CN108886845A - 高频加热装置 - Google Patents

Abstract

本公开的高频加热装置具有：加热室(3)，其具有开口部(4)；开口部周缘部(6)，其设置于开口部的周缘；高频产生装置(11)，其向加热室供给高频；以及门(5)，其开闭自如地将开口部覆盖，在与开口部周缘部对置的位置具有电波屏蔽部(30)。电波屏蔽部具有：开孔(31)，其与开口部周缘部对置设置；以及轭流槽(32)，其由多个导体(33、34)形成。轭流槽具有：第1谐振空间(80)，其具有第1谐振频率；以及第2谐振空间(81)，其具有与第1谐振频率不同的第2谐振频率。由此，能够提高电波屏蔽性能。

Description

高频加热装置

技术领域

本公开涉及微波炉等高频加热装置，尤其涉及具有电波屏蔽部的高频加热装置，该电波屏蔽部对将要从加热室与门之间向外部泄漏的电波(特别是高频的微波)进行屏蔽。

背景技术

以往，作为与用于微波炉的电波屏蔽部相关的最基本思想，提出了在门上形成轭流槽的λ/4阻抗反转方法。

首先，使用附图对第1现有例进行说明。图19是示出作为以往的高频加热装置的微波炉101的外观的立体图。图20是从20-20观察图19的微波炉101中的配置在加热室103与门102之间的电波屏蔽部时的剖视图。

由配设在微波炉101内的加热室103的内部振荡出的高频穿过开口部周缘部105与门102之间的间隙106而欲从图20的右侧向左侧(z方向)传播泄漏，该开口部周缘部105以与门102对置的方式位于加热室103的开口部104的外周。在上述以往的微波炉101中，由导体107形成的轭流槽108配设在门102，轭流槽108的深度L被设定为使用频率的波长λ的1/4(大约31mm)。由此，从轭流槽108的入口部的开孔部109侧观察轭流槽108中时的阻抗Zin为无限大，z方向上的高频发生衰减(例如，参照专利文献1)。

在上述以往的结构中，与开口部周缘部105对置地配置有轭流槽108的入口部的开孔109和间隙106，可称为有利于使开口部周缘部105的宽度(z方向)变小的情况的结构。然而，由于轭流槽108的深度L较深，所以很难使门102的厚度(y方向)变薄，阻碍了微波炉101的小型化。

接着，对第2、第3现有例进行说明。作为用于使轭流槽108的深度L变浅的结构，在专利文献1中提出了图21(第2现有例)、图22(第3现有例)所记载的电波屏蔽部。提出了通过使轭流槽108弯曲而在维持着电波屏蔽性能的同时使轭流槽108的深度L变浅即小型化的方案。

另外，在图21、图22所示的结构中，也通过使从轭流槽108的入口部的开孔109观察轭流槽108中时的阻抗Zin为无限大而使z方向的高频发生衰减，在该点上，电波屏蔽原理与图20所示的结构同样。

在图21所示的结构中，使1张导体110弯折5次而形成死胡同状的轭流槽108。关于该结构，仅通过使1张导体110弯折便能够制作出轭流槽108，因此，因量产性好而被广泛采用。

并且，关于图22所示的结构，将凹状导体111与L字状导体112这两片导体接合而使轭流槽108向加热室103侧弯曲。该结构与图20所示的结构同样，与开口部周缘部105对置地配置有轭流槽108的入口部的开孔109和间隙106，能够使开口部周缘部105的宽度(z方向)变小。

此外，提出了如下的微波炉：如图23所示，在加热室103的内壁面117侧设置有由开口部周缘部105与门102之间的间隙106形成的高频传播路径118，从而提高电波屏蔽性能(例如，参照专利文献2)。

在专利文献2中提出了具有门102的微波炉101，如图23所示，该门102在外周内部设置有将1张导体113弯折4次而形成的轭流槽114。在门102的加热室103侧的外周部内壁115配设有向加热室103侧突出的凸部116。在门102被关闭的状态下，在高频进入到轭流槽114之前的阶段，在凸部116与加热室103的内壁面117之间配设有使高频衰减的高频传播路径118。

从加热室103内进入到开口部周缘部105与门102之间的间隙106的高频因在间隙106中传播而导致相位发生变化。并且，在前进了波长λ的1/4的地点处相位发生反转。

因此，开口部周缘部105与门102之间的间隙106的、加热室103侧的入口与轭流槽114的入口部的开孔109之间的距离越接近波长λ的1/4，高频传播路径118的靠加热室103的端部150的阻抗越接近短路。其结果是，能够降低进入到开口部周缘部105与门102之间的间隙106的高频。

通过该结构，不必只依赖轭流槽114的电波屏蔽性能，能够降低电波泄漏。

此外，在专利文献3、专利文献4中提出了如下的微波炉：通过在加热室内壁面117形成高频传播路径118，能够缩小开口部周缘部105的宽度，使微波炉101的壁厚变薄。由此，即使加热室103的容量相同，也能够使主体小型化，或者即使主体的大小相同，也能够使加热室103的容量增大。

并且，在专利文献1～4所记载的轭流构造中，在构成轭流槽的导体的对置面中的任意一方按照固定的周期设置缝隙。另外，在专利文献1～4中并没有详细说明该缝隙的形状、位置等。

但是，在形成轭流槽的导体的对置面中的任意一方按照固定的周期设置缝隙的上述以往的结构中，有时无法充分降低高频的x方向(长度方向)的传播。并且，轭流构造的机械强度有可能因设置缝隙而降低。

