CN107104124A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种防止树脂越过堤坝结构的图像显示装置。该显示装置是具有由多个像素构成的显示区域和设置在该显示区域的外侧的边缘区域的显示装置,其特征在于,包括:覆盖上述显示区域的密封膜;形成于包围上述显示区域的上述边缘区域的堰堤部;和在从上述显示区域至上述堰堤部的至少一条直线路径上,相互分开地形成于至少2处的缓冲部。由此,能够使树脂的润湿扩散速度降低,防止树脂越过堰堤部。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
近年来,使用了有机EL(Electro-luminescent:电致发光)元件的有机EL显示装置和液晶显示装置等显示装置被实用化。但是,由于有机EL元件相对于水分薄弱,因此有机EL元件容易因水分而劣化,有可能产生黑点等点亮不良的问题。此外,在液晶显示装置中,薄膜晶体管(Thin Film Transistor)受到侵入的水分的影响而特性改变,产生显示等级劣化的问题。
于是,例如专利文献1中公开了一种显示装置,通过配置将显示区域包围在内侧的环状的堰堤部,在显示区域的上部将包括平坦化树脂层与阻挡层的多层密封膜形成在堰堤部的内侧,来密密封定显示元件,由此来防止显示等级劣化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2008-165251号公报
发明要解决的问题
密封平坦化膜通过印刷或喷墨法等在面板上涂敷低粘度的树脂而形成为膜状。在此,一般如上述专利文献1那样在面板表面形成用于拦阻润湿扩散了的树脂的构造物。但是,由于涂敷后的树脂容易发生润湿扩散,且成膜位置精度也不高,因此有可能产生越过堤坝结构的问题。
发明内容
本发明鉴于上述问题而完成的,其目的在于提供一种画像显示装置,通过在堤坝结构的内侧设置用于使涂敷后的树脂的润湿扩散速度降低的缓冲结构,从而防止树脂越过堤坝结构。
用于解决问题的技术方案
本发明的一个方面提供一种具有由多个像素构成的显示区域和设置在该显示区域的外侧的边缘区域的显示装置,其特征在于,包括:覆盖上述显示区域的密封膜;形成于包围上述显示区域的上述边缘区域的堰堤部;和在从上述显示区域至上述堰堤部的至少一条直线路径上,相互分开地形成于至少2处的缓冲部。
本发明的另一个方面提供一种显示装置,其包括像素、覆盖上述像素的密封膜和形成有上述像素的基板,上述像素包含像素电路和与上述像素电路对应的发光元件,上述显示装置的特征在于:由配置在上述基板上的多个上述像素构成显示区域,包围上述显示区域地配置边缘区域,上述密封膜配置成覆盖上述显示区域和上述边缘区域,在上述边缘区域配置有向上方突出的堰堤部,在上述显示区域与上述堰堤部之间具有向上述密封膜侧突出且分开配置的2个缓冲部。
根据本发明,能够使密封膜的润湿扩散速度降低,防止密封膜越过堰堤部。
附图说明
图1是简要表示本发明的实施方式的显示装置的图。
图2是表示从显示的一侧看到的有机EL面板的结构的图。
图3是将有机EL面板的右上角部放大后的图。
图4是用于说明有机EL面板的剖面的图。
图5(a)、(b)是用于说明形成密封平坦化膜的方法的图。
图6(a)、(b)、(c)是用于说明另一实施方式中的缓冲部件的形状的图。
图7是用于说明另一实施方式中的缓冲部件的形状的图。
附图标记说明
100显示装置,110上框体,120下框体,200有机EL面板,202阵列基板,204缓冲部,206堰堤部,208FPC,210像素,212显示区域,214边缘区域,300阴极接触件,302从显示区域至堰堤部的路径,400基板,402电路层,404阴极配线,406平坦化膜,408阳极电极,410肋,412EL层,414阴极电极,416密封膜,418晶体管,420下层阻挡膜,422密封平坦化膜,424上层阻挡膜,500密封材料。
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的各实施方式。附图有时为了使说明更明确而与实际的方式相比示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等,但这只不过是一例,并非限定本发明的解释。而且,在本说明书和各附图中,对于与之前的图中已有的要素相同的要素,赋予相同的符号并适当省略详细说明。
图1是表示本发明的实施方式的显示装置100的概况的图。如图所示,显示装置100包括被上框体110和下框体120夹持而被固定的有机EL面板200。
图2是表示图1的有机EL面板200的结构的简图。如图2所示,有机EL面板200具有阵列基板202和FPC(Flexible Printed Circuit:柔性印刷电路)208。阵列基板202包括由多个像素210构成的显示区域212和设置成包围该显示区域212的外侧的边缘区域。像素210包括配置在下层的像素电路和与像素电路对应的发光元件。而且,在阵列基板202的边缘区域具有形成为包围显示区域212的缓冲部204和堰堤部206。缓冲部204和堰堤部206的详细情况后述。FPC208将从有机EL面板200的外部供给来的信号传递至显示区域212。设置于显示区域212的多个像素210基于经由FPC208供给来的信号而发光,由此在显示区域212显示图像。
