CN109196340A - 波长分散型荧光x射线分析装置和采用它的荧光x射线分析方法 - Google Patents

波长分散型荧光x射线分析装置和采用它的荧光x射线分析方法 Download PDF

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Abstract

本发明的波长分散型荧光X射线分析装置包括：位置敏感型检测器(10)，该位置敏感型检测器(10)通过对应的检测元件(7)，检测不同的分光角度的二次X射线(41)的各强度；测定波谱显示机构(14)，该测定波谱显示机构(14)将检测元件(7)的排列方向的位置和检测元件的检测强度的关系作为测定波谱而显示于显示器(15)中；检测区域设定机构(16)，该检测区域设定机构(16)设定峰值区域和本底区域；定量机构(17)，该定量机构(17)根据峰值区域的峰值强度、本底区域的本底强度与本底补偿系数，计算作为净强度的测定对象的荧光X射线的强度，进行定量分析。

Description

波长分散型荧光X射线分析装置和采用它的荧光X射线分析 方法
相关申请
本申请要求申请日为2016年9月30日，申请号为JP特愿2016－194355的申请的优先权，通过参照其整体作为构成本申请的一部分的内容而引用。
技术领域
本发明涉及具有集中光学系统的波长分散型荧光X射线分析装置和采用它的荧光X射线分析方法。
背景技术
在荧光X射线分析中，为了以良好的精度而测定在试样中包含的微量元素，必须要求正确地对从照射了一次X射线的试样而产生的荧光X射线的本底进行补偿。由此，在具有集中光学系统的波长分散型荧光X射线分析装置中，具有下述的装置，其中，设置感光狭缝，该感光狭缝具有通过单一分光元件而进行分光，在单一检测器之前邻接而设置的多个开口，切换使二次X射线通过的开口，对来自试样的荧光X射线的本底进行补偿(专利文献1)。由于该集中光学系统用作固定光学系统，故通常其用于单元素用的荧光X射线分析装置，或多元素用同步型荧光X射线分析装置。
在几乎全部的场合，像以示意方式表示荧光X射线波谱PS和本底波谱BS的图9那样，在荧光X射线的波谱PS的某峰值区域PA和峰值接近区域BA，本底波谱BS近似线性地变化。一般，在扫描型荧光X射线分析装置中，通过在峰值接近区域移动测角器来测定本底强度，视为可在峰值区域和峰值接近区域以相同程度的灵敏度测定本底强度，从峰值测定强度中扣除本底测定强度，求出净强度。
另一方面，像在专利文献1中记载的那样，在固定有分光元件和检测器的集中光学系统的波长分散型荧光X射线分析装置中，设置感光狭缝，该感光狭缝具有在单一的检测器之前邻接而设置的多个开口，将使二次X射线通过的开口切换到峰值接近区域，测定本底强度，但是由于其灵敏度低于峰值区域，故经测定其强度低于实际上产生的本底强度。由此，仅仅通过从峰值测定强度中单纯地扣除峰值接近区域的本底测定强度，无法求出正确的净强度。
于是，在具有集中光学系统的波长分散型荧光X射线分析装置中，还具有下述的装置，其中，设置多个分光元件以及选择射入单一检测器中的二次X射线的光路的机构，切换所采用的分光元件，通过视为相同程度的灵敏度，测定峰值强度和本底强度，对来自试样的荧光X射线的本底进行补偿。另外，还具有下述的装置，其中，代替上述装置的光路选择机构，而检测器采用位置敏感型检测器，同时地在短时间内测定峰值强度和本底强度(专利文献2)。
现有技术文献
专利文献1：JP特开平8－128975号公报
专利文献2：国际公开2004－086018号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，在于专利文献2中记载的装置中，由于具有多个分光元件，以便分别测定荧光X射线和其本底，故具有装置的结构复杂，成本高，装置的组装、调整所需要的时间长的问题。
于是，本发明是针对上述过去的问题而提出的，本发明的目的在于提供一种波长分散型荧光X射线分析装置和采用它的荧光X射线分析方法，其中，通过简单的结构，快速地通过进行与试样的品种相对应的本底区域的测定，正确地对经测定其强度低于实际上产生的本底强度的本底进行补偿，可求出正确的净强度，可进行高精度的定量分析。
用于解决课题的技术方案
为了实现上述目的，本发明的波长分散型荧光X射线分析装置为集中光学系统的波长分散型荧光X射线分析装置，其包括：X射线源，该X射线源对试样照射一次X射线；发散狭缝，该发散狭缝使由试样产生的二次X射线通过；分光元件，该分光元件对通过该发散狭缝的二次X射线进行分光，将其汇聚；位置敏感型检测器，该位置敏感型检测器包括多个检测元件，该多个检测元件在上述分光元件中的分光角度方向排列，针对通过上述分光元件对二次X射线进行汇聚而形成的汇聚二次X射线，通过对应的上述检测元件，检测构成汇聚二次X射线的不同的分光角度的二次X射线的各强度，上述发散狭缝、上述分光元件和位置敏感型检测器固定，该波长分散型荧光X射线分析装置包括测定波谱显示机构，该测定波谱显示机构将上述检测元件的排列方向的位置和上述检测元件的检测强度的关系作为测定波谱而显示于显示器中。
另外，该波长分散型荧光X射线分析装置包括：检测区域设定机构，在该检测区域设定机构中，借助操作人员，在上述检测元件的排列方向设定峰值区域和本底区域，该峰值区域为与测定对象的荧光X射线相对应的上述检测元件的区域，该本底区域为与测定对象的荧光X射线的本底相对应的上述检测元件的区域；定量机构，该定量机构根据峰值强度、本底强度与预先计算的本底补偿系数，计算作为净强度的测定对象的荧光X射线的强度，进行定量分析，该峰值强度是对位于上述峰值区域的上述检测元件的检测强度进行累加计算而得到的，该本底强度是对位于上述本底区域的上述检测元件的检测强度进行累加计算而得到的。
按照本发明的波长分散型荧光X射线分析装置，由于包括上述的位置敏感型检测器、测定波谱显示机构、检测区域设定机构与定量机构，故通过简单的结构，快速地通过正确地对经测定其强度低于实际上产生的本底强度的本底进行补偿，可求出正确的净强度，进行高精度的定量分析。
在采用本发明的波长分散型荧光X射线分析装，进行定量分析的本发明的第1荧光X射线分析方法中，针对通过上述测定波谱显示机构而显示的测定波谱中的测定对象的荧光X射线的本底的外形相似的分析对象品种的试样，根据规定的检测区域设定用试样的测定波谱，通过上述检测区域设定机构设定上述峰值区域和上述本底区域，根据规定的系数计算用试样的本底强度，计算单一的本底补偿系数。
按照本发明的第1荧光X射线分析方法，由于针对测定对象的荧光X射线的本底的外形相似的分析对象品种的试样，根据规定的检测区域设定用试样的测定波谱，设定上述峰值区域和上述本底区域，根据规定的系数计算用试样的本底强度，计算单一的本底补偿系数，进行定量分析，故可通过针对本底的外形相似的分析对象品种的试样，借助简单的方案，快速地通过正确地对经测定其强度低于实际上产生的本底强度的本底进行补偿，求出正确的净强度，进行高精度的定量分析。