并且，通常，在微波炉的高频产生装置中大多使用磁控管，磁控管振荡出2.4GHz～2.5GHz内的各种频率的高频。

因此，在轭流构造的电波屏蔽性能中，在可充分确保性能的电波屏蔽频带较窄的情况下，会产生无法将磁控管所振荡出的高频充分地电波屏蔽的频带。并且，磁控管所振荡出的高频的振荡频率的分布根据被加热物的物性值、被加热物的放置位置、加热室内的形状等而不同。综上，在轭流构造的电波屏蔽性能中，要求对于宽范围频带的高频具有较高的衰减量。

另外，作为与上述现有技术关联的文献，列举了日本特开昭58-066285(专利文献5)、日本特开昭58-066287(专利文献6)、日本特开昭58-066288(专利文献7)、日本特开昭58-150292(专利文献8)、日本特开昭58-194290(专利文献9)、日本特开昭58-201289(专利文献10)以及日本特开昭58-201290(专利文献11)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平6-132078号公报

专利文献2：日本特许第4647548号公报

专利文献3：日本特开昭62-5595号公报

专利文献4：日本实公昭51-9083号公报

专利文献5：日本特开昭58-066285号公报

专利文献6：日本特开昭58-066287号公报

专利文献7：日本特开昭58-066288号公报

专利文献8：日本特开昭58-150292号公报

专利文献9：日本特开昭58-194290号公报

专利文献10：日本特开昭58-201289号公报

专利文献11：日本特开昭58-201290号公报

发明内容

本公开解决了上述课题，其目的在于，提供具有较高的电波屏蔽性能的高频加热装置。

为了解决上述以往的课题，本公开的高频加热装置具有：加热室，其具有开口部；开口部周缘部，其设置于开口部的周缘；高频产生装置，其向加热室供给高频；以及门，其开闭自如地将开口部覆盖，在与开口部周缘部对置的位置具有电波屏蔽部。电波屏蔽部具有：开孔，其与开口部周缘部对置设置；以及轭流槽，其由多个导体形成。轭流槽具有：第1谐振空间，其具有第1谐振频率；以及第2谐振空间，其具有与第1谐振频率不同的第2谐振频率。

由此，能够提高电波屏蔽性能。

根据本公开的结构，能够提供电波屏蔽性能较高的高频加热装置。

附图说明

图1是本公开的实施方式1的将高频加热装置的门打开的状态下的立体图。

图2是本公开的实施方式1的将高频加热装置的门关闭的状态下的纵剖视图。

图3A是本发明的实施方式1的高频加热装置的电波屏蔽部的局部剖视图。

图3B是本发明的实施方式1的高频加热装置的电波屏蔽部的局部剖视图。

图3C是本发明的实施方式1的高频加热装置的电波屏蔽部的局部剖视图。

图4是本公开的实施方式1的高频加热装置的电波屏蔽部的局部剖视立体图。

图5是本公开的实施方式1的高频加热装置的电波屏蔽部的局部剖视立体图。

图6是本公开的实施方式1的高频加热装置的电波屏蔽部的局部剖视立体图。

图7是本公开的实施方式1的高频加热装置的电波泄漏特性图。

图8是本公开的实施方式1的高频加热装置的另一个电波屏蔽部的局部剖视图。

图9是本公开的实施方式1的高频加热装置的又一个电波屏蔽部的局部剖视图。

图10是用于对本公开的实施方式1的高频加热装置的电波屏蔽部的谐振特性进行说明的图。

图11A是用于对本公开的实施例1的高频加热装置的电波屏蔽部进行说明的概念图。

图11B是用于对本公开的实施例2的高频加热装置的电波屏蔽部进行说明的概念图。

图11C是用于对本公开的实施例3的高频加热装置的电波屏蔽部进行说明的概念图。

图12是示出本公开的实施方式2的高频加热装置的电波屏蔽部的局部剖视图。

图13是本公开的实施方式2的高频加热装置的电波屏蔽部的局部剖视立体图。

图14是示出本公开的实施方式3的高频加热装置的电波屏蔽部的局部剖视图。

图15是示出本公开的实施方式3的高频加热装置的电波屏蔽部的局部剖视立体图。

图16是用于对本公开的实施方式3的高频加热装置的传播到电波屏蔽部的高频的传播路径进行说明的概念图。

图17是示出本公开的实施方式3的高频加热装置的电波屏蔽部的局部剖视图。

图18是示出本公开的实施方式3的凸部与加热室内表面之间的相对形状的概念图。

图19是示出第1现有例的高频加热装置的外观的立体图。

图20是从20-20观察第1现有例的高频加热装置的电波屏蔽部时的剖视图。

图21是第2现有例的高频加热装置的电波屏蔽部的局部剖视图。

图22是第3现有例的高频加热装置的电波屏蔽部的局部剖视图。

图23是第4现有例的高频加热装置的电波屏蔽部的局部剖视图。

具体实施方式

本公开的高频加热装置具有：加热室，其具有开口部；开口部周缘部，其设置于开口部的周缘；高频产生装置，其向加热室供给高频；以及门，其开闭自如地将开口部覆盖，在与开口部周缘部对置的位置具有电波屏蔽部。电波屏蔽部具有：开孔，其与开口部周缘部对置设置；以及轭流槽，其由多个导体形成。轭流槽具有：第1谐振空间，其具有第1谐振频率；以及第2谐振空间，其具有与第1谐振频率不同的第2谐振频率。