图3是将图2所示的有机EL面板200的右上角部放大后的图,图4是其局部截面图。如图3所示,有机EL面板200包括显示区域212和设置在显示区域212外侧的边缘区域214。而且,边缘区域214从内侧向外侧依次形成有阴极接触件300、缓冲部204和堰堤部206。阴极接触件300经由设置于平坦化膜406的接触孔将形成在与源极配线和漏极配线相同层的阴极配线404与形成在显示区域212的阴极电极414电连接。通过在阴极配线404与阴极电极414之间配置与阳极电极408相同层的导电层,从而无需追加工序就能够将阴极电极414与阴极配级404电连接。其中,关于阴极配线404、阳极电极408、阴极电极414和平坦化膜406之后叙述。
缓冲部204在从显示区域212至堰堤部206的至少一条直线路径上相互分开地形成于至少2处。换言之,缓冲部204在显示区域212与堰堤部206之间,向密封膜416(后述)侧突出,且分开配置有2个。缓冲部204使后述的密封材料500润湿扩散时的速度降低,由此防止密封材料500越过堰堤部206。具体来说,如图3所示,在从显示区域212至堰堤部206的路径302中,缓冲部204相互分开地形成于2处。
另外,在图2、图3所示的实施例中,无缝隙地包围显示区域212的缓冲部204形成有2重,所以缓冲部204必然在任意一条直线路径上相互分开地形成于2处。但是,缓冲部204的形状不限于图3所示的形状。在缓冲部204为其它形状的情况下,缓冲部204只要在至少一条直线路径上相互分开地形成于2处即可,也可以根据直线路径的不同,设置缓冲部204的部位为1处以下。关于其它实施方式的缓冲部204的形状之后叙述。
堰堤部206形成于包围显示区域212的边缘区域214。具体而言,例如如图3所示,堰堤部206在缓冲部204的外侧无缝隙地形成有两重。堰堤部206无缝隙地形成在缓冲部204的外侧,所以将密封材料500拦阻在边缘区域214的内侧。另外,在图3中,记载的是堰堤部206形成为两重的实施方式,但是只要形成为无缝隙以使密封材料500不流出到边缘区域214的外侧,则堰堤部206也可以形成为一重。而且,堰堤部206也可以由配置在形成像素电路的电路层402与发光层之间的树脂层形成。
接着,图4是简要地表示从有机EL面板200的显示区域212的端部至边缘区域214的剖视图的一例,是表示图3中的IV-IV剖视图。如图4所示,阵列基板202包括基板400、形成在基板400上的电路层402、平坦化膜406、阳极电极408、肋410、EL层412、阴极电极414和密封膜416。基板400也可以是玻璃基板或聚酰亚胺等可挠性基板。
电路层402在基板400的上层包括绝缘层、源极电极、漏极电极、栅极电极和半导体层、阴级配线404等。源极电极、漏极电极、栅极电极和半导体层构成晶体管418。例如,显示区域212的电路层402包括使形成于像素210的EL层412发光的晶体管418。而且,边缘区域214的电路层402包括控制使EL层412发光的时序的晶体管418。阴极配线404形成于边缘区域214,将经由FPC208供给到有机EL面板200的信号经由设置于平坦化膜406的接触孔传递至形成于显示区域212的阴极电极414。
平坦化膜406形成为从显示区域212至形成有阴极接触件300的区域覆盖电路层402,防止阳极电极408与包含于电路层402的电极短路,并且使配置于电路层402的配线和晶体管418产生的台阶差平坦化。平坦化膜406在设置有阴极接触件300的区域中形成有接触孔,将包含于电路层402的阴极配线404与阴极电极414电连接。
此外,平坦化膜406在形成有阴极接触件300的区域的外侧形成为缓冲部204和堰堤部206的一部分。具体而言,例如如图4所示,平坦化膜406在形成有阴极接触件300的区域的外侧在2处相互分开地形成为凸状。该2个凸状的平坦化膜406与形成在上层的肋410和下层阻挡膜420(后述)一起构成缓冲部204。平坦化膜406在缓冲部204的外侧还在2处相互分开地形成为凸状。该2个凸状的平坦化膜406与形成在上层的肋410和下层阻挡膜420一起构成堰堤部206。堰堤部206在边缘区域214形成为向上方突出的形状,缓冲部204在显示区域212与堰堤部206之间向密封膜416侧突出,且分开配置有2个。另外,在图4中描绘了形成为堰堤部206的一部分的平坦化膜406形成在2处的情况,但该平坦化膜406也可以仅形成在1处。
阳极电极408形成在平坦化膜406的上层。具体而言,阳极电极408形成为在显示区域212中经由平坦化膜406的接触孔与形成在电路层402的晶体管418的源极或漏极电极电连接。
肋410在显示区域212中形成为覆盖阳极电极408各自的周缘部。通过该肋410能够防止阳极电极408与阴极电极414短路。而且,肋410在边缘区域工214中形成为覆盖作为缓冲部204和堰堤部206的一部分形成的凸状的平坦化膜406。
EL层412形成在阳极电极408的上层。具体而言,EL层412在显示区域212中形成在阳极电极408和肋410的端部的上层侧。此外,EL层412通过层叠空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层和电子传输层而形成。发光层因从阳极电极408注入的空穴与从阴极电极414注入的电子复合而发光。空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层与现有技术相同,所以省略说明。另外,在本实施方式中,发光层使用发出红色、绿色和蓝色光的材料而形成。此外,技术方案中所记载的发光元件相当于EL层412。
