CN107819005B - 包含多种类型薄膜晶体管的有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了包含多种类型薄膜晶体管的有机发光显示(OLED)装置及其制造方法。OLED装置包括：具有第一沟道层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极的低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管；具有第二沟道层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极的氧化物半导体薄膜晶体管；以及在第一沟道层和第一栅电极之间的功能层。第二沟道层与功能层的上表面相接触。

Description

包含多种类型薄膜晶体管的有机发光显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年8月31日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0111712的优先权，通过引用的方式将其公开并入本文。
技术领域
本公开涉及一种包括多种类型薄膜晶体管的有机发光显示(OLED)装置以及制造这种OLED装置的方法。更具体地，本公开涉及一种其中将不同类型的薄膜晶体管布置在单个衬底上的OLED装置以及制造这种OLED装置的方法。
背景技术
随着信息技术时代的真正开始，以图形方式表示电信息信号的显示领域得到了迅速的发展。据此，已经开发了更薄、更轻、功耗更低的各种类型的显示装置，以取代现有的CRT(阴极射线管)。
这种显示装置的例子包括液晶显示(LCD)装置、有机发光显示(OLED)装置、电泳显示(EPD)装置和电润湿显示(EWD)装置。其中，OLED装置已经成为具有自发光特性的下一代显示装置，因为它在视角、对比度、响应时间、功耗等方面都优于LCD装置。
OLED装置包括其中布置了用于显示图像的有机发光元件和用于驱动有机发光元件的像素电路的显示区域，以及其中布置了驱动电路的邻近显示区域的非显示区域。特别是，在像素电路中布置了多个薄膜晶体管，并且在多个像素中的每个像素中提供了驱动有机发光元件的驱动电路。
薄膜晶体管可按有源层的材料进行分类。其中，低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管是最广泛使用的。近来，正在开发一种在同一衬底上同时形成LTPS薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管的OLED装置。
发明内容
氧化物半导体薄膜晶体管被实现为n型MOSFET(以下称为NMOS)，并且通常具有BCE(背沟道蚀刻)结构。BCE晶体管可具有底栅结构，其缺点是，有源层可能会在用于形成源电极和漏电极的干蚀刻工艺中损坏。另一方面，根据共平面晶体管结构，源电极和漏电极通过布置在有源层上的绝缘层中的接触孔连接到有源层。此外，在共平面晶体管中，由于在形成源电极和漏电极时不会损坏有源层，所以共平面晶体管相比BCE型晶体管具有更好的可靠性。
为了解决BCE结构的可靠性问题，具有多种类型薄膜晶体管的OLED装置可采用共平面氧化物半导体薄膜晶体管。然而，在同一衬底上形成LTPS薄膜晶体管、然后形成氧化物半导体薄膜晶体管的制造工艺是非常复杂的。因此，本发明人认识到需要简化晶体管结构及其制造工艺步骤。
鉴于上述，本公开提供了一种能够解决上述问题的OLED装置。
具体来说，本公开提供了一种通过简化LTPS薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管的叠置结构的方式，能够减少工艺掩模的数量、简化工艺步骤以及减少CVD沉积步骤的数量，从而节省制造成本的具有多种类型薄膜晶体管的OLED装置。研究本文所述的各种概念和细节的本发明人认识到了具体问题并进行了发明。
应该注意的是，本公开的方面不限于上文所述和下文所讨论的事项，本领域的技术人员将从下面的描述更好地理解本公开的其它方面。
根据本公开的一个方面，提供了一种OLED装置。该OLED装置包括：具有第一沟道层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极的低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管；具有第二沟道层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极的氧化物半导体薄膜晶体管；以及在第一沟道层和第一栅电极之间的功能层。第二沟道层与功能层的上表面相接触。
根据本公开的另一个方面，提供了一种制造OLED装置的方法，该方法包括：在衬底上形成LTPS薄膜晶体管的第一有源层；在第一有源层上形成LTPS薄膜晶体管的第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层上形成氧化物半导体薄膜晶体管的第二有源层；以及在第一栅极绝缘层和第二有源层上分别形成LTPS薄膜晶体管的第一栅电极和氧化物半导体薄膜晶体管的第二栅电极，其中第二有源层邻接于第一栅极绝缘层的上表面。
本说明书所描述的主题的一个或多个实施例的细节将在附图和下文描述中阐述。
根据本公开的示例性实施例，提供了一种OLED装置，其具有能够解决在将多种类型的薄膜晶体管形成在单个衬底上时所产生的各种问题的新结构，以及制造它的方法。
具体来说，根据本公开的示例性实施例，OLED装置中的氧化物半导体薄膜晶体管具有共平面结构，从而能够提高可靠性。
此外，根据本公开的示例性实施例，氧化物半导体薄膜晶体管布置在LTPS薄膜晶体管的栅极绝缘层上，从而能够使OLED装置的叠置结构变得更简单。
此外，根据本公开的示例性实施例，使薄膜晶体管的叠置结构变得更简单，从而缩短了OLED装置的制造工艺时间，并能够有利地减少掩模的数量和工艺成本。
此外，根据本公开的示例性实施例，LTPS薄膜晶体管和一部分氧化物薄膜晶体管可同时形成，从而能够有效地减少工艺时间和工艺成本。
应该注意的是，本公开的效果不限于上述的那些，本领域的技术人员将从下面的描述中理解本发明的其它效果和优势。
附图说明
从下面结合附图的详细描述将更加清楚地理解本公开内容的上述和其他方面、特征和其他优点，其中：
图1是图示根据本公开的示例性实施例的包括多种类型的薄膜晶体管的OLED装置的方框图；
图2是图示根据本公开的示例性实施例的包括多种类型的薄膜晶体管的OLED装置的横截面图；
图3A至3I是图示根据本公开的示例性实施例的制造包括多种类型的薄膜晶体管的OLED装置的方法的工艺步骤的横截面图；和
图4是图示根据本公开的另一示例性实施例的包括多种类型的薄膜晶体管的OLED装置的横截面图。
具体实施方式
参考附图，从下文的示例性实施例的描述中，本公开的优势和特征以及实现它们的方法将变得明显。然而，本公开不限于本文所公开的示例性实施例，而是可以以不同的方式实现。提供示例性实施例，是为了充分公开本公开，并为了向本领域技术人员充分传达本公开的范围。需要注意的是，本公开的范围可由权利要求来限定。
