TW201417265A - 環境敏感電子元件封裝體 - Google Patents

Abstract

一種環境敏感電子元件封裝體，包括第一基板、第二基板、環境敏感電子元件、側壁阻障結構以及填充層。第一基板具有至少一預定撓曲區域。第二基板配置於第一基板上方。環境敏感電子元件配置於第一基板上，且位於第一基板與第二基板之間。側壁阻障結構位於第一基板與第二基板之間，其中側壁阻障結構環繞環境敏感電子元件。側壁阻障結構具有撓曲應力分散結構，其中撓曲應力分散結構位於預定撓曲區域內。填充層位於第一基板與第二基板之間，且包覆側壁阻障結構及環境敏感電子元件。

Description

環境敏感電子元件封裝體

本揭露是有關於一種封裝體，且特別是有關於一種環境敏感電子元件封裝體。

隨著顯示技術的進步，顯示器已朝向薄型化及可撓式發展，其中又以軟性顯示器(可撓性顯示器)逐漸成為顯示器往後發展的主要方向。利用可撓性基板取代傳統硬質基板來製作軟性顯示器，其可捲曲、方便攜帶、符合安全性及產品應用廣，但其較不耐高溫、水、氧氣阻絕性較差、耐化學藥品性較差及熱膨脹係數大。典型的可撓性基板可用來承載電子元件及/或用來作為蓋板(cover)以對電子元件進行封裝，由於可撓性基板並無法完全阻隔水氣及氧氣的穿透，因此水氣及氧氣的滲入將加速可撓性基板上之電子元件老化，進而導致電子元件的壽命減短。

為解決上述問題，部分習知技術是採用側壁阻障(side wall barrier)結構來增加軟性顯示器的側向阻水、氧氣能力，其中 側壁阻障結構是形成於可撓性基板上，並且利用膠材使側壁阻障結構與另一可撓性基板貼合，以提升軟性顯示器阻水、氧氣的能力。然而，軟性顯示器在長時間撓曲下，可能造成側壁阻障結構產生形變或破壞的情形，以致無法有效阻絕外界水氣或氧氣的入侵。

本揭露實施例提供一種環境敏感電子元件封裝體，以改善環境敏感電子元件封裝體在長時間撓曲下，其側壁阻障結構產生形變或破壞的問題。

本揭露實施例提出一種環境敏感電子元件封裝體，其包括第一基板、第二基板、環境敏感電子元件、至少一側壁阻障結構以及填充層。第一基板具有至少一預定撓曲區域。第二基板配置於第一基板上方。環境敏感電子元件配置於第一基板上，且於第一基板與第二基板之間。側壁阻障結構位於第一基板與第二基板之間，其中側壁阻障結構環繞環境敏感電子元件，且側壁阻障結構具有至少一撓曲應力分散結構。撓曲應力分散結構位於預定撓曲區域內。填充層位於第一基板與第二基板之間，且包覆側壁阻障結構及環境敏感電子元件。

基於上述，由於本揭露實施例的環境敏感電子元件封裝體的基板具有預定撓曲區域，其中預定撓曲區域內的側壁阻障結構具有撓曲應力分散結構，如此可避免環境敏感電子元件封裝體 在長時間撓曲下，造成側壁阻障結構產生形變或破壞的情形，以確保環境敏感電子元件封裝體阻水、氧氣的能力，進而有效延長環境敏感電子元件的壽命。

為讓本揭露能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

100A、100A’、100A”‧‧‧環境敏感電子元件封裝體

100B~100N‧‧‧環境敏感電子元件封裝體

110‧‧‧第一基板

120‧‧‧第二基板

130‧‧‧環境敏感電子元件

132‧‧‧導線

140‧‧‧側壁阻障結構

140a‧‧‧阻障層

140b‧‧‧包覆層

142‧‧‧撓曲應力分散結構

142a~142e‧‧‧撓曲應力分散結構

142e-1、142e-2‧‧‧撓曲應力分散結構

142f~142h‧‧‧撓曲應力分散結構

142h-1~142h-5‧‧‧撓曲應力分散結構

142i~142m‧‧‧撓曲應力分散結構

144‧‧‧第一側壁阻障結構

146‧‧‧第二側壁阻障結構

150‧‧‧填充層

PFA‧‧‧預定撓曲區域

圖1A是本揭露第一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖1B是圖1A的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。

