CN108288635A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置，该显示装置包括：基底，包括显示区和非显示区；像素单元，设置在显示区中并且包括多个像素列；数据线，分别连接到像素列并且向像素列施加数据信号。非显示区包括顺序地布置的扇出区、弯曲区和焊盘区。各条数据线在扇出区和焊盘区中设置在不同的层上。所得的显示装置可以减小第一数据线与第二数据线中的数据信号之间的电阻偏差，从而减少垂直线缺陷。

Description

显示装置
本申请要求于2017年1月10日提交的第10-2017-0003464号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的而通过引用包含于此，如同在此被充分阐述一样。
技术领域
根据发明构思的示例性实施例涉及一种显示装置。
背景技术
有机发光显示装置通过使用作为自发光元件的有机发光二极管来显示图像，并且凭借较高的亮度和色纯度而作为下一代显示装置正引起关注。有机发光显示装置包括构造有红像素、绿像素和蓝像素的多个像素，以显示各种彩色图像。红像素、绿像素和蓝像素可以布置为各种形状，但通常布置为条纹像素排列。然而，如果像素布置为条纹型，则开口率会由于设置在各个像素之间的黑矩阵而减小，并且显示高分辨率的能力会降低。为了改善显示装置的能力以具有高分辨率，提出了高分辨率Pentile矩阵像素排列。
在此背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对发明构思的背景的理解，因此，该信息可以包含不形成对于本领域普通技术人员而言在本国已知的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施例提供了一种有机发光显示装置，具体地，提供了一种具有Pentile矩阵像素排列的有机发光显示装置。
根据发明构思的示例性实施例，显示装置包括：基底，包括显示区和非显示区；像素单元，设置在显示区中并且包括多个像素列；数据线，分别连接到像素列并且向像素列施加数据信号。非显示区包括顺序地布置的扇出区、弯曲区和焊盘区。各条数据线在扇出区和焊盘区中设置在不同的层上。
根据示例性实施例，像素列可以包括具有多个像素的第一像素列和具有多个像素的第二像素列。
根据示例性实施例，数据线可以包括连接到第一像素列的第一数据线和连接到第二像素列的第二数据线，第一数据线和第二数据线可以在扇出区和焊盘区中设置在不同层上。
根据示例性实施例，显示装置还可以包括顺序地设置在基底上的第一绝缘膜至第三绝缘膜，第一数据线可以在扇出区中设置在第一绝缘膜和第二绝缘膜中的一层上，并且可以在焊盘区中设置在第一绝缘膜和第二绝缘膜中的另一层上。
根据示例性实施例，第二数据线可以在扇出区中设置在第一绝缘膜和第二绝缘膜中的所述另一层上，并且可以在焊盘区中设置在第一绝缘膜和第二绝缘膜中的所述一层上。
根据示例性实施例，显示装置还可以包括在基底的弯曲区中设置的弯曲部绝缘膜。
根据示例性实施例，第一绝缘膜至第三绝缘膜可以包括使基底在所述弯曲区中的一部分暴露的开口，弯曲部绝缘膜可以设置在开口内。
根据示例性实施例，第一数据线和第二数据线可以在弯曲区中设置在弯曲部绝缘膜上。
根据示例性实施例，显示装置还可以包括设置在第三绝缘膜和弯曲部绝缘膜上的第四绝缘膜，第一数据线可以在弯曲区中设置在弯曲部绝缘膜和第四绝缘膜中的一层上，第二数据线可以在弯曲区中设置在弯曲部绝缘膜和第四绝缘膜中的另一层上。
根据示例性实施例，第一数据线可以在弯曲区中分别设置在弯曲部绝缘膜和第四绝缘膜上，第二数据线可以在弯曲区中分别设置在弯曲部绝缘膜和第四绝缘膜上。
根据示例性实施例，可以设置多个第一像素列和多个第二像素列，多个第一像素列和多个第二像素列可以在行方向上交替地布置。
根据示例性实施例，可以设置多条第一数据线和多条第二数据线，多条第一数据线和多条第二数据线可以在行方向上交替地布置。
根据示例性实施例，第一像素列可以在列方向上包括设置在显示区中并且表示第一颜色的多个第一像素，第二像素列可以包括表示第二颜色的多个第二像素和与多个第二像素交替地布置并且表示第三颜色的多个第三像素。
根据示例性实施例，第一颜色可以是绿色，第二颜色可以是红色，第三颜色可以是蓝色。
根据示例性实施例，多个第一像素、多个第二像素和多个第三像素中的至少两种像素的面积可以彼此不同。
根据示例性实施例，施加到显示区中的第一像素列和第二像素列的数据信号的延迟可以彼此不同，设置其中连接到第一像素列的第一数据线和连接到第二像素列的第二数据线可以具有彼此不同的电阻的接触结构。
根据示例性实施例，在显示区中，施加到第一数据线的信号的延迟值可以大于施加到第二数据线的信号的延迟值，具有较低电阻的接触结构可以在非显示区中连接到第一数据线。
根据示例性实施例，在非显示区中，多条第一数据线和多条第二数据线中的每种通过至少一个接触孔彼此连接，且与第二数据线相比，第一数据线可以穿过较大数量的接触孔。
根据示例性实施例，显示装置还可以包括数据驱动单元，数据驱动单元安装在基底的焊盘区中，连接到多条数据线，并且提供数据信号。
根据示例性实施例，显示装置还可以包括连接到焊盘区并被构造为向多条数据线提供数据信号的膜上芯片。
根据本公开的实施例，提供了一种减少第一数据线和第二数据线中的数据信号之间的电阻偏差的显示装置，从而减少垂直线缺陷。
上述总体描述和以下详细描述是示例性和说明性的，并且意图提供对要求保护的主题的进一步解释。
附图说明
附图示出了发明构思的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构思的原理，其中，包括附图以提供对发明构思的进一步理解，并且附图并入此说明书中且组成此说明书的一部分。
图1是示出根据发明构思的示例性实施例的显示装置的透视图。
图2是示出图1的显示装置的平面图。
图3A和图3B是示出根据发明构思的示例性实施例的在显示装置中的显示区中布置的像素单元的平面图。
图4是示出根据发明构思的示例性实施例的像素是发光元件的情况的等效电路图。
图5是沿图2的线I-I'截取的剖视图，并且示出显示区中的像素的一部分和非显示区。
图6示出了根据发明构思的示例性实施例的显示装置的数据线，并且是示出与图2的A1对应的部分的平面图。
图7A是沿图6的线IIa-IIa'截取的剖视图，图7B是沿图6的线IIb-IIb'截取的剖视图，图7C是沿图6的线IIc-IIc'截取的剖视图，图7D是沿图6的线IId-IId'截取的剖视图，图7E是沿图6的线IIe-IIe'截取的剖视图。
图8示出了根据发明构思的示例性实施例的显示装置的数据线，并且是示出与图2的A1对应的部分的平面图。
图9A是沿图8的线IIIa-IIIa'截取的剖视图，图9B是沿图8的线IIIb-IIIb'截取的剖视图，图9C是沿图8的线IIIc-IIIc'截取的剖视图，图9D是沿图8的线IIId-IIId'截取的剖视图，图9E是沿图8的线IIIe-IIIe'截取的剖视图。
图10示出了根据发明构思的示例性实施例的显示装置的数据线，并且是示出与图2的A1对应的部分的平面图。
图11A是沿图10的线IVa-IVa'截取的剖视图，图11B是沿图10的线IVb-IVb'截取的剖视图，图11C是沿图10的线IVc-IVc'截取的剖视图，图11D是沿图10的线IVd-IVd'截取的剖视图，图11E是沿图10的线IVe-IVe'截取的剖视图。
图12示出了根据发明构思的示例性实施例的显示装置的数据线，并且是示出与图2的A1对应的部分的平面图。
图13A是沿图12的线Va-Va'截取的剖视图，图13B是沿图12的线Vb-Vb'截取的剖视图，图13C是沿图12的线Vc-Vc'截取的剖视图，图13D是沿图12的线Vd-Vd'截取的剖视图，图13E是沿图12的线Ve-Ve'截取的剖视图。
图14示出了根据发明构思的示例性实施例的显示装置的数据线，并且是示出与图2的A1对应的部分的平面图。
图15A是沿图14的线VIa-VIa'截取的剖视图，图15B是沿图14的线VIb-VIb'截取的剖视图，图15C是沿图14的线VIc-VIc'截取的剖视图，图15D是沿图14的线VId-VId'截取的剖视图，图15E是沿图14的线VIe-VIe'截取的剖视图。
图16是示出根据发明构思的示例性实施例的图1的显示装置的平面图。
图17是沿图16的线VII-VII'截取的剖视图，并且示出显示区中的像素的一部分和非显示区。
具体实施方式
在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种示例性实施例的彻底的理解。然而，明显的是，在没有这些具体细节或者具有一种或更多种等同布置的情况下可以实践各种示例性实施例。在其它情况下，为了避免不必要地使各种示例性实施例不清楚，以框图形式示出了公知的结构和装置。
在附图中，出于清楚和描述性目的，会夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。另外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称作“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一个元件或层时，不存在中间元件或中间层。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种、者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种、者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合(诸如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例)。同样的标号始终表示同样的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任何组合和所有组合。
尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语用来将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此，在不脱离发明构思的教导的情况下，下面论及的第一元件、第一组件、第一区域、第一层和/或第一部分可以被命名为第二元件、第二组件、第二区域、第二层和/或第二部分。
出于描述的目的，在这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下面”、“下”、“在……上面”、“上”等空间相对术语，从而来描述如附图中所示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。空间相对术语意图包含除了图中描绘的方位之外设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果图中的设备被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下面”或“之下”的元件随后将被定位“在”所述其它元件或特征“上面”。因此，示例性术语“在……下面”可以包含“在……上面”和“在……下面”两种方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或在其它方位)，并且如此相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
在这里使用的术语是出于描述具体实施例的目的而不意图是限制性的。如在这里使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也意图包括复数形式。而且，术语“包括”、“包含”和/或其变型用在此说明书中时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在这里参照作为理想化的示例性实施例和/或中间结构的示意性图示的截面图示来对各种示例性实施例进行描述。同样地，将预料到由例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，在这里公开的示例性实施例不应被解释为受限于区域的具体示出的形状，而是要包括由例如制造造成的形状上的偏差。在附图中示出的区域实质上是示意性的，它们的形状不意图示出装置的区域的实际形状并且不意图是限制性的。