轭流槽也可以隔着开孔而向加热室侧和加热室相反侧这两侧弯曲。

在设置于门的整周的4个边的电波屏蔽部中，至少设置于1个边的电波屏蔽部的合成谐振特性也可以与设置于其他边的电波屏蔽部的合成谐振特性不同。

设置于门的下边的电波屏蔽部的合成谐振特性也可以与设置于其他3个边的电波屏蔽部的合成谐振特性不同。

设置于门的1个边的电波屏蔽部也可以具有合成谐振特性相互不同的多个区域。

设置于门的角部的电波屏蔽部的合成谐振特性也可以与设置于直线部的电波屏蔽部的合成谐振特性不同。

也可以通过改变形成电波屏蔽部的导体的至少1个边的长度来改变电波屏蔽部的合成谐振特性。

以下，参照附图对本公开的高频加热装置的优选的实施方式进行说明。另外，在以下的实施方式的高频加热装置中对微波炉进行说明，但微波炉是一个例示。本公开的高频加热装置并不限定于微波炉，也可以包含利用了电介质加热的加热装置、生活垃圾处理机或半导体制造装置等高频加热装置。

并且，本公开并不限定于以下实施方式的具体结构，本公开还包含基于同样的技术思想的结构。

(实施方式1)

图1～图9是用于对本公开的实施方式1的高频加热装置进行说明的图。图1是本公开的实施方式1的将门5打开的状态下的高频加热装置的立体图。图2是本公开的实施方式1的将门5关闭的状态下的高频加热装置1的纵剖视图。图3A～图3C是示出本公开的实施方式1的高频加热装置的电波屏蔽部30的局部剖视图。图4是本公开的实施方式1的高频加热装置的电波屏蔽部30的局部剖视立体图。图5和图6是本公开的实施方式1的高频加热装置的电波屏蔽部30的局部剖视立体图。图7是本公开的实施方式1的高频加热装置的电波泄漏特性图。图8是本公开的实施方式1的高频加热装置的另一个电波屏蔽部30的局部剖视图。图9是本公开的实施方式1的高频加热装置的又一个电波屏蔽部30的局部剖视图。

在以后的说明中，将加热室3的形成有开口部4的一侧定义为高频加热装置1的前方侧，将加热室3的里侧定义为高频加热装置1的后方侧(里侧)。并且，将从前方观察高频加热装置1时的高频加热装置1的右侧简称为右侧，将从前方观察高频加热装置1时的高频加热装置1的左侧简称为左侧。

以下，参照图1～图9来进行适当说明。

如图1所示，作为代表性的高频加热装置的微波炉1在箱形的外箱2的内部具有加热室3。在加热室3中收纳作为代表性的被加热物的食品。在加热室3的前表面设置有开口部4。在外箱2的前表面开闭自如地安装有对开口部4进行开闭的门5。

在开口部4与外箱2之间的、在门5关闭时与门5对置的位置处，配设有开口部周缘部6(以下，也称为前板6)。

如图2所示，在加热室3的外周与外箱2之间形成有空间部。在加热室3的下方的空间部10中收纳有高频产生部11等高频供给用的部件。作为食品的加热手段之一的高频产生部11具有磁控管12、导波管13、旋转天线14等。磁控管12所产生的高频在导波管13内传输而放射到加热室3内。被旋转驱动的电波搅拌用的旋转天线14使放射到加热室3的高频扩散到整个加热室3中。由此，防止高频的驻波被固定，抑制了食品的加热不均。在磁控管12附近配设有主要用于对高频加热时的磁控管12进行冷却的风扇15。风扇15向磁控管12吹送冷却风。

在加热室3上方的空间部16中配设有作为食品的加热手段之一的上部加热器17。在加热室3深处的背面侧的空间部18中配设有作为食品的加热手段之一的深处加热器19。

另外，将门5的开闭方向设为上下方向，但并没有限定门5的开闭方式。可以在左右两侧的任意一侧配置开闭门5的支点而成为横开的门5，也可以是抽拉式的门5。

接着，根据图3A、图3B以及图3C对配设在门5的与前板6对置的位置的电波屏蔽部30的结构进行说明。图3A、图3B以及图3C示出了将门5关闭的状态下的微波炉1的前方左侧部的局部横剖视图。

在图3A、图3B以及图3C中，电波屏蔽部30具有：开孔31，其形成在与前板6对置的面上；以及轭流槽32，其相对于开孔31向加热室3侧及其相反侧这两侧弯曲。轭流槽32是通过将作为导电体的凹状钣金件33(导体)与作为导电体的凸状钣金件34(导体)接合而形成的。在凸状钣金件34上，在两钣金件的接合部35附近配设有向加热室3内部突出的凸部36。这里，作为一例，接合部35附近是指距离接合部35为30mm以内的范围。并且，更优选凸部36配设在距离接合部35为20mm以内的范围内。

在将门5关闭的状态下，凸部36被配置成与加热室3的内壁面7之间形成间隙37。轭流槽32的有效深度被设定为放射到加热室3的高频的波长的大约1/4的尺寸。

并且，通过使高频在凸部36与加热室3的内壁面7之间的间隙37以及前板6与接合部35之间的间隙38中传输来调整从加热室3内向门5外部泄漏的高频的电场方向。高频从开孔31进入到轭流槽32。被轭流槽32反射而返回到开孔31的高频的相位在轭流槽32的开孔31处发生反转。因此，阻抗为无限大，抑制了高频的泄漏。例如，在微波炉1所使用的高频的振荡频率为2450MHz的情况下，由于波长大约为123mm，所以轭流槽32的有效深度大约为31mm。

在本实施方式中，由于轭流槽32隔着开孔31而向加热室3侧及其相反侧这两侧弯曲，所以轭流槽32的深度存在多个。由此，能够扩大频率特性中的电波屏蔽性能的有效频带。

并且，使凹状钣金件33的成为端部40的面与凸状钣金件34的成为轭流槽32内的端部41的面按照规定的间隔对置，从而调整高频在两个面之间的电场方向。由此，顺利地进行高频向轭流槽32内的传播。因此，能够实现电波泄漏的抑制。

