CN107871542A

CN107871542A - 银糊和电子元件

Info

Publication number: CN107871542A
Application number: CN201710873549.5A
Authority: CN
Inventors: 立花宽己
Original assignee: Noritake Co Ltd
Current assignee: Noritake Co Ltd
Priority date: 2016-09-27
Filing date: 2017-09-25
Publication date: 2018-04-03
Anticipated expiration: 2037-09-25
Also published as: TW201815990A; KR102374901B1; TWI754669B; JP2018055883A; KR20180034235A; JP6967845B2; CN107871542B

Abstract

本发明涉及银糊和电子元件。本发明提供可以形成电阻率低的布线的银糊。根据本发明提供用于形成电子元件的电极的银糊。该银糊包含第1银粉末、相对于该第1银粉末平均粒径相对小的第2银粉末、粘结剂树脂和分散介质。第1银粉末满足下述(A1)～(A4)的全部条件。(A1)加热至600℃时的灼烧失重为0.05％以下；(A2)振实密度为5g/cm³以上；(A3)最大长径比为1.4以下；(A4)基于BET法的比表面积为0.8m²/g以下。第2银粉末满足(B1)加热至600℃时的灼烧失重为0.05％以下。并且，第1银粉末的平均粒径(D_L50)与第2银粉末的平均粒径(D_S50)之比(D_L50/D_S50)为5以上。

Description

银糊和电子元件

技术领域

本发明涉及可以适宜用于电子元件的布线的形成等的银糊和使用该银糊形成的电子元件。

本申请基于2016年9月27日提交的日本专利申请2016-188354号要求优先权，该申请的全部内容作为参考并入本说明书。

背景技术

电气·电子设备用的电子元件中，广泛采用不使用导线，而在绝缘性基板上印刷相当于导线的、包含导电性材料的粉末进行布线的技术。用于形成布线的导电性材料一般以与粘合剂一同分散于分散介质而成的导电性糊剂的方式供于印刷。

导电性糊剂根据用途区别使用各种种类。例如，在要求特别高导电性(低电阻率特性)的用途中，作为导电性材料，使用包含银粉末的银糊。与其相对，在比较想要抑制成本的用途等中，使用包含铜粉末、铝粉末、镍粉末等的导电性糊剂等。另外，例如，对于使用环境、制造环境为高温的电子元件等，使用通过焙烧对基板焙烧的焙烧型的糊剂。另外，对于不能暴晒于高温的电子元件等，使用在低温下通过加热固化使其固着在基板的加热固化型的糊剂。作为涉及焙烧型的银糊的现有技术，例如可列举出专利文献1～3。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利申请公开2009-062558号公报

专利文献2：日本专利申请公开2011-181538号公报

专利文献3：日本特许第4805621号公报

专利文献4：日本特许第5146419号公报

发明内容

发明要解决的问题

专利文献1为涉及LTCC(低温同時焙烧陶瓷)布线基板用的导电性糊剂的技术，公开有为了抑制裂缝、脱层的发生，使用表面具有凹凸的多面体状的银颗粒。另外专利文献2为涉及太阳能电池元件的电极形成用的导电性糊剂的技术，公开有导电性糊剂中包含规定性状的银颗粒和玻璃粉。专利文献3为涉及焙烧收缩小且焙烧后的电阻值低的导电性糊剂的技术，使用用雾化法和湿式还原法制造的平均粒径不同的2种银粉末。

这样的焙烧型的导电性糊剂已知在比较高的焙烧温度下焙烧时可以形成电阻率更低的银电极(布线)。例如，对于现有的导电性糊剂，在600℃～700℃的焙烧温度这样的比较低温下焙烧时得到的电极的电阻率(以下仅称“电阻率”、“比电阻”等。)为2.3μΩ·cm左右以上，与其相对，在800℃以上的高温下焙烧时得到的电极的电阻率为2.1μΩ·cm左右以上。该值根据用途是充分低的电阻率。然而，例如，块银的电阻率的理论值为1.6μΩ·cm，因此对于银电极要求更高水平(例如2μΩ·cm以下)的低电阻化。进一步，要求在更低焙烧温度下达成该低电阻值。

本发明是鉴于上述事实而完成的，其目的在于提供例如通过更低温度(例如600℃左右)下焙烧可以形成电阻率低的布线的银糊。另一方面在于提供使用该银糊的电子元件。

用于解决问题的方案

为了解决上述现有技术的课题，此处公开的技术提供为了形成电子元件的电极而使用的银糊。该银糊包含第1银粉末、相对于上述第1银粉末平均粒径相对小的第2银粉末、粘结剂树脂和分散介质。该第1银粉末满足以下(A1)～(A4)的全部条件：(A1)加热至600℃时的灼烧失重为0.05％以下；(A2)振实密度为5g/cm³以上；(A3)最大长径比为1.4以下；(A4)基于BET法的比表面积为0.8m²/g以下。且第2银粉末满足(B1)加热至600℃时的灼烧失重为0.05％以下。并且，第1银粉末的平均粒径(D_L50)与第2银粉末的平均粒径(D_S50)之比(D_L50/D_S50)为5以上。

本发明人等为了能够实现迄今没有的低电阻率的电极形成用银糊的实现反复进行了深入研究，到目前为止，想到使用适宜组合上述(A1)～(A4)所示的4个性状、调节至规定范围的银粉末，接着将该银粉末供给到基材上并进行焙烧，从而抑制焙烧体中的孔隙的形成，形成与已有相比低电阻的电极(作为导体膜得到。)(日本特愿2015-253416)。然而，该技术中，对于将银粉末在600℃下低温焙烧时得到的电极，电阻率的进一步降低还有研究的余地。于是此处公开的技术中，在具备上述(A1)～(A4)性状的第1银粉末的基础上，组合使用更小粒径的第2银粉末，从而即使是在600℃下的低温焙烧时，也能形成更低电阻的电极。由此，例如，在600℃下焙烧时，与仅使用第1银粉末的情况相比，可以形成更低电阻的电极。例如，可以实现电阻率不足2.1μΩ·cm的低电阻的电极。

需要说明的是，本说明书中“灼烧失重(Ig-loss)”是表示将银粉末从室温加热直至600℃时的质量减少的比率(％)的指标。该灼烧失重可以基于JIS K0067：1992规定的化学制品的失重和残余物试验方法测定。

另外，本说明书中的“振实密度”是表示在规定容器内将银粉末振实1000次后的粉末的表观密度的指标。振实密度的测定可以基于JIS Z2512：2012规定的金属粉-振实密度测定方法进行测定。

进一步，本说明书中的“最大长径比”是在电子显微镜观察中，分别在3视野以上的观察图像中，对于认为是长径比最高的3个银颗粒测定的长径比的算术平均值的含义。

本说明书中的“比表面积”是通过气体吸附法测定的银粉末的气体分子吸附等温特性基于BET法解析得到的比表面积。该比表面积可以基于JIS Z8830：2013(ISO 9277：2010)规定的气体吸附的粉体(固体)的比表面积测定方法进行测定。