圖1C是圖1B的環境敏感電子元件封裝體沿I-I’剖面線的局部剖面示意圖。

圖1C’是其他可能實施例的環境敏感電子元件封裝體的局部剖面示意圖。

圖1D是本揭露第一實施例的另一環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖1E是本揭露第一實施例的又一環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖2是本揭露第二實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。

圖3是本揭露第三實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視 示意圖。

圖4是本揭露第四實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。

圖5是本揭露第五實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。

圖6是本揭露第六實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。

圖6(a)至圖6(b)是圖6其他可能實施例的撓曲應力分散結構的波浪型結構的局部示意圖。

圖7是本揭露第七實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。

圖8是本揭露第八實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。

圖9是本揭露第九實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。

圖9(a)至圖9(e)是圖9其他可能實施例的撓曲應力分散結構的網格結構的局部示意圖。

圖10是本揭露第十實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。

圖11是本揭露第十一實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。

圖12是本揭露第十二實施例的環境敏感電子元件封裝體的 上視示意圖。

圖13是本揭露第十三實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。

圖14是本揭露第十四實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。

圖1A是本揭露第一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。圖1B是圖1A的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。圖1C是圖1B的環境敏感電子元件封裝體沿I-I’剖面線的局部剖面示意圖。圖1C’是其他可能實施例的環境敏感電子元件封裝體的局部剖面示意圖。請參考圖1A以及圖1B，在本實施例中，環境敏感電子元件封裝體100A包括第一基板110、第二基板120、環境敏感電子元件130、至少一側壁阻障結構140以及填充層150。第一基板110具有至少一預定撓曲區域PFA。第二基板120配置於第一基板110上方。環境敏感電子元件130配置於第一基板110上，且位於第一基板110與第二基板120之間。側壁阻障結構140位於第一基板110與第二基板120之間，其中側壁阻障結構140環繞環境敏感電子元件130，且側壁阻障結構140具有至少一撓曲應力分散結構142。撓曲應力分散結構142位於預定撓曲區域PFA內。填充層150位於第一基板110與第二基板120之間，且包覆側壁阻障結構140及環境敏感電子元件130。

在本實施例中，第一基板110與第二基板120例如是可撓性基板，其中可撓性基板的材質可為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚亞醯胺(PI)或金屬箔(metal foil)。當然，第一基板110與第二基板120亦可以是硬質基板，其中硬質基板例如是金屬或玻璃基板，本揭露在此並不加以限制。

環境敏感電子元件130例如是主動式環境敏感電子顯示元件或被動式環境敏感電子顯示元件，其中主動式環境敏感電子顯示元件例如是一主動型矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AM-OLED)或者是主動型矩陣電泳顯示器(Active Matrix Electro Phoretic Display,AM-EPD)，俗稱電子紙，或者是主動型矩陣液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display,AM-LCD)，或者是主動型矩陣藍相液晶顯示器(Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display)。被動式環境敏感電子顯示元件則例如是被動驅動式有機電激發光元件陣列基板(Passive Matrix OLED,PM-OLED)或者是超扭轉向列型液晶顯示器(Super Twisted Nematic Liquid Crystal Display,STN-LCD)。此外，環境敏感電子元件封裝體100A更包括一導線132。導線132配置於第一基板110上，以電性連接至環境敏感電子元件130，一般而言，導線132例如是透過濕式塗佈法而形成於第一基板110上的金屬導 線層。

另一方面，如圖1C’所示，在其他可能的實施例中，環境敏感電子元件130亦可以是配置於第二基板120上，本揭露在此並不加以限制。

請參考圖1A以及圖1C，側壁阻障結構140的數量例如是多個，其中側壁阻障結構140垂直於第一基板110的截面可以是多邊型、圓型或橢圓型。具體而言，在本實施例中，側壁阻障結構140垂直於第一基板110的截面是以梯型為例作說明。進一步詳言之，側壁阻障結構140例如是配置於第一基板110上，且側壁阻障結構140可進一步包括阻障層140a以及包覆層140b，其中阻障層140a位於第一基板110上並且由包覆層140b所覆蓋。

