CN111952336A - 有机发光显示设备 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种有机发光显示设备，其中多个像素被布置在第一方向及与第一方向交叉的第二方向上，有机发光显示设备包括：有机发光器件，设置在基底上，其中有机发光器件包含在多个像素中的每一个中；像素限定膜，用于覆盖有机发光器件的像素电极的边缘并且具有开口，开口暴露出像素电极的一部分以限定发射区域；以及导电层，在基底与有机发光器件之间。导电层包括在第一方向上延伸的第一延伸部分以及在第二方向上延伸的第二延伸部分。多个像素中的每一个的发射区域与第一延伸部分和第二延伸部分彼此交叉的交叉部分中的一个重叠。

Description

有机发光显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年5月16日提交的韩国专利申请No.10-2019-0057606的优先权和权益，出于所有目的通过参考将其引入，就如在此完全阐述一样。
技术领域
本公开的示例性实施例/实现通常涉及一种有机发光显示设备。
背景技术
通常，有机发光显示设备包括两个电极以及位于它们之间的有机发射层，并且从作为两个电极之一的阴极注入的电子与从作为另一电极的阳极注入的空穴在有机发射层结合在一起以形成激子，并且激子释放能量以发光。
有机发光显示设备包括多个像素，这多个像素包括包含阴极、阳极以及有机发光层的有机发光器件(OLED)，并且每个像素包括用于驱动OLED的多个晶体管以及电容器。多个晶体管基本上包括开关晶体管和驱动晶体管。这种有机发光显示设备具有诸如高响应速度和低功耗的优点。
随着分辨率的增加，OLED、用于驱动OLED的多个晶体管、电容器、以及用于将信号传送到这些元件的导线被布置为彼此重叠，并且因而，可能发生各种问题。
在该背景部分中所公开的以上信息仅用于理解本公开的发明构思的背景，并且因此，可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据本公开的示例性实施例所构造的装置能够提供一种有机发光显示设备，其中可以减小像素之间的特性差异，可以减小不对称的色移现象，并且可以获得极好的可见性。
本公开构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且部分地从该描述将变得显然，或者可以通过实践本公开构思而习得。
根据一个或多个实施例，一种有机发光显示设备，其中多个像素被布置在第一方向及与第一方向交叉的第二方向上，有机发光显示设备包括：有机发光器件，设置在基底上，其中有机发光器件包含在多个像素中的每一个中；像素限定膜，覆盖有机发光器件的像素电极的边缘，并且具有开口，开口被配置为暴露出像素电极的一部分以限定发射区域；以及导电层，设置在基底与有机发光器件之间，其中导电层包括在第一方向上延伸的第一延伸部分以及在第二方向上延伸的第二延伸部分，其中多个像素中的每一个的发射区域与第一延伸部分和第二延伸部分彼此交叉的交叉部分中的一个重叠。
多个像素可以包括发射出彼此不同颜色光的第一像素、第二像素以及第三像素，并且第一像素的发射区域、第二像素的发射区域以及第三像素的发射区域可以均与交叉部分重叠。
第一像素和第二像素可以交替地布置在第一方向和第二方向上，并且第三像素可以设置在以第一像素的中心点和第二像素的中心点作为顶点的虚拟四边形的中心点处。
有机发光显示设备可以进一步包括：薄膜晶体管，设置在基底上；以及第一通孔层和第二通孔层，堆叠在薄膜晶体管与有机发光器件之间，其中：导电层可以设置在第一通孔层与第二通孔层之间，第二延伸部分可以均包括第三导线部分以及与第三导线部分交替的第四导线部分，第三导线部分可以包括与第一延伸部分交叉的第一交叉部分，并且其中第一像素的发射区域或第二像素的发射区域可以均与第一交叉部分中的一个重叠。
第一像素的发射区域的中心点或第二像素的发射区域的中心点可以均与第一交叉部分中的一个重叠。
有机发光显示设备可以进一步包括：在基底之上的薄膜晶体管；以及第一通孔层和第二通孔层，堆叠在薄膜晶体管与有机发光器件之间，其中导电层可以设置在第一通孔层与第二通孔层之间，第二延伸部分可以均包括第三导线部分以及与第三导线部分交替的第四导线部分，第四导线部分可以包括与第一延伸部分交叉的第二交叉部分，并且第三像素的发射区域可以均与第二交叉部分中的一个重叠。
第三像素的发射区域的中心点可以分别与第二交叉部分重叠。
第一延伸部分可以包括第一导线部分以及与第一导线部分交替的第二导线部分，第一像素的发射区域或第二像素的发射区域可以均与第一导线部分中的一个重叠，第三像素的发射区域可以均与第二导线部分中的一个重叠，并且第二导线部分可以均包括在第一方向上彼此间隔开的第一子部分和第二子部分。
导电层可以包括用于将驱动电压传送到多个像素的导线。
第一方向和第二方向可以彼此垂直。
多个像素中的每一个的发射区域的中心点可以与交叉部分中的一个重叠。
多个像素可以包括发射出彼此不同颜色光的第一像素、第二像素以及第三像素，并且第一像素的发射区域的中心点、第二像素的发射区域的中心点以及第三像素的发射区域的中心点的每一个可以与交叉部分中的一个重叠。
多个像素可以被布置成PenTile矩阵结构。
有机发光显示设备可以进一步包括：第一通孔层和第二通孔层，设置在基底与像素电极之间；以及下导电层，设置在基底与第一通孔层之间，其中：导电层可以设置在第一通孔层与第二通孔层之间，并且导电层可以被配置为通过接触孔接触下导电层。
根据一个或多个实施例，一种有机发光显示设备，其中多个像素被布置在第一方向以及与第一方向交叉的第二方向上，有机发光显示设备包括：有机发光器件，设置在基底上，其中有机发光器件包含在多个像素的每一个之中；像素限定膜，覆盖有机发光器件的像素电极的边缘，并且具有开口，开口被配置为暴露出像素电极的一部分以限定发射区域；第一通孔层和第二通孔层，设置在基底与像素电极之间；以及导电层，设置在第一通孔层与第二通孔层之间，其中导电层具有网状结构，网状结构包括由彼此交叉的第一延伸部分和第二延伸部分形成的网孔，其中多个像素的发射区域分别包括相对于网孔的第一拐角部分以及面对第一拐角部分的第二拐角部分的重叠部分。
多个像素的发射区域的中心点可以与导电层重叠。
多个像素可以包括发射出彼此不同颜色光的第一像素、第二像素以及第三像素。
来自网孔当中的至少一个第一网孔以及与第一网孔相邻的第二网孔可以在第二方向上彼此连接。
有机发光显示设备可以进一步包括设置在基底与第一通孔层之间的下导电层，其中导电层可以在第一通孔层与第二通孔层之间，其中导电层可以被配置为通过接触孔接触下导电层。
导电层之上的像素电极的下表面可以包括曲面。
应当理解的是前面的一般描述及下面的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步说明。
附图说明
所包括的以提供对本公开的进一步理解并且被并入并构成本说明书的一部分的附图对本公开的示例性实施例进行说明，并且与该描述一起用于解释本公开的发明构思。
图1是根据示例性实施例的有机发光显示设备的示意平面图。
图2A和图2B是根据示例性实施例的有机发光显示设备的像素的等效电路图。