然而，专利文献3中如上所述，公开了在构成导电性糊剂时，使用用雾化法制造的平均粒径为5μm以下的第1银粉末和用湿式还原法得到的、平均粒径1.0～2.0μm的微粉和平均粒径为0.2～0.6μm的超微粉。然而，该技术中，降低导电性糊剂的焙烧收缩，抑制裂缝、基板的破损的发生，形成低电阻的厚膜导体膜。因此，像本申请这样，关于通过焙烧实现迄今没有的水平的低电阻率的构成既没有公开也没有启示。

另外，专利文献4中公开了使用以下混合导电粉：在构成导电性糊剂时，颗粒的80％以上为单分散，包含长径比为1.0以上且不足1.5的导电性的球状颗粒(A2)和比上述球状颗粒(A2)粒径小的、长径比为1.0以上且不足1.5的导电性的球状颗粒(B2)，上述球状颗粒(A2)的平均粒径为上述球状颗粒(B2)的平均粒径的2～50倍，以体积比计，上述球状颗粒(A2)：上述球状颗粒(B2)为95：5～55：45，相对填充密度为69％以上。该技术中，着眼于导电性颗粒的粉体状态的填充性的提高，但在对于焙烧时的致密性没有研究的方面，与想要提高焙烧后的电极的致密性的本申请发明本质上不同。

此处公开的银糊的优选的一个方式中，(A5)第1银粉末的平均粒径为1.5μm以上且3μm以下。通过这样的构成，可以适宜地满足组合使用大粒径的第1银粉末和小粒径的第2银粉末、并且使第1银粉末的上述4个性状平衡良好。

此处公开的银糊的优选的一个方式的特征在于(A6)第1银粉末的比重为10.4g/cm³以上。此处公开的技术的目的在于更高水平的电极的低电阻率化。因此，构成第1银粉末的银颗粒自身优选不含孔隙、比重高者。通过这样的构成，可以更确实地形成电阻率低的银电极。

此处公开的银糊的优选的一个方式中，第2银粉末的平均粒径为0.5μm以下。通过这样的构成，可以简便地满足组合使用大粒径的第1银粉末和小粒径的第2银粉末、并且使第1银粉末的上述4个性状平衡良好，而优选。

此处公开的银糊的优选的一个方式中，其被构成为在700℃以上800℃以下的温度范围内焙烧时得到的银焙烧物的电阻率达到2μΩ·cm以下。由此，可以稳定地形成电阻率为2μΩ·cm以下的电极。

此处公开的银糊的优选的一个方式中，其被构成为在600℃下焙烧时得到的银焙烧物的电阻率达到不足2.1μΩ·cm。由此，即使是600℃这样的较低温下的焙烧，可以稳定地形成电阻率不足2.1μΩ·cm的电极，与不使用小粒径的第2银粉末时相比，可以形成低电阻的电极。

此处公开的银糊的优选的一个方式中，其被构成为在超过600℃且900℃以下的温度范围内焙烧时得到的银焙烧物的电阻率达到1.9μΩ·cm以下。通过这样的构成，使焙烧温度更高，从而可以稳定地形成电阻率更低的电极。

如上所述，通过此处公开的技术，通过焙烧孔隙的形成受到抑制的低电阻的银电极可以通过在例如600℃这样的较低温下焙烧来形成。另外，该银电极可以通过对以任意的形状印刷在基材上的印刷体进行焙烧而简便地形成。因此，例如可以特别适用于为在350℃～500℃的温度范围内使用、或在高温下制造的电子元件，特别是要求低电阻率的电极的用途的电子元件。从该观点来看，此处公开的技术还提供具备该银电极的电子元件。

附图说明

图1为概念性说明使用一个实施方式的银糊形成的层叠片式电感器的构成的剖面图。

图2为将一个实施方式的银糊焙烧得到的银电极的剖面SEM像。

图3为将现有的银糊焙烧得到的银电极的剖面SEM像。

附图标记说明

1 层叠片式电感器

10 电子元件主体

12 电介质层

20 外部电极

22 内部电极

具体实施方式

以下说明本发明的适宜的实施方式。需要说明的是，本说明书除了特别说明的事项(例如，银粉末的性状)以外的事情、即对于本发明的实施必要的事情(例如，银糊的供给方法、电子元件的构成等)可以基于根据本说明书教导的技术内容和本领域技术人员的一般的技术常识进行理解。本发明可以基于本说明书公开的内容和该领域的技术常识实施。需要说明的是，本说明书中表示范围的“A～B”的标记是A以上且B以下的含义。

[银粉末]

此处公开的银粉末是用于形成电子元件等中的导线的导电性(以下有时仅称“导电性”。)高的导体膜的材料。导体膜对其形态没有限制，可以是称作布线等的形态，也可以是称作电极等的形态。以下将该导体膜称作电极进行说明。银(Ag)由于没有金(Au)那样昂贵、难以被氧化且导电性优异，优选作为电极材料。银粉末只要是以银为主成分的粉末(颗粒的集合)就对其组成没有特别的限制，可以使用具备所期望的导电性、其它物性的银粉末。此处主成分是构成银粉末的成分之中的最大成分的含义。作为银粉末，例如可列举出，由银和银合金以及它们的混合物或复合体等构成的粉末作为一个例子。作为银合金，例如可列举出银-钯(Ag-Pd)合金、银-铂(Ag-Pt)合金、银-铜(Ag-Cu)合金等作为优选的例子。例如，可以使用芯由银以外的铜、银合金等金属构成，覆盖芯的壳由银形成的芯壳颗粒等。银粉末存在其纯度(含量)越高导电性越高的倾向，因此优选使用纯度高者。银粉末优选为纯度95％以上，更优选为97％以上，特别优选为99％以上。通过此处公开的技术，例如，使用纯度为99.5％程度以上(例如99.8％程度以上)的银粉末，也可以形成极低电阻的电极。需要说明的是，在该观点中，此处公开的技术中，例如使用纯度99.99％以下(99.9％以下)的银粉末，也可以充分地形成低电阻的电极。

上述银粉末通过焙烧而一体化，形成电极。即，与通过树脂粘结剂等粘合剂而一体化的用途的银粉末的电极形成工艺不同，从而可明确区别。构成银粉末的银颗粒随着焙烧时的烧结，多个颗粒一体化而表观体积减少。即，银颗粒在烧结时位置移动。另外，银颗粒随着烧结，理想的是形状以失去颗粒间隙的方式变化。此处公开的技术中，调节银粉末的各种性状以使焙烧时银颗粒更致密地填充、形成孔隙少的电极。

