的基板上向基板的外侧移动的处理液与支撑部相碰撞的情况。由此，处理液绕入至基板下表面侧的情况得以减轻，所以基板下表面的污染得到有效减轻。
根据第十一实施例的基板处理方法，通过抵接于基板的周端部的多个部位，可以对基板进行定位而保持所述基板。
根据第十二实施例的基板处理方法，通过使活动保持部在接离方向上移动而使基板抵接于固定保持部，可以对基板适当地进行定位。
根据第十三实施例的基板处理方法，通过使多个活动保持构件在接离方向上移动而使基板抵接于固定保持部，可以对基板适当地进行定位。
根据第十四实施例的基板处理方法，通过使活动保持构件在接离方向上移动，而抵接于固定的多个固定保持构件，可以对基板适当地进行定位。
根据第十五实施例的基板处理方法，支撑部包含锥形面，所以能够减小与基板的下表面接触的面的大小。因此，当处理液绕入至经由支撑部的基板的下表面侧时，可以减轻基板的下表面被污染的情况。
根据第十六实施例的基板处理方法，支撑部是从基板的周端部跨越至内侧及外侧而配置，所以能够利用支撑部来支撑基板的周端部。
根据第十七实施例的基板处理方法，包含因物理清洗而产生的颗粒的处理液经由支撑部绕入至基板的下表面的情况得以减轻。因此，颗粒附着在基板的下表面的情况得到有效减轻。
根据第十八实施例的基板处理方法，可以利用支撑构件，在多个部位支撑基板。
附图说明
图1是表示第一实施方式的基板处理装置1的概略侧视图。
图2是表示第一实施方式的旋转底座21的上表面的概略平面图。
图3是表示第一实施方式的活动保持销30的概略侧视图。
图4是表示第一实施方式的固定保持销35的概略侧视图。
图5是表示第一实施方式的支撑销40的概略侧视图。
图6是表示第一实施方式的支撑销40的概略平面图。
图7是表示第一实施方式的基板处理装置1的动作的流程图。
图8是表示第二实施方式的旋转底座21的上表面的概略平面图。
图9是表示第三实施方式的支撑销40a的概略侧视图。
图10是表示第四实施方式的支撑销40b的概略侧视图。
[符号的说明]
1：基板处理装置
2：旋转夹盘
3：基板保持部
4：基板支撑部
5：控制部
11：腔室壁
15：处理液喷嘴
16：气体喷嘴
17：刷子
21：旋转底座
22：旋转马达
30：活动保持销
31、36：基座部
32、37：抵接部
32S、37S：抵接面
32T、37T、40T、40Ta、40Tb：上端
33：移动部
35：固定保持销
40、40a、40b：支撑销
40S：倾斜面
40Sa、40Sb：平坦面
42、42a、42b：内侧部分
44、44a：外侧部分
110：挡板部
440：凸部
H1、H2、H3、Hw：高度位置
Q1：旋转轴线
S1～S9：工序
W：基板
W1、W2、W3、W3a、W3b：重叠部分
具体实施方式
以下，一边参照附图，一边对本发明的实施方式进行说明。再者，所述实施方式中所述的构成元件说到底是例示，其主旨并非将本发明的范围限定于它们。在附图中，为了容易理解，有时根据需要将各部的尺寸或数量加以夸张或简化而图示。
＜1.第一实施方式＞
图1是表示第一实施方式的基板处理装置1的概略侧视图。图2是表示第一实施方式的旋转底座21的上表面的概略平面图。基板处理装置1包括被腔室壁11包围的处理室10。处理室10包括可旋转地保持基板的旋转夹盘2。在腔室壁11的侧面设置有能够使开口开闭的挡板部110。未图示的搬运机构经由挡板部110的开口，进入至腔室壁11的内部。
基板处理装置1包括处理液喷嘴15及气体喷嘴16。
处理液喷嘴15喷出经由配管从未图示的处理液源供给的处理液。处理液喷嘴15所喷出的处理液是药液或冲洗液。药液例如是硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、缓冲氢氟酸(buffered hydrofluoric acid，BHF)、氨水、过氧化氢水、有机酸(例如，柠檬酸、草酸等)、有机碱等。并且，冲洗液是去离子水(deionized water，DIW)等。
气体喷嘴16喷出经由配管从未图示的气体供给源供给的处理用气体。作为气体，是氮气等。处理液喷嘴15及气体喷嘴16与未图示的喷嘴移动机构连接。喷嘴移动机构使处理液喷嘴15及气体喷嘴16分别在供给位置与退避位置之间移动。供给位置是能够朝向旋转夹盘2所保持的基板W的上表面喷出处理液或处理用气体(以下，将它们称为“处理用流体”)的位置。并且，退避位置是比供给位置更远离基板W的位置，例如，是从旋转底座21的上方朝向外侧偏离的位置。
