JP2532279B2 - 厚膜回路の製造方法 - Google Patents
厚膜回路の製造方法Info
- Publication number
- JP2532279B2 JP2532279B2 JP63245441A JP24544188A JP2532279B2 JP 2532279 B2 JP2532279 B2 JP 2532279B2 JP 63245441 A JP63245441 A JP 63245441A JP 24544188 A JP24544188 A JP 24544188A JP 2532279 B2 JP2532279 B2 JP 2532279B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance
- lab
- film
- sno
- thick film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は厚膜回路の製造に関し、さらに詳しくは、セ
ラミック基板上に、２種以上の異なる系統の材料の抵抗
膜が混在している厚膜回路を、パターン設計の自由度を
拘束されずに形成することのできる新規な厚膜回路製造
方法に関する。
ラミック基板上に、２種以上の異なる系統の材料の抵抗
膜が混在している厚膜回路を、パターン設計の自由度を
拘束されずに形成することのできる新規な厚膜回路製造
方法に関する。
［従来の技術］ 近時、厚膜材料の卑金属化が推進されており、Ag−Pd
（銀−パラジウム）に代表される従来の銀系導体材料は
銅系導体材料に移行しつつある。このような導体材料の
移行に伴って、新しい抵抗材料の開発も進められ、従来
のRuO2（酸化ルテニウム）系に代って、低抵抗用のLaB6
（ホウ化ランタン）系および高抵抗用のSnO2−Ta（酸化
錫−タンタル）系が一般的抵抗材料として普及してき
た。これらの卑金属材料を用いる厚膜回路製造法の一般
的なフローチャートは第１図に示す通りである。この方
法で特徴的なことは、Cu導体および卑金属系抵抗体が、
パターン印刷でアルミナ基板に塗布、乾燥された後、所
定の酸素濃度（通常３〜7ppm）の窒素雰囲気中にて所定
の温度（通常900℃）で所定時間（通常10分間）焼成さ
れてつくられることである。この方法で例えば抵抗値
R1,R2…,Rnを持つｎ種の抵抗膜を形成したいときは、印
刷と乾燥を交互に繰り返して基板上にｎ種類の乾燥した
印刷抵抗膜を形成した後、一括的に焼成してｎ種の異な
る抵抗値を持つ抵抗膜を一度の焼成で形成するのが普通
である。これは、一度焼成されてでき上った抵抗膜を再
度焼成すると焼結度の違いから抵抗値が変ってくるため
である。
（銀−パラジウム）に代表される従来の銀系導体材料は
銅系導体材料に移行しつつある。このような導体材料の
移行に伴って、新しい抵抗材料の開発も進められ、従来
のRuO2（酸化ルテニウム）系に代って、低抵抗用のLaB6
（ホウ化ランタン）系および高抵抗用のSnO2−Ta（酸化
錫−タンタル）系が一般的抵抗材料として普及してき
た。これらの卑金属材料を用いる厚膜回路製造法の一般
的なフローチャートは第１図に示す通りである。この方
法で特徴的なことは、Cu導体および卑金属系抵抗体が、
パターン印刷でアルミナ基板に塗布、乾燥された後、所
定の酸素濃度（通常３〜7ppm）の窒素雰囲気中にて所定
の温度（通常900℃）で所定時間（通常10分間）焼成さ
れてつくられることである。この方法で例えば抵抗値
R1,R2…,Rnを持つｎ種の抵抗膜を形成したいときは、印
刷と乾燥を交互に繰り返して基板上にｎ種類の乾燥した
印刷抵抗膜を形成した後、一括的に焼成してｎ種の異な
る抵抗値を持つ抵抗膜を一度の焼成で形成するのが普通
である。これは、一度焼成されてでき上った抵抗膜を再
度焼成すると焼結度の違いから抵抗値が変ってくるため
である。
［発明が解決しようとする課題］ RuO2系に代って普及してきた抵抗材料のLaB6系および
