JPH10107207A - 厚膜回路基板及びその製造方法 - Google Patents
厚膜回路基板及びその製造方法Info
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- JPH10107207A JPH10107207A JP8258757A JP25875796A JPH10107207A JP H10107207 A JPH10107207 A JP H10107207A JP 8258757 A JP8258757 A JP 8258757A JP 25875796 A JP25875796 A JP 25875796A JP H10107207 A JPH10107207 A JP H10107207A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】耐環境性能を向上させつつ、コスト低減を図
る。 【解決手段】アルミナ基板１上には、Ｃｕ導体配線層２
が所定の配線パターンにて形成され、その上には所定の
シート抵抗値を有するＣｕ−Ｎｉ系抵抗体（例えば、Ｄ
ｕｐｏｎｔ社製４２４０Ｄ）３が印刷焼成されている。
このＣｕ−Ｎｉ系抵抗体３には、その抵抗値を微調整す
るためのトリミング処理が施されている。符号３ａがト
リミング部を示す。さらに、同抵抗体３の上には、亜鉛
系材料からなるガラスコート層（例えば、Ｄｕｐｏｎｔ
社製ＱＰ５０７）４が印刷焼成されている。この場合、
トリミング部３ａを含むＣｕ−Ｎｉ系抵抗体３上にガラ
スコート層４が直接形成されてその耐環境性能が確保さ
れるため、その上に樹脂コート層を形成する等の煩雑な
工程が必要なくなる。
る。 【解決手段】アルミナ基板１上には、Ｃｕ導体配線層２
が所定の配線パターンにて形成され、その上には所定の
シート抵抗値を有するＣｕ−Ｎｉ系抵抗体（例えば、Ｄ
ｕｐｏｎｔ社製４２４０Ｄ）３が印刷焼成されている。
このＣｕ−Ｎｉ系抵抗体３には、その抵抗値を微調整す
るためのトリミング処理が施されている。符号３ａがト
リミング部を示す。さらに、同抵抗体３の上には、亜鉛
系材料からなるガラスコート層（例えば、Ｄｕｐｏｎｔ
社製ＱＰ５０７）４が印刷焼成されている。この場合、
トリミング部３ａを含むＣｕ−Ｎｉ系抵抗体３上にガラ
スコート層４が直接形成されてその耐環境性能が確保さ
れるため、その上に樹脂コート層を形成する等の煩雑な
工程が必要なくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子製品に用いら
れる厚膜回路基板及びその製造方法に関するものであ
る。
れる厚膜回路基板及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、厚膜回路基板として、小型・高密
度・低コスト化の要望から、Ｃｕ厚膜の配線パターンを
施した回路基板が広く使われているようになってきた。
こうしたＣｕ厚膜回路基板に用いられる厚膜抵抗体とし
ては、例えばＬａＢ6 （ホウ化ランタン）系抵抗体、Ｓ
ｎＯ2 （酸化錫）系抵抗体、Ｃｕ−Ｎｉ（銅−ニッケ
ル）系抵抗体等が知られている。因みに、ＬａＢ6 系抵
抗体は１０Ω／□〜１０ｋΩ／□程度のシート抵抗値
を、ＳｎＯ2 系抵抗体は１０ｋΩ／□〜１ＭΩ／□程度
のシート抵抗値を、Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体は電流検出に用
いる２０ｍΩ／□〜１０Ω／□程度のシート抵抗値を、
それぞれ有する。
度・低コスト化の要望から、Ｃｕ厚膜の配線パターンを
施した回路基板が広く使われているようになってきた。
こうしたＣｕ厚膜回路基板に用いられる厚膜抵抗体とし
ては、例えばＬａＢ6 （ホウ化ランタン）系抵抗体、Ｓ
ｎＯ2 （酸化錫）系抵抗体、Ｃｕ−Ｎｉ（銅−ニッケ
ル）系抵抗体等が知られている。因みに、ＬａＢ6 系抵
抗体は１０Ω／□〜１０ｋΩ／□程度のシート抵抗値
を、ＳｎＯ2 系抵抗体は１０ｋΩ／□〜１ＭΩ／□程度
のシート抵抗値を、Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体は電流検出に用
いる２０ｍΩ／□〜１０Ω／□程度のシート抵抗値を、