阴极电极414形成在EL层412的上层,通过在与阳极电极408之间流通电流,而使EL层412中包含的发光层发光。阳极电极414例如由ITO、IZO等包含金属而构成的透明导电膜或包含AgMg的具有透光性的金属薄膜构成。
密封膜416配置成覆盖显示区域212和边缘区域214。而且,密封膜416包含下层阻挡膜420、密封平坦化膜422和上层阻挡膜424。下层阻挡膜420形成为从显示区域212至边缘区域214覆盖阴极电极414、肋410和电路层402的上层。配置在边缘区域214的平坦化膜406的上层的下层阻挡膜420形成为缓冲部204和堰堤部206的一部分。
密封平坦化膜422形成为覆盖多个像素210。而且,密封平坦化膜422配置在下层阻挡膜420与上层阻挡膜424之间,形成为在边缘区域比在显示区域薄。具体而言,如图4所示,密封平坦化膜422形成为在显示区域212和边缘区域214的堰堤部206的内侧覆盖下层阻挡膜420,并且形成为在边缘区域比在显示区域薄。在此,形成密封平坦化膜422的方法和缓冲部204以及堰堤部206的作用效果使用图5来说明。
图5(a)、(b)是表示形成密封平坦化膜422的方法的图。如图5(a)所示,在基板400上,对于形成有从电路层402到下层阻挡膜420的各层的状态的阵列基板202,在显示区域212和边缘区域214的端部通过印刷或喷墨法等方法涂敷密封材料500。在此,密封材料500,为了即使在阴极电极414上存在异物等的情况下也能够覆盖显示区域212和比堰堤部206靠内侧的边缘区域214,而优选涂敷足够体积的密封材料500。具体而言,例如密封材料500在显示区域212中涂敷10微米程度的厚度。
而且,由于滴下的密封材料500具有润湿性,因此滴下的密封材料500从显示区域212向着边缘区域214如图5(a)的箭头所示润湿扩散。在此,密封材料500以与润湿性和涂敷的密封材料500的体积相对应的速度向着边缘区域214润湿扩散。其中,密封材料500例如使用接触角为1度到3度程度的树脂材料。而且,当密封材料500到达缓冲部204时,由于缓冲部204为凸状的形状,因此密封材料500的润湿扩散速度降低。
并且,由于缓冲部204在从显示区域212到堰堤部206的路径上相互分开地形成于至少2处,因此密封材料500越过形成在外侧的缓冲部204而到达堰堤部206时的润湿扩散速度降低到无法越过堰堤部206的速度。而且,密封材料500如图5(b)所示,在堰堤部206的内侧以从显示区域212向着边缘区域214去逐渐变低的形状被固定而成为密封平坦化膜422。通过以上的方法形成了密封平坦化膜422。
接着返回图4的说明。上层阻挡膜424形成为覆盖阵列基板202。具体而言,上层阻挡膜424在堰堤部206的内侧形成在密封平坦化膜422的上层,在堰堤部206的附近形成在下层阻挡膜420的上层。如图4所示,密封平坦化膜422的厚度从显示区域212附近向着基板400的端部去逐渐变薄。因此,上层阻挡膜424能够不隔着急剧的台阶差而与下层阻挡膜420接触,能够可靠地获得密封效果。而且,密封膜416的厚度也随着密封平坦化膜422的厚度而向着基板400的端部去逐渐变薄。
如上所述,通过缓冲部204,能够防止由树脂材料构成的密封材料500越过堰堤部206而到达基板端部这一情况。其中,在本实施方式中,发光层使用发出红色、绿色和蓝色的光的材料而形成,但是也可以使用发出白色光的材料来形成。在该情况下,阵列基板202与形成有滤色片的相对基板贴合,由此显示装置100进行彩色显示。此外,虽然在图4中没有表示,但是也可以在上层阻挡膜424的上层贴合偏振片来抑制像素210中的反射。
此外,在以上说明了缓冲部204在阴极接触件300的外侧没有缝隙地包围显示区域212的二重结构的情况,但是缓冲部204的形状不限于此。使用图6(a)、(b)、(c)说明另一实施方式中的缓冲部204的形状。
图6(a)、(b)、(c)是用于说明另一实施方式的缓冲部204的形状的图。如图6(a)、(b)所示,缓冲部204也可以在俯视时隔开预定的间隔配置。具体而言,如图6(a)所示,缓冲部204也可以形成为虚线状。
此外,缓冲部204也可以由形成为圆柱状的平坦化膜406的集合来形成。具体而言,将以一定间隔配置的平坦化膜406从显示区域212向着边缘区域214去交替错开地配置,由此来形成缓冲部204。如图6(b)所示,缓冲部204隔开一定间隔配置,所以与配置成没有缝隙的缓冲部204相比,能够减小缓冲部204的体积。由于边缘区域214中密封材料500的收纳量增大,因此能够降低密封材料500从堰堤部206的内侧溢出到外侧的可能性。
此外,如图6(c)所示,缓冲部204也可以在俯视时为波浪状。即使是该结构,也能够利用缓冲部204来降低密封材料500的润湿扩散速度,从而能够降低密封材料500从堰堤部206的内侧溢出而越过到外侧的可能性。
并且,缓冲部204也可以在边缘区域214的角部具有间隙。具体如图6(a)至图6(c)可知,也可以是以下结构:通过在边缘区域214的角部设置缓冲部204的间隙,而使得在密封材料500润湿扩散时引导密封材料500流入到该间隙的结构。根据该结构,由于能够减少流到角部之外的密封材料500的体积,因此在角部以外的区域能够降低密封材料500到达堰堤部206的速度。另外,角部中的从显示区域212到堰堤部206的距离比角部以外的区域长,因此在角部中能够使密封材料500到达堰堤部206时的速度比在角部以外的区域慢。
