TW201417364A - 阻障功能膜及其製作方法、環境敏感電子元件及顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種阻障功能膜，其包括一基板、至少一側壁阻障結構、一離型膜以及一膠材。側壁阻障結構位於基板上。離型膜配置於基板上方，其中側壁阻障結構位於基板與離型膜之間。膠材包覆側壁阻障結構並且位於基板與離型膜之間。本揭露另提出一種環境敏感電子元件、顯示裝置以及阻障功能膜的製作方法。

Description

阻障功能膜及其製作方法、環境敏感電子元件及顯 示裝置
本揭露是有關於一種功能膜及其製作方法、環境敏感電子元件以及顯示裝置，且特別是有關於一種阻障功能膜及其製作方法、環境敏感電子元件以及顯示裝置。
可撓性環境敏感電子元件或顯示裝置相較於一般硬質環境敏感電子元件或顯示裝置的應用更為廣泛，其可捲曲、方便攜帶、符合安全性、產品應用廣，但較不耐高溫、阻水阻氧氣性較差、耐化學藥品性較差及熱膨脹係數大。一般而言，可撓性環境敏感電子元件或顯示裝置的可撓性基板可用來承載電子元件及/或用來作為蓋板(cover)以對電子元件進行封裝，由於可撓性基板無法完全阻隔水氣及氧氣的穿透，因此水氣及氧氣的滲入將加速可撓性基板上的電子元件老化，進而導致電子元件的壽命減短，無法符合市場的需求。
本揭露提供一種阻障功能膜及其製作方法，以提供良好的水氣及氧氣的阻隔能力。
本揭露另提供一種環境敏感電子元件以及顯示裝置，用以改善環境敏感電子元件阻隔水氣及氧氣的能力，其中環境敏感電子元件例如是有機電子元件，如有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode)、有機太陽能電池(Organic Solar Cell)、有機感光元件(Organic Photo-Sensitive Device)等等。
本揭露提出一種阻障功能膜，其包括基板、至少一側壁阻障結構、離型膜以及膠材。側壁阻障結構位於基板上。離型膜配置於基板上方，其中側壁阻障結構位於基板與離型膜之間。膠材包覆側壁阻障結構並且位於基板與離型膜之間。
本揭露提出一種阻障功能膜的製作方法，其包括下述方法。於基板上形成至少一側壁阻障結構。於離型膜上形成膠材。透過膠材將離型膜貼附於基板上，其中膠材包覆側壁阻障結構並且位於基板與該離型膜之間。
本揭露提出一種環境敏感電子元件，其包括第一基板、至少一第一側壁阻障結構、環境敏感電子元件背板以及第一膠材。第一側壁阻障結構位於第一基板上。第一基板配置於環境敏感電子元件背板上方，且第一側壁阻障結構位於第一基板與環境敏感電子元件背板之間。第一膠材配置於第一基板與環境敏感電 子元件背板之間，且第一膠材包覆第一側壁阻障結構，其中第一基板與第一側壁阻障結構透過第一膠材貼合於環境敏感電子元件背板上。
本揭露提出一種顯示裝置，其包括環境敏感電子元件、第二基板、至少一第二側壁阻障結構以及第二膠材。第二側壁阻障結構位於第二基板上，且第二側壁阻障結構位於環境敏感電子元件與第二基板之間。第二膠材配置於第二基板與環境敏感電子元件之間，且第二膠材包覆第二側壁阻障結構，其中第二基板與第二側壁阻障結構透過第二膠材貼合於環境敏感電子元件上。
基於上述，本揭露的阻障功能膜具有接合於基板及離型膜之間的膠材，且側壁阻障結構配置於基板上上，其中側壁阻障結構位於基板及離型膜之間。此外，本揭露的環境敏感電子元件及顯示裝置具有接合於兩基板之間的膠材，其中側壁阻障結構配置於兩基板之間並且至少部分側壁阻障結構圍繞環境敏感電子元件背板，其中側壁阻障結構由膠材所包覆。換言之，本揭露的阻障功能、環境敏感電子元件及顯示裝置具有良好的阻隔水氣與氧氣的能力且易於量產。
為讓本揭露能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10、10a‧‧‧吸濕材
20‧‧‧散熱輔助材料
30‧‧‧抗電磁干擾材料
100A~100R‧‧‧阻障功能膜
110‧‧‧基板
110a、210a‧‧‧可撓性基板
110b、210b‧‧‧阻障層
120‧‧‧側壁阻障結構
130‧‧‧離型膜
140、140a、240a‧‧‧膠材
200A~200R‧‧‧環境敏感電子元件
210‧‧‧第一基板
220‧‧‧第一側壁阻障結構
230‧‧‧環境敏感電子元件背板
230a‧‧‧可撓性基材
230b‧‧‧環境敏感電子元件單元
232b‧‧‧主動元件
234b‧‧‧電路導線
240‧‧‧第一膠材
300‧‧‧顯式裝置
310‧‧‧第二基板
320‧‧‧第二側壁阻障結構
340‧‧‧第二膠材
CAR‧‧‧可撓性載板
CF‧‧‧彩色濾光層
DIS‧‧‧顯示面板
L‧‧‧光線
LID‧‧‧蓋板部
PA‧‧‧光阻層圖案
PC‧‧‧光罩
POL‧‧‧四分之一波長補償膜加偏光膜
PR‧‧‧光阻層
TP‧‧‧觸控層
圖1A為本揭露第一實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。
圖1B為圖1A的阻障功能膜的上視圖。
圖2是本揭露第二實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。
圖3A是本揭露第三實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。
圖3B是本揭露第四實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。
圖4A是本揭露第五實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。