即、此处公开的技术中，银粉末包含平均粒径相对大的第1银粉末和相对于该第1银粉末平均粒径相对小的第2银粉末。它们在焙烧时对互相的性状进行限定以更良好地失去颗粒间隙。以下对于各银粉末进行说明。

[第1银粉末]

第1银粉末可以是通过在焙烧过程中构成银粉末的银颗粒彼此烧结而构成银电极的主体的要素。在该烧结中，银颗粒一般在熔点以下的温度下软化·熔融，随着固态的原样或者液态引起物质移动而致密一体化。而且通过其后的放热物质移动停止，得到烧结体。对于这样的第1银粉末，(A1)灼烧失重、(A2)振实密度、(A3)最大长径比和(A4)比表面积被限定为处于规定范围。以下对于各物性值进行说明。

(A1)灼烧失重(Ig-loss)

灼烧失重是表示将银粉末从室温加热直至600℃时的质量减少量的比率(％)的指标。通过这样的加热减少的成分为焙烧时燃烧掉的成分(挥发成分)，将第1银粉末焙烧时能够阻碍银颗粒圆滑的移动和填充。另外，焙烧中残留在银电极内，能够形成气泡。认为该挥发成分主要由有机物构成，例如可以是来自为了提高银粉末的分散性而在银粉末的表面附着的分散剂、表面活性剂等的成分。此处公开的技术中，应抑制上述银颗粒的填充性的降低，将银粉末的灼烧失重限定为0.05％以下。该灼烧失重优选为0.045％以下，更优选为0.04％以下，特别优选为0.035％以下。灼烧失重取决于测定装置的性能，实质上可以为0％。

(A2)振实密度

振实密度是表示将容器中自然填充的粉体的聚集产生的空隙通过根据规定轻敲条件的冲击而解除时的、轻压实状态的体积密度的指标。此处，采用轻敲的条件设定为振实高度：5cm、振实速度：100次/分、轻敲次数：1000次时的振实密度。银粉末的振实密度过低则向基材上供给时的银颗粒的排列容易变得空隙大，进一步，焙烧时银颗粒移动时填充性变得难以提高，故不优选。从该观点来看，此处公开的技术中，第1银粉末的振实密度规定为5g/cm³以上。振实密度优选为5.1g/cm³以上，更优选为5.2g/cm³以上，特别优选为5.3g/cm³以上。对振实密度的上限没有特别的限制。粉体的密度存在振实密度＜表观密度≤比重的关系。因此，由第1银粉末的平均粒径等算出的最密填充密度、进而更接近银的比重(10.50g/cm³)是优选的。

(A3)最大长径比

此处公开的第1银粉末供于焙烧，从而构成第1银粉末的银颗粒越接近正球形填充性变得越好、能够密实地构成作为焙烧物的电极。因此，妨碍该焙烧时的填充性的非球形颗粒的存在是不优选的。此处公开的技术中，第1银粉末中的银颗粒的最大长径比限制为1.4以下，从而可以确保构成第1银粉末的银颗粒的填充性为高。需要说明的是，形状偏离正球的颗粒最能够阻碍颗粒的填充性，认为这归咎于电极的更大的孔隙的形成。从这样的观点来看，不是将平均长径比而是将最大长径比作为评价的指标。第1银粉末的最大长径比优选为1.35以下，更优选为1.3以下，特别优选为1.25以下。

需要说明的是，本说明书中，最大长径比是如下含义：电子显微镜观察中的3视野以上的观察图像中分别选择认为长径比最高的3个银颗粒，对于这些银颗粒测定的长径比的算术平均值。另外，长径比是将观察图像内的银颗粒的最大长径(最大长度)作为a、与该最大长径垂直的银颗粒的最大宽度作为b时，按照“a/b”的形式算出的指标。

(A4)比表面积

比表面积为第1银粉末具备的表面积按照每单位重量的形式表示的值，是能够反映构成第1银粉末的银颗粒的大小和表面形态的指标。一般对于平均粒径相同的粉体，存在比表面积越大颗粒的形状距离正球形越远的倾向。因此，此处公开的技术中规定使用基于BET法的比表面积为0.8m²/g以下的银粉末。需要说明的是，该0.8m²/g的比表面积相当于直径为约0.7μm的正球的银颗粒的比表面积。本发明中，作为用于形成电子元件的电极使用的银粉末，根据该值评价适当与否。银粉末的比表面积优选为0.75m²/g以下，更优选为0.65m²/g以下，特别优选为0.6m²/g以下。需要说明的是，比表面积小也意味着第1银粉末的平均粒径粗大。因此，不能根据电子元件的用途一概而论，基于BET法的比表面积大致优选为0.1m²/g以上，更优选为0.15m²/g以上。

此处公开的技术，如上所述，为了将第1银粉末的焙烧时的填充性更良好地提高，采用组合上述4个指标，将其值调节至最适值。因此，为了形成更低电阻的电极，第1银粉末同时满足上述4个要件不可或缺。由此，将该第1银粉末在比块银的熔点(约962℃)更低温下焙烧时，可以得到更致密的焙烧物。进而，可以形成电阻率低的电极。

(A5)平均粒径

需要说明的是，第1银粉末的平均粒径只要满足上述要件就没有特别的限定。然而，从可以适用于现在的电子元件的制造的观点来看，将平均粒径设定为规定范围是优选的状态。第1银粉末的平均粒径过小则更低温下烧结虽然进行，但变得容易聚集而焙烧时的银颗粒的填充性降低，故不优选。另外，难以取得与后述第2银粉末的平衡，故不优选。因此，第1银粉末的平均粒径例如为0.5μm以上即可，可以设定为1.0μm以上，典型的以设定为1.5μm以上为目标是适宜的。平均粒径优选为1.8μm以上，更优选为2μm以上，特别优选为2.2μm以上。另外，银粉末的平均粒径过大则为了烧结需要长时间暴露于高温，且在不能满足低温下实现烧结的要求的方面不优选。因此，银粉末的平均粒径例如可以以设定为5μm以下为目标。平均粒径优选为4.5μm以下，更优选为4μm以下，特别优选为3.5μm以下。

需要说明的是，本说明书中的银粉末的“平均粒径”是采用基于激光衍射·散射法的体积基准的粒度分布中的累积体积50％时的粒径(D₅₀)。以下，按照对于第1银粉末的累积体积50％时的粒径(平均粒径)为D_L50、对于第2银粉末的累积体积50％时的粒径(平均粒径)为D_S50来表示。