SnO2−Ta系は、前者が10Ω／□〜10kΩ／□の範囲の低
抵抗膜形成用として、また後者は30kΩ／□〜1MΩ／□
の範囲の高抵抗膜形成用として用いられている。これら
２つの異なる系統の抵抗材料を同一セラミック基板上に
同時に印刷し、かつ乾燥した後、両者が混在するものを
焼成することによって、LaB6系抵抗膜およびSnO2−Ta系
抵抗膜が同一セラミック基板上に混在している厚膜回路
をつくろうとする試みはこれまでのところ成功していな
い。焼成時にLaB6系材料から発生するビヒクル分解ガス
がSnO2−Ta系材料の焼結速度に影響を与え、焼き上り後
のSnO2−Ta系抵抗膜の抵抗値を所定の設計値から著しく
かけ離れた高い値にしてしまうためである。すなわち、
例えば第２図に示すようなパターンで、LaB6系の300Ω
／□の抵抗材料とSnO2−Ta系の100kΩ／□の抵抗材料と
を同一基板面上に交互に印刷、乾燥して形成した２種類
の抵抗膜を一括焼成してつくった厚膜回路の抵抗値を調
べてみると、SnO2−Ta系（100kΩ／□）抵抗膜の抵抗値
は、LaB6系抵抗膜を共存させずに焼成して得られるSnO2
−Ta系抵抗膜の抵抗値に比し、約1.7倍もの高い値とな
り、所望の設計値から著しくかけ離れたものになってし
まう。これを回避するためには、LaB6系抵抗膜とSnO2−
Ta系抵抗膜との距離を、例えば20mm以上と大きくとるこ
とにより、ビヒクル分解ガスの影響が及ばない程度に両
者を物理的に隔絶して焼成すればよいが、現在厚膜ICの
実装密度は一層高められる傾向にあり、これに伴って基
板サイズは小型化し、抵抗体相互の距離は一層小さくな
ってゆくのが必然的傾向である。したがって、上記の如
く抵抗膜間の距離を大きくとるといったパターン設計の
自由度をせばめるようなことはとうてい実現性のないこ
とである。
SnO2−Ta系は、前者が10Ω／□〜10kΩ／□の範囲の低
抵抗膜形成用として、また後者は30kΩ／□〜1MΩ／□
の範囲の高抵抗膜形成用として用いられている。これら
２つの異なる系統の抵抗材料を同一セラミック基板上に
同時に印刷し、かつ乾燥した後、両者が混在するものを
焼成することによって、LaB6系抵抗膜およびSnO2−Ta系
抵抗膜が同一セラミック基板上に混在している厚膜回路
をつくろうとする試みはこれまでのところ成功していな
い。焼成時にLaB6系材料から発生するビヒクル分解ガス
がSnO2−Ta系材料の焼結速度に影響を与え、焼き上り後
のSnO2−Ta系抵抗膜の抵抗値を所定の設計値から著しく
かけ離れた高い値にしてしまうためである。すなわち、
例えば第２図に示すようなパターンで、LaB6系の300Ω
／□の抵抗材料とSnO2−Ta系の100kΩ／□の抵抗材料と
を同一基板面上に交互に印刷、乾燥して形成した２種類
の抵抗膜を一括焼成してつくった厚膜回路の抵抗値を調
べてみると、SnO2−Ta系（100kΩ／□）抵抗膜の抵抗値
は、LaB6系抵抗膜を共存させずに焼成して得られるSnO2
−Ta系抵抗膜の抵抗値に比し、約1.7倍もの高い値とな
り、所望の設計値から著しくかけ離れたものになってし
まう。これを回避するためには、LaB6系抵抗膜とSnO2−
Ta系抵抗膜との距離を、例えば20mm以上と大きくとるこ
とにより、ビヒクル分解ガスの影響が及ばない程度に両
者を物理的に隔絶して焼成すればよいが、現在厚膜ICの
実装密度は一層高められる傾向にあり、これに伴って基
板サイズは小型化し、抵抗体相互の距離は一層小さくな
ってゆくのが必然的傾向である。したがって、上記の如
く抵抗膜間の距離を大きくとるといったパターン設計の
自由度をせばめるようなことはとうてい実現性のないこ
とである。
そこで本発明の課題は、設計の自由度を拘束されるこ
となく、所望の抵抗値を精度良く付与された２種以上の
抵抗膜を持つ厚膜回路の製造方法を開発することであ
る。
となく、所望の抵抗値を精度良く付与された２種以上の
抵抗膜を持つ厚膜回路の製造方法を開発することであ
る。