圖4B是本揭露第六實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。
圖5A是本揭露第七實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。
圖5B是本揭露第八實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。
圖5C是本揭露第九實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。
圖5D是本揭露第十實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。
圖6A是本揭露第十一實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。
圖6B是本揭露第十二實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。
圖6C是本揭露第十三實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。
圖6D是本揭露第十四實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。
圖7A是本揭露第十五實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。
圖7B是本揭露第十六實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。
圖7C是本揭露第十七實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。
圖7D是本揭露第十八實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。
圖8A-1至圖8D是本揭露的阻障功能膜的製作方法的剖面示意圖。
圖9為本揭露第一實施例的環境敏感電子元件的剖面示意 圖。
圖10是本揭露第二實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。
圖11A是本揭露第三實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。
圖11B是本揭露第四實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。
圖12A是本揭露第五實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。
圖12B是本揭露第六實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。
圖13A是本揭露第七實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。
圖13B是本揭露第八實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。
圖13C是本揭露第九實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。
圖13D是本揭露第十實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。
圖14A是本揭露第十一實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。
圖14B是本揭露第十二實施例的環境敏感電子元件的剖面示 意圖。
圖14C是本揭露第十三實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。
圖14D是本揭露第十四實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。
圖15A是本揭露第十五實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。
圖15B是本揭露第十六實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。
圖15C是本揭露第十七實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。
圖15D是本揭露第十八實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。
圖16是本揭露一實施例的顯示裝置的剖面示意圖。
圖1A為本揭露第一實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。圖1B為圖1A的阻障功能膜的上視圖。請參考圖1A，本實施例的阻障功能膜100A包括基板110、至少一側壁阻障結構120、離形膜130以及膠材140。側壁阻障結構120位於基板110上。離型膜130配置於基板110上方，其中側壁阻障結構120位於基板110與離型膜130之間。膠材140包覆側壁阻障結構120並且位於 基板110與離型膜130之間。一般而言，功能阻障層100A的離形膜130是可以經由適當的施力，而自膠材140撕除。