一般而言，阻障層140a的材質例如是有機材料、金屬材料、無機材料或有機與無機的混合材料，其中阻障層140a例如是有機光阻材料，如感光型聚亞醯胺(Photosensitive PI)藉由曝光、顯影及蝕刻等製程形成於第一基板110上。另一方面，包覆層140b可以是無機材料或金屬材料，其中無機材料例如是矽化物或鋁化物，且矽化物可以是矽氮化物(SiN_x)、矽氧化物(SiO_x)或矽氮氧化物(SiN_xO_y)等，而鋁化物則例如是如氧化鋁(Al₂O₃)，且前述無機材料例如是透過化學氣相沉積法、蒸鍍法或濺鍍法等方法形成於阻障層140a上。另一方面，金屬材料例如是鉬、鈦、鋁或鉻，且前述金屬材料例如是藉由濺鍍法、蒸鍍法或濕式塗佈法等方法形成於阻障層140a上。在此必須說明的是，阻障層140a、包 覆層140b與第一基板110亦可為相同材質所構成，例如是金屬或玻璃等材質經由曝光、顯影及蝕刻等製程形成於第一基板110上，本揭露在此並不加以限制。

請參考圖1B及圖1C，在本實施例中，側壁阻障結構140例如是底面積為直線型的環狀結構，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140例如是藉由蝕刻等製程而形成多個撓曲應力分散結構142。更具體而言，於預定撓曲區域PFA內形成撓曲應力分散結構142的方法例如是在阻障層140a上形成包覆層140b之前，首先蝕刻預定撓曲區域PFA內的阻障層140a的部分結構，直至暴露出第一基板110，但以不蝕刻到第一基板110的表面為原則。之後，再於阻障層140a上形成包覆層140b，以於預定撓曲區域PFA內形成撓曲應力分散結構142。換言之，撓曲應力分散結構142亦屬於側壁阻障結構140的一部分，且任兩相鄰撓曲應力分散結構142例如是透過阻障層140a相互連接而形成一連續性結構。當然，在其他未繪示的實施例中，任兩相鄰的側壁阻障結構140或撓曲應力分散結構142亦可以是互不相連的非連續性結構，本揭露在此並不加以限制。

在其他未繪示的實施例中，側壁阻障結構140亦可以是僅具有阻障層140a的單層阻氣結構，其中撓曲應力分散結構142例如是藉由蝕刻阻障層140a後所形成。更具體而言，於預定撓曲區域PFA內形成撓曲應力分散結構142的方法例如是首先於第一基板110上形成阻障層140a。之後，蝕刻預定撓曲區域PFA內的 阻障層140a，且以不暴露出第一基板110的表面為原則，以於預定撓曲區域PFA內形成撓曲應力分散結構142。一般而言，任兩相鄰的撓曲應力分散結構142例如是藉由阻障層140a相互連接，此外，撓曲應力分散結構142亦可藉由阻障層140a與預定撓曲區域PFA外的側壁阻障結構140相互連接。

另一方面，本實施例的預定撓曲區域PFA的數量例如是一個，其中撓曲應力分散結構142的底面積例如是直線型，且撓曲應力分散結構142平行排列於預定撓曲區域PFA內。因此，當環境敏感電子元件封裝體100A沿預定撓曲區域PFA褶彎時，撓曲應力分散結構142的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。

請繼續參考圖1A，填充層150例如是膠材透過紫外光固化或熱固化所形成。膠材的材質例如是壓克力樹脂(acrylic)或環氧樹脂(expoxy)。在本實施例中，填充層150在未固化前的型態例如是片狀(Sheet type)膠材或液態狀(liquid type)膠材。