［課題を解決するための手段］ LaB6系抵抗体とSnO2−Ta系抵抗体とが同一セラミック
基板上に混在する回路基板を下記の工程に従って製造す
ることにより課題を解決した。
基板上に混在する回路基板を下記の工程に従って製造す
ることにより課題を解決した。
（１） まず種々の目標抵抗値を持つLaB6系抵抗材料を
１種類ずつスクリーン印刷して所定の方法で乾燥させ、
これを必要回数繰り返してすべての種類のLaB6系抵抗材
料の印刷乾燥膜を形成する。
１種類ずつスクリーン印刷して所定の方法で乾燥させ、
これを必要回数繰り返してすべての種類のLaB6系抵抗材
料の印刷乾燥膜を形成する。
（２） LaB6系抵抗体が全て乾燥体になった後、これら
を所定の条件で焼成する。一般に、O2濃度３〜7ppmの窒
素雰囲気900℃で10分間焼成するのが好ましい。
を所定の条件で焼成する。一般に、O2濃度３〜7ppmの窒
素雰囲気900℃で10分間焼成するのが好ましい。
（３） 次に、種々の目標抵抗値を持つSnO2−Ta系抵抗
材料を１種類ずつ（１）で述べたと同様の手順で印刷、
乾燥して、必要な種類数のSnO2−Ta系抵抗膜の乾燥体を
形成する。
材料を１種類ずつ（１）で述べたと同様の手順で印刷、
乾燥して、必要な種類数のSnO2−Ta系抵抗膜の乾燥体を
形成する。
（４） 続いて、（３）で得られた全てのSnO2−Ta系抵
抗膜の乾燥体を所定の条件で焼成する。この条件は通常
（２）の場合と同様900℃,10分間でよい。この際、既に
一度焼成されたLaB6系抵抗体は二度焼きされることにな
るが、二度焼きによるLaB6系抵抗体の抵抗値の変化は許
容できる範囲に留まる。
抗膜の乾燥体を所定の条件で焼成する。この条件は通常
（２）の場合と同様900℃,10分間でよい。この際、既に
一度焼成されたLaB6系抵抗体は二度焼きされることにな
るが、二度焼きによるLaB6系抵抗体の抵抗値の変化は許
容できる範囲に留まる。
上記の方法で厚膜回路を製造すれば、SnO2−Ta系抵抗
材料は、その焼成時に、LaB6系抵抗材料混在による影響
をそれほど強く受けなくなるので、焼成後の各SnO2−Ta
系抵抗体の抵抗値は所望の設計値にほゞ近い値となり、
一方、二度焼きによるLaB6系抵抗体の抵抗値の変化もそ
れほど大きくはならないことがわかった。したがって上
記の方法により、設計の自由度を拘束されることなく、
所望の抵抗値を精度良く付与された２種以上の抵抗膜を
持つ厚膜回路を好都合に製造することができる。
材料は、その焼成時に、LaB6系抵抗材料混在による影響
をそれほど強く受けなくなるので、焼成後の各SnO2−Ta
系抵抗体の抵抗値は所望の設計値にほゞ近い値となり、
一方、二度焼きによるLaB6系抵抗体の抵抗値の変化もそ
れほど大きくはならないことがわかった。したがって上
記の方法により、設計の自由度を拘束されることなく、
所望の抵抗値を精度良く付与された２種以上の抵抗膜を
持つ厚膜回路を好都合に製造することができる。
［作用］ LaB6系材料が焼成時に発生するビヒクル分解ガスは、
焼成の比較的初期段階、すなわち温度400℃以下の段階
で発生するものであり、主成分の焼結段階（700〜900
℃）に入った後は発生しない。また、一度焼結が完了し
た抵抗体を再度焼結しても分解ガスの発生は無い。焼成
過程においてLaB6系材料の分解ガスがSnO2−Ta系材料の
焼結速度を変えることが焼成後のSnO2−Ta系抵抗膜の組
成変化をひきおこす原因となっていたのであるから、先
にLaB6系材料の焼結を完成させ、後にSnO2−Ta系材料を
焼成する本発明の方法では、SnO2−Ta系材料は焼成時に
分解ガスの影響を全く受けない。ただし、LaB6系材料は
２度焼成工程を経ることになるため、焼結度に差異が生
じ、抵抗値が一度焼きの場合と違ってくる。しかしなが
ら、この抵抗値の違いはLaB6系抵抗膜全体にわたり、い
ずれも３〜５％程度に過ぎない。この値は、工程条件の
変動によって生じる抵抗値の誤差の範囲内であり、ま