それぞれ有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の厚膜
回路基板においては、ＳｎＯ2 系抵抗体並びにＣｕ−Ｎ
ｉ系抵抗体の耐環境性能が低いために、以下に示すよう
に煩雑な製造工程が強いられていた。ここで、ＳｎＯ2
系抵抗体を用いた、従来一般の厚膜回路基板の断面構成
を図５に示す。
回路基板においては、ＳｎＯ2 系抵抗体並びにＣｕ−Ｎ
ｉ系抵抗体の耐環境性能が低いために、以下に示すよう
に煩雑な製造工程が強いられていた。ここで、ＳｎＯ2
系抵抗体を用いた、従来一般の厚膜回路基板の断面構成
を図５に示す。
【０００４】図５において、アルミナ基板１１上には、
Ｃｕ導体層１２及びＳｎＯ2 系抵抗体１３が形成され、
さらにその上には、例えば亜鉛系材料からなるガラスコ
ート層１４が形成されている。この場合、通常は、ガラ
スコート層１４の形成後にトリミングによる抵抗値調整
が行なわれるが、このトリミングによる露出部（トリミ
ング部１５）にて抵抗体１３が温度又は湿度に応じて酸
化し、抵抗値変動による特性不良が生じる。そのため、
耐環境性能を保持するには、抵抗体１３のトリミング後
において、例えば紫外線硬化樹脂材料からなる樹脂コー
ト層１６を形成することが強いられていた。
Ｃｕ導体層１２及びＳｎＯ2 系抵抗体１３が形成され、
さらにその上には、例えば亜鉛系材料からなるガラスコ
ート層１４が形成されている。この場合、通常は、ガラ
スコート層１４の形成後にトリミングによる抵抗値調整
が行なわれるが、このトリミングによる露出部（トリミ
ング部１５）にて抵抗体１３が温度又は湿度に応じて酸
化し、抵抗値変動による特性不良が生じる。そのため、
耐環境性能を保持するには、抵抗体１３のトリミング後
において、例えば紫外線硬化樹脂材料からなる樹脂コー
ト層１６を形成することが強いられていた。
【０００５】他方、Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体を用いた厚膜回
路基板では、図６（ａ）に示すように、Ｃｕ−Ｎｉ系抵
抗体Ｒ１の抵抗値を調整するために、耐環境性能に優れ
た別の系の抵抗体（例えば、ＬａＢ6 系抵抗体）Ｒ２，
Ｒ３を設け、その別の抵抗体Ｒ２，Ｒ３をトリミングに
て調整し、所望の特性を得るようにしていた。つまり、
かかる場合には、別の抵抗体Ｒ２，Ｒ３が付加的要件と
なり、製造工程の煩雑化を招く（図６（ｂ）に示すよう
に、Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体Ｒ１を単独で用いることは困難
であった）。
路基板では、図６（ａ）に示すように、Ｃｕ−Ｎｉ系抵
抗体Ｒ１の抵抗値を調整するために、耐環境性能に優れ
た別の系の抵抗体（例えば、ＬａＢ6 系抵抗体）Ｒ２，
Ｒ３を設け、その別の抵抗体Ｒ２，Ｒ３をトリミングに
て調整し、所望の特性を得るようにしていた。つまり、
かかる場合には、別の抵抗体Ｒ２，Ｒ３が付加的要件と
なり、製造工程の煩雑化を招く（図６（ｂ）に示すよう
に、Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体Ｒ１を単独で用いることは困難
であった）。
【０００６】以上のように、上記既存の技術では、温度
や湿度条件により特性不良が生じる抵抗体、即ち、耐環
境性能が低いＳｎＯ2 系抵抗体やＣｕ−Ｎｉ系抵抗体を
厚膜抵抗体として用いた場合において、その耐環境性能
を向上させるには工数のアップや基板サイズの大型化が
強いられ、高コスト化を招くという問題があった。
や湿度条件により特性不良が生じる抵抗体、即ち、耐環
境性能が低いＳｎＯ2 系抵抗体やＣｕ−Ｎｉ系抵抗体を
厚膜抵抗体として用いた場合において、その耐環境性能
を向上させるには工数のアップや基板サイズの大型化が
強いられ、高コスト化を招くという問題があった。
【０００７】本発明は、上記問題に着目してなされたも
のであって、その目的とするところは、耐環境性能を向
上させつつ、コスト低減を図ることができる厚膜回路基
板及びその製造方法を提供することである。
のであって、その目的とするところは、耐環境性能を向
上させつつ、コスト低減を図ることができる厚膜回路基
板及びその製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