在本實施例中，基板110例如是金屬基板或玻璃基板，基板110上可進一步配置吸濕材10，其中吸濕材10位於基板110與膠材140之間並且被側壁阻障結構120所環繞。一般而言，吸濕材10例如是貼附型吸濕材(tape getter)，亦可以是蒸發型吸濕材(evaporation getter)，可用於吸收水氣及氧氣。詳細而言，如圖1B所示，本實施例的吸濕材10，例如是底面積為矩形的貼附型吸濕材(tape getter)，當然，在其他未繪示的實施例中，吸濕材10亦可以是底面積為其他不同型態多邊形的片狀吸濕材，又或者是底面積為圓形、橢圓形的片狀吸濕材，本揭露在此並不加以限制。
此外，阻障功能膜100A更進一步具有散熱輔助材料20，其中散熱輔助材料20亦例如是以粒子的型態分佈於膠材140內。一般而言，散熱輔助材料20例如是鑽石、類鑽石、銅、銀、金、鋁、鉑、陶瓷材料或其氧化物的高散熱係數材料，可用以將熱導出。另一方面，阻障功能膜100A亦可具有抗電磁干擾材料30，其中抗電磁干擾材料30例如是以粒子的型態分佈於膠材140內。一般而言，抗電磁干擾材料30例如是金、銀、銅、碳或鉛等，可用以減弱電磁的效應。
如圖1A及圖1B所示，本實施例的側壁阻障結構120例如是連續且封閉的環狀結構，其中側壁阻障結構120垂直於基板 110的截面例如是梯形。在其他未繪示的實施例中，此截面亦可以是矩形或其他不同型態的多邊形，又或者是圓形或橢圓形，本揭露在此並不加以限制。一般而言，側壁阻障結構120例如是透過曝光、顯影與蝕刻處理等製作方法，或者是在金屬基板上以蝕刻方式製作，而於基板110上形成此連續且封閉的環狀結構。此外，在其他未繪示的實施例中，側壁阻障結構120亦可為非封閉的結構。
另一方面，離型膜130例如是聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)或含矽(silicone)的化合物，離型膜130貼附於膠材140上，以避免膠材140外露而被外界雜質所污染，其中離型膜130可經由適當施力而與膠材140分離。一般而言，膠材140例如是具有一定穿透率的光學膠材，當然本實施例亦可採用具有光學反射特性的光學膠材，或者具有半穿透半反射特性的光學膠材。具體而言，膠材140例如是環氧樹脂(epoxy)、丙烯酸化合物(acrylic compound)或矽膠(silicone)等材質所構成。在本實施例中，膠材140的材質例如是能夠透過加熱、光線照射等方式而被固化(curing)的材質，換言之，膠材140的材質例如是尚未被加熱、光線照射等方式而被固化(curing)的材質。
雖然上述實施例的阻障功能膜100A的基板110例如是金屬基板或玻璃基板，且吸濕材10例如是底面積為矩形的貼附型吸濕材(tape getter)配置於基板110上。然而，在其他的實施例中， 可達到阻隔水氣與氧氣之能力的不同結構設計或配置，仍屬於本揭露可採用的技術方案，不脫離本揭露所欲保護的範圍。以下將列舉多個不同的實施例來分別說明阻障功能膜100B至100R的設計。
圖2是本揭露第二實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。 請參考圖2，圖2的阻障功能膜100B與圖1A的阻障功能膜100A相似，其不同之處在於：圖2的阻障功能膜100B的吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於膠材140內，一般而言，吸濕材10a例如是透明或不透明吸濕材，可用於吸收水氣及氧氣。
圖3A是本揭露第三實施例的阻障功能膜的剖面示意 圖。圖3B是本揭露第四實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。請參考圖3A，圖3A的阻障功能膜100C與圖1A的阻障功能膜100A相似，其不同之處在於：圖3A的阻障功能膜100C的基板110可進一步包括可撓性基板110a以及阻障層110b，其中可撓性基板110a的材質可為聚亞醯胺(PI)，亦可以是聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)或金屬箔(metal foil)。
另一方面，阻障層110b配置於可撓性基板110a上，其 中阻障層110b例如是單層或多層無機材，例如是矽氧化合物(SiOx)、矽氮化合物(SiNx)、矽氮氧化合物(SiNxOy)或氧化鋁 (Al2O3)等，亦可以是無機與有機混合材，例如是碳矽(Si-C)聚合物等，又或者是有機與無機多層堆疊層，其中有機材例如是壓克力(Acrylic)、環氧樹脂(Epoxy)或聚亞芳香基醚(Parylene)系列等材料。一般而言，無機材可利用化學氣相沉積(CVD)或濺鍍(Sputter)等製作方法而形成於可撓性基板110a上。無機與有機混合材可利用化學氣相沉積(CVD)製作方法而形成於可撓性基板110a上。有機材可利用化學氣相沉積(CVD)、噴灑(Spray)或塗佈(Coating)等製作方法而形成可撓性基板110a上。
簡言之，本實施例的阻障層110b例如是單層膜層的阻障結構，可用以阻隔外界水氣與氧氣，在其他實施例中，阻障層110b亦可以是兩層以上的膜層所構成的阻障結構，本揭露在此並不加以限制。
請參考圖3B，圖3B的阻障功能膜100D與圖3A的阻障功能膜100C相似，其不同之處在於：圖3B的阻障功能膜100D的吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於膠材140內，一般而言，吸濕材10a例如是透明或不透明吸濕材，可用於吸收水氣及氧氣。