并且，由于高频在凸部36与加热室3的内壁面7之间的间隙37中传输而发生衰减，所以能够缩短前板6与接合部35之间的间隙38的传播长度。并且，通过使轭流槽32向加热室3侧弯曲，能够相应地使电波屏蔽部30与前板6对置的面积减小。由此，能够大幅减小加热室3的内壁面7与外箱2之间的壁厚。

从加热室3内进入到前板6与门5之间的间隙38的高频通过在间隙38中传播而使相位发生变化，在前进了波长λ的1/4的地点处相位发生反转。

因此，前板6与门5之间的间隙38的、靠加热室3侧的入口与轭流槽32的入口部的开孔31之间的距离越接近波长λ的1/4，间隙38的加热室3侧的入口50的阻抗越接近短接。由此，能够使进入到前板6与门5之间的间隙38的高频减小。因此，不必只依赖轭流槽32的电波屏蔽性能，能够减少电波泄漏。

在凹状钣金件33与前板6之间设置有树脂制的轭流罩42。轭流结构被树脂制的轭流罩42覆盖，抑制了水分、杂质、灰尘等侵入到轭流结构的内部。当水分等侵入到轭流结构内部时，电波屏蔽特性因轭流结构内部和侵入物的介电常数的不同而发生变化。因此，为了提高电波屏蔽性能的可靠性，也需要轭流罩42。并且，轭流罩42防止了因异物侵入导致的放电现象，并且提高了美观性。

并且，由于轭流结构多由导体板构成，所以轭流罩42抑制了使用者因手或手指进入到轭流槽32内和缝隙内而受伤。

轭流罩42与轭流结构的形状对应，可以是将门5与前板6之间的间隙封住的形状。另外，轭流罩42可由吸收高频的介电损失系数较小的原材料构成，以使得对轭流结构的电波屏蔽性能造成的影响较小。例如，可由PP(聚丙烯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)等树脂来构成轭流罩。

在凸部36的靠加热室3侧的位置配置有内表面玻璃45，防止了热气、异物、蒸汽等从设置于凸状钣金件34的中央的冲孔(未图示)侵入。

并且，通过在凹状钣金件33与前板6之间设置树脂制的轭流罩42等电介质，使高频因电介质而产生损失，由此能够减少电波泄漏。此外，与空气中相比，高频的波长在电介质内被压缩，因此，即使在传播相同距离的情况下也是电介质内的相位变化较大。因此，由于能够减小前板6与电波屏蔽部30的对置面积，所以能够减小加热室3的内壁面7与外箱2之间的壁厚尺寸。

此外，对电介质内的波长压缩进行详述。

高频在空气中或真空中传播的传送速度等于光速。高频在电介质中穿过的情况下的传送速度比光速慢，波长比自由空间波长λο短。

这里，当将光速设为Vc(3×10¹¹mm/s)并将电介质的相对介电常数设为εr时，电波在电介质中的传输速度Vd和波长λd能够根据以下所示的(数学式1)和(数学式2)算出。

电介质的相对介电常数εr和相对磁导率μr分别是与真空中的介电常数εο和磁导率μο的比率。由于在电介质的情况下磁导率μ是与磁导率μο相同的值，所以相对磁导率μr为“1”，在以下所示的(数学式2)中被省略。

【数学式1】

【数学式2】

即，电波的波长λ在电介质中被压缩，当从电波观察时成为在电介质中空间被扩展的图形。因此，在一个传播着的波的一部分在电介质中通过而剩余的波在空间中传播的情况下，这些合成波向电介质侧弯曲折射而进行传播。

因此，当在轭流槽32的入口部的开孔31和缝隙43内设置了轭流罩42(由电介质构成)的情况下，由于在轭流罩42内高频的波长被压缩，所以当从高频观察时，可看到轭流槽32的入口部的开孔31和缝隙43比实际的尺寸大。

因此，通过设置轭流罩42，能够缩小轭流槽32的入口部的开孔31和缝隙43，进而能够提高轭流结构的强度。

凹状钣金件33是通过将钣金件向同一个方向弯折加工5次而形成的。凸状钣金件34的L字拉深部39和凸部36是通过拉深加工而成型的。凹状钣金件33与凸状钣金件34在接合部35处通过凸焊而接合。

接合部35配置在凸部36附近且凸部36的靠加热室3中心侧的位置，从而提高了强度。通过使凸部36成型为箱形，与平板相比能够飞跃性地提高凸状钣金件34的强度。因此，即使在接合部35产生因焊接导致的应变力，也能够大幅抑制凸状钣金件34的翘曲或起伏等变形。由此，能够抑制组装偏差，提高美观性。

接着，对具有多个谐振空间的轭流结构进行讨论。

如图3A所示，轭流槽32被设置成从开孔31向前方侧延伸的槽向加热室3侧和加热室3相反侧这两侧弯曲。由此，在轭流槽32中形成有第1谐振空间80和第2谐振空间81。另外，第1谐振空间80和第2谐振空间81共同具有从开孔31向前方侧延伸的共有空间82。如图4所示，第1谐振空间80和第2谐振空间81隔着缝隙43而周期性地形成。

