CN108456856B - 用于基材的真空涂布的箱式涂布设备 - Google Patents

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Abstract

用于基材涂布的箱式涂布设备(10)包括含有蒸发源(14)的真空室(12)。基材支架(16)相对于蒸发源面对面设置,使得蒸发的材料可撞击在由所述基材支架保持的基材上。除了蒸发源和基材支架之外,还设置至少一个另外的功能部件(20)、即迈斯纳捕集器(20)和/或高真空阀机构,防护罩布置(52)被分配至该功能部件,用于防止蒸发的材料撞击在所述部件上。该防护罩布置具有百叶窗部分(56),百叶窗部分(56)可以从覆盖通过防护罩布置的通道(60)并且用于屏蔽所述部件的关闭的屏蔽位置转移到基本上清空通道以允许气体和蒸气基本上自由通过的打开的泵送位置,并且反之亦然。

Description

用于基材的真空涂布的箱式涂布设备
技术领域
本发明总体上涉及用于基材的真空涂布的箱式涂布设备。这样的设备通常用于光学应用中,用于各种有机和无机材料的基材上的多层薄膜的高真空沉积。具体地,本发明涉及一种用于眼镜镜片的真空涂布的箱式涂布设备,所述眼镜镜片应当用在大规模生产的眼镜镜片的镜框内。在这种情况下,箱式涂布设备典型地用于在眼镜镜片上施涂多层防反射(AR)涂层,以便为后者提供低的残留反射和期望的颜色。然而,它也可以用于其它涂布目的,例如用于在这种AR涂层的顶部施涂选自由疏水涂层、疏油涂层和防尘涂层组成的组中的顶部涂层(TC)。
背景技术
所论述的本身已知的所谓涂布技术是物理气相沉积(PVD)过程,更确切地说是通过热蒸发的涂布过程。在热蒸发中,大部分沉积材料借助于热加热或电子轰击从固态转变成蒸气状态。然后将蒸发的材料输送到发生薄膜生长的基材。这种涂布技术的关键参数主要是蒸发颗粒的平均速度及其角分布。必须将基础压力保持在高真空范围内,以最小化蒸发颗粒与发生该过程的真空室中的残留气体之间的冲击事件的次数。高真空允许颗粒具有足够的“平均自由程”以使薄膜在基材水平上生长。高真空还确保,当蒸发的材料从蒸发器传送到被涂布的表面时,蒸发的材料不会(或仅在非常有限的程度上)与腔室中的气体发生化学反应。由于这些原因,在开始涂布之前,需要将腔室抽空至例如约3×10-3Pa。然而,真空室的抽空带来了下面解释的问题。
图12至图14以部分简化或示意性的方式示出之前已知的箱式涂布设备10、即可从本申请人瑞士的Satisloh股份公司获得的箱式涂布设备“1200DLX箱式涂布机”。这种箱式涂布设备10的基本结构和功能在可从本申请人获得的2006年第二版的手册“眼科镜片涂布的介绍(An Introduction To The Coating Of Ophthalmic Lenses)”中有描述,此处将对该手册进行明确参考。
因此,箱式涂布设备10基本上具有真空室12,真空室12包含蒸发源14和用于以已知方式保持多个基材(未示出)的基材支架16。基材支架16形成为面对于蒸发源14设置的圆顶,并且通过圆顶旋转驱动器18(在图14中省略)绕穿过蒸发源14的旋转轴线R旋转,使得由基材支架16保持在多个圆上的基材可以相对于蒸发源14以各自恒定的间隔围绕旋转轴线R在圆形路径上移动。
示出了作为位于真空室12中并且对薄膜沉积敏感的箱式涂布设备10的另外的工序设备的迈斯纳捕集器(Meissner trap)20和基材加热器22。迈斯纳捕集器20必不可少具有可以保持在低于-100℃的温度下或在室温下的线圈24(参见图14)。当真空室12被抽空至低于约10-2Pa的压力下,多达90%的大部分残留气体为水蒸气。自由水蒸气需要很长时间才能清除,并因此会导致较长的工艺周期。为了避免这种影响,水分子被冻结到捕集器表面,在整个过程中所述水分子保持在所述捕集器表面上。在完成涂布之后,水才被释放(蒸发)并被抽出。另一方面,在要用如MgF2之类的典型材料涂布的眼镜镜片中,通常设置基材加热器22。在这种情况下,基材必须被基材加热器加热到约300℃以便获得优异的涂布质量。然而,加热器也可以用于定期对涂布系统进行脱气。
用于在箱式涂布设备10中生成真空的另外的程序设备可以从图14中看到,并且在图14中总地用附图标记25(泵送布置)表示。根据图14(左侧),同样对薄膜沉积敏感的高真空阀机构26被安装在真空室12的腔室附属部28——也被称为箱式涂布设备10的“高真空阀区域”中,并且可以经由阀致动器30来操作、即打开和关闭。高效的罗茨泵32和旋转叶片泵34的组合通过粗抽(前真空)阀36连接到腔室附属部28。冷却挡板38和油扩散泵40被布置在高真空阀26的下面。为了防止来自扩散泵40的油蒸气通过打开的高真空阀26逸出到真空室12中,冷却挡板38被安装在油扩散泵40上方。另外,与旋转泵32、34直接连接的旁通阀42被定位在油扩散泵40的前真空侧。
当真空室12被泵送布置25抽空时,控制系统(未示出)以正确的顺序致动阀26、36和42,其中,操作次序基本上如下:当所有泵32、34、40和冷却挡板38准备好运行时,粗抽阀36被打开,且罗茨泵32和旋转叶片泵34组合将真空室12初始抽空至约5Pa。如果在这个步骤中油扩散泵40的前真空压力应该升高超过编程的限制,则关闭粗抽阀36,并且旁通阀42被打开,直到再次达到压力限制。然后恢复初始配置。当真空室12内的压力下降到5Pa时,至真空室12的粗抽阀36被关闭并且至油扩散泵40的旁通阀42被打开。之后不久高真空阀26被打开,然后通过油扩散泵40将真空室12抽空,直到达到该过程的初始压力(高真空)。在预编程的压力值下,迈斯纳捕集器20冷却装置被打开,以提高水蒸气的泵容量。气相沉积过程的最大初始压力通常为3×10-3Pa。在沉积过程之后,迈斯纳捕集器20再次被加热,高真空阀26被关闭,并且真空室12通过空气入口阀(未示出)下降到大气压。
为了防止蒸发的材料在敏感的过程设备、特别是高真空阀区域中的迈斯纳捕集器20和高真空阀机构26上的任何不期望的沉积,在真空室12中面对蒸发源14的位置处提供完全的和固定的防护罩44、46或掩模,以便在涂布过程期间屏蔽相应设备免受通过真空室12行进的蒸发颗粒的影响。出于说明的目的,与图12相比,在图13中省略了这些防护罩44、46。根据图12,迈斯纳捕集器20的防护罩44由在迈斯纳捕集器20前面形成连续壁的实心钢板构成,而高真空阀26的防护罩46被布置在腔室附属部28的入口处并且形成为具有固定薄板角度的薄板网格,使得各个薄板部分直接面向蒸发源14,如图14中最佳可见。类似地,基材加热器22的壳体48的部件屏蔽了其实际的加热元件(未示出)以防止蒸发材料的不期望的沉积。
尽管已知的防护罩44、46和壳体48安全地保护敏感部件免受不期望的污染和相关的故障的影响,但是它们也形成具有底切区域和卷绕气体或蒸气通路的真空室12的“粗糙的”内表面部分。然而,真空室12的这种“粗糙的”内表面部分需要一定的气体/蒸气流动阻力,使得真空室12“抽空”至上述过程真空可能非常耗时。自然地,期望的是,在眼镜镜片的批量生产中将这种非生产性子过程所需的时间减至最少。
此外,已知在真空气相沉积设备的真空室内布置百叶窗或掩模,其可以移入和移出在蒸发源与基材支架之间的蒸发路径。
在这方面,文献JP 2007-332433 A公开了一种包括两个蒸发源的真空气相沉积设备,其中,设置有用于选择性地覆盖一个蒸发源的围绕蒸发源之间的旋转轴线可枢转的百叶窗。在文献US 2006/0216161 A1中示出的另一已知布置中,真空气相沉积设备的真空室被壁分成第一室容积和第二室容积。分配给每个室容积的为相应的泵送单元和相应的蒸发源(材料来源)。该壁具有相对于分配给所述室容积之一的蒸发源与基材支架之间的蒸发路径居中的凹部。所述凹部可以通过由外部切换装置致动的切换掩模来紧密插入或清出。在JP 2007-332433 A和US 2006/0216161 A1两个已知的情况下,关闭的百叶窗/掩模用于在另一个蒸发源的操作期间防止一个蒸发源的污染。
此外,文献JP 2010-106289 A公开了一种真空气相沉积设备,其包括百叶窗,所述百叶窗可以被百叶窗驱动机构在遮挡蒸发源(坩埚)与由基材支架保持的基材之间的蒸发路径的屏蔽位置与清空蒸发路径的打开位置之间围绕旋转轴旋转。在这种情况下,所述百叶窗旨在防止在不稳定的蒸发条件下、例如在蒸发过程的一开始,在所述基材上沉积蒸发的材料,或者一旦蒸发稳定就允许蒸发的材料沉积在所述基材上,以便在所述基材上实现恒定高质量的膜形成。