圖4A是本揭露第五實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。圖4B是本揭露第六實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。請參考圖4A，圖4A的阻障功能膜100E與圖3A的阻障功能膜100C相似，其不同之處在於：圖4A的阻障功能膜100E更具有四分之一波長補償膜加偏光膜POL，其中四分之一波長補償膜加偏光膜POL配置於可撓性基板110a上，且四分之一波長補償膜加偏光膜 POL與阻障層110b分別位於可撓性基板110a兩對側。一般而言，四分之一波長補償膜加偏光膜POL，其中補償膜例如是指對於特定的波長(λ)而延遲了具有其波長(λ)的四分之一大小的相位差薄膜。
請參考圖4B，圖4B的阻障功能膜100F與圖4A的阻障功能膜100E相似，其不同之處在於：圖4B的阻障功能膜100F的吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於膠材140內，一般而言，吸濕材10a例如是透明或不透明吸濕材，可用於吸收水氣及氧氣。
圖5A是本揭露第七實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。圖5B是本揭露第八實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。圖5C是本揭露第九實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。圖5D是本揭露第十實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。請參考圖5A，圖5A的阻障功能膜100G與圖3A的阻障功能膜100C相似，其不同之處在於：圖5A的阻障功能膜100G更具有觸控層TP，其中觸控層TP配置於可撓性基板110a上，且觸控層TP與膠材140分別位於阻障層110b的兩對側。詳細而言，本實施例的觸控層TP位於可撓性基板110a與阻障層110b之間。此外，阻障功能膜100G進一步具有一可撓性載板CAR，其中可撓性載板CAR例如是透過光學膠(未繪示)貼合於可撓性基板110a上，因此可撓性載板CAR可經由適當施力而與可撓性基板110a分離。
請參考圖5B，圖5B的阻障功能膜100H與圖5A的阻障功能膜100G相似，其不同之處在於：圖5B的阻障功能膜100H的觸控層TP例如是透過膠材140a貼合於可撓性基板110a的外表 面，而可撓性載板CAR例如是透過光學膠(未繪示)貼合於觸控層TP上，其中觸控層TP與膠材140分別位於可撓性基板110a的兩對側，且觸控層TP位於可撓性載板CAR與膠材140a之間。
請參考圖5C，圖5C的阻障功能膜100I與圖5A的阻障 功能膜100G相似，其不同之處在於：圖5C的阻障功能膜100I的吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於膠材140內，一般而言，吸濕材10a例如是透明或不透明吸濕材，可用於吸收水氣及氧氣。
請參考圖5D，圖5D的阻障功能膜100J與圖5B的阻障 功能膜100H相似，其不同之處在於：圖5D的阻障功能膜100J的吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於膠材140內，一般而言，吸濕材10a例如是透明或不透明吸濕材，可用於吸收水氣及氧氣。
圖6A是本揭露第十一實施例的阻障功能膜的剖面示意 圖。圖6B是本揭露第十二實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。圖6C是本揭露第十三實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。圖6D是本揭露第十四實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。請參考圖6A，圖6A的阻障功能膜100K與圖5A的阻障功能膜100G相似，其不同之處在於：圖6A的阻障功能膜100K的可撓性基板110a上配置有四分之一波長補償膜加偏光膜POL，取代了阻障功能膜100G的可撓性載板CAR，其中四分之一波長補償膜加偏光膜POL與阻障層110b分別位於可撓性基板110a兩對側。一般而言，四分之一波長補償膜加偏光膜POL，其中補償膜例如是指對於特定的波長(λ)而延遲了具有其波長(λ)的四分之一大小的相位差薄膜。
請參考圖6B，圖6B的阻障功能膜100L與圖6A的阻障 功能膜100K相似，其不同之處在於：圖6B的阻障功能膜100L的觸控層TP例如是透過膠材140a貼合於可撓性基板110a的外表面，而四分之一波長補償膜加偏光膜POL配置於觸控層TP上，其中觸控層TP與膠材140分別位於可撓性基板110a的兩對側，且觸控層TP位於四分之一波長補償膜加偏光膜POL與膠材140a之間。一般而言，四分之一波長補償膜加偏光膜POL，其中補償膜例如是指對於特定的波長(λ)而延遲了具有其波長(λ)的四分之一大小的相位差薄膜。
請參考圖6C，圖6C的阻障功能膜100M與圖6A的阻障 功能膜100K相似，其不同之處在於：圖6C的阻障功能膜100M的吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於膠材140內，一般而言，吸濕材10a例如是透明或不透明吸濕材，可用於吸收水氣及氧氣。