除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。除非在这里如此明确地定义，否则诸如在通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关领域的环境中的含义一致的含义，而将不按理想化或过于形式化的意思来解释。
在下文中，将参照附图来更详细地描述发明构思的示例性实施例。
图1是示出根据发明构思的示例性实施例的显示装置的透视图，图2是示出图1的显示装置的平面图。
参照图1和图2，根据发明构思的示例性实施例的显示装置包括基底SUB、设置在基底SUB上的多个像素PXL和连接到像素PXL的布线部分。
基底SUB包括显示区DA和设置在显示区DA的至少一侧上的非显示区NDA。
基底SUB可以具有基本上四边形形状，具体地，具有基本上矩形形状，但发明构思的方面不限于此。在发明构思的示例性实施例中，基底SUB例如可以包括在第一方向DR1上彼此平行的一对较短的边和在第二方向DR2上彼此平行的一对较长的边。
然而，基底SUB的形状不限于以上示例，并且可以形成为各种形状。例如，可以用包括但不限于包括直边的闭合多边形、通过曲线构造的圆形或椭圆形、包括直线和曲线的半圆或半椭圆等的各种形状中的任何一种形状来构造基底SUB。在发明构思的示例性实施例中，如果基底SUB具有直边，则基底SUB的每个角的至少一部分可以以曲线构造。例如，如果基底SUB具有基本上矩形形状，则相邻的直边相交的部分可以用有预定曲率的曲线来替代。即，矩形形状的顶点部分可以构造为其中两个相邻端连接到相邻的两条直边并且具有预定曲率的曲线。可以根据位置而不同地设定曲率。例如，可以根据曲线起始的位置、曲线的长度等来不同地设定曲率。
显示区DA是设置有多个像素PXL以显示图像的区域。显示区DA可以具有与基底SUB的形状对应的形状。例如，以与基底SUB的形状相同的方式，可以用包括但不限于包括直边的闭合多边形、通过曲线构造的圆形或椭圆形、包括直线和曲线的半圆或半椭圆等的各种形状中的任何一种形状来构造显示区DA。在发明构思的示例性实施例中，如果显示区DA具有直边，则显示区DA的角的至少一部分可以构造为曲线。
像素PXL设置在基底SUB的显示区DA上。每个像素PXL是用于显示图像的最小单元，并且可以是多个。像素PXL可以发射白光和/或彩色光。每个像素PXL可以发射红光、绿光和蓝光中的任何一种光，但不限于此，例如，可以发射蓝绿光、品红光、黄光等。
像素PXL可以是包括有机发光层的发光元件，但不限于此，而是可以通过在保持发明构思的范围内的包括但不限于液晶元件、电泳元件或电润湿元件的各种元件来实现。
在发明构思的示例性实施例中，非显示区NDA还可以包括从其一部分突出的附加区ADA。附加区ADA可以从构造非显示区NDA的边突出。发明构思的示例性实施例公开了附加区ADA从与基底SUB的较短的边中的一个边对应的边突出。然而，附加区ADA可以从较长的边中的一个边突出，或者可以例如从基底SUB的四个边中的两个边或更多个边突出。在发明构思的示例性实施例中，数据驱动单元D-IC可以设置在附加区ADA中。然而，设置在附加区ADA中的构造元件不限于此，可以在其中设置其它各种构造元件。
在发明构思的示例性实施例中，根据发明构思的显示装置的至少一部分可以具有柔性，并且具有柔性的部分可以折叠。即，显示装置可以包括具有柔性并且在一方向上弯曲的弯曲区BA以及设置在弯曲区BA的至少一侧上并且平坦的平坦区FA。平坦区FA可以具有柔性，或者可以不具有柔性。
在发明构思的示例性实施例中，作为示例，弯曲区BA设置在附加区ADA中。根据发明构思的示例性实施例，弯曲区BA可以置于彼此分离的第一平坦区FA1和第二平坦区FA2之间，第一平坦区FA1可以包括显示区DA。在发明构思的示例性实施例中，弯曲区BA可以与显示区DA分离开。
当通过在弯曲区BA中折叠显示装置而获得的线被称作折叠线时，折叠线设置在弯曲区BA内。这里，术语“折叠”意味着形状可以不被固定而从原始形状变形为不同形状，例如，包括的是，一条或更多条预定的布线沿折叠线折叠或弯曲，或者以卷形形状卷绕。因此，在发明构思的示例性实施例中，第一平坦区FA1的一条边和第二平坦区FA2的一条边平行地折叠为彼此面对，但不限于此，例如，而是可以在弯曲区BA置于其间的情况下以预定角(例如，锐角、直角或钝角)折叠。
在发明构思的示例性实施例中，附加区ADA可以沿折叠线弯曲，在这种情况下，可以通过弯曲附加区ADA来减小边框的宽度。
图3A和图3B是示出根据发明构思的示例性实施例的在显示装置中的显示区中布置的像素单元的平面图。
参照图2以及图3A和图3B，显示装置包括显示图像的像素单元，像素单元包括多个像素PXL。
在发明构思的示例性实施例中，像素PXL可以沿在第一方向DR1上延伸的行和在第二方向DR2上延伸的列布置成矩阵。然而，像素PXL的布置不受具体限制，并且可以以各种方式来布置。
像素PXL包括显示第一颜色的第一像素PX1、显示第二颜色的第二像素PX2和显示第三颜色的第三像素PX3。
在发明构思的示例性实施例中，第一颜色可以是绿色，第二颜色可以是红色，第三颜色可以是蓝色。然而，第一颜色至第三颜色不限于此，并且可以是其它颜色。
如图3A中所示，第一像素PX1可以在列方向上布置以形成第一像素列C1。例如，第一像素PX1、第一像素PX1、第一像素PX1……可以顺序地布置在第一像素列C1中。第二像素PX2和第三像素PX3可以在列方向上交替地布置以形成第二像素列C2。例如，第二像素PX2、第三像素PX3、第二像素PX2、第三像素PX3……可以顺序地布置在第二像素列C2中。
在发明构思的示例性实施例中，第二像素列C2的像素布置顺序可以改变。例如，如图3B中所示，第二像素PX2、第三像素PX3、第二像素PX2、第三像素PX3……可以顺序地布置在第二像素列C2中的一列中，且第三像素PX3、第二像素PX2、第三像素PX3、第二像素PX2……可以顺序地布置在其它第二像素列C2中。因此，在发明构思的示例性实施例中，第一像素PX1、第二像素PX2、第一像素PX1、第二像素PX2……可以如图3A中所示在行方向上顺序地布置，或者第一像素PX1、第二像素PX2、第一像素PX1、第三像素PX3……可以如图3B中所示在行方向上顺序地布置。在发明构思的示例性实施例中，第一像素PX1、第三像素PX3、第一像素PX1、第二像素PX2……可以在行方向上顺序地布置。
显示区DA可包括多个第一像素列C1和第二像素列C2，其中，第一像素列C1和第二像素列C2在行方向上交替地布置。因此，当任何一行(例如，任意行)被用作参考时，第一像素PX1和第二像素PX2可以交替地布置在第n行中。例如，第一像素PX1、第二像素PX2、第一像素PX1、第二像素PX2、第一像素PX1……可以顺序地布置在第n行中，同时第一像素PX1和第三像素PX3可以交替地布置在第(n-1)行或第(n+1)行中。例如，第一像素PX1、第三像素PX3、第一像素PX1、第三像素PX3、第一像素PX1……可以顺序地布置在第(n-1)行或第(n+1)行中。
像素列分别连接到数据线DL。第一像素列C1的像素PXL可以连接到第一数据线DL1。例如，第一像素列C1的第一像素PX1连接到第一数据线DL1。第二像素列C2的像素PXL可以连接到第二数据线DL2。例如，第二像素列C2的第二像素PX2和第三像素PX3连接到第二数据线DL2。因此，第一数据线DL1和第二数据线DL2也可以以与第一像素列C1和第二像素列C2相同的方式在行方向上交替地布置。
连接到每条数据线DL的数据驱动单元D-IC可以设置在附加区ADA中。在发明构思的示例性实施例中，数据驱动单元D-IC可以直接安装在基底SUB上。
第一像素PX1至第三像素PX3的排列结构对应于Pentile矩阵像素排列。由于在发明构思的示例性实施例中的Pentile矩阵像素排列采用渲染驱动(rendering drive)以通过共用相邻的像素PXL来表现颜色，所以能够用较小数目的像素PXL来实现较高的分辨率。
在发明构思的示例性实施例中，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以具有彼此相同的面积，但不限于此。例如，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的至少两个像素PXL的面积可以彼此不同。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以分别具有彼此不同的面积，或者在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之中的两个像素PXL的面积可以是相同的，而剩余像素的面积可以与所述两个像素的面积不同。例如，呈现作为第三颜色的蓝色的第三像素PX3的面积可以比呈现作为第二颜色的红色的第二像素PX2的面积和/或呈现作为第一颜色的绿色的第一像素PX1的面积大。可选择地，第二像素PX2和第三像素PX3的面积可以彼此相同，而第一像素PX1的面积可以比第二像素PX2和第三像素PX3的面积小。但发明构思的示例性实施例不限于此。
图4是示出其中根据发明构思的示例性实施例的像素PXL是发光元件的示例性实施例的等效电路图。
参照图4，每个像素PXL可以包括连接到布线部分的薄膜晶体管、连接到薄膜晶体管的发光元件EL和电容器Cst。
薄膜晶体管可以包括用于控制发光元件EL的驱动薄膜晶体管TR2和使驱动薄膜晶体管TR2导通或截止的开关薄膜晶体管TR1。在发明构思的示例性实施例中，一个像素PXL可以包括两个薄膜晶体管TR1和TR2，但不限于此，一个像素PXL可以包括例如一个薄膜晶体管和一个电容器，或者一个像素PXL可以包括三个或更多个薄膜晶体管和两个或更多个电容器。例如，一个像素PXL可以包括七个薄膜晶体管、一个发光元件和一个存储电容器。
开关薄膜晶体管TR1包括栅电极、源电极和漏电极。开关薄膜晶体管TR1具有连接到栅极线GL的栅电极和连接到数据线DL的源电极。漏电极连接到驱动薄膜晶体管TR2的栅电极。开关薄膜晶体管TR1响应于施加到栅极线GL的扫描信号而将施加到数据线DL的数据信号传输到驱动薄膜晶体管TR2。
驱动薄膜晶体管TR2包括栅电极、源电极和漏电极。驱动薄膜晶体管TR2具有连接到开关薄膜晶体管TR1的栅电极、连接到第一电源线ELVDD的源电极和连接到发光元件EL的漏电极。
发光元件EL包括发光层以及将发光层置于其间并且彼此面对的第一电极和第二电极。第一电极连接到驱动薄膜晶体管TR2的漏电极。第二电极连接到第二电源线ELVSS，并且共电压被施加到第二电极。发光层响应于驱动薄膜晶体管TR2的输出信号而发射光或者不发射光，从而显示图像。这里，从发光层发射的光可以根据发光层的材料而改变，并且可以是彩色光或白光。
电容器Cst连接到驱动薄膜晶体管TR2的栅电极和源电极，并且存储和维持输入到驱动薄膜晶体管TR2的栅电极的数据信号。
再次参照图1至图4，非显示区NDA不包括像素PXL，并且因此不显示图像。
非显示区NDA可以包括设置在显示区DA与弯曲区BA之间的扇出区FTA以及位于弯曲区BA的外部处的焊盘区PA。因此，可以顺序地布置显示区DA、扇出区FTA、弯曲区BA和焊盘区PA。
扇出区FTA是显示区DA的布线部分延伸到弯曲区BA的区域。显示区DA中的在第二方向DR2上延伸的线在扇出区FTA中被设置为间隙逐渐变窄的扇形形状。布线部分可以包括各种类型的布线，且所述类型不受限制。例如，布线部分可以将信号提供到每个像素PXL，可以包括栅极线、数据线、第一电源线、第二电源线等，并且如果必要的话还可以包括其它线。
在发明构思的示例性实施例中，将布线部分的布线是数据线的示例性实施例作为示例来描述。