最后,文件US 5,413,688、JP 10-251844 A,JP 61-64880 A和KR 10-2014-0081194示出了在用于真空气相沉积的腔室中的另外的百叶窗布置,其用于分别相对于蒸发源屏蔽视口、石英传感器、膜厚度监视器头和晶体传感器。
发明内容
发明目的
因此,本发明的目的在于,从上述并例如图12至图14所示的现有技术开始,创造一种用于真空涂布基材、尤其是眼镜镜片的箱式涂布设备,其被配置为用于增强真空程序,同时保持所述设备的敏感部件的高度保护以免受沉积过程的影响,使得所述箱式涂布设备特别适合于在眼镜镜片的大规模生产的框架内部署。
发明概述
该目的通过本发明的特征来实现。本发明的有利或便利的发展为本发明的优选实施方式。
根据本发明,在用于基材、特别是眼镜镜片的真空涂布的箱式涂布设备的情况下,所述箱式涂布设备包括真空室,所述真空室可以通过泵送布置排空并且包含用于蒸发涂布材料的蒸发源,其中,用于保持多个基材的基材支架面对于真空室中的蒸发源设置,使得被所述蒸发源蒸发的涂布材料能够撞击在由所述基材支架保持的基材上,并且其中,除了所述蒸发源和所述基材支架之外,提供至少一个另外的功能部件、即至少一个迈斯纳捕集器和/或高真空阀机构,在所述真空室中防护罩布置被分配至至少一个迈斯纳捕集器和/或高真空阀机构,该防护罩布置位于蒸发源与功能部件之间,以防止由所述蒸发源蒸发的涂布材料撞击在功能部件上—分配给迈斯纳捕集器和/或高真空阀机构的防护罩布置包括百叶窗部分,在所述百叶窗部分用于屏蔽功能部件(可选地与所述防护罩布置的其余部分一起)时,所述百叶窗部分可以选择性地从所述百叶窗部分覆盖通过所述防护罩布置的通道的关闭的屏蔽位置转移到所述百叶窗部分基本上清空所述通道以允许气体和蒸气基本上自由通过的打开的泵送位置,并且反之亦然。
在本文上下文中,术语“覆盖”和“清空”尤其不应理解为是对相对于蒸发源所论述的百叶窗部分和防护罩布置的其余部分的空间顺序的限制。尽管在大多数情况下优选的是,从蒸发源朝向相应的防护罩布置看去,将所述百叶窗部分布置在所述防护罩布置的其余部分的后面,因为与所述百叶窗部分相关联的任何致动机构均可以被屏蔽以防止蒸发的涂层材料的沉积,但是原则上所述百叶窗部分也可以位于如从所述蒸发源朝向所述防护罩布置所看到的防护罩布置的其余部分前面或者在通过所述防护罩布置的通道内。
换句话说,本发明的基本理念为,除了所述蒸发源和基材支架之外,覆盖或屏蔽所述箱式涂布设备的一个或多个功能部件,包括所述迈斯纳捕集器和/或高真空机构、即包含在所述箱式涂布设备的泵送系统中的对薄膜沉积敏感的功能部件,其具有可根据过程阶段打开或关闭的“智能掩模系统”。在抽空阶段期间,所述防护罩布置的百叶窗部分可以保持完全打开、即保持在具有用于气体和蒸气通过所述防护罩布置的基本上被清空的通路的打开的泵送位置,从而使朝向所述泵送布置的传输最大化,并因此也增加了所述泵送布置的速度。这有利于减少抽空时间并因此提高所述箱式涂布设备的生产率。否则,当沉积过程开始时,不需要具有较高的泵送速度值。在这种情况下,所述防护罩布置的百叶窗部分可以保持关闭、即保持在关闭的屏蔽位置,使得通过所述防护罩布置的通道被阻挡,并且所述防护罩布置后面的相应的敏感功能部件未被薄膜覆盖。这通过减少维护时间(不需要从沉积的薄膜清洁功能部件)并增加工作周期来再次提高所述箱式涂布设备的生产率。另一个益处涉及在一些沉积步骤期间减少注入的处理气体的消耗,这是因为通过关闭所述防护罩布置的百叶窗部分而获得的减小的传导性和泵送速度。
如前所述,所论述的功能部件形成一组功能部件的一部分,所述功能部件至少包括迈斯纳捕集器和高真空阀机构,但是也取决于所述箱式涂布设备的应用领域可选地还包括加热装置、真空计、沉积传感器装置和/或至真空室的操作者视口。然而,用这种“智能掩模系统”屏蔽的箱式涂布设备的两个主要功能部件均为迈斯纳捕集器和包括高真空阀机构的高真空阀区域。到目前为止,这两个功能组件已经借助于如前所述的完全和固定的掩模来保护。这当然有助于防止在两个敏感功能部件上的任何沉积,但这不是在抽空阶段期间使抽速最大化的优化解决方案。使用根据本发明的用于迈斯纳捕集器的防护罩布置的相关优点在于可以提高迈斯纳捕集器的效率这一事实,因为一旦穿过所分配的防护罩布置的通道被百叶窗部分清空,就增加了在给定的时间内水分子到达捕集器表面并被冻结在该表面上的可能性。基本上这也适用于高真空阀机构:由于在分配给高真空阀区域的防护罩布置中的被清空的通道,所以真空室中的自由分子更容易在给定的时间段内到达高真空阀机构。
尽管如此,如果还借助于如下的“智能掩模系统”进行保护,则除了迈斯纳捕集器和高真空阀区域之外,所述箱式涂布设备的其他功能部件也可以受益。用于加热真空室以用于真空泄漏测试等的加热装置、例如电阻顶部加热器可以在抽空阶段期间露出,并且然后可以在沉积期间利用根据本发明的另外的防护罩布置被掩模和保护。此外,除非在需要气体注入的过程步骤期间完全暴露,否则可以通过根据本发明的另外的防护罩布置来保护真空计。此外,在沉积传感器装置如石英微量天平头的情况下,根据本发明的另一防护罩布置的可移动的百叶窗部分可以在优化的定时下打开和关闭,以使传感器最小量地暴露于沉积物,同时以合适的频率采样沉积速率。此外,根据本发明的另一防护罩布置的可移动百叶窗部分可以保护操作者的视口免受沉积影响,并且当操作者需要查看真空室内部时可以被移除。
同样取决于待保护的功能部件,关于防护罩布置的更具体的设计(结构和功能),也可以设想几种可能性。在目前优选地用于迈斯纳捕集器的防护罩布置的第一替代方案中,所述防护罩布置还可以具有至少一个设有至少一个孔口的固定的防护罩元件,而所述百叶窗部分包括至少一个设有至少一个掩模区域的可移动的百叶窗元件,所述至少一个掩模区域的大小和几何形状适合于基本上覆盖所述防护罩元件中的孔口,其中,所述百叶窗元件可以相对于所述防护罩元件移动,以便用所述百叶窗部分的屏蔽位置中的所述百叶窗元件的掩模区域选择性地覆盖防护罩元件的孔口,或者由所述百叶窗部分的泵送位置中的所述百叶窗元件的掩模区域揭开防护罩元件的孔口,从而基本上清空通过所述孔口的通道。从所述蒸发源朝向相应功能部件例如迈斯纳捕集器看去,所述百叶窗元件可以布置在所述防护罩元件的前面或所述防护罩元件的后面,后者目前是优选的。这种具有互补元件的布置无论如何允许在两个位置、即最大开口面积或通道和最小开口面积或通道(所述防护罩元件与所述百叶窗元件之间的一些最小空间将总是在那里)之间切换。然而,移动致动还可以允许两个元件的中间相对定位,以便连续地调节传导/保护水平。
尽管可设想所述百叶窗元件相对于所述防护罩元件的旋转或枢转运动,但是在这种情况下,所述百叶窗部分的百叶窗元件优选地被布置为相对于所述防护罩布置的防护罩元件线性移动。例如,所述百叶窗元件可以被布置为朝向和远离所述防护罩元件线性地移动以覆盖或清空所述通道。
然而,关于最小安装空间要求,进一步优选的是,所述百叶窗部分的百叶窗元件被布置为与所述防护罩装置的防护罩元件平行移动。所述移动可以为所述百叶窗元件的向上/向下运动、横向运动或其任何倾斜运动,这也取决于可用的安装情况和空间。
在当前优选地用于具有高真空阀机构的高真空阀区域的防护罩布置的第二替代方案中,所述防护罩布置还可以具有设置有至少一个开口区域的至少一个固定的防护罩元件,而所述百叶窗部分包括位于所述开口区域内或开口区域附近(即前面或后面)并被布置成围绕相对于所述开口区域横向定向的枢转轴线枢转的至少一个板条元件,其中,所述板条元件具有宽面侧和窄边侧,并且能够围绕所述枢转轴线枢转到在所述百叶窗部分的屏蔽位置中其面侧基本上面对所述蒸发源的状态,或者枢转到在所述百叶窗部分的泵送位置中仅其边侧的表面积限制所述防护罩元件的开口区域的自由横截面以便基本上清空通过所述开口区域的通道的状态。此外,至少一个板条元件和防护罩元件的开口区域的大小和形状互补的这种薄板式布置无论如何允许在两个位置、即最大开口横截面或通道(通过固定防护罩元件的自由横截面减去板条元件的窄边侧的表面积)与最小开口横截面或通道(板条元件与防护罩元件之间的一些最小间隙将总是在那里)之间切换。然而,移动致动同样也可以允许两个元件的中间相对定位,以便根据需要调节传导/保护水平。