附图给出的图形、尺寸、比例、角度和元件的数量仅是说明性的，不是限制性的。在整个说明书中，相同的参考数字表示相同的元件。此外，在描述本公开时，可以省略对已知技术的描述，以免使本公开的精神模糊不清。需要注意的是，“说明书”和“权利要求”中使用的“包含”、“具有”、“包括”等术语不应被解释为限制于其后所列出的意义，除非另有特别说明。当提及单数名词时，使用不定冠词或定冠词例如“一”、“所述”、“该”，其包括该名词的复数形式，除非另有特别说明。
在描述元件时，即使没有明确的说明，也将它们解释为包括误差。
在描述位置关系时，诸如“元件A在元件B上”、“元件A在元件B上方”、“元件A在元件B下方”以及“元件A在元件B旁边”，可将另一元件C(或附加元件)布置在元件A和元件B之间，除非明确使用了术语“直接地”或“紧接地”。
如本文所使用的，短语“元件A在元件B上”是指可将元件A直接地布置在元件B上，和/或可经由另一个元件C将元件A间接地布置在元件B上。
在说明书和权利要求中的第一、第二等术语被用来区分类似的元件，并且不一定被用来描述顺序或时间顺序。这些术语只是用来区分一个元件和另一个元件。因此，如本文所使用的，在本公开的技术理念中，第一元件可以是第二元件。
在整个说明书中，相同的参考数字表示相同的元件。
附图没有按比例绘制，图中的各元件的相对尺寸被图示地描述且不一定按比例绘制。
本公开的各种示例性实施例的特征可被部分地或全部地组合起来。本领域的技术人员将清楚地认识到，技术上的各种交互和操作是可能的。各种示例性实施例可被单独或组合实施。
在下文中，将参考附图详细描述本公开的示例性实施例。
在根据本公开的示例性实施例的包括多种类型的薄膜晶体管的OLED装置中，在同一衬底上形成至少两种类型的薄膜晶体管。如本文所使用的，多种类型的薄膜晶体管是指形成在单个衬底上的不同类型的薄膜晶体管。作为至少两种类型的薄膜晶体管，使用了具有多晶硅材料作为有源层的薄膜晶体管和具有金属氧化物作为有源层的薄膜晶体管。
在根据本公开的示例性实施例的包括多种类型的薄膜晶体管的OLED装置中，低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管表示具有多晶硅材料作为有源层的薄膜晶体管。由于多晶硅材料具有高迁移率(100cm2/Vs或100cm2/Vs以上)，所以其具有低功耗和高可靠性。因此，可在用于显示元件的驱动薄膜晶体管、栅极驱动电路和/或多路复用器(MUX)电路中采用LTPS薄膜晶体管。具体来说，其可被用作在OLED装置的像素中的驱动薄膜晶体管。
此外，在根据本公开的示例性实施例的包括多种类型的薄膜晶体管的OLED装置中，使用了具有氧化物半导体材料作为有源层的氧化物半导体薄膜晶体管。由于氧化物半导体材料具有比硅材料更大的带隙，所以电子不能在截止状态时越过带隙，因此截止电流很低。因此，氧化物半导体薄膜晶体管适用于具有较短的导通时间和较长的截止时间的开关薄膜晶体管。此外，氧化物半导体薄膜晶体管具有小的截止电流，所以能够降低存储电容，因此，氧化物半导体薄膜晶体管适用于高分辨率显示元件。
在根据本公开的示例性实施例的包括多种类型的薄膜晶体管的OLED装置中，将具有不同特性的LTPS薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管布置在同一衬底上，从而实现了最佳的性能。
图1是图示根据本公开的示例性实施例的包括多种类型的薄膜晶体管的OLED装置的方框图。根据本公开的所有实施例的OLED装置的所有部件都被操作性地耦合和配置在一起。
参考图1，OLED装置100包括有机发光显示面板10、栅极驱动器11、数据驱动器12、多路复用器(MUX)14和定时控制器13。
定时控制器13控制显示面板驱动电路，显示面板驱动电路包括用于将输入图像的数据施加到有机发光显示面板10的像素P的数据驱动器12和栅极驱动器11。当有机发光显示面板10进一步包括触摸感测单元时，显示面板驱动电路可进一步包括触摸感测驱动器。
在有机发光显示面板10上，多条数据线DL和多条扫描线SL相互交叉，并且多个像素P以矩阵形式布置。此外，在有机发光显示面板10上，可进一步布置各种线路，诸如初始化电压线、发光控制信号线、高电位电压线和低电位电压线。
多个像素P每个都会产生颜色，并且可包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。此外，多个像素P可进一步包括白色子像素，以提高有机发光显示面板10的亮度和寿命。红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素(和白色子像素)可形成一组以产生所需的颜色。
数据驱动器12将在每一帧从定时控制器13接收到的输入图像的数字数据DATA转换成模拟数据电压，然后将数据电压提供给数据线DL。数据驱动器12可使用将数字数据转换为伽马校正电压的数字-模拟转换器(DAC)来输出数据电压。
多路复用器14可布置在数据驱动器12和有机发光显示面板10的数据线DL之间。多路复用器14可通过将数据驱动器12经由单个输出信道输出的数据电压分离成n个信道来减少数据驱动器12的输出信道的数量，其中n是等于或大于二的正整数。根据OLED装置100的分辨率和应用(或用途)，可省略多路复用器14。多路复用器14可被实现为开关电路，并且该开关电路在定时控制器13的控制下导通/断开。
栅极驱动器11在定时控制器13的控制下输出扫描信号和发光控制信号，以通过扫描线SL选择要用数据电压充电的像素P，并调整发光定时。栅极驱动器11可使用移位寄存器移位扫描信号和发光控制信号以顺序地将信号供应到扫描线SL。栅极驱动器11的移位寄存器可通过使用面板内栅极驱动器(GIP)技术直接形成在有机发光显示面板10的衬底上。
定时控制器13从主机系统接收输入图像的数字视频数据DATA和与数字视频数据DATA同步的定时信号。定时信号可包括垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、时钟信号DCLK和数据使能信号DE。主机系统可以是各种电子设备中的一种，诸如电视系统、机顶盒、导航系统、DVD播放器、蓝光播放器、个人计算机(PC)、家庭影院系统和电话系统中的一种。
定时控制器13可使输入帧频率乘以i，并可用等于输入帧频率×i赫兹的频率控制栅极驱动器11、数据驱动12等的操作定时，其中i是大于零的正整数。输入帧频率在国家电视标准委员会(NTSC)系统中可以是60赫兹，在相位交替线(PAL)系统中可以是50赫兹。
基于从主机系统接收到的定时信号Vsync、Hsync、DCLK和DE，定时控制器13可产生用于控制数据驱动器12的操作定时的数据定时控制信号DDC，用于控制多路复用器14的操作定时的MUX选择信号MUX_R、MUX_G和MUX_B，和用于控制栅极驱动器11的操作定时的栅极定时控制信号GDC。