簡言之，環境敏感電子元件封裝體100A的側壁阻結構140具有底面積為直線型的撓曲應力分散結構142，可避免側壁阻障結構140因長時間撓曲而產生形變或破壞的情形，從而確保環境敏感電子元件封裝體100A阻水氧的能力，以有效延長環境敏感電子元件130的壽命。此外，雖然本實施例的環境敏感電子元件封裝體100A的側壁阻障結構140是以環繞環境敏感電子元件130 的四周的連續環狀結構，且環狀結構的底面積為直線型以作說明，但並非用以限制本揭露之範疇。換言之，在其他可能的實施例中，本揭露的側壁阻障結構例如是僅配置於環境敏感電子元件的任一側的線狀結構，或者是環繞環境敏感電子元件的U型結構或L型結構，亦可以是環繞環境敏感電子元件的其它非連續結構，其中上述結構的底面積可以是直線型或非直線型。

圖1D是本揭露第一實施例的另一環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。如圖1D所示，圖1D的環境敏感電子元件封裝體100A’與圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A大致上相同或相似，其不同之處在於：圖1D的環境敏感電子元件封裝體100A’的側壁阻障結構140例如是配置於第二基板120上，且側壁阻障結構140可進一步包括阻障層140a以及包覆層140b，其中阻障層140a位於第二基板120上並且由包覆層140b所覆蓋。一般而言，阻障層140a的材質例如是有機材料、金屬材料、無機材料或有機與無機的混合材料，其中阻障層140a例如是有機光阻材料，如感光型聚亞醯胺(Photosensitive PI)藉由曝光、顯影及蝕刻等製程形成於第二基板120上。另一方面，包覆層140b可以是無機材料或金屬材料，其中無機材料例如是矽化物或鋁化物，且矽化物可以是矽氮化物(SiN_x)、矽氧化物(SiO_x)或矽氮氧化物(SiN_xO_y)等，而鋁化物則例如是如氧化鋁Al₂O₃，且前述無機材料例如是透過化學氣相沉積法、蒸鍍法或濺鍍法等方法形成於阻障層140a上。另一方面，金屬材料例如是鉬、鈦、鋁或鉻，且 前述金屬材料例如是藉由濺鍍法、蒸鍍法或濕式塗佈法等方法形成於阻障層140a上。在此必須說明的是，阻障層140a、包覆層140b與第二基板120亦可為相同材質所構成，例如是金屬或玻璃等材質經由曝光、顯影及蝕刻等製程形成於第一基板110上，本揭露在此並不加以限制。

圖1E是本揭露第一實施例的又一環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。如圖1E所示，圖1E的環境敏感電子元件封裝體100A”與圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A大致上相同或相似，其不同之處在於：圖1E的環境敏感電子元件封裝體100A”的側壁阻障結構140可進一步包括第一側壁阻障結構144以及第二側壁阻障結構146。第一側壁阻障結構144配置於第一基板110上。第二側壁阻障結構146配置於第二基板120上，其中第一側壁阻障結構144與第二側壁阻障結構146例如是交替排列於第一基板110與第二基板120之間。當然，在其他未繪示的實施例中，第一側壁阻障結構144亦可正對於第二側壁阻障結構146而排列於第一基板110與第二基板120之間，本揭露在此並不加以限制。

在此必須說明的是，雖然上述實施例的側壁阻結構140具有底面積為直線型的撓曲應力分散結構142，且撓曲應力分散結構142平行排列於預定撓曲區域PFA內。然而，在其他的實施例中，可避免側壁阻障結構140因長時間撓曲而形變或破壞的不同結構設計或配置，仍屬於本揭露可採用的技術方案，不脫離本揭露所欲保護的範圍。以下將列舉多個不同的實施例來分別說明環 境敏感電子元件封裝體100B~100N的設計。

圖2是本揭露第二實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖2，圖2的環境敏感電子元件封裝體100B與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖2的環境敏感電子元件封裝體100B的預定撓曲區域PFA的數量例如是兩個，底面積為直線型的撓曲應力分散結構142a平行排列於預定撓曲區域PFA內。因此，當環境敏感電子元件封裝體100B沿預定撓曲區域PFA摺彎時，撓曲應力分散結構142a的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。