在防护罩布置的这种替代方案中,所述百叶窗部分可以包括位于开口区域中或邻近开口区域并且被布置成围绕平行延伸并相对于所述开口区域横向定向的枢转轴线枢转的至少两个板条元件。由此,所述百叶窗部分可以具有一组互补板条元件,以作为全部沿相同方向旋转(类似于百叶帘)的防护罩,或者具有一组互补板条元件,以作为沿不同方向旋转的防护罩,或者具有一组板条元件以作为一些固定和一些旋转的防护罩,其中,所有这些布置允许通过独立地或相互依赖地旋转所述板条元件来改变防护罩的构造、形状和总传导(从最大打开区域经过中间位置到最小打开区域)。
此外,就低复杂性和费用而言,优选的是,一组板条元件中的各板条元件通过连接件联接成能够同时且以相同的旋转方向围绕其各自的枢转轴线枢转。这也便于设定具有限定的横截面面积和主定向的通道。
此外,在根据第二替代方案的防护罩布置的一个优选实施例中,至少一个板条元件被弹簧元件偏压到仅其边缘侧的表面积限制所述百叶窗部分的泵送位置中的防护罩元件的打开区域的自由横截面的状态。因此,所述百叶窗部分的打开的泵送位置被设定为正常状态,使得所述百叶窗部分仅在相关的功能部件要防止蒸发的材料沉积的情况下才需要进行操作。当然,根据上述第一替代方案,可以为所述防护罩布置的至少一个可移动的百叶窗元件提供相应的弹簧偏压。
在所述防护罩布置的第三替代方案中,所述百叶窗部分可以为固体标记物,其可以在待保护的功能部件前面围绕竖直延伸轴线改变角位置。在所述防护罩布置的第四替代方案中,所述百叶窗部分可以类似于照相机(光学)机械快门。关于防护罩布置的所有这四种替代方案,应当指出的是,可移动的百叶窗部分不可能与所述防护罩布置的其余部分具有完全关闭的间隙。由于所论述的部件不一定采用既不是必要的也不是必需的密封措施(O形环或垫圈)相互闭合,所以将始终存在最小开口。
继续本发明的理念,可以规定,所述百叶窗部分或其至少一部分能够自动地从其关闭的屏蔽位置转移到其打开的泵送位置,并且反之亦然。与也可想到的手动操作相比,所述防护罩布置的自动操作有利地允许特别是在眼镜镜片的大批量生产中所期望的远程控制和预编程的例程。在这种情况下,所述百叶窗部分或其至少一部分可以可操作地连接到致动器,该致动器用于自动地将所述百叶窗部分或其一部分从其关闭的屏蔽位置转移到其打开的泵送位置,并且反之亦然。基本上,所述致动器可以为线性运动致动器或旋转运动致动器,这主要取决于所述防护罩布置的类型。
优选地,在所述致动器用于操作所述防护罩布置的百叶窗部分的情况下,所述致动器可以位于真空室的外部。与内部真空致动器(例如原则上可设想的直接连接的内部真空马达)相比,外部真空布置不仅使得致动器容易维修,而且对于真空室内的真空污染的低风险也是有利的,并因此有助于减少抽空时间。在这种情况下,取决于所使用的致动器的类型,所述致动器可以经由线性运动型或旋转运动型的空气-真空馈通装置可操作地连接到所述百叶窗部分或其至少一部分。
如果需要或者期望精细地控制所述百叶窗部分相对于所述防护罩布置的其余部分的相对位置,例如为了设定任何中间位置或者影响打开/关闭速度,步进电机可以用作所述致动器。然而,特别是在外部真空致动器的情况下,所述致动器优选地包括用于选择性地从百叶窗部分的关闭的屏蔽位置切换到所述打开的泵送位置并且反之亦然(仅在两个位置)的气动致动的活塞-气缸布置,这在经济上是可用的。
最后,再次考虑到低复杂性和费用,优选地,该布置可以使得所述致动器可操作地连接到上述连接件,以便通过同一个致动器同时枢转所述板条元件。一般而言,这种理念可以视情况而定用于两个或更多个百叶窗或板条元件同时以相同的线性方向或旋转方向移动的情况。
附图说明
下面通过参考所附部分简化视图或示意图,通过用于诸如眼镜镜片之类的基材的真空涂布的箱式涂布设备的优选实施例来更详细地解释本发明。为了简化说明,除了所述箱式涂布设备的包层和门的部件之外,特别是带有百叶窗的电子束枪、操作单元和控制系统(电气柜)、屏幕、处理装置以及用于基材和消耗品的存放处、一些用于电流(变压器)、压缩空气、真空(高真空泵组)和冷却水(水温调节器、冷水机组)的供应和调节装置-包括管路、软管和管道以及测量、维护安全装置的大部分部件在附图中省略了,因为在每种情况下,理解本发明并不需要它们。对于本领域的技术人员来说,这些被省略的部件、组件和装置在结构和功能上无论如何均是已知的。在附图中:
图1从上方和左前方倾斜地示出根据本发明的特别是用于眼镜镜片的真空涂布的箱式涂布设备的立体图,并且具有在分配给基材支架后面的高真空阀机构的第一防护罩布置和分配给迈斯纳捕集器的第二防护罩布置的视图,其中,为了简化附图,省略了如前所述先前已知的具有高真空阀机构和相关联的阀致动器(参见图14)的泵送布置;
图2从上方和右前方倾斜地以放大比例示出根据图1的箱式涂布设备的沿着横向延伸且接近第一防护罩布置的平面断开的切开的立体图,其中,第一防护罩布置的百叶窗部分具有成对布置并位于相关联的固定防护罩元件的相应开口区域中的多个板条元件,其中,通过图2顶部所示的分别相关的致动器,左侧板条元件被枢转到打开的泵送位置,而右侧板条元件枢转到关闭的屏蔽位置;
图3示出根据图1的箱式涂布设备的正视图,其中,基材支架和用于高真空阀机构的阀致动器被省略,以更好地看到第一防护罩布置,其中,第一防护罩布置和第二防护罩布置的相应百叶窗部分被视出在打开的泵送位置中,该位置基本上清空通过所述防护罩布置的通道以允许气体和蒸气基本上自由地通过;
图4以放大比例示出根据图1的箱式涂布设备的对应于图3中的截面线IV-IV的剖视图,其中,第一防护罩布置的百叶窗部分的板条元件被枢转到打开的泵送位置;
图5以放大比例示出根据图1的箱式涂布设备的对应于图4所示的截面的剖视图,其中,第一防护罩布置的百叶窗部分的板条元件被枢转到关闭的屏蔽位置;
图6示出根据图1的箱式涂布设备的对应于图3中的截面线VI-VI的剖视图,以便从顶部进一步示出第二防护罩布置;
图7示出根据图1的箱式涂布设备的对应于图6中的截面线VII-VII的剖视图,其中,第二防护罩布置的百叶窗部分的可移动的百叶窗元件位于打开的泵送位置,在所述打开的泵送位置中,第二防护罩布置的相关联的固定防护罩元件中的孔口保持未被所述百叶窗元件覆盖;
图8示出根据图1的箱式涂布设备的对应于图7中所示的截面的剖视图,然而,如图7所示,仅右侧的百叶窗元件位于打开的泵送位置中,而左侧的百叶窗元件位于关闭的屏蔽位置中,在所述关闭的屏蔽位置中,在相关联的固定的防护罩元件中的孔口被所述百叶窗元件的互补掩模区域从后面覆盖;
图9从上方和右前方倾斜地并且以放大比例示出与根据图1的箱式涂布设备的第二防护罩布置的分配致动器隔开的一个百叶窗元件的立体图;
图10从图9左侧示出图9中所示的百叶窗元件和致动器组合的侧视图;
图11以放大比例示出图9中所示的与图10中的截面线XI-XI相对应的百叶窗元件和致动器组合的剖视图;
图12从上方和左前方倾斜地示出已知的箱式涂布设备的立体图,其中,迈斯纳捕集器和容纳高真空阀机构的部件的真空室的腔室附属部各自被完整且固定的防护罩保护以免受蒸发的材料沉积影响;
图13从上方和左前方倾斜地示出根据图12的已知箱式涂布设备的立体图,其中,出于说明的目的,与图12相比,省略了分配给迈斯纳捕集器的固定防护罩和分配给高真空阀机构的固定防护罩;以及
图14示出根据图12的已知箱式涂布设备的纵向剖视图,其中,具体地,在图14的左侧示意性地示出用于排空箱式涂布设备的真空室的已知泵送布置的示例。
具体实施方式
在图1至图8中,用10表示用于基材(图中未示出)、尤其是眼镜镜片的真空涂布的箱式涂布设备。如前所述,这种箱式涂布设备10通常具有真空室12,该真空室12可以以本身已知的方式(参见图14的25)通过泵送布置排空。真空室12包含用于蒸发涂布材料的蒸发源14。用于保持多个基材的基材支架16相对于真空室12中的蒸发源14面对面地设置,使得由蒸发源14蒸发的涂布材料能够撞击在由基材支架16保持的基材上。
除了蒸发源14和基材支架16之外,各种功能部件被设置在真空室12中或其附近。这些功能部件至少包括迈斯纳捕集器20和高真空阀机构26(参见图3和14)。示出作为另外的功能部件的加热装置22(石英灯加热系统)。未在附图中示出的另外的功能部件以本身已知的方式包括真空计、沉积传感器装置、至真空室12的操作者视口等。
在所示的实施例中,第一防护罩布置50被分配给高真空阀机构26并在真空室12的腔室附属部28处位于蒸发源14与高真空阀机构26之间,而第二防护罩布置52与迈斯纳捕集器20相关联并被布置在蒸发源14与迈斯纳捕集器20之间。当从蒸发源14观察时,其相应位置在相应的功能部件20、26前面,防护罩布置50、52首先用于防止由蒸发源14蒸发的涂布材料撞击在相应的功能部件20、26上。