数据定时控制信号DDC可包括源极启动脉冲SSP、源极采样时钟SSC、极性控制信号POL、源极输出使能信号SOE等。源极启动脉冲SSP控制数据驱动器12的采样开始定时。源极采样时钟SSC是用于移位数据采样定时的时钟。极性控制信号(POL)控制从数据驱动器12输出的数据信号的极性。当定时控制器13和数据驱动器12之间的信号传输接口是微型低压差分信号(LVDS)接口时，可以省略源极启动脉冲SSP和源极采样时钟SSC。
栅极定时控制信号GDC包括栅极启动脉冲GSP、栅极移位时钟CLK、栅极输出使能信号GOE等。在GIP电路的情况下，可以省略栅极输出使能信号GOE。栅极启动脉冲GSP可在每帧周期开始时产生一次，并被输入到移位寄存器。栅极启动脉冲GSP控制在每个帧周期输出第一区块的栅极脉冲的开始定时。栅极移位时钟CLK被输入到移位寄存器以控制移位寄存器的移位定时。栅极输出使能信号GOE定义了栅极脉冲的输出定时。
图2是图示根据本公开的示例性实施例的包括多种类型的薄膜晶体管的OLED装置的横截面图。
参考图2，OLED装置200包括衬底210、缓冲层211、存储电容器220、LTPS薄膜晶体管230、氧化物半导体薄膜晶体管240、LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212、层间绝缘层260、氧化物半导体薄膜晶体管240的栅极绝缘层214、钝化层215、平坦化层216和阳极250。
由于LTPS薄膜晶体管230具有良好的响应特性，所以它可被用作像素电路的驱动薄膜晶体管。图2所示的LTPS薄膜晶体管230是共平面薄膜晶体管。由于氧化物半导体薄膜晶体管240具有良好的截止电流特性，所以它可被用作像素电路的开关薄膜晶体管。图2所示的氧化物半导体薄膜晶体管240是共平面薄膜晶体管。
在下文中，将参考图2详细描述OLED装置200的元件。
衬底210支撑其上面的OLED装置200的各种元件。衬底210可由诸如玻璃或具有柔性的塑料等材料制成。当衬底210由塑料材料制成时，其可以由例如聚酰亚胺(PI)制成。当衬底210由聚酰亚胺(PI)制成时，可利用衬底210下面的玻璃支撑衬底来制造OLED装置，并且在生产OLED装置之后可将支撑衬底与之分离。在将支撑衬底与之分离之后，可将背板布置在衬底210的下面以进行支撑。背板可由诸如玻璃或具有柔性的塑料等材料制成。
当衬底210由塑料材料制成时，为了可靠地阻挡湿气或氢从衬底210下面渗透到OLED装置200中和可靠地保护OLED装置200免受外部的电影响，衬底210可具有多层结构。例如，为了更可靠地阻挡从衬底210下面渗透湿气或氢，衬底210可具有塑料层、无机膜和塑料层的三层结构。无机膜可由诸如氮化硅(SiNx)的无机材料制成。
缓冲层211形成在衬底210的整个表面上。缓冲层211可由氧化硅(SiOx)的单层或氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的多层组成。缓冲层211增强了形成在其上的层和衬底210之间的粘附力，并且阻挡了从衬底210漏出的碱性成分等。缓冲层211也可用于在后文描述的氢化处理中，将氢供应给LTPS薄膜晶体管230。需要理解的是，缓冲层211不是必不可少的元件，并且可根据衬底210的类型和材料、薄膜晶体管的结构和类型等，将其省略。
LTPS薄膜晶体管230布置在缓冲层211上。LTPS薄膜晶体管230包括栅电极234、源电极232、漏电极233和由多晶硅制成的有源层231。
LTPS薄膜晶体管230的有源层231布置在缓冲层211上。LTPS薄膜晶体管230的有源层231包括其中在驱动LTPS薄膜晶体管230时形成沟道的沟道区231b、邻近沟道区231b的源区231a和漏区231c。沟道区231b、源区231a和漏区231c通过离子掺杂(杂质掺杂)来界义。
LTPS薄膜晶体管230的有源层231包含多晶硅。具体来说，将非晶硅(a-Si)材料沉积在缓冲层211上，进行脱氢处理和结晶处理以形成多晶硅，并将多晶硅图案化以形成有源层231。此外，在形成后文描述的LPTS薄膜晶体管的层间绝缘层260后，可进一步进行活化处理和氢化处理以完成有源层231。
LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212布置在LTPS薄膜晶体管230的有源层231和缓冲层211上。LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212可由氧化硅(SiOx)的单层或氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的多层组成。当LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212由多层组成时，为了抑制或减少氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241暴露在氢中，可取的是，将具有较低氢含量的无机层布置在具有较高氢含量的无机层上方。例如，可将氮化硅(SiNx)层布置在LTPS薄膜晶体管230的有源层231和缓冲层211上，并且可将氧化硅(SiOx)层布置在氮化硅(SiNx)层上。因此，氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241邻接于具有较低氢含量的氧化硅(SiOx)层，从而能够抑制或减少有源层241变得导电。当氢在氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241中扩散时，可能会还原氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241，并且可能会改变氧化物半导体薄膜晶体管240的阈值电压Vth。在LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212中形成了接触孔，经由接触孔，LTPS薄膜晶体管230的源电极232和漏电极233分别连接到LTPS薄膜晶体管230的有源层231的源区231a和漏区231c。
LTPS薄膜晶体管230的栅电极234布置在LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212上。诸如钼(Mo)的金属层形成在LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212上，并将金属层图案化以形成LTPS薄膜晶体管230的栅电极234。LTPS薄膜晶体管230的栅电极234与LTPS薄膜晶体管230的有源层231的沟道区231b重叠。
氧化物半导体薄膜晶体管240包括栅电极244、源电极242、漏电极243和由氧化物半导体制成的有源层241。
