JP4805621B2 - 導電性ペースト - Google Patents

Description

本発明は、導電性ペーストに関し、特に、収縮と抵抗値の低い導電性ペーストに関する。

例えば、ディスプレイ用基板や多層回路基板等を製造するに際しては、例えば基板の表面や層間に導体膜が設けられると共に、１乃至複数の絶縁層を貫通して或いは基板全体を貫通してそれら導体膜を相互に接続するための貫通導体が設けられる。上記の導体膜は、例えば高い導電性を確保するために比較的厚い30(μm)以上の厚さ寸法で形成される場合がある。また、各層の平坦性を保ちながら導電性を確保するために導体パターンで形成した溝内に導体を充填して導体膜を設ける場合もある。一方、上記の貫通導体は、絶縁層或いは基板全体を貫通する貫通孔内に導体を充填することで設けられる。

ところで、上記のような導体は例えば銀を導体成分として含む厚膜銀等で構成されるが、一般に、厚膜銀等は基板を構成するガラスやセラミックス等の絶縁体材料に比較して焼成収縮が大きい傾向にある。そのため、例えば20(μm)を超えるような膜厚で導体膜を形成する場合には、その収縮の相違に起因して基板が割れる問題がある。また、溝内に導体を充填する導体膜形成や、貫通孔内に導体を充填する場合には、焼成後に導体の収縮に起因して壁面に隙間ができる問題もある。

これに対して、焼成収縮を小さくして上記の問題を抑制する目的で、アトマイズ法により製造した銀粉末を用いること(例えば特許文献１を参照)、銀粉末にパラジウム粉末または白金粉末を混合して用いること(例えば特許文献２を参照)、更にこれに酸化物で被覆した銀粉末を混合して用いること(例えば特許文献３を参照)等が提案されている。また、これらの他に、アルミナ、マグネシア、酸化マンガン等の酸化物微粒子を焼結防止剤として添加し、或いは、導電性粒子の表面にコーティングすること等も行われている。
特許第３１５０９３２号公報 特許第３５７１９５７号公報 特開２００４−２８８９１５号公報 特開２００３−３３１６４９号公報

しかしながら、特許文献１に記載されたアトマイズ法により製造した銀粉末は焼結性が低いことから、これを使用すると抵抗値が比較的高くなる。また、パラジウムや白金は銀に比べて導電性が低く、また酸化物は絶縁体であることから、これらを用いる特許文献２，３に記載された技術では、銀等の導電性粒子の相互間に低導電性物或いは絶縁物が介在することになるので抵抗値が高くなる。そのため、これらの焼成収縮対策を施した導電性ペーストを用いると、断面積を大きくして導電性を確保する必要があるので、デバイスの小型化や配線パターンのファインピッチ化の妨げとなっていた。

本発明は、以上の事情を背景として為されたものであって、その目的は、焼成収縮が小さく且つ焼成後の抵抗値の低い導電性ペーストを提供することにある。

斯かる目的を達成するため、本発明の導電性ペーストの要旨とするところは、アトマイズ製法で得られる平均粒径が5(μm)以下の第１銀粉末と、湿式還元法で得られる平均粒径が0.2〜2.0(μm)の範囲内の第２銀粉末とを、20/80≦(第１銀粉末／第２銀粉末)≦80/20の範囲内の質量割合で含み、且つ、前記第２銀粉末は、平均粒径が1.0〜2.0(μm)の範囲内の微粉と、平均粒径が0.2〜0.6(μm)の範囲内の超微粉とを含むことにある。