另外，作为第1银粉末，优选粒度分布的尖锐(窄)者。例如，可以优选使用实质上不包含平均粒径为10μm以上的颗粒的银粉末。进一步，作为粒度分布尖锐的指标，可以采用从基于激光衍射·散射法的粒度分布中的小粒径侧起累积10％体积时的粒径(D_L10)与累积90％体积时的粒径(D_L90)之比(D_L10/D_L90)。构成粉末的粒径全部相等时D_L10/D_L90的值为1，相反粒度分布越广该D_L10/D_L90的值变得越接近0。优选使用D_L10/D_L90的值为0.15以上，例如为0.15以上且0.5以下的比较窄的粒度分布的粉末。

(A6)比重

对第1银粉末的比重没有严密的限定，例如，更优选构成第1银粉末的银颗粒自身包含的孔隙的比率少。因此，例如对于第1银粉末优选通过定容膨胀法测定的比重(也称真密度。)高。本说明书中，第1银粉末的比重采用通过使用氦气的定容膨胀法测定的值。第1银粉末的比重大致可以以设定为10.3g/cm³以上为目标，例如可以设定为10.35g/cm³以上。进一步，第1银粉末的比重优选为10.4g/cm³以上，更优选为10.45g/cm³以上，特别优选为10.5g/cm³以上。

[第2银粉末]

第2银粉末与更大粒径的上述第1银粉末一同使用、通过进入第1银粉末的间隙，从而是有效提高第1银粉末和第2银粉末的混合粉末的填充性的要素。这样的第2银粉末仅是相对于第1银粉末粒径相对小时不能说是适当的性状。第2银粉末通过焙烧与第1银粉末一起熔融，通过放热凝固时，要求确实地提高形成的银电极的致密性。对于这样的第2银粉末，(B1)灼烧失重选定为规定范围。另外，按照第1银粉末的平均粒径(D_L50)与第2银粉末的平均粒径(D_S50)之比(D_L50/D_S50)为5以上的方式构成。以下对于第2银粉末进行说明。

(B1)灼烧失重(Ig-loss)

灼烧失重在上述第1银粉末的说明时已经详述因此省略再次说明。对于第2银粉末灼烧失重限制为0.05％以下。第2银粉末的灼烧失重优选为0.045％以下，更优选为0.04％以下，特别优选为0.035％以下。灼烧失重取决于测定装置的性能，实质上可以为0％。

(B2)最大长径比

需要说明的是，第2银粉末要求相对于第1粉末为小粒径，其它性状可以与第1粉末同样。即、第2银粉末优选最大长径比为1.4以下。第2银粉末的最大长径比优选为1.35以下，更优选为1.3以下，特别优选为1.25以下。

(B3)平均粒径比(D_L50/D_S50)

优选第1银粉末和第2银粉末彼此的平均粒径适宜平衡。即、第1银粉末的平均粒径(D_L50)与第2银粉末的平均粒径(D_S50)之比：D_L50/D_S50为5以上。通过如此设定，包含第1银粉末和第2银粉末的银糊供给到基板时，第1银粉末和第2银粉末的填充性良好地三维排列，例如以该排列干燥。另外，糊剂的干燥物(也称干燥涂膜。)焙烧时，第1银粉末和第2银粉末一边熔融一边互相的间隙进一步消失，另外，按照埋入间隙的方式可以逐渐填充。通过该熔融物冷却、凝固，可以形成致密的银电极。例如可以形成迄今没有的、接近银块的电阻率的低电阻的银电极。平均粒径比(D_L50/D_S50)优选为8以上，更优选为10以上，特别优选为12以上。例如能够为15以上。对平均粒径比(D_L50/D_S50)没有特别的限定，从第1银粉末的平均粒径(D_L50)的适宜范围与第2银粉末的处理性良好的平均粒径(D_S50)的关系来看，例如，可以设定为75以下，为50以下即可，例如可以为45以下。

(B4)平均粒径

第2银粉末的平均粒径与第1银粉末的平均粒径的关系只要满足上述平均粒径比(D_L50/D_S50)就没有特别的限定。然而，实际上，第2银粉末的平均粒径例如为0.05μm以上即可，典型的以0.1μm以上为目标是适宜的。另外，第2银粉末的平均粒径例如可以设定为0.6μm以下(不足0.6μm)，可以为0.5μm以下(不足0.5μm)，特别优选为0.4μm以下。进一步限定可设定为0.1μm以上且0.3μm以下的范围。

(B5)质量比率(W_S)

第2银粉末相对于第1银粉末以极少量混合，与单独使用第1银粉末的情况相比较，可以使糊剂的干燥密度上升。进一步，也可以提高形成的银电极的密度。然而，为了更明显地得到这些效果，第1银粉末中混合的第2银粉末的比率在某种程度多是优选的。例如，第1银粉末的质量(W_L)和第2银粉末的质量(W_S)总量(W_L+W_S)中，第2银粉末的质量(W_S)所占的比率优选超过10质量％，更优选为15质量％以上，特别优选为20质量％以上。然而，更小粒径的第2银粉末的比率过多则银糊的粘性过度上升、或稳定性变低、或处理性恶化，故不优选。例如，第2银粉末的比率优选以设定为50质量％以下为目标。通过如此取得两者的平衡，可以简便地形成致密的银电极。

[银糊]

以上的银粉末以混合状态供给到基材之后进行焙烧，使构成银粉末的第1银粉末和第2银粉末一体地烧结，从而可以得到作为烧结物的银电极(可以为布线。)。对银粉末向粘结剂树脂的供给手法没有特别的限制。此处公开的技术中，由于设定为上述银粉末的供给性和处理性良好，也可以以银粉末分散于有机载体成分而成的银糊的形态提供。该银糊本质上包含有银粉末和有机载体成分.

需要说明的是，作为有机载体成分，根据所期望的目的，可以没有特别限制地使用现有的该种银糊使用的各种有机载体成分。典型的，有机载体成分为以各种组成的粘结剂树脂和分散介质(可以为溶剂。)的混合物的形式构成。该有机载体成分中，可以粘结剂树脂在分散介质中全部溶解，可以一部分溶解或分散(可以为所谓的乳液类型的有机载体。)。

粘结剂树脂在将制备的银糊通过进行印刷、干燥等来成膜化的阶段中，是起到银颗粒彼此、和银颗粒与基材粘合作用的成分。因此，银颗粒通过焙烧而一体化后，粘结剂树脂可以变为不需要的电阻成分。因此，该粘结剂树脂在比后述焙烧温度低的温度下消失，优选不在电极中残留的成分。作为这样的粘结剂树脂可以没有特别限制地使用具有粘结剂功能的有机化合物。具体而言，例如适宜使用：乙基纤维素，羟乙基纤维素，羧甲基纤维素等纤维素系高分子、聚甲基丙烯酸丁酯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚甲基丙烯酸乙酯等丙烯酸系树脂、环氧树脂、酚醛树脂、醇酸树脂、聚乙烯醇，聚乙烯醇缩丁醛等乙烯基系树脂、松香、马来松香等松香系树脂等作为基质的粘结剂树脂。尤其，为了适宜地实现可以进行良好的丝网印刷的粘度特性，纤维素系高分子(例如乙基纤维素)的使用是优选的。