に、請求項１に記載の厚膜回路基板では、厚膜抵抗体に
抵抗値調整用のトリミング部を設け、当該トリミング部
を含む厚膜抵抗体上にガラスコート層を直接形成してい
る。この場合、前記トリミング部は、ガラスコート層に
より直接保護されてその耐環境性能が確保されるため、
その上に樹脂コート層を形成する等の煩雑な工程が必要
なくなる。その結果、耐環境性能を向上させつつ、コス
ト低減を図ることができる。
に、請求項１に記載の厚膜回路基板では、厚膜抵抗体に
抵抗値調整用のトリミング部を設け、当該トリミング部
を含む厚膜抵抗体上にガラスコート層を直接形成してい
る。この場合、前記トリミング部は、ガラスコート層に
より直接保護されてその耐環境性能が確保されるため、
その上に樹脂コート層を形成する等の煩雑な工程が必要
なくなる。その結果、耐環境性能を向上させつつ、コス
ト低減を図ることができる。
【０００９】特に、請求項２に記載したように、前記厚
膜抵抗体がＣｕ−Ｎｉ系抵抗体、又はＳｎＯ2 系抵抗体
からなる場合には、その効果が顕著になる。つまり、既
述したように、従来構成によれば、Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体
では抵抗値の調整のために別の抵抗体（ＬａＢ6 ）を付
加し、他方、ＳｎＯ2 系抵抗体ではトリミング後に樹脂
コート層を形成していた（前記図５，図６参照）。しか
し、本発明の構成によれは、上記従来の付加的構成が強
いられることはなく、低コスト化が好適に実現できる。
膜抵抗体がＣｕ−Ｎｉ系抵抗体、又はＳｎＯ2 系抵抗体
からなる場合には、その効果が顕著になる。つまり、既
述したように、従来構成によれば、Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体
では抵抗値の調整のために別の抵抗体（ＬａＢ6 ）を付
加し、他方、ＳｎＯ2 系抵抗体ではトリミング後に樹脂
コート層を形成していた（前記図５，図６参照）。しか
し、本発明の構成によれは、上記従来の付加的構成が強
いられることはなく、低コスト化が好適に実現できる。
【００１０】また、厚膜回路基板の製造方法として、請
求項３に記載の発明では、厚膜抵抗体の抵抗値を調整す
るトリミング工程と、その後、前記厚膜抵抗体上にガラ
スコート層を印刷焼成する工程とを以って構成してい
る。また、請求項４に記載の発明では、厚膜抵抗体がＣ
ｕ−Ｎｉ系抵抗体、又はＳｎＯ2 系抵抗体からなるよう
にしている。これら請求項３，４に記載した製造方法に
よれば、既述した通り、耐環境性能を向上させつつ、コ
スト低減が可能な厚膜回路基板が製造できる。
求項３に記載の発明では、厚膜抵抗体の抵抗値を調整す
るトリミング工程と、その後、前記厚膜抵抗体上にガラ
スコート層を印刷焼成する工程とを以って構成してい
る。また、請求項４に記載の発明では、厚膜抵抗体がＣ
ｕ−Ｎｉ系抵抗体、又はＳｎＯ2 系抵抗体からなるよう
にしている。これら請求項３，４に記載した製造方法に
よれば、既述した通り、耐環境性能を向上させつつ、コ
スト低減が可能な厚膜回路基板が製造できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、この発明を具体化した一実
施の形態を図面に従って説明する。図１は、本実施の形
態における厚膜回路基板を示す断面図である。同図にお
いて、アルミナ基板１上には、Ｃｕ導体配線層２が所定
の配線パターンにて形成され、その上には所定のシート
抵抗値を有するＣｕ−Ｎｉ系抵抗体（例えば、Ｄｕｐｏ
ｎｔ社製４２４０Ｄ）３が印刷焼成されている。このＣ
ｕ−Ｎｉ系抵抗体３には、その抵抗値を微調整するため
のトリミング処理が施されている。符号３ａがトリミン
グ部を示す。さらに、同抵抗体３の上には、亜鉛系材料
からなるガラスコート層（例えば、Ｄｕｐｏｎｔ社製Ｑ
Ｐ５０７）４が印刷焼成されている。
施の形態を図面に従って説明する。図１は、本実施の形
態における厚膜回路基板を示す断面図である。同図にお
いて、アルミナ基板１上には、Ｃｕ導体配線層２が所定
の配線パターンにて形成され、その上には所定のシート
抵抗値を有するＣｕ−Ｎｉ系抵抗体（例えば、Ｄｕｐｏ
ｎｔ社製４２４０Ｄ）３が印刷焼成されている。このＣ
ｕ−Ｎｉ系抵抗体３には、その抵抗値を微調整するため