图3是根据示例性实施例的有机发光显示设备的多个像素的发射区域的示意图。
图4A是对多个像素的发射区域与导电层之间的关系进行说明的示图。
图4B是图4A的部分A的放大图。
图5A是沿着图4A的线I-I'所截取的截面图。
图5B是沿着图4A的线II-II'所截取的截面图。
图6是根据用于与示例性实施例进行比较的比较示例的示图。
图7是根据另一示例性实施例的有机发光显示设备的示意图。
图8A是根据示例性实施例的对于色移的模拟结果。
图8B是根据用于与示例性实施例进行比较的比较示例的对于色移的模拟结果。
具体实施方式
在以下描述中，出于说明的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本公开的各种示例性实施例或实现的透彻理解。如在这里所使用的“实施例”和“实现”是如下可互换的词语，该词语是采用这里所公开的一个或多个发明构思的装置或方法的非限制性示例。然而，显然的是可以在没有这些具体细节的情况下或者利用一个或多个等同布置来实施各种示例性实施例。在其它实例中，以方框图的形式示出了公知的结构和装置以便避免不必要地模糊各个示例性实施例。此外，各个示例性实施例可以是不同的，但不必是排他的。例如，在不脱离本公开的发明构思的情况下，示例性实施例的特定形状、配置以及特征可以在另一示例性实施例中使用或实现。
除非另有说明，否则所示出的示例性实施例被理解为提供可以在实际中实现本公开的发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离本公开的发明构思的情况下可以对各个实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文中单独地或统称为“元件”)进行组合、分离、互换和/或重新布置。
通常提供在附图中使用交叉影线和/或阴影来阐明相邻元件之间的边界。因而，交叉影线或阴影的存在与否都未传达或指示出对特定材料、材料特性、尺寸、比例、所示元件之间的共性、和/或元件的任何其它特征、属性、特性等的任何偏好或要求，除非另有说明。此外，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，元件的大小及相对大小可被放大。当示例性实施例可以不同地实现时，可以与所述顺序不同地执行特定处理顺序。例如，两个连续描述的处理可以基本上同时执行或者以与所述顺序相反的顺序执行。此外，相同附图标记表示相同元件。
当诸如层的元件被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，它可直接在其它元件或层上、直接连接到或直接耦接到其它元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有中间元件的物理连接、电气连接和/或流体连接。出于本公开的目的，“X、Y、Z中的至少一个”以及“从X、Y、Z所组成的组中所选的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者诸如例如XYZ、XYY、YZ以及ZZ的X、Y、Z中的两个或更多个的任何组合。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何和所有组合。
尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因而，在不脱离本公开的教导的情况下，可以将下面所讨论的第一元件称为第二元件。
可以在这里使用诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下部”、“上方”、“上部”、“之上”、“更高”、“侧”(诸如“侧壁”)等的空间相对术语以用于描述目的，并且由此，用于描述附图中所示的一个元件与另一元件的关系。除了附图中所描绘的取向之外，空间相对术语旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随后被定向在其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可涵盖上方和下方的取向。此外，设备可以以其它方式取向(例如旋转90度或在其它取向上)，并且因而，相应地解释这里所使用的空间相对描述符。
这里所使用的术语是为了描述特定实施例的目的并且不是限制性的。如这里所使用的，单数形式“一个(a)”、“一种(an)”、“该/所述(the)”也旨在包括复数形式，除非上下文另有明确说明。此外，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”当在本说明书中使用时指定存在所述特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组，但不排除存在或增加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。还应注意的是如这里所使用的，术语“基本上”、“大约”以及其它类似术语用作近似的术语而不是程度的术语，并且因而，用于解释本领域普通技术人员之一将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
在这里参考作为理想化的示例性实施例和/或中间结构的示意图的截面图示和/或分解图示描述了各个示例性实施例。因而，预期到由于例如制造技术和/或裕度所导致的图示形状的变化。因此，这里所公开的示例性实施例不应被解释为局限于区域的特定示出形状，而是包括由例如制造所导致的形状偏差。按照这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的并且这些区域的形状可以不反映器件的区域的实际形状，并且因而，并非必须是限制性的。
如本领域中的惯例，按照诸如扫描和数据驱动器的功能块、单元和/或模块来对一些示例性实施例进行描述。本领域普通技术人员将理解的是这些块、单元和/或模块是由诸如逻辑电路、分立组件、微处理器、硬布线电路、存储器元件、布线连接等的可以使用基于半导体的制造技术或其它制造技术所形成的电子电路物理地实现的。在块、单元和/或模块是由微处理器或其它类似硬件实现的情况下，可以使用软件(例如微代码)对它们进行编程和控制以执行这里所讨论的各种功能并且它们可以可选地是由固件和/或软件来驱动的。还可以想到每个块、单元和/或模块可以是由专用硬件来实现的或者是作为用于执行一些功能的专用硬件与用于执行其它功能的处理器(例如一个或多个编程的微处理器和相关电路)的组合来实现的。此外，在不脱离本公开的发明构思的范围的情况下，一些示例性实施例的每个块、单元和/或模块可以在物理上被分成两个或更多个相互作用且分立的块、单元和/或模块。此外，在不脱离本公开的发明构思的范围的情况下，可以将一些示例性实施例的块、单元和/或模块物理地组合成更复杂的块、单元和/或模块。
除非另外定义，否则这里所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员之一通常理解的含义相同的含义。诸如在常用词典中所定义的那些术语应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义并且不应该以理想化或过于正式的含义来解释，除非在此明确地如此定义。