此外,如下面将更详细解释的,每个防护罩布置50、52包括百叶窗部分54、56,百叶窗部分54、56可以选择性地从a)关闭的屏蔽位置转移到b)打开的泵送位置,并且反之亦然,在a)关闭的屏蔽位置中,百叶窗部分54、56覆盖通过相应的防护罩布置50、52的通道58、60,使得百叶窗部分54、56用于将相关的功能部件20、26连同相应的防护罩布置50、52的其余部分一起屏蔽,在b)打开的泵送位置中,百叶窗部分54、56基本上清空通道58、60以允许气体和蒸气基本上自由通过,从而显著减少在实际沉积过程之前抽空真空室12所需的时间。
下面将参考图2至图5论述高真空阀机构26的第一防护罩布置50的相关细节,而将参考图6至9描述用于迈斯纳捕集器20的第二防护罩布置52的相应细节。在这两种示例性情况下,百叶窗部分54、56,即其部件可以自动地(与手动地相对)从关闭的屏蔽位置转移到打开的泵送位置,并且反之亦然。更确切地说,在两个示例性的情况下,致动器62被提供并且可操作地连接到百叶窗部分54、56的部件,所述致动器62用于将百叶窗部分54、56的相关部件从关闭的屏蔽位置自动转移到打开的泵送位置,并且反之亦然。这些致动器62的结构和功能在所示的示例中对于第一防护罩布置50和第二防护罩布置52基本相同,稍后将参考图10和图11以第二防护罩布置52为例对这些致动器62进行解释。此时应该注意,在所示的示例中,所有的致动器62均位于真空室12的外部(参见图1)。此外,示例性的致动器62毫无例外地经由相应的空气-真空馈通装置64(其也将被描述)可操作地连接到相关的百叶窗部分54、56。
如在图2和图3中可以最好地看到的,第一防护罩布置50还具有三个由适当地焊接和螺纹连接在一起的金属片部件构成的固定的防护罩元件66、68、70。防护罩元件66、68、70中的每个防护罩元件设有开口区域72、74、76。在中间防护罩元件68的开口区域74中,两个保护板78被固定地安装以形成一种具有固定薄板角度的薄板网格,使得相应的保护板78基本面对蒸发源14。从前面观察,格栅80被安装在防护罩元件66、68、70之后,其在宽度和高度上延伸跨过防护罩元件66、68、70。
此外,特别是根据图2,在所示的示例中,第一防护罩布置50的百叶窗部分54总共具有四个板条元件82,这四个板条元件82位于外部两个防护罩元件66、70的开口区域72、76中。板条元件82由平板材料制成,并且各具有大致矩形的形状。此外,板条元件82各自被布置为围绕相对于相应开口区域72、76横向定向的相关枢转轴线84枢转。更确切地说,从图2、4和5可以清楚地看出,在所示的示例中,两个板条元件82位于每个开口区域72、76中并且被布置成围绕彼此平行延伸的枢转轴线84并且相对于相应的开口区域72、76横向定向枢转。在每个板条元件82的两个横向侧部上设置适当设计的支承点86(在附图中未详细示出)。
如从图2、4和5可以进一步得出的,每个板条元件82具有宽面侧88和窄边侧90并且可以围绕相应的枢转轴线84:a)枢转到面侧88基本上面对百叶窗部分54的屏蔽位置中的蒸发源14的状态(参见图5以及图2中的右侧的板条元件82),或者b)枢转到仅边侧90的表面积限制百叶窗部分54的泵送位置中的相关防护罩元件66、70的相应开口区域72、76的自由横截面的状态,从而通过相应的开口区域72、76基本上清空通道58(参见图4和图2中的左侧的板条元件82)。
而且,在所示的示例中,成对布置的板条元件82通过连接件92联接,以便能够同时且以相同的旋转方向围绕它们相应的枢转轴线84枢转。根据图4和5,每个连接件92具有两个轴向间隔开的连接臂94,连接臂94延伸穿过格栅80以适当地连结到附接到相应板条元件82的分配托架96。每对板条元件82的上部板条元件82被弹簧元件98偏压到仅其边侧90的表面面积限制百叶窗部分54的泵送位置中的相关的防护罩元件66、70的相应开口区域72、76的自由横截面的状态。在所示的实施例中,弹簧元件98呈螺旋拉伸弹簧的形式,其上端经由U形螺栓100固定到相应的防护罩元件66、70,并且下端适当地连结到相关的上部板条元件82的托架96。
形成为钣金部件的连接件92还具有限定相关联的致动器62的接触表面102的弯曲上部部分(参见图2)。更确切地说,致动器62具有形成为一个或多个部件的连接轴104,该连接轴104通过空气-真空馈通装置64滑动地伸入腔室附属部28中。连接轴104的自由端承载可旋转地安装辊元件108的安装托架106。辊元件108抵靠在连接件92的接触表面102上。
从图4和图5可以清楚地看出,通过将致动器62的连接轴104沿着图4所示的双箭头滑动地延伸到腔室附属部28中,连接件92经由辊元件108向下按压以抵御弹簧元件98的偏置力。当经由托架96联接到连接件92的板条元件82接着围绕它们相应的枢转轴线84枢转时,连接件92向图4中的左侧移位直到达到图5所示的位置。在此期间,辊元件108在连接件92的接触表面102上滚动。一旦致动器62的连接轴104沿着图5所示的双箭头从图5所示的位置缩回以便将板条元件82枢转回到图4所示的位置,由于弹簧元件98的偏置力,接触表面102被推压在辊元件108上的连接件92跟随连接轴104。在此期间,连接件92向图5中的右侧移位直到再次到达图4所示的位置,而辊元件108在连接件92的接触表面102上往回滚动。
因此,致动器62可操作地连接到连接件92,以便通过同一个致动器62同时枢转相关的板条元件82。如从图2变得更清楚,成对的板条元件82可以彼此独立地操作,这是因为每对板条元件82具有其自己的致动器62。例如,该特征可用于在抽空阶段的最初阶段在真空室12中生成具有限定扭转的流动,以加速排空。
现在转到图6至9,在所示的示例中,分配给迈斯纳捕集器20的第二防护罩布置52具有三个不同大小的固定防护罩元件110、112、114,它们各自形成为大致平坦的矩形钣金部件。如在图6中可以最好地看到的,防护罩元件110、112、114以基本上跟随迈斯纳捕集器20的C形曲率的成角度构造布置。每个防护罩元件110、112、114设置有四个彼此平行布置的狭缝状孔口116,每个狭缝状孔口116在相应的防护罩元件110、112、114的宽度方向上延伸。
此外,在所示的实施例中,第二防护罩布置52的百叶窗部分56包括三个可移动的百叶窗元件118、120、122,百叶窗元件118、120、122分别被分配给防护罩元件110、112、114并被布置在防护罩元件110、112、114与迈斯纳捕集器20之间。对应于所分配的防护罩元件110、112、114中的孔口116的数量(在所示示例中为四个孔口),每个百叶窗元件118、120、122设置有掩模区域124,掩模区域124的大小和几何形状适于基本上覆盖相应的防护罩元件110、112、114中的相关孔口116。这在图7和图8中可以看得最清楚。具体地,根据图9,掩模区域124(在这种情况下为四个)可以由适当地安装在每个百叶窗元件118、120、122的单独的框架126中的金属条构成。
以中间防护罩元件112和相关联的百叶窗元件120为例,图7和图8还示出:分配给相应防护罩元件110、112、114的百叶窗元件118、120、122可以借助于相关的致动器62相对于相应防护罩元件110、112、114移动,以便选择性地:a)利用第二防护罩布置52的百叶窗部分56的屏蔽位置中的所分配百叶窗元件118、120、122的掩模区域124覆盖相应防护罩元件110、112、114中的孔口116(参见图8;致动器62的连接轴104缩回),或者b)通过第二防护罩布置52的百叶窗部分56的泵送位置中的所分配的百叶窗元件118、120、122的掩模区域124露出相应的防护罩元件110、112、114的孔口116(参见图7;致动器62的连接轴104延伸),以便基本上清空通过孔口116的通道60。在这种情况下(如图7和8中的双箭头所示的百叶窗元件的上下移动),重力有助于将百叶窗部分56的屏蔽位置设定为初始状态,一旦致动器62的致动已经停止,百叶窗元件118、120、122就返回该初始状态。