のトリミング処理が施されている。符号３ａがトリミン
グ部を示す。さらに、同抵抗体３の上には、亜鉛系材料
からなるガラスコート層（例えば、Ｄｕｐｏｎｔ社製Ｑ
Ｐ５０７）４が印刷焼成されている。
【００１２】次に、上記厚膜回路基板の製造工程を説明
する。先ずは、図２に示すように、アルミナ基板１上に
Ｃｕ導体配線層２を形成する。具体的には、Ｃｕ系の導
体ペーストをスクリーン印刷し、これを大気中１２０℃
の雰囲気で１０分間乾燥する。その後、焼成炉内で窒素
雰囲気中、約９００℃にて１０分間焼成することにより
Ｃｕ導体配線層２が形成される。
する。先ずは、図２に示すように、アルミナ基板１上に
Ｃｕ導体配線層２を形成する。具体的には、Ｃｕ系の導
体ペーストをスクリーン印刷し、これを大気中１２０℃
の雰囲気で１０分間乾燥する。その後、焼成炉内で窒素
雰囲気中、約９００℃にて１０分間焼成することにより
Ｃｕ導体配線層２が形成される。
【００１３】さらに、図３に示すように、前記Ｃｕ導体
配線層２の所定の電極パターン上に、Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗
体材料のペーストをスクリーン印刷し、これを大気中１
２０℃の雰囲気で１０分間乾燥する。そして、焼成炉内
で窒素雰囲気中、約９００℃で１０分間焼成することに
より、Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体３が形成される。
配線層２の所定の電極パターン上に、Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗
体材料のペーストをスクリーン印刷し、これを大気中１
２０℃の雰囲気で１０分間乾燥する。そして、焼成炉内
で窒素雰囲気中、約９００℃で１０分間焼成することに
より、Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体３が形成される。
【００１４】その後、図４に示すように、Ｃｕ−Ｎｉ系
抵抗体３に対してレーザトリミング加工を施し、その抵
抗値を所望の値に調整する。このとき、Ｃｕ−Ｎｉ系抵
抗体３にトリミング部３ａが形成される。トリミング
後、前記Ｃｕ導体配線層２及び抵抗体３上に亜鉛系ガラ
ス材料ペーストをスクリーン印刷し、６７０℃にて１０
分間焼成する。これにより、図１に示すガラスコート層
４が形成され、厚膜回路基板の一連の工程が完了する。
かかるガラスコート層４の生成時には、前記トリミング
部３ａ内にガラス材料（亜鉛系材料）が充填されること
となる。
抵抗体３に対してレーザトリミング加工を施し、その抵
抗値を所望の値に調整する。このとき、Ｃｕ−Ｎｉ系抵
抗体３にトリミング部３ａが形成される。トリミング
後、前記Ｃｕ導体配線層２及び抵抗体３上に亜鉛系ガラ
ス材料ペーストをスクリーン印刷し、６７０℃にて１０
分間焼成する。これにより、図１に示すガラスコート層
４が形成され、厚膜回路基板の一連の工程が完了する。
かかるガラスコート層４の生成時には、前記トリミング
部３ａ内にガラス材料（亜鉛系材料）が充填されること
となる。
【００１５】因みに、Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体に代えて、Ｓ
ｎＯ2 系抵抗体材料により厚膜抵抗体を形成する場合に
は、当該抵抗体の形成に際し、ＳｎＯ2 系抵抗体材料
（例えば、Ｄｕｐｏｎｔ社製ＱＰ６０１）のペーストを
Ｃｕ導体配線層２の所定の電極パターン上に印刷し、そ
れを大気中１２０℃の雰囲気で１０分間乾燥した後、焼
成炉内で窒素雰囲気中、約９００℃にて１０分間焼成す
る。それ以降、前記Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体３を用いた厚膜
回路基板の製造工程と同様に、ＳｎＯ2 系抵抗体にレー
ザトリミング加工を施した後、その上からガラスコート
層を形成する。
ｎＯ2 系抵抗体材料により厚膜抵抗体を形成する場合に
は、当該抵抗体の形成に際し、ＳｎＯ2 系抵抗体材料
（例えば、Ｄｕｐｏｎｔ社製ＱＰ６０１）のペーストを
Ｃｕ導体配線層２の所定の電極パターン上に印刷し、そ
れを大気中１２０℃の雰囲気で１０分間乾燥した後、焼