このようにすれば、アトマイズ製法による第１銀粉末は焼成時に拡散或いは溶融し難いので導体膜全体の焼成収縮が第１銀粉末によって抑制される。一方、湿式還元法による第２銀粉末は焼成時に拡散或いは溶融し易いので、第１銀粉末の相互間が溶融した第２銀粉末によって接続され、導電性が高められる。そのため、これら２種の銀粉末が併用されることによって焼成収縮が小さく且つ焼成後の抵抗値が低い導電性ペーストが得られる。なお、第１銀粉末の平均粒径が5(μm)を超えると、印刷性が著しく低下してファインラインの形成が困難になる。一般に、アトマイズ法で製造した粉末の最大粒径は平均粒径の３〜４倍程度になるため、平均粒径5(μm)を超えると、20(μm)程度以上の粒子が含まれることになるのである。また、第２銀粉末の平均粒径が0.2(μm)未満では焼成収縮が大きくなり、2(μm)を超えると焼結性の低下に伴って十分に低い抵抗値が得られなくなる。また、第１銀粉末と第２銀粉末との質量比が20/80未満では、第１銀粉末の割合が過小となるので十分な焼結抑制効果が得られず、質量比が80/20を超えると、第２銀粉末の割合が過小となるので十分な導電性が得られない。なお、本願において平均粒径は、走査型電子顕微鏡(ＳＥＭ)で観察して画像解析により求めたヘイウッド径の平均値である。
また、前記第２銀粉末は、平均粒径が1.0〜2.0(μm)の範囲内の微粉と、平均粒径が0.2〜0.6(μm)の範囲内の超微粉とを含むものであるので、単一の平均粒径分布のものを用いる場合に比較して第２銀粉末の密度が高められるため、焼成収縮が一層抑制される。

ここで、好適には、前記第２銀粉末は、0.3〜1.5(μm)の範囲内の平均粒径を備えたものである。

また、好適には、第１銀粉末と第２銀粉末との比(第１銀粉末／第２銀粉末)は、30/70以上である。また、好適には、前記比(第１銀粉末／第２銀粉末)は、70/30以下である。

ここで、好適には、前記第１銀粉末は、1.5〜5(μm)の範囲内の平均粒径を備えたものである。アトマイズ製法によって得られる粉末は、一般に平均粒径が1(μm)以上になることから、アトマイズ製法で製造されるものであれば第１銀粉末の平均粒径の下限値は特に限定されない。しかしながら、安定して製造できるのは平均粒径が1.5(μm)以上のものであることから、品質の安定した導電性ペーストを得るためには1.5(μm)以上のものを用いることが好ましい。一層好適には、第１銀粉末の平均粒径は2〜3(μm)の範囲内の値である。

また、好適には、前記第１銀粉末および前記第２銀粉末は、何れも球状を成すものである。このようにすれば、球形以外の形状、例えば歪な形状を成すものに比較してペースト中および塗布後の密度が高くなるので、焼成収縮が一層抑制される利点がある。なお、本願において「球状」とはＳＥＭ観察における粒子の長径と短径の比が0.8〜1.2程度の範囲内にあることをいう。また、第１銀粉末および第２銀粉末の全てが球状であることが好ましいが、必須ではない。

また、好適には、前記第１銀粉末および前記第２銀粉末は、何れも3(g/cc)以上のタップ密度を有するものである。このようにすれば、焼成収縮の一層小さい導電性ペーストが得られる。

また、好適には、前記第２銀粉末に含まれる微粉および超微粉は、好適には、８０：２０〜９０：１０の範囲内の割合で含まれる。このようにすれば、塗布後の密度が高くなるので、焼成収縮が一層小さくなる利点がある。また、一層好適には、上記微粉は超微粉の３〜５倍の平均粒径を備えたものである。このようにすれば、微粉粒子間に効果的に超微粉が入り込むので、塗布後の密度が更に高くなる。

また、好適には、前記導電性ペーストは、導電性粉末と、ガラス粉末と、樹脂と、溶剤とを含む一般的なペースト組成を備えたものである。これらは例えば、それぞれ導電性粉末が60〜95重量部、ガラス粉末が0〜５重量部、樹脂が0.5〜5重量部、溶剤が40〜45重量部の範囲内の割合とされることが好ましい。また、これらの他に、フタル酸ジオクチル等の適宜の可塑剤を含んでも良い。なお、ガラス粉末が５重量部を超えると、導電性粉末相互の接触が阻害されることによる抵抗率の増大が無視できない程度に大きくなり、焼成収縮も大きくなる。

また、本発明の導電性ペーストは、前記第１銀粉末および第２銀粉末の他に、所望の抵抗値が得られる範囲で、これらの焼結を抑制するための焼結防止剤を微量含んでも良い。このようにすれば、焼成収縮が一層抑制されるので、抵抗値が低く且つ焼成収縮の小さい導電性ペーストが得られる。上記焼結防止剤としては、例えば、アルミナ、酸化マンガン、酸化マグネシウム等の酸化物が挙げられ、これらは、第１銀粉末および第２銀粉末に混合され、或いはこれらに被覆されて用いられる。