具体地,从图7和图8可以明显看出,百叶窗部分56的百叶窗元件118、120、122被布置成相对于相关的防护罩元件110、112、114线性地移动并且与其平行。做出以下合适的设置(在附图中没有详细说明),即当线性移动时,百叶窗元件118、120、122不能围绕相关致动器62的轴向移动轴线旋转。
可以从图9至图11中获得在箱式涂布设备10的整个实施例中使用的致动器62和空气-真空馈通装置64的更多细节,其中,图11示出处于安装到真空室12的壁128的状态的致动器62和空气-真空馈通装置64。
根据图11,真空室12的壁128设置有通孔(贯通钻孔)130,金属套管132通过焊接(焊道134)固定且密封地安装在该通孔130中。套管132具有设置有轴环136的外端,轴环136用于借助于夹具140和O形环142经由其上轴环139将转接板138密封地夹持到套管132上。具有位于其下端处的增大的对置支承部分145的衬套144通过转接板138紧密地容纳在阶梯钻孔146中,并且上端延伸穿过套管132,其中,衬套144被护圈148固定到套管132和转接板138上。衬套144本身设置有用于容纳滑动轴套152的阶梯钻孔150,滑动轴套152通过另一护圈154固定在衬套144的阶梯钻孔150中并用于以滑动轴承的方式引导致动器62的连接轴104。
具体地,如图9和图10所示,转接板138从上方看大体上具有矩形形状并且形成安装布置的一部分,该安装布置还包括栓接到转接板138的U形托架156。U形托架156的基体部分158用于安装凸缘板160,凸缘板160被设置用于致动器62的气动致动活塞气缸布置162的凸缘安装。
根据图11,活塞气缸布置162具有活塞164,活塞164滑动地布置在活塞气缸布置162的气缸壳体167的气缸室166中。加压空气可以经由设置在气缸壳体167中的加压空气连接件168、170被引入到气缸室166中。因此,取决于连接轴104的期望的运动方向,活塞164可以从图11中的下方或从上方被气动地作用。
为了将活塞164的压差引起的运动传递给致动器62的连接轴104,将活塞杆172附接到活塞164,活塞杆172延伸穿过气缸壳体167中的相关钻孔以及U形托架156的凸缘板160和基体部分158,以经由螺纹连接与连接轴104连接。更确切地说,活塞杆172的自由端设有带螺纹的端部部分174,该带螺纹的端部部分174被拧入连接轴104的面侧处的螺纹孔175中,并通过螺母176和锁紧螺母177固定就位。
此外,提供了金属波纹管178,其具有两个具有大致U形的横截面的端环部分179、180,端环部分179、180密封地附接到其间的波纹管节段182。从图11中可以看出,连接轴104在其下端附近设有轴环184,该轴环184用来借助于夹具185和O形环186将金属波纹管178的下端环部分180密封地夹紧在连接轴104上。金属波纹管178的上端环部分179借助于另一个夹具189和O形环190密封地夹紧在转接板138的下轴环188上。
最后,如上所述,致动器62的活塞气缸布置162可经由加压空气连接168、170被气动加载,以经由活塞164和活塞杆172提升或降低连接轴104。由此,取决于致动器62的安装定向,相关的百叶窗部分54、56可以选择性地从关闭的屏蔽位置切换到打开的泵送位置,并且反之亦然。如此一来,真空室12内的任何真空将呈现为下降到或上升到连接轴104的轴环184,具体情况可能取决于致动器62的安装定向,但是由于带有金属波纹管178的空气-真空馈通装置64,真空不会逸出。
用于涂布基材的箱式涂布设备包括含有蒸发源的真空室。基材支架相对于蒸发源面对面设置,使得蒸发的材料可撞击在由基材支架保持的基材上。除了蒸发源和基材支架之外,还设置至少一个另外的功能部件,即迈斯纳捕集器和/或高真空阀机构,防护罩布置被分配为用于防止蒸发材料撞击在所述部件上。这个防护罩布置具有百叶窗部分,该百叶窗部分可以从覆盖通过防护罩布置的通道并且用于屏蔽所述部件的关闭的屏蔽位置转移到基本上清空通道以允许气体和蒸气基本上自由通过的打开的泵送位置,并且反之亦然。
附图标记列表
10 箱式涂布设备
12 真空室
14 蒸发源
16 基材支架
18 圆顶旋转驱动器
20 迈斯纳捕集器
22 基材加热器/加热装置
24 线圈
25 泵送布置
26 高真空阀机构
28 腔室附属部
30 阀致动器
32 罗茨泵
34 旋转叶片泵
36 粗抽阀
38 冷却挡板
40 油扩散泵
42 旁通阀
44 防护罩
46 防护罩
48 壳体
50 第一防护罩布置
52 第二防护罩布置
54 百叶窗部分
56 百叶窗部分
58 通道
60 通道
62 致动器
64 空气-真空馈通装置
66 防护罩元件
68 防护罩元件
70 防护罩元件
72 开口区域
74 开口区域
76 开口区域
78 保护板
80 格栅
82 板条元件
84 枢转轴线
86 支承点
88 面侧
90 边侧
92 连接件
94 连接臂
96 托架
98 弹簧元件
100 U形螺栓
102 接触表面
104 连接轴
106 安装托架
108 辊元件
110 防护罩元件
112 防护罩元件
114 防护罩元件
116 孔口
118 百叶窗元件
120 百叶窗元件
122 百叶窗元件
124 掩模区域
126 框架
128 壁
130 通孔
132 套管
134 焊道
136 轴环
138 转接板
139 轴环
140 夹紧装置
142 O形环
144 衬套
145 相对支承部分
146 阶梯钻孔
148 护圈
150 阶梯钻孔
152 滑动轴套
154 护圈
156 U形托架
158 基体部分
160 凸缘板
162 活塞气缸布置
164 活塞
166 气缸室
167 气缸壳体
168 加压空气连接
170 加压空气连接
172 活塞杆
174 螺纹端部
175 螺纹孔
176 螺母
177 锁紧螺母
178 金属波纹管
179 端环部分
180 端环部分
182 波纹管节段
184 轴环
185 夹紧装置
186 O形环
188 轴环
189 夹紧装置
190 O形环
R 旋转轴线

Claims (18)

1.一种用于基材的真空涂布的箱式涂布设备(10),所述箱式涂布设备(10)包括真空室(12),所述真空室(12)能通过泵送布置(25)排空并且包含用于蒸发涂布材料的蒸发源(14)、用于保持多个基材的基材支架(16),所述基材支架在所述真空室(12)中相对于所述蒸发源(14)面对面设置,使得被所述蒸发源(14)蒸发的涂布材料能够撞击在由所述基材支架(16)保持的基材上,其中,除了所述蒸发源(14)和所述基材支架(16)之外,提供了至少一个另外的功能部件(20、26)、即至少一个迈斯纳捕集器(20)和/或高真空阀机构(26),在所述真空室(12)中,所述至少一个另外的功能部件(20、26)分配有防护罩布置(50、52),所述防护罩布置(50、52)位于所述蒸发源(14)与所述功能部件(20、26)之间,从而防止由所述蒸发源(14)蒸发的涂布材料撞击在所述功能部件(20、26)上,其特征在于,分配给所述迈斯纳捕集器(20)和/或所述高真空阀机构(26)的所述防护罩布置(50、52)包括百叶窗部分(54、56),所述百叶窗部分(54、56)能选择性地从关闭的屏蔽位置转移至打开的泵送位置,并且反之亦然,在所述关闭的屏蔽位置中,所述百叶窗部分(54、56)覆盖通过所述防护罩布置(50、52)的通道(58、60),同时所述百叶窗部分(54、56)用于屏蔽所述功能部件(20、26),在所述打开的泵送位置中,所述百叶窗部分(54、56)清空所述通道(58、60),以允许气体和蒸气自由地通过。
2.根据权利要求1所述的箱式涂布设备(10),其特征在于,所述基材是眼镜镜片。
3.根据权利要求1所述的箱式涂布设备(10),其特征在于,所述百叶窗部分(54、56)用于与所述防护罩布置(50、52)的其余部分一起屏蔽所述功能部件(20、26)。
4.根据权利要求1所述的箱式涂布设备(10),其特征在于,所述防护罩布置(52)还具有设置有至少一个孔口(116)的至少一个固定的防护罩元件(110、112、114),而所述百叶窗部分(56)包括设置有至少一个掩模区域(124)的至少一个可移动百叶窗元件(118、120、122),所述至少一个掩模区域(124)适于在大小和几何结构上覆盖所述防护罩元件(110、112、114)中的所述孔口(116),其中,所述百叶窗元件(118、120、122)能够相对于所述防护罩元件(110、112、114)移动,以便用所述百叶窗部分(56)的屏蔽位置中的所述百叶窗元件(118、120、122)的所述掩模区域(124)选择性地覆盖所述防护罩元件(110、112、114)的所述孔口(116),或者通过处于所述百叶窗部分(56)的所述泵送位置中的所述百叶窗元件(118、120、122)的所述掩模区域(124)揭开所述防护罩元件(110、112、114)的所述孔口(116),以便清空通过所述孔口(116)的所述通道(60)。