基板处理装置1包括刷子17。刷子17是例如聚乙烯醇(Polyvinyl Alcohol，PVA)制等的形成为多孔质的海绵状的构件、包括多根聚丙烯(polypropylene，PP)制的毛的构件、或者将它们加以组合而构成的构件。
刷子17通过使下端部抵碰至旋转夹盘2所保持的基板W的上表面，而对基板W的上表面进行物理清洗。
再者，基板处理装置1也可以包括使刷子17围绕着沿铅垂方向的旋转轴旋转的旋转马达。通过使刷子17一边旋转，一边抵接于基板W，可以有效率地清洗基板W的表面。
旋转夹盘2包括形成为圆盘状的旋转底座21、使所述旋转底座21围绕着沿铅垂方向的旋转轴线Q1旋转的旋转马达(旋转驱动部)22、以及基板保持部3及基板支撑部4。旋转马达22配置在旋转底座21的下方。在旋转底座21的上表面，设置有基板保持部3及基板支撑部4。
基板保持部3包括能够相对于旋转底座21移动的两个活动保持销30、以及相对于旋转底座21而固定的两个固定保持销35。并且，基板支撑部4包括两个支撑销40。
各两个的活动保持销30、固定保持销35及支撑销40围绕着旋转轴线Q1以相等间隔而配置在旋转底座21上。详细来说，各销是围绕着旋转轴线Q1以60°的角度间隔而配置。但是，角度间隔并不限定于此。各销只要预先以未达180°的角度间隔而配置即可。
在本例中，以相邻的方式配置两个活动保持销30，也以相邻的方式配置两个固定保持销35。两个活动保持销30及两个固定保持销35是以夹着旋转轴线Q1相向的方式而配置。而且，两个支撑销40是以夹着旋转轴线Q1相向的方式而配置。并且，两个支撑销40之中，一个配置在活动保持销30与固定保持销35之间，另一个配置在另一个活动保持销30与另一个固定保持销35之间。
＜基板保持部3＞
本实施方式的基板保持部3是共计四个的保持销(各两个活动保持销30、固定保持销35)，在四个部位对基板W的周端部进行保持。但是，保持销的合计数量并不限定于此。基板保持部3理想的是包括一个以上的活动保持销30及一个以上的固定保持销35、或者两个以上的活动保持销30。当保持销的数量为五个以上时，有可能出现一部分保持销不利于基板W的保持的情况。在这种情况下，在不利于所述保持的一部分保持销与基板W的周端部之间会形成间隙，因此处理液有可能通过所述间隙绕入至基板W的下表面侧，而污染下表面。从这种角度考虑，理想的是保持销的数量为四个以下。
＜活动保持销30＞
图3是表示第一实施方式的活动保持销30的概略侧视图。在图3中，利用实线表示保持着基板W的状态的活动保持销30，利用虚线表示已解除基板W的保持的状态的活动保持销30。
活动保持销30包括基座部31及抵接部32(第一抵接部)。基座部31的下部安装在后述移动部33上，在基座部31的上部设置有抵接部32。抵接部32包括抵接于基板W的周端部的抵接面32S。抵接面32S与铅垂方向平行。
活动保持销30与设置在旋转底座21的正面的移动部33连接。移动部33使活动保持销30在与旋转轴线Q1接近及分离的方向(接离方向)上移动。
移动部33与基座部31的下部连接，使抵接部32与所述基座部31一同在所述接离方向上移动。在这里，移动部33是使活动保持销30沿旋转底座21的半径方向线性移动。因此，维持着抵接部32的抵接面32S朝向旋转轴线Q1的状态，活动保持销30在所述接离方向上移动。移动部33是通过控制部5来控制。
再者，移动部33也可以是使活动保持销30围绕着沿铅垂方向的规定的转动轴线转动的构成。可通过活动保持销30转动而与旋转轴线Q1接近，来使抵接面32S朝向旋转轴线Q1。
在活动保持销30保持基板W的状态下，如图3所示，将活动保持销30的上端(在这里为抵接部32的上端32T)配置在比基板W的上表面更靠上侧的位置。更详细来说，上端32T位于比基板保持部3所保持的基板W之中、与活动保持销30(在这里为基座部31)在铅垂方向上重合的重叠部分W1的上表面更高的位置。如上所述，上端32T位于比基板W的上表面更高的位置，因此对基板W以不会超过活动保持销30而向外方移动的方式进行定位并且保持。
＜固定保持销35＞
