CN109791823A - 电阻器、具备该电阻器的电路基板和电子装置 - Google Patents

电阻器、具备该电阻器的电路基板和电子装置 Download PDF

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Abstract

本发明的电阻器的铜、镍及硼化镧的合计的含量为40质量％以上，并且含有粒径为2.5μm以上的铜粒子。另外，本发明的电路基板具备基体、位于该基体上的上述电阻器和金属层、以及位于该电阻器上的玻璃层。另外，本发明的电子装置具备上述电路基板和位于该电路基板的上述金属层上的电子部件。

Description

电阻器、具备该电阻器的电路基板和电子装置
技术领域
本发明涉及电阻器、具备该电阻器的电路基板和电子装置。
背景技术
已知在电路基板上搭载有半导体元件、发热元件、帕尔贴(Peltier)元件等各种电子部件的电子装置。在此，该电路基板有具备用于使其不流入过剩电流的电阻器的情形。
例如在专利文献1中公开了一种半导体发光装置，其为了控制流入发光元件的电流而具有使电阻值与发光元件的亮度相对应的电阻。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-294547号公报
发明内容
本发明的电阻器中，铜、镍及硼化镧的合计的含量为40质量％以上，并且含有粒径为2.5μm以上的铜粒子。
本发明的电路基板具备基体、位于该基体上的上述电阻器、金属层、以及位于该电阻器上的玻璃层。
本发明的电子装置具备上述电路基板和位于该电路基板的上述金属层上的电子部件。
附图说明
图1为表示具备本发明的电阻器的电路基板的一例的剖视图。
图2为表示具备本发明的电路基板的电子装置的一例的剖视图。
具体实施方式
为了制成任意的电阻值，而使用混合有各种成分的电阻器浆料，将其涂布于基体上后进行烧成，由此形成电阻器。
近年来，随着电子装置的小型化和薄型化、电子部件的高集成化，要求有电阻器的小型化和薄型化、电阻器形状的复杂化。然而，若形成小型、薄型、复杂形状的电阻器，则电阻器的电阻值上容易产生偏差。
已知电阻值产生偏差的电阻器可以通过利用激光对电阻器赋予切痕的激光微调而成为电阻值均匀的电阻器。近年来，进行激光微调的情况增加，因此要求容易利用激光微调进行电阻值的调整的电阻器。
本发明的电阻器容易采用激光微调进行电阻值的调整。以下，对本发明的电阻器进行详细地说明。
本发明的电阻器中，铜、镍及硼化镧的合计的含量为40质量％以上，并且含有粒径为2.5μm以上的铜粒子。在此，铜粒子是指：在构成铜粒子的全部成分100质量％中，含有70质量％以上的铜的粒子。
而且，本发明的电阻器通过满足这样的构成，从而可以利用激光微调容易地调整电阻值。在此，之所以能够利用激光微调容易地调整电阻值，是由于为上述组成并且含有粒径为2.5μm以上的铜粒子。具体而言，在对电阻器照射激光时，粒径为2.5μm以上的铜粒子容易脱粒，因此能够容易地进行激光微调。
另外，本发明的电阻器除铜、镍及硼化镧以外还可以含有无机成分。在此，无机成分可列举例如软化点为400℃以上且750℃以下的玻璃。具体而言，可列举以氧化硅(SiO2)作为主成分并且含有氧化钡(BaO)、氧化锌(ZnO)、氧化铋(Bi2O3)、氧化硼(B2O3)等中的任一种的玻璃。这样一来，在除铜、镍及硼化镧以外还含有上述玻璃时，可以提升电阻器的电阻值，并且在基体上形成电阻器时，可以提高基体与电阻器的粘接性。
另外，作为无机成分，可以含有氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、二氧化硅(SiO2)等。这样的成分的熔点高，不容易被还原，因此即使电阻器变得高温，也能抑制电阻器的变形。
