JP2777206B2 - 厚膜抵抗器の製造方法 - Google Patents
厚膜抵抗器の製造方法Info
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- JP2777206B2 JP2777206B2 JP1185935A JP18593589A JP2777206B2 JP 2777206 B2 JP2777206 B2 JP 2777206B2 JP 1185935 A JP1185935 A JP 1185935A JP 18593589 A JP18593589 A JP 18593589A JP 2777206 B2 JP2777206 B2 JP 2777206B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は超小型の厚膜抵抗器の製造に好適の方法に関
するものである。
するものである。
厚膜抵抗器は通常、セラミック基体上に先ず必要な電
極を電極ペーストの塗布、乾燥、焼成により形成してお
き、この電極間に所要の抵抗ペーストを塗布し、乾燥
し、焼成するようにして製造している。抵抗ペーストを
電極ペーストの後に焼成するのは、ほぼ同一の温度で２
度焼成すると抵抗被膜の特性が大幅に変化するからであ
る。
極を電極ペーストの塗布、乾燥、焼成により形成してお
き、この電極間に所要の抵抗ペーストを塗布し、乾燥
し、焼成するようにして製造している。抵抗ペーストを
電極ペーストの後に焼成するのは、ほぼ同一の温度で２
度焼成すると抵抗被膜の特性が大幅に変化するからであ
る。
ところで近年、電子部品の高密度化が進み、厚膜抵抗
器もより小型のものが求められている。又、コストダウ
ンの要求もあり、電極ペーストとして用いるAg−Pd系ペ
ーストにおいても高価なPdの含有率を減少せしめた低価
格の品種に向っており、Pd含有率は更に低下せざるを得
ない状況にある。
器もより小型のものが求められている。又、コストダウ
ンの要求もあり、電極ペーストとして用いるAg−Pd系ペ
ーストにおいても高価なPdの含有率を減少せしめた低価
格の品種に向っており、Pd含有率は更に低下せざるを得
ない状況にある。
ところが使用するAg−Pd系電極ペースト中のPd含有率
が低下する程電極中のAgが抵抗体部へ拡散し易くなり、
この拡散により抵抗体の性能に変化を生じる。拡散によ
る影響は抵抗器が小型になる程無視し得なくなる。即ち
厚膜抵抗器の小型化とコストダウンは従来の抵抗体製造
技術による限り、限界に達していると見て差支えない。
が低下する程電極中のAgが抵抗体部へ拡散し易くなり、
この拡散により抵抗体の性能に変化を生じる。拡散によ
る影響は抵抗器が小型になる程無視し得なくなる。即ち
厚膜抵抗器の小型化とコストダウンは従来の抵抗体製造
技術による限り、限界に達していると見て差支えない。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解消し、より
小型の厚膜抵抗器を、性能を劣化することなく安価に製
造し得る方法を提供することにある。
小型の厚膜抵抗器を、性能を劣化することなく安価に製
造し得る方法を提供することにある。
上記目的を達成するため本発明の方法は、セラミック
基体上に先ず抵抗ペーストを塗布し、乾燥して焼成し、
次いでAgを主成分とする電極ペーストを所定の位置に塗
布し、乾燥した後、前記抵抗ペースト焼成時よりも低
く、かつ500〜700℃の温度で焼成する点に特徴がある。
基体上に先ず抵抗ペーストを塗布し、乾燥して焼成し、
次いでAgを主成分とする電極ペーストを所定の位置に塗
布し、乾燥した後、前記抵抗ペースト焼成時よりも低
く、かつ500〜700℃の温度で焼成する点に特徴がある。
本発明法が適用し得る抵抗ペーストは特に限定される
ものでなく、RuO2系、Pb2Ru2O6系など700〜1000℃で焼
成可能な抵抗ペーストならば何れであっても良い。その
ような抵抗ペーストを先ず基体上にスクリーン印刷法等
によって塗布し、ペースト中の溶剤を蒸発させて塗膜を
乾燥し、当該ペーストの所定の条件で焼成する。次にこ
の焼成抵抗膜の電極となるべき所定の位置に電極ペース
トを塗布し、乾燥した後前記抵抗ペーストよりも低い温
度で焼成する。
ものでなく、RuO2系、Pb2Ru2O6系など700〜1000℃で焼
成可能な抵抗ペーストならば何れであっても良い。その
ような抵抗ペーストを先ず基体上にスクリーン印刷法等
によって塗布し、ペースト中の溶剤を蒸発させて塗膜を
乾燥し、当該ペーストの所定の条件で焼成する。次にこ
の焼成抵抗膜の電極となるべき所定の位置に電極ペース
トを塗布し、乾燥した後前記抵抗ペーストよりも低い温
度で焼成する。
電極ペーストを抵抗ペースト焼成時より低い温度で焼
成する理由は、先に形成された抵抗膜の性能を大幅に変
化させないためである。どの程度の温度が適当かは抵抗
ペーストの種類によって異なるので、500〜700℃の範囲
内で実験的に求めれば良い。
成する理由は、先に形成された抵抗膜の性能を大幅に変