上記の各構成材料は、厚膜ペースト用に用いられている公知の種々のものを用い得るが、例えば、ガラス粉末は、PbO-SiO₂-B₂O₃系やBi系等が挙げられる。また、樹脂はエチルセルロースやアクリル樹脂等が挙げられる。また、溶剤はブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール、ターピネオール等が挙げられる。

また、好適には、前記導電性ペーストは、420〜600(℃)の範囲内の温度で焼成されるものである。焼成温度は用途に応じて適宜定められるが、このような温度で焼成される導電性ペーストは、セラミックスやガラス等から成る基板に導体膜や貫通導体を形成するために好適に用い得る。

また、好適には、前記導電性ペーストは、焼成後に3(μΩ・cm)以下の抵抗率を備えるものである。

また、本発明の導電性ペーストは、基板への導体膜形成または貫通導体形成に用いられるものである。本発明の導電性ペーストは、このような用途に好適に用いられる。導体膜は、例えば、厚膜スクリーン印刷や、配線形状で形成した溝内への導体ペースト充填で形成することができる。溝内への導体充填では、例えば100〜500(μm)の幅寸法および20〜50(μm)程度の深さ寸法の溝に導体を充填することから、低抵抗および低収縮が要求されるため、本発明の導電性ペーストが好適である。

また、好適には、前記第２銀粉末は、前記第１銀粉末よりも平均粒径が小さいものである。このようにすれば、平均粒径が相対的に大きい第１銀粉末と平均粒径が相対的に小さい第２銀粉末とを含むことから、塗布或いは充填した際には、第１銀粉末が相互に接触し、それらの隙間に第２銀粉末が入る位置関係が生じる。そのため、焼成時に拡散或いは溶融し難い第１銀粉末が第２銀粉末が溶融した導電性材料によって相互に接続されることになる一方、焼成後にも第１銀粉末の相互間隔の変化が小さく留められるので、収縮や抵抗の一層小さい導電性ペーストが得られる。第２銀粉末は、第１銀粉末の1.5〜5倍の平均粒径を備えることが一層好ましく、2〜3倍の範囲内であることが更に好ましい。

以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施例において図は適宜簡略化或いは変形されており、各部の寸法比および形状等は必ずしも正確に描かれていない。

図１は、本発明の一実施例の導電性ペーストで配線パターンが形成された多層配線基板１０の全体を示す斜視図であり、図２は、その断面構造の要部を説明するための模式図である。これら図１、図２において、多層配線基板１０は、例えば120×100(mm)程度の大きさの矩形を成し厚さ寸法が100(μm)〜5(mm)程度の薄板であって、厚み方向に交互に積層されたそれぞれ複数層の導体配線層１２および絶縁体層１８と、表面１４または表面１４および裏面１６に設けられた抵抗体２２等とから構成されている。この多層配線基板１０は、例えば、それら表面１４および裏面１６に例えば半導体、抵抗体、コンデンサやコイル等の電子部品が実装されることにより、電子機器用の回路基板やＩＣ等の半導体パッケージ等に用いられる。

なお、図２においては、３層の導体配線層１２ａ，１２ｂ，１２ｃおよび２層の絶縁体層１８ａ，１８ｂが示されているが、積層数は所望とする回路構成に応じて設定されるものであり、導体配線層１２の積層数は例えば６層程度であっても良い。また、一点鎖線３２は、絶縁体層１８ａ，１８ｂの境界を表す境界線である。上記の絶縁体層１８は、例えばガラスやセラミックス等の耐熱性を有する絶縁材料で構成されている。

また、上記の配線層１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、それぞれ各層毎に定められたパターン(平面形状)で１乃至複数本の配線２０を備えたものである。配線２０は、例えば銀(Ag)や銅(Cu)等を導体成分とする導体材料(例えば厚膜導体材料)から成るものであって、例えば25(μm)〜4(mm)程度の範囲内、好適には100〜500(μm)程度の範囲内、例えば200(μm)程度の幅寸法を備えて、隣接するもの相互が例えば25(μm)〜4(mm)程度の範囲内、例えば200(μm)程度の間隔で設けられている。