而且，就本发明的电阻器而言，在构成电阻器的全部成分100质量％中，可以使铜、镍及硼化镧的合计的含量为40质量％以上且70质量％以下，余量为无机成分。如果满足这样的构成，则成为容易进行激光微调的硬度，因此能够更容易进行激光微调。
另外，作为铜和镍与硼化镧的质量比，可以为铜和镍：硼化镧＝60～75：25～40。如果满足这样的构成，则电阻器不易变硬，能够更容易进行激光微调。进而，作为铜与镍的质量比，可以为铜：镍＝50～70：30～50。如果满足这样的构成，则电阻器更不易变硬。
在此，构成电阻器的成分可以通过使用X射线衍射装置(XRD)测定电阻器，并将所得的结果与JCPDS卡片进行对照来确认。
或者，可以使用扫描型电子显微镜(SEM)上附带的能量色散型分析装置(EDS)来确认。具体而言，以切割电阻器并且用截面抛光仪(CP)研磨其切割面后的截面作为观察面。然后，使用SEM，以1000倍以上且10000倍以下的倍率对观察面进行观察，对在观察面中确认的晶粒及除晶粒以外的部分使用SEM上附带的EDS照射X射线。然后，在晶粒中检测出铜的存在，如果利用半定量分析得到铜的含量为70质量％以上，则该晶粒为铜粒子。另外，如果在除晶粒以外的部分中检测出铜和镍，则可以说电阻器含有铜和镍。进而，如果在除晶粒以外的部分中同时检测出硼和镧，则可以视为电阻器含有硼化镧。
而且，如果确认到铜粒子的存在，则使用SEM来拍摄上述的观察面。而且，在所摄影的照片中，对铜粒子的部位进行着色。接着，使用对铜粒子的部位着色后的照片，应用图像解析软件“A像くん”(注册商标、AsahiKaseiEngineering(株)制、予以说明，以下在记作图像解析软件“A像くん”的情况下，表示AsahiKaseiEngineering(株)制的图像解析软件。)的粒子解析这样的方法来进行图像解析。予以说明，作为“A像くん”的解析条件，例如只要将晶粒的亮度设为“明”、2值化的方法设为“自动”、阴影设为“有”即可。而且，利用该粒子解析，可以确认铜粒子的粒径。即，利用该粒子解析，可以确认是否存在粒径为2.5μm以上的铜粒子。
另外，电阻器中的铜、镍及硼化镧的各自的含量只要利用以下的方法来计算即可。首先，利用使用上述的XRD的方法，确认在电阻器中含有铜、镍及硼化镧。予以说明，以下，以硼化镧的化学式为LaB6的情况进行说明。接着，使用ICP发射光谱分析装置(ICP)，进行电阻器中所含有的铜(Cu)、镍(Ni)、镧(La)、硼素(B)的定量分析，由此可以计算出铜、镍及硼化镧(LaB6)的含量。
另外，在本发明的电阻器中，粒径为2.5μm以上的铜粒子所占的面积比率可以为2面积％以上且10面积％以下。如果满足这样的构成，则本发明的电阻器的微调的偏差变小，因此激光微调变得更容易。
在此，电阻器中的粒径为2.5μm以上的铜粒子所占的面积比率，只要通过与确认粒径为2.5μm以上的铜粒子的存在的方法同样地应用图像解析软件“A像くん”的粒子解析这样的方法进行图像解析来计算即可。
另外，本发明的电阻器可以具有空隙并且该空隙所占的面积比率为12面积％以上且35面积％以下。如果满足这样的构成，则本发明的电阻器的激光微调变得更容易。
在此，计算电阻器中的、空隙所占的面积比率时，只要使用将空隙着色后的照片并进行计算粒径为2.5μm以上的铜粒子所占的面积比率的同样的方法即可。
接下来，使用图1对本发明的电路基板10进行说明。图1所示的本发明的电路基板10具备基体2、位于基体2上的本发明的电阻器1、金属层3、以及位于电阻器1上的玻璃层4。在图1中，示出在金属层3a与金属层3b之间具备电阻器1的例子，由此，可以调整在金属层3中流通的电流。另外，示出了玻璃层4还位于金属层3的一部分及基体2上的例子。
在此，构成基体2的材料只要是绝缘体，则可以为任一的材料，如果是陶瓷，则兼具优异的机械强度和散热性。在此，作为陶瓷，可以使用氧化铝质陶瓷、氧化锆质陶瓷、氧化铝与氧化锆的复合陶瓷、氮化硅质陶瓷、氮化铝质陶瓷、碳化硅质陶瓷或莫来石质陶瓷等。予以说明，如果基体2由氧化铝质陶瓷形成，则既具有电路基板10所要求的机械强度，又使加工比较容易。另外，如果基体1由氮化硅质陶瓷或氮化铝质陶瓷形成，则散热性特别优异。