請參考圖6D，圖6D的阻障功能膜100N與圖6B的阻障 功能膜100L相似，其不同之處在於：圖6D的阻障功能膜100N的吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於膠材140內，一般而言，吸濕材10a例如是透明或不透明吸濕材，可用於吸收水氣及氧氣。
圖7A是本揭露第十五實施例的阻障功能膜的剖面示意 圖。圖7B是本揭露第十六實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。圖7C是本揭露第十七實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。圖7D是本揭露第十八實施例的阻障功能膜的剖面示意圖。請參考圖7A，圖7A的阻障功能膜100O與圖5A的阻障功能膜100G相似，其不 同之處在於：圖7A的阻障功能膜100O更具有彩色濾光層CF，其中彩色濾光層CF配置於觸控層TP與可撓性基板110a之間，且彩色濾光層CF與阻障層110b位於觸控層TP的兩對側。
請參考圖7B，圖7B的阻障功能膜100P與圖5B的阻障 功能膜100H相似，其不同之處在於：圖7B的阻障功能膜100P更具有彩色濾光層CF，且彩色濾光層CF、觸控層TP與阻障層110b位於可撓性基板110a的兩對側。
請參考圖7C，圖7C的阻障功能膜100Q與圖5C的阻障 功能膜100I相似，其不同之處在於：圖7C的阻障功能膜100Q更具有彩色濾光層CF，其中彩色濾光層CF配置於觸控層TP與可撓性基板110a之間，且彩色濾光層CF與阻障層110b位於觸控層TP的兩對側。
請參考圖7D，圖7D的阻障功能膜100R與圖5D的阻障功能膜100J相似，其不同之處在於：圖7D的阻障功能膜100R更具有彩色濾光層CF，其中彩色濾光層位於觸控層TP與可撓性載板之間，且彩色濾光層CF、觸控層TP與阻障層110b位於可撓性基板110a的兩對側。
以上僅介紹本揭露部分實施例的阻障功能膜100A至100R，並未介紹本揭露的阻障功能膜的製作方法。對此，以下將以圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A為例，並配合圖8A-1至圖8D對阻障功能膜的製作方法進行詳細的說明。
圖8A-1至圖8D是本揭露的阻障功能膜的製作方法的剖 面示意圖。請參考圖8A-1至圖8A-5，首先於基板110上形成至少一側壁阻障結構120，其中基板110例如是金屬基板或玻璃基板。更詳細而言，如圖8A-1所示，於基板110上形成至少一側壁阻障結構120的方法是先於基板110上形成一光阻層PR。接著，如圖8A-2所示，設置一光罩PC於光阻層PR的上方，藉由投射光線L通過光罩PC，以使光阻層PR曝光而達到圖案轉移(pattern transfer)。接著，如圖8A-3所示，將曝光後的光阻層PR進行顯影，使光阻層PR所要轉移的光阻層圖案PA顯現出來。接著，如圖8A-4所示，依據基板110上的光阻層圖案PA進行蝕刻處理，一般而言，例如是透過濕式蝕刻的方式以去除基板110上預定厚度的部份材料。之後，如圖8A-5所示，移除光阻層圖案PA以形成側壁阻障結構120，至此側壁阻障結構120的製作已大致完成。如圖1B所示，本實施例的側壁阻障結構120例如是連續且封閉的環狀結構，另外，如圖8A-5所示，其中側壁阻障結構120垂直於基板110的截面例如是梯形，亦可以是矩形或其他不同型態的多邊形，又或者是圓形或橢圓形，本揭露在此並不加以限制。
接著，如圖8B所示，於一離型膜130上形成一膠材140，一般而言，離型膜130例如是聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)或含矽(silicone)的化合物，而膠材140則例如是具有一定穿透率的光學膠材，當然本實施例亦可採用具有光學反射特性的光學膠材，或者具有半穿透半反射特性的光學膠 材。具體而言，膠材140例如是環氧樹脂(epoxy)、丙烯酸化合物(acrylic compound)或矽膠(silicone)等材質所構成。在本實施例中，膠材140的材質例如是能夠透過加熱、光線照射等方式而被固化(curing)的材質，換言之，膠材140的材質例如是尚未被加熱、光線照射等方式而被固化(curing)的材質。
此外，膠材140更進一步具有散熱輔助材料20，其中散熱輔助材料20例如是以粒子的型態分佈於膠材140內。一般而言，散熱輔助材料20例如是鑽石、類鑽石、銅、銀、金、鋁、鉑、陶瓷材料或其氧化物的高散熱係數材料，可用以將熱導出。另一方面，膠材140亦可具有抗電磁干擾材料30，其中抗電磁干擾材料30例如是以粒子的型態分佈於膠材140內。一般而言，抗電磁干擾材料30例如是金、銀、銅、碳或鉛等，可用以減弱電磁的效應。
接著，如圖8C所示，在透過膠材140將離型膜130貼附於基板110上，其中膠材140包覆側壁阻障結構120並且位於基板100與離型膜130之間的製作方法之前，先於基板110上形成一吸濕材10，其中吸濕材10位於基板110與膠材140之間，且吸濕材10被側壁阻障結構120所環繞。一般而言，吸濕材10例如是貼附型吸濕材(tape getter)，亦可以是蒸發型吸濕材(evaporation getter)，可用於吸收水氣及氧氣。詳細而言，如圖1B所示，本實施例的吸濕材10例如是底面積為矩形的貼附型吸濕材(tape getter)，當然，在其他未繪示的實施例中，吸濕材10亦可以是底 面積為其他不同型態多邊形的片狀吸濕材，又或者是底面積為圓形、橢圓形的片狀吸濕材，本揭露在此並不加以限制。