5.根据权利要求4所述的箱式涂布设备(10),其特征在于,所述百叶窗部分(56)的所述百叶窗元件(118、120、122)被布置成相对于所述防护罩布置(52)的所述防护罩元件(110、112、114)线性移动。
6.根据权利要求4所述的箱式涂布设备(10),其特征在于,所述百叶窗部分(56)的所述百叶窗元件(118、120、122)被布置成平行于所述防护罩布置(52)的所述防护罩元件(110、112、114)移动。
7.根据权利要求5所述的箱式涂布设备(10),其特征在于,所述百叶窗部分(56)的所述百叶窗元件(118、120、122)被布置成平行于所述防护罩布置(52)的所述防护罩元件(110、112、114)移动。
8.根据权利要求1所述的箱式涂布设备(10),其特征在于,所述防护罩布置(50)还具有设置有至少一个开口区域(72、76)的至少一个固定防护罩元件(66、70),而所述百叶窗部分(54)包括至少一个板条元件(82),所述板条元件(82)位于所述开口区域(72、76)内或者与所述开口区域(72、76)相邻并且被布置成围绕相对于所述开口区域(72、76)横向定向的枢转轴线(84)枢转,其中,所述板条元件(82)具有面侧(88)和边侧(90)并且能够围绕所述枢转轴线(84)枢转到其面侧(88)在所述百叶窗部分(54)的屏蔽位置中面向所述蒸发源(14)的状态,或者枢转到仅其边侧(90)的表面积限制所述百叶窗部分(54)的所述泵送位置中的所述防护罩元件(66、70)的所述开口区域(72、76)的自由横截面的状态,以便清空通过所述开口区域(72、76)的所述通道(58)。
9.根据权利要求8所述的箱式涂布设备(10),其特征在于,所述百叶窗部分(54)包括位于所述开口区域(72、76)内或邻近所述开口区域(72、76)并被布置成围绕彼此平行延伸并相对于所述开口区域(72、76)横向定向的枢转轴线(84)枢转的至少两个板条元件(82)。
10.根据权利要求9所述的箱式涂布设备(10),其特征在于,所述板条元件(82)通过连接件(92)被联接成能够同时并以相同旋转方向绕其相应的枢转轴线(84)枢转。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的箱式涂布设备(10),其特征在于,所述至少一个板条元件(82)被弹簧元件(98)偏压到仅其边侧(90)的表面积限制所述百叶窗部分(54)的所述泵送位置中所述防护罩元件(66、70)的所述开口区域(72、76)的自由横截面的状态。
12.根据权利要求1至10中任一项所述的箱式涂布设备(10),其特征在于,所述百叶窗部分(54、56)或所述百叶窗部分(54、56)的至少一部分能够自动地从其关闭的屏蔽位置转移到其打开的泵送位置,并且反之亦然。
13.根据权利要求11所述的箱式涂布设备(10),其特征在于,所述百叶窗部分(54、56)或所述百叶窗部分(54、56)的至少一部分能够自动地从其关闭的屏蔽位置转移到其打开的泵送位置,并且反之亦然。
14.根据权利要求12所述的箱式涂布设备(10),其特征在于,所述百叶窗部分(54、56)或所述百叶窗部分(54、56)的所述至少一部分与致动器(62)可操作地连接,所述致动器(62)用于将所述百叶窗部分(54、56)或所述百叶窗部分(54、56)的所述至少一部分从其关闭的屏蔽位置转移到其打开的泵送位置,并且反之亦然。
15.根据权利要求14所述的箱式涂布设备(10),其特征在于,所述致动器(62)位于所述真空室(12)的外部。
16.根据权利要求15所述的箱式涂布设备(10),其特征在于,所述致动器(62)经由空气-真空馈通装置(64)可操作地连接到所述百叶窗部分(54、56)或所述百叶窗部分(54、56)的所述至少一部分。
17.根据权利要求14至16中任一项所述的箱式涂布设备(10),其特征在于,所述致动器(62)包括气动致动的活塞-气缸布置(162),所述活塞-气缸布置(162)用于选择性地从所述百叶窗部分(54、56)的所述关闭的屏蔽位置切换到所述打开的泵送位置,并且反之亦然。
18.根据权利要求10所述的箱式涂布设备(10),其特征在于,所述百叶窗部分(54、56)或所述百叶窗部分(54、56)的至少一部分与致动器(62)可操作地连接,所述致动器(62)用于将所述百叶窗部分(54、56)或所述百叶窗部分(54、56)的所述至少一部分从其关闭的屏蔽位置转移到其打开的泵送位置,并且反之亦然,其中,所述致动器(62)可操作地连接到所述连接件(92),以便由一个相同的致动器(62)同时枢转各所述板条元件(82)。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110184569B (zh) * 2019-07-03 2024-04-02 江苏万新光学有限公司 一种带可调节电子枪挡板的镀膜机
CN110512177B (zh) * 2019-10-11 2021-10-12 泉州台商投资区集瑞科技有限公司 一种车灯芯反光镜蒸汽镀膜装置
EP4112769A1 (en) 2021-06-30 2023-01-04 Satisloh AG Holder for holding a substrate, in particular a spectacle lens, during vacuum coating thereof in a box coating apparatus and device for loading/unloading the substrate into/from such holder

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5413688A (en) * 1994-02-08 1995-05-09 Viratec Thin Films, Inc. Shutter apparatus for a coating chamber viewport
JPH07133192A (ja) * 1993-11-04 1995-05-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 成膜装置および成膜方法
JPH09228032A (ja) * 1996-02-20 1997-09-02 Idemitsu Kosan Co Ltd 真空蒸着装置およびその真空蒸着装置を用いた真空蒸着方法
JPH10183329A (ja) * 1996-12-20 1998-07-14 Shibaura Eng Works Co Ltd 真空処理用バルブ装置
JPH10251844A (ja) * 1997-03-12 1998-09-22 Toray Ind Inc 薄膜付き基材の製造方法および製造装置ならびに薄膜付き基材
JP2001115260A (ja) * 1999-10-14 2001-04-24 Hoya Corp 薄膜形成方法及び装置
CN101925688A (zh) * 2007-12-21 2010-12-22 工业等离子体服务与技术Ipst有限公司 用于控制真空蒸发中蒸汽流的方法和装置
CN104947061A (zh) * 2008-08-25 2015-09-30 应用材料公司 具有可移动屏蔽件的涂布室

Family Cites Families (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3570449A (en) * 1969-03-13 1971-03-16 United Aircraft Corp Sensor system for a vacuum deposition apparatus