轭流槽32的结构可以表示如下。如图3B所示，轭流槽32是通过将第1空间97、第2空间98以及第3空间99叠合在一起而构成的，其中，该第1空间97从开孔31朝向前方侧延伸，该第2空间98以与第1空间97交叉的方式在与第1空间97垂直(包含大致垂直)的方向上延伸，该第3空间99以与第2空间98交叉的方式在与第1空间97平行(包含大致平行)的方向上延伸。另外，根据本发明人的讨论，由于存在第3空间99，所以能够容易使从开孔31进入的高频的行进路径向第1谐振空间80侧和第2谐振空间81侧分离。

接着，使用图10对轭流槽32的谐振特性进行说明。第1谐振空间80和第2谐振空间81被设定为分别具有相互不同的谐振频率f_A、f_B。因此，轭流槽32的谐振特性是通过将第1谐振空间80的谐振特性和第2谐振空间81的谐振特性重合而得的(称为合成谐振特性)。其结果是，能够实现电波屏蔽频带的宽频带化，能够提高电波屏蔽部30的电波屏蔽性能。

作为设定谐振频率的方法，列举了改变轭流槽32的有效深度或向轭流槽32的一部分中插入电介质等。

并且，通过具有多个谐振空间，能够利用各谐振空间改变门5与前板6之间的间隙38的、加热室3侧的入口与轭流槽32的入口部的开孔31之间的距离。因此，能够使门5与前板6之间的间隙38的、加热室3侧的入口与轭流槽32的入口部的开孔31之间的距离相对于多个振荡频率为波长λ的1/4，能够实现电波屏蔽频带的宽频带化。

根据ISM(Industry Science Medical)频段，微波炉的振荡频率被限制在2.4GHz～2.5GHz的范围内。通常，作为微波炉1的高频产生装置部，大多使用磁控管12，磁控管12振荡出2.4GHz～2.5GHz内的各种频率的高频。

因此，在轭流结构的电波屏蔽性能中，在可确保充分性能的电波屏蔽频带较窄的情况下，在磁控管12所振荡出的高频中会产生无法充分进行电波屏蔽的频带。并且，根据被加热物的物性值、被加热物的放置位置、加热室3内的形状等，磁控管12所振荡出的高频的振荡频率的分布不同。如上所述，由于本实施方式的电波屏蔽部30具有多个谐振空间80、81，所以可进行电波屏蔽频带的宽频带化，实现了良好的电波屏蔽性能。

接着，讨论了因具有多个谐振空间而导致谐振空间整体的体积变大的情况。

在某一定量的高频在轭流槽32中发生谐振的情况下，谐振空间内的电场强度与轭流槽32的谐振空间的体积呈反比。因此，能够通过增大谐振空间整体的体积来减弱电场强度，从而抑制火花的产生，能够提高安全性。

另外，即使在电介质插入到谐振空间内的情况下，由于与空气中相比高频的波长在电介质内被压缩，所以在外观上谐振空间的体积增大。

另外，在本实施方式中，仅描述了谐振空间为两个的情况，但在3个以上的情况下也能够获得同样的效果。

另外，轭流槽32具有使从与轭流槽32垂直的方向入射的高频的相位反转而抑制泄漏的效果。然而，针对相对于轭流槽32从倾斜方向入射的高频，轭流槽32的电波屏蔽效果比较低。

这是因为，通常，将轭流槽32的有效深度针对从垂直方向入射的高频设定为波长λ的1/4，所以在沿倾斜方向入射的高频中，所传播的长度会偏离波长λ的1/4。通常在轭流槽32上沿长度方向周期性地形成缝隙43，由此，将相对于轭流槽32从倾斜方向入射的高频调整为直角方向的入射。

这是因为，高频一边在对置的导体之间产生电场一边进行传播，所以在轭流槽32中存在缝隙43的情况下，在缝隙43中不会产生电场，因此从倾斜方向入射的高频的入射角度在缝隙43中变化为与轭流槽32呈直角的方向。

因此，在凹状钣金件33的端部40和凸状钣金件34的端部41分别如图4所示的那样设置有固定间隔的缝隙43，从而形成周期构造体。由此，抑制了高频沿着轭流槽32传播，进一步抑制了电波泄漏。

但是，根据设置于轭流槽32的周期性的缝隙43的长度和形状，有时高频从缝隙43泄漏而导致电波屏蔽性能降低。并且，根据设置于轭流槽32的周期性的缝隙43的长度、宽度以及形状，有时因高频泄漏而导致电波屏蔽性能降低。另外，在以往的轭流结构中，在大部分情况下将缝隙43的宽度设定为3mm以上。

并且，缝隙43的间隔未必需要等间隔。这是因为，入射到轭流槽32的高频的入射角度根据门5周边部的加热室3内的驻波分布而发生变动，所以使电波屏蔽性能最大化的缝隙43的间隔根据位置而不同。因此，在对加热室3内的驻波分布带来影响的旋转天线14、导波管13以及加热室3内的形状之中的至少一个发生变更的情况下，需要修正缝隙43的间隔。

如图5和图6所示，通过无论在形成轭流槽32的导体的对置面的哪个面上都设置缝隙43，不用增大轭流槽32的宽度便可增加导体间的距离。由此，能够抑制在导体之间产生的电场的出现。以上，提高了通过缝隙43来遮断沿长度方向传播的高频的效果，能够提高电波屏蔽部30的电波屏蔽性能。另外，如图4所示，将一个大致筒状的导体部32A和一个缝隙43组合而称为轭流槽32的一个周期S。

接着，使用图7对凸部36的高度与高频电波屏蔽性能之间的关系进行说明。图7示出了门5的不同间隙的电波泄漏特性，其中，横轴表示凸部36的高度，纵轴表示电波泄漏。

电波泄漏是指微波炉1的磁控管12进行动作时的、距离门与微波炉主体之间的间隙为5cm处的部位的泄漏电波的功率密度。在电子用品安全法技术基准中，规定为：在将门5关闭的状态下以最大输出进行动作时为1mW/cm²以下，在将门5打开到磁控管12的振荡停止装置即将工作之前的最大位置的状态下为5mW/cm²以下。