在采用本发明的波长分散型荧光X射线分析装置进行定量分析的本发明的第2荧光X射线分析方法中，针对通过上述测定波谱显示机构而显示的测定波谱中的测定对象的荧光X射线的本底的外形不同的分析对象品种的试样，根据规定的检测区域设定用试样的测定波谱，通过上述检测区域设定机构，按照下述方式设定上述峰值区域和其两侧各1个的上述本底区域，该方式为：在上述检测元件的排列方向，从上述峰值区域的中心到各本底区域的中心的距离相等，根据规定的系数计算用试样的本底强度，计算2个本底补偿系数。
按照本发明的第2荧光X射线分析方法，由于针对测定对象的荧光X射线的本底的外形不同的分析对象品种的试样，根据规定的检测区域设定用试样的测定波谱，通过上述检测区域设定机构，按照下述方式设定上述峰值区域和其两侧各1个的上述本底区域，该方式为：在上述检测元件的排列方向，从上述峰值区域的中心到各本底区域的中心的距离相等，根据规定的系数计算用试样的本底强度，计算2个本底补偿系数，进行定量分析，故可针对本底的外形不同的分析对象品种的试样，借助简单的方案，快速地通过正确地对经测定其强度低于实际上产生的本底强度的本底进行补偿，求出正确的净强度，进行高精度的定量分析。
最好，在本发明的波长分散型荧光X射线分析装置中，上述测定波谱显示机构根据规定的空白试样的测定波谱，通过假定射入上述检测元件的本底的强度在上述检测元件的排列方向是一定的，针对各检测元件，计算作为入射强度相对检测强度的比的灵敏度系数，代替上述测定波谱，或与上述测定波谱一起地，在显示器中将下述关系作为补偿波谱而显示，该关系指上述检测元件的排列方向的位置，与上述检测元件的检测强度和上述灵敏度系数相乘而得到的补偿检测强度的关系。
按照该优选的波长分散型荧光X射线分析装置，由于代替测定波谱，或与测定波谱一起地，将上述的补偿波谱在显示器中进行显示，故可更加正确地对本底进行补偿，可求出更加正确的净强度，可进行更高精度的定量分析。
在采用本发明的优选的波长分散型荧光X射线分析装置进行定量分析的本发明的第3荧光X射线分析方法中，针对通过上述测定波谱显示机构而显示的补偿波谱中的测定对象的荧光X射线的本底的外形相似的分析对象品种的试样，根据规定的检测区域设定用试样的补偿波谱，通过上述检测区域设定机构，设定上述峰值区域和上述本底区域，根据规定的系数计算用试样的本底强度，计算单一的本底补偿系数。
按照本发明的第3荧光X射线分析方法，由于采用上述优选的结构的波长分散型荧光X射线分析装置进行定量分析，故可相对本底的外形相似的分析对象品种的试样，更加正确地对本底进行补偿，可求出更加正确的净强度，可进行更高精度的定量分析。
在采用本发明的优选的波长分散型荧光X射线分析装置，进行定量分析的，本发明的第4荧光X射线分析方法中，针对通过上述测定波谱显示机构而显示的补偿波谱中的测定对象的荧光X射线的本底的外形不同的分析对象品种的试样，根据规定的检测区域设定用试样的补偿波谱，通过上述检测区域设定机构，按照下述方式设定上述峰值区域和其两侧各1个的上述本底区域，该方式为：在上述检测元件的排列方向，从上述峰值区域的中心到各本底区域的中心的距离相等，根据规定的系数计算用试样的本底强度，计算2个本底补偿系数。
按照本发明的第4荧光X射线分析方法，由于采用上述优选的结构的波长分散型荧光X射线分析装置进行定量分析，故可相对本底的外形不同的分析对象品种的试样，更加正确地对本底进行补偿，可求出更加正确的净强度，可进行更高精度的定量分析。
最好，在本发明的波长分散型荧光X射线分析装置中，在上述位置敏感型检测器的感光面上，设定在上述检测元件的排列方向并列的多个感光区域，通过在上述检测元件的排列方向使上述位置敏感型检测器移动，变更对应于测定对象的分光角度范围而采用的感光区域。在此场合，由于避免因指定的检测元件的性能劣化，位置敏感型检测整体不能使用的情况，故可一边维持高价的位置敏感型检测器的性能，一边长期使用。
权利要求书和/或说明书和/或附图中公开的至少2个方案中的任意的组合均包含在本发明中。特别是，权利要求书中的各项权利要求的2个以上的任意的组合也包含在本发明中。
附图说明
根据参照附图的下面的优选的实施形式的说明，会更清楚地理解本发明。但是，实施形式和附图用于单纯的图示和说明，不应用于限制本发明的范围。本发明的范围由后附的权利要求书确定。在附图中，多个附图中的同一部件标号表示同一部分。
图1为本发明的第1、第4实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置的示意图；
图2为表示通过检测区域设定机构而设定的位于峰值区域与本底区域的检测元件的图；
图3为表示针对将大量地包含测定对象元素的试样和空白试样的测定波谱重合而得到的波谱的峰值区域和本底区域的图；
图4为表示针对1个试样的测定波谱的峰值测定区域和本底测定区域的图；
图5为表示空白试样的测定波谱的图；
图6为表示分析对象的岩石试样的测定波谱的图；
图7为表示针对分析对象的岩石试样的补偿波谱的峰值区域和本底区域的图；
图8为表示位置敏感型检测器的感光面的图；
图9为以示意方式表示荧光X射线波谱和本底波谱的图。
具体实施方式
下面参照附图，对本发明的第1实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置进行说明。如图1所示的那样，该装置为集中光学系统的波长分散型荧光X射线分析装置，其包括：X射线源2，该X射线源2对试样S照射一次X射线1；发散狭缝5，该发散狭缝5使由试样S产生的二次X射线4通过；分光元件6，该分光元件6对通过该发散狭缝5的二次X射线4进行分光，将其汇聚；位置敏感型检测器10，该位置敏感型检测器10包括多个检测元件7，该多个检测元件7在上述分光元件6中的分光角度方向排列，针对通过上述分光元件6对二次X射线4进行汇聚而形成的汇聚二次X射线42，通过对应的上述检测元件7，检测构成汇聚二次X射线42的不同的分光角度的二次X射线41的各强度，发散狭缝5、分光元件6和位置敏感型检测器10固定，该装置包括测定波谱显示机构14，该测定波谱显示机构14将上述检测元件7的排列方向的位置和上述检测元件7的检测强度的关系作为测定波谱而显示于显示器15中。
位置敏感型检测器10既可为一维检测器，还可为二维检测器，该一维检测器具有在分光元件6的分光角度方向呈直线状而排列的多个检测元件7，该二维检测器具有在包含分光元件6的分光角度方向的平面内排列的多个检测元件7，但是在第1实施方式的装置中，采用一维检测器10。
另外，该装置包括：检测区域设定机构16，在该检测区域设定机构16中，借助操作人员，在检测元件7的排列方向设定峰值区域和本底区域，该峰值区域为与测定对象的荧光X射线相对应的检测元件7的区域，该本底区域为与测定对象的荧光X射线的本底相对应的检测元件7的区域；定量机构17，该定量机构17根据峰值强度、本底强度与预先输入的本底补偿系数，计算作为净强度的测定对象的荧光X射线的强度，进行定量分析，该峰值强度是对位于峰值区域的检测元件7的检测强度进行累加计算而得到的，该本底强度是对位于本底区域的检测元件7的检测强度进行累加计算而得到的。测定波谱显示机构14、检测区域设定机构16和定量机构17设置在比如作为计算机的控制机构18中，该控制机构18控制该波长分散型荧光X射线分析装置。
一维检测器10的感光面位于汇聚二次X射线42的焦点处，如图2所示的那样，比如以75μm的间隔，第1个检测元件7到第256个检测元件7从分光角度小的位置(图2的上侧，图1的斜上侧。另外，在图2中，从图1的纸面里侧观看一维检测器的感光面)依次呈直线状而排列。