在发明构思的示例性实施例中，数据线DL可以基本上在第二方向DR2上延伸，并且可以彼此分离开。当数据线DL在第二方向DR2上延伸时，相邻数据线DL之间的距离可以逐渐变窄或变宽。在发明构思的示例性实施例中，相邻数据线DL之间的距离可以在扇出区FTA中在第二方向DR2上逐渐变窄。
弯曲区BA是布线部分从扇出区FTA延伸到焊盘区PA的部分。在扇出区FTA中的基本上在第二方向DR2上延伸的布线在弯曲区BA中在第二方向DR2上平行地延伸。
焊盘区PA与第二平坦区FA2叠置，并且包括数据驱动单元D-IC以及连接到数据驱动单元D-IC和外部构造元件(例如，柔性印刷电路板FPC的布线)的接触电极CTE。在第二方向DR2上延伸的布线还可以在数据驱动单元D-IC置于其间的情况下在焊盘区PA中在第二方向DR2上延伸，接触电极CTE设置在布线的端部中。
因此，数据线DL可以设置在显示区DA和非显示区NDA之上。数据驱动单元D-IC可以连接到布线部分的端部。数据驱动单元D-IC可以通过数据线DL将信号提供到每个像素PXL，从而控制每个像素PXL的驱动。
在发明构思的示例性实施例中，驱动单元可以包括通过栅极线GL将扫描信号提供到每个像素PXL的扫描驱动单元(未示出)以及控制扫描驱动单元和数据驱动单元的时序控制单元(未示出)。在发明构思的示例性实施例中，示出了设置在附加区ADA中的数据驱动单元D-IC，而未示出诸如以膜上芯片的形式设置的扫描驱动单元或时序控制单元的其它驱动单元。然而，发明构思的示例性实施例不限于此，诸如扫描驱动单元的其它驱动单元可以以安装在非显示区NDA中的形式来设置。在发明构思的示例性实施例中，扫描驱动单元可以直接安装在基底SUB上。如果扫描驱动单元直接安装在基底SUB上，则这可以与形成像素PXL的工艺一起执行。然而，扫描驱动单元设置的位置或者设置扫描驱动单元的方法不限于此，扫描驱动单元可以形成在另一芯片中并且可以以玻璃上芯片的形式设置在基底SUB上，或者可以安装在印刷电路板上以通过连接构件连接到基底SUB。
图5是沿图2的线I-I'截取的剖视图，并且示出显示区DA中的像素的一部分和非显示区NDA。图5概念性地示出了根据发明构思的示例性实施例的显示装置，并且出于方便描述的目的而扩大或缩小了部分的构造元件。
根据发明构思的示例性实施例的显示装置具有拥有如图1中所示的弯曲形状的部分，出于方便描述的目的在图5中示出了未被弯曲的显示装置。注意的是，出于方便说明的目的，根据将在下面描述的示例性实施例以剖视图、平面图等示出了未被弯曲的显示装置。
在下文中，将参照图1至图5来详细描述根据发明构思的示例性实施例的显示装置。
将首先描述显示区DA，其后，将描述非显示区NDA。
在发明构思的示例性实施例中，多个像素PXL设置在显示区DA中。每个像素PXL包括连接到布线部分LP的多条线之中的相应的线的晶体管、连接到晶体管的发光元件和电容器Cst。晶体管可以包括用于控制发光元件的驱动晶体管和使驱动晶体管导通或截止的开关晶体管。
根据发明构思的示例性实施例的像素PXL设置在基底SUB上。
可以用诸如以玻璃或树脂为例的绝缘材料来构造基底SUB。另外，基底SUB可以用可弯曲或折叠的具有柔性的材料来构造，并且可以具有单层结构或多层结构。
例如，基底SUB可以包含聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素、醋酸丙酸纤维素和聚氨酯中的至少一种。然而，构成基底SUB的材料不限于此，并且可以改变。例如，基底SUB还可以用纤维增强塑料(FRP)等来构造。
缓冲层BF设置在基底SUB上。缓冲层BF保护开关晶体管和驱动晶体管免受杂质扩散的影响。缓冲层BF可以构造为单层或多层。
缓冲层BF可以是由无机材料形成的无机绝缘膜。例如，缓冲层BF可以由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等形成。如果缓冲层BF是多层，则每层可以由相同的材料形成或者可以由彼此不同的材料形成。缓冲层BF可以根据基底SUB的材料或工艺条件而省略。
有源图案ACT设置在缓冲层BF上。有源图案ACT由半导体材料形成。有源图案ACT可以包括源区、漏区以及设置在源区与漏区之间的沟道区。有源图案ACT可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成的半导体图案。沟道区是不掺杂杂质并可以是本征半导体的半导体图案。源区和漏区可以具有掺杂有杂质的半导体图案。诸如n型杂质、p型杂质或金属的杂质可以被用作杂质。
第一绝缘膜INS1可以设置在有源图案ACT上。第一绝缘膜INS1可以是由无机材料形成的无机绝缘膜，并且可以是由有机材料形成的有机绝缘膜。诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料可以用于无机材料。诸如聚丙烯酰类化合物、聚酰亚胺类化合物、诸如特氟龙的氟类碳化合物和苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料可以用于有机材料。
栅电极GE和电容器下电极LE设置在第一绝缘膜INS1上。栅电极GE形成为覆盖与有源图案ACT的沟道区对应的区域。
栅电极GE和电容器下电极LE可以由金属形成。例如，栅电极GE可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的金属中的至少一种或金属的合金来形成。另外，栅电极GE可以由单个膜形成，但不限于此，栅电极GE可以由所述金属和合金中的两种或更多种堆叠的多层来形成。
在发明构思的示例性实施例中，诸如栅极布线的其它布线可以与栅电极GE和电容器下电极LE设置在同一层上，所述其它布线可以由与栅电极GE和电容器下电极LE相同的材料形成(未示出)。这里，诸如栅极布线的其它布线可以直接或间接连接到每个像素PXL中的晶体管的一部分，例如，栅电极GE。
第二绝缘膜INS2设置在栅电极GE和电容器下电极LE上。第二绝缘膜INS2可以是由无机材料形成的无机绝缘膜。聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等可以用于无机材料。
电容器上电极UE设置在第二绝缘膜INS2上。电容器上电极UE可以由金属形成。例如，电容器上电极UE可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的金属中的至少一种或金属的合金来形成。另外，电容器上电极UE可以由单个膜形成，但不限于此，电容器上电极UE可以由所述金属和合金中的两种或更多种堆叠的多层来形成。
电容器下电极LE和电容器上电极UE在第二绝缘膜INS2置于其间的情况下构成电容器Cst。在发明构思的示例性实施例中，描述了用电容器下电极LE和电容器上电极UE构造的电容器Cst，但电容器Cst的构造不限于此。
第三绝缘膜INS3设置在电容器上电极UE上。第三绝缘膜INS3可以是由无机材料形成的无机绝缘膜。聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等可以用于无机材料。
源电极SE和漏电极DE设置在第三绝缘膜INS3上。源电极SE和漏电极DE通过形成在第三绝缘膜INS3、第二绝缘膜INS2和第一绝缘膜INS1中的接触孔分别与有源图案ACT的源区和漏区接触。
源电极SE和漏电极DE可以由金属形成。例如，源电极SE和漏电极DE中的每个可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的金属中的至少一种或金属的合金来形成。另外，源电极SE和漏电极DE中的每个可以由单个膜形成，但不限于此，源电极SE和漏电极DE中的每个可以由所述金属和合金中的两种或更多种堆叠的多层来形成。
在发明构思的示例性实施例中，数据线或第一电源布线可以与源电极SE和漏电极DE设置在同一层上，并且可以设置为与源电极SE和漏电极DE相同的材料(未示出)。这里，数据线或第一电源布线可以直接或间接连接到每个像素PXL中的晶体管的一部分，例如，源电极SE和/或漏电极DE。
钝化层PSV可以设置在源电极SE和漏电极DE上。钝化层PSV可以是由诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机材料形成的无机绝缘膜。钝化层PSV可以被省略。
第四绝缘膜INS4可以设置在钝化层PSV上。如果钝化层PSV被省略，则第四绝缘膜INS4可以设置在第三绝缘膜INS3上。
第四绝缘膜INS4可以是由有机材料形成的有机绝缘膜。诸如聚丙烯酰类化合物、聚酰亚胺类化合物、诸如特氟龙的氟类碳化合物和苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料可以用于有机材料。
连接图案CNP可以设置在第四绝缘膜INS4上。连接图案CNP通过穿过第四绝缘膜INS4和钝化层PSV的接触孔连接到晶体管的漏电极DE。连接图案CNP可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的金属中的至少一种或金属的合金来形成。另外，连接图案CNP可以由单个膜形成，但不限于此，连接图案CNP可以由所述金属和合金中的两种或更多种堆叠的多层来形成。
在发明构思的示例性实施例中，诸如虚设电源布线的其它布线可以与连接图案CNP设置在同一层上，并且设置为与连接图案CNP相同的材料(未示出)。
第五绝缘膜INS5可以设置在连接图案CNP上。第五绝缘膜INS5可以是由有机材料形成的有机绝缘膜。诸如聚丙烯酰类化合物、聚酰亚胺类化合物、诸如特氟龙的氟类碳化合物或苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料可以用于有机材料。
第一电极EL1可以设置在第五绝缘膜INS5上。第一电极EL1通过穿过第五绝缘膜INS5的接触孔连接到连接图案CNP，并且通过穿过第四绝缘膜INS4和钝化层PSV的接触孔连接到漏电极DE，从而连接到晶体管。这里，参照示例性实施例，第一电极EL1可以用作阳极和阴极中的一种。
在发明构思的示例性实施例中，描述了其上设置有由第四绝缘膜INS4和第五绝缘膜INS5形成的有机绝缘膜的钝化层PSV，但可以不同地设置有机绝缘膜。例如，根据发明构思的示例性实施例，也可以在钝化层PSV与第一电极EL1之间设置仅一个有机绝缘膜。即，根据发明构思的示例性实施例，仅一个有机绝缘膜可以设置在钝化层PSV上，且第一电极EL1可以设置在有机绝缘膜上。在这种情况下，可以省略连接图案CNP，且第一电极EL1可以通过形成在有机绝缘膜中的接触孔直接连接到漏电极DE。在下文中，应理解的是，虽然有机绝缘膜在示例性实施例中由第四绝缘膜INS4和第五绝缘膜INS5的两层形成，但有机绝缘膜可以包括彼此分离或不分离的第四绝缘膜INS4和第五绝缘膜INS5。
第一电极EL1可以由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的合金的金属膜、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟锡锌(ITZO)等形成。
在发明构思的示例性实施例中，第一电极EL1可以由一种类型的金属形成，但是不限于此，第一电极EL1可以由两种或更多种类型的金属形成，例如，Ag和Mg的合金。
如果在基底SUB的向下的方向上提供图像，则第一电极EL1可以由透明导电膜形成，如果在基底SUB的向上的方向上提供图像，则第一电极EL1可以由金属反射膜和/或透明导电膜形成。
用于划分像素区以与每个像素PXL对应的像素限定膜PDL被设置在形成有第一电极EL1等的基底SUB上。像素限定膜PDL是由有机材料形成的有机绝缘膜。诸如聚丙烯酰类化合物、聚酰亚胺类化合物、诸如特氟龙的氟类碳化合物或苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料可以用于有机材料。
像素限定膜PDL使第一电极EL1的上表面暴露并且沿着像素PXL的外周从基底SUB突出。
有机发光层OL可以设置在由像素限定膜PDL围绕的像素区中。