た、後にレーザートリミングによる抵抗値調整工程があ
ることを考慮すると、実用上何ら問題のない大きさの抵
抗値変化であると言える。ただし、一般的には、二度焼
きによる抵抗値の変化の大きさは無視できないものであ
り、たとえば、通常のRuO2系抵抗材料は二度焼きにより
大幅に抵抗値の増減が生じる。また、シート抵抗値毎に
挙動がばらばらであるため、本発明で採用したような二
度焼きが実施されることはあまりない。
焼成の比較的初期段階、すなわち温度400℃以下の段階
で発生するものであり、主成分の焼結段階（700〜900
℃）に入った後は発生しない。また、一度焼結が完了し
た抵抗体を再度焼結しても分解ガスの発生は無い。焼成
過程においてLaB6系材料の分解ガスがSnO2−Ta系材料の
焼結速度を変えることが焼成後のSnO2−Ta系抵抗膜の組
成変化をひきおこす原因となっていたのであるから、先
にLaB6系材料の焼結を完成させ、後にSnO2−Ta系材料を
焼成する本発明の方法では、SnO2−Ta系材料は焼成時に
分解ガスの影響を全く受けない。ただし、LaB6系材料は
２度焼成工程を経ることになるため、焼結度に差異が生
じ、抵抗値が一度焼きの場合と違ってくる。しかしなが
ら、この抵抗値の違いはLaB6系抵抗膜全体にわたり、い
ずれも３〜５％程度に過ぎない。この値は、工程条件の
変動によって生じる抵抗値の誤差の範囲内であり、ま
た、後にレーザートリミングによる抵抗値調整工程があ
ることを考慮すると、実用上何ら問題のない大きさの抵
抗値変化であると言える。ただし、一般的には、二度焼
きによる抵抗値の変化の大きさは無視できないものであ
り、たとえば、通常のRuO2系抵抗材料は二度焼きにより
大幅に抵抗値の増減が生じる。また、シート抵抗値毎に
挙動がばらばらであるため、本発明で採用したような二
度焼きが実施されることはあまりない。
本発明の方法と全く逆の順序で二度焼きすることも可
能であるが、再焼成（リファイアー）によるSnO2−Ta系
材料の抵抗値変化率がLaB6系材料が再焼成される場合に
比較して著しく大きく数十％となるため、抵抗ペースト
のブレンド時での抵抗調整の配慮が必要になり、また、
再焼成による抵抗変化率のバラツキが大きいので、実施
がやゝ困難となり現実的でない。
能であるが、再焼成（リファイアー）によるSnO2−Ta系
材料の抵抗値変化率がLaB6系材料が再焼成される場合に
比較して著しく大きく数十％となるため、抵抗ペースト
のブレンド時での抵抗調整の配慮が必要になり、また、
再焼成による抵抗変化率のバラツキが大きいので、実施
がやゝ困難となり現実的でない。
実施例 １ 第２図に示すような96％のアルミナ基板１（50.4mm×
50.4mm×0.635mm）上に、デュポン社Cuペースト9153を
第３図に示すようなパターンでスクリーン印刷し、これ
を大気中にて120℃で10分間乾燥して乾燥膜厚24μｍの
塗膜を形成した後、ベルトコンベア炉内、酸素濃度3.5p
pmの窒素雰囲気中にて900℃で10分間焼成して第３図に
示すようなCu電極２を有する基板44個を作製した。
50.4mm×0.635mm）上に、デュポン社Cuペースト9153を
第３図に示すようなパターンでスクリーン印刷し、これ
を大気中にて120℃で10分間乾燥して乾燥膜厚24μｍの
塗膜を形成した後、ベルトコンベア炉内、酸素濃度3.5p
pmの窒素雰囲気中にて900℃で10分間焼成して第３図に
示すようなCu電極２を有する基板44個を作製した。
これらの基板を22個ずつのA,B2群に分け、それぞれの
群毎に、基板上に下記の如き２通りの方法で抵抗体塗膜
を形成して各群22個の試料（厚膜回路）を作成した。
群毎に、基板上に下記の如き２通りの方法で抵抗体塗膜
を形成して各群22個の試料（厚膜回路）を作成した。
Ａ群（A1〜A22） 各基板の試料のCu電極２の上に、デュポン社の抵抗ペ
ースト6403（LaB6系,1kΩ／□）を1mm×1mm寸法で第４
図に示すような形状にスクリーン印刷した後、大気中12