第1实施方式的装置包括测定波谱显示机构14，在操作人员设定峰值区域和本底区域时，与检测区域设定机构16一起使用。比如，通过测定波谱显示机构14，在显示器15中显示图3所示的测定波谱。
在图3中，重合地显示大量地包含测定对象元素的试样S和空白试样S的测定波谱PS、BS。按照重合的波谱容易比较的方式减小大量地包含测定对象元素的试样S的强度，对其进行显示。对于该测定波谱，横轴表示检测元件7的排列方向的位置，也可表示检测元件号码、分光元件6的分光角度、能量值(在图4、图5中也是相同的)。纵轴表示检测元件7的检测强度。通过大量地包含测定对象元素的试样S而测定的荧光X射线的波谱PS通过虚线表示，通过空白试样S而测定的本底波谱BS通过实线而表示，在横轴方向，示出峰值区域PA、第1本底区域BA1和第2本底区域BA2。
在图3中，各区域BA1、PA、BA2中的各波谱PS、BS以下的部分(在各波谱PS、BS和横轴之间的部分，针对波谱BS，3个黑色的杆状的部分，针对波谱PS，中间的黑色的杆状的部分进一步通过虚线而延长的部分)的面积相当于针对与波谱PS、BS相对应的试样S，通过位于各区域BA1、PA、BA2的检测元件7而检测的检测强度。在图3中，针对大量地包含测定对象元素的试样S，读取通过位于峰值区域PA的检测元件7而检测的检测强度IP，针对空白试样S，读取通过位于第1本底区域BA1的检测元件7而检测的检测强度IB1、通过位于峰值区域PA的检测元件7而检测的检测强度IB、通过位于第2本底区域BA2的检测元件7而检测的检测强度IB2。另外，通过测定波谱显示机构14而在显示器15中显示的为各波谱PS、BS和横轴方向的各区域BA1、PA、BA2，对于相当于上述各检测强度的部分不一定显示。
根据已显示的测定波谱PS、BS，通过操作人员，分别从检测区域设定机构16，进行比如从第123个到第129个检测元件7用于峰值区域PA的荧光X射线强度的测定的设定，从第106个到第112个检测元件7用于第1本底区域BA1的本底的测定的设定，从第140个到第146个检测元件7用于第2本底区域BA2的本底的测定的设定。这些检测元件7的设定存储于检测区域设定机构16中。可想这样，根据已显示的测定波谱PS、BS，设定最佳的峰值区域PA和最佳的本底区域BA1、BA2。
如果分别在检测区域设定机构16中，设定峰值区域PA、第1本底区域BA1和第2本底区域BA2，则分光角度为测定对象的荧光X射线(分析射线)的分光角度θ的二次X射线41(图2的中间)的强度通过位于峰值区域PA的检测元件7而进行检测，分光角度小于θ的二次X射线41(图2的左侧)的强度通过位于第1本底区域BA1的检测元件7而进行检测，分光角度大于θ的二次X射线41(图2的右侧)的强度通过位于第2本底区域BA2的检测元件7而进行检测。另外，对于图1所示的汇聚二次X射线42，分光角度像上述那样，稍有不同的3个汇聚二次X射线42重合，而在图2中，通过构成相应的二次X射线42的二次X射线41中的相应的光轴上的二次X射线41，代表3个汇聚二次X射线42，进行示出。
如果测定分析对象的试样S，则定量机构17根据下述的式(1)和式(2)，从峰值强度IP中，适当地扣除峰值区域的本底强度IB，计算测定对象的荧光X射线的净强度Inet，进行定量分析。另外，在式(2)中，将各本底区域的强度IB1、IB2的总值的强度与本底补偿系数k的乘积作为峰值区域的本底强度IB。
Inet＝IP-IB……(1)
IB＝k(IB1+IB2)……(2)
Inet：测定对象的荧光X射线的经过计算的净强度；
IP：对位于峰值区域的检测元件(从第123个到第129个检测元件)的检测强度进行累加计算的峰值强度；
IB：峰值区域的本底强度；
IB1：对位于第1本底区域的检测元件(从第106个到第112个检测元件)的检测强度进行累加计算的本底强度；
IB2：对位于第2本底区域的检测元件(从第140个到第146个检测元件)的检测强度进行累加计算的本底强度；
k：本底补偿系数；
本底补偿系数k是通过测定作为系数计算用试样S比如本底试样S，根据下述式(3)而预先计算的，其输入到定量机构17中。另外，定量机构17还可在通过操作人员，设定峰值区域PA和本底区域BA1、BA2后，在分析对象的试样S的定量分析之前，根据图3所示的空白试样S的测定波谱BS，通过下述式(3)，自动地计算本底补偿系数k。
k＝IB B/(IB1 B+IB2 B)……(3)
IB B：针对空白试样，对位于峰值区域的检测元件(从第123个到第129个的检测元件)的检测强度进行累加计算的峰值强度；
IB1 B：针对空白试样，对位于第1本底区域的检测元件(从第106个到第112个的检测元件)的检测强度进行累加计算的本底强度；
IB2 B：针对空白试样，对位于第2本底区域的检测元件(从第140个到第146个的检测元件)的检测强度进行累加计算的本底强度；
本底补偿系数k也可采用下述式(4)的标准曲线式，在通过回归计算而求出标准曲线常数时同时地求出。
W＝A(IP-k(IB1+IB2))+B……(4)
W：试样中的测定对象元素的占比；
A、B：标准曲线常数
在上述例子中，在2个本底区域BA1、BA2中进行测定，对本底进行补偿(去除)，但是，还可在1个或大于等于3个的本底区域BA中进行测定。另外，在上述例子中，针对所设定的检测元件7的个数，位于峰值区域PA、第1本底区域BA1和第2本底区域BA2的检测元件7的个数相同，但是也可为不同的个数。
此外，作为检测区域设定用试样S的测定波谱，也可代替将大量地包含上述测定对象元素的试样S和空白试样S的测定波谱PS、BS重合而得到的测定波谱，而采用测定对象的荧光X射线的波谱和本底波谱可观察的1个试样S的图4所示的测定波谱MS。在图4中，针对该1个试样S，读取通过位于第1本底区域BA1的检测元件7而检测的检测强度IB1、通过位于峰值区域PA的检测元件7而检测的检测强度IP、通过位于第2本底区域BA2的检测元件7而检测的检测强度IB2。
按照第1实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置，由于具有上述的一维检测器10、测定波谱显示机构14、检测区域设定机构16与定量机构17，故可通过简单的方案，快速地通过正确地对经测定其强度低于实际上产生的本底强度的本底进行补偿，求出正确的净强度Inet，进行高精度的定量分析。
下面对采用第1实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置进行定量分析的本发明的第2实施方式的荧光X射线分析方法进行说明。在该荧光X射线分析方法中，针对通过测定波谱显示机构14而显示的测定波谱中的测定对象的荧光X射线的本底的外形相似的分析对象品种的试样S，根据规定的检测区域设定用试样S的测定波谱，通过检测区域设定机构16，设定峰值区域PA和本底区域BA，根据规定的系数计算用试样S的本底强度，计算单一的本底补偿系数，将其输入到定量机构中，进行定量分析。