需要说明的是，如上所述，该银粉末的烧结性和烧结时的填充性优异。因此，以形成电阻率更低的电极为目的，银糊优选不包含银粉末和有机载体成分以外的成分。例如，该银糊除了有机载体成分以外例如不包含也可以说是无机粘结剂的玻璃粉为优选方式。

作为构成有机载体的分散介质优选的物质为沸点大致为200℃以上(典型的为约200℃～260℃)的有机溶剂。更优选使用沸点大致为230℃以上(典型的大约为230℃～260℃)的有机溶剂。作为这样的有机溶剂，可以适宜使用丁基溶纤剂乙酸酯，丁基卡必醇乙酸酯(BCA：二乙二醇单丁醚乙酸酯)等酯系溶剂、丁基卡必醇(BC：二乙二醇单丁醚)等醚系溶剂、乙二醇和二乙二醇衍生物、甲苯，二甲苯，矿油精，萜品醇，孟烷醇，Texanol等有机溶剂。作为特别优选的溶剂成分，可列举出丁基卡必醇(BC)、丁基卡必醇乙酸酯(BCA)、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇单异丁酸酯等。

银糊中包含的各构成成分的配混比率可以根据电极的形成方法、典型的为印刷方法等适宜调整，大致可以采用以以往采用的该种银糊为基准的配混比率为基础进行构成。作为一例，例如，以以下的配混为目标可以确定各构成成分的比率。

即、银糊中银粉末所占的含有比率在糊剂总体为100质量％时，大致设定为80质量％以上(典型的为80质量％～98质量％)是适当的，更优选为83质量％～96质量％左右、例如优选设定为85质量％～95质量％左右。提高银粉末的含有比率与降低粘结剂树脂的比率有关，从可以形状精度良好地形成孔隙少的致密的电极图案的观点来看优选。另一方面，该含有比率过高则有时糊剂的处理性、对各种的印刷性的适应性等降低。

并且，有机载体成分之中粘结剂树脂以银粉末的质量为100质量％时，大致为10质量％以下、典型的以0.3质量％～8质量％左右的比率含有是优选的。特别优选的是相对于银粉末100质量％以0.5质量％～6质量％的比率含有。需要说明的是，该粘结剂树脂可以包含例如有机溶剂中溶解的粘结剂树脂成分和有机溶剂中未溶解的粘结剂树脂成分。包含有机溶剂中溶解的粘结剂树脂成分和未溶解的粘结剂树脂成分时，对它们的比率没有特别的限制，例如可以按照有机溶剂中溶解的粘结剂树脂成分占(1成～10成)的方式设置。

需要说明的是，作为上述有机载体的总体的含有比率，根据得到的糊剂的性状可变，作为大致的目标，以银糊总体为100质量％时，例如为2质量％～20质量％的量是适当的，优选为5质量％～15质量％，尤其更优选为5质量％～10质量％的量。

另外，此处公开的银糊在不脱离本发明的目的的范围内可以包含上述以外的种种无机和/或有机质的添加剂。作为该添加剂的适宜例子，例如可列举出，表面活性剂、消泡剂、抗氧化剂、分散剂、粘度调整剂等添加剂。然而，银糊更优选不包含可能成为杂质的这些成分的方式。

这样的银糊可以将上述材料按照规定配混(质量比率)来称量，混合至均匀来制备。材料的搅拌混合例如可以使用三辊研磨机、辊磨机、磁力搅拌器、行星式混合机、分散机等公知的种种搅拌混合装置实施。

糊剂的适宜的粘度根据目标的电极的厚度(进而，糊剂印刷体的厚度)等而不同，因此没有特别的限定。例如，在形成合适层叠陶瓷片的内部电极的形状的(例如厚度为50μm左右的)印刷体时，银糊的粘度按照350～450Pa·s(10rpm，25℃)来制备为佳。由此，可以提高位置精度和形状精度地印刷电极图案。

该糊剂供给到基材上之后，在50～150℃下静置15～30分钟左右除去分散介质后焙烧是优选的。此处公开的银糊将银粉末的性状调节为适宜，因此在除去分散介质得到的干燥物(干燥涂膜)的阶段可以为致密(即高密度)。该干燥物的干燥密度例如可以设定为7.2g/cm³以上，优选为7.3g/cm³以上，更优选为7.4g/cm³以上，特别优选为7.5g/cm³以上，例如可以为7.6g/cm³以上。通过可以形成这样的高密度的干燥物，通过更低温下的焙烧也可以形成作为焙烧物的致密的电极。例如，图2和图3中分别例示出根据此处公开的技术形成的电极和现有的电极的剖面SEM像。图2的电极与图3的电极相比，明显孔隙的形成受到抑制、致密。如此，可以说在干燥物的阶段实现高干燥密度，能够显著提高低温时的银粉末的烧结性。

焙烧温度例如基于银粉末的烧结温度可以适宜决定。焙烧温度根据银粉末的组成而不同，对于视作纯银(例如纯度99.9％以上)的银粉末，可以设定为比熔点962℃低的温度。因此，焙烧温度与例如现有的银粉末同样可以设定为800℃～900℃左右的温度范围。然而，此处公开的银粉末在与现有的银粉末相同的温度下焙烧时，可以得到更低电阻的银电极。进一步，即使在比现有的银粉末更低的温度下焙烧时，能够实现与以往同程度或更低的电阻率的电极。因此，该银粉末例如优选在900℃以下(不足900℃)的温度下焙烧。焙烧温度更优选为850℃以下(不足850℃)，进一步优选为800℃以下(不足800℃)，特别优选为750℃以下(不足750℃)。例如，焙烧温度为700℃以下(不足700℃)，尤其为650℃以下(不足650℃)，例如可以设定为600℃左右(典型的为580℃～620℃)。对于焙烧温度的下限没有特别的限制例如可例示出设定为550℃以上。

以上的银糊的焙烧物，尤其在600℃这样的低温下焙烧时得到的电极的电阻率特别低(例如，不足2.1μΩ·cm，优选为2μΩ·cm以下，特别优选为1.9μΩ·cm以下)。因此，作为通过该温度下的焙烧要求特别低电阻率的用途的电极，可以适宜地利用。

作为这样的用途，例如可列举出各种的构成和用途的电子元件的电极。作为适宜例子，例如可列举出焙烧温度降低至900℃左右以下的低温同時焙烧陶瓷(LowTemperature Co-fired Ceramics：LTCC)作为基材的陶瓷布线基板作为适宜例子。在该LTCC的制造时，陶瓷基板的坯片上用银糊制作布线图案，从而在陶瓷基板和电极可以共焙烧的方面是优选的。因此，可列举出印刷有该布线图案的坯片经层叠、焙烧，电极以内部电极(内层布线)的方式具备的层叠陶瓷片为特别理想的用途。作为该层叠陶瓷片，没有特别的限制，可列举出层叠陶瓷电容器(Multi-Layer Ceramic Capacitor：MLCC)、层叠陶瓷电感器、层叠陶瓷变阻器、层叠PTC热敏电阻、层叠NTC热敏电阻等。其中，可列举出为了抑制内部电极的焦耳热的损失，要求电极更低的电阻率的层叠陶瓷电感器作为理想的应用例。