图4是表示第一实施方式的固定保持销35的概略侧视图。固定保持销35包括基座部36及抵接部37(第二抵接部)。基座部36固定在旋转底座21的上表面，抵接部37设置在基座部36的上部。抵接部37包括抵接于基板W的周端部的抵接面37S。抵接面37S与铅垂方向平行。
在固定保持销35保持基板W的状态下，如图4所示，将固定保持销35的上端(详细来说，抵接部37的上端37T)配置在比基板W的上表面更靠上侧的位置。更详细来说，上端37T位于比基板保持部3所保持的基板W之中、与固定保持销35在铅垂方向上重合(在这里，与基座部36在铅垂方向上重合)的重叠部分W2的上表面更高的位置。如上所述，上端37T位于比基板W的上表面更高的位置，因此对基板W以不会超过固定保持销35而向外方移动的方式进行定位并且保持。
再者，在本例中，基板保持部3通过多个保持销来夹持基板W的周端部。但是，基板保持部3也可以构成为通过吸附保持基板W而保持在水平姿势。
＜基板支撑部4＞
图5是表示第一实施方式的支撑销40的概略侧视图。在图5中，利用实线表示支撑于基板保持部3上的基板W。图6是表示第一实施方式的支撑销40的概略平面图。
基板支撑部4包含两个支撑销40。各支撑销40在上部，具有朝向与旋转轴线Q1相离的方向(旋转底座21的径向外侧)，向铅垂方向的上侧倾斜的倾斜面40S。
在本例中，如图5所示，倾斜面40S是以固定的倾斜度倾斜的平滑面。但是，倾斜面40S也可以是倾斜度朝向与所述旋转轴线Q1相离的方向而发生变化的光滑面。并且，倾斜面40S不必为光滑面。例如，倾斜面40S中，从旋转底座21算起的高度也可以在与旋转轴线Q1相离的方向上呈阶段状发生变化。
支撑销40如图5所示，包括与基板保持部3所保持的基板W在铅垂方向上重合(即，俯视时与基板W重合)的内侧部分42、以及从所述基板W的周端部在俯视时向外侧伸出的外侧部分44。而且，基板支撑部4的上端(即，支撑销40的上端40T)的高度位置H1比基板W的上表面的高度位置Hw更靠下侧。更详细来说，上端40T位于比基板保持部3所保持的基板W之中、与支撑销40的内侧部分42在铅垂方向上重合的重叠部分W3的上表面更低的位置。
当对正在旋转的基板W供给处理液时，所述处理液从基板W的上表面向外方甩开。在本实施方式中，上端40T位于比基板W的上表面更低的位置，因此能够抑制向外方甩开的处理液与支撑销40相碰撞。由此，处理液绕入至基板W的下表面侧的情况得到有效减轻，因此下表面的污染得到减轻。
并且，通过设置支撑销40，可以减少活动保持销30及固定保持销35的总数，将基板W适当地保持于旋转底座21的上方。如上所述，通过减少活动保持销30及固定保持销35，可以减轻基板W的下表面的污染。
＜控制部5＞
控制部5对基板处理装置1的各驱动部等(例如，旋转马达22、移动部33等)进行控制。控制部5的作为硬件的结构与一般的计算机相同。即，控制部5包括进行各种运算处理的中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、存储基本程序的读取专用的存储器即只读存储器(read only memory，ROM)、存储各种信息的读写自如的存储器即随机存取存储器(random access memory，RAM)、以及存储控制用应用程序或数据等的存储部。
＜基板处理装置1的动作＞
图7是表示第一实施方式的基板处理装置1的动作的流程图。以下说明的基板处理装置1的各动作是设为在控制部5的控制下进行。
首先，基板处理装置1进行搬入工序S1。搬入工序S1是未图示的搬运机构将处理对象的基板W搬入至基板处理装置1的处理室10内的工序。在搬入工序S1中，将基板W载置在各两个的基板保持部3的活动保持销30及固定保持销35上。详细来说，将基板W载置在活动保持销30的基座部31及固定保持销35的基座部36上。
基板处理装置1在搬入工序S1之后，进行基板保持工序S2。基板保持工序S2是基板保持部3保持基板W的工序。详细来说，两个移动部33分别通过使两个活动保持销30与旋转轴线Q1接近，而使活动保持销30各自的抵接部32抵接于基板W的周端部。然后，借由各移动部33使各活动保持销30向内侧移动，而使得各抵接部32使基板W向另一方向移动(参照图3)。由此，两个固定保持销35的各抵接部37抵接于基板W的周端部(参照图4)。这样一来，基板W成为如下的状态：在周端部的不同的四个部位上，由各两个活动保持销30及固定保持销35夹持着。