利用LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212作为缓冲层，将氧化物半导体薄膜晶体管240布置在第一栅极绝缘层212上。更具体地说，氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241布置在LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212上。氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241包括其中在驱动氧化物半导体薄膜晶体管240时形成沟道的沟道区241b、邻接于沟道区241b的源区241a和漏区241c。
氧化物半导体薄膜晶体管240的栅极绝缘层214布置在氧化物半导体薄膜晶体管241的有源层241上。氧化物半导体薄膜晶体管240的栅极绝缘层214与氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241的沟道区241b重叠。
诸如钼(Mo)的金属层形成在氧化物半导体薄膜晶体管240的栅极绝缘层214上，然后将金属层图案化以形成氧化物半导体薄膜晶体管240的栅电极244。氧化物半导体薄膜晶体管240的栅电极244和LTPS薄膜晶体管230的栅电极234可经由同一工艺一起形成。也就是说，在LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212和氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241上形成金属层之后，可将金属层图案化，从而同时形成LTPS薄膜晶体管230的栅电极234和氧化物半导体薄膜晶体管240的栅电极244。通过这样，LTPS薄膜晶体管230的栅电极234和氧化物半导体薄膜晶体管240的栅电极244可具有相同的材料和相同的厚度。如上所述，通过经由同一工艺一起形成LTPS薄膜晶体管230的栅电极234和氧化物半导体薄膜晶体管240的栅电极244，能够节省工艺时间并减少掩模的数量和工艺成本。
如图2所示，包括在OLED装置200的像素P中的多个晶体管具有共平面结构。此外，在图2所示的共平面晶体管中，LTPS薄膜晶体管230的栅电极234和氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241和栅电极244布置在LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212上，使得晶体管的结构变得更简单。也就是说，氧化物半导体薄膜晶体管240的元件与LTPS薄膜晶体管230的一些元件布置在同一层中。这种结构能够缩短OLED装置的制造工艺时间，并能够减少掩模数量和工艺成本。
在LTPS薄膜晶体管230的栅电极234和LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212之间，可布置由与氧化物半导体薄膜晶体管240的栅极绝缘层214相同的材料制成的无机层。布置在LTPS薄膜晶体管的第一栅极绝缘层212和LTPS薄膜晶体管230的栅电极234之间的无机层变成了LTPS薄膜晶体管230的第二栅极绝缘层213。根据制造工艺，可省略第二栅极绝缘层213。
层间绝缘层260布置在LTPS薄膜晶体管230的栅电极234和氧化物半导体薄膜晶体管240的栅电极244上。层间绝缘层260可由多个层组成。例如，层间绝缘层260可由第一层间绝缘层261和布置在第一层间绝缘层261上的第二层间绝缘层262组成。第二层间绝缘层262可由氮化硅(SiNx)制成。第一层间绝缘层261可由氢含量比第二层间绝缘层262的氢含量低的氧化硅(SiOx)制成。在层间绝缘层260中可形成接触孔，以暴露LTPS薄膜晶体管230的有源层231的源区231a和漏区231c和氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241的源区241a和漏区241c。
LTPS薄膜晶体管230的源电极232和漏电极233和氧化物半导体薄膜晶体管240的源电极242和漏电极243布置在层间绝缘层260上。LTPS薄膜晶体管230的源电极232和漏电极233和氧化物半导体薄膜晶体管240的源电极242和漏电极243可由导电金属材料制成，并且可由例如钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)的三层结构组成。
LTPS薄膜晶体管230的源电极232和漏电极233通过形成在LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212、第一层间绝缘层261和第二层间绝缘层262中的接触孔，分别电连接到LTPS薄膜晶体管230的有源层231的源区231a和漏区231c。此外，氧化物半导体薄膜晶体管240的源电极242和漏电极243通过形成在第一层间绝缘层261和第二层间绝缘层262中的接触孔，分别连接到氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241的源区241a和漏区241c。
LTPS薄膜晶体管230的源电极232和漏电极233和氧化物半导体薄膜晶体管240的源电极242和漏电极243可经由同一工艺一起形成(即，能够通过同一工艺同时形成)。也就是说，可图案化源/漏材料层，从而一起形成LTPS薄膜晶体管230的源电极232和漏电极233和氧化物半导体薄膜晶体管240的源电极242和漏电极243。因此，LTPS薄膜晶体管230的源电极232和漏电极233和氧化物半导体薄膜晶体管240的源电极242和漏电极243可具有相同的厚度，并可由相同的材料制成。如上所述，通过经由同一工艺一起形成LTPS薄膜晶体管230的源电极232和漏电极233和氧化物半导体薄膜晶体管240的源电极242和漏电极243，能够节省工艺时间并减少掩模的数量和工艺成本。
虽然在图2中LTPS薄膜晶体管230的漏电极233连接到氧化物半导体薄膜晶体管240的源电极242，但在一些像素电路中，LTPS薄膜晶体管230的漏电极233可以不连接到氧化物半导体薄膜晶体管240的源电极242。
钝化层215布置在LTPS薄膜晶体管230的源电极232和漏电极233和氧化物半导体薄膜晶体管240的源电极242和漏电极243上。钝化层215是用于保护LTPS薄膜晶体管230和氧化物半导体薄膜晶体管240的绝缘层。钝化层215可抑制氢从顶部扩散。当氢在氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241中扩散时，可能会还原氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241，并且可能会改变氧化物半导体薄膜晶体管240的阈值电压Vth。另外，钝化层215可抑制包含在后文描述的平坦化层216中的湿气渗透到氧化物半导体薄膜晶体管240中。用于暴露LTPS薄膜晶体管230的源电极232或漏电极233的接触孔形成在钝化层215中。钝化层215可由氧化硅(SiOx)制成。