圖3是本揭露第三實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖3，圖3的環境敏感電子元件封裝體100C與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖3的環境敏感電子元件封裝體100C的預定撓曲區域PFA的數量例如是多個，更具體而言，預定撓曲區域PFA幾乎涵蓋了環境敏感電子元件130的全部表面，其中底面積為直線型的撓曲應力分散結構142b平行排列於預定撓曲區域PFA內。因此，當環境敏感電子元件封裝體100C沿預定撓曲區域PFA摺彎時，撓曲應力分散結構142b的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。

圖4是本揭露第四實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖4，圖4的環境敏感電子元件封裝體100D 與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖4的環境敏感電子元件封裝體100D的側壁阻障結構140例如是底面積為直線型的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為直線型的撓曲應力分散結構142c，且撓曲應力分散結構142c行列交錯排列於預定撓曲區域PFA內。因此，當環境敏感電子元件封裝體100D沿預定撓曲區域PFA摺彎時，撓曲應力分散結構142c的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。

圖5是本揭露第五實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖5，圖5的環境敏感電子元件封裝體100E與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖5的環境敏感電子元件封裝體100E的側壁阻障結構140例如是底面積為直線型的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為直線型的撓曲應力分散結構142d，且撓曲應力分散結構142d行列交錯排列於預定撓曲區域PFA內。值得一提的是，預定撓曲區域PFA內的撓曲應力分散結構142d例如是彼此交互相連，以增加預定撓曲區域PFA內阻隔水、氧氣能力。在此必須說明的是，預定撓曲區域PFA內的撓曲應力分散結構142d彼此交互相連的位置及樣態，本揭露在在此不加以限制。因此，當環境敏感電子元件封裝體100E沿預定撓曲區域PFA摺彎時，撓曲應力分散結構142d的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。

圖6是本揭露第六實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖6，圖6的環境敏感電子元件封裝體100F與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖6的環境敏感電子元件封裝體100F的側壁阻障結構140例如是底面積為直線型的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為非直線型的撓曲應力分散結構142e，且撓曲應力分散結構142e交替排列於預定撓曲區域PFA內。因此，當環境敏感電子元件封裝體100F沿預定撓曲區域PFA摺彎時，撓曲應力分散結構142e的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。

圖6(a)至圖6(b)是圖6其他可能實施例的撓曲應力分散結構的非直線型結構的局部示意圖。請參考圖6(a)，撓曲應力分散結構142e-1例如是方型波浪結構，其中撓曲應力分散結構142e-1交替排列於預定撓曲區域PFA內。請參考圖6(b)，撓曲應力分散結構142e-2例如是梯型波浪結構，其中撓曲應力分散結構142e-2交替排列於預定撓曲區域PFA內。當然，在其他未繪示的實施例中，撓曲應力分散結構亦可是由其他不同型態非直線結構所構成，本揭露在此並不加以限制。

圖7是本揭露第七實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖7，圖7的環境敏感電子元件封裝體100G與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖7的環境敏感電子元件封裝體100G的側壁阻障結構140例如是 底面積為直線型的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為非直線型的撓曲應力分散結構142f，且撓曲應力分散結構142f不規則排列於預定撓曲區域PFA內。更詳細而言，撓曲應力分散結構142f例如是彼此相互交連，以增加預定撓曲區域PFA內阻隔水、氧氣能力。在此必須說明的是，撓曲應力分散結構142f彼此交互相連的位置及樣態，本揭露在在此不加以限制。因此，當環境敏感電子元件封裝體100G沿預定撓曲區域PFA摺彎時，撓曲應力分散結構142f的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。

圖8是本揭露第八實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖8，圖8的環境敏感電子元件封裝體100H與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖8的環境敏感電子元件封裝體100H的側壁阻障結構140例如是底面積為直線型的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為島狀的撓曲應力分散結構142g，且撓曲應力分散結構142g不規則分佈於預定撓曲區域PFA內。更詳細而言，撓曲應力分散結構142g例如是彼此獨立或相互交連。因此，當環境敏感電子元件封裝體100H沿預定撓曲區域PFA摺彎時，撓曲應力分散結構142g的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。

圖9是本揭露第九實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖9，圖9的環境敏感電子元件封裝體100I 與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖9的環境敏感電子元件封裝體100I的側壁阻障結構140例如是底面積為直線型的環狀結構，其中側壁阻障結構140的撓曲應力分散結構142h例如是菱型網格狀結構，且撓曲應力分散結構142h規律排列於預定撓曲區域PFA內。因此，當環境敏感電子元件封裝體100I沿預定撓曲區域PFA摺彎時，撓曲應力分散結構142h的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。