并且，基板处理装置1进行基板支撑工序S3。基板支撑工序S3是与基板保持工序S2同时进行。基板支撑工序S3是在基板保持工序S2中使基板W保持于基板保持部3上时，两个支撑销40从下方支撑所述基板W的工序(参照图5)。
基板处理装置1在基板支撑工序S3之后，进行旋转工序S4。详细来说，通过旋转马达22使旋转底座21旋转，而使基板保持部3所保持的基板W围绕着旋转轴线Q1旋转。
基板处理装置1在旋转工序S4之后，进行处理液供给工序S5。详细来说，处理液喷嘴15配置在基板保持部3所保持的基板W的上方，朝向通过旋转工序S4而旋转的基板W喷出处理液(例如，DIW)。
基板处理装置1在处理液供给工序S5之后，进行物理清洗工序S6。物理清洗工序S6是对基板W进行物理清洗的工序。详细来说，气体喷嘴16配置在基板W上的供给位置，朝向通过处理液供给工序S5而被供给处理液的基板W喷出处理用气体(例如，氮气)。利用所述处理用气体的压力，对基板W进行物理清洗。并且，也可以设为不从气体喷嘴16喷出处理用气体，而利用刷子17对基板W进行物理清洗。
在处理液供给工序S5中，供给至基板W的处理液通过基板W的旋转而向外缘部移动，并向基板W的外侧甩出。并且，使由物理清洗工序S6产生的颗粒通过所述处理液而冲走。基板支撑部4的两个支撑销40位于比基板W更靠下侧的位置，因此包含颗粒的处理液与各支撑销40相碰撞的情况得到减轻。由此，处理液绕入至基板W的下表面侧的情况得以减轻，所以基板W的下表面的污染得到有效减轻。
基板处理装置1在物理清洗工序S6之后，进行冲洗工序S7。在冲洗工序S7中，基板处理装置1停止从气体喷嘴16喷出氮气，而从处理液喷嘴15喷出冲洗液(例如，DIW)。
基板处理装置1在冲洗工序S7之后，进行干燥工序S8。详细来说，基板处理装置1停止从处理液喷嘴15喷出冲洗液，使这些喷嘴移动至退避位置。然后，通过旋转马达22使旋转底座21以高速(例如，1000rpm以上)旋转，而使基板W上的冲洗液朝外侧甩出。由此，使基板W干燥。
基板处理装置1在干燥工序S8之后，进行搬出工序S9。搬出工序S9是将在处理室10内基板保持部3所保持的基板W搬出至处理室10外的工序。详细来说，移动部33使活动保持销30朝向远离旋转轴线Q1的方向移动。由此，解除基板保持部3对基板W的保持。然后，基板处理装置1利用进入至处理室10内的搬运机构，使从基板保持部3解除保持的基板W搬出至处理室10外。
＜2.第二实施方式＞
其次，对第二实施方式进行说明。再者，在以后的说明中，关于具有与已说明的基板处理装置1的结构元件同样的功能的元件，标注相同的符号或追加有字母的符号，并且存在省略详细说明的情况。
图8是表示第二实施方式的旋转底座21的上表面的概略平面图。在第一实施方式中，基板支撑部4包含两个支撑销40，但是在本实施方式中，再追加有两个支撑销40。详细来说，在两个活动保持销30、活动保持销30之间追加配置有一个支撑销40，在两个固定保持销35、固定保持销35之间追加配置有另一个支撑销40。如上所述，对支撑销40的数量并无特别限定，可以任意设定。
＜3.第三实施方式＞
图9是表示第三实施方式的支撑销40a的概略侧视图。第一实施方式的支撑销40在上部具有倾斜面40S，利用所述倾斜面40S对基板W进行支撑。与此相对，第三实施方式的支撑销40a不包含倾斜面40S，上部包含与水平面平行的平坦面40Sa。而且，在基板保持部3保持着基板W的状态下，通过基板W的下表面与平坦面40Sa接触，而形成为基板W支撑于支撑销40a上的状态。
支撑销40a的上端40Ta(在这里为平坦面40Sa)的高度位置H2位于比基板保持部3所保持的基板W的上表面的高度位置Hw更靠下侧的位置。详细来说，支撑销40a的上端40Ta位于比基板W之中与支撑销40a在高度方向上重合的重叠部分W3a的上表面更低的位置。因此，从正在旋转的基板W甩出的处理液与支撑销40a相碰撞的情况得以减轻，所以能够减轻处理液绕入至基板W的下表面侧。