图7的门5的间隙为1mm时的特性是指将门5关闭的状态下的电波泄漏性能，无论凸部36的高度如何，此时都在规定值1mW/cm²以下，都将规定值排除在外。不过，当凸部36的高度较低时，距规定值的余裕量较小，因此当考虑到余裕时，优选凸部36的高度为2mm以上。

门5的间隙为3mm时的特性是指将门5打开到磁控管12进行动作的最大位置的状态，将此时的规定值5mW/cm²以下排除的凸部36的高度为2mm以上。在该情况下，当考虑到余裕量时，优选凸部36的高度为5mm以上。

如以上那样，作为将最低限度的规定值排除的条件，优选使凸部36的高度为2mm以上。当考虑到余裕量，则优选凸部36的高度为5mm以上。

另一方面，凸部36的高度越高，电波泄漏量越少，但当超过10mm时，会增大在将门5关闭时与收纳在加热室3内的被加热物或容器发生干涉的可能性。并且，会增大在对门5进行开闭时凸部36与加热室3的内壁面7发生干涉的可能性。

此外，由于在将门5打开的情况下阶梯差较明显，因此会有损美观。因此，优选凸部36的高度为10mm以下。

以上，通过使凸部36的高度为2mm以上且10mm以下，可获得将规定值排除在外的高频电波屏蔽性能。并且，凸部36不会与收纳于加热室3内部的被加热物和加热室3的内壁面发生干涉。进而，不会有损美观。

并且，近年来，在高频设备的应用中，随着移动电话等通信设备飞跃性地发展，减轻电波噪声对这些设备造成的电波阻碍也成为社会性课题。由此，提高微波炉的电波屏蔽性能是很重要的技术。

并且，在日本国内和IEC(International Electrotechnical Commission：国际电工委员会)标准规格中，评价了在高频加热时针对放置在加热室3的中央的水负载的节能性能。

因此，使泄漏到加热室3外部的高频减少并且使加热室3内的加热被加热物的高频量增加会关系到提高节能性能。由此，提高微波炉的电波屏蔽性能是很重要的技术。

另外，在本实施方式中，采用了将凹状钣金件33和凸状钣金件34这两张钣金件在接合部35处接合的结构，但所构成的钣金件的张数、形状、接合方法等没有限定。例如，如图8所示，也可以为，凸状钣金件34由钣金件A51和钣金件B52这两张钣金件构成，并且将钣金件A51和钣金件B52在接合部A53和接合部B54这两处接合。

在该情况下，由于凹状钣金件33的接合部B54侧的形状是相对于轭流槽32张开的结构，所以容易进行弯折加工和接合加工。并且，由于钣金件A51和钣金件B52固定在相对于凸部36靠外侧的接合部A53和内侧的接合部B54这两处，所以形成牢固的构造体。由此，能够提高整个门5的强度。

并且，在本实施方式中，采用了轭流槽32向加热室3侧及其相反侧这两侧弯曲的结构，但本公开并不限定于此。例如，凹状钣金件33也可以是通过弯折4次而成的，构成为在端部40侧不形成死胡同空间。并且，可以使该端部40的弯折方向向相反方向而进行弯曲，也可以不对端部40进行弯折。在该结构下，由于简化了凹状钣金件33的形状，所以能够提高生产性并且低成本化。并且，能够减小前板6的宽度。

以下，对本实施方式的具体结构以及作用、效果进行说明。

如图1、图2、图3A～图3C以及图4所示，作为本实施方式的高频加热装置的微波炉1具有：加热室3，其具有开口部4；高频产生部11，其向加热室3供给高频；以及门5，其对开口部4进行开闭，在与开口部周缘部6对置的位置具有电波屏蔽部30。电波屏蔽部30在与前板6对置的面上设置有开孔31和轭流槽32，该轭流槽32由导体形成，具有多个死胡同形状空间8。在隔着开孔31的两个导体上分别设置有至少1个缝隙43。

由此，与在形成轭流槽32的导体的对置面中的一者上设置缝隙43的结构相比，当在形成轭流槽32的导体的对置面上均设置缝隙43时更能够使轭流槽32的长度方向的阻抗变化变大。由此，能够进一步提高轭流结构的电波屏蔽性能。

以下，对本实施方式的高频加热装置1的实施例进行说明。

＜实施例1＞

在本实施例中，构成为在设置于门的整周的4个边(上边、下边、左边、右边)的电波屏蔽部中，至少设置于1个边的电波屏蔽部的第1合成谐振特性与设置于其他边的电波屏蔽部的第2合成谐振特性不同。这里，“不同”是指第1合成谐振特性与第2合成谐振特性不完全一致。即，即使在第1合成谐振特性与第2合成谐振特性的一部分一致的情况下，只要整体不完全一致，则两者不同。

更具体来说，如图11A所示，设置于门5的下边202的电波屏蔽部30A的合成谐振特性与设置于其他3边(上边201、左边203、右边204)的电波屏蔽部30B的合成谐振特性不同。另外，电波屏蔽部30A具有谐振频率相互不同的两个谐振空间80A、81A。并且，电波屏蔽部30B也具有谐振频率相互不同的两个谐振空间80B、81B。