测定对象的荧光X射线的本底的外形相似的分析对象品种的试样S指峰值接近区域的本底的外形即使在试样S变化的情况下，仍相似的分析对象品种的试样S。这相当于在作为氧化物的试样中，以重元素的荧光X射线作为测定对象的场合，比如在作为岩石的试样中，以Pb－Lβ射线为测定对象的场合。作为规定的检测区域设定用试样S，像通过第1实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置而说明的那样，既可为大量地包含测定对象元素的试样S和空白试样S的2个试样，也可为测定对象的荧光X射线的波谱和本底波谱可观察的1个试样S。
比如，测定第1实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置所采用的，作为大量地包含测定对象元素的试样S和空白试样S的检测区域设定用试样S，通过测定波谱显示机构14，在显示器15中显示重合的测定波谱(图3)。根据已显示的测定波谱，与第1实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置的操作相同，通过检测区域设定机构16，设定峰值区域PA和本底区域BA，比如第1本底区域BA1和第2本底区域BA2，对其进行存储。
接着，测定作为系数计算用试样S比如空白试样S，与第1实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置的操作相同，求出单一本底补偿系数k。本底补偿系数k也可在采用上述式(4)的标准曲线式，通过回归计算，求出标准曲线常数时同时地求出。另外，针对1种的分析对象品种，相对多个分析对象的试样S，采用共同的本底补偿系数，对于其它的实施方式也是相同的。
在定量机构17中，预先输入本底补偿系数k，或在定量机构17中预先自动地计算本底补偿系数k，如果测定分析对象的试样S，则定量机构17计算测定对象的荧光X射线的净强度Inet，进行定量分析。
在该定量分析中，可针对测定对象的荧光X射线的本底的外形相似的分析对象品种的试样S，采用对在任意的数量的本底区域中设定的相应的任意个数的检测元件7的检测强度全部地进行累加计算而得到的本底强度，与单一的本底补偿系数k，正确地计算测定对象的荧光X射线的净强度Inet。
按照第2实施方式的荧光X射线分析方法，由于针对测定对象的荧光X射线的本底的外形相似的分析对象品种的试样S，根据规定的检测区域设定用试样S的测定波谱，设定峰值区域PA和本底区域BA1、BA2，根据规定的系数计算用试样S的本底强度IB，计算单一的本底补偿系数k，进行定量分析，故针对本底的外形相似的分析对象品种的试样S，通过简单的方案，快速地通过正确地对经测定其强度低于实际上产生的本底强度的本底进行补偿，可求出正确的净强度Inet，进行高精度的定量分析。
下面对采用第1实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置进行定量分析的作为本发明的第3实施方式的荧光X射线分析方法进行说明。在该荧光X射线分析方法中，针对通过测定波谱显示机构14而显示的测定波谱的测定对象的荧光X射线的本底的外形因比如大的妨碍波谱的末端的影响的有无而不同的分析对象品种的试样S，根据规定的检测区域设定用试样S的测定波谱，通过检测区域设定机构16，按照下述方式，设定峰值区域PA和其两侧各1个的本底区域BA1、BA2，该方式为：在检测元件7的排列方向，从峰值区域PA的中心到各本底区域BA1、BA2的中心的距离相等，根据规定的系数计算用试样S的本底强度，计算2个本底补偿系数k1、k2，将其输入到定量机构17中，进行定量分析。在这里，在测定对象的荧光X射线的峰值区域和其两侧的本底区域，实际上产生的本底强度的外形视为位于直线上。
测定对象的荧光X射线的本底的外形不同的分析对象品种的试样S指峰值接近区域的本底的外形即使在为分析对象品种的试样S中的1个的情况下，仍不同的分析对象品种的试样S。比如，为包含接近峰值区域PA，产生妨碍射线的试样S的分析对象品种的试样S。
规定的检测区域设定用试样S采用比如，接近峰值区域PA，产生妨碍射线的试样S。测定该检测区域设定用试样S，通过测定波谱显示机构14，在显示器15中显示测定波谱。操作人员根据已显示的测定波谱，通过检测区域设定机构16，设定峰值区域PA和位于其两侧的第1本底区域BA1和第2本底区域BA2，将其存储于检测区域设定机构16中。此时，从峰值区域PA的中心到第1本底区域BA1的中心的距离，与从峰值区域PA的中心到第2本底区域BA2的中心的距离相等。
在测定波谱中，显示借助操作人员，通过检测区域设定机构16而设定，存储的峰值区域PA、第1本底区域BA1和第2本底区域BA2。
接着，通过测定系数计算用试样S，比如，针对不包括产生妨碍射线的元素的测定对象的荧光X射线的本底波谱，在波谱区域PA和第1、第2本底区域BA1、BA2，强度的变化小的空白试样S，根据下述的式(5)和式(6)，求出2个本底补偿系数k1，k2。
k1＝0.5×IB B/IB1 B……(5)
k2＝0.5×IB B/IB2 B……(6)
上述式(5)和式(6)中的常数0.5取决于从峰值区域PA的中心到第1本底区域BA1的中心的距离与从峰值区域PA的中心到第2本底区域BA2的中心的距离相等这一条件。
在定量机构17中预先输入本底补偿系数k1、k2，或者在定量机构17中预先自动地计算本底补偿系数k1、k2，如果测定分析对象的试样S，则定量机构17根据下述的式(7)，适当地从峰值强度IP中扣除峰值区域的本底强度IB＝(k1×IB1+k2×IB2)，计算测定对象的荧光X射线的净强度Inet，进行定量分析。
Inet＝IP-(k1×IB1+k2×IB2)……(7)
k1：第1本底区域的本底补偿系数
k2：第2本底区域的本底补偿系数
还可在根据式(7)而进行定量分析时，通过多元素同步型荧光X射线分析装置的扫描测角器等，预先求出空白试样S的测定对象的荧光X射线的本底波谱的第1第2本底区域BA1、BA2的强度相对峰值区域PA的强度的比ri1、ri2，代替通过上述(5)和式(6)而求出的本底补偿系数k1、k2，而采用乘以分别对应的强度比ri1、ri2而修正的本底补偿系数ri1k1、ri2k2。通过采用像这样而修正的本底补偿系数ri1k1、ri2k2，可消除空白试样S的测定对象的荧光X射线的本底波谱的峰值区域PA和第1、第2本底区域BA1、BA2的强度变化对定量分析的影响。
另外，当进行定量分析时，上述式(7)用于位于峰值区域PA和第1、第2本底区域BA1、BA2的检测元件数量相同的场合。在位于峰值区域PA和第1、第2本底区域BA1、BA2的检测元件数量不同的场合，预先求出峰值区域PA的检测元件数量相对第1、第2本底区域BA1、BA2的检测元件数量的比rn1、rn2，代替通过上述式(5)和式(6)而求出的本底补偿系数k1、k2，采用乘以分别对应的检测元件数量的比rn1、rn2而修正的本底补偿系数rn1k1、rn2k2。
按照第3实施方式的荧光X射线分析方法，由于针对测定对象的荧光X射线的本底的外形不同的分析对象品种的试样S，根据规定的检测区域设定用试样S的测定波谱，通过检测区域设定机构6，按照下述方式设定峰值区域PA和其两侧各1个的上述本底区域BA1、BA2，该方式为：在检测元件7的排列方向，从峰值区域PA的中心到各本底区域BA1、BA2的中心的距离相等，根据规定的系数计算用试样S的本底强度，计算2个本底补偿系数k1、k2，进行定量分析，故可针对本底的外形不同的分析对象品种的试样，通过简单的方案，快速地通过正确地对经测定，其强度低于实际上产生的本底强度的本底进行补偿，可求出正确的净强度，可进行高精度的定量分析。