有机发光层OL可以包括低分子材料或高分子材料。低分子材料可以包括铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。可以通过使用真空沉积方法来形成这样的材料。高分子材料可以包括PEDOT、聚苯撑乙烯撑(PPV)、聚芴等。
有机发光层OL可以由单层构成，但是，有机发光层OL可以由包括各种功能层的多层构成。如果有机发光层OL由多层构成，则可以设置其中空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层、电子注入层等被单独地堆叠或被堆叠为复合结构的结构。可以通过使用蒸发、丝网印刷、喷墨打印方法、激光诱导热成像(LITI)方法等来形成有机发光层OL。
有机发光层OL不限于此，并且可以具有不同的结构。另外，有机发光层OL的至少一部分可以一体地形成在多个第一电极EL1之上，或者可以分离地形成为与多个第一电极EL1中的每个对应。
第二电极EL2可以设置在有机发光层OL上。第二电极EL2可以设置在每个像素PXL上，但是，第二电极EL2可以设置为覆盖大部分显示区DA并且可以由多个像素PXL共用。
第二电极EL2可以参照示例性实施例而用作阳极和阴极中的一种，如果第一电极EL1是阳极，则第二电极EL2可以用作阴极，如果第一电极EL1是阴极，则第二电极EL2可以用作阳极。
第二电极EL2可以由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr的金属膜和/或诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电膜形成。在发明构思的示例性实施例中，第二电极EL2可以由包括金属薄膜的两层或更多层的多层形成，或者可以由ITO/Ag/ITO的三层形成。
如果在基底SUB的向上的方向上提供图像，则第二电极EL2可以由透明导电膜形成，如果在基底SUB的向下的方向上提供图像，则第二电极EL2可以由金属反射膜和透明导电膜形成。
密封膜SL设置在第二电极EL2上。密封膜SL可以由单层构成或者可以由多层构成。在发明构思的示例性实施例中，密封膜SL可以由第一密封膜SL1至第三密封膜SL3来构成。第一密封膜SL1至第三密封膜SL3可以由有机材料和/或无机材料形成。位于最外部膜处的第三密封膜SL3可以由无机材料形成。
在发明构思的示例性实施例中，第一密封膜SL1可以由无机材料形成，第二密封膜SL2可以由有机材料或无机材料形成，第三密封膜SL3可以由无机材料形成。与有机材料相比，无机材料较少被湿气或氧渗透，但是由于低弹性和低柔性而更容易遭受破裂。通过使用无机材料形成第一密封膜SL1和第三密封膜SL3并且使用有机材料形成第二密封膜SL2，能够减少或防止破裂。这里，如果第二密封膜SL2由有机材料形成，则第二密封膜SL2可以由第三密封膜SL3充分地覆盖，使得第二密封膜SL2的端部不被暴露。
在发明构思的示例性实施例中，诸如聚丙烯酰类化合物、聚酰亚胺类化合物、诸如特氟龙的氟类碳化合物和苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料可以用于有机材料。诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料可以用于无机材料。如果第二密封膜SL2由无机材料形成而不是由有机材料形成，则可以使用诸如六甲基二硅氧烷(HMDSO)、八甲基环四硅氧烷(OMCTSO)、四甲基二硅氧烷(TMDSO)或原硅酸四乙酯(TEOS)的各种硅基绝缘材料。在发明构思的示例性实施例中，有机发光层OL会容易被来自外部的湿气、氧等损坏。密封膜SL覆盖有机发光层OL以保护有机发光层OL。密封膜SL覆盖显示区DA并且可以延伸到显示区DA的外部。
由有机材料形成的绝缘膜可以改善柔性、弹性等，但是与由无机材料形成的绝缘膜相比更容易被湿气或氧渗透。在发明构思的示例性实施例中，为了防止湿气或氧渗透通过由有机材料形成的绝缘膜，可以用由无机材料形成的绝缘膜覆盖由有机材料形成的绝缘膜的端部，以使由有机材料形成的绝缘膜的端部不被暴露。例如，由有机材料形成的第四绝缘膜INS4、第五绝缘膜INS5和/或像素限定膜PDL可以延伸到非显示区NDA的仅一部分，并且可以不覆盖整个非显示区NDA。具体地，由有机材料形成的第四绝缘膜INS4、第五绝缘膜INS5和/或像素限定膜PDL可以包括第一开口OPN1，第一开口OPN1通过沿着显示区DA的外周去除显示区DA的一部分而形成。
在发明构思的示例性实施例中，用包括无机材料的绝缘膜(例如，密封膜SL)来密封像素限定膜PDL的上表面以及第四绝缘膜INS4、第五绝缘膜INS5和/或像素限定膜PDL的由设置第一开口OPN1的部分暴露的侧表面，从而防止暴露到外部。密封膜SL的层或材料不限于以上示例，而是可以改变。例如，密封膜SL可以包括交替地堆叠的多个有机材料层和多个无机材料层。
接着，将描述非显示区NDA。在下文中，将描述非显示区NDA，并且将省略或将简单地做出先前进行的描述，从而避免重复描述。
在发明构思的示例性实施例中，非显示区NDA包括布线部分LP和与基底SUB接触的弯曲区BA。
布线部分LP包括数据线DL并且将包括数据驱动单元D-IC的驱动单元连接到像素PXL。
根据发明构思的示例性实施例的数据线DL可以将像素PXL连接到驱动单元，并且可以从像素PXL基本沿第二方向DR2延伸。数据线DL可以延伸到作为附加区ADA在第二方向DR2上的端部的焊盘区PA。焊盘区PA包括具有多个薄膜晶体管的数据驱动单元D-IC，接触电极CTE可以设置在布线的连接到数据驱动单元D-IC的端部中。像素PXL可以通过连接到布线的接触电极CTE连接到由印刷电路板等实现的驱动单元。
数据线DL包括第一数据线DL1和第二数据线DL2。
第一数据线DL1可以包括连接到彼此的多条子布线。
第二数据线DL2也可以包括连接到彼此的多条子布线。为了便于描述的目的，图5仅示出了数据线DL之中的第二扇出线DL2b、第二链路布线DL2c(second link wire)和第二连接布线DL2d。下面将描述数据线DL。
缓冲层BF设置在基底SUB的非显示区NDA上。
第一绝缘膜INS1至第四绝缘膜INS4顺序地设置在缓冲层BF上。
例如，第二开口OPN2形成在设置在弯曲区BA中的绝缘膜中。弯曲区BA是基底SUB被弯曲的区域。即，从缓冲层BF、第一绝缘膜INS1、第二绝缘膜INS2和第三绝缘膜INS3去除与弯曲区BA对应的部分，从而形成第二开口OPN2，但发明构思的示例性实施例不限于此。根据示例性实施例，与弯曲区BA对应的部分可以不从缓冲层BF、第一绝缘膜INS1、第二绝缘膜INS2和第三绝缘膜INS3的一部分去除。根据示例性实施例，与弯曲区BA对应的部分可以不从缓冲层BF去除，与弯曲区BA对应的部分可以从剩余的绝缘膜(即，第一绝缘膜INS1、第二绝缘膜INS2和第三绝缘膜INS3)去除，从而第二开口OPN2形成在其中。
因此，第二开口OPN2和弯曲区BA可以叠置。第二开口OPN2的面积可以大于弯曲区BA的面积。在发明构思的示例性实施例中，第二开口OPN2的宽度被示出为比弯曲区BA的宽度大，但这是为了便于描述的目的，第二开口OPN2的宽度可以等于弯曲区BA的宽度或者可以与弯曲区BA的宽度不同。
参照图5，缓冲层BF、第一绝缘膜INS1、第二绝缘膜INS2和第三绝缘膜INS3被布置成直线，使得其内侧表面彼此一致，但发明构思的示例性实施例不限于此。例如，第三绝缘膜INS3的第二开口OPN2可以比缓冲层BF的第二开口OPN2宽。在发明构思的示例性实施例中，缓冲层BF的第二开口OPN2可以被限定为最窄的，接着是第一绝缘膜INS1的第二开口OPN2、第二绝缘膜INS2的第二开口OPN2和第三绝缘膜INS3的第二开口OPN2。
弯曲部绝缘膜INS_B设置在第二开口OPN2中。弯曲部绝缘膜INS_B可以填充第二开口OPN2的至少一部分，或者如图5中所示，全部第二开口OPN2可以填充有弯曲部绝缘膜INS_B，但发明构思的示例性实施例不限于此。例如，在发明构思的示例性实施例中，弯曲部绝缘膜INS_B可以填充第二开口OPN2，并且同时可以向着与第二开口OPN2相邻的区域延伸。例如，弯曲部绝缘膜INS_B可以覆盖与第一平坦区FA1和/或第二平坦区FA2对应的第三绝缘膜INS3的上部的一部分。
弯曲部绝缘膜INS_B可以是由有机材料形成的有机绝缘膜。诸如聚丙烯酰类化合物、聚酰亚胺类化合物、诸如特氟龙的氟类碳化合物和苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料可以用于有机材料。
如上所述，显示装置在图5中未弯曲，但是根据发明构思的示例性实施例的显示装置可以在弯曲区BA中弯曲。根据发明构思的示例性实施例的显示装置可以以平坦状态来制造，并且可以在之后被弯曲。
在发明构思的示例性实施例中，弯曲区BA可以设置在去除无机绝缘膜的部分中，但是弯曲区BA可以与去除无机绝缘膜的部分一致。例如，弯曲区BA可以与去除无机绝缘膜的部分基本对应，但是如果必要可以与去除无机绝缘膜的部分相同、比去除无机绝缘膜的部分宽或者比去除无机绝缘膜的部分窄。另外，在发明构思的示例性实施例中，弯曲区BA可以仅设置在非显示区NDA中，但是不限于此。例如，弯曲区BA也可以设置在非显示区NDA和显示区DA之上，但是也可以设置在显示区DA内。
钝化层PSV可以设置在基底SUB上。钝化层PSV可以是无机绝缘膜。钝化层PSV可以不以与以上描述的无机绝缘膜(缓冲层BF)、第一绝缘膜INS1、第二绝缘膜INS2和/或第三绝缘膜INS3的方式相同的方式来设置在与弯曲区BA对应的区域中。另外，钝化层PSV使下接触电极CTEa的上部的一部分暴露。
第四绝缘膜INS4可以设置在钝化层PSV上。第五绝缘膜INS5可以设置在第四绝缘膜INS4上。第一开口OPN1通过去除第四绝缘膜INS4和第五绝缘膜INS5的一部分沿着显示区DA的外周形成在第四绝缘膜INS4和第五绝缘膜INS5中。因此，第四绝缘膜INS4和第五绝缘膜INS5不从显示区DA连续地延伸到非显示区NDA。
如上所述，第四绝缘膜INS4和第五绝缘膜INS5的设置在显示区DA中的侧表面覆盖有密封膜SL。然而，第五绝缘膜INS5的设置在非显示区NDA中的上表面以及第五绝缘膜INS5和第四绝缘膜INS4的设置在非显示区NDA中的侧表面不需要被完全地覆盖，而是可以暴露至少一部分。
数据驱动单元D-IC可以安装在焊盘区PA中，数据驱动单元D-IC可以包括多个薄膜晶体管。在数据驱动单元D-IC中的薄膜晶体管可以在形成像素单元的薄膜晶体管时一起形成。
下接触电极CTEa可以设置在第三绝缘膜INS3上，上接触电极CTEb可以设置在下接触电极CTEa上。上接触电极CTEb可以由与显示区DA的连接图案CNP相同的材料形成并且在与显示区DA的连接图案CNP相同的工艺中形成。下接触电极CTEa和上接触电极CTEb可以构成接触电极CTE，布线可以通过接触电极CTE对应于柔性印刷电路板等。
在发明构思的示例性实施例中，第一数据线DL1和第二数据线DL2在扇出区FTA和焊盘区PA中分别设置在不同层中，因此，每条数据线DL的电阻值和关于信号延迟的偏差可以减小或最小化。如下将作出对其的描述。在下面的附图中，为了便于描述的目的，省略了一部分构造元件，在上述实施例中描述了省略的构造元件。
图6示出了根据发明构思的示例性实施例的显示装置的数据线，并且是示出与图2的A1对应的部分的平面图。图7A是沿图6的线IIa-IIa'截取的剖视图，图7B是沿图6的线IIb-IIb'截取的剖视图，图7C是沿图6的线IIc-IIc'截取的剖视图，图7D是沿图6的线IId-IId'截取的剖视图，且图7E是沿图6的线IIe-IIe'截取的剖视图。
参照图6以及图7A至图7E，数据线DL包括连接到第一像素列的第一数据线DL1和连接到第二像素列的第二数据线DL2。第一像素列连接到第一颜色的第一像素。第二像素列连接到第二颜色的第二像素和第三颜色的第三像素。在发明构思的示例性实施例中，第一颜色可以是绿色，因此，第一数据线DL1可以连接到绿像素。在发明构思的示例性实施例中，第二颜色可以是红色并且第三颜色可以是蓝色，因此，第二数据线DL2可以连接到红像素和蓝像素。