また、前記の図２に示されるように、絶縁体層１８の表面１４および裏面１６には、配線２０の平面形状の溝２４が例えば20〜50(μm)の範囲内、好適には30〜35(μm)の範囲内、例えば30(μm)程度の深さ寸法で設けられており、配線２０は、その溝２４内に導体が充填されることによって構成されている。埋め込まれた配線２０の表面は、絶縁体層１８の表面１４、裏面１６と略同一平面に位置する。すなわち、導体２０の厚さ寸法は例えば30(μm)程度であって、多層配線基板１０には、配線２０に起因する凹凸は何ら存在しない。また、絶縁体層１８の表面のうち配線２０が設けられていない部分についても、何らうねり等は存在せず、略平坦面となっている。

また、図１に示されるように、上記配線２０の各々の端部や長さ方向の中間部等には、円形或いは矩形のランド２６が複数箇所に設けられると共に、円形のランド２６ｒの中央部にはスルーホール(またはバイアホール)２８がそれぞれ設けられている。矩形のランド２６ｓは、電子部品の端子等を固着し或いは抵抗体２２を配線２０に接続するためのものである。また、スルーホール２８は、図２に示されるように、各絶縁体層１８ａ，１８ｂをその厚さ方向に貫通するものであって、その内部に貫通導体すなわち層間接続導体３０が設けられることにより、内部に設けられた配線層１２ｂの配線２０と、表面１４および裏面１６にそれぞれ設けられた配線２０とを相互に接続するためのものである。円形のランド２６ｒは、配線２０の端部を拡大したものであり、この層間接続導体３０と配線２０とを容易且つ確実に接続するために設けられている。また、上記層間接続導体３０は、例えば配線２０と同じ導体材料、すなわち厚膜導体材料等で構成されている。スルーホール２８の開口径は、例えば30〜700(μm)の範囲内、例えば100(μm)程度であり、ランド２６ｒの直径は例えば0.2〜1.0(mm)の範囲内、例えば0.3(mm)程度である。

なお、前記抵抗体２２は、例えばカーボン等から成り、所望の特性値が得られるように適宜の厚さ寸法、幅寸法、及び長さ寸法で設けられたものである。この抵抗体２２も、例えば上記の配線２０と同様に絶縁体層１８に設けられた例えば30(μm)程度の深さ寸法の凹所内に埋め込まれた状態で充填形成されている。

上述したように構成される多層基板１０は、絶縁体層１８を構成するための薄板状絶縁体を用意し、予めこれに設けられている溝２４内およびスルーホール２８内に導電性ペーストを充填し、積層および焼成処理を施すことによって製造される。上記導電性ペーストは、例えば、重量比で導電性粉末が60〜95重量部、ガラス粉末が0〜5重量部、樹脂が0.5〜5重量部、溶剤が40〜5重量部程度割合で混合されたものである。このとき、本実施例においては、導電性粉末として、アトマイズ製法で製造された平均粒径が5(μm)以下、例えば1.5〜4(μm)程度の粉末Ａと、湿式還元法で製造された平均粒径が0.2〜2(μm)、例えば0.3〜1.5(μm)程度の粉末Ｂが、重量比でＡ/Ｂ＝20/80〜80/20の割合、好適には30/70〜70/30の範囲内、例えば50/50の割合となるように混合されたものが用いられる。本実施例においては、アトマイズ粉末Ａが第１導電性粉末に、湿式還元粉末Ｂが第２導電性粉末に相当する。

図３は、上記導電性ペーストの焼結機構を説明するための模式図であり、(ａ)は焼結前の状態を、(ｂ)は焼結後の状態をそれぞれ表している。焼結性の劣るアトマイズ粉末３２は、焼結前後で何ら変化しておらず、略元の位置に存在するが、焼結性の高い湿式還元粉末３４は、アトマイズ粉末３２の相互間で溶融或いは拡散し、これらを接続するブリッジ３６となる。また、本実施例ではアトマイズ粉末３２の粒径が湿式還元粉末３４の粒径よりも大きいことから、後者が前者の相互間に位置する。

本実施例においては、上記のような粒子レベルの挙動が生じるが、焼結性の劣るアトマイズ粉末３２は導電性粉末全体に対して20(％)以上の割合で含まれていることから、配線２０および層間接続導体３０を形成するに際して、焼結前後で殆ど変化しないそのアトマイズ粉末３２によって焼成収縮が抑制される。一方、焼結性の高い湿式還元粉末３４も導電性粉末全体に対して20(％)以上の割合で含まれていることから、アトマイズ粉末３２の相互間が湿式還元粉末３４の溶融したブリッジ３６によって接続され、十分な導電性が得られる。そのため、これら２種の導電性粉末３２，３４が併用されることによって焼成収縮が小さく且つ焼成後の抵抗値が低い導電性ペーストが得られる。