图1为示意性示出层叠片式电感器1的剖面图。该图中的尺寸关系(长度、宽度、厚度等)、电介质层的层叠数等构成并不一定反映实际的尺寸关系和状态。

层叠片式电感器1为例如使用铁氧体粉末形成的多个电介质层(陶瓷层)12经层叠一体化形成的单片类型的层叠陶瓷片。各电介质层12之间具备作为内部电极22的线圈导体。线圈导体是在各电介质层12之间形成线圈的一部分，通过设置于电介质层12片的导通孔夹持电介质层12导通2个线圈导体。由此，按照内部电极22的整体为三维线圈形状(螺旋)的方式构成。另外，层叠片式电感器1在其外表面之中电介质层12的侧面的部位具备外部电极20。

该层叠片式电感器1典型的可以按照以下的步骤制造。即，首先，将以铁氧体粉末为主体的分散体供给到承载片上，形成包含电介质材料的坯片。该坯片的焙烧温度降低至900℃左右以下配混。并且在该坯片的规定位置通过激光照射等形成导通孔。接着，将此处公开的银糊在规定位置按照规定电极图案(线圈图案)印刷。只要需要，可以在导通孔上印刷制备用于通孔的银糊。制作多枚(例如100枚以上)带有这样的电极图案的坯片，将它们层叠、压接来制作未焙烧的电子元件主体10。接着，使该层叠片干燥，在规定加热条件(最高焙烧温度为900℃以下)下焙烧规定时间(作为维持最高焙烧温度的时间例如为10分钟～5小时左右)。由此，坯片被焙烧、并且坯片被焙烧成一体，形成单片的电介质层12。并且电极糊剂经焙烧形成内部电极22。由此，制作多个电介质层12之间夹持内部电极22的形态的层叠片式电感器1的电子元件主体10。其后，在该电子元件主体10的所期望之处，涂布外部电极形成用的导电性糊剂，通过进行焙烧形成外部电极20。如此，可以制造层叠片式电感器1。需要说明的是，对于上述层叠片式电感器1的构筑工艺并不会特别赋予本发明以特征，因此省略详细说明。

此处内部电极22的形成使用的银糊将使用的银粉末的灼烧失重抑制为低，能够形成孔隙少的致密的电极。另外，例如可以在600℃～700℃左右的低温下焙烧。即使在这样的低温下焙烧时，内部电极22也能实现例如2μΩ·cm以下的低电阻率。并且电介质层12由直流叠加特性优异的电介质材料构成。由于能够实现内部电极22为2Ω·cm以下的低电阻率，因此可以提供电极的焦耳热的损失小、可以用于流过大电流的电源回路的片式电感器1。例如片状的形状可以实现1608形状(1.6mm×0.8mm)、2520形状(2.5mm×2.0mm)等尺寸。

以下说明本发明相关的数个实施例，但并不意味着将本发明限定为实施例所示的方案。

[实施方式1]

(银粉末)

首先，作为本例的银糊的主体的大粒径的银粉末，准备下述银粉末A和B。

银粉末A的平均粒径(D_L50)为1.8μm，Ig-loss为0.04％、振实密度为5.3g/cm³、最大长径比为1.2、BET比表面积为0.74m²/g、比重为10.5g/cm³。

银粉末B的D_L50为2.4μm，Ig-loss为0.42％、振实密度为5.7g/cm³、最大长径比为1.5、BET比表面积为0.41m²/g、比重为9.6g/cm³。

另外，作为与大粒径粉末组合使用的小粒径的银粉末，准备5种的银粉末a～e。

银粉末a的平均粒径(D_S50)为0.1μm，Ig-loss为0.02质量％。

银粉末b的D_S50为0.2μm，Ig-loss为0.02质量％。

银粉末c的D_S50为0.3μm，Ig-loss为0.02质量％。

银粉末d的D_S50为0.6μm，Ig-loss为0.02质量％。

银粉末e的D_S50为0.2μm，Ig-loss为0.70质量％。

需要说明的是，银粉末的灼烧失重、振实密度、最大长径比、比表面积、平均粒径、比重和干燥密度通过下述顺序测定。

[灼烧失重(Ig-loss)]

将各银粉末各称量约25mg，使用差示热天平(Rigaku Corporation制造、TG8120)测定灼烧失重。测定条件是将干燥温度设定为110℃，相对于干燥后的试样的质量，从室温加热至600℃时的质量减少量的比率(％)作为灼烧失重。需要说明的是，测定气氛为干燥空气，升温速度设定为10℃/分钟。

[振实密度]

将各银粉末各称量20g(20.00±0.02g)，投入容量20mL的量筒，之后通过轻敲装置振实。轻敲的条件设定为振实高度：5cm、振实速度：100次/分钟、振实次数：1000次。然后测定振实后的粉末体积，银粉末的质量除以振实后的粉末体积(表观体积)来算出振实密度。需要说明的是，振实密度的测定基于JIS Z2512：2012规定的金属粉-振实密度测定方法进行。

[最大长径比]

将各银粉末用扫描型电子显微镜(KEYENCE CORPORATION制造、VE-9800)观察，对3视野获取10000倍的倍率的观察图像。然后对于这些观察图像各自选定判断为最大的3个银颗粒，测定长径比。然后将对于计9个颗粒得到的长径比的平均值作为最大长径比。需要说明的是，长径比为、观察图像内的银颗粒的最大长径(最大长度)设定为a、与该最大长径垂直的宽度设定为b时，按照“a/b”的形式算出的指标。

[比表面积]

各银粉末的比表面积使用自动比表面积·孔分布测定装置(Mac-View制造、Macsorb HM model-1210)测定。作为吸附气体使用氮气。另外，比表面积通过BET1点法算出。

[平均粒径]

各银粉末的平均粒径使用激光衍射·散射式粒度分布测定装置(株式会社堀场制作所制造、LA-920)测定。平均粒径是通过粒度分布测定得到的体积基准的粒度分布中的累积50％粒径。

[比重]

各银粉末的比重使用干式自动密度计(株式会社岛津制作所制造、Micromeriticsaccpyc II1340)，通过定容膨胀法测定。作为置换气体使用氦气(He)。

(银糊)