成炉内で窒素雰囲気中、約９００℃にて１０分間焼成す
る。それ以降、前記Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体３を用いた厚膜
回路基板の製造工程と同様に、ＳｎＯ2 系抵抗体にレー
ザトリミング加工を施した後、その上からガラスコート
層を形成する。
【００１６】以下に示す表１は、上記の如く製造された
厚膜回路基板の耐久評価試験の試験結果を示す。なお、
この耐久試験ではサンプルとして、Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗
体、ＳｎＯ2 系抵抗体のそれぞれを用いた回路基板を多
数用意し、それらを「ガラスコート層の形成前にトリミ
ングをしたもの」、「ガラスコート層の形成後にトリミ
ングをしたもの」、「ガラスコート層の形成後にトリミ
ングし、さらに樹脂コート層を印刷硬化させたもの」に
区分けした。また、この耐久試験において、高温高湿放
置１０００時間の抵抗値ドリフト量、高温放置１０００
時間の抵抗値ドリフト量、及び冷熱放置１０００サイク
ルの抵抗値ドリフト量を評価パラメータとした。具体的
な条件は表中に示す通りである。
厚膜回路基板の耐久評価試験の試験結果を示す。なお、
この耐久試験ではサンプルとして、Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗
体、ＳｎＯ2 系抵抗体のそれぞれを用いた回路基板を多
数用意し、それらを「ガラスコート層の形成前にトリミ
ングをしたもの」、「ガラスコート層の形成後にトリミ
ングをしたもの」、「ガラスコート層の形成後にトリミ
ングし、さらに樹脂コート層を印刷硬化させたもの」に
区分けした。また、この耐久試験において、高温高湿放
置１０００時間の抵抗値ドリフト量、高温放置１０００
時間の抵抗値ドリフト量、及び冷熱放置１０００サイク
ルの抵抗値ドリフト量を評価パラメータとした。具体的
な条件は表中に示す通りである。
【００１７】
【表１】 上記表１において、本実施の形態の構造である「ガラス
コート層の形成前にトリミングをしたもの」について
は、Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体、ＳｎＯ2 系抵抗体のそれぞれ
のサンプルがいずれも評価基準である１．５％を下回
り、その評価結果は良好となることが分かる。また、
「ガラスコート層の形成後にトリミングをしたもの」に
ついては、いずれのサンプルも評価基準を上回り、その
評価結果は不良となることが分かる。さらに、「ガラス
コート層の形成後にトリミングし、さらに樹脂コート層
を印刷硬化させたもの」については、全サンプル中、１
つを除いて評価基準を下回り、その評価結果は略良好と
なることが分かる。但し、本形態の構造では、トリミン
グ部及びその周辺領域が完全にガラスコート層で保護さ
れるため（図１参照）、従来構造よりも抵抗値ドリフト
量が小さく、その評価結果が優れることとなる。
コート層の形成前にトリミングをしたもの」について
は、Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体、ＳｎＯ2 系抵抗体のそれぞれ
のサンプルがいずれも評価基準である１．５％を下回
り、その評価結果は良好となることが分かる。また、
「ガラスコート層の形成後にトリミングをしたもの」に
ついては、いずれのサンプルも評価基準を上回り、その
評価結果は不良となることが分かる。さらに、「ガラス
コート層の形成後にトリミングし、さらに樹脂コート層
を印刷硬化させたもの」については、全サンプル中、１
つを除いて評価基準を下回り、その評価結果は略良好と
なることが分かる。但し、本形態の構造では、トリミン
グ部及びその周辺領域が完全にガラスコート層で保護さ
れるため（図１参照）、従来構造よりも抵抗値ドリフト
量が小さく、その評価結果が優れることとなる。
【００１８】一方、表２は、本実施の形態のように構成
した厚膜回路基板において、Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体、及び
ＳｎＯ2 系抵抗体のそれぞれに関し、ガラスコート層焼
成後の抵抗値ドリフト量を測定した試験結果を示す。