以下、本発明の具体的実施例を説明する。下記の表１は、種々の平均粒径のアトマイズ粉末３２および湿式還元粉末３４(何れも銀粉末)を用意して、これらを種々の割合で混合した導電性ペーストでガラス基板上に導体パターンを500(μm)程度の厚さ寸法および20(μm)程度の幅寸法で印刷し、例えば550(℃)程度で焼成処理を施して特性を評価した結果を、比較例と併せてまとめたものである。また、各実施例に用いた粉末のタップ密度を表２に示す。何れの粉末も3.5(g/cc)以上の高いタップ密度を有している。

上記の表１において、実施例１〜４は、平均粒径が2.5(μm)のアトマイズ粉末３２と、平均粒径が0.3(μm)の湿式還元粉末３４とを、30/70〜70/30の割合で混合したものである。比較例１〜７は、これらに対応するものであって、実施例１〜４とは２種の粉末の混合割合が相違する。なお、比較例６，７が従来から用いられている導電性ペーストである。また、焼結抑制作用を有するアトマイズ粉末３２を含まない比較例２，４，６のうち比較例２，６には、焼結防止剤として酸化マンガン或いは酸化マグネシウムを添加した。表１の右側２列が評価結果を表しているが、抵抗率はデジタルマルチメータを使用して２端子法で直流抵抗を測定し、焼成後の断面積および長さ寸法から算出した値であり、体積収縮率は焼成前後の断面積をレーザ顕微鏡(例えばキーエンス社製 TK8500)によって測定して算出した値である。

実施例１〜４によれば、30/70〜70/30の範囲内の割合で２種の粉末３２，３４が混合されていることから、2.6〜3.0(μΩ・cm)の低い抵抗率が得られると共に、6〜12(％)の低い体積収縮率を有している。

これに対して、比較例１では、湿式還元粉末３４を含まないことから、焼結性が劣ると共に、アトマイズ粉末３２が粒子相互に接合されないので、抵抗率が比較的高くなる。また、比較例２は、アトマイズ粉末３２を含まず、焼結防止剤として酸化マンガンを含むものであるが、体積収縮は抑えられているものの、抵抗率が比較的高くなっている。また、比較例３は、アトマイズ粉末３２および湿式還元粉末３４を併用したものであるが、その割合が90/10であって湿式還元粉末３４が過少であることから、抵抗率が比較的高くなったものである。比較例４は、湿式還元粉末３４のみを用い、焼結防止剤を添加しないものであることから、抵抗率が低く良好な値を示すものの、体積収縮率が35(％)を著しく大きい。比較例５は、アトマイズ粉末３２および湿式還元粉末３４を併用したものであるが、その割合が10/90であってアトマイズ粉末３２が過少であることから、体積収縮を十分に抑制できていない。比較例６は、比較例２の酸化マンガンに代えて酸化マグネシウムを用いたものであるが、比較例２に比較して抵抗率がやや低くなっているものの、体積収縮率がやや大きくなっている。比較例７は、比較例１に対してガラスフリットを添加することで焼結性を高めて抵抗率の低下を図ったものであるが、銀粉末相互の接触をガラスが妨げることになるため、抵抗率の改善は僅かに留まっている。

また、表１において、実施例５〜７は、アトマイズ粉末３２および湿式還元粉末３４の平均粒径をそれぞれ1.5〜4(μm)、0.3〜1.5(μm)としたものである。このように平均粒径を変化させても、抵抗率および体積収縮率が僅かに変化するだけで、実施例１〜４と大きな相違は認められない。

比較例８〜１１は、アトマイズ粉末３２の平均粒径は実施例１〜４と同一として、湿式還元粉末３４の平均粒径やガラスフリットの添加量等を変化させたものである。比較例８は、湿式還元粉末３４として平均粒径が3.0(μm)程度と大きなものが用いられているため、アトマイズ粉末３２の粒子相互が十分に接合されず、抵抗率が高くなっている。比較例９は、アルミナをコートすることによって焼結性を抑制した粉末を用いたものであり、体積収縮率が5(％)と著しく低い利点があるが、抵抗率が高いため不適である。比較例１０は、湿式還元粉末３４の平均粒径が0.1(μm)程度と過小であるため、抵抗率は低くなるが体積収縮率が大きくなる。比較例１１は、ガラスフリットの添加量を6(％)にしたものであり、抵抗率は十分に低いが、体積収縮率が大きいため不適である。