＜参考例R1＞

相对于银粉末A90质量份，按照作为粘结剂的乙基纤维素1.5质量份、作为分散介质的丁基卡必醇8.5质量份的比率配混，用3辊磨机混合至均匀，从而制备参考例R1的银糊。

＜例1～4＞

如下述表1所示，参考例R1中的银粉末A之中，70质量％保持原样，剩余的30质量％分别替换为小粒径的银粉末a，b，c，d，其它的条件同样，分别制备例1，2，3，4的银糊。

＜例5＞

参考例R1中的银粉末A之中，70质量％保持原样，剩余的30质量％替换为小粒径的银粉末e，其它的条件同样，制备例5的银糊。

＜例6＞

替换例5中的银粉末A，使用银粉末B，其它的条件同样，制备例6的银糊。

需要说明的是，大粒径的银粉末和小粒径的银粉末预先以干燥状态混合后制备糊剂。各例的银糊使用的大粒径的银粉末的平均粒径(D_L50)和小粒径的银粉末的平均粒径(D_S50)之比(D_L50/D_S50)记录在表1的“比D_L50/D_S50”栏。另外，为了统一各例的银糊的印刷性，将分散介质的量按照糊剂的粘度为350～450Pa·s(10rpm，25℃)的形式稍作调整。

[干燥密度]

将上述准备的参考例R1和例1～6的银糊，使用涂膜器在基材上供给约150μm的厚度，在130℃下使其干燥1小时从而形成干燥涂膜。并且将该干燥涂膜挖出直径15mm的圆盘状来准备各例分别5个的测定用试样。并且测定该测定用试样的质量、半径和厚度，从而基于下式，算出干燥涂膜的密度(干燥密度)。

(干燥密度)＝(质量)/{π×(半径)²×(厚度)}

质量和半径对各测定用试样各测定1次。厚度使用数字电子测微计(AnritsuCorporation制造、K351C)，对各测定用试样测定3处，采用其平均值。干燥密度采用由5个测定用试样得到的值的算术平均值，示于表1的“干燥密度”栏。

(电极)

将该银糊通过丝网印刷法在基材上进行图案印刷，130℃下使其干燥30分钟之后，通过焙烧，在基材上制作银线电极(焙烧物)。作为基材，使用氧化铝板。另外，银糊按照焙烧后的线宽为约200μm、焙烧厚度为20～40μm、线间间距为200μm的条纹状的形式印刷。焙烧温度设定为600℃，对于一部分的银糊，使焙烧温度变化为700℃，800℃，900℃形成银线电极。

[电阻率]

如上制作的银线电极的电阻率使用Digital Multimeter(岩通计测株式会社制造、SC-7401)，通过2端子法以端子间隔(导体长度)100mm进行测定。并且由该电阻值，基于下式算出薄层电阻。得到的电阻率，按照每个焙烧温度示于表1的“电阻率”栏。

【表1】

表1

如表1所示，可知仅使用大粒径的银粉末A的参考例R1中，通过700～900℃的焙烧可以形成电阻率1.9μΩ·cm这样的低电阻的银线电极。然而，600℃的低温焙烧中电阻率上升、为2.1μΩ·cm，存在改善余地。

与其相对，如例1～4所示，可知相对于大粒径的银粉末A，组合使用小粒径的银粉末a～d制备银糊，由此能够大幅提高银糊的干燥密度。可知组合使用的小粒径的银粉末径越小银糊的干燥密度越高，例4的银糊的干燥密度比参考例R1约高1％，例1的银糊约高10％。并且，可知通过将使用这样的银糊制作的干燥涂膜在600℃下焙烧，可以形成例1～3中电阻率低、为1.9μΩ·cm的线电极。然而，由例4的糊剂得到的线电极的电阻率为2.1μΩ·cm，与参考例R1相比，没有达到降低电阻率。认为这是因为大粒径的银粉末A与小粒径的银粉末a～d的平均粒径的比(D_L50/D_S50)超过3(例如5以上)，则在糊剂的干燥涂膜的阶段，小粒径的银粉末适宜地进入大粒径的银粉末的间隙，通过焙烧可以形成更致密的电极。然而，认为平均粒径的比(D_L50/D_S50)为3以下则小粒径的银粉末的平均粒径相对过大，明显有时小粒径的银粉末扩大大粒径的银粉末的间隙，没有达到焙烧后的电极的低电阻化。

需要说明的是，对于例2的银糊，使焙烧温度在700℃～900℃下変化。其结果，可知焙烧温度设定为700℃和800℃时，与600℃下焙烧时相比较，没有能明确地降低电极的电阻率，但通过在900℃下焙烧，可以有意将电阻率降低至1.8μΩ·cm。认为这样的倾向可看出对于例1，3，4的糊剂也是同样。这些银糊在600℃下的低温焙烧下能够形成低电阻的银电极，这是当然，可以说通过提高焙烧温度可以形成更进一步致密且低电阻的电极。

其另一方面，使用小粒径的银粉末e的例5的糊剂，与参考例R1相比，可以适宜地提高干燥密度(约增长2％)，但与使用平均粒径相同的银粉末b的例2相比较，得到干燥密度低这样的结果。认为这是因为，银粉末e存在长径比高的颗粒，在糊剂的涂布和干燥的阶段，银粉末e未适宜地埋入银粉末A的间隙造成的。另外，例5中，通过600℃的焙烧未能形成比参考例R1电阻低的线电极。认为这是因为，由于银粉末e的Ig-loss大，电极的焙烧中，银粉末的有机成分从干燥涂膜变为气体而挥发，阻碍银粉末的熔融·烧结时的烧制而造成的。

另外，使用大粒径的银粉末B和小粒径的银粉末e的例6中，与例5、参考例R1相比较，未能提高干燥密度或降低电阻率。认为这是因为，由于大粒径的银粉末B自身存在长径比高的颗粒，大粒径的粉末的填充本身不能良好地进行，干燥涂膜形成大的空隙造成的。

由以上可知，相对于具有适合的性状的大粒径的银粉末，通过组合使用更小粒径的银粉末制备糊剂，与仅使用大粒径的银粉末的情况相比，可以降低通过600℃的焙烧形成的导体膜的电阻率。需要说明的是，小粒径的银粉末相对于大粒径的银粉末优选平均粒径的比(D_L50/D_S50)为例如5以上。另外，此时可知对于小粒径的银粉末Ig-loss也低，例如需要设定为0.05质量％以下。

[实施方式2]

(银糊)

如表2所示，作为银糊主体的大粒径的银粉末，使用银粉末C替换实施方式1中的银粉末A，其它的条件同样，分别制备参考例R2的银糊和例7～11的银糊。

银粉末C的平均粒径(D_L50)为2.6μm，Ig-loss为0.05％、振实密度为5.9g/cm³、最大长径比为1.1、BET比表面积为0.38m²/g、比重为10.5g/cm³。