平坦化层216布置在钝化层215上。平坦化层216是用于在氧化物半导体薄膜晶体管240和LTPS薄膜晶体管230上方提供平坦表面的绝缘层，并可由有机材料制成。在某些实现方式中可省略平坦化层216。在图2中，在平坦化层216下面的各种绝缘层的上部都被示出为是平坦的。然而，在现实中，上部可能不是平坦的，而是具有由氧化物半导体薄膜晶体管240和LTPS薄膜晶体管230的元件或引入的异物所产生的水平高度差异。为此，通过在氧化物半导体薄膜晶体管240和LTPS薄膜晶体管230上方提供平坦表面，能够更可靠地形成有机发光元件。用于暴露LTPS薄膜晶体管230的源电极232或漏电极233的接触孔形成在平坦化层216中。
存储电容器220布置在衬底210上。存储电容器220包括布置在LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212上的第一电极221，和形成在层间绝缘层260上的第二电极222。存储电容器220可进一步包括布置在钝化层215上的第三电极，从而进一步增加存储电容器的电容量。存储电容器220的第一电极221可布置在由与氧化物半导体薄膜晶体管240的栅极绝缘层214相同的材料制成的无机层上。需要注意的是，可根据工艺省略上述无机层，并且如上所述可将存储电容器220的第一电极221布置在LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212上。
存储电容器220的第一电极221可与LTPS薄膜晶体管230的栅电极234和氧化物半导体薄膜晶体管240的栅电极244一起形成(即，使用同一工艺同时形成)，并且可由与LTPS薄膜晶体管230的栅电极234和氧化物半导体薄膜晶体管240的栅电极244相同的材料制成。此外，存储电容器220的第二电极222可与LTPS薄膜晶体管230的源电极232和漏电极233和氧化物半导体薄膜晶体管240的源电极242和漏电极243一起形成，并且可由与LTPS薄膜晶体管230的源电极232和漏电极233和氧化物半导体薄膜晶体管240的源电极242和漏电极243相同的材料制成。存储电容器220的第三电极可与阳极250一起形成，并且可由与阳极250相同材料制成。因此，能够在制造氧化物半导体薄膜晶体管240和LTPS薄膜晶体管230的工艺中形成存储电容器220，而不需要任何附加工艺，从而能够减少工艺时间和工艺成本。
氧化物半导体薄膜晶体管240的栅电极244和栅极绝缘层214可同时被图案化。换句话说，可省略用于形成氧化物半导体薄膜晶体管240的栅极绝缘层214的附加掩模工艺。结果，能够减少工艺时间和工艺成本。当氧化物半导体薄膜晶体管240的栅电极244和栅极绝缘层214被同时图案化时，可进一步布置由与氧化物半导体薄膜晶体管240的栅极绝缘层214相同的材料制成的第二栅极绝缘层213。LTPS薄膜晶体管230的第二栅极绝缘层213与LTPS薄膜晶体管230的栅电极234同时被图案化。此外，在存储电容器220的第一电极221和LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212之间，可布置由与氧化物半导体薄膜晶体管240的栅极绝缘层214相同的材料制成的无机层。存储电容器220的第一电极221和布置在第一电极221下面的无机层同时被图案化。
包括阳极250的有机发光元件布置在平坦化层216上。有机发光元件包括形成在平坦化层216上并电连接到LTPS薄膜晶体管230的源电极232的阳极250、布置在阳极250上的有机层和形成在有机层上的阴极。同时，根据OLED装置200的像素电路，阳极250可连接到LTPS薄膜晶体管230的漏电极233。有机层发射特定颜色的光，并且可包括红色有机发光层、绿色有机发光层、蓝色有机发光层和白色有机发光层中的一种。当有机层包括白色有机发光层时，用于将白色有机发光层的白光转换成不同颜色的光的滤色器可布置在有机发光元件上。除有机发光层以外，有机层可进一步包括诸如空穴传输层、空穴注入层、电子注入层和电子传输层的各种有机层。
封装层可布置在有机发光元件上。封装层保护易受湿气影响的有机发光元件不暴露在湿气中。
在形成全部LTPS薄膜晶体管之后形成氧化物半导体薄膜晶体管的工艺是非常复杂的，这样增加了工艺时间和成本，并因此降低了生产率。在这方面，在根据本公开的示例性实施例的OLED装置200中，LTPS薄膜晶体管230和氧化物半导体薄膜晶体管240形成在同一层上，这使得结构变得更简单，从而减少了工艺所需的掩模数量并节省工艺时间和成本。更具体地说，通过将LTPS薄膜晶体管230的栅电极234及一些元件和氧化物半导体薄膜晶体管240布置在LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212上，能够简化OLED装置200的结构。
图3A至3I是图示根据本公开的示例性实施例的制造包括多种类型的薄膜晶体管的OLED装置的方法的工艺步骤的横截面图。图3A至3I的方法可优选用来形成图2的OLED装置，但也可用来形成其它OLED装置。
参考图3A，在衬底210的表面上沉积缓冲层211。具体来说，可形成氧化硅(SiOx)单层的缓冲层211，或可通过交替叠置氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)形成多层的缓冲层211。
参考图3A，在缓冲层211的表面上沉积非晶硅(a-Si)材料以形成非晶硅层331，并且对非晶硅层331进行脱氢处理。当非晶硅层331中含有大量氢时，非晶硅层331中的氢在随后的结晶处理中可能会爆炸，从而导致缺陷。脱氢处理是从非晶硅层331中除去氢的步骤，该步骤在形成非晶硅层331之后并在进行结晶处理之前进行。
在脱氢处理完成之后，对非晶硅层331进行结晶处理。结晶处理是使非晶硅层331中的非晶硅结晶并转化为多晶硅的步骤，并且可通过例如准分子激光退火(ELA)工艺来实施。
随后，参考图3B，将结晶的非晶硅a-Si层331图案化以形成LTPS薄膜晶体管230的有源层231。
参考图3C、在LTPS薄膜晶体管230的有源层231上形成LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212。第一栅极绝缘层212可由氧化硅(SiOx)制成。
第一栅极绝缘层212可在大约350℃或350℃以下的环境中形成。在氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241不与第一栅极绝缘层212的上表面相接触的典型结构中，在大约420℃的环境中形成第一栅极绝缘层212。当在大约420℃的环境中沉积第一栅极绝缘层212时，与在大约350℃或350℃以下的环境只沉积的栅极绝缘层相比，第一栅极绝缘层212可具有较高的氢含量。当氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241暴露于氢时，可能会还原氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241，并且可能会改变氧化物半导体薄膜晶体管240的阈值电压Vth。因此，优选地的是，图2和3C所示的邻接于氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241的第一栅极绝缘层212具有较低氢含量。