图1是根据实施例的有机发光显示设备的示意平面图。
参考图1，有机发光显示设备包括其中显示图像的显示区域DA以及作为周围的非显示区域的外围区域PA。多个像素PX布置在显示区域DA之上以提供特定图像。
每个像素PX发射出例如红光、绿光、蓝光或白光，并且包括有机发光器件OLED。此外，每个像素PX可以进一步包括诸如薄膜晶体管和电容器的装置。
这里所述的像素PX是指发射出如上所述的红光、绿光、蓝光以及白光中的一种的子像素。
作为其不提供图像的区域的外围区域PA可以包括用于提供将被施加到显示区域DA的像素PX的电信号的扫描驱动器和数据驱动器、以及用于提供诸如驱动电压和公共电压的电力的电力线。此外，外围区域PA可以包括端子部分，印刷电路板等可以连接到端子部分。
图2A和图2B是根据实施例的包含在有机发光显示设备中的像素PX的示意性电路图。
参考图2A，每个像素PX包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接至像素电路PC的有机发光器件OLED。
像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2以及存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储电压，该电压与从开关薄膜晶体管T2所接收到的电压和提供给驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD(或驱动电压)之间的差相对应。
驱动薄膜晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流过有机发光器件OLED的驱动电流。有机发光器件OLED可以根据驱动电流发射出具有一定亮度的光。
虽然图2A示出了包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的像素电路PC，但是实施例不局限于此。可以进行各种修改，例如像素电路PC可以包括三个或更多个薄膜晶体管和/或两个或更多个存储电容器。作为示例，如图2B所示像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。
参考图2B，每个像素PX包括像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光器件OLED。像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管和存储电容器。薄膜晶体管和存储电容器可以连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL。
虽然图2B示出了连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL的每个像素PX，但是实施例不局限于此。根据另一实施例，可以在相邻像素之间共用信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL、驱动电压线PL等中的至少一个。
多个薄膜晶体管可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6以及第二初始化薄膜晶体管T7。
信号线包括传送扫描信号Sn的扫描线SL、将前一扫描信号Sn-1传送到第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7的前一扫描线SL-1、将发射控制信号En传送到操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6的发射控制线EL、以及与扫描线SL交叉并传送数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL将驱动电压ELVDD传送到驱动薄膜晶体管T1，并且初始化电压线VL传送用于初始化驱动薄膜晶体管T1和像素电极的初始化电压Vint。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极GE1连接到存储电容器Cst的下电极Cst1。驱动薄膜晶体管T1的驱动源极电极S1通过操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极电极D1通过发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光器件OLED的像素电极。当根据开关薄膜晶体管T2的开关操作将数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管T1时，驱动薄膜晶体管T1将驱动电流IOLED提供给有机发光器件OLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅极电极GE2连接到扫描线SL。开关薄膜晶体管T2的开关源极电极S2连接到数据线DL。开关薄膜晶体管T2的开关漏极电极D2连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源极电极S1并且通过操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。当开关薄膜晶体管T2根据通过扫描线SL所接收到的扫描信号Sn而导通时，开关薄膜晶体管T2执行用于将通过数据线DL所传送的数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管T1的驱动源极电极S1的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅极电极G3连接到扫描线SL。补偿薄膜晶体管T3的补偿源极电极S3连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极电极D1并且通过发射控制薄膜晶体管T6连接到有机发光器件OLED的一个电极。补偿薄膜晶体管T3的补偿漏极电极D3连接到存储电容器Cst的下电极Cst1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏极电极D4、以及驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极GE1。当补偿薄膜晶体管T3根据通过扫描线SL所接收到的扫描信号Sn而导通时，通过连接驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极GE1和驱动漏极电极D1的补偿薄膜晶体管T3使驱动薄膜晶体管T1以二极管方式连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅极电极G4连接到前一扫描线SL-1。