US3962988A (en) * 1973-03-05 1976-06-15 Yoichi Murayama, Nippon Electric Varian Ltd. Ion-plating apparatus having an h.f. electrode for providing an h.f. glow discharge region
US4217855A (en) * 1974-10-23 1980-08-19 Futaba Denshi Kogyo K.K. Vaporized-metal cluster ion source and ionized-cluster beam deposition device
US3926147A (en) * 1974-11-15 1975-12-16 Mc Donnell Douglas Corp Glow discharge-tumbling vapor deposition apparatus
US4310614A (en) * 1979-03-19 1982-01-12 Xerox Corporation Method and apparatus for pretreating and depositing thin films on substrates
US4269137A (en) * 1979-03-19 1981-05-26 Xerox Corporation Pretreatment of substrates prior to thin film deposition
DE3276333D1 (en) * 1982-10-28 1987-06-19 Ibm Method and apparatus for vacuum evaporation coating using an electron gun
JPS6164880A (ja) * 1984-09-06 1986-04-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 真空蒸着装置
US4791261A (en) * 1987-09-23 1988-12-13 International Business Machines Corporation Crucible for evaporation of metallic film
US4876114A (en) * 1987-09-23 1989-10-24 International Business Machines Corporation Process for the self fractionation deposition of a metallic layer on a workpiece
US5133849A (en) * 1988-12-12 1992-07-28 Ricoh Company, Ltd. Thin film forming apparatus
US4951604A (en) * 1989-02-17 1990-08-28 Optical Coating Laboratory, Inc. System and method for vacuum deposition of thin films
GB2234988B (en) * 1989-08-16 1993-12-08 Qpl Limited Improvements in vacuum deposition machines
DE4026367A1 (de) * 1990-06-25 1992-03-12 Leybold Ag Vorrichtung zum beschichten von substraten
JP3190386B2 (ja) * 1991-10-25 2001-07-23 松下電器産業株式会社 真空製膜装置
JP3073327B2 (ja) * 1992-06-30 2000-08-07 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法
JP3768547B2 (ja) * 1993-12-17 2006-04-19 キヤノン株式会社 両面成膜方法
JPH0831741A (ja) * 1994-07-12 1996-02-02 Sumitomo Electric Ind Ltd Kセル型蒸着源
DE19544584A1 (de) * 1995-11-30 1997-06-05 Leybold Ag Vakuumbeschichtungsanlage mit einem in der Vakuumkammer angeordneten Tiegel zur Aufnahme von zu verdampfendem Material
MY143286A (en) * 1996-05-21 2011-04-15 Panasonic Corp Thin film, method and apparatus for forming the same, and electronic component incorporating the same
KR19990047679A (ko) * 1997-12-05 1999-07-05 박호군 이온 빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치
EP0962260B1 (en) * 1998-05-28 2005-01-05 Ulvac, Inc. Material evaporation system
US6275649B1 (en) * 1998-06-01 2001-08-14 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Evaporation apparatus
US6202591B1 (en) * 1998-11-12 2001-03-20 Flex Products, Inc. Linear aperture deposition apparatus and coating process
US6830663B2 (en) * 1999-01-26 2004-12-14 Symyx Technologies, Inc. Method for creating radial profiles on a substrate
WO2001011108A1 (en) * 1999-08-04 2001-02-15 General Electric Company Electron beam physical vapor deposition apparatus and method
US6946034B1 (en) * 1999-08-04 2005-09-20 General Electric Company Electron beam physical vapor deposition apparatus
ATE291240T1 (de) * 1999-10-14 2005-04-15 Hoya Corp Gerät und verfahren zur bildung dünner schichten
US20010005553A1 (en) * 1999-11-10 2001-06-28 Witzman Matthew R. Linear aperture deposition apparatus and coating process
US6669824B2 (en) * 2000-07-10 2003-12-30 Unaxis Usa, Inc. Dual-scan thin film processing system
US6495010B2 (en) * 2000-07-10 2002-12-17 Unaxis Usa, Inc. Differentially-pumped material processing system
ITRM20010060A1 (it) * 2001-02-06 2001-05-07 Carlo Misiano Perfezionamento di un metodo e apparato per la deposizione di film sottili, soprattutto in condizioni reattive.