0℃で10分間乾燥して、乾燥膜厚25μｍの抵抗体塗膜３
を形成した。この試料を酸素濃度3.5ppmの窒素雰囲気炉
にて900℃で10分間焼成した後、デュポン社のペースト6
415（SnO2−Ta系,100kΩ／□）を前記6403と同一の寸
法、形状にスクリーン印刷し、6403の場合と同一条件で
乾燥して、第５図に示すような乾燥膜厚25μｍの抵抗体
塗膜４を形成した。
ースト6403（LaB6系,1kΩ／□）を1mm×1mm寸法で第４
図に示すような形状にスクリーン印刷した後、大気中12
0℃で10分間乾燥して、乾燥膜厚25μｍの抵抗体塗膜３
を形成した。この試料を酸素濃度3.5ppmの窒素雰囲気炉
にて900℃で10分間焼成した後、デュポン社のペースト6
415（SnO2−Ta系,100kΩ／□）を前記6403と同一の寸
法、形状にスクリーン印刷し、6403の場合と同一条件で
乾燥して、第５図に示すような乾燥膜厚25μｍの抵抗体
塗膜４を形成した。
次いで、再び、酸素濃度3.5ppm窒素雰囲気炉にて900
℃で10分間焼成して厚膜回路試料A1〜A22を作成した。
℃で10分間焼成して厚膜回路試料A1〜A22を作成した。
Ｂ群（B1〜B22） 各試料基板のCu電極２上に、前記抵抗ペースト6403
を、前記同様1mm×1mmの寸法・形状にスクリーン印刷し
た後、大気中にて120℃で10分間乾燥して乾燥膜厚25μ
ｍの抵抗塗膜３を形成し、引き続き、前記抵抗ペースト
6415を前記同様の寸法・形状にスクリーン印刷した後、
大気中にて120℃で10分間乾燥して乾燥膜厚25μｍの抵
抗塗膜４を形成した。次いで、これら２種類の異なる抵
抗体乾燥膜を有する試料基板を、酸素濃度3.5ppmの窒素
雰囲気炉にて、900℃で10分間焼成して厚膜回路試料B1
〜B22を作成した。
を、前記同様1mm×1mmの寸法・形状にスクリーン印刷し
た後、大気中にて120℃で10分間乾燥して乾燥膜厚25μ
ｍの抵抗塗膜３を形成し、引き続き、前記抵抗ペースト
6415を前記同様の寸法・形状にスクリーン印刷した後、
大気中にて120℃で10分間乾燥して乾燥膜厚25μｍの抵
抗塗膜４を形成した。次いで、これら２種類の異なる抵
抗体乾燥膜を有する試料基板を、酸素濃度3.5ppmの窒素
雰囲気炉にて、900℃で10分間焼成して厚膜回路試料B1
〜B22を作成した。
次に、上記A,B群の厚膜回路試料の抵抗値を、デジタ
ルマルチメータ（タケダ理研TR6856）を用いて測定し
た。
ルマルチメータ（タケダ理研TR6856）を用いて測定し
た。
結果は第１表に示す通りであった。
第１表から明らかであるように、本発明の方法で試料
A1〜A22の基板上に形成したSnO2−Ta系抵抗膜の抵抗値
は目標値が100kΩ／□であったのに対して、試料数ｎ＝
22の平均値が98.5kΩ／□とほゞ近い値になっている
が、従来技術の方法で試料B1〜B22の基板上に形成したS
nO2−Ta系抵抗膜の抵抗値は試料数ｎ＝22の平均値が16
8.4kΩ／□であって、目標値100kΩ／□の約1.68倍とい
う高い値となっている。また、本発明の方法では、LaB6
系の抵抗膜がリファイアー（二度焼き）されることにな
るが、このリファイアーの影響度を抵抗変化率に関して
一度焼きの場合と比較してみると、その違いは＋3.4％
程度であり、この値は工程変動によって生じる誤差の範
囲内であり、また後工程のレーザートリミングによる抵
抗値調整によって十分吸収できる値であって実用上問題
ないものである。
A1〜A22の基板上に形成したSnO2−Ta系抵抗膜の抵抗値
は目標値が100kΩ／□であったのに対して、試料数ｎ＝
22の平均値が98.5kΩ／□とほゞ近い値になっている
が、従来技術の方法で試料B1〜B22の基板上に形成したS
nO2−Ta系抵抗膜の抵抗値は試料数ｎ＝22の平均値が16
8.4kΩ／□であって、目標値100kΩ／□の約1.68倍とい
う高い値となっている。また、本発明の方法では、LaB6