在下文中，将参照图6来描述在平面图上的第一数据线DL1和第二数据线DL2，然后，将参照图7A至图7E来描述在剖面上的第一数据线DL1和第二数据线DL2。
参照图6，多条第一数据线DL1和多条第二数据线DL2在第一方向DR1上设置并且交替地布置。
第一数据线DL1和第二数据线DL2在显示区DA中在第二方向DR2上延伸。第一数据线DL1和第二数据线DL2在扇出区FTA中基本在第二方向DR2上延伸，但是相邻数据线DL之间的间隙在第二方向DR2上逐渐变窄。第一数据线DL1和第二数据线DL2在弯曲区BA和焊盘区PA中在第二方向DR2上延伸。因此，彼此相邻的第一数据线DL1与第二数据线DL2之间的间隙在弯曲区BA和焊盘区PA中比在显示区DA中窄。
第一数据线DL1可以包括彼此连接的多条子线。子线可以包括设置在显示区DA中的第一像素单元数据线DL1a、设置在扇出区FTA中的第一扇出线DL1b、设置在弯曲区BA中的第一链路布线DL1c和设置在焊盘区PA中的第一连接布线DL1d。第一像素单元数据线DL1a连接到第一扇出线DL1b，第一扇出线DL1b连接到第一链路布线DL1c，第一链路布线DL1c连接到第一连接布线DL1d。虽然未示出，但第一连接布线DL1d连接到数据驱动单元和接触电极。
第一像素单元数据线DL1a的端部和第一扇出线DL1b的端部彼此叠置，并且通过第一接触孔CH2a彼此连接。第一像素单元数据线DL1a与第一扇出线DL1b叠置的部分可以设置在扇出区FTA中。然而，第一像素单元数据线DL1a与第一扇出线DL1b叠置的部分不限于此，第一像素单元数据线DL1a与第一扇出线DL1b叠置的部分的至少一部分可以设置在显示区DA内。
第一扇出线DL1b的端部和第一链路布线DL1c的端部通过第二接触孔CH2b彼此连接。第一扇出线DL1b与第一链路布线DL1c叠置的部分可以设置在扇出区FTA中。然而，第一扇出线DL1b与第一链路布线DL1c叠置的部分不限于此，第一扇出线DL1b与第一链路布线DL1c叠置的部分的至少一部分可以设置在弯曲区BA内。
第一链路布线DL1c的端部和第一连接布线DL1d的端部通过第三接触孔CH2c彼此连接。第一链路布线DL1c与第一连接布线DL1d叠置的部分可以设置在焊盘区PA中。然而，第一链路布线DL1c与第一连接布线DL1d叠置的部分不限于此，第一链路布线DL1c与第一连接布线DL1d叠置的部分的至少一部分可以设置在弯曲区BA内。
第二数据线DL2也可以包括彼此连接的多条子线。子线可以包括设置在显示区DA中的第二像素单元数据线DL2a、设置在扇出区FTA中的第二扇出线DL2b、设置在弯曲区BA中的第二链路布线DL2c和设置在焊盘区PA中的第二连接布线DL2d。第二像素单元数据线DL2a连接到第二扇出线DL2b，第二扇出线DL2b连接到第二链路布线DL2c，第二链路布线DL2c连接到第二连接布线DL2d。虽然未示出，但第二连接布线DL2d连接到数据驱动单元和接触电极。
第二像素单元数据线DL2a的端部和第二扇出线DL2b的端部彼此叠置，并且通过第四接触孔CH2d彼此连接。第二像素单元数据线DL2a与第二扇出线DL2b叠置的部分可以设置在扇出区FTA中。然而，第二像素单元数据线DL2a与第二扇出线DL2b叠置的部分不限于此，第二像素单元数据线DL2a与第二扇出线DL2b叠置的部分的至少一部分可以设置在显示区DA内。
第二扇出线DL2b的端部和第二链路布线DL2c的端部通过第五接触孔CH2e彼此连接。第二扇出线DL2b与第二链路布线DL2c叠置的部分可以设置在扇出区FTA中。然而，第二扇出线DL2b与第二链路布线DL2c叠置的部分不限于此，第二扇出线DL2b与第二链路布线DL2c叠置的部分的至少一部分可以设置在弯曲区BA内。
第二链路布线DL2c的端部和第二连接布线DL2d的端部通过第六接触孔CH2f彼此连接。第二链路布线DL2c与第二连接布线DL2d叠置的部分可以设置在焊盘区PA中。然而，第二链路布线DL2c与第二连接布线DL2d叠置的部分不限于此，第二链路布线DL2c与第二连接布线DL2d叠置的部分的至少一部分可以设置在弯曲区BA内。
参照图7A，缓冲层BF、第一绝缘膜INS1至第三绝缘膜INS3、钝化层PSV、第四绝缘膜INS4和第五绝缘膜INS5堆叠在显示区DA和非显示区NDA上。弯曲部绝缘膜INS_B、第四绝缘膜INS4和第五绝缘膜INS5在非显示区NDA中堆叠在弯曲区BA的基底上。
第一数据线DL1在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，在扇出区FTA中设置在第一绝缘膜INS1上，在弯曲区BA中设置在弯曲部绝缘膜INS_B上，并且在焊盘区PA中设置在第二绝缘膜INS2上。详细地，第一像素单元数据线DL1a在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，第一扇出线DL1b在扇出区FTA中设置在第一绝缘膜INS1上，第一链路布线DL1c在弯曲区BA中设置在弯曲部绝缘膜INS_B上，第一连接布线DL1d在焊盘区PA中设置在第二绝缘膜INS2上。
暴露第一扇出线DL1b的上表面的一部分的第一接触孔CH2a和第二接触孔CH2b设置在第二绝缘膜INS2和第三绝缘膜INS3中。暴露第一连接布线DL1d的一部分的第三接触孔CH2c设置在第三绝缘膜INS3中。第一像素单元数据线DL1a和第一链路布线DL1c通过第一至第三接触孔CH2a、CH2b和CH2c连接到第一扇出线DL1b和第一连接布线DL1d。
参照图7B，缓冲层BF、第一绝缘膜INS1至第三绝缘膜INS3、钝化层PSV、第四绝缘膜INS4和第五绝缘膜INS5堆叠在显示区DA和非显示区NDA的一部分上。弯曲部绝缘膜INS_B、第四绝缘膜INS4和第五绝缘膜INS5在非显示区NDA中堆叠在弯曲区BA的基底上。
第二数据线DL2在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，在扇出区FTA中设置在第二绝缘膜INS2上，在弯曲区BA中设置在弯曲部绝缘膜INS_B上，并且在焊盘区PA中设置在第一绝缘膜INS1上。详细地，第二像素单元数据线DL2a在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，第二扇出线DL2b在扇出区FTA中设置在第二绝缘膜INS2上，第二链路布线DL2c在弯曲区BA中设置在弯曲部绝缘膜INS_B上，第二连接布线DL2d在焊盘区PA中设置在第一绝缘膜INS1上。
暴露第二扇出线DL2b的上表面的一部分的第四接触孔CH2d和第五接触孔CH2e设置在第三绝缘膜INS3中。暴露第二连接布线DL2d的一部分的第六接触孔CH2f设置在第二绝缘膜INS2和第三绝缘膜INS3中。第二像素单元数据线DL2a和第二扇出线DL2b通过第四接触孔CH2d连接到彼此。第二扇出线DL2b和第二链路布线DL2c通过第五接触孔CH2e连接到彼此。第二链路布线DL2c和第二连接布线DL2d通过第六接触孔CH2f连接到彼此。
图7A和图7B示出的是，弯曲部绝缘膜INS_B仅设置在与第二开口OPN2对应的部分中，但是发明构思不限于此。在发明构思的示例性实施例中，弯曲部绝缘膜INS_B可以填充第二开口OPN2，并且同时可以朝向与第二开口OPN2相邻的区域延伸。
例如，虽然未示出，但是弯曲部绝缘膜INS_B可以覆盖第三绝缘膜INS3的上部的一部分，或者也可以延伸到与第一链路布线DL1c和第二链路布线DL2c相邻的布线之间的接触孔(第二接触孔CH2b、第三接触孔CH2c、第五接触孔CH2e和第六接触孔CH2f中的至少一个)所形成处的部分。
参照图7C，第一数据线DL1的第一扇出线DL1b和第二数据线DL2的第二扇出线DL2b分别设置在彼此不同的层中，并且在平面图上交替地设置。第一扇出线DL1b布置在第一绝缘膜INS1上，而第二扇出线DL2b布置在第二绝缘膜INS2上。
因为第一扇出线DL1b和第二扇出线DL2b具有上述结构，所以可以确保相邻数据线DL之间的宽间隙。如果数据线DL形成在一层上，则相邻数据线DL之间的间隙是较窄的，但是如果数据线DL交替地设置在彼此不同的两层上，则在一层内的相邻数据线DL之间的间隙变宽。因此，增加了用于设计数据线DL的自由度。
参照图7D，第一数据线DL1的第一链路布线DL1c和第二数据线DL2的第二链路布线DL2c设置在同一层上。第一链路布线DL1c和第二链路布线DL2c可以设置在弯曲部绝缘膜INS_B上。第一数据线DL1的第一链路布线DL1c和第二数据线DL2的第二链路布线DL2c在平面图上交替地设置。
根据具有上述结构的显示装置，可以减小数据线的电阻值之间的差和信号的延迟值之间的差。
显示装置的每条布线的宽度或厚度根据形成布线的位置和方法而改变，从而电阻值可以彼此不同。具体地，如果显示区和非显示区在相同工艺中形成，则根据显示区形成布线的作为目标的宽度或厚度，从而在非显示区中的布线的宽度或厚度会偏离原宽度或原厚度。这是因为布线的宽度或厚度根据形成布线时的工艺条件、布线的密度等而改变，难于预料在非显示区中实际形成的布线的正确宽度或正确厚度。当在非显示区中形成布线时，布线会根据它们是形成在第一绝缘膜上还是形成在第二绝缘膜上而具有不同的宽度或厚度，结果，形成在第一绝缘膜上的布线会具有与形成在第二绝缘膜上的布线不同的电阻值。因此，如果预定的数据线仅形成在第一绝缘膜上，而另一数据线仅形成在第二绝缘膜上，则两条数据线之间的电阻值差会较高。布线之间取决于位置的电阻值差引起在施加到数据线的数据信号的电荷量上的差和信号的延迟，结果，会导致在像素区的垂直线中的污点或每个区中的颜色偏差故障。
然而，根据发明构思的示例性实施例的显示装置同时包括一条布线设置在不同层上的部分，因此，可以使布线之间的电阻偏差减小或最小化。如在上述示例性实施例中，第一数据线可以在扇出区中设置第一绝缘膜上，并且可以在焊盘区中设置在第二绝缘膜上。第二数据线可以在扇出区中设置在第二绝缘膜上，并且可以在焊盘区中设置在第一绝缘膜上。与第一数据线和第二数据线仅形成在一个绝缘膜上的相关技术相比，可以显著地减小电阻值偏差。
在发明构思的示例性实施例中，还能够通过不同地设置使第一数据线和第二数据线中的每个部分在非显示区中连接的接触结构来附加地减小两条数据线之间的电阻值差。例如，有相对小电阻的接触结构可以形成在第一数据线和第二数据线之中的其整体电阻被确定为大的布线中。在上述示例性实施例中，描述了第二数据线的延迟值较大的情况，且设置在第二数据线中的接触孔的数目可以大于设置在第一数据线中的接触孔的数目。因此，第二数据线的接触电阻可以小于第一数据线的接触电阻。具体地，在绝缘膜的至少一部分由有机膜形成的情况下的接触电阻可以大于在绝缘膜的至少一部分由无机膜形成的情况下的接触电阻。然而，通过设置多个接触孔，下布线和上布线的接触面积被扩展，从而可以减小接触电阻。因此，可以减小第二数据线的电阻，从而能够附加地补偿在信号线中的信号延迟。
在发明构思的示例性实施例中，描述了设置使第一数据线和第二数据线中的每个部分连接的不同的接触结构(例如，接触孔的数目)，但是发明构思不限于此，设置在第一数据线和第二数据线中的接触孔的数目和接触孔的面积可以是相同的。
根据具有上述结构的显示装置，可以减小第一数据线与第二数据线之间的电阻值偏差和数据信号之间的延迟偏差，从而可以减少可能由于数据信号之间的延迟偏差而发生的缺陷(例如，垂直线的污点或颜色偏差缺陷)。在根据上述示例性实施例的数据线的接触结构中，可以通过设置不同数目的接触孔来减小彼此连接的布线之间的电阻，因此能够更容易地消除或减少电阻偏差。
下面的表1示出了在数据线的位置彼此不同的情况下根据相关技术的显示装置和根据发明构思的示例性实施例的显示装置的布线的电阻。对比示例1涉及根据相关技术的显示装置，并且与第一数据线在扇出区和焊盘区中仅形成在第一绝缘膜上并且第二数据线在扇出区和焊盘区中仅形成在第二绝缘膜上的情况对应。示例性实施例1涉及根据发明构思的示例性实施例的显示装置，并且示出了第一数据线在扇出区中形成在第一绝缘膜上且在焊盘区中形成在第二绝缘膜上以及第二数据线在扇出区中形成在第二绝缘膜上且在焊盘区中形成在第一绝缘膜上的情况。在对比示例1和示例性实施例1中，除了布线的位置之外的全部条件都以相同的方式保持。