另外，作为金属层3，可以使用主成分为铜、银及铝中的至少1种的金属层。尤其，如果金属层3的主成分为铜，则电阻率低，散热性高，因此优选。在此，金属层3中的主成分是指：在构成金属层3的全部成分的合计100质量％中，含有60质量％以上的成分。
另外，作为玻璃层4，可以为以R2O-B2O3-SiO2系(R：碱金属元素)、SiO2-Bi2O3-B2O3系、R2O-SiO2-B2O3-Bi2O3系中的任一种作为主成分的玻璃层。予以说明，为了提高玻璃层4对可见光的反射率，玻璃层4可以含有氧化钛或氧化锆。
另外，本发明的电路基板10中的电阻器1在将沿厚度方向二等分电阻器1时的基体2侧设为第一区域、将玻璃层4侧设为第二区域时，第一区域中的空隙所占的面积比率可以多于第二区域中的空隙所占的面积比率。如果满足这样的构成，则在成为电路基板10的状态下进行电阻器1的激光微调时，若从玻璃层4侧对电阻器1照射激光，则在电阻器1的第二区域中容易吸收激光的能量，使激光微调变得容易。
此时，如果第一区域中的空隙所占的面积比率比第二区域中的空隙所占的面积比率多4面积％以上，则使激光微调变得更容易。
在此，计算电阻器1的第一区域及第二区域中的空隙所占的面积比率时，只要使用将空隙着色后的照片在第一区域及第二区域中分别进行计算具有2.5μm以上的粒径的铜粒子所占的面积比率的同样的方法即可。
接下来，使用图2对本发明的电子装置20进行说明。图2所示的本发明的电子装置20具备本发明的电路基板10。具体而言，除电阻器1、基体2、金属层3及玻璃层4外，还具备位于金属层3上的电子部件5。予以说明，在图2中示出电子部件5位于金属层3c上、而且电子部件5与金属层3a利用接合线电连接的例子。
在此，作为电子部件5，可以使用例如：发光二极管(LED)元件、绝缘栅双极晶体管(IGBT)元件、智能功率模块(IPM)元件、金属氧化膜型场效应晶体管(MOSFET)元件、续流二极管(FWD)元件、电力晶体管(GTR)元件、肖特基势垒二极管(SBD)等半导体元件；升华型热敏打印头或热敏喷墨打印头用的发热元件、帕尔贴元件等。
以下，对本发明的电阻器1的制造方法的一例进行说明。在此，列举在由陶瓷形成的基体2上形成电阻器1的方法为例进行说明。
首先，作为基体2，利用公知的成型方法及烧成方法准备例如氮化铝质陶瓷或氧化铝质陶瓷。予以说明，在形成氧化铝质陶瓷时，为了提高基体2对可见光的反射率，可以含有氧化钡(BaO)或氧化锆(ZrO2)。另外，基体2的厚度例如为0.15mm以上且1.5mm以下。
接下来，为了形成电阻器1，准备电阻器浆料。在此，电阻器浆料由导电粉末、无机粉末和有机载体的组合构成。予以说明，有机载体发挥提高电阻器浆料的流动性的作用。
而且，导电粉末由铜粉末、镍粉末及硼化镧粉末构成。在此，作为导电粉末，只要按照以质量比计铜粉末和镍粉末：硼化镧粉末＝60～75：25～40的方式配合即可。另外，作为导电粉末，可以按照以质量比计铜粉末：镍粉末＝50～70：30～50的方式配合。予以说明，可以代替铜粉末及镍粉末而使用铜镍合金粉末。
而且，作为铜粉末或铜镍合金粉末，使用平均粒径为0.2μm以上且0.5μm以下的铜粉末或铜镍合金粉末，由此保持电阻器浆料的印刷性，并且在烧结时铜粉末之间容易适度地凝聚，从而在烧成时可以形成具有2.5μm以上的粒径的铜粒子。
另外，作为无机粉末，只要使用以氧化硅(SiO2)作为主成分并且含有氧化钡(BaO)、氧化锌(ZnO)、氧化铋(Bi2O3)、氧化硼(B2O3)的玻璃即可。另外，除上述玻璃以外，还可以使用氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、二氧化硅(SiO2)。