此外,以上说明了缓冲部204形成为与堰堤部206相同的高度的情况,但是如图7所示,缓冲部204的高度也可以形成为比堰堤部206低。具体而言,堰堤部206与上述同样地由形成为凸状的平坦化膜406和形成在平坦化膜406的上层的肋410以及下层阻挡膜420构成。而缓冲部204由形成为凸状的平坦化膜406和形成在平坦化膜406的上层的下层阻挡膜420构成。即,缓冲部204形成为比堰堤部206低肋410的厚度。因此,与上述实施方式相比,减小了缓冲部204的体积,所以能够增加周边区域中密封材料的收纳量。其结果是,能够降低密封材料500越过堰堤部206的可能性。另外,也可以为通过使作为缓冲部204的一部分形成的平坦化膜406的高度低于作为堰堤部206的一部分形成的平坦化膜406的高度,而使缓冲部204的高度低于堰堤部206的结构。
此外,相互分开地形成的2处的缓冲部204也可以形成为相互不同的高度。具体而言,例如在剖视时,缓冲部204可以形成为越靠内侧越高,也可以形成为越往外侧去越高。密封材料500的润湿扩散速度越往外侧去越低,因此,通过使缓冲部204的高度越往外侧去越低,能够减小缓冲部204的体积。
根据以上所述的实施方式,与无缝隙地形成缓冲部204的情况相比,通过使密封材料500到达堰堤部206的速度降低,从而降低了密封材料越过堰堤部206的可能性,而且,能够使堰堤部206形成为更靠内侧,使边框变窄。
在本发明的思想范围内,只要是本领域技术人员能够想到的各种变化例和修改例,均属于本发明的范围内。例如,本领域技术人员对上述的各实施方式进行适当的结构要素的追加、删除或者更改设计,以及工序的追加、省略或条件改变,只要包含本发明的要件,就都包含于本发明的范围内。

Claims (10)

1.一种具有由多个像素构成的显示区域和设置在该显示区域的外侧的边缘区域的显示装置,其特征在于,包括:
覆盖所述显示区域的密封膜;
形成于包围所述显示区域的所述边缘区域的堰堤部;和
在从所述显示区域至所述堰堤部的至少一条直线路径上,相互分开地形成于至少2处的缓冲部。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述缓冲部在俯视时为波浪状。
3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述缓冲部在俯视时隔开预定的间隔配置。
4.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述缓冲部在所述边缘区域的角部具有间隙。
5.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述缓冲部形成为在剖视时低于所述堰堤部。
6.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述分开地形成于2处的缓冲部形成为在剖视时越靠内侧越高。
7.一种显示装置,其包括像素、覆盖所述像素的密封膜和形成有所述像素的基板,所述像素包含像素电路和与所述像素电路对应的发光元件,所述显示装置的特征在于:
由配置在所述基板上的多个所述像素构成显示区域,
包围所述显示区域地配置边缘区域,
所述密封膜配置成覆盖所述显示区域和所述边缘区域,
在所述边缘区域配置有向上方突出的堰堤部,
在所述显示区域与所述堰堤部之间具有向所述密封膜侧突出且分开配置的2个缓冲部。
8.如权利要求7所述的显示装置,其特征在于:
所述堰堤部由配置在形成所述像素电路的电路层与所述发光元件之间的树脂层形成。
9.如权利要求7所述的显示装置,其特征在于:
所述密封膜包括下层阻挡膜、上层阻挡膜和配置在所述下层阻挡膜与所述上层阻挡膜之间的密封平坦化膜,
所述显示区域中的所述密封平坦化膜比所述边缘区域中的所述密封平坦化膜薄。
10.如权利要求9所述的显示装置,其特征在于:
所述密封膜的厚度随着向所述基板的端部去而逐渐变薄。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107689425A (zh) * 2017-08-31 2018-02-13 昆山国显光电有限公司 薄膜封装结构及薄膜封装方法和显示面板
CN108777266A (zh) * 2018-05-30 2018-11-09 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN108832022A (zh) * 2018-06-28 2018-11-16 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及显示装置
CN109148518A (zh) * 2018-08-03 2019-01-04 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示装置
CN109841752A (zh) * 2019-01-29 2019-06-04 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示装置
CN109888125A (zh) * 2019-02-28 2019-06-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN109979972A (zh) * 2017-12-28 2019-07-05 三星显示有限公司 显示装置