下面针对本发明的第4实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置，仅仅对与第1实施方式的荧光X射线分析装置的区别点进行说明。
在第4实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置中，测定波谱显示机构14首先根据图5所示的空白试样S的测定波谱BS，通过假定射入检测元件7的本底的强度在检测元件7的排列方向是一定的，像下述式(8)所示的那样，针对各检测元件7，计算作为入射强度相对检测强度的比的灵敏度系数αi。另外，在图5中，横轴表示检测元件号码，在图6、图7中也是同样的。此外，规定的空白试样S与在第1、第2实施方式的说明中，用作检测区域设定用试样S、系数计算用试样S的称谓相同，比如，在针对作为岩石的试样，Pb－Lβ射线为测定对象的场合，为不包括其组分与岩石近似，测定对象元素Pb和产生妨碍线射线的元素的SiO2。
αi＝Ip B/Ii B……(8)
在这里，在空白试样S的测定波谱BS中，相对第i个检测元件7的检测强度Ii B，将峰值位置的检测元件7的检测强度IP B作为入射强度。
另外，如果设定规定的检测区域设定用试样S，比如分析对象的岩石试样S，则测定波谱显示机构14代替与图4所示的测定波谱MS相同的，作为图6所示的检测元件号码(检测元件7的排列方向的位置)和检测元件7的检测强度的关系的测定波谱MS，或与该测定波谱MS一起将检测元件号码和下述式(9)的检测元件7的检测强度Ii与灵敏度系数αi相乘而得到的补偿检测强度Ii C的关系作为图7所示的补偿波谱AS而显示于显示器15中。
Ii C＝αiIi……(9)
另外，在图7中，通过现有技术，识别而显示各峰值的辐射线种类，但是在本发明中，不必进行识别、显示。另外，在与图6的测定波谱MS一起地将图7的补偿波谱AS显示于显示器15中的场合，将2个波谱重合于1个画面中，或并列地显示，或作为切换的2个画面而显示。在像这样不仅显示图7的补偿波谱AS，而且还一并地显示图6的测定波谱MS的场合，为了提高本底强度IB的精度，参照图6的测定波谱MS，位于作为在横轴方向，远离峰值位置的分光系统的灵敏度低的位置的检测元件不设置于本底区域BA中这一点是容易的。
另外，在第4实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置中，没有从该装置的外部将预先计算的本底补偿系数k输入到定量机构17中，在通过操作人员而设定峰值区域PA和本底区域BA后，定量机构17在根据上述式(1)和式(2)，计算测量对象的荧光X射线的净强度Inet，进行定量分析时，根据图5所示的空白试样S的测定波谱BS，通过上述式(3)，自动地计算本底补偿系数k。其中，在图7所示的例子中，由于没有设定第2本底区域BA2，故IB2 B＝0。
按照第4实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置，由于代替测定波谱MS，或与测定波谱MS一起地，在显示器15中显示上述补偿波谱AS，故可针对本底，更加正确地进行补偿，可求出更加正确的净强度，可进行更高精度的定量分析。
下面对采用第4实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置进行定量分析的作为本发明的第5实施方式的荧光X射线分析方法进行说明。在该荧光X射线分析方法中，针对通过测定波谱显示机构14而显示的补偿波谱的测定对象的荧光X射线的本底的外形相似的分析对象品种的试样S，根据规定的检测区域设定用试样S的补偿波谱，通过检测区域设定机构16，设定峰值区域PA和本底区域BA，根据规定的系数计算用试样S的本底强度，计算单一的本底补偿系数k，进行定量分析。
测定对象的荧光X射线的本底的外形相似的分析对象品种的试样S指峰值接近区域的本底的外形即使在试样S变化的情况下，仍相似的分析对象品种的试样S。相当于在于作为氧化物的试样中，重元素的荧光X射线为测定对象的场合，比如，相当于在作为岩石的试样中，Pb－Lβ射线为测定对象的场合。
在第5实施方式的荧光X射线分析方法中，采用第4实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置，首先，像上述那样，测定规定的空白试样S，在测定波谱显示机构14中，计算灵敏度系数αi。
接着，测定规定的检测区域设定用试样S，比如分析对象的岩石试样S中的1个，通过测定波谱显示机构14，代替图6的测量波谱MS，或与该测定波谱MS一起地，在显示器15中显示图7的补偿波谱AS。根据已显示的补偿波谱AS，与第1实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置相同，通过检测区域设定机构16，像图7所示的那样，设定、存储峰值区域PA和本底区域BA。在不仅显示图7的补偿波谱AS，还一并地显示图6的测定波谱MS的场合，像上述那样，位于作为在横轴方向远离峰值位置的分光系统的灵敏度低的位置的检测元件不设置于本底区域BA1、BA2中这一点是容易的。
如果设定峰值区域PA和本底区域BA，则在此后，通过定量机构17，根据图5所示的空白试样S的测定波谱BS，通过上述式(3)(其中，IB2 B＝0)，自动地计算本底补偿系数k。接着，针对已测定的分析对象的试样S，定量机构17通过上述式(1)和式(2)(其中，在式(2)中，IB2＝0)，计算测定对象的荧光X射线的净强度Inet，进行定量分析。
按照第5实施方式的荧光X射线分析方法，由于采用第4实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置而进行定量分析，故可相对本底的外形相似的分析对象品种的试样，对本底进行更加正确的补偿，可求出更加正确的净强度，可进行更高精度的定量分析。
下面对采用第4实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置进行定量分析的作为本发明的第6实施方式的荧光X射线分析方法进行说明。在该荧光X射线分析方法中，针对通过测定波谱显示机构14而显示的补偿波谱的测定对象的荧光X射线的本底的外形因比如大的妨碍波谱的末端的影响的有无而不同的分析对象品种的试样S，根据规定的检测区域设定用试样S的补偿波谱，通过检测区域设定机构16，按照下述方式，设定峰值区域PA和其两侧各1个的本底区域BA1、BA2，该方式为：在检测元件7的排列方向，从峰值区域PA的中心到各本底区域BA1、BA2的中心的距离相等，根据规定的系数计算用试样S的本底强度，计算2个本底补偿系数k1、k2。在这里，在测定对象的荧光X射线的峰值区域和其两侧的本底区域，实际上产生的本底强度的外形视为位于直线上。