US6649208B2 (en) * 2001-04-17 2003-11-18 Wayne E. Rodgers Apparatus and method for thin film deposition onto substrates
US6513451B2 (en) * 2001-04-20 2003-02-04 Eastman Kodak Company Controlling the thickness of an organic layer in an organic light-emiting device
DE50213645D1 (de) * 2001-07-11 2009-08-13 Carl Zeiss Vision Gmbh Bedampfungsanlage
JP2003121133A (ja) * 2001-10-17 2003-04-23 Acbtec:Kk 多層薄膜形成方法及び装置
SG149680A1 (en) * 2001-12-12 2009-02-27 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
JP3848571B2 (ja) * 2001-12-28 2006-11-22 Hoya株式会社 薄膜形成方法及び装置
US7931787B2 (en) * 2002-02-26 2011-04-26 Donald Bennett Hilliard Electron-assisted deposition process and apparatus
US6770333B2 (en) * 2002-04-30 2004-08-03 General Electric Company Method of controlling temperature during coating deposition by EBPVD
FR2840925B1 (fr) 2002-06-18 2005-04-01 Riber Chambre d'evaporation de materiaux sous vide a pompage differentiel
KR20040046571A (ko) * 2002-11-27 2004-06-05 주식회사 피앤아이 이온빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치
JP5072184B2 (ja) * 2002-12-12 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法
JP4274017B2 (ja) * 2003-10-15 2009-06-03 株式会社島津製作所 成膜装置
US7439208B2 (en) * 2003-12-01 2008-10-21 Superconductor Technologies, Inc. Growth of in-situ thin films by reactive evaporation
US7214554B2 (en) * 2004-03-18 2007-05-08 Eastman Kodak Company Monitoring the deposition properties of an OLED
SE528190C2 (sv) * 2004-06-07 2006-09-19 Mederio Ag Inhalator
US20060081459A1 (en) * 2004-10-18 2006-04-20 Applied Materials, Inc. In-situ monitoring of target erosion
DE202005008165U1 (de) * 2005-05-20 2005-10-06 Leybold Optics Gmbh Vorrichtung zum beidseitigen Beschichten von Substraten
UA81169C2 (en) * 2006-01-13 2007-12-10 Process for preparation of coal-containing material by method of electron-beam evaporation of carbon in vacuum with subsequent condensation on substrate and a unit for realizing the same and at least one additional component
BRPI0710214A2 (pt) * 2006-03-31 2011-08-02 Hoya Corp sistema de canhão de ìons, aparelho de deposição por vapor, e, método para produzir lente
JP2007332433A (ja) 2006-06-16 2007-12-27 Seiko Epson Corp 真空蒸着装置
JP5295524B2 (ja) * 2007-06-05 2013-09-18 日本電波工業株式会社 光学薄膜成膜方法
US8347814B2 (en) * 2008-01-22 2013-01-08 Raytheon Canada Limited Method and apparatus for coating a curved surface
JP4985490B2 (ja) * 2008-03-12 2012-07-25 日新電機株式会社 成膜装置
US20110097511A1 (en) * 2008-06-30 2011-04-28 Shincron Co., Ltd. Deposition apparatus and manufacturing method of thin film device
EP2305855A4 (en) * 2008-06-30 2015-01-14 Shincron Co Ltd MANUFACTURING METHOD FOR EVAPORATOR AND THIN FILM DEVICE
WO2010018639A1 (ja) * 2008-08-15 2010-02-18 株式会社シンクロン 蒸着装置及び薄膜デバイスの製造方法
JP5280149B2 (ja) 2008-10-28 2013-09-04 日本電子株式会社 真空蒸着装置
US8877001B2 (en) * 2009-05-07 2014-11-04 Applied Materials, Inc. Shuttered gate valve
TWI486469B (zh) * 2010-04-22 2015-06-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 鍍膜系統
US8022448B1 (en) * 2010-10-05 2011-09-20 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for evaporation including test wafer holder
US8030725B1 (en) * 2010-10-05 2011-10-04 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for detecting evaporation conditions
WO2012073908A1 (ja) * 2010-12-03 2012-06-07 シャープ株式会社 蒸着装置および回収装置
CN103154299B (zh) * 2011-09-30 2017-04-05 株式会社新柯隆 成膜方法和成膜装置
US10077207B2 (en) * 2011-11-30 2018-09-18 Corning Incorporated Optical coating method, apparatus and product
KR101264578B1 (ko) * 2012-02-15 2013-05-14 신크론 컴퍼니 리미티드 광학식 막두께 계측장치 및 광학식 막두께 계측장치를 사용한 박막 형성장치
KR20140010303A (ko) * 2012-07-16 2014-01-24 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
GB201300133D0 (en) * 2012-10-25 2013-02-20 Morgan Crucible Co Laminated materials, methods and apparatus for making same, and uses thereof
KR101480726B1 (ko) * 2012-12-21 2015-01-09 주식회사 선익시스템 진공 증착기
CN106062240B (zh) * 2014-03-11 2018-09-28 株式会社日本有机雷特显示器 蒸镀装置以及使用了蒸镀装置的蒸镀方法、以及器件的制造方法
WO2016142729A1 (en) * 2015-03-11 2016-09-15 Essilor International (Compagnie Generale D'optique) Thermal evaporator
WO2017070488A1 (en) * 2015-10-22 2017-04-27 Richard Devito Deposition system with integrated cooling on a rotating drum
EP3448666A1 (en) * 2016-04-27 2019-03-06 Essilor International Substrate holder for coating equiped with moveable shutters and method for using the same
CN109689924A (zh) * 2016-07-13 2019-04-26 依视路国际公司 遮板及其使用方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07133192A (ja) * 1993-11-04 1995-05-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 成膜装置および成膜方法
US5413688A (en) * 1994-02-08 1995-05-09 Viratec Thin Films, Inc. Shutter apparatus for a coating chamber viewport
JPH09228032A (ja) * 1996-02-20 1997-09-02 Idemitsu Kosan Co Ltd 真空蒸着装置およびその真空蒸着装置を用いた真空蒸着方法
JPH10183329A (ja) * 1996-12-20 1998-07-14 Shibaura Eng Works Co Ltd 真空処理用バルブ装置
JPH10251844A (ja) * 1997-03-12 1998-09-22 Toray Ind Inc 薄膜付き基材の製造方法および製造装置ならびに薄膜付き基材
JP2001115260A (ja) * 1999-10-14 2001-04-24 Hoya Corp 薄膜形成方法及び装置
CN101925688A (zh) * 2007-12-21 2010-12-22 工业等离子体服务与技术Ipst有限公司 用于控制真空蒸发中蒸汽流的方法和装置
CN104947061A (zh) * 2008-08-25 2015-09-30 应用材料公司 具有可移动屏蔽件的涂布室

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