系の抵抗膜がリファイアー（二度焼き）されることにな
るが、このリファイアーの影響度を抵抗変化率に関して
一度焼きの場合と比較してみると、その違いは＋3.4％
程度であり、この値は工程変動によって生じる誤差の範
囲内であり、また後工程のレーザートリミングによる抵
抗値調整によって十分吸収できる値であって実用上問題
ないものである。
実施例 ２ 実施例１と同様な方法で形成した第３図に示すような
Cu電極２を面上に有する44個のアルミナ基板を22個ずつ
A,B2群に分けそれぞれについて、下記の如き２りの方法
で抵抗体膜を形成して各群22個の厚膜回路試料を作成し
た。
Cu電極２を面上に有する44個のアルミナ基板を22個ずつ
A,B2群に分けそれぞれについて、下記の如き２りの方法
で抵抗体膜を形成して各群22個の厚膜回路試料を作成し
た。
Ａ群の試料（A23〜A44） 実施例１で用いたデュポン社の抵抗ペースト6403の代
りに同6402（LaB6系,100Ω／□）を用い、さらにデュポ
ン社の抵抗ペースト6415の代りに同6416（SnO2−Ta系,1
MΩ／□）を用いたこと以外は、実施例１の試料A1〜A22
の場合と全く同様にして厚膜回路試料A23〜A44を作成し
た。
りに同6402（LaB6系,100Ω／□）を用い、さらにデュポ
ン社の抵抗ペースト6415の代りに同6416（SnO2−Ta系,1
MΩ／□）を用いたこと以外は、実施例１の試料A1〜A22
の場合と全く同様にして厚膜回路試料A23〜A44を作成し
た。
Ｂ群の試料（B23〜B44） 実施例１で用いたデュポン社の抵抗ペースト6403の代
りに同6402（LaB6系,100Ω／□）を用い、さらにデュポ
ン社の抵抗ペースト6415の代りに同6416（SnO2−Ta系,1
MΩ／□）を用いたこと以外は、実施例１の試料B1〜B22
の場合と全く同様にして厚膜回路試料B23〜B44を作成し
た 次に、上記A,B各群と厚膜回路試料の抵抗値を、デジ
タルマルチメータ（タケダ理研TR6856）を用いて測定し
た。結果は第２表に示す通りであった。
りに同6402（LaB6系,100Ω／□）を用い、さらにデュポ
ン社の抵抗ペースト6415の代りに同6416（SnO2−Ta系,1
MΩ／□）を用いたこと以外は、実施例１の試料B1〜B22
の場合と全く同様にして厚膜回路試料B23〜B44を作成し
た 次に、上記A,B各群と厚膜回路試料の抵抗値を、デジ
タルマルチメータ（タケダ理研TR6856）を用いて測定し
た。結果は第２表に示す通りであった。
第２表から明らかであるように、本発明の方法で試料
A23〜A44の基板上に形成したSnO2−Ta系抵抗膜の抵抗値
は目標値が1MΩ／□であったのに対して22個の試料A23
〜A44についての平均値が976.4kΩ／□とほゞ近い値に
なっているが、従来技術の方法で試料B23〜B44の基板上
に形成したSnO2−Ta系抵抗膜の抵抗値は試料数ｎ＝22の
平均値が1542.7kΩ／□であって目標値の約1.54倍とい
う大幅に高い値となっている。
A23〜A44の基板上に形成したSnO2−Ta系抵抗膜の抵抗値
は目標値が1MΩ／□であったのに対して22個の試料A23
〜A44についての平均値が976.4kΩ／□とほゞ近い値に
なっているが、従来技術の方法で試料B23〜B44の基板上
に形成したSnO2−Ta系抵抗膜の抵抗値は試料数ｎ＝22の
平均値が1542.7kΩ／□であって目標値の約1.54倍とい
う大幅に高い値となっている。
また、本発明の方法では、LaB6系の抵抗膜がリファイ
アー（二度焼き）の影響によって一度焼きの場合に比し
＋3.3％程度変化したに過ぎなかった。
アー（二度焼き）の影響によって一度焼きの場合に比し
＋3.3％程度変化したに過ぎなかった。
［発明の効果］ Cu厚膜導体を有するアルミナ基板上に、先ずLaB6系抵
抗材料を印刷、乾燥、焼成して低抵抗値の抵抗膜を形成
し、その後、続いてSnO2−Ta系抵抗材料を印刷、乾燥、
焼成して高抵抗値の抵抗膜を形成する方式をとる本発明