随后，通过在LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212上沉积例如氧化铟镓锌(IGZO)的金属氧化物来形成IGZO层341。虽然图3C示出了以氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241由各种金属氧化物之中的IGZO制成的假设为依据形成IGZO层341。然而，这仅仅是说明性的，也可使用不同于IGZO的其它金属氧化物。
参考图3D，通过图案化IGZO层341形成氧化物半导体薄膜晶体管的240的有源层241。随后，对有源层241进行热处理以使有源层241变得稳定，从而提高氧化物半导体薄膜晶体管240的可靠性。
参考图3D，在氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241上沉积氧化硅(SiOx)以形成无机层314。随后，在无机层314上沉积用于栅电极的材料344。栅电极的材料344可以是钼(Mo)。
随后，参考图3E，将栅电极的材料344图案化，以形成LTPS薄膜晶体管230的栅电极234、氧化物半导体薄膜晶体管240的栅电极244和存储电容器220的第一电极221。这样，当图案化LTPS薄膜晶体管230的栅电极234时，也会图案化在LTPS薄膜晶体管230的栅电极234下面的无机层314，从而形成LTPS薄膜晶体管230的第二栅极绝缘层213。
如图3E所示，LTPS薄膜晶体管230的栅极绝缘层可由包含第一栅极绝缘层212和第二栅极绝缘层213的多个层组成。当使用不同掩模来形成氧化物半导体薄膜晶体管240的栅极绝缘层214和LTPS薄膜晶体管230的栅电极234时，LTPS薄膜晶体管230的第二栅极绝缘层213的厚度可能会不同于氧化物半导体薄膜晶体管240的栅极绝缘层214的厚度，或者可省略LTPS薄膜晶体管230的第二栅极绝缘层213。在图3E中，第一栅极绝缘层212的厚度可以是约50nm，第二栅极绝缘层213的厚度可以是约100nm。然而，这仅仅是说明性的。第一栅极绝缘层212和第二栅极绝缘层213的厚度可根据诸如压力和温度的工艺条件而有所不同。需要注意的是，必须确定第一栅极绝缘层212和第二栅极绝缘层213的厚度，从而使它们能够充当LTPS薄膜晶体管230的栅极绝缘层。也就是说，第一栅极绝缘层212和第二栅极绝缘层213的厚度总和可具有预定值，从而使第一栅极绝缘层212和第二栅极绝缘层213一起充当LTPS薄膜晶体管的栅极绝缘层。因此，第一栅极绝缘层212的厚度可通过第二栅极绝缘层213的厚度来确定。
通过干蚀刻工艺形成氧化物半导体薄膜晶体管240的栅电极244和栅极绝缘层214。通过执行干蚀刻工艺，使氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241的暴露部分变得导电，从而界义源区241a和漏区241c。
参考图3F，通过使用LTPS薄膜晶体管230的栅电极234作为掩模，进行将杂质注入到布置在LTPS薄膜晶体管230的栅电极234下面的、LTPS薄膜晶体管230的有源层231中的掺杂工艺，从而可界义LTPS晶体管230的有源层的231的源区231a和漏区231c。LTPS薄膜晶体管230可形成为PMOS薄膜晶体管、NMOS薄膜晶体管和CMOS薄膜晶体管中的一种。注入杂质的方法可根据晶体管的类型而有所不同。特别是，当LTPS薄膜晶体管230用NMOS薄膜晶体管形成时，为了抑制漏电流，局部减少在有源层241上的栅电极234的边界处的杂质掺杂浓度，以抑制电场变得太大。更具体地说，使用大于LTPS薄膜晶体管230的栅电极234的光刻胶作为掩模来界定重掺杂区。然后，去除光刻胶，并可通过使用LTPS薄膜晶体管230的栅电极234作为掩模来界义轻掺杂漏极(LDD)。
参考图3G、在LTPS薄膜晶体管230的栅电极234、氧化物半导体薄膜晶体管240的栅电极244、氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241、存储电容器220的第一电极221和LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212上方，形成层间绝缘层260。
层间绝缘层260可由包含由氧化硅(SiOx)制成的第一层间绝缘层261和由氮化硅(SiNx)制成的第二层间绝缘层262的多个层组成。为了抑制氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241在后文描述的LTPS薄膜晶体管230的有源层231的氢化处理中暴露在氢中，优选在由氧化硅(SiOx)制成的第一层间绝缘层261上形成由氮化硅(SiNx)制成的第二层间绝缘层262。由于氧化硅(SiOx)具有比氮化硅(SiNx)低的氢含量，所以可取的是，直接与氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241直接接触的第一层间绝缘层261由氧化硅(SiOx)制成。
在形成层间绝缘层260之后，对LTPS薄膜晶体管230的有源层231进行活化处理和氢化处理。
作为对LTPS薄膜晶体管230的有源层231进行掺杂工艺的结果，注入的杂质可能会随机存在。在这方面，可对LTPS薄膜晶体管230的有源层231进行活化处理，以将上述杂质置于在硅(Si)晶格中。此外，由于对LTPS薄膜晶体管230的有源层231执行的掺杂工艺是将杂质人为注入到有源层231中的步骤，所以作为对LTPS薄膜晶体管230的有源层231执行掺杂工艺的结果，可能会使硅(Si)损坏。在这方面，通过对LTPS薄膜晶体管230的有源层231执行活化处理，可修补被损坏的硅(Si)。
多晶硅中存在空位时，其性能会退化。在这方面，通过对LTPS薄膜晶体管230的有源层231执行氢化处理，多晶硅中的空位可用氢填充。通过经由热处理工艺使包含在第二层间绝缘层262中的氢扩散来进行对LTPS薄膜晶体管230的有源层231执行的氢化处理。当在高温下进行热处理工艺时，氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241可能会变得导电。因此，上述热处理工艺可在约250℃的温度下进行。通过对LTPS薄膜晶体管230的有源层231进行氢化处理，能够使LTPS薄膜晶体管230的有源层231变得稳定。
在对LTPS薄膜晶体管230的有源层231进行氢化处理之前，可进行氢等离子体预处理工艺。氢等离子体预处理工艺是在氢化处理之前将氢供应到LTPS薄膜晶体管230的多晶硅层的初级步骤，以使多晶硅的空位能够更稳定地用氢填充。氢等离子体预处理工艺可在形成LTPS薄膜晶体管230的有源层231之后立即进行，并且可在形成第一层间绝缘层261之后立即进行。