した厚膜回路基板において、Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体、及び
ＳｎＯ2 系抵抗体のそれぞれに関し、ガラスコート層焼
成後の抵抗値ドリフト量を測定した試験結果を示す。
【００１９】
【表２】 上記表２において、Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体の抵抗値ドリフ
ト量は、最大０．５％となり、ＳｎＯ2 系抵抗体の抵抗
値ドリフト量は最大３％となった。この結果は、抵抗値
規格±５％を満足することとなる。
ト量は、最大０．５％となり、ＳｎＯ2 系抵抗体の抵抗
値ドリフト量は最大３％となった。この結果は、抵抗値
規格±５％を満足することとなる。
【００２０】以上本実施の形態によれば、以下に示す効
果が得られる。 （ａ）本実施の形態では、厚膜抵抗体（Ｃｕ−Ｎｉ系抵
抗体、又はＳｎＯ2 系抵抗体）３にトリミング部３ａを
設け、当該トリミング部３ａを含む厚膜抵抗体３上にガ
ラスコート層４を直接形成した。この場合、トリミング
部３ａは、ガラスコート層４により直接保護されてその
耐環境性能が確保されるため、その上に樹脂コート層を
形成する等の煩雑な工程が必要なくなる。このことは、
前記表１，表２の評価結果からも立証されている。その
結果、耐環境性能を向上させつつ、コスト低減を図るこ
とができる。また、基板サイズの大型化を招くといった
不都合も解消される。
果が得られる。 （ａ）本実施の形態では、厚膜抵抗体（Ｃｕ−Ｎｉ系抵
抗体、又はＳｎＯ2 系抵抗体）３にトリミング部３ａを
設け、当該トリミング部３ａを含む厚膜抵抗体３上にガ
ラスコート層４を直接形成した。この場合、トリミング
部３ａは、ガラスコート層４により直接保護されてその
耐環境性能が確保されるため、その上に樹脂コート層を
形成する等の煩雑な工程が必要なくなる。このことは、
前記表１，表２の評価結果からも立証されている。その
結果、耐環境性能を向上させつつ、コスト低減を図るこ
とができる。また、基板サイズの大型化を招くといった
不都合も解消される。
【００２１】（ｂ）特に、厚膜抵抗体がＣｕ−Ｎｉ系抵
抗体、又はＳｎＯ2 系抵抗体からなる場合には、その効
果が顕著になる。つまり、従来構成によれば、Ｃｕ−Ｎ
ｉ系抵抗体では抵抗値の調整のために別の抵抗体（Ｌａ
Ｂ6 ）を付加し、他方、ＳｎＯ2 系抵抗体ではトリミン
グ後に樹脂コート層を形成していた（前記図５，図６参
照）。しかし、本実施の形態によれは、上記従来の付加
的構成が強いられることはなく、低コスト化が好適に実
現できる。
抗体、又はＳｎＯ2 系抵抗体からなる場合には、その効
果が顕著になる。つまり、従来構成によれば、Ｃｕ−Ｎ
ｉ系抵抗体では抵抗値の調整のために別の抵抗体（Ｌａ
Ｂ6 ）を付加し、他方、ＳｎＯ2 系抵抗体ではトリミン
グ後に樹脂コート層を形成していた（前記図５，図６参
照）。しかし、本実施の形態によれは、上記従来の付加
的構成が強いられることはなく、低コスト化が好適に実
現できる。
【００２２】（ｃ）また、厚膜回路基板の製造方法とし
て、厚膜抵抗体をトリミングする工程と、その後、前記
厚膜抵抗体上にガラスコート層を印刷焼成する工程とを
以って実現している。同製造方法によれば、既述した通
り、耐環境性能を向上させつつ、コスト低減が可能な厚
膜回路基板が製造できる。
て、厚膜抵抗体をトリミングする工程と、その後、前記
厚膜抵抗体上にガラスコート層を印刷焼成する工程とを
以って実現している。同製造方法によれば、既述した通
り、耐環境性能を向上させつつ、コスト低減が可能な厚
膜回路基板が製造できる。
【００２３】なお、本発明は、上記実施の形態の他に次
の形態にて実現できる。 （１）ガラスコート層のピンホール等により、耐環境性
能が低下するおそれのある場合には、ガラスコート層の
上に紫外線樹脂（例えば、タムラ化研社製ＵＳＲ−２
Ｇ）を形成し、その耐環境性能を向上させるようにして
もよい。この場合、製造工程は増えるものの、従来品と
比べて耐環境性能に優れる厚膜回路基板が提供できる。
の形態にて実現できる。 （１）ガラスコート層のピンホール等により、耐環境性
能が低下するおそれのある場合には、ガラスコート層の
上に紫外線樹脂（例えば、タムラ化研社製ＵＳＲ−２
Ｇ）を形成し、その耐環境性能を向上させるようにして