另外，有机载体为将有机粘合剂和有机溶剂混合而成的物质。作为有机粘合剂，从热分解性的观点出发，可以使用聚丙烯酸酯。作为有机溶剂，从浆料的流动性的观点出发，可以使用萜品醇、烷基溶纤剂乙酸酯类。予以说明，有机载体中的有机粘合剂与有机溶剂的质量比只要使有机粘合剂：有机溶剂＝15～40：60～85即可。
然后，电阻器浆料按照在烧成后的电阻器1中使铜、镍及硼化镧合计为40质量％以上的方式称重各粉末(导电粉末、无机粉末、有机载体)并进行调合。具体而言，可以相对于导电粉末及无机粉末的合计100质量份而使导电粉末为40质量份以上且70质量份以下。进而，无机粉末可以以质量比计使上述玻璃：氧化铝、氧化钛及二氧化硅的合计量＝20：80～80：20。另外，有机载体按照相对于导电粉末及无机粉末的合计100质量份为20质量份以上且30质量份以下的方式进行添加。
然后，将所得的电阻器浆料丝网印刷至基体2中的所期望区域，在70℃以上且130℃以下的温度下进行干燥、脱脂。在此，通过在80℃以上且100℃以下的温度下进行干燥、脱脂，从而可以使丝网印刷后的电阻器浆料的内部存在一定程度的有机载体，在烧成时发生挥发之际可以在电阻器1的内部形成空隙。
接下来，将丝网印刷后的电阻器浆料在氮气气氛、800℃以上且960℃以下的最高温度下保持7分钟以上且20分钟以下，进行热处理。在此，烧成温度越高，并且烧成时间越长，则可以析出越多的粒径为2.5μm以上的铜粒子。
然后，在热处理后采用激光微调进行电阻值的调整，由此得到本发明的电阻器1。激光微调只要使用输出功率1～10W、频率1～5kHz的激光、并且在微调速度10～50mm/sec的微调条件下设定任意的目标电阻值来进行即可。
予以说明，准备使有机载体的添加量不同的2种电阻器浆料(第1电阻器浆料、第2电阻器浆料)，首先，如果在基体2上用第1电阻器浆料形成第1电阻器后，在第1电阻器上用第2电阻器浆料形成第2电阻器，则可以得到由空隙所占的面积比率不同的第1电阻器及第2电阻器构成的电阻器1。
接下来，本发明的电路基板10可以通过如下方式得到，即，在形成有上述的电阻器1的基体2上形成金属层3，之后，以覆盖电阻器1、基体2及金属层3的所期望区域的方式形成玻璃层4。予以说明，上述的激光微调可以在形成玻璃层4后进行。
金属层3可以通过如下方式得到，即，使用以公知的铜为主成分的金属浆料，将其丝网印刷至基体2后，在氮气气氛中进行烧成。予以说明，金属层3的厚度可以为例如5μm以上且25μm以下。而且，为了使金属层3的厚度为所期望的厚度，只要反复进行丝网印刷、干燥及热处理或者在进行多次直至丝网印刷及干燥为止的工序后一并进行热处理即可。
另外，可以对金属层3的表面进行部分性地镀敷处理。通过这样地进行镀敷处理，从而变得容易与电子部件4或接合线等密合，可以抑制由氧化所致的金属层3的腐蚀。予以说明，作为镀敷的种类，只要是公知的镀敷即可，可列举例如镀金、镀银、镀镍-金或镀镍-钯-金等。
另外，玻璃层4可以通过如下方式来形成，即，准备混合有以R2O-B2O3-SiO2系(R：碱金属元素)、SiO2-Bi2O3-B2O3系、R2O-SiO2-B2O3-Bi2O3系中的任一种为主成分的玻璃粉末和有机载体的玻璃浆料，以覆盖电阻器1、基体2及金属层3的所期望区域的方式进行印刷，再进行干燥、脱脂、烧成。予以说明，玻璃层4的厚度可以为10μm以上且20μm以下。另外，在玻璃浆料中可以含有氧化钛或氧化锆。
另外，在本发明的电路基板10的制作中，如果使用形成有分割槽的基体2，利用上述的方法形成电阻器1及金属层3，之后进行分割，则能够效率良好地制作多个电路基板10。
接下来，本发明的电子装置20可以通过如下方式来得到，即，在上述的电路基板10中，在未被玻璃层4覆盖的金属层3上搭载电子部件5。
以下，对本发明的实施例进行具体地说明，但是，本发明并不受以下的实施例的限定。