表1
参照表1，在第一绝缘膜上的布线的设计宽度与实际形成宽度之间的差为0.38μm，但是在第二绝缘膜上的布线的设计宽度与实际形成宽度之间的差为0.54μm。这可以表明的是，即使在相同的材料和相同的工艺的情况下，布线可以根据其上形成有布线的层而具有彼此不同的宽度。
在对比示例1中，第一数据线与第二数据线之间的电阻差高达312W，但是在示例性实施例1中，第一数据线与第二数据线之间的电阻差仅为5W。这可以表明的是，两条布线之间的电阻偏差可以在示例性实施例1中而不是在对比示例1中显著地减小。
以与表1相同的方式，表2示出了在数据线的位置彼此不同的情况下根据相关技术的显示装置和根据发明构思的示例性实施例的显示装置的布线的电阻。对比示例2涉及根据相关技术的显示装置，示例性实施例2涉及根据发明构思的示例性实施例的显示装置。在对比示例2和示例性实施例2中，除了布线的位置之外的全部条件都以相同的方式保持。
表2
参照表2，在第一绝缘膜上的布线的设计宽度与实际形成宽度之间的差为0.38μm，但是在第二绝缘膜上的布线的设计宽度与实际形成宽度之间的差为0.54μm。这可以表明的是，即使在相同的材料和相同的工艺的情况下，布线根据其上形成有布线的层而具有彼此不同的宽度。
在对比示例2中，第一数据线与第二数据线之间的电阻差高达214W，但是在示例性实施例2中，第一数据线与第二数据线之间的电阻差仅为70W。这可以表明的是，两条布线之间的电阻偏差可以在示例性实施例2中而不是在对比示例2中显著地减小。
根据发明构思的示例性实施例，数据线的结构可以在数据线之间的电阻匹配的范围内变化。在下面的示例性实施例中，为了便于描述的目的，将主要描述与上述示例性实施例不同的点。
图8示出了根据发明构思的实施例的显示装置的数据线，并且是示出与图2的A1对应的部分的平面图。
图9A是沿图8的线IIIa-IIIa'截取的剖视图，图9B是沿图8的线IIIb-IIIb'截取的剖视图，图9C是沿图8的线IIIc-IIIc'截取的剖视图，图9D是沿图8的线IIId-IIId'截取的剖视图，图9E是沿图8的线IIIe-IIIe'截取的剖视图。
参照图8以及图9A至图9E，第一数据线和第二数据线可以在弯曲区中设置在与描述的层不同的层上。
第一数据线DL1在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，在扇出区FTA中设置在第一绝缘膜INS1上，在弯曲区BA中设置在第四绝缘膜INS4上，并且在焊盘区PA中设置在第二绝缘膜INS2上。详细地，第一像素单元数据线DL1a在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，第一扇出线DL1b在扇出区FTA中设置在第一绝缘膜INS1上，第一链路布线DL1c在弯曲区BA中设置在第四绝缘膜INS4上，第一连接布线DL1d在焊盘区PA中设置在第二绝缘膜INS2上。
第一像素单元数据线DL1a通过第一接触孔CH3a连接到第一扇出线DL1b，第一扇出线DL1b通过第二接触孔CH3b连接到第一链路布线DL1c，第一链路布线DL1c通过第三接触孔CH3c连接到第一连接布线DL1d。
第二数据线DL2在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，在扇出区FTA中设置在第二绝缘膜INS2上，在弯曲区BA中设置在第四绝缘膜INS4上，并且在焊盘区PA中设置在第一绝缘膜INS1上。详细地，第二像素单元数据线DL2a在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，第二扇出线DL2b在扇出区FTA中设置在第二绝缘膜INS2上，第二链路布线DL2c在弯曲区BA中设置在第四绝缘膜INS4上，第二连接布线DL2d在焊盘区PA中设置在第一绝缘膜INS1上。
第二像素单元数据线DL2a通过第四接触孔CH3d连接到第二扇出线DL2b，第二扇出线DL2b通过第五接触孔CH3e连接到第二链路布线DL2c，第二链路布线DL2c通过第六接触孔CH3f连接到第二连接布线DL2d。
图10示出了根据发明构思的示例性实施例的显示装置的数据线，并且是示出与图2的A1对应的部分的平面图。
图11A是沿图10的线IVa-IVa'截取的剖视图，图11B是沿图10的线IVb-IVb'截取的剖视图，图11C是沿图10的线IVc-IVc'截取的剖视图，图11D是沿图10的线IVd-IVd'截取的剖视图，图11E是沿图10的线IVe-IVe'截取的剖视图。
参照图10以及图11A至图11E，第一数据线和第二数据线可以在弯曲区中设置在与描述的层不同的层上。
第一数据线DL1在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，在扇出区FTA中设置在第一绝缘膜INS1上，在弯曲区BA中设置在弯曲部绝缘膜INS_B上，并且在焊盘区PA中设置在第二绝缘膜INS2上。详细地，第一像素单元数据线DL1a在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，第一扇出线DL1b在扇出区FTA中设置在第一绝缘膜INS1上，第一链路布线DL1c在弯曲区BA中设置在弯曲部绝缘膜INS_B上，第一连接布线DL1d在焊盘区PA中设置在第二绝缘膜INS2上。
第一像素单元数据线DL1a通过第一接触孔CH4a连接到第一扇出线DL1b，第一扇出线DL1b通过第二接触孔CH4b连接到第一链路布线DL1c，第一链路布线DL1c通过第三接触孔CH4c连接到第一连接布线DL1d。
第二数据线DL2在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，在扇出区FTA中设置在第二绝缘膜INS2上，在弯曲区BA中设置在第四绝缘膜INS4上，并且在焊盘区PA中设置在第一绝缘膜INS1上。详细地，第二像素单元数据线DL2a在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，第二扇出线DL2b在扇出区FTA中设置在第二绝缘膜INS2上，第二链路布线DL2c在弯曲区BA中设置在第四绝缘膜INS4上，第二连接布线DL2d在焊盘区PA中设置在第一绝缘膜INS1上。
第二像素单元数据线DL2a通过第四接触孔CH4d连接到第二扇出线DL2b，第二扇出线DL2b通过第五接触孔CH4e连接到第二链路布线DL2c，第二链路布线DL2c通过第六接触孔CH4f连接到第二连接布线DL2d。
在上述示例性实施例中，第一数据线DL1的第一链路布线DL1c和第二数据线DL2的第二链路布线DL2c在平面图上交替地布置。第一链路布线DL1c设置在弯曲部绝缘膜INS_B上，第二链路布线DL2c设置在第四绝缘膜INS4上。
因为第一链路布线DL1c和第二链路布线DL2c具有上述结构，所以可以确保相邻数据线DL之间的较宽的间隙。如果数据线DL设置在一层上，则相邻数据线DL之间的间隙较窄，但是如果数据线DL交替地设置在两个不同的层上，则在一层上的相邻数据线DL之间的间隙变宽。于是，可以增加设计数据线DL的自由度。
图12示出了根据发明构思的示例性实施例的显示装置的数据线，并且是示出与图2的A1对应的部分的平面图。
图13A是沿图12的线Va-Va'截取的剖视图，图13B是沿图12的线Vb-Vb'截取的剖视图，图13C是沿图12的线Vc-Vc'截取的剖视图，图13D是沿图12的线Vd-Vd'截取的剖视图，图13E是沿图12的线Ve-Ve'截取的剖视图。
参照图12以及图13A至图13E，第一数据线和第二数据线可以在弯曲区中设置有与上述示例性实施例中描述的结构不同的结构。
第一数据线DL1在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，在扇出区FTA中设置在第一绝缘膜INS1上，在弯曲区BA中设置在弯曲部绝缘膜INS_B上，并且在焊盘区PA中设置在第二绝缘膜INS2上。详细地，第一像素单元数据线DL1a在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，第一扇出线DL1b在扇出区FTA中设置在第一绝缘膜INS1上，第一链路布线DL1c在弯曲区BA中设置在弯曲部绝缘膜INS_B上，第一连接布线DL1d在焊盘区PA中设置在第二绝缘膜INS2上。
第一像素单元数据线DL1a通过第一接触孔CH5a连接到第一扇出线DL1b，第一扇出线DL1b通过第二接触孔CH5b连接到第一链路布线DL1c，第一链路布线DL1c通过第三接触孔CH5c连接到第一连接布线DL1d。
第二数据线DL2在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，在扇出区FTA中设置在第二绝缘膜INS2上，在弯曲区BA中设置在第四绝缘膜INS4上，并且在焊盘区PA中设置在第一绝缘膜INS1上。详细地，第二像素单元数据线DL2a在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，第二扇出线DL2b在扇出区FTA中设置在第二绝缘膜INS2上，第二链路布线DL2c在弯曲区BA中设置在第四绝缘膜INS4上，第二连接布线DL2d在焊盘区PA中设置在第一绝缘膜INS1上。
这里，第二扇出线DL2b通过设置在第三绝缘膜INS3上的桥接件BR连接到第二链路布线DL2c，第二链路布线DL2c通过设置在第三绝缘膜INS3上的桥接件BR连接到第二连接布线DL2d。因此，第二像素单元数据线DL2a通过第四接触孔CH5d连接到第二扇出线DL2b，第二扇出线DL2b通过第五接触孔CH5e和CH5e'连接到第二链路布线DL2c，第二链路布线DL2c通过第六接触孔CH5f和CH5f'连接到第二连接布线DL2d。
在示例性实施例中，第一数据线DL1的第一链路布线DL1c和第二数据线DL2的第二链路布线DL2c设置在彼此不同的层上，并且在平面图上交替地设置。于是，可以增加设计数据线DL的自由度。
图14示出了根据发明构思的示例性实施例的显示装置的数据线，并且是示出与图2的A1对应的部分的平面图。
图15A是沿图14的线VIa-VIa'截取的剖视图，图15B是沿图14的线VIb-VIb'截取的剖视图，图15C是沿图14的线VIc-VIc'截取的剖视图，图15D是沿图14的线VId-VId'截取的剖视图，图15E是沿图14的线VIe-VIe'截取的剖视图。
第一数据线DL1在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，在扇出区FTA中设置在第一绝缘膜INS1上，在弯曲区BA中设置在弯曲部绝缘膜INS_B和第四绝缘膜INS4上，并且在焊盘区PA中设置在第二绝缘膜INS2上。详细地，第一像素单元数据线DL1a在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，第一扇出线DL1b在扇出区FTA中设置的第一绝缘膜INS1上，第一链路布线DL1c和DL1c'在弯曲区BA中分别设置在弯曲部绝缘膜INS_B和第四绝缘膜INS4上，第一连接布线DL1d在焊盘区PA中设置在第二绝缘膜INS2上。换言之，第一数据线DL1被设置为在弯曲区BA中分别设置在弯曲部绝缘膜INS_B和第四绝缘膜INS4上的两条线DL1c和DL1c'。所述两条线DL1c和DL1c'可以在平面图上彼此叠置。
第一像素单元数据线DL1a通过第一接触孔CH6a连接到第一扇出线DL1b，第一扇出线DL1b通过第二接触孔CH6b和CH6b'连接到两条第一链路布线DL1c和DL1c'。第一链路布线DL1c和DL1c'通过第三接触孔CH6c和CH6c'连接到第一连接布线DL1d。