之後，請參考圖8D，透過膠材140將離型膜130貼附於 基板110上，其中膠材140包覆側壁阻障結構120並且位於基板110與離型膜130之間。一般而言，將離型膜130壓合於基板110後，可以是透過滾輪或框壓的方式使基板110的側壁阻障結構120透過膠材140與離型膜130緊密接觸。至此，阻障功能膜100A的製作方法已大致完成。
另外，本揭露並不限定於基板110上形成吸濕材10的配 置方式及製作方法，也就是說，在不脫離本揭露的精神及所欲保護範圍的情況下，當可實施其他潤飾及調整，以達到吸收水氧的技術功效。舉例而言，如圖2A所示，本揭露的膠材140內亦可進一步配置有吸濕材10a，其中吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於膠材140內，且可經由相似於阻障功能膜100A的製作方法，進而得到阻障功能膜100B。
上述各實施例的阻障功能膜的製作方法及結構大致上相 同或相似。對此，以下將針對阻障功能膜100C至100R與阻障功能膜100A的製作方法之間的差異進行說明，其中相同元件所具有的相同特徵不再一一贅述。
請參考圖3A，圖3A的阻障功能膜100C的製作方法與上 述阻障功能膜100A的製作方法大致上相同，其不同之處在於：圖3A的阻障功能膜100C的基板100可進一步包括可撓性基板110a 以及阻障層110b，其中阻障層110b例如是單層或多層無機材，例如是矽氧化合物(SiOx)、矽氮化合物(SiNx)、矽氮氧化合物(SiNxOy)或氧化鋁(Al2O3)等。此外，阻障層110b亦可以是無機與有機混合材，例如是Si-C聚合物等，又或者是有機與無機多層堆疊層，其中有機材例如是壓克力(Acrylic)、環氧樹脂(Epoxy)或聚亞芳香基醚(Parylene)系列等材料。一般而言，無機材可利用化學氣相沉積(CVD)或濺鍍(Sputter)等製作方法而形成於可撓性基板110a上。無機與有機混合材可利用化學氣相沉積(CVD)製作方法而形成於可撓性基板110a上。有機材可利用化學氣相沉積(CVD)、噴灑(Spray)或塗佈(Coating)等製作方法而形成可撓性基板110a上。藉由上述材料及製作方法形成於可撓性基板110a上的阻障層110b，可用以阻隔外界水氣或氧氣。
簡言之，形成於可撓性基板110a上的阻障層110b例如 是單層膜層的阻障結構，可用以阻隔外界水氣與氧氣，當然，阻障層110b亦可以是兩層以上的膜層所構成的阻障結構，本揭露在此並不加以限制。
請參考圖3B，圖3B的阻障功能膜100D的製作方法與圖 3A的阻障功能膜100C的製作方法大致相同，其不同之處在於：圖3B的阻障功能膜100D的膠材140內配置有吸濕材10a，更具體而言，吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於膠材140內，可用以吸收水氣或氧氣。
請參考圖4A，圖4A的阻障功能膜100E與3A的阻障功 能膜100C的製作方法大致相同，其不同之處在於：圖4A的阻障功能膜100E進一步於可撓性基板上形成四分之一波長補償膜加偏光膜POL，其中四分之一波長補償膜加偏光膜POL與阻障層110b分別位於該可撓性基板110a兩對側。
請參考圖4B，圖4B的阻障功能膜100F與3B的阻障功 能膜100D的製作方法大致相同，其不同之處在於：圖4B的阻障功能膜100F進一步於可撓性基板上形成四分之一波長補償膜加偏光膜POL，其中四分之一波長補償膜加偏光膜POL與阻障層110b分別位於該可撓性基板110a兩對側。
請參考圖5A，圖5A的阻障功能膜100G與圖3A的阻障 功能膜100C的製作方法大致相同，其不同之處在於：將阻障層110b貼合於可撓性基板110a上方之前，進一步於可撓性基板110a上形成一觸控層TP，其中觸控層TP與膠材140分別位於阻障層110b的兩對側。接著，進一步於可撓性基板110a形成一可撓性載板CAR，其中可撓性載板CAR例如是透過光學膠(未繪示)貼合於可撓性基板110a上，因此可撓性載板CAR可經由適當施力而與可撓性基板110a分離。
請參考圖5B，圖5B的阻障功能膜100H與圖5A的阻障 功能膜100G的製作方法大致相同，其不同之處在於：圖5B的阻障功能膜100H的觸控層TP是形成於可撓性基板110a的外表面，詳細而言，觸控層TP例如是透過膠材140a貼合於可撓性基板110a。接著，可撓性載板CAR例如是透過光學膠(未繪示)貼合 於觸控層TP上，其中觸控層TP與膠材140分別位於可撓性基板110a的兩對側，且觸控層TP位於可撓性載板CAR與膠材140a之間。
請參考圖5C，圖5C的阻障功能膜100I與圖5A的阻障 功能膜100G的製作方法大致相同，其不同之處在於：圖5C的阻障功能膜100I的膠材140內配置有吸濕材10a，更具體而言，吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於膠材140內，可用以吸收水氣或氧氣。
請參考圖5D，圖5D的阻障功能膜100J與圖5B的阻障 功能膜100H的製作方法大致相同，其不同之處在於：圖5D的阻障功能膜100J的膠材140內配置有吸濕材10a，更具體而言，吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於膠材140內，可用以吸收水氣或氧氣。