实施例1
制作有无具有2.5μm以上的粒径的铜粒子、具有2.5μm以上的粒径的铜粒子所占的面积比率及空隙所占的面积比率不同的试样，并且评价利用激光微调来调整电阻值的容易度。
首先，利用公知的成型方法及烧成方法，准备由氧化铝质陶瓷形成的基体。
接下来，作为导电粉末，准备平均粒径为0.3μm的由铜粉末、镍粉末及硼化镧粉末构成的混合粉末。予以说明，该混合粉末按照以质量比计铜粉末：镍粉末：硼化镧粉末＝42：28：30的方式配合。
另外，作为无机粉末，准备以氧化硅为主成分并且含有氧化锌及氧化硼的SiO2-ZnO-B2O3系玻璃、以及氧化铝。
接下来，准备用于形成电阻器的电阻器浆料。电阻器浆料通过以下方式来制作，即，将混合粉末、SiO2-ZnO-B2O3系玻璃及氧化铝按照以质量比计为50：25：25的方式配合，并且相对它们的合计100质量份而添加25质量份的有机载体。
在此，有机载体使用混合有作为有机粘合剂的聚丙烯酸酯和作为有机溶剂的萜品醇的有机载体。予以说明，有机粘合剂与有机溶剂的质量比为有机粘合剂：有机溶剂＝30：70。
然后，将所得的电阻器浆料按照在基体中的所期望区域配置10个厚度为24μm且1mm×1mm的正方形图案的方式进行丝网印刷，在表1所示的温度下保持10分钟，进行干燥、脱脂。之后，在氮气气氛下且在表1所示的最高温度下保持15分钟，进行热处理，得到试样Nо.1～12。
接下来，在各试样中，利用以下的方法进行有无具有2.5μm以上的粒径的铜粒子的确认以及具有2.5μm以上的粒径的铜粒子所占的面积比率的计算。首先，切割各试样的电阻器，将其切割面用CP进行研磨。然后，对于在该研磨后的截面中确认到的晶粒，使用SEM上附带的EDS，照射X射线，由此鉴定铜粒子。接下来，在使用SEM对上述的截面进行拍摄得到的照片中，将铜粒子的部位着色。然后，使用将铜粒子的部位着色后的照片，应用图像解析软件“A像くん”的粒子解析这样的方法，进行图像解析。在此，作为“A像くん”的解析条件，将晶粒的亮度设为“明”，将2值化的方法设为“自动”，将阴影设为“有”。然后，利用该粒子解析进行有无具有2.5μm以上的粒径的铜粒子的确认以及具有2.5μm以上的粒径的铜粒子所占的面积比率的计算。
另外，使用将空隙着色后的照片，利用与上述的方法同样的方法进行操作，计算出各试样中的空隙所占的面积比率。
接下来，通过进行以下的方法来评价利用各试样中的电阻器的激光微调调整电阻值的容易度。首先，使用输出功率3W、频率5kHz的激光在微调速度30mm/sec的微调条件下设定目标电阻值为20Ω/sq，对各试样的10个电阻器，进行激光微调。然后，测定激光微调后的10个电阻器的电阻值，将其标准偏差设为σ并且将平均值设为A，求得CV＝(σ/A)×100％的值。然后，将CV的值不足0.5％的情况设为A评价，将0.5％以上且不足0.8％的情况设为B评价，将0.8％以上且不足1.0％的情况设为C评价，将1.0％以上的情况设为D评价。在此，A评价的情况可以说是基于激光微调的电阻值的调整最容易的情况，D评价的情况可以说是基于激光微调的电阻值的调整最难的情况。结果如表1所示。
[表1]
如表1所示，试样No.1为D评价，与此相对，试样No.2～12为C评价以上。由该结果可知：含有合计40质量％以上的铜、镍及硼化镧而且含有具有2.5μm以上的粒径的铜粒子的电阻器是基于激光微调的电阻值的调整较容易的电阻器。
另外，试样No.3～6及9～11为B评价以上。由该结果可知：如果是具有2.5μm以上的粒径的铜粒子所占的面积比率为2面积％以上且10面积％以下的电阻器，则成为基于激光微调的电阻值的调整更容易的电阻器。
进而，试样No.9～10为A评价。由该结果可知：如果是空隙所占的面积比率为12面积％以上且35面积％以下的电阻器，则成为基于激光微调的电阻值的调整非常容易的电阻器。