第二数据线DL2在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，在扇出区FTA中设置在第二绝缘膜INS2上，在弯曲区BA中设置在弯曲部绝缘膜INS_B和第四绝缘膜INS4上，并且在焊盘区PA中设置在第一绝缘膜INS1上。详细地，第二像素单元数据线DL2a在显示区DA中设置在第三绝缘膜INS3上，第二扇出线DL2b在扇出区FTA中设置在第二绝缘膜INS2上，第二链路布线DL2c和DL2c'在弯曲区BA中分别设置在弯曲部绝缘膜INS_B和第四绝缘膜INS4上，第二连接布线DL2d在焊盘区PA中设置在第一绝缘膜INS1上。换言之，第二数据线DL2被设置为在弯曲区BA中分别设置在弯曲部绝缘膜INS_B和第四绝缘膜INS4上的两条线DL2c和DL2c'。所述两条线DL2c和DL2c'可以在平面图上彼此叠置。
第二像素单元数据线DL2a通过第四接触孔CH6d连接到第二扇出线DL2b，第二扇出线DL2b通过第五接触孔CH6e和CH6e'连接到两条第二链路布线DL2c和DL2c'。第二链路布线DL2c和DL2c'通过第六接触孔CH6f和CH6f'连接到第二连接布线DL2d。
在示例性实施例中，因为设置多条第一链路布线DL1c和多条第二链路布线DL2c，所以可以使第一链路布线DL1c和第二链路布线DL2c的电阻减小或最小化。
在示例性实施例中，因为第一数据线DL1与第二数据线DL2之间的电阻值差被减小或被最小化，所以第一数据线DL1与第二数据线DL2之间的接触结构具体可以不被不同地设置。在发明构思的示例性实施例中，不同地设置在非显示区NDA中将第一数据线DL1和第二数据线DL2中的每个部分连接的接触结构，能够附加地减小两条数据线DL之间的电阻值差。例如，具有相对小的电阻的接触结构可以形成在第一数据线DL1和第二数据线DL2之中的其整体电阻被确定为高的布线中，因此，更多接触孔可以设置在具有较大的数据信号延迟值的数据线中。
如上所述，可以在根据发明构思的示例性实施例的显示装置中改变数据线的结构。
在发明构思的示例性实施例中，可以设置各种驱动单元。在上述示例性实施例中，示出了驱动单元的设置在附加区中的数据驱动单元，但是可以不同地形成驱动单元。
图16是示出根据发明构思的示例性实施例的显示装置的平面图。图17是沿图16的线VII-VII'截取的剖视图，并且示出显示区中像素的一部分和非显示区。
参照图16和图17，根据发明构思的示例性实施例的驱动单元可以不设置为显示基底，而是设置为另一构造元件，诸如以膜上芯片形式或玻璃上芯片形式为例。可选地，驱动单元可以安装在印刷电路板上并且可以通过诸如各向异性导电膜的连接构件连接到基底SUB。图16示出了发明构思的示例性实施例，其中数据驱动单元以膜上芯片(COF)形式制造并且连接到基底SUB。
在示例性实施例中，接触电极CTE可以设置在数据线的端部中。像素PXL可以通过连接到布线的接触电极CTE而连接到通过印刷电路板等实现的驱动单元。
在发明构思的示例性实施例中，作为示例，绿像素、红像素和蓝像素可以被描述为表示第一颜色至第三颜色的像素，但是绿像素、红像素和蓝像素可以在不脱离发明构思的思想的范围内应用于表示其它颜色的像素。
作为示例，发明构思的示例性实施例公开了可以减小或防止通过由于数据线的位置或形状的电阻差而引起的缺陷。发明构思的示例性实施例还可以应用于由于发生信号的延迟的其它原因(例如，取决于颜色的数据电压之间的摆幅宽度差)而发生缺陷的情况。
根据具有上述示例性实施例的显示装置，第一数据线与第二数据线之间的电阻差可以减小，从而可以减少取决于电阻差的缺陷。
根据发明构思的示例性实施例的显示装置可以应用于各种电子装置中。例如，显示装置可以应用于各种可穿戴设备，诸如，电视、笔记本、蜂窝电话、智能电话、智能平板电脑、PMP、PDA、导航装置或智能手表等。
虽然在此已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但其它实施例和修改通过该描述将是明显的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是限于所提出的权利要求和各种明显修改及等同布置的更宽的范围。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区和非显示区；
像素单元，设置在所述显示区中并且被构造为包括多个像素列；以及
多条数据线，分别连接到所述多个像素列并且被构造为向所述多个像素列施加数据信号，
其中，所述非显示区包括顺序布置的扇出区、弯曲区和焊盘区，
其中，各条数据线在所述扇出区和所述焊盘区中设置在不同的层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个像素列包括具有多个像素的第一像素列和具有多个像素的第二像素列。
3.根据权利要求2所述的显示装置，
其中，所述多条数据线包括连接到所述第一像素列的第一数据线和连接到所述第二像素列的第二数据线，
其中，所述第一数据线和所述第二数据线在所述扇出区和所述焊盘区中设置在不同层上。
4.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一绝缘膜、第二绝缘膜和第三绝缘膜，其中：
所述第一绝缘膜至所述第三绝缘膜顺序地设置在所述基底上，
所述第一数据线在所述扇出区中设置在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜中的一层上，
所述第一数据线还在所述焊盘区中设置在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜中的另一层上。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二数据线在所述扇出区中设置在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜中的所述另一层上，并且在所述焊盘区中设置在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜中的所述一层上。
6.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括：
弯曲部绝缘膜，设置在所述基底的所述弯曲区中。
7.根据权利要求6所述的显示装置，
其中，所述第一绝缘膜至所述第三绝缘膜包括使所述基底在所述弯曲区中的一部分暴露的多个开口，
其中，所述弯曲部绝缘膜设置在每个开口内。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一数据线和所述第二数据线在所述弯曲区中设置在所述弯曲部绝缘膜上。
9.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第四绝缘膜，设置在所述第三绝缘膜和所述弯曲部绝缘膜上，
其中，所述第一数据线在所述弯曲区中设置在所述弯曲部绝缘膜和所述第四绝缘膜中的一层上，
其中，所述第二数据线在所述弯曲区中设置在所述弯曲部绝缘膜和所述第四绝缘膜中的另一层上。
10.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第四绝缘膜，设置在所述第三绝缘膜和所述弯曲部绝缘膜上，
其中，所述第一数据线在所述弯曲区中设置在所述弯曲部绝缘膜和所述第四绝缘膜上，
其中，所述第二数据线在所述弯曲区中设置在所述弯曲部绝缘膜和所述第四绝缘膜上。
11.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括多个所述第一像素列和多个所述第二像素列，
其中，所述多个第一像素列和所述多个第二像素列在行方向上交替地设置。
12.根据权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括多条所述第一数据线和多条所述第二数据线，
其中，所述多条第一数据线和所述多条第二数据线在所述行方向上交替地设置。
13.根据权利要求3所述的显示装置，
其中，所述第一像素列在列方向上包括设置在所述显示区中并且表示第一颜色的多个第一像素，
其中，所述第二像素列包括表示第二颜色的多个第二像素和表示第三颜色的多个第三像素，所述多个第二像素和所述多个第三像素在所述列方向上交替地设置。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一颜色是绿色，所述第二颜色是红色，所述第三颜色是蓝色。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述多个第一像素、所述多个第二像素和所述多个第三像素中的至少两种像素的面积是彼此不同的。
16.根据权利要求13所述的显示装置，其中，施加到所述显示区中的所述第一像素列和所述第二像素列的所述数据信号的延迟彼此不同，
所述显示装置还包括接触结构，在所述接触结构中，连接到所述第一像素列的所述第一数据线和连接到所述第二像素列的所述第二数据线具有彼此不同的电阻。
17.根据权利要求16所述的显示装置，
其中，在所述显示区中，施加到所述第一数据线的信号的延迟值大于施加到所述第二数据线的信号的延迟值，
其中，具有较低电阻的接触结构在所述非显示区中连接到所述第一数据线。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，在所述非显示区中，所述第一数据线和所述第二数据线中的每条通过至少一个接触孔彼此连接，且与所述第二数据线相比，所述第一数据线穿过较大数量的接触孔。
19.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
数据驱动单元，安装在所述基底的所述焊盘区中，连接到所述多条数据线，并且提供所述数据信号。
20.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
膜上芯片，连接到所述焊盘区并且被构造为向所述多条数据线提供所述数据信号。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109728043A (zh) * 2018-12-29 2019-05-07 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN113363281A (zh) * 2020-03-05 2021-09-07 群创光电股份有限公司 显示装置
WO2021203320A1 (zh) * 2020-04-08 2021-10-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN113692554A (zh) * 2020-03-13 2021-11-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
WO2022246744A1 (zh) * 2021-05-27 2022-12-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180051739A (ko) * 2016-11-08 2018-05-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107274825B (zh) * 2017-08-18 2020-11-24 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示装置、像素驱动电路及其控制方法
KR102569929B1 (ko) * 2018-07-02 2023-08-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20200017012A (ko) * 2018-08-07 2020-02-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102599507B1 (ko) * 2018-09-17 2023-11-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US11075347B2 (en) * 2018-10-22 2021-07-27 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device