测定对象的荧光X射线的本底的外形不同的分析对象品种的试样S指峰值接近区域的本底的外形即使在为分析对象品种的试样S中的1个的情况下，仍不同的分析对象品种的试样S。比如，为包括接近峰值区域PA，产生妨碍射线的试样S的分析对象品种的试样S。
在第6实施方式的荧光X射线分析方法中，采用第4实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置，首先，像上述那样，测定规定的空白试样S，在测定波谱显示机构14中，计算灵敏度系数αi。
接着，测定规定的检测区域设定用试样S，比如，接近峰值区域PA，产生妨碍射线的试样S，通过测定波谱显示机构14，代替测量波谱，或与该测定波谱一起地，在显示器15中显示补偿波谱。根据已显示的补偿波谱，通过检测区域设定机构16，设定峰值区域PA和位于其两侧的第1本底区域BA1和第2本底区域BA2，将其存储于检测区域设定机构16中。此时，从峰值区域PA的中心到第1本底区域BA1的距离和从峰值区域PA到第2本底区域BA2的距离相等。在不仅显示补偿波谱，还一并地显示测定波谱的场合，像上述那样，位于作为在横轴方向，远离峰值位置的分光系统的灵敏度低的位置的检测元件不设置于本底区域BA1、BA2中这一点是容易的。
在补偿波谱中，显示通过操作人员，借助检测区域设定机构16而设定，存储的峰值区域PA、第1本底区域BA1和第2本底区域BA2。
如果设定峰值区域PA和本底区域BA，则在此后，通过定量机构17，根据空白试样S的测定波谱，通过上述式(5)和式(6)，自动地计算2个本底补偿系数k1、k2。接着，如果测定分析对象的试样S，定量机构17通过上述式(7)，计算测量对象的荧光X射线的净强度Inet，进行定量分析。
按照第6实施方式的荧光X射线分析方法，由于采用第4实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置而进行定量分析，故可相对本底的外形不同的分析对象品种的试样，对本底进行更加正确的补偿，可求出更加正确的净强度，进行更高精度的定量分析。
另外，最好，在第1实施方式和第4实施方式的波长分散型荧光X射线分析装置中，像图8所示的那样，在位置敏感型检测器10的感光面10a上，设定于检测元件7的排列方向并列的多个，比如3个感光区域10a1、10a2、10a3，通过在检测元件7的排列方向而使位置敏感型检测器10移动，变更对应于测定对象的分光角度范围而采用的感光区域。检测元件7具有计数寿命，如果连续过度地采用它，则能量分辨率等的性能劣化，无法正确地发挥功能，在该优选的方案的场合，由于避免在集中光学系统中，因指定的检测元件7的性能劣化，位置敏感型检测器10的全部不能使用的情况，故可一边维持高价格的位置敏感型检测器10的性能，一边长期使用。
该优选的方案的各感光区域包括可对应于检测元件7的排列方向，对应于测定对象的分光角度范围的长度，即检测元件数量，但是，在各感光区域，检测元件7的排列方向的两端部为作为远离峰值位置的分光系统的灵敏度低的位置，射入位于该位置的检测元件7的二次X射线41的强度像比如根据图6的测定波谱MS而理解的那样，是非常低的。由于该原因，在于检测元件7的排列方向，多个感光区域10a1、10a2、10a3的端部像图8的所列举的那样重合的场合，可更加没有浪费地长期地使用位置敏感型检测器10。
所采用的感光区域的变更在比如每个检测元件的平均累积数达到规定的累积数值时，每个检测元件的累积数的最大值达到规定的累积数值时，每个检测元件的能量分辨率的最低值达到规定的值时等的任意的场合进行，还一并地进行本底补偿系数的更新。
像上述那样，在本发明的场合，由于可在观察波谱的同时，适当地设定峰值区域和本底区域，故可简单而快速地进行高精度的定量分析。
如上所述，参照附图，对优选的实施例进行了说明，但是，如果是本领域的技术人员，观看本说明书，在显然的范围内会容易想到各种的变更和修改方式。于是，这样的变更和修改方式解释为由权利要求书而确定的本发明的范围内的方式。
标号的说明：
标号1表示一次X射线；
标号2表示X射线源；
标号4表示二次X射线；
标号5表示发散狭缝；
标号6表示分光元件；
标号7表示检测元件；
标号10表示位置敏感型检测器(一维检测器)；
标号10a表示感光面；
标号10a1、10a2、10a3表示感光区域；
标号14表示测定波谱显示机构；
标号15表示显示器；
标号16表示检测区域设定机构；
标号17表示定量机构；
标号41表示不同的分光角度的二次X射线；
标号42表示汇聚二次X射线；
符号AS表示补偿波谱；
符号BA1、BA2表示本底区域；
符号BS、MS、PS表示测定波谱；
符号PA表示峰值区域；
符号S表示试样、检测区域设定用试样、系数计算用试样、空白试样。

Claims (7)

1.一种波长分散型荧光X射线分析装置，该波长分散型荧光X射线分析装置为集中光学系统的波长分散型荧光X射线分析装置，其包括：
X射线源，该X射线源对试样照射一次X射线；
发散狭缝，该发散狭缝使由试样产生的二次X射线通过；
分光元件，该分光元件对通过该发散狭缝的二次X射线进行分光，将其汇聚；
位置敏感型检测器，该位置敏感型检测器包括多个检测元件，该多个检测元件在上述分光元件中的分光角度方向排列，针对通过上述分光元件对二次X射线进行汇聚而形成的汇聚二次X射线，通过对应的上述检测元件，检测构成汇聚二次X射线的不同的分光角度的二次X射线的各强度；
上述发散狭缝、上述分光元件和位置敏感型检测器固定；
该波长分散型荧光X射线分析装置包括：
测定波谱显示机构，该测定波谱显示机构将上述检测元件的排列方向的位置和上述检测元件的检测强度的关系作为测定波谱而显示于显示器中；
检测区域设定机构，在该检测区域设定机构中，借助操作人员，在上述检测元件的排列方向设定峰值区域和本底区域，该峰值区域为与测定对象的荧光X射线相对应的上述检测元件的区域，该本底区域为与测定对象的荧光X射线的本底相对应的上述检测元件的区域；
定量机构，该定量机构根据峰值强度、本底强度与预先计算的本底补偿系数，计算作为净强度的测定对象的荧光X射线的强度，进行定量分析，该峰值强度是对位于上述峰值区域的上述检测元件的检测强度进行累加计算而得到的，该本底强度是对位于上述本底区域的上述检测元件的检测强度进行累加计算而得到的。
2.一种荧光X射线分析方法，该荧光X射线分析方法采用权利要求1所述的波长分散型荧光X射线分析装置，进行定量分析，在该方法中：
针对通过上述测定波谱显示机构而显示的测定波谱中的测定对象的荧光X射线的本底的外形相似的分析对象品种的试样，
根据规定的检测区域设定用试样的测定波谱，通过上述检测区域设定机构，设定上述峰值区域和上述本底区域；
根据规定的系数计算用试样的本底强度，计算单一的本底补偿系数。
3.一种荧光X射线分析方法，该荧光X射线分析方法采用权利要求1所述的波长分散型荧光X射线分析装置，进行定量分析，在该方法中：
针对通过上述测定波谱显示机构而显示的测定波谱中的测定对象的荧光X射线的本底的外形不同的分析对象品种的试样，
根据规定的检测区域设定用试样的测定波谱，通过上述检测区域设定机构，按照下述方式设定上述峰值区域和其两侧各1个的上述本底区域，该方式为：在上述检测元件的排列方向，从上述峰值区域的中心到各本底区域的中心的距离相等；