もよい。この場合、製造工程は増えるものの、従来品と
比べて耐環境性能に優れる厚膜回路基板が提供できる。
【００２４】（２）上記実施の形態では、ガラスコート
層を亜鉛系材料（Ｄｕｐｏｎｔ社製ＱＰ５０７）により
構成したが、これを変更してもよい。例えば鉛系材料等
を用いることもできる。
層を亜鉛系材料（Ｄｕｐｏｎｔ社製ＱＰ５０７）により
構成したが、これを変更してもよい。例えば鉛系材料等
を用いることもできる。
【００２５】（３）本発明の他の形態として、厚膜抵抗
体をＬａＢ6 系抵抗体にて構成してもよい。この場合に
も、ＬａＢ6 系抵抗体のトリミング後にガラスコート層
が形成される。なお、このＬａＢ6 系抵抗体は、耐久性
に優れるため、ガラスコート層の焼成後に再度トリミン
グを行い、その抵抗値をより高精度に調整するようにし
てもよい。
体をＬａＢ6 系抵抗体にて構成してもよい。この場合に
も、ＬａＢ6 系抵抗体のトリミング後にガラスコート層
が形成される。なお、このＬａＢ6 系抵抗体は、耐久性
に優れるため、ガラスコート層の焼成後に再度トリミン
グを行い、その抵抗値をより高精度に調整するようにし
てもよい。
【００２６】（４）また、上記実施の形態では、絶縁基
板としてアルミナ基板を用い、導体配線層としてＣｕ導
体配線基板を用いたが、それら材料の選定は任意であ
る。要は、絶縁基板上に導体配線層を印刷焼成し、それ
ら配線層間に所望のシート抵抗値を有する厚膜抵抗体を
印刷焼成して厚膜回路を形成する厚膜回路基板であれ
ば、この発明にかかる上記厚膜回路基板及びその製造方
法を同様に適用することができる。
板としてアルミナ基板を用い、導体配線層としてＣｕ導
体配線基板を用いたが、それら材料の選定は任意であ
る。要は、絶縁基板上に導体配線層を印刷焼成し、それ
ら配線層間に所望のシート抵抗値を有する厚膜抵抗体を
印刷焼成して厚膜回路を形成する厚膜回路基板であれ
ば、この発明にかかる上記厚膜回路基板及びその製造方
法を同様に適用することができる。
【００２７】（５）上記実施の形態では、レーザトリミ
ングにより厚膜抵抗体の抵抗値を調整したが、これをサ
ンドトリミングに変更することも勿論可能である。
ングにより厚膜抵抗体の抵抗値を調整したが、これをサ
ンドトリミングに変更することも勿論可能である。
【図１】発明の実施の形態における厚膜回路基板を示す
断面図。
断面図。
【図２】厚膜回路基板の製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図３】厚膜回路基板の製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図４】厚膜回路基板の製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図５】従来技術における厚膜回路基板を示す断面図。
【図６】厚膜抵抗体を用いた回路基板の電流調整部の構
成を示す回路図。
成を示す回路図。
１…アルミナ基板、２…Ｃｕ導体配線層、３…Ｃｕ−Ｎ
ｉ系抵抗体、４…ガラスコート層。
ｉ系抵抗体、４…ガラスコート層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮瀬 善行 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 磯部 隆昌 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目１番36 号 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 内 (72)発明者 水谷 寿治 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目１番36 号 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 内
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁基板上に導体配線層を印刷焼成し、そ
れら配線層間に所望のシート抵抗値を有する厚膜抵抗体
を印刷焼成して厚膜回路を形成する厚膜回路基板におい
て、 前記厚膜抵抗体に抵抗値調整用のトリミング部を設け、