化させないためである。どの程度の温度が適当かは抵抗
ペーストの種類によって異なるので、500〜700℃の範囲
内で実験的に求めれば良い。
電極ペーストとしてはAg−Pd系、Ag−Pt系等Agを主成
分とするものを半田付けのし易さの点で用いる。これら
電極材料は、700〜900℃で焼成されるタイプが一般的で
あるが、上記のようにより低い温度で焼成するためにペ
ースト中に使用するガラスの軟化点をより低いものにす
ると共にガラス含有率を若干増すなど、低温焼成に適し
た組成を選択する必要がある。このような低温焼成用電
極ペーストは種々市販されているので抵抗ペーストと同
様適宜入手することができる。
分とするものを半田付けのし易さの点で用いる。これら
電極材料は、700〜900℃で焼成されるタイプが一般的で
あるが、上記のようにより低い温度で焼成するためにペ
ースト中に使用するガラスの軟化点をより低いものにす
ると共にガラス含有率を若干増すなど、低温焼成に適し
た組成を選択する必要がある。このような低温焼成用電
極ペーストは種々市販されているので抵抗ペーストと同
様適宜入手することができる。
このように本発明法では電極ペーストの焼成温度を低
くするため抵抗膜への導電成分の拡散が少ない。とくに
抵抗膜の安定性を確保するため高温焼成型の抵抗ペース
トが多く用いられるようになっているが、従来法による
と抵抗ペーストを高温で焼成する程先に形成された電極
からの拡散が多くなるので、このような抵抗ペーストを
使用する場合、本発明法は大きな効果がある。
くするため抵抗膜への導電成分の拡散が少ない。とくに
抵抗膜の安定性を確保するため高温焼成型の抵抗ペース
トが多く用いられるようになっているが、従来法による
と抵抗ペーストを高温で焼成する程先に形成された電極
からの拡散が多くなるので、このような抵抗ペーストを
使用する場合、本発明法は大きな効果がある。
Ag粉57.0、Pd粉0.5、ガラス粉12.5、有機質ビヒクル3
0.0、各重量％の電極ペーストと、RuO2粉16.0、ガラス
粉53.0、有機質ビヒクル31.0、各重量％の100Ω／□の
抵抗ペースト（これをＡ抵抗ペーストと称する）又はPb
2Ru2O6粉26.0、ガラス粉45.5、有機質ビヒクル28.5、各
重量％の100kΩ／□の抵抗ペースト（これをＢ抵抗ペー
ストと称する）との組合せで抵抗器を試作した。ガラス
粉末の組成は抵抗用がPbO70、SiO219、Al2O39、B2O32、
各重量％であり、電極用はPbO74、SiO218、Al2O35、CaO
3、各重量％で、有機ビヒクルとしてエチルセルロース1
5重量％のターピネオール溶液を用いた。
0.0、各重量％の電極ペーストと、RuO2粉16.0、ガラス
粉53.0、有機質ビヒクル31.0、各重量％の100Ω／□の
抵抗ペースト（これをＡ抵抗ペーストと称する）又はPb
2Ru2O6粉26.0、ガラス粉45.5、有機質ビヒクル28.5、各
重量％の100kΩ／□の抵抗ペースト（これをＢ抵抗ペー
ストと称する）との組合せで抵抗器を試作した。ガラス
粉末の組成は抵抗用がPbO70、SiO219、Al2O39、B2O32、
各重量％であり、電極用はPbO74、SiO218、Al2O35、CaO
3、各重量％で、有機ビヒクルとしてエチルセルロース1
5重量％のターピネオール溶液を用いた。
先ずアルミナ基板に抵抗ペーストを長さ1.0mm、幅0.5
mmパターンに印刷し、乾燥後ピーク温度850℃、ピーク
時間10分、全焼成時間60分の温度プロフィールを有する
ベルト式焼成炉で焼成した。次いでこの抵抗膜の両端に
電極ペーストを極間距離が0.5mmとなるように印刷し、
ピーク温度600℃、ピーク時間５分、全焼成時間30分の
焼成炉で焼成した。抵抗膜にはガラスコートを施し、常
法に従って面積抵抗値、抵抗温度係数（TCR）、負荷寿
命（70℃,1.5Hon・0.5Hoff、定格電力1/16W）、耐湿負
荷寿命（40℃,95％RH,1.5H on・0.5H off,定格電力1/16
W）を測定した。
mmパターンに印刷し、乾燥後ピーク温度850℃、ピーク
時間10分、全焼成時間60分の温度プロフィールを有する
ベルト式焼成炉で焼成した。次いでこの抵抗膜の両端に
電極ペーストを極間距離が0.5mmとなるように印刷し、
ピーク温度600℃、ピーク時間５分、全焼成時間30分の
焼成炉で焼成した。抵抗膜にはガラスコートを施し、常
法に従って面積抵抗値、抵抗温度係数（TCR）、負荷寿
命（70℃,1.5Hon・0.5Hoff、定格電力1/16W）、耐湿負
荷寿命（40℃,95％RH,1.5H on・0.5H off,定格電力1/16
W）を測定した。
又、比較のため、Ag粉60.0、Pd粉5.0、ガラス粉15.0
（組成はPbO70.0、SiO220.0、B2O310.0、各重量％）、
有機質ビヒクル20.0、各重量％の電極ペーストを用い、
従来例に従ってアルミナ基板に先ず極間距離0.5mmの電
極パターンで印刷し、850℃で焼成後、該電極間に前記
抵抗ペーストＡ、Ｂを長さ1.0mm、幅0.5mmのパターンで
印刷し、850℃で焼成し、上記と同様の測定を行った。