第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源极电极S4连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏极电极D7以及初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏极电极D4连接到存储电容器Cst的下电极Cst1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏极电极D3、以及驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极GE1。当第一初始化薄膜晶体管T4根据通过前一扫描线SL-1所接收的前一扫描信号Sn-1而导通时，第一初始化薄膜晶体管T4通过将初始化电压Vint传送到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极GE1来执行用于初始化驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极GE1的电压的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅极电极G5连接到发射控制线EL。操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源极电极S5连接到驱动电压线PL。操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏极电极D5连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源极电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏极电极D2。
发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅极电极G6连接到发射控制线EL。发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源极电极S6连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源极电极S3。发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏极电极D6电连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源极电极S7和有机发光器件OLED的一个电极。
当操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6根据通过发射控制线EL所接收到的发射控制信号En而同时导通时，驱动电压ELVDD被传送到有机发光器件OLED以使得驱动电流IOLED流过有机发光器件OLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅极电极G7连接到前一扫描线SL-1。第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源极电极S7连接到发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏极D6和有机发光器件OLED的一个电极。第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏极电极D7连接到第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源极电极S4以及初始化电压线VL。当第二初始化薄膜晶体管T7根据通过前一扫描线SL-1所接收到的前一扫描信号Sn-1而导通时，第二初始化薄膜晶体管T7初始化有机发光器件OLED。
虽然图2B示出了连接到前一扫描线SL-1的第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7，但是实施例不局限于此。根据另一实施例，第一初始化薄膜晶体管T4可以连接到前一扫描线SL-1且可以根据前一扫描信号Sn-1来驱动，并且第二初始化薄膜晶体管T7可以连接到单独的信号线(例如下一扫描线)且根据传送到信号线的信号来驱动。
存储电容器Cst的上电极Cst2连接到驱动电压线PL，并且有机发光器件OLED的相对电极(阴极)连接到公共电压ELVSS。因此，有机发光器件OLED可以接收来自驱动薄膜晶体管T1的驱动电流IOLED并发光，从而显示图像。
虽然图2B示出了均具有双栅极电极的补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4，但是补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可以均具有一个栅极电极。
图3是根据实施例的有机发光显示设备的多个像素R、G、B的发射区域的示意图。在本实施例中，红色像素R、绿色像素G以及蓝色像素B表示各自像素的发射区域，并且发射区域可以是通过像素限定膜的开口来限定的。下面将对此进行描述。
参考图3，在第一行1N中，红色像素R和蓝色像素B可以交替地布置在第一方向上，并且在与第一行1N相邻的第二行2N中，绿色像素G可以在第一方向上间隔开一定距离。同样地，在第三行3N中，蓝色像素B和红色像素R可以交替地布置，并且在与第三行3N相邻的第四行4N中，绿色像素G可以间隔开一定距离。可以重复这样的像素布置，直到预设行。
布置在第二行2N中的绿色像素G以及第一行1N中的红色像素R和蓝色像素B可以被布置成相对于彼此成之字形。因此，在第一列1M中，红色像素R和蓝色像素B可以交替地布置在第二方向上，并且在第二列2M中，绿色像素G可以在第二方向上间隔开一定距离。可以重复这样的像素布置，直到预设列。在这方面，蓝色像素B和红色像素R的面积可以大于绿色像素G的面积。替代地，蓝色像素B的面积可以大于红色像素R和绿色像素G的面积。
换句话说，在上述像素布置结构中，红色像素R可以布置在来自以绿色像素G的中心点作为四边形的中心点的虚拟四边形VS的顶点当中的彼此面对的第一顶点和第三顶点上，并且蓝色像素B可以布置在作为其它顶点的第二顶点和第四顶点上。在这方面，虚拟四边形VS可以被不同地修改为矩形、菱形、正方形等。
根据一个或多个实施例的像素布置结构不局限于此。例如，在图3中，代替绿色像素G，可以将蓝色像素B布置在虚拟四边形VS的中心点上，可以将红色像素R布置在来自虚拟四边形VS的顶点当中的彼此面对的第一顶点和第三顶点上，并且可以将绿色像素G布置在作为其它顶点的第二顶点和第四顶点上。
这种像素布置结构被称为PenTile矩阵结构并且通过使用其中通过共用相邻像素来呈现颜色的渲染而使得能够以少量像素实现高分辨率。
根据一个或多个实施例的像素布置结构不局限于PenTile矩阵结构。例如，一个或多个实施例可以应用于具有条纹布置、马赛克布置或△布置的像素布置结构。此外，一个或多个实施例也可以应用于进一步包括发射出白光的白色像素的像素布置结构。