KR102611777B1 (ko) * 2018-12-03 2023-12-07 엘지디스플레이 주식회사 이형 표시장치
CN109671752B (zh) * 2018-12-14 2021-03-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的扇出走线结构及显示面板
CN109545152B (zh) * 2019-01-02 2020-09-01 合肥鑫晟光电科技有限公司 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置
KR20200091987A (ko) 2019-01-23 2020-08-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200094885A (ko) 2019-01-30 2020-08-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20200110490A (ko) * 2019-03-13 2020-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110119225B (zh) * 2019-05-20 2022-05-10 业成科技（成都）有限公司 触控面板
CN110060621B (zh) * 2019-05-31 2022-06-07 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
KR20210005352A (ko) * 2019-07-03 2021-01-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210005362A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210008201A (ko) 2019-07-10 2021-01-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210027641A (ko) * 2019-08-30 2021-03-11 삼성디스플레이 주식회사 표시패널
KR20210033120A (ko) * 2019-09-17 2021-03-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110853511B (zh) * 2019-10-24 2021-07-06 Tcl华星光电技术有限公司 一种阵列基板
CN112786618B (zh) * 2019-11-06 2023-06-13 群创光电股份有限公司 半导体装置
US11488985B2 (en) * 2019-11-06 2022-11-01 Innolux Corporation Semiconductor device
CN111128026A (zh) * 2019-12-30 2020-05-08 业成科技（成都）有限公司 耐弯折结构及显示面板
KR20210099687A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210126841A (ko) * 2020-04-10 2021-10-21 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210130902A (ko) * 2020-04-22 2021-11-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20210149279A (ko) 2020-06-01 2021-12-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN112002697B (zh) * 2020-07-27 2022-10-11 重庆惠科金渝光电科技有限公司 源极侧的扇出结构、阵列基板和显示装置
KR20220052390A (ko) * 2020-10-20 2022-04-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220068296A (ko) * 2020-11-18 2022-05-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113870713B (zh) * 2021-09-29 2023-11-07 成都京东方光电科技有限公司 显示面板及显示装置
KR20230136362A (ko) * 2022-03-18 2023-09-26 매그나칩 반도체 유한회사 디스플레이 패널의 소스 드라이버

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100155729A1 (en) * 2008-12-24 2010-06-24 Sung-Hoon Yang Fan-out unit and thin-film transistor array substrate having the same
US20140071175A1 (en) * 2012-09-12 2014-03-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and driving method thereof
KR101466488B1 (ko) * 2013-06-10 2014-11-28 하이디스 테크놀로지 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
US20150287378A1 (en) * 2014-04-03 2015-10-08 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US20150356937A1 (en) * 2013-01-21 2015-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and display device
US20160174304A1 (en) * 2014-12-10 2016-06-16 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with multiple types of micro-coating layers

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5952920B2 (ja) 1979-03-09 1984-12-21 古河電気工業株式会社 潜熱蓄熱材
US4709167A (en) 1982-08-16 1987-11-24 Analog Devices, Inc. Three-state output buffer with anti-saturation control
KR101380875B1 (ko) 2007-11-05 2014-04-03 삼성디스플레이 주식회사 금속 배선 및 그 형성 방법
KR101888423B1 (ko) 2011-06-10 2018-08-17 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시장치
KR101984199B1 (ko) 2012-10-08 2019-05-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
CN105932025B (zh) * 2016-05-25 2018-11-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
KR20180072303A (ko) * 2016-12-21 2018-06-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100155729A1 (en) * 2008-12-24 2010-06-24 Sung-Hoon Yang Fan-out unit and thin-film transistor array substrate having the same
US20140071175A1 (en) * 2012-09-12 2014-03-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and driving method thereof
US20150356937A1 (en) * 2013-01-21 2015-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and display device
KR101466488B1 (ko) * 2013-06-10 2014-11-28 하이디스 테크놀로지 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
US20150287378A1 (en) * 2014-04-03 2015-10-08 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US20160174304A1 (en) * 2014-12-10 2016-06-16 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with multiple types of micro-coating layers

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109728043A (zh) * 2018-12-29 2019-05-07 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN113363281A (zh) * 2020-03-05 2021-09-07 群创光电股份有限公司 显示装置
TWI741569B (zh) * 2020-03-05 2021-10-01 群創光電股份有限公司 顯示裝置
CN113692554A (zh) * 2020-03-13 2021-11-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN113692554B (zh) * 2020-03-13 2024-05-14 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
WO2021203320A1 (zh) * 2020-04-08 2021-10-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
EP4135042A4 (en) * 2020-04-08 2023-05-31 BOE Technology Group Co., Ltd. ARRAY SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF AND DISPLAY DEVICE
WO2022246744A1 (zh) * 2021-05-27 2022-12-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置

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