随后，参考图3H，在LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212和层间绝缘层260中形成接触孔，并形成LTPS薄膜晶体管230的源电极232和漏电极233和氧化物半导体薄膜晶体管240的源电极242和漏电极243。LTPS薄膜晶体管230的源电极232和漏电极233分别连接到LTPS薄膜晶体管230的有源层231的源区231a和漏区231c。氧化物半导体薄膜晶体管240的源电极242和漏电极243分别连接到氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241的源区241a和漏区241c。
在LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212和层间绝缘层260中形成接触孔之后，在层间绝缘层260上沉积并图案化用于源电极和漏电极的材料，从而可形成LTPS薄膜晶体管230的源电极232和漏电极233和氧化物半导体薄膜晶体管240的源电极242和漏电极243。LTPS薄膜晶体管230的源电极232和漏电极233和氧化物半导体薄膜晶体管240的源电极242和漏电极243可由钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)的三层结构组成，图案化工艺可通过干蚀刻来实施。
随后，参考图3I，形成钝化层215，从而使其覆盖LTPS薄膜晶体管230的源电极232和漏电极233和氧化物半导体薄膜晶体管240的源电极242和漏电极243。
随后，在钝化层215上形成平坦化层216。平坦化层216是用于在氧化物半导体薄膜晶体管240和LTPS薄膜晶体管230上方提供平坦表面的绝缘层，并且可由有机材料制成。在图2和3A至3I中，平坦化层216下面的各绝缘层的上部都被示出为是平坦的。然而，在现实中，可具有由氧化物半导体薄膜晶体管240和LTPS薄膜晶体管230的元件或异物所产生的水平高度差异。为此，通过在氧化物半导体薄膜晶体管240和LTPS薄膜晶体管230上方提供平坦的表面，能够更可靠地形成有机发光元件。用于暴露LTPS薄膜晶体管230的源电极232的接触孔形成在钝化层215和平坦化层216中。
在钝化层215和平坦化层216中形成接触孔之后，在平坦化层216上进一步形成阳极250、有机层、阴极和封装层。
图4是图示根据本公开的另一示例性实施例的包括多种类型的薄膜晶体管的OLED装置的横截面图。
除了更改了缓冲层211和层间绝缘层360以外，图4所示的OLED装置400与图2所示的OLED装置200基本相同，因此可省略或简要描述重复描述。
缓冲层211可由多个层组成。参考图4，具有较高氢含量的第一缓冲层211a可布置在衬底210上，具有比第一缓冲层211a低的氢含量的第二缓冲层211b可布置在第一缓冲层211a上。第一缓冲层211a可由氮化硅(SiNx)制成，第二缓冲层211b可由氧化硅(SiOx)制成。
在形成层间绝缘层360之后，可对LTPS薄膜晶体管230的有源层231进行活化处理和氢化处理。在氢化处理中，可使包含在第一缓冲层211a中氢扩散到LTPS薄膜晶体管230的有源层231中，从而能够使LTPS薄膜晶体管230的有源层231变得稳定。
此外，在形成LTPS薄膜晶体管230的第一栅极绝缘层212之后，可对LTPS薄膜晶体管230的有源层231进行活化处理和氢化处理。具体来说，活化处理和氢化处理可在形成氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241之前进行。由于在完成了氢化处理之后形成氧化物半导体薄膜晶体管240的有源层241，所以可进一步提高氧化物半导体薄膜晶体管240的可靠性。
当缓冲层211由多个层组成时，图4所示的层间绝缘层360可以是由氧化硅(SiOx)制成的单层。然而，本发明不限于此。缓冲层211和层间绝缘层360都可由多个层组成。
本公开的示例性实施例也可描述如下：
根据本公开的一个方面，一种OLED装置包括：具有第一沟道层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极的低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管；具有第二沟道层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极的氧化物半导体薄膜晶体管；以及在第一沟道层和第一栅电极之间的功能层。第二沟道层与功能层的上表面相接触。
与第二沟道层不与功能层的上表面接触的结构相比，功能层的氢含量较低。
第一栅电极可以在功能层上，第二栅电极可以在第二沟道层上，并且第一栅电极和第二栅电极可由相同的材料制成。
OLED装置进一步包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，第一栅极绝缘层位于第二栅电极和第二沟道层之间，第二栅极绝缘层位于功能层和第一栅电极之间。第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层可由相同材料制成。
功能层可连同第二栅极绝缘层一起充当LTPS薄膜晶体管的栅极绝缘层，并且功能层的厚度可通过第二栅极绝缘层的厚度来确定。
OLED装置可进一步包括功能层上的层间绝缘层，并且层间绝缘层可覆盖第一栅电极和第二栅电极。
层间绝缘层可具有双重绝缘功能，其使LTPS薄膜晶体管的第一栅电极与第一源电极和第一漏电极绝缘，并且同时使氧化物半导体薄膜晶体管的第二栅电极与第二源电极和第二漏电极绝缘。
层间绝缘层可包括在功能层上的第一层间绝缘层和在第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层。
第一层间绝缘层的氢含量可低于第二层间绝缘层的氢含量。
第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极可以在层间绝缘层上，并且第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极可由相同的材料制成并具有相同的厚度。
根据本公开的另一个方面，一种制造OLED装置的方法包括：在衬底上形成LTPS薄膜晶体管的第一有源层；在第一有源层上形成LTPS薄膜晶体管的第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层上形成氧化物半导体薄膜晶体管的第二有源层；以及在第一栅极绝缘层和第二有源层上分别形成LTPS薄膜晶体管的第一栅电极和氧化物半导体薄膜晶体管的第二栅电极。第二有源层邻接于第一栅极绝缘层的上表面。
第一栅极绝缘层可在350℃或更低的温度下形成，以抑制第二有源层变得导电。
该方法可进一步包括，在形成第二有源层与形成第一栅电极和第二栅电极之间，同时形成氧化物半导体薄膜晶体管的第二栅极绝缘层和LTPS薄膜晶体管的第三栅极绝缘层。