CN110611045A (zh) * 2019-08-28 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示器件及其制备方法
CN111092167A (zh) * 2018-10-24 2020-05-01 三星显示有限公司 显示模块
CN111758300A (zh) * 2018-02-26 2020-10-09 夏普株式会社 显示装置以及其制造方法
CN111937491A (zh) * 2018-03-28 2020-11-13 夏普株式会社 显示装置
CN112640578A (zh) * 2018-08-31 2021-04-09 株式会社日本显示器 显示装置以及显示装置的制造方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6606432B2 (ja) * 2016-01-06 2019-11-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
WO2018229991A1 (ja) * 2017-06-16 2018-12-20 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
US10497907B1 (en) 2017-09-26 2019-12-03 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing display device by UV-curing organic layer of sealing film
KR101976832B1 (ko) * 2017-11-06 2019-05-10 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN115734679A (zh) * 2017-11-30 2023-03-03 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及其制备方法、oled显示装置
WO2019130480A1 (ja) * 2017-12-27 2019-07-04 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
JP6983080B2 (ja) * 2018-01-19 2021-12-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2019174609A (ja) 2018-03-28 2019-10-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置および表示装置の製造方法
CN108493357B (zh) * 2018-05-22 2020-05-01 云谷(固安)科技有限公司 一种柔性封装结构和封装方法
US11925078B2 (en) * 2018-09-21 2024-03-05 Sharp Kabushiki Kaisha Display device including frame region, and bending region around display region
KR20200051075A (ko) * 2018-11-02 2020-05-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
CN109545758B (zh) * 2018-12-12 2021-09-10 云谷(固安)科技有限公司 显示装置、显示面板及其制备方法
JP7269050B2 (ja) * 2019-03-22 2023-05-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および表示装置の製造方法
KR20200143602A (ko) * 2019-06-14 2020-12-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
EP4053928A4 (en) * 2019-10-30 2022-11-16 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY PANEL, METHOD OF MANUFACTURE THEREOF AND DISPLAY DEVICE
KR20210097878A (ko) * 2020-01-30 2021-08-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN112259564A (zh) * 2020-10-30 2021-01-22 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN112420896A (zh) * 2020-11-10 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示模组、显示装置以及显示装置的制造方法