实施例2
在沿厚度方向二等分电阻器而将基体侧设为第一区域、并且将玻璃层侧设为第二区域时，制作在第一区域和第二区域中空隙所占的面积比率不同的试样，评价利用激光微调来调整电阻值的容易度。
首先，以相对于导电粉末及无机粉末的合计100质量份而使有机载体的添加量为表2所示的值的方式进行调节，除此以外，以与实施例1的试样No.2同样的方式分别制作第1电阻器浆料及第2电阻器浆料。
接下来，将第1电阻器浆料按照在基体中的所期望区域配置10个厚度为12μm且1mm×1mm的正方形图案的方式进行丝网印刷，在与实施例1的试样No.2同样的条件下进行干燥、脱脂、热处理，得到第1电阻器。接下来，将第2电阻器浆料按照使厚度为12μm的方式丝网印刷至第1电阻器上，在与实施例1的试样No.2同样的条件下进行干燥、脱脂、热处理，得到第2电阻器。在此，将第1电阻器及第2电阻器合并为电阻器。接下来，以仅露出在后述的电阻值的测定中所需的部分的电阻器的方式，在基体及电阻器上使用玻璃浆料形成玻璃层。
首先，准备R2O-B2O3-SiO2系(R：碱金属元素)的玻璃粉末。另外，准备氧化钛粉末。在此，将氧化钛粉末按照相对于玻璃粉末100质量份为15质量份的方式进行称重。
接着，准备有机载体，称重所期望量的玻璃粉末、氧化钛粉末、有机载体，进行混合，由此制作玻璃浆料。作为此时的配合量，玻璃粉末及氧化钛粉末的合计为70质量份，余量为有机载体。
然后，将所得的玻璃浆料按照烧成后的玻璃层的厚度为16μm的方式进行印刷，再进行干燥、脱脂、烧成，由此形成玻璃层，得到各试样No.13～17。在此，在利用这样的方法得到的各试样No.13～17的电阻器中，第1电阻器成为电阻器的第一区域，第2电阻器成为电阻器的第二区域。
接下来，在各试样中，使用将电阻器的空隙着色后的照片，利用与实施例1同样的方法来计算分别在第一区域及第二区域中的空隙所占的面积比率。
接下来，从玻璃层侧照射激光，除此以外，利用与实施例1同样地评价各试样中的电阻器利用激光微调来调整电阻值的容易度。
结果如表2所示。
[表2]
如表2所示，试样No.15～17为B评价以上。由该结果可知：如果是第一区域中空隙所占的面积比率多于第二区域中空隙所占的面积比率的电阻器，则为基于激光微调的电阻值的调整更容易的电阻器。
另外，试样No.16、17为A评价以上。由该结果可知：如果是第一区域中空隙所占的面积比率比第二区域中空隙所占的面积比率多4面积％以上的电阻器，则成为基于激光微调的电阻值的调整非常容易的电阻器。
符号说明
1：电阻器
2：基体
3：金属层
4：玻璃层
5：电子部件
10：电路基板
20：电子装置

Claims (7)

1.一种电阻器，其中，铜、镍及硼化镧的合计的含量为40质量％以上，并且含有粒径为2.5μm以上的铜粒子。
2.根据权利要求1所述的电阻器，其中，粒径为2.5μm以上的所述铜粒子所占的面积比率为2面积％以上且10面积％以下。
3.根据权利要求1或2所述的电阻器，其具有空隙，并且该空隙所占的面积比率为12面积％以上且35面积％以下。
4.一种电路基板，其具备：
基体、
位于该基体上的权利要求1～3中任一项所述的电阻器、
金属层、以及
位于该电阻器上的玻璃层。
5.根据权利要求4所述的电路基板，其中，所述电阻器在将沿厚度方向二等分该电阻器时的所述基体侧设为第一区域、将所述玻璃层侧设为第二区域时，
所述第一区域中的所述空隙所占的面积比率多于所述第二区域中的所述空隙所占的面积比率。
6.根据权利要求5所述的电路基板，所述第一区域中的所述空隙所占的面积比率比所述第二区域中的所述空隙所占的面积比率多4面积％以上。
7.一种电子装置，其具备权利要求4～6中任一项所述的电路基板和位于该电路基板的所述金属层上的电子部件。
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