当該トリミング部を含む前記厚膜抵抗体上にガラスコー
ト層を直接形成したことを特徴とする厚膜回路基板。 - 【請求項２】前記厚膜抵抗体がＣｕ−Ｎｉ系抵抗体、又
はＳｎＯ2 系抵抗体からなる請求項１に記載の厚膜回路
基板。 - 【請求項３】絶縁基板上に導体配線層を印刷焼成し、そ
れら配線層間に所望のシート抵抗値を有する厚膜抵抗体
を印刷焼成して厚膜回路を形成する厚膜回路基板の製造
方法において、 前記厚膜抵抗体の抵抗値を調整するトリミング工程と、 その後、前記厚膜抵抗体上にガラスコート層を印刷焼成
する工程とからなることを特徴とする厚膜回路基板の製
造方法。 - 【請求項４】前記厚膜抵抗体がＣｕ−Ｎｉ系抵抗体、又
はＳｎＯ2 系抵抗体からなる請求項３に記載の厚膜回路
基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8258757A JPH10107207A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 厚膜回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8258757A JPH10107207A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 厚膜回路基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107207A true JPH10107207A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17324670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8258757A Pending JPH10107207A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 厚膜回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10107207A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100463434B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2004-12-23 | 삼성전기주식회사 | 매립된 레지스터를 갖는 인쇄회로기판 및 이의 제조방법 |
| CN109791823A (zh) * | 2016-09-29 | 2019-05-21 | 京瓷株式会社 | 电阻器、具备该电阻器的电路基板和电子装置 |
-
1996
- 1996-09-30 JP JP8258757A patent/JPH10107207A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100463434B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2004-12-23 | 삼성전기주식회사 | 매립된 레지스터를 갖는 인쇄회로기판 및 이의 제조방법 |
| CN109791823A (zh) * | 2016-09-29 | 2019-05-21 | 京瓷株式会社 | 电阻器、具备该电阻器的电路基板和电子装置 |
| EP3506324A4 (en) * | 2016-09-29 | 2019-08-14 | Kyocera Corporation | RESISTANCE, ASSEMBLED PCB AND ELECTRONIC DEVICE |
| US10923252B2 (en) | 2016-09-29 | 2021-02-16 | Kyocera Corporation | Resistor, circuit board, and electronic device |
| CN109791823B (zh) * | 2016-09-29 | 2021-02-23 | 京瓷株式会社 | 电阻器、具备该电阻器的电路基板和电子装置 |
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