KR20230104413A (ko) 2021-12-31 2023-07-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001076872A (ja) * 1999-06-28 2001-03-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置の作製方法
JP2011124160A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Canon Inc 表示装置
JP2012003989A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Hitachi Displays Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
TW201417265A (zh) * 2012-10-31 2014-05-01 Ind Tech Res Inst 環境敏感電子元件封裝體
CN104425760A (zh) * 2013-08-30 2015-03-18 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN105280677A (zh) * 2014-06-25 2016-01-27 乐金显示有限公司 有机发光显示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW439308B (en) * 1998-12-16 2001-06-07 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
JP3725458B2 (ja) * 2001-09-25 2005-12-14 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示パネル、およびそれを備えた画像表示装置
US7109653B2 (en) 2002-01-15 2006-09-19 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
CN100411186C (zh) * 2003-10-29 2008-08-13 铼宝科技股份有限公司 有机发光显示面板
KR101626054B1 (ko) * 2009-10-19 2016-06-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
JP6169439B2 (ja) * 2013-08-21 2017-07-26 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP6219696B2 (ja) * 2013-11-27 2017-10-25 株式会社ジャパンディスプレイ 発光表示装置及び発光表示装置の製造方法
JP6295276B2 (ja) * 2014-01-10 2018-03-14 Jxtgエネルギー株式会社 光学基板、光学基板の製造に用いられるモールド、及び光学基板を含む発光素子
JP6436666B2 (ja) * 2014-07-18 2018-12-12 三菱電機株式会社 液晶表示装置
KR102250048B1 (ko) * 2014-09-16 2021-05-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9698389B2 (en) * 2015-03-05 2017-07-04 Seiko Epson Corporation Method of producing organic EL device
KR20170020594A (ko) * 2015-08-12 2017-02-23 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조방법
KR102409060B1 (ko) * 2015-09-11 2022-06-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001076872A (ja) * 1999-06-28 2001-03-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置の作製方法
JP2011124160A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Canon Inc 表示装置
JP2012003989A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Hitachi Displays Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
TW201417265A (zh) * 2012-10-31 2014-05-01 Ind Tech Res Inst 環境敏感電子元件封裝體
CN104425760A (zh) * 2013-08-30 2015-03-18 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN105280677A (zh) * 2014-06-25 2016-01-27 乐金显示有限公司 有机发光显示装置