＜实施例2＞

在本实施例中，在设置于门的1个边的电波屏蔽部中，具有合成谐振特性相互不同的多个区域。

具体来说，如图11B所示，在门5的上边201，第1区域A的合成谐振特性与第2区域B的合成谐振特性相互不同。另外，电波屏蔽部30C具有谐振频率相互不同的两个谐振空间80C、81C。并且，电波屏蔽部30D也具有谐振频率相互不同的两个谐振空间80D、81D。

＜实施例3＞

在本实施例中，如图11C所示，设置于门5的角部205的电波屏蔽部30E的合成谐振特性与设置于门5的直线部206的电波屏蔽部30F的合成谐振特性不同。另外，电波屏蔽部30E具有谐振频率相互不同的两个谐振空间80E、81E。并且，电波屏蔽部30F也具有谐振频率相互不同的两个谐振空间80F、81F。

＜实施例4＞

在本实施例中，在一个周期S内(参照图4)中，具有谐振特性相互不同的区域。

通过上述实施例那样的结构，能够实现具备对于宽范围频带的高频具有较高的衰减量的电波屏蔽部30的高频加热装置。另外，作为变更电波屏蔽部30的谐振频率的方法，列举出变更轭流槽32的有效深度、或者向轭流槽32的一部分插入电介质、或者变更构成电波屏蔽部30的导体的1个边的长度等。

(实施方式2)

图12和图13是本公开的实施方式2的高频加热装置的说明图。以下，对本实施方式的具体结构以及作用、效果进行说明。

图12是示出本公开的实施方式2的高频加热装置的电波屏蔽部的局部剖视图。

图13是本公开的实施方式2的高频加热装置的电波屏蔽部的局部剖视立体图。

另外，在本实施方式中，对与上述实施方式1同样的结构和功能使用相同的标号，省略详细的说明。并且，本实施方式的高频加热装置整体的结构与图1～图11所示的微波炉1的结构同样。

以下，对本实施方式的具体结构以及作用、效果进行说明。

如图12和图13所示，作为本实施方式的高频加热装置的微波炉1构成为：隔着开孔31的两个导体上设有的缝隙43在高频的泄漏方向9上对置。并且，构成为在配置缝隙43时沿周期方向不产生偏移。

由此，在缝隙43所对置的部位处，通过增大形成轭流槽32的导体之间的距离以及减少导体之间的对置面积，能够使轭流槽32的长度方向的阻抗变化显著变大。其结果是，能够进一步提高轭流结构的电波屏蔽性能。

并且，在本实施方式中，通过凸状钣金件34来构成门5的一个面，在将门5关闭的状态下凸状钣金件34形成加热室3的内壁面7的一部分，但并不限于此。也可以由凹状钣金件33构成门5的一个面(加热室3的内壁面7)。而且，将凸状钣金件34在接合部35处与凹状钣金件33接合而形成轭流槽32。

并且，在图13中示出了所有缝隙43的配置分别沿周期方向不产生偏移的结构，但只要是至少1组缝隙43的配置沿周期方向不产生偏移，就包含在本公开中。

(实施方式3)

图14～图18是本公开的实施方式3的高频加热装置的说明图。图14是示出本公开的实施方式3的高频加热装置的电波屏蔽部的局部剖视图。图15是本公开的实施方式3的高频加热装置的电波屏蔽部的局部剖视立体图。图16是用于对本公开的实施方式3的高频加热装置的传播到电波屏蔽部的高频的传播路径进行说明的概念图。图17是示出本公开的实施方式3的高频加热装置的电波屏蔽部的局部剖视图。图18是示出本公开的实施方式3的凸部与加热室内表面之间的相对形状的概念图。

另外，在本实施方式中，对与上述实施方式1和实施方式2同样的结构和功能使用相同的标号，省略详细的说明。并且，本实施方式的高频加热装置整体的结构与图1～图13所示的微波炉1的结构同样。

对凸部91的结构进行叙述。如图14～图18所示，本实施方式的电波屏蔽部90使凸部91的与加热室3的内壁面7对置的凸部对置面92向加热室3侧倾斜。通过使加热室3的内壁面7与凸部对置面92之间的间隙93形成为楔状，具有下述效果。

在侵入角度θ比规定的角度大的情况下，侵入到楔状的间隙93的高频如图16的箭头所示的那样在被加热室3的内壁面7和凸部对置面92反复反射的期间其角度发生偏转，再次返回到加热室3。因此，高频在加热室3的内壁面7与凸部对置面92之间的间隙93中传播，从而能够使高频到达轭流槽32的比例减小，因此，能够进一步减少高频的泄漏。

并且，当在门5内配置用于使门5转动而进行开闭的轴心时，位于门5开闭时的转动末端侧(如果是前开门，则为上边)的凸部91末端的轨迹被描绘成接近接合部35。为了避免因组装偏差等导致的凸部91与加热室3的内壁面7的干涉，通常使加热室3的内壁面7与凸部对置面92之间的间隙93变大。在本实施方式中，由于使凸部对置面92向加热室3侧倾斜，所以不用扩大间隙93的容积就能够避免凸部91与加热室3的内壁面7发生干涉。

此外，如图17和图18所示，在本实施方式的电波屏蔽部90中，加热室3的内壁面7的与倾斜的凸部对置面92对置的端面94按照与凸部对置面92形成固定(包含大致固定)的间隙95的方式倾斜。由此，具有下述效果。

如图18所示，设置规定的间隔X，使得即使因尺寸或安装的偏差而导致凸部91与加热室3的内壁面7的相对位置在与前板6的面平行的方向上发生变化，也不会彼此干涉。由于凸部对置面92和端面94平行(包含大致平行)地倾斜，所以与凸部对置面92为固定的间隙95的宽度H根据倾斜角度θ而比间隔X小。由于能够以这种方式使间隙95的宽度H变窄，所以能够提高所传播的高频的衰减性。