在本实施方式中，支撑销40a也包括与基板保持部3所保持的基板W在铅垂方向上重合的内侧部分42a、以及在俯视时从所述基板W的周缘部伸出的外侧部分44a。在图9所示的支撑销40a的情况下，内侧部分42的上表面(平坦面40Sa)与基板W的下表面面接触，所以有可能被绕入至基板W的下表面侧的处理液污染。因此，如图5所示，当将支撑销40中的内侧部分42的上部设为倾斜面40S时，由于基板W与支撑销40的接触面积小，所以能够有效减轻污染。
＜4.第四实施方式＞
图10是表示第四实施方式的支撑销40b的概略侧视图。第一实施方式的支撑销40在上部具有倾斜面40S，利用所述倾斜面40S对基板W进行支撑。与此相对，第四实施方式的支撑销40b的上部具有朝向与旋转轴线Q1相离的方向，从旋转底座21算起的高度高一个阶段的阶差。更详细来说，支撑销40b在与在其上部的旋转轴线Q1相近之侧具有与水平面平行的平坦面40Sb。并且，支撑销40b在远离在其上部的旋转轴线Q1之侧具有比平坦面40Sb更向上方突出的凸部440。
在本实施方式中，平坦面40Sb配置在能够从下方支撑基板保持部3所保持的基板W的周端部的高度。并且，凸部440配置在比基板保持部3所保持的基板W更靠外侧的位置。即，凸部440的朝向旋转轴线Q1的向内面与基板保持部3所保持的基板W的周端面相向。
支撑销40b的上端(在这里为凸部440的上端40Tb)的高度位置H3比基板W的上表面的高度位置Hw更靠下侧。更详细来说，上端40Tb位于比基板保持部3所保持的基板W之中、与支撑销40b的内侧部分42b在铅垂方向上重合的重叠部分W3b的上表面更低的位置。
在本实施方式中，上端40Tb位于比基板W的上表面更低的位置，因此能够抑制从基板W上向外甩出的处理液与支撑销40相碰撞的情况。由此，可以减轻处理液绕入至基板W的下表面侧，因此能够有效减轻下表面的污染。
＜5.变形例＞
在所述实施方式中，作为支撑构件的支撑销40、支撑销40a、支撑销40b是配置成比基板保持部3所保持的基板W的周缘部在俯视时更向外侧伸出。但是，支撑构件也可以不从基板保持部3所保持的基板W伸出，而配置在基板W的内侧。
已对本发明进行详细说明，但所述说明在所有方面都是例示，本发明并不限定于此。可知在不脱离本发明的范围的情况下，可设想出未例示的无数变形例。所述各实施方式及各变形例中所说明的各构成只要不相互矛盾，就可以适当组合或省略。

Claims (18)

1.一种基板处理装置，对基板进行处理，所述基板处理装置的特征在于包括：
旋转底座；
旋转驱动部，使所述旋转底座围绕着沿铅垂方向的旋转轴线旋转；
基板保持部，设置在所述旋转底座上，保持所述基板；
基板支撑部，设置在所述旋转底座上，支撑所述基板；以及
处理液供给部，对所述基板保持部所保持的所述基板的上表面供给处理液；并且
所述基板保持部具有配置在所述基板下方而与所述基板在所述铅垂方向上重合的第1内侧部分以及与所述基板在所述铅垂方向上不重合的第1外侧部分，
所述基板支撑部具有配置在所述基板下方，与所述基板在所述铅垂方向上重合的第2内侧部分和与所述基板在所述铅垂方向上不重合的第2外侧部分，
所述基板支撑部的所述第2外侧部分的上端为所述基板支撑部的最上端，所述基板支撑部在所述第2内侧部分支撑着所述基板的状态下，所述基板支撑部的所述第2外侧部分的所述上端位于比所述基板的上表面更靠下侧的位置。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板保持部是抵接于所述基板的周端部上的多个部位而保持所述基板。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板保持部包括：
活动保持部，能够在与所述旋转轴线接离的接离方向上移动；以及
固定保持部，固定在所述旋转底座上。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述活动保持部包括：
一个或两个活动保持构件，能够在所述接离方向上移动，并且抵接于所述基板的周缘部。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述固定保持部包括：
一个或两个固定保持构件，固定在所述旋转底座上，抵接于所述基板的周缘部。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板支撑部包括：