在本实施例中，像素可以被分类为第一像素至第三像素。在实施例中，第一像素至第三像素可以分别对应于红色像素R、蓝色像素B以及绿色像素G。
图4A是对多个像素的发射区域OP与导电层CM之间的关系进行说明的示图。图4B是图4A的部分A的放大图。
参考图4A和图4B，根据本实施例的有机发光显示设备可以包括多个像素，并且所述多个像素可以连接到导电层CM。
多个像素可以包括多个红色像素R、多个绿色像素G以及多个蓝色像素B。如上所述，多个像素可以被布置成PenTile结构。
在本实施例中，多个像素可以包括发射区域OP，并且可以通过下面所述的像素限定膜119(参考图5A和图5B)的开口来限定发射区域OP。在一些实施例中，蓝色像素B的发射区域OP3可以大于红色像素R的发射区域OP1以及绿色像素G的发射区域OP2。然而，一个或多个实施例不局限于此。各种实施例都是可能的，例如，红色像素R的发射区域OP1可以大于蓝色像素B的发射区域OP3以及绿色像素G的发射区域OP2。
每个发射区域OP(OP1、OP2、OP3)可以包括发射区域OP的中心点Ct。穿过发射区域OP的中心点Ct的虚拟直线可以把发射区域OP的平面区域对半分。例如，红色像素R的发射区域OP1可以包括红色像素R的发射区域OP1的中心点Ct1。在第一方向上穿过红色像素R的发射区域OP1的中心点Ct1的第一直线ST1可以把红色像素R的发射区域OP1的平面区域对半分。因此，红色像素R的发射区域OP1的两个均等划分的平面区域RS1和RS2可以彼此相同。作为另一示例，绿色像素G的发射区域OP2可以包括绿色像素G的发射区域OP2的中心点Ct2。在第一方向上穿过绿色像素G的发射区域OP2的中心点Ct2的第二直线ST2可以把绿色像素G的发射区域OP2的平面区域对半分。因此，绿色像素G的发射区域OP2的两个均等划分的平面区域GS1和GS2可以彼此相同。作为另一示例，蓝色像素B的发射区域OP3可以包括蓝色像素B的发射区域OP3的中心点Ct3。在第一方向上穿过蓝色像素B的发射区域OP3的中心点Ct3的第三直线ST3可以把蓝色像素B的发射区域OP3的平面区域对半分。因此，蓝色像素B的发射区域OP3的两个均等划分的平面区域BS1和BS2可以彼此相同。
导电层CM可以包括多个第一延伸部分L1和多个第二延伸部分L2。多个第一延伸部分L1和多个第二延伸部分L2可以一体地提供。
第一延伸部分L1可以在第一方向上延伸并且可以连接到布置在同一行中的多个像素。第一延伸部分L1可以包括第一导线部分PL1以及与第一导线部分PL1交替的第二导线部分PL2。例如，沿着第一行1N延伸的第一导线部分PL1可以连接到交替地布置的蓝色像素B和红色像素R。沿着第二行2N延伸的第二导线部分PL2可以连接到绿色像素G。
第二延伸部分L2可以在第二方向上延伸并且可以连接到布置在同一列中的多个像素。第二延伸部分L2可以包括第三导线部分PL3以及与第三导线部分PL3交替的第四导线部分PL4。例如，沿着第一列1M延伸的第三导线部分PL3可以连接到交替地布置的蓝色像素B和红色像素R。沿着第二列2M延伸的第四导线部分PL4可以连接到绿色像素G。
第一延伸部分L1和第二延伸部分L2可以彼此交叉以形成交叉部分C。交叉部分C可以包括第一交叉部分C1和第二交叉部分C2。第一交叉部分C1可以被形成为第三导线部分PL3和第一延伸部分L1彼此交叉，并且第二交叉部分C2可以被形成为第四导线部分PL4和第一延伸部分L1彼此交叉。例如，沿着第一列1M延伸的第三导线部分PL3可以与在第一方向上延伸的第一延伸部分L1交叉以形成第一交叉部分C1。此外，沿着第二列2M延伸的第四导线部分PL4可以与布置在第一方向上的第一延伸部分L1交叉以形成第二交叉部分C2。
蓝色像素B的发射区域OP3或红色像素R的发射区域OP1可以均与第一交叉部分C1中的一个重叠。绿色像素G的发射区域OP2可以均与第二交叉部分C2中的一个重叠。也就是说，多个像素的发射区域OP可以均与交叉部分C中的一个重叠。
在本实施例中，多个像素的发射区域OP的中心点Ct的每一个可以与交叉部分C中的一个重叠。蓝色像素B的发射区域OP3的中心点Ct3或红色像素R的发射区域OP1的中心点Ct1的每一个可以与第一交叉部分C1中的一个重叠，并且绿色像素G的发射区域OP2的中心点Ct2的每一个可以与第二交叉部分C2中的一个重叠。
从不同的角度来看，导电层CM可以具有网状结构，该网状结构包括由彼此交叉的第一延伸部分L1和第二延伸部分L2所形成的网孔MSH。网孔MSH的第一拐角部分N1以及面对第一拐角部分N1的第二拐角部分N2可以相对于多个像素的发射区域OP分别形成重叠部分OVL。另外，多个像素的发射区域OP的中心点Ct可以与导电层CM重叠。
导电层CM可以通过多个接触孔CNT接触下导电层UCM(参考图5A和图5B)。当导电层CM接触下导电层UCM时，导电层CM可以提供与下导电层UCM相同的电压。例如，下导电层UCM和导电层CM可以是用于传送驱动电压ELVDD的导线。由于导电层CM包括第一延伸部分L1和第二延伸部分L2，因此可以在整个显示区域DA上均匀地提供驱动电压ELVDD(参考图1)。
在本实施例中，可以引入导电层CM的这种布置以降低由侧视角所引起的不对称的色移。也就是说，通过将第一延伸部分L1和第二延伸部分L2的交叉部分C设计为分别与多个像素的发射区域OP重叠，可以提高多个像素的发射区域OP的对称性。
在检查根据本实施例的有机发光显示设备的堆叠结构时，以下将参考图5A和图5B来描述导电层CM的影响。图5A是沿着图4A的线I-I'所截取的截面图。图5B是沿着图4A的线II-II'所截取的截面图。
基底110可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)。包括聚合物树脂的基底110可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基底110可以具有多层结构，该多层结构包括包含上述聚合物树脂的层以及无机层(未示出)。
缓冲层111可以在基底110上且由此可以减小或防止异物、水分或外部空气从基底110的底部侵入，并在基底110上提供平坦化的表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机-无机复合材料，并且可以具有包含无机材料和有机材料的单层或多层结构。在基底110与缓冲层111之间可以进一步包含用于防止外部空气侵入的阻挡层(未示出)。在一些实施例中，缓冲层111可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。
用于每个像素R、G、B的至少一个薄膜晶体管TFT可以布置在缓冲层111上。图5A和图5B中所示的薄膜晶体管TFT可以是包含在图2A或图2B的像素电路PC中的薄膜晶体管中的一个。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅极电极GE、源极电极SE以及漏极电极DE。在一些情况下，可以省略源极电极SE和漏极电极DE。另外，源极电极SE或漏极电极DE可以连接到用于传送数据信号Dm的数据线DL(参考图2A或图2B)。栅极电极GE可以连接到用于传送扫描信号Sn的扫描线SL(参考图2A或图2B)。