使用准备的R2和例7～11的银糊，与实施方式1同样测定干燥密度、并且通过600℃～900℃下的焙烧形成银线电极，测定电阻率。干燥密度和电阻率的测定结果示于表2的该栏。

【表2】

表2

※H的混合粉末振实密度为5.9g/cm³

如表2所示，可知作为大粒径的银粉末，通过使用比银粉末A，B平均粒径更大的银粉末C，单独包含银粉末C的参考例R2的银糊的干燥密度比参考例R1的糊剂的干燥密度更低。然而，相对于该银粉末C，可知通过加入小粒径的银粉末a～e制备银糊7～11，大幅提高干燥密度。例7～10中，小粒径的银粉末的平均粒径越小可以确认干燥密度越高。需要说明的是，例11中，由于小粒径的银粉末e存在长径比高的颗粒等，大粒径的银粉末C的间隙不能被银粉末e有效地埋入，确认干燥密度并未提高。例7～11的糊剂的干燥密度与参考例R2的糊剂的干燥密度相比，可知例11中约高2％、例10中约高8％、例9中约高13％、例8中约高15％、例7中约高20％。需要说明的是，例如，例8的银粉末C和银粉末b的混合粉末的振实密度为5.9g/cm³与参考例R2的银粉末C的振实密度一致，例8的干燥密度比参考例R2高、经600℃焙烧的电阻值低。由此可知，组合银粉末C和银粉末b制备为银糊后，与粉末状态相比，分散性和填充性得到改善，能够形成极致密的干燥涂膜。且其结果可知在600℃的低温下也实现极良好的烧结。

另外可知，参考例R2和例7～11形成的电极的电阻率为与实施方式1的参考例R1和例1～5形成的电极的电阻率大致相等的值。银粉末A和C的平均粒径不同，但均为通过700℃～900℃下的焙烧适于低电阻的银电极的形成的性状的粉末。这些粉末均单独使用的情况下，可以通过700℃～900℃下的焙烧形成1.9μΩ·cm、通过600℃下的焙烧形成2.1μΩ·cm这样较低电阻的银电极。然而通过此处公开的技术可知，与上述实施方式1同样，通过组合使用更小粒径的银粉末制备糊剂，与仅使用大粒径的银粉末的情况相比，通过在600℃这样的更低温下的焙烧形成的导体膜的电阻率可以降低至1.9μΩ·cm。需要说明的是，可知此时的小粒径的银粉末相对于大粒径的银粉末，平均粒径的比(D_L50/D_S50)优选超过4，例如5以上。

另外，对于使用Ig-loss高的小粒径的银粉末e的例11，使焙烧温度在700℃～900℃下变化。其结果，与对于参考例R2、例8的银糊发现的电阻率特性不同，焙烧温度为800℃以上时，可以确认电阻率急剧上升至2.2～2.4μΩ·cm。认为这是因为，通过达到高温的焙烧，小粒径的银粉末包含的有机成分在接近突沸的状态下伴随着激烈地挥发，电极结构粗糙、或电极内形成气泡造成的。由此可知，对于小粒径的银粉末，优选Ig-loss低，例如设定为0.05质量％以下。

[实施方式3]

(银糊)

如表3所示，以实施方式2中的例8的银糊作为基本，将银糊中的大粒径的银粉末C和小粒径的银粉末b的比率按照以重量比计为50：50，60：40，80：20，90：10变化，从而分别准备例12～15的银糊。并且与实施方式1同样，测定各银糊的干燥密度和600℃下焙烧的银线电极的电阻率，其结果示于表3的该栏。

【表3】

表3

如表3所示可知，对于各例的银糊的干燥密度，小粒径的银粉末的比率为从0质量％起增加到30质量％程度地提高，小粒径的银粉末的比率大概为30质量％左右为最高值，并且，可知粒径的银粉末的比率增加多于30质量％则干燥密度存在缓缓减少的倾向。

另外，可知将各银糊在600℃下焙烧得到的银线电极的电阻率通过加入小粒径的银粉末来降低。此处，比未混入小粒径的银粉末的参考例R2的线电极的电阻率低的观点来看，小粒径的银粉末的比率超过0质量％即可。并且，可知例如通过将小粒径的银粉末的比率设定为10质量％以上，通过600℃的焙烧可以形成2.0μΩ·cm以下的线电极，通过设定为20质量％以上可以形成1.9μΩ·cm以下的线电极。需要说明的是，如表3所示，小粒径的银粉末的比率超过30质量％而包含时，形成的电极的电阻率维持为低。然而，小粒径的银粉末比50质量％过大地包含，从银粉末的处理性、银糊的粘性控制的观点来看不能说优选。从该观点来看，小粒径的银粉末的比率设定为50质量％以下(例如，20质量％以上且50质量％以下、更稳定为25质量％以上且40质量％以下、例如为约30质量％)即可。

以上，详细说明本发明的具体例子，这些只是例示，并不限定权利要求。例如，本领域技术人员可以理解在上述例中，银糊的配混设定为固定值，该银糊中的粘结剂和分散剂为通过焙烧烧掉的成分、且根据印刷法和印刷条件等而不同，对此处公开的技术不产生本质影响。权利要求所记载的技术方案包括对以上例示的具体例进行各种变形、变更而得到的方案。

Claims

1.一种银糊，其为用于形成电子元件的电极的银糊，其包含第1银粉末、相对于所述第1银粉末平均粒径相对小的第2银粉末、粘结剂树脂和分散介质，

所述第1银粉末满足下述(A1)～(A4)的全部条件：

(A1)加热至600℃时的灼烧失重为0.05％以下，

(A2)振实密度为5g/cm³以上，

(A3)最大长径比为1.4以下，

(A4)基于BET法的比表面积为0.8m²/g以下；

所述第2银粉末满足：

(B1)加热至600℃时的灼烧失重为0.05％以下，

所述第1银粉末的平均粒径D_L50与所述第2银粉末的平均粒径D_S50之比D_L50/D_S50为5以上。

2.根据权利要求1所述的银糊，其中，(A5)所述第1银粉末的平均粒径为1.5μm以上且3μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的银糊，其中，(A6)所述第1银粉末的比重为10.4g/cm³以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的银糊，其中，(B2)所述第2银粉末的平均粒径为0.5μm以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的银糊，其中，其被构成为在600℃下焙烧时得到的银焙烧物的电阻率达到不足2.1μΩ·cm。

6.根据权利要求5所述的银糊，其中，其被构成为在超过600℃且900℃以下的温度范围内焙烧时得到的银焙烧物的电阻率达到1.9μΩ·cm以下。

7.一种电子元件，其具备权利要求1～6中任一项所述的银糊的焙烧物作为电极。

8.根据权利要求7所述的电子元件，其具备陶瓷基材和配设于所述陶瓷基材的内部的内部电极，

作为所述内部电极而具备所述电极。