根据规定的系数计算用试样的本底强度，计算2个本底补偿系数。
4.根据权利要求1所述的波长分散型荧光X射线分析装置，其中，上述测定波谱显示机构：
根据规定的空白试样的测定波谱，通过假定射入上述检测元件的本底的强度在上述检测元件的排列方向是一定的，针对各检测元件，计算作为入射强度相对检测强度的比的灵敏度系数；
代替上述测定波谱，或与上述测定波谱一起地，在显示器中，将下述关系作为补偿波谱而显示，该关系指上述检测元件的排列方向的位置，与上述检测元件的检测强度和上述灵敏度系数相乘而得到的补偿检测强度的关系。
5.一种荧光X射线分析方法，该荧光X射线分析方法采用权利要求4所述的波长分散型荧光X射线分析装置，进行定量分析，在该方法中：
针对通过上述测定波谱显示机构而显示的补偿波谱中的测定对象的荧光X射线的本底的外形相似的分析对象品种的试样，
根据规定的检测区域设定用试样的补偿波谱，通过上述检测区域设定机构，设定上述峰值区域和上述本底区域；
根据规定的系数计算用试样的本底强度，计算单一的本底补偿系数。
6.一种荧光X射线分析方法，该荧光X射线分析方法采用权利要求4所述的波长分散型荧光X射线分析装置，进行定量分析，在该方法中：
针对通过上述测定波谱显示机构而显示的补偿波谱中的测定对象的荧光X射线的本底的外形不同的分析对象品种的试样，
根据规定的检测区域设定用试样的补偿波谱，通过上述检测区域设定机构，按照下述方式设定上述峰值区域和其两侧各1个的上述本底区域，该方式为：在上述检测元件的排列方向，从上述峰值区域的中心到各本底区域的中心的距离相等；
根据规定的系数计算用试样的本底强度，计算2个本底补偿系数。
7.根据权利要求1或4所述的波长分散型荧光X射线分析装置，其中，在上述位置敏感型检测器的感光面上，设定在上述检测元件的排列方向并列的多个感光区域，通过在上述检测元件的排列方向使上述位置敏感型检测器移动，变更对应于测定对象的分光角度范围而采用的感光区域。
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WO (1) WO2018061608A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112051289A (zh) * 2019-06-05 2020-12-08 株式会社岛津制作所 X射线分析装置和峰搜索方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10987071B2 (en) * 2017-06-29 2021-04-27 University Of Delaware Pixelated K-edge coded aperture system for compressive spectral X-ray imaging
FI20206176A1 (en) * 2018-04-20 2020-11-20 Outotec Finland Oy X-ray fluorescence analyzer system and method for performing X-ray fluorescence analysis on an element of interest in a slurry
US11698336B2 (en) * 2019-09-30 2023-07-11 Jeol Ltd. Analysis method and analysis apparatus
WO2021171691A1 (ja) * 2020-02-27 2021-09-02 株式会社島津製作所 Ｘ線分析装置およびｘ線分析方法
CN114624271B (zh) * 2022-03-25 2023-08-25 电子科技大学 一种基于变分模态分解的x射线荧光光谱本底扣除方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002214165A (ja) * 2001-01-17 2002-07-31 Japan Science & Technology Corp 蛍光ｘ線分光方法およびその装置
CN1739023A (zh) * 2003-03-27 2006-02-22 理学电机工业株式会社 荧光x射线分析装置
JP4514772B2 (ja) * 2007-06-01 2010-07-28 株式会社リガク 蛍光ｘ線分析装置およびその方法
CN102128851A (zh) * 2010-12-24 2011-07-20 沈阳飞机工业（集团）有限公司 X射线荧光光谱分析谱线重叠校正方法
CN104111263A (zh) * 2014-07-07 2014-10-22 大连理工大学 一种虚拟合成标样的x射线荧光光谱基本参数法
JP2014211367A (ja) * 2013-04-18 2014-11-13 桑原　章二 蛍光ｘ線分析装置
CN104677926A (zh) * 2013-11-29 2015-06-03 沈阳黎明航空发动机(集团)有限责任公司 一种采用虚拟曲线法分析中、低合金钢中化学成分的方法
JP5990734B2 (ja) * 2011-11-30 2016-09-14 株式会社リガク 蛍光ｘ線分析装置

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5931814B2 (ja) * 1978-06-19 1984-08-04 オムロン株式会社 反射形光電スイッチ
US4347438A (en) * 1979-01-22 1982-08-31 Richard Spielman Light transceiver device
DE3125803A1 (de) * 1981-06-30 1983-01-13 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Kristall-roentgen-sequenzspektrometer
US4626683A (en) * 1982-11-12 1986-12-02 Eaton Corporation Through-beam optical detector system with alignment aid
US4650989A (en) * 1985-01-04 1987-03-17 Cerberus Ag Alignment apparatus for photoelectric intrusion detector system
JPH0785064B2 (ja) * 1986-06-03 1995-09-13 株式会社島津製作所 元素濃度分布測定方法
JPS62287136A (ja) * 1986-06-05 1987-12-14 Shimadzu Corp 元素の定性分析法
NL8702474A (nl) 1987-10-16 1989-05-16 Philips Nv Roentgenlijnendetector-inrichting en een daarmee uitgerust roentgenanalyse apparaat.