半导体层Act可以在缓冲层111上并且可以包括多晶硅。根据另一实施例，半导体层Act可以包括非晶硅。根据另一个实施例，半导体层Act可以包括从包含铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)以及锌(Zn)的组中选择出来的至少一种材料的氧化物。半导体层Act可以包括沟道区以及在沟道区的两侧上的源极区和漏极区，源极区和漏极区具有高载流子浓度。源极区和漏极区可以是通过杂质掺杂形成的。
可以提供第一栅极绝缘层112以覆盖半导体层Act。第一栅极绝缘层112可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO)的无机绝缘材料。第一栅极绝缘层112可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
栅极电极GE可以布置在第一栅极绝缘层112上以与半导体层Act重叠。栅极电极GE可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以是单层或多层。例如，栅极电极GE可以是单个Mo层。
可以提供第二栅绝缘层113以覆盖栅极电极GE。第二栅极绝缘层113可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO)的无机绝缘材料。第二栅极绝缘层113可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
存储电容器Cst的上电极Cst2可以在第二栅极绝缘层113上。上电极Cst2可以与上电极Cst2下方的栅极电极GE重叠。在这方面，与在它们之间的第二栅绝缘层113彼此重叠的栅极电极GE和上电极Cst2可以形成存储电容器Cst。也就是说，栅极电极GE可以用作存储电容器Cst的下电极Cst1。
这意味着存储电容器Cst和薄膜晶体管TFT可以形成为彼此重叠。然而，实施例不局限于此。存储电容器Cst可以形成为与薄膜晶体管TFT不重叠。
上电极Cst2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以是包括上述材料的单层或多层。
层间绝缘层115可以覆盖上电极Cst2。层间绝缘层115可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO)的无机绝缘材料。层间绝缘层115可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
源极电极SE和漏极电极DE可以在层间绝缘层115上。源极电极SE和漏极电极DE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以具有包括上述材料的多层或单层结构。例如，源极电极SE和漏极电极DE可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
下导电层UCM可以进一步布置在层间绝缘层115上。也就是说，下导电层UCM可以在与源极电极SE和漏极电极DE相同的层上并且可以包括与源极电极SE和漏极电极DE相同的材料。下导电层UCM可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以具有包括上述材料的多层或单层结构。可以为每个像素B和G布置作为用于传送驱动电压ELVDD的导线的下导电层UCM。下导电层UCM可以与像素限定膜119的作为像素的发射区域OP的开口OP2和OP3重叠。第一通孔层117和第二通孔层118在下导电层UCM与像素电极221G和221B之间，并且因而，尽管下导电层UCM与像素的发射区域OP重叠，但是对发射区域OP没有影响。
第一通孔层117可以覆盖源极电极SE、漏极电极DE以及下导电层UCM。第一通孔层117可以具有平坦的上表面以便布置在其上的导电层CM可以是平坦的。
第一通孔层117可以具有包括膜的单层或多层结构，该膜包含有机材料或无机材料。第一通孔层117可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、PI、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物，具有酚基的聚合物衍生物，丙烯酸类聚合物，酰亚胺基聚合物，芳基醚基聚合物，酰胺基聚合物，氟基聚合物，对二甲苯基聚合物，乙烯醇基聚合物，及其混合物。第一通孔层117可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO)的无机绝缘材料。
导电层CM可以在第一通孔层117上。导电层CM可以通过穿过第一通孔层117的接触孔CNT接触下导电层UCM。参考图5B，导电层CM的第三导线部分PL3可以通过接触孔CNT接触下导电层UCM。
导电层CM可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以是包括上述材料的单层或多层。
第二通孔层118可以覆盖导电层CM。第二通孔层118可以具有包括膜的单层或多层结构，该膜包含有机材料或无机材料。第二通孔层118可以包括诸如BCB、PI、HMDSO、PMMA或PS的通用聚合物，具有酚基的聚合物衍生物，丙烯酸类聚合物，酰亚胺基聚合物，芳基醚基聚合物，酰胺基聚合物，氟基聚合物，对二甲苯基聚合物，乙烯醇基聚合物，及其混合物。第二通孔层118可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO)的无机绝缘材料。
像素电极221B和221G可以在第二通孔层118上。像素电极221B和221G可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或铝氧化锌(AZO)的导电氧化物。根据另一实施例，像素电极221B和221G可以包括反射膜，该反射膜包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物。根据另一实施例，像素电极221B和221G可以进一步包括在上述反射膜上/下的膜，该膜包括ITO、IZO、ZnO或In2O3。在一些实施例中，像素电极221B和221G可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定膜119可以覆盖每个像素电极221B和221G的边缘。像素限定膜119可以具有与各自像素相对应的开口OP2和OP3，也就是说，开口OP2和OP3至少部分地暴露出像素电极221G和221B，并且因而可以限定像素的发射区域OP。也就是说，开口OP2和OP3可以被称为各自像素的发射区域OP。
像素限定膜119可以通过增大像素电极221B和221G的边缘与像素电极221B和221G之上的相对电极223之间的距离来防止在像素电极221B和221G的边缘之上产生电弧等。像素限定膜119可以是用诸如PI、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO以及酚醛树脂的有机绝缘材料通过使用诸如旋涂的方法形成的。