倾斜面，朝向与所述旋转轴线相离的方向，向所述铅垂方向的上侧倾斜。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板支撑部的所述第2外侧部分，从所述基板的周端部伸出。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于还包括：
物理清洗部，对所述基板保持部所保持的所述基板的上表面进行物理清洗。
9.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板支撑部包括：
多个支撑构件，设置在所述旋转底座上，对所述基板的不同部分进行支撑。
10.一种基板处理方法，对基板进行处理，所述基板处理方法的特征在于包括：
工序(a)，以设置在旋转底座上的基板保持部保持所述基板；
工序(b)，以设置在所述旋转底座上的基板支撑部对在所述工序(a)中所述基板保持部所保持的所述基板进行支撑；
工序(c)，通过使所述旋转底座围绕着沿铅垂方向的旋转轴线旋转，而使所述基板旋转；以及
工序(d)，对在所述工序(c)中旋转的所述基板的上表面供给处理液；并且
所述基板保持部具有配置在所述基板下方而与所述基板在所述铅垂方向上重合的第1内侧部分以及与所述基板在所述铅垂方向上不重合的第1外侧部分，
所述基板支撑部具有配置在所述基板下方，与所述基板在所述铅垂方向上重合的第2内侧部分和与所述基板在所述铅垂方向上不重合的第2外侧部分，
所述基板支撑部的所述第2外侧部分的上端为所述基板支撑部的最上端，所述基板支撑部在所述第2内侧部分支撑着所述基板的状态下，所述基板支撑部的所述第2外侧部分的所述上端位于比所述基板的上表面更靠下侧的位置。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板保持部是抵接于所述基板的周端部上的多个部位而保持所述基板。
12.根据权利要求10或11所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板保持部包括：
活动保持部，能够沿与所述旋转轴线接离的接离方向移动；以及
固定保持部，固定在所述旋转底座上；并且
所述工序(a)包括：
通过使所述活动保持部在所述接离方向上移动，而利用所述活动保持部及所述固定保持部保持所述基板。
13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其特征在于，
所述活动保持部包括多个活动保持构件，所述活动保持构件能够在所述接离方向上移动，并且包含抵接于所述基板的周缘部的不同部分的第一抵接部，
所述工序(a)包括：通过使所述多个活动保持构件在所述接离方向上移动，而利用所述多个活动保持构件及所述固定保持部保持所述基板。
14.根据权利要求12所述的基板处理方法，其特征在于，
所述固定保持部包括：
多个固定保持构件，固定在所述旋转底座上，包含抵接于所述基板的周缘部的不同部分的第二抵接部；并且
所述工序(a)包括：
利用所述活动保持部及所述多个固定保持构件保持所述基板。
15.根据权利要求10或11所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板支撑部包括：
倾斜面，朝向与所述旋转轴线相离的方向，向所述铅垂方向的上侧倾斜。
16.根据权利要求10或11所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板支撑部的所述第2外侧部分，从所述基板的周端部伸出。
17.根据权利要求10或11所述的基板处理方法，其特征在于还包括：
工序(e)对在所述工序(d)中已被供给所述处理液的基板的表面进行物理清洗。
18.根据权利要求10或11所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板支撑部包括：
多个支撑构件，设置在所述旋转底座上，对所述基板的不同部分进行支撑；并且
所述工序(b)是利用所述多个支撑构件，对在所述工序(a)中保持于所述基板保持部的所述基板进行支撑。
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