值得注意的是，圖9(a)至圖9(e)是圖9其他可能實施例的撓曲應力分散結構的網格結構示意圖。請參考圖9(a)，撓曲應力分散結構142h-1例如是六邊型網格狀結構，其中六邊型網格可以是粗細相等或不等的網格線交連構成。請參考圖9(b)，撓曲應力分散結構142h-2例如是圓型網格狀結構，其中圓型網格可以是粗細相等或不等的網格線交連構成。請參考圖9(c)，撓曲應力分散結構142h-3例如是十字型網格狀結構，其中十字型網格可以是粗細相等或不等的網格線交連構成。請參考圖9(d)，撓曲應力分散結構142h-4例如是梯型網格狀結構，其中梯型網格可以是粗細相等或不等的網格線交連構成。請參考圖9(e)，撓曲應力分散結構142h-5例如是心型網格狀結構，其心型網格可以是粗細相等或不等的網格線交連構成。當然，在其他未繪示的實施例中，撓曲應力分散結構亦可是由其他不同型態多邊型網格所構成的網格狀結構，本揭露在此並不加以限制。

圖10是本揭露第十實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖10，圖10的環境敏感電子元件封裝體100J與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖10的環境敏感電子元件封裝體100J的側壁阻障結構140例如是底面積為非直線型的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為非直線型的撓曲應力分散結構142i，且撓曲應力分散結構142i交替排列於預定撓曲區域PFA內。因此，當環境敏感電子元件封裝體100J沿預定撓曲區域PFA摺彎時，撓曲應力分散結構142i的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。

圖11是本揭露第十一實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖11，圖11的環境敏感電子元件封裝體100K與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖11的環境敏感電子元件封裝體100K的側壁阻障結構140例如是底面積為非直線型的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為非直線型的撓曲應力分散結構142j，且撓曲應力分散結構142j不規則排列於預定撓曲區域PFA內。在本實施例中，撓曲應力分散結構142j例如是彼此相互交連。當然，在其他未繪示的實施例中，側壁阻障結構140亦可具有底面積例如是直線型、島狀或網格狀結構的撓曲應力分散結構，本揭露在此並不加以限制。因此，當環境敏感電子元件封裝體100K沿預定撓曲區域PFA摺彎時，撓曲應力分散結構142j的設置可避免在長時間撓曲下， 預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。

圖12是本揭露第十二實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖12，圖12的環境敏感電子元件封裝體100L與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖12的環境敏感電子元件封裝體100L的側壁阻障結構140例如是底面積為直線型與非直線型組合的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為直線型的撓曲應力分散結構142k，且撓曲應力分散結構142k交替排列於預定撓曲區域PFA內。因此，當環境敏感電子元件封裝體100L沿預定撓曲區域PFA摺彎時，撓曲應力分散結構142k的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。

圖13是本揭露第十三實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖13，圖13的環境敏感電子元件封裝體100M與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖13的環境敏感電子元件封裝體100M的側壁阻障結構140例如是底面積為直線型與非直線型組合的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為非直線型的撓曲應力分散結構1421，且撓曲應力分散結構1421交替排列於預定撓曲區域PFA內。因此，當環境敏感電子元件封裝體100M沿預定撓曲區域PFA摺彎時，撓曲應力分散結構1421的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破 壞的情形。

圖14是本揭露第十四實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖14，圖14的環境敏感電子元件封裝體100N與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖14的環境敏感電子元件封裝體100N的側壁阻障結構140例如是底面積為直線型與波浪型組合的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為島狀的撓曲應力分散結構142m，且撓曲應力分散結構142m不規則分佈於預定撓曲區域PFA內。另一方面，撓曲應力分散結構142m例如是彼此獨立或相互交連。因此，當環境敏感電子元件封裝體100N沿預定撓曲區域PFA摺彎時，撓曲應力分散結構142m的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。值得一提的是，在其他未繪示的實施例中，側壁阻障結構140的撓曲應力分散結構亦可以是網格狀結構，且網格狀的撓曲應力分散結構規律排列於預定撓曲區域PFA內。