包括有机发射层的中间层222G和222B可以在由像素限定膜119的开口OP2和OP3所暴露出的像素电极221G和221B上。中间层222G和222B可以包括低分子量材料或聚合物材料。当中间层222G和222B包括低分子量材料时，中间层222G和222B可以具有堆叠成单个或复合结构的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等，并且可以包括包含铜酞菁(CuPc)、N,N'-(萘-1-y1)-N、N'-二苯基联苯胺(NB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等的各种有机材料。这些层可以是通过真空沉积形成的。
当中间层222G和222B包括聚合物材料时，中间层222G和222B通常可以具有包括HTL和EML的结构。在这方面，HTL可以包括PEDOT，并且EML可以包括诸如聚苯撑乙烯撑(PPV)基聚合物材料和聚芴基聚合物材料的聚合物材料。中间层222G和222B可以是通过丝网印刷、喷墨印刷或者激光诱导热成像(LITI)形成的。
中间层222G和222B不局限于此并且可以具有各种结构。另外，中间层222G和222B可以包括在多个像素电极221G和221B之上的整体层或者可以包括被图案化为与多个像素电极221G和221B中的每一个相对应的层。
相对电极223可以在中间层222G和222B上。相对电极223可以包括具有低功函数的导电材料。例如，相对电极223可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金。替代地，相对电极223可以在包括上述材料的(半)透明层上进一步包括诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
相对电极223可以一体地形成在多个有机发光器件OLED(G)和OLED(B)上以与多个像素电极221G和221B相对应。
尽管未示出，但是用于保护相对电极223并提高光提取效率的封盖层可以在相对电极223上。封盖层可以包括LiF。替代地，封盖层可以包括诸如氮化硅的无机绝缘材料和/或可以包括有机绝缘材料。在一些实施例中，可以省略封盖层。
此外，根据本申请的有机发光显示设备可以进一步包括用于保护多个有机发光器件OLED免受外部空气影响的密封构件。
密封构件可以包括薄膜封装层，该薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在这方面，无机封装层可以包括来自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅以及氧氮化硅当中的一种或多种无机绝缘材料。有机封装层可以包括聚合物基材料。聚合物基材料可以包括丙烯酸树脂、环氧基树脂、PI以及聚乙烯。薄膜封装层可以包括呈堆叠结构的第一无机封装层、有机封装层以及第二无机封装层。
替代地，通过密封剂或玻璃料接合到基底110的密封基底可以用作密封构件。
可以在密封构件上进一步布置诸如用于感测触摸输入的输入感测构件、包括偏振器和延迟器或滤色器及黑矩阵的防反射构件、以及透明窗口的组件。
在本实施例中，导电层CM与像素限定膜119的开口OP2和OP3重叠。沿着导电层CM的形状，可以在第二通孔层118的上表面上垂直地形成曲面。这样的曲面会影响像素电极221B和221G和/或中间层222B和222G以及多个像素的相对电极223。
形成于发射区域OP内的曲面或台阶会引起在中间层222B和222G中所产生的光的漫反射或垂直/水平不对称反射，并且因此，根据视角(方位角)的颜色可见度可能变化。
如图6的比较示例中所示，当第一延伸部分L1未通过绿色像素G的发射区域OP2时，由于第一延伸部分L1和第四导线部分PL4彼此交叉，因此未形成第二交叉部分C2。因此，虽然相对于绿色像素G而言导电层CM在第一方向和第二方向上布置在红色像素R和蓝色像素B的下方，但是导电层CM可以仅布置在第二方向上。在红色像素R和蓝色像素B与绿色像素G之间，与每个像素的发射区域OP重叠的导电层CM的布置可以不同。也就是说，形成于红色像素R和蓝色像素B内部的曲面或台阶可以与形成于绿色像素G内部的曲面或台阶不同。因此，根据视角(方位角)的色移可能增大。
为了减少这种现象，在本实施例中，第一延伸部分L1和第二延伸部分L2被布置为在每个像素的发射区域OP之上彼此重叠。此外，多个像素的发射区域OP的中心点Ct分别包含在第一延伸部分L1和第二延伸部分L2的交叉部分C中。也就是说，与多个像素的发射区域OP重叠的导电层CM的布置可以是相同的。当由于导电层CM而形成于发射区域OP内部的曲面或台阶形成对称时，根据方位角的色移会减小。
图7是根据另一示例性实施例的有机发光显示设备的示意图。在图7中，与图4A和图6相同的元件被标上相同的附图标记，并且因而，省略其重复描述。
参考图7，根据另一实施例的有机发光显示设备可以包括多个像素并且多个像素可以连接到导电层CM。第一延伸部分L1可以包括第一导线部分PL1以及与第一导线部分PL1交替的第二导线部分PL2。
在本实施例中，第一导线部分PL1可以与蓝色像素B的发射区域OP3或红色像素R的发射区域OP1重叠。第二导线部分PL2可以与绿色像素G的发射区域OP2重叠并且可以包括在第一方向上间隔开的第一子部分PLS1和第二子部分PLS2。交叉部分C可以包括第一交叉部分C1和第二交叉部分C2。第一导线部分PL1和第三导线部分PL3可以彼此交叉以形成第一交叉部分C1。第二导线部分PL2和第四导线部分PL4可以彼此交叉以形成第二交叉部分C2。第二导线部分PL2和第三导线部分PL3可以不彼此交叉。因此，导电层CM可以布置在绿色像素G的发射区域OP2下方以具有十字(+)形状。
从不同的角度来看，导电层CM可以具有网状结构，该网状结构包括由彼此交叉的第一延伸部分L1和第二延伸部分L2所形成的网孔MSH，并且来自网孔MSH当中的至少一个第一网孔MSH1以及与第一网孔MSH1相邻的第二网孔MSH2可以在第二方向上彼此连接。
多个像素的发射区域OP内的导电层CM的布置可以相同。当由于导电层CM而形成于发射区域OP内部的曲面或台阶形成对称时，根据视角(方位角)的色移会减小。
在下文中，将通过模拟结果来描述对称地布置在多个像素的发射区域内的导电层的效果。
图8A是根据示例性实施例的对于色移的模拟结果。图8B是根据用于与示例性实施例进行比较的比较示例(图6的实施例)的对于色移的模拟结果。
图8A示出了与参考颜色坐标相比在给定视角(方位角)的白角差(WAD)变化结果。上述模拟结果表明WAD根据视角(方位角)的变化是恒定的。
参考图8B，可以发现与参考颜色坐标相比WAD的变化与根据视角(方位角)的本实施例中的WAD的变化不同。特别地，在垂直方向(90度至270度)上的WAD变化差是显著的。
根据本实施例，可以在多个发射区域内对称地形成导电层CM的台阶以减小根据视角(方位角)的WAD变化。根据本实施例，与比较示例相比，与参考颜色坐标相比的色移可以减小75％。