轭流结构的缝隙43的效果如在实施方式1中所述的那样。这里，对在构成轭流结构的隔着开孔31的两个导体上的至少1个部位处将缝隙43设置成不与导体对置的优点进行叙述。

由于高频一边在对置的导体之间产生电场一边进行传播，所以当在轭流槽32中存在缝隙43的情况下，在缝隙43部位处不产生电场，因此能够抑制周期方向的传播。但是，在缝隙43的一部分与导体对置的情况下，或者在周期方向的传播路径的附近存在其他导体而产生电场的情况下，会降低缝隙43的效果。

考虑到沿周期方向传播的高频量与导体间的对置面积呈正比，因此将缝隙43设置成与导体完全不对置，由此能够有效地降低沿周期方向传播的高频。

以下，对具体结构以及作用、效果进行说明。

如图15所示，在作为本实施方式的高频加热装置的微波炉的电波屏蔽部90中，在隔着开孔31的两个导体上的至少1个部位处，将缝隙43设置成不与导体对置。

由此，能够在不与导体对置的部位停止周期方向的高频的传播，能够提高轭流结构的电波屏蔽性能。

另外，本实施方式在以下方面与实施方式2不同：在形成轭流结构的导体的某1个边上存在完全不与导体对置的部位。在某1个边上存在稍微与导体对置的部位的方面是与实施方式2相同的内容。

并且，在本实施方式中，通过凸状钣金件34来构成门5的一个面，在将门5关闭的状态下凸状钣金件34构成加热室3的内壁面的一部分，但并不限于此。也可以通过凹状钣金件33来构成门5的一个面，通过凹状钣金件33构成加热室3的内壁面7。而且，也可以将凸状钣金件34与凹状钣金件33在接合部35处接合而形成轭流槽32。

并且，在图15中，在隔着开孔31的两个导体上，所有缝隙43构成为不与导体对置，但只要在至少1处存在完全不与导体对置的部位，就包含在本公开中。

并且，通过改变形成电波屏蔽部90的导体33、34中的至少1个边的长度，也可以改变电波屏蔽部90的谐振频率。

另外，如图3C所示，作为本公开的高频加热装置的微波炉在与所述开口部周缘部6对置的面上设置有阶梯差95。由此，阻止了异物向轭流槽32内侵入，实现了抑制因异物的影响而导致的电波屏蔽性能的降低和高频的放电现象。另外，为了抑制手指等进入到轭流槽32中而受伤，当在轭流槽32上设置有树脂制的轭流罩42的情况下，在与开口部周缘部6对置的面上不会产生阶梯差95。因此，提高了美观性，改善了清洁性，进而能够使防止水分从轭流罩42与轭流槽32之间的间隙浸入的密封件形状为简单的结构。

工业上的可利用性

如以上那样，本公开的高频加热装置不仅能够应用在高频加热的单功能的微波炉中，还能够应用在例如具有烤箱功能或烘烤功能的微波炉、具有蒸制功能的微波炉中，无论是家庭用还是业务用，都能够被广泛使用。

标号说明

1：微波炉(高频加热装置)；2：外箱；3：加热室；4：开口部；5：门；6：前板(开口部周缘部)；7：内壁面；8：死胡同形状空间；9：高频的泄漏方向；11：高频产生部；30、30A、30B、30C、30D、30E、30F、90：电波屏蔽部；31：开孔；32：轭流槽；33：凹状钣金件(导体)；34：凸状钣金件(导体)；35：接合部；36、91：凸部；42：轭流罩；43：缝隙；53：接合部A；54：接合部B；80：第1谐振空间；81：第2谐振空间；82：共有空间；97：第1空间；98：第2空间；99：第3空间。

Claims (7)

1.一种高频加热装置，该高频加热装置具有：

加热室，其具有开口部；

开口部周缘部，其设置于所述开口部的周缘；

高频产生装置，其向所述加热室供给高频；以及

门，其开闭自如地将所述开口部覆盖，在与所述开口部周缘部对置的位置具有电波屏蔽部，

所述电波屏蔽部具有：开孔，其与所述开口部周缘部对置设置；以及轭流槽，其由多个导体形成，

所述轭流槽具有：第1谐振空间，其具有第1谐振频率；以及第2谐振空间，其具有与所述第1谐振频率不同的第2谐振频率。

2.根据权利要求1所述的高频加热装置，其中，

所述轭流槽隔着所述开孔而向所述加热室侧和所述加热室的相反侧这两侧弯曲。

3.根据权利要求1所述的高频加热装置，其中，

在设置于所述门的整周的4个边的所述电波屏蔽部中，至少设置于1个边的所述电波屏蔽部的合成谐振特性与设置于其他边的所述电波屏蔽部的合成谐振特性不同。

4.根据权利要求3所述的高频加热装置，其中，

设置于所述门的下边的所述电波屏蔽部的所述合成谐振特性与设置于其他3个边的所述电波屏蔽部的所述合成谐振特性不同。

5.根据权利要求1所述的高频加热装置，其中，

设置于所述门的1个边的所述电波屏蔽部具有合成谐振特性相互不同的多个区域。

6.根据权利要求1所述的高频加热装置，其中，

设置于所述门的角部的所述电波屏蔽部的合成谐振特性与设置于所述门的直线部的所述电波屏蔽部的合成谐振特性不同。

7.根据权利要求1所述的高频加热装置，其中，

通过改变形成所述电波屏蔽部的所述导体的1个边的长度来改变所述电波屏蔽部的谐振频率。