の方法によれば、LaB6系材料から焼成時に発生するビヒ
クル分解ガスの影響によってSnO2−Ta系材料の焼成が妨
害されることがないので、それぞれ安定した抵抗値のLa
B6系抵抗膜とSnO2−Ta系抵抗膜とが極めて接近した状態
で混在している厚膜回路を困難なく製造することができ
る。したがって、LaB6系材料とSnO2−Ta系材料とを物理
的に隔絶して焼成する必要がなく、パターン設計の自由
度が拘束されない。LaB6系抵抗膜は二度焼きされること
になるが、これによる抵抗膜の変化は僅かであり、レー
ザートリミング等で簡単に修正できる範囲なので実用上
問題ない。
抗材料を印刷、乾燥、焼成して低抵抗値の抵抗膜を形成
し、その後、続いてSnO2−Ta系抵抗材料を印刷、乾燥、
焼成して高抵抗値の抵抗膜を形成する方式をとる本発明
の方法によれば、LaB6系材料から焼成時に発生するビヒ
クル分解ガスの影響によってSnO2−Ta系材料の焼成が妨
害されることがないので、それぞれ安定した抵抗値のLa
B6系抵抗膜とSnO2−Ta系抵抗膜とが極めて接近した状態
で混在している厚膜回路を困難なく製造することができ
る。したがって、LaB6系材料とSnO2−Ta系材料とを物理
的に隔絶して焼成する必要がなく、パターン設計の自由
度が拘束されない。LaB6系抵抗膜は二度焼きされること
になるが、これによる抵抗膜の変化は僅かであり、レー
ザートリミング等で簡単に修正できる範囲なので実用上
問題ない。
第１図は卑金属材料を用いる厚膜回路製造法の一般的な
フローチャートである。 第２図はCu電極を有するアルミナ基板上にLaB6系材料の
抵抗膜とSnO2−Ta系材料の抵抗膜とを混在配置した厚膜
回路の一例を示す斜視図である。 第３図は第２図の厚膜回路の銅電極の配置状態を示す説
明図である。 第４図は第３図の銅電極の上にLaB6系抵抗膜を形成した
状態を示す説明図である。 第５図は第４図の状態にさらにSnO2−Ta系抵抗膜が追加
形成された状態を示す説明図である。 図中の参照番号はそれぞれ次のものを表わす。 １……アルミナ基板、２……Cu電極 ３……LaB6系抵抗膜 ４……SnO2−Ta系抵抗膜
フローチャートである。 第２図はCu電極を有するアルミナ基板上にLaB6系材料の
抵抗膜とSnO2−Ta系材料の抵抗膜とを混在配置した厚膜
回路の一例を示す斜視図である。 第３図は第２図の厚膜回路の銅電極の配置状態を示す説
明図である。 第４図は第３図の銅電極の上にLaB6系抵抗膜を形成した
状態を示す説明図である。 第５図は第４図の状態にさらにSnO2−Ta系抵抗膜が追加
形成された状態を示す説明図である。 図中の参照番号はそれぞれ次のものを表わす。 １……アルミナ基板、２……Cu電極 ３……LaB6系抵抗膜 ４……SnO2−Ta系抵抗膜
Claims (1)
- 【請求項１】Cu厚膜導体パターンを有するアルミナ基板
上に、まずLaB6系抵抗材料を印刷し乾燥した後焼成して
LaB6系抵抗膜を形成し、しかる後にSnO2−Ta系抵抗材料
を印刷し乾燥して既に焼成されたLaB6系抵抗膜と共に焼
成し、SnO2−Ta系抵抗膜を形成することからなる厚膜回
路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63245441A JP2532279B2 (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 厚膜回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63245441A JP2532279B2 (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 厚膜回路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0291990A JPH0291990A (ja) | 1990-03-30 |