（組成はPbO70.0、SiO220.0、B2O310.0、各重量％）、
有機質ビヒクル20.0、各重量％の電極ペーストを用い、
従来例に従ってアルミナ基板に先ず極間距離0.5mmの電
極パターンで印刷し、850℃で焼成後、該電極間に前記
抵抗ペーストＡ、Ｂを長さ1.0mm、幅0.5mmのパターンで
印刷し、850℃で焼成し、上記と同様の測定を行った。
結果を第１表にまとめて示す。
第１表の結果は本発明法の場合抵抗体本来の性能を示
し、一方従来法では性能が大幅に低下することを示して
おり、本発明法によれば電極材料に影響されないで抵抗
器を製造し得ることが分る。
し、一方従来法では性能が大幅に低下することを示して
おり、本発明法によれば電極材料に影響されないで抵抗
器を製造し得ることが分る。
〔発明の効果〕 本発明により抵抗器の小型化、低コスト化を一層進め
られる見通しが得られた。
られる見通しが得られた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01C 17/00 - 17/30
Claims (1)
- 【請求項１】セラミック基体上に抵抗被膜と電極とを形
成して厚膜抵抗器を製造するに際し、セラミック基体上
に先ず抵抗ペーストを塗布し、乾燥して焼成し、次いで
Agを主成分とする電極ペーストを所定の位置に塗布し、
乾燥した後、前記抵抗ペースト焼成時よりも低く、かつ
500〜700℃の温度で焼成することを特徴とする厚膜抵抗
器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185935A JP2777206B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 厚膜抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185935A JP2777206B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 厚膜抵抗器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0352202A JPH0352202A (ja) | 1991-03-06 |
| JP2777206B2 true JP2777206B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=16179458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1185935A Expired - Lifetime JP2777206B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 厚膜抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2777206B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11195505A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | E I Du Pont De Nemours & Co | 厚膜抵抗体及びその製造方法 |
| KR100365692B1 (ko) | 2000-02-24 | 2002-12-26 | 삼성전자 주식회사 | 토너 화상 정착을 위한 직접 가열 롤러 및 그 제조 방법 |
| JP4828710B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2011-11-30 | 釜屋電機株式会社 | チップ形抵抗器およびその製造方法 |
| CN110534274B (zh) * | 2017-10-23 | 2021-07-02 | 潮州三环（集团）股份有限公司 | 一种阻值范围为0.1ω/□～1ω/□的厚膜电阻浆料及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5918669A (ja) * | 1982-07-22 | 1984-01-31 | Toshiba Corp | 厚膜回路の形成法 |
| JPH0740631B2 (ja) * | 1987-01-23 | 1995-05-01 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜回路基板の製造方法 |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP1185935A patent/JP2777206B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0352202A (ja) | 1991-03-06 |
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