根据一个或多个实施例，在保持像素之间的均匀特性的同时，可以降低不对称的色移现象并且可以获得WAD的均匀性。
尽管这里已经描述了某些示例性实施例和实现，但是从该描述将显然地得知其它实施例和修改。因此，本公开的发明构思不局限于这样的实施例，而是限于所附权利要求的更宽范围以及对本领域普通技术人员显然的各种明显修改和等同布置。

Claims (20)

1.一种有机发光显示设备，其中多个像素被布置在第一方向及与所述第一方向交叉的第二方向上，所述有机发光显示设备包括：
有机发光器件，设置在基底上，其中所述有机发光器件包含在所述多个像素中的每一个中；
像素限定膜，覆盖所述有机发光器件的像素电极的边缘，并且具有开口，所述开口被配置为暴露出所述像素电极的一部分以限定发射区域；以及
导电层，设置在所述基底与所述有机发光器件之间，
其中所述导电层包括在所述第一方向上延伸的第一延伸部分以及在所述第二方向上延伸的第二延伸部分，
其中所述多个像素中的每一个的所述发射区域与所述第一延伸部分和所述第二延伸部分彼此交叉的交叉部分中的一个重叠。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中：
所述多个像素包括发射出彼此不同颜色光的第一像素、第二像素以及第三像素，并且
所述第一像素的发射区域、所述第二像素的发射区域以及所述第三像素的发射区域均与所述交叉部分重叠。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示设备，其中：
所述第一像素和所述第二像素交替地布置在所述第一方向和所述第二方向上，并且
所述第三像素设置在以所述第一像素的中心点和所述第二像素的中心点作为顶点的虚拟四边形的中心点处。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示设备，其中，所述有机发光显示设备进一步包括：
薄膜晶体管，设置在所述基底上；以及
第一通孔层和第二通孔层，堆叠在所述薄膜晶体管与所述有机发光器件之间，
其中：
所述导电层设置在所述第一通孔层与所述第二通孔层之间，
所述第二延伸部分均包括第三导线部分以及与所述第三导线部分交替的第四导线部分，
所述第三导线部分包括与所述第一延伸部分交叉的第一交叉部分，并且
其中所述第一像素的所述发射区域或所述第二像素的所述发射区域均与所述第一交叉部分中的一个重叠。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示设备，其中：
所述第一像素的所述发射区域的中心点或所述第二像素的所述发射区域的中心点均与所述第一交叉部分中的一个重叠。
6.根据权利要求3所述的有机发光显示设备，其中，所述有机发光显示设备进一步包括：
薄膜晶体管，在所述基底之上；以及
第一通孔层和第二通孔层，堆叠在所述薄膜晶体管与所述有机发光器件之间，
其中：
所述导电层设置在所述第一通孔层与所述第二通孔层之间，
所述第二延伸部分均包括第三导线部分以及与所述第三导线部分交替的第四导线部分，
所述第四导线部分包括与所述第一延伸部分交叉的第二交叉部分，并且
所述第三像素的所述发射区域均与所述第二交叉部分中的一个重叠。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中：
所述第三像素的所述发射区域的中心点分别与所述第二交叉部分重叠。
8.根据权利要求2所述的有机发光显示设备，其中：
所述第一延伸部分包括第一导线部分以及与所述第一导线部分交替的第二导线部分，
所述第一像素的所述发射区域或所述第二像素的所述发射区域均与所述第一导线部分中的一个重叠，
所述第三像素的所述发射区域均与所述第二导线部分中的一个重叠，并且
所述第二导线部分均包括在所述第一方向上彼此间隔开的第一子部分和第二子部分。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中：
所述导电层包括用于将驱动电压传送到所述多个像素的导线。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中：
所述第一方向和所述第二方向彼此垂直。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中：
所述多个像素中的每一个的所述发射区域的中心点与所述交叉部分中的一个重叠。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示设备，其中：
所述多个像素包括发射出彼此不同颜色光的第一像素、第二像素以及第三像素，并且
所述第一像素的发射区域的中心点、所述第二像素的发射区域的中心点以及所述第三像素的发射区域的中心点均与所述交叉部分中的一个重叠。
13.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中：
所述多个像素可以被布置成PenTile矩阵结构。
14.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述有机发光显示设备进一步包括：
第一通孔层和第二通孔层，设置在所述基底与所述像素电极之间；以及
下导电层，设置在所述基底与所述第一通孔层之间，
其中：
所述导电层设置在所述第一通孔层与所述第二通孔层之间，并且
所述导电层被配置为通过接触孔接触所述下导电层。
15.一种有机发光显示设备，其中多个像素被布置在第一方向以及与第一方向交叉的第二方向上，所述有机发光显示设备包括：
有机发光器件，设置在基底上，其中所述有机发光器件包含在所述多个像素中的每一个中；
像素限定膜，覆盖所述有机发光器件的像素电极的边缘，并且具有开口，所述开口被配置为暴露出所述像素电极的一部分以限定发射区域；
第一通孔层和第二通孔层，设置在所述基底与所述像素电极之间；以及
导电层，设置在所述第一通孔层与所述第二通孔层之间，其中所述导电层具有网状结构，所述网状结构包括由彼此交叉的第一延伸部分和第二延伸部分形成的网孔，
其中所述多个像素的发射区域分别包括相对于所述网孔的第一拐角部分以及面对所述第一拐角部分的第二拐角部分的重叠部分。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示设备，其中：
所述多个像素的所述发射区域的中心点与所述导电层重叠。
17.根据权利要求15所述的有机发光显示设备，其中：
所述多个像素包括发射出彼此不同颜色光的第一像素、第二像素以及第三像素。
18.根据权利要求15所述的有机发光显示设备，其中：
来自所述网孔当中的至少一个第一网孔以及与所述第一网孔相邻的第二网孔在所述第二方向上彼此连接。
19.根据权利要求15所述的有机发光显示设备，其中，所述有机发光显示设备进一步包括：
下导电层，设置在所述基底与所述第一通孔层之间，
其中：
所述导电层设置在所述第一通孔层与所述第二通孔层之间，并且
所述导电层被配置为通过接触孔接触所述下导电层。
20.根据权利要求15所述的有机发光显示设备，其中：
所述导电层之上的所述像素电极的下表面包括曲面。
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