請參考圖6A，圖6A的阻障功能膜100K與圖5A的阻障 功能膜100G的製作方法大致相同，其不同之處在於：圖6A的阻障功能膜100K是於可撓性基板110a上形成四分之一波長補償膜加偏光膜POL，取代了阻障功能膜100G的可撓性載板CAR，其中四分之一波長補償膜加偏光膜POL與阻障層110b分別位於可撓性基板110a兩對側。
請參考圖6B，圖6B的阻障功能膜100L與圖5B的阻障 功能膜100H的製作方法大致相同，其不同之處在於：圖6B的阻障功能膜100LR進一步於觸控層TP上形成四分之一波長補償膜 加偏光膜POL，取代了阻障功能膜100H的可撓性載板CAR，其中觸控層TP與膠材140分別位於可撓性基板110a的兩對側，且觸控層TP位於四分之一波長補償膜加偏光膜POL與膠材140a之間。
請參考圖6C，圖6C的阻障功能膜100M與圖6A的阻障 功能膜100K的製作方法大致相同，其不同之處在於：圖6C的阻障功能膜100M的膠材140內配置有吸濕材10a，更具體而言，吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於膠材140內，可用以吸收水氣或氧氣。
請參考圖6D，圖6D的阻障功能膜100N與圖6B的阻障 功能膜100L的製作方法大致相同，其不同之處在於：圖6D的阻障功能膜100N的膠材140內配置有吸濕材10a，更具體而言，吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於膠材140內，可用以吸收水氣或氧氣。
請參考圖7A，圖7A的阻障功能膜100O與圖5A的阻障 功能膜100G的製作方法大致相同，其不同之處在於：首先於可撓性基板110a上製作彩色濾光層CF，再進一步於彩色濾光層CF上製作觸控層TP，其中彩色濾光層CF配置於可撓性基板110a與觸控層TP之間，且彩色濾光層CF與阻障層110b位於觸控層TP的兩對側。
請參考圖7B，圖7B的阻障功能膜100P與圖5B的阻障 功能膜100H的製作方法大致相同，其不同之處在於：首先於觸控 層TP上製作彩色濾光層CF，其中彩色濾光層CF與阻障層110b位於觸控層TP的兩對側。接著，可撓性載板CAR例如是透過光學膠(未繪示)貼合於觸控層TP上，其中可撓性載板CAR與觸控層TP位於彩色濾光層CF的兩對側。
請參考圖7C，圖7C的阻障功能膜100Q與圖5C的阻障 功能膜100I的製作方法大致相同，其不同之處在於：首先於觸控層TP上製作彩色濾光層CF，再進一步於彩色濾光層CF上製作可撓性基板110a，其中彩色濾光層CF配置於可撓性基板110a與觸控層TP之間，且彩色濾光層CF與阻障層110b位於觸控層TP的兩對側。
請參考圖7D，圖7D的阻障功能膜100R與圖5D的阻障 功能膜100J的製作方法大致相同，其不同之處在於：首先於觸控層TP上製作彩色濾光層CF，且彩色濾光層CF與阻障層110b位於觸控層TP的兩對側。接著，可撓性載板CAR例如是透過光學膠(未繪示)貼合於彩色濾光層CF上，其中可撓性載板CAR與觸控層TP位於彩色濾光層CF的兩對側。
圖9是本揭露第一實施例的環境敏感電子元件的剖面示 意圖。請參考圖9，本實施例的環境敏感電子元件200A包括第一基板210、至少一第一側壁阻障結構220、環境敏感電子元件背板230以及第一膠材240。第一側壁阻障結構220位於第一基板210上。第一基板210配置於環境敏感電子元件背板230上方，且第一側壁阻障結構220位於第一基板210與環境敏感電子元件背板 230之間。第一膠材240配置於第一基板210與環境敏感電子元件背板230之間，且第一膠材240包覆第一側壁阻障結構220，其中第一基板210與第一側壁阻障結構220透過第一膠材240貼合於環境敏感電子元件背板230上。
進一步而言，本實例的環境敏感電子元件200A例如是在 撕除圖1A的阻障功能膜100A的離型膜130後，透過膠材140將基板110以及側壁阻障結構120貼合於環境敏感電子元件背板230上所形成。一般而言，將基板110壓合於環境敏感電子元件背板230之後，可以是透過滾輪、下壓平頭、軟墊下壓或其他外力的方式使基板110的側壁阻障結構120透過膠材140與環境敏感電子元件背板230緊密接觸。在此必須說明的是，在基板110透過膠材140壓合於環境敏感電子元件背板230上方之後，基板110即形成為第一基板210並且側壁阻障結構120即形成為第一側壁阻障結構220。之後，膠材140固化(例如熱固化、紫外光固化等)以形成第一膠材240，藉此第一基板210及第一側壁阻障結構220透過此第一膠材240與環境敏感電子元件背板230穩固地接合。
在本實施例中，環境敏感電子元件背板230可包括可撓 性基材230a以及多個環境敏感電子元件單元230b，其中環境敏感電子元件單元230b排列於該可撓性基材230a上。詳細而言，可撓性基材230a例如是聚亞醯胺(PI)所構成，亦可以是其他的可撓性材料所構成。另一方面，各個環境敏感電子元件單元230b包括主動元件232b以及電路與導線234b，且電路導線234b與主動 元件232b電性連接。在本實施例中，主動元件232b例如是主動式環境敏感電子顯示元件，其中主動式環境敏感電子顯示元件例如是一主動型矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AM-OLED)或者是主動型矩陣電泳顯示器(Active Matrix Electro Phoretic Display,AM-EPD)，俗稱電子紙，或者是主動型矩陣液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display,AM-LCD)，或者是主動型矩陣藍相液晶顯示器(Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display)。