在此必須說明的是，在其他可能的實施例中，側壁阻障結構即例如是撓曲應力分散結構所構成，換言之，環境敏感電子元件封裝體的可以朝任何方向撓曲，且當環境敏感電子元件封裝體朝任何方向撓曲時，側壁阻障結構並不會因應力集中而產生形變或破壞的情形。

綜上所述，由於本揭露的環境敏感電子元件封裝體的基板具有預定撓曲區域，其中預定撓曲區域內的側壁阻障結構具有 撓曲應力分散結構。撓曲應力分散結構的底面積可以是直線型、非直線型、島狀或網格狀，換言之，本揭露可依據環境敏感電子元件封裝體的不同撓曲方式，而調整撓曲應力分散結構的形式與配置，如此可避免環境敏感電子元件封裝體在長時間撓曲下，造成側壁阻障結構產生形變或破壞的情形，以確保環境敏感電子元件封裝體阻水氧的能力，進而有效延長環境敏感電子元件的壽命。

雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100A‧‧‧環境敏感電子元件封裝體

110‧‧‧第一基板

130‧‧‧環境敏感電子元件

132‧‧‧導線

140‧‧‧側壁阻障結構

142‧‧‧撓曲應力分散結構

150‧‧‧填充層

PFA‧‧‧預定撓曲區域

Claims (16)

1. 一種環境敏感電子元件封裝體，包括：一第一基板，具有至少一預定撓曲區域；一第二基板，配置於該第一基板上方；一環境敏感電子元件，配置於該第一基板上，且該環境敏感電子元件位於該第一基板與該第二基板之間；至少一側壁阻障結構，位於該第一基板與該第二基板之間，其中該側壁阻障結構環繞該環境敏感電子元件且該側壁阻障結構具有至少一撓曲應力分散結構，該撓曲應力分散結構位於該預定撓曲區域內；以及一填充層，位於該第一基板與該第二基板之間，且包覆該側壁阻障結構及該環境敏感電子元件。
2. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該側壁阻障結構配置於該第一基板上。
3. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該側壁阻障結構配置於該第二基板上。
4. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該側壁阻障結構包括：至少一第一側壁阻障結構，配置於該第一基板上；以及至少一第二側壁阻障結構，配置於該第二基板上，其中該第一側壁阻障結構與該第二側壁阻障結構交替排列於該第一基板與該第二基板之間。
5. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該側壁阻障結構的截面包括多邊型、圓型或橢圓型，且該截面垂直於該第一基板。
6. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該側壁阻障結構包括：一阻障層，位於該第一基板或該第二基板上；以及一包覆層，其中該包覆層覆蓋該阻障層。
7. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該側壁阻障結構包括底面積為直線型的環狀結構。
8. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該側壁阻障結構包括底面積為為非直線型的環狀結構。
9. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該側壁阻障結構包括底面積為直線型與非直線型組合的環狀結構。
10. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該撓曲應力分散結構的數量為多個，該些撓曲應力分散結構的底面積為直線型，且平行排列於該預定撓曲區域內。
11. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該撓曲應力分散結構的數量為多個，該些撓曲應力分散結構的底面積為直線型，且行列交錯排列於該預定撓曲區域內。
12. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該撓曲應力分散結構的數量為多個，該些撓曲應力分散 結構的的底面積非直線型，且交替排列於該預定撓曲區域內。
13. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該撓曲應力分散結構的數量為多個，該些撓曲應力分散結構的的底面積為非直線型，且不規則分佈於該預定撓曲區域內。
14. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該撓曲應力分散結構的數量為多個，該些撓曲應力分散結構的俯視型狀為網格狀結構，且規律排列於該預定撓曲區域內。
15. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該撓曲應力分散結構的數量為多個，該些撓曲應力分散結構的的底面積為島狀，且不規則分佈於該預定撓曲區域內。
16. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該撓曲應力分散結構及該側壁阻障結構與該第一基板或該第二基板為相同材質所構成，且該材質為金屬或玻璃。