したがって、以上の評価結果によれば、アトマイズ粉末３２と湿式還元粉末３４とを混合して用いる場合には、アトマイズ粉末３２の平均粒径が5(μm)以下、湿式還元粉末３４の平均粒径が0.2〜2(μm)の範囲が好ましく、混合割合としては、20/80〜80/20の範囲が好ましいことが明らかである。また、ガラスフリットを適宜添加することもできるが、その割合は5(％)以下に留める必要がある。

図４は、上記の評価結果を、抵抗率を横軸に、体積収縮率を縦軸にとった二次元図表に表したものである。「◇」が本発明の実施例を、「◆」が比較例をそれぞれ表している。導電性ペーストは、抵抗率および体積収縮率が共に低いことが望まれることから、上記二次元図表上では原点に近い位置に特性値があることが好ましい。この図４によれば、実施例の特性値の分布は比較例の特性値の分布よりも原点側に位置し、優れていることが明らかである。

なお、本実施例によれば、抵抗率が3(μΩ・cm)以下で、体積収縮率が12(％)以下の導電性ペーストが得られるが、これらの値は焼成条件に応じて変化し得る。例えば、焼成温度を低くすると、体積収縮率が低くなる反面で抵抗率が上昇するが、本発明の導電性ペーストは、そのような使用形態の場合にも有用であり、発明の効果が好適に発揮される。すなわち、上記の図４に示したように本発明の導電性ペーストは比較例の導電性ペーストによりも抵抗率と体積収縮率との積が小さい特徴を有するから、抵抗率がやや高くなっても差し支えない場合には、例えば焼成温度を低くすることによって収縮率を一層小さくすることができる。

下記の表３は、２種類の平均粒径の湿式還元粉末３４(湿式粉１、湿式粉２)を用意して、アトマイズ粉末３２と混合して導電性ペーストの特性を評価した結果をまとめたものである。なお、下記の実施例８〜１０では、焼結防止剤は何ら用いていない。

上記の表３において、実施例８〜９は、前記表１の実施例１〜３にそれぞれ対応する。すなわち、それぞれ0.3(μm)の湿式粉の半量を平均粒径がそれよりも大きい1.5(μm)程度の粉末に置き換えたものである。この結果によれば、微粉および超微粉の湿式粉を併用することにより、抵抗率を保ったまま体積収縮率を一層低くできることが判る。

以上、本発明を図面を参照して詳細に説明したが、本発明は更に別の態様でも実施でき、その主旨を逸脱しない範囲で種々変更を加え得るものである。

本発明の一実施例の導電性ペーストを用いて導体パターンを形成した多層基板の全体を示す斜視図である。 図１の多層基板の断面構造を模式的に示す図である。 本発明の一実施例の導電性ペーストの焼結機構を説明するための模式図であって、(ａ)は焼結前を、(ｂ)は焼結後をそれぞれ表している。 本発明の一実施例の導電性ペーストの抵抗率と体積収縮率との関係を比較例と共に示す図である。

符号の説明

３２：アトマイズ粉末、３４：湿式還元粉末

Claims (5)

1. アトマイズ製法で得られる平均粒径が5(μm)以下の第１銀粉末と、湿式還元法で得られる平均粒径が0.2〜2.0(μm)の範囲内の第２銀粉末とを、20/80≦(第１銀粉末／第２銀粉末)≦80/20の範囲内の質量割合で含み、且つ、
   前記第２銀粉末は、平均粒径が1.0〜2.0(μm)の範囲内の微粉と、平均粒径が0.2〜0.6(μm)の範囲内の超微粉とを含むことを特徴とする導電性ペースト。
2. 前記第１銀粉末は、1.5〜5(μm)の範囲内の平均粒径を備えたものである請求項１の導電性ペースト。
3. 前記微粉および超微粉は、80/20≦(微粉／超微粉)≦90/10の範囲内の質量割合で含まれている請求項１の導電性ペースト。
4. 前記微粉は、前記超微粉の3〜5倍の平均粒径を備えたものである請求項１の導電性ペースト。
5. 前記第１銀粉末および前記第２銀粉末は、何れも3(g/cc)以上のタップ密度を有するものである請求項１の導電性ペースト。

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