| JP2532279B2 true JP2532279B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=17133710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63245441A Expired - Lifetime JP2532279B2 (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 厚膜回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2532279B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH066118A (ja) * | 1991-04-22 | 1994-01-14 | Taisee:Kk | 方向性結合器 |
| KR20020079522A (ko) * | 2001-04-10 | 2002-10-19 | 야자키 소교 가부시키가이샤 | 후막저항판 및 그 제조방법 |
-
1988
- 1988-09-29 JP JP63245441A patent/JP2532279B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0291990A (ja) | 1990-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11195505A (ja) | 厚膜抵抗体及びその製造方法 | |
| JP2003218495A (ja) | 配線基板 | |
| JP2532279B2 (ja) | 厚膜回路の製造方法 | |
| JPH0736361B2 (ja) | 抵抗材料、その製造方法およびそれを用いた抵抗ペースト | |
| JPH0724331B2 (ja) | プリント回路基板の厚膜抵抗器のための後成端装置及び後成端方法 | |
| JP3559090B2 (ja) | 厚膜回路基板 | |
| JP2777206B2 (ja) | 厚膜抵抗器の製造方法 | |
| JP3564776B2 (ja) | セラミックス回路基板およびその製造方法 | |
| JP3111823B2 (ja) | 回路検査端子付き角形チップ抵抗器 | |
| JP2827902B2 (ja) | 抵抗ペースト | |
| JP2001298255A (ja) | 厚膜印刷基板の製造方法 | |
| JPH10107207A (ja) | 厚膜回路基板及びその製造方法 | |
| JP2760035B2 (ja) | 厚膜回路基板 | |
| JP2007189040A (ja) | 抵抗体ペースト、抵抗体、及び前記抵抗体を用いた回路基板 | |
| JP2900610B2 (ja) | 厚膜導体組成物 | |
| JPS63224301A (ja) | 抵抗ペ−スト | |
| JPH0346961B2 (ja) | ||
| JPS6029240B2 (ja) | セラミック回路基板の製法 | |
| JPS63187601A (ja) | 厚膜回路板およびその製法 | |
| JPS6025002B2 (ja) | グレ−ズ抵抗器形成用磁器基板 | |
| JPH05267814A (ja) | 厚膜回路基板、その製造方法および厚膜回路基板製造用基板 | |
| JPH02129997A (ja) | 多層セラミック回路基板の製造方法 | |
| JPS581521B2 (ja) | サ−ミスタ組成物 | |
| JPH01235209A (ja) | チップ形可変抵抗器の製造方法 | |
| JPH0350784A (ja) | 印刷回路基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627 Year of fee payment: 13 |