该方法可进一步包括在第一栅极绝缘层上形成层间绝缘层，并且层间绝缘层可完全覆盖第一栅电极、第二栅电极和第二有源层。
形成层间绝缘层可包括形成第一层间绝缘层以覆盖第一栅电极、第二栅电极和第二有源层的全部；以及在第一层间绝缘层上形成第二层间绝缘层。
第一层间绝缘层的氢含量可低于第二层间绝缘层的氢含量。
该方法可进一步包括在层间绝缘层上形成LTPS薄膜晶体管的第一源电极和第一漏电极和氧化物半导体薄膜晶体管的第二源电极和第二漏电极。
分别通过形成在层间绝缘层中的多个接触孔，第一源电极和第一漏电极可电连接到第一有源层，第二源电极和第二漏电极可电连接到第二有源层。
该方法可进一步包括，在形成层间绝缘层与形成第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极之间，对第一有源层进行氢化处理。
该方法可进一步包括在形成第一有源层之前，在衬底上以多层形式形成多个缓冲层。
到目前为止，已参考附图详细描述了本公开的示例性实施例。然而，本公开不限于所述的示例性实施例，并且在不偏离本公开的技术思想的情况下可进行修改和变更。因此，本文所描述的示例性实施例仅仅是说明性的，并且不意图限制本公开的范围。本公开的技术思想不被示例性实施例所限制。本公开所要求的保护范围可由附属权利要求限定，并且其所有等价物被解释为在本公开的真实范围之内。

Claims (20)

1.一种有机发光显示(OLED)装置，包括：
具有第一沟道层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极的低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管；
具有第二沟道层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极的氧化物半导体薄膜晶体管；和
在第一沟道层和第一栅电极之间的功能层，
其中第二沟道层与功能层的上表面相接触；并且
其中第一栅电极和第二栅电极由相同材料制成并且由同一层形成。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中与第二沟道层不与功能层的上表面接触的结构相比，功能层的氢含量较低。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中第一栅电极位于功能层上，并且
第二栅电极位于第二沟道层上。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，进一步包括：
在第二栅电极和第二沟道层之间的第一栅极绝缘层；和
在功能层和第一栅电极之间的第二栅极绝缘层，
其中第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层由相同材料制成并且由同一层形成。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中功能层连同第二栅极绝缘层一起充当低温多晶硅薄膜晶体管的栅极绝缘层，和
其中基于第二栅极绝缘层的厚度来确定功能层的厚度。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括：
在功能层上的层间绝缘层，
其中层间绝缘层覆盖第一栅电极和第二栅电极。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中层间绝缘层具有双重绝缘功能，其使低温多晶硅薄膜晶体管的第一栅电极与第一源电极和第一漏电极绝缘，并且同时使氧化物半导体薄膜晶体管的第二栅电极与第二源电极和第二漏电极绝缘。
8.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中层间绝缘层包括：
在功能层上的第一层间绝缘层，和
在第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中第一层间绝缘层的氢含量低于第二层间绝缘层的氢含量。
10.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极位于层间绝缘层上，和
其中第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极由相同材料制成并具有相同的厚度。
11.一种制造有机发光显示(OLED)装置的方法，该方法包括：
在衬底上形成低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管的第一有源层；
在第一有源层上形成低温多晶硅薄膜晶体管的第一栅极绝缘层；
在第一栅极绝缘层上形成氧化物半导体薄膜晶体管的第二有源层；和
在第一栅极绝缘层和第二有源层上分别形成低温多晶硅薄膜晶体管的第一栅电极和氧化物半导体薄膜晶体管的第二栅电极，
其中第二有源层邻接于第一栅极绝缘层的上表面，并且
其中第一栅电极和第二栅电极由相同材料制成并且由同一层形成。
12.根据权利要求11所述的方法，其中第一栅极绝缘层在350℃或更低的温度下形成，以抑制第二有源层变得导电。
13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：
在形成第二有源层与形成第一栅电极和第二栅电极之间，同时形成氧化物半导体薄膜晶体管的第二栅极绝缘层和低温多晶硅薄膜晶体管的第三栅极绝缘层。
14.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：
在第一栅极绝缘层上形成层间绝缘层，
其中层间绝缘层完全覆盖第一栅极、第二栅电极和第二有源层。
15.根据权利要求14所述的方法，其中形成层间绝缘层包括：
形成第一层间绝缘层以使第一层间绝缘层覆盖第一栅电极、第二栅电极和第二有源层的全部；和
在第一层间绝缘层上形成第二层间绝缘层。
16.根据权利要求15所述的方法，其中第一层间绝缘层的氢含量低于第二层间绝缘层的氢含量。
17.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：
在层间绝缘层上形成低温多晶硅薄膜晶体管的第一源电极和第一漏电极和氧化物半导体薄膜晶体管的第二源电极和第二漏电极。
18.根据权利要求17所述的方法，其中分别通过形成在层间绝缘层中的多个接触孔，第一源电极和第一漏电极电连接到第一有源层，第二源电极和第二漏电极电连接到第二有源层。
19.根据权利要求17所述的方法，进一步包括：
在形成层间绝缘层与形成第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极之间，对第一有源层进行氢化处理。
20.根据权利要求11所述 的方法，进一步包括：
在形成第一有源层之前，在所述衬底上以多层形式形成多个缓冲层。
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