JPH05340897A (ja) * 1992-06-11 1993-12-24 Shimadzu Corp Ｘ線分光器
JP2685726B2 (ja) 1994-10-31 1997-12-03 理学電機工業株式会社 Ｘ線分析装置
US5798529A (en) * 1996-05-28 1998-08-25 International Business Machines Corporation Focused ion beam metrology
JP3378741B2 (ja) * 1996-07-23 2003-02-17 オプテックス株式会社 照準器付きの防犯センサ
US6411215B1 (en) * 1999-02-19 2002-06-25 J. Mitchell Shnier Optical methods for detecting the position or state of an object
JP4761339B2 (ja) * 2001-09-19 2011-08-31 オプテックス株式会社 防犯用センサ装置
JP4686699B2 (ja) * 2001-09-26 2011-05-25 オプテックス株式会社 防犯用センサ装置
JP3896406B2 (ja) * 2002-04-11 2007-03-22 オプテックス株式会社 防犯用センサ装置
KR100937122B1 (ko) * 2005-03-30 2010-01-18 오프텍스 가부시키가이샤 서리 방지용 단차를 갖는 방범용 센서 장치
JP4908119B2 (ja) * 2005-10-19 2012-04-04 株式会社リガク 蛍光ｘ線分析装置
US8822894B2 (en) * 2011-01-07 2014-09-02 California Institute Of Technology Light-field pixel for detecting a wavefront based on a first intensity normalized by a second intensity
US8384044B2 (en) * 2007-02-19 2013-02-26 Japan Science And Technology Agency Apparatus and method for reading fluorescence
US8558182B2 (en) * 2009-10-09 2013-10-15 University Of Rochester Optical element, device, method, and applications
GB2476292B (en) * 2009-12-18 2015-02-11 Applied Concepts Ltd Intruder deterrent systems
JP5563899B2 (ja) 2010-06-21 2014-07-30 日本電子株式会社 オージェ像収集方法及び装置
WO2012006558A2 (en) * 2010-07-08 2012-01-12 Fei Company Charged particle beam processing system with visual and infrared imaging
JP5907882B2 (ja) * 2010-10-19 2016-04-26 オリンパス株式会社 単一発光粒子の偏光特性を観測する光分析装置、光分析方法及びそのための光分析用コンピュータプログラム
BR112013031399B8 (pt) * 2011-06-06 2021-06-29 Sicpa Holding Sa scanner, método e sistema para determinar um perfil de intensidade de luz de um material luminescente
EP2828614B1 (en) * 2012-03-21 2018-09-05 Ramot at Tel-Aviv University Ltd. Portable interferometric device
DE102013207160A1 (de) * 2013-04-19 2014-10-23 Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der energetischen Zusammensetzung von elektromagnetischen Wellen
WO2015056305A1 (ja) * 2013-10-15 2015-04-23 株式会社島津製作所 蛍光ｘ線分析方法及び蛍光ｘ線分析装置
JP6795136B2 (ja) * 2014-05-08 2020-12-02 オプテックス株式会社 能動型物体検出センサ
EP3064933B1 (en) * 2015-03-03 2021-04-21 Malvern Panalytical B.V. Quantitative x-ray analysis
US9739730B2 (en) 2015-03-03 2017-08-22 Panalytical B.V. Quantitative X-ray analysis—multi optical path instrument
US10446369B1 (en) * 2017-06-14 2019-10-15 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Systems and methods for interferometric end point detection for a focused ion beam fabrication tool
US10371633B2 (en) * 2017-10-30 2019-08-06 Saudi Arabian Oil Company Determining a specific gravity of a sample

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002214165A (ja) * 2001-01-17 2002-07-31 Japan Science & Technology Corp 蛍光ｘ線分光方法およびその装置
CN1739023A (zh) * 2003-03-27 2006-02-22 理学电机工业株式会社 荧光x射线分析装置
JP4514772B2 (ja) * 2007-06-01 2010-07-28 株式会社リガク 蛍光ｘ線分析装置およびその方法
CN102128851A (zh) * 2010-12-24 2011-07-20 沈阳飞机工业（集团）有限公司 X射线荧光光谱分析谱线重叠校正方法
JP5990734B2 (ja) * 2011-11-30 2016-09-14 株式会社リガク 蛍光ｘ線分析装置
JP2014211367A (ja) * 2013-04-18 2014-11-13 桑原　章二 蛍光ｘ線分析装置
CN104677926A (zh) * 2013-11-29 2015-06-03 沈阳黎明航空发动机(集团)有限责任公司 一种采用虚拟曲线法分析中、低合金钢中化学成分的方法
CN104111263A (zh) * 2014-07-07 2014-10-22 大连理工大学 一种虚拟合成标样的x射线荧光光谱基本参数法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
孙景信等著: "《平面晶体波长色散位置灵敏谱仪（胡朝晖）》", 《现代核分析技术及其在环境科学中的应用》 *
曹利国主编；丁益民，黄志琦编著: "《14.3.2净峰面积的计算和本底计数的扣除》", 《能量色散X射线荧光方法》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112051289A (zh) * 2019-06-05 2020-12-08 株式会社岛津制作所 X射线分析装置和峰搜索方法

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KR20180127498A (ko) 2018-11-28
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