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11374201B2 (en) 2017-08-31 2022-06-28 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. Thin film package structure, thin film package method, and display panel
TWI725307B (zh) * 2017-08-31 2021-04-21 大陸商昆山國顯光電有限公司 薄膜封裝結構及薄膜封裝方法和顯示面板
WO2019041864A1 (zh) * 2017-08-31 2019-03-07 昆山国显光电有限公司 薄膜封装结构及薄膜封装方法和显示面板
CN107689425A (zh) * 2017-08-31 2018-02-13 昆山国显光电有限公司 薄膜封装结构及薄膜封装方法和显示面板
CN109979972A (zh) * 2017-12-28 2019-07-05 三星显示有限公司 显示装置
US11956989B2 (en) 2017-12-28 2024-04-09 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus having dam members
CN111758300A (zh) * 2018-02-26 2020-10-09 夏普株式会社 显示装置以及其制造方法
CN111758300B (zh) * 2018-02-26 2023-08-29 夏普株式会社 显示装置以及其制造方法
CN111937491A (zh) * 2018-03-28 2020-11-13 夏普株式会社 显示装置
CN108777266A (zh) * 2018-05-30 2018-11-09 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN108832022A (zh) * 2018-06-28 2018-11-16 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及显示装置
CN108832022B (zh) * 2018-06-28 2020-11-27 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及显示装置
CN109148518B (zh) * 2018-08-03 2021-03-30 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示装置
CN109148518A (zh) * 2018-08-03 2019-01-04 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示装置
CN112640578A (zh) * 2018-08-31 2021-04-09 株式会社日本显示器 显示装置以及显示装置的制造方法
CN111092167A (zh) * 2018-10-24 2020-05-01 三星显示有限公司 显示模块
CN109841752A (zh) * 2019-01-29 2019-06-04 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示装置
CN109841752B (zh) * 2019-01-29 2021-09-28 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示装置
CN109888125B (zh) * 2019-02-28 2021-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN109888125A (zh) * 2019-02-28 2019-06-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
US11335882B2 (en) 2019-08-28 2022-05-17 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd Organic light-emitting diode display device and manufacturing method thereof
CN110611045A (zh) * 2019-08-28 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示器件及其制备方法

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TW201731340A (zh) 2017-09-01
US20180069195A1 (en) 2018-03-08
CN107104124B (zh) 2020-12-29
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TWI617216B (zh) 2018-03-01
KR20170098148A (ko) 2017-08-29

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