一般而言，主動元件232b為顯示器中的主要顯示區域，其 中包含薄膜電晶體(TFT)(未繪示)，且薄膜電晶體可以是非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)與金屬氧化物薄膜電晶體(metal oxide TFT)或多晶矽薄膜電晶體(p-Si TFT)。此外，多晶矽薄膜電晶體(p-Si TFT)可進一步包括低溫多晶矽薄膜電晶體(low-temperature p-Si TFT)以及高溫多晶矽薄膜電晶體(high-temperature p-Si TFT)、連續晶粒矽薄膜電晶體(Continuous Grain Silicon TFT,CGS TFT)或超晶粒矽薄膜電晶體(Super Grain Silicon TFT,SGS TFT)等等。
此外，第一膠材240更進一步具有散熱輔助材料20，其中散熱輔助材料20例如是以粒子的型態分佈於第一膠材240內。一般而言，散熱輔助材料20例如是鑽石、類鑽石、銅、銀、金、鋁、鉑、陶瓷材料或其氧化物的高散熱係數材料，可用以將熱導出。另一方面，第一膠材240亦可具有抗電磁干擾材料30，其中抗電磁干擾材料30例如是以粒子的型態分佈於第一膠材240內。 一般而言，抗電磁干擾材料30例如是金、銀、銅、碳或鉛等，可用以減弱電磁的效應。
雖然上述實施例的環境敏感電子元件200A例如是離型膜130撕除後的阻障功能膜100A與環境敏感電子元件背板230結合後所形成。然而，在其他的實施例中，阻障功能膜100B至100R與環境敏感電子元件背板230的結合，亦可達到阻隔水氣與氧氣之能力的不同結構設計或配置，仍屬於本揭露可採用的技術方案，不脫離本揭露所欲保護的範圍。以下將列舉多個不同的實施例來分別說明環境敏感電子元件200B至200R的設計。
圖10是本揭露第二實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。請參考圖10，圖10的環境敏感電子元件200B與圖9的環境敏感電子元件200A相似，其不同之處在於：圖10的環境敏感電子元件板200B的吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於第一膠材240內，一般而言，吸濕材10a例如是透明或不透明吸濕材，可用於吸收水氣及氧氣。
圖11A是本揭露第三實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。圖11B是本揭露第四實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。請參考圖11A，圖11A的環境敏感電子元件200C與圖9的環境敏感電子元件200A相似，其不同之處在於：圖11A的環境敏感電子元件200的第一基板210可進一步包括可撓性基板210a以及阻障層210b，其中可撓性基板210a的材質可為聚亞醯胺(PI)，亦可以是聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)或金屬箔(metal foil)。
另一方面，阻障層210b配置於可撓性基板210a上，其 中阻障層210b例如是單層或多層無機材，例如是矽氧化合物(SiOx)、矽氮化合物(SiNx)、矽氮氧化合物(SiNxOy)或氧化鋁(Al2O3)等。此外，阻障層210亦可以是無機與有機混合材，例如是碳矽(Si-C)聚合物等，又或者是有機與無機多層堆疊層，其中有機材例如是壓克力(Acrylic)、環氧樹脂(Epoxy)或聚亞芳香基醚(Parylene)系列等材料，無機材可利用化學氣相沉積(CVD)或濺鍍(Sputter)等製作方法而形成，無機與有機混合材可利用化學氣相沉積(CVD)製作方法而形成，有機材可利用化學氣相沉積(CVD)、噴灑(Spray)或塗佈(Coating)等製作方法而形成，可用以阻隔外界水氣與氧氣。
請參考圖11B，圖11B的環境敏感電子元件200D與圖 11A的環境敏感電子元件200C相似，其不同之處在於：圖11B的環境敏感電子元件200D的吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於第一膠材240內，一般而言，吸濕材10a例如是透明或不透明吸濕材，可用於吸收水氣及氧氣。
圖12A是本揭露第五實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。圖12B是本揭露第六實施例的環境敏感電子元件的剖面 示意圖。請參考圖12A，圖12A的環境敏感電子元件200E與圖11A的環境敏感電子元件200C相似，其不同之處在於：圖12A的環境敏感電子元件200E更具有四分之一波長補償膜加偏光膜POL，其中四分之一波長補償膜加偏光膜POL配置於可撓性基板210a上，且四分之一波長補償膜加偏光膜POL與阻障層210b分別位於可撓性基板210a兩對側。一般而言，四分之一波長補償膜加偏光膜POL其中補償膜例如是指對於特定的波長(λ)而延遲了具有其波長(λ)的四分之一大小的相位差薄膜。
請參考圖12B，圖12B的環境敏感電子元件200F與圖12A 的環境敏感電子元件200E相似，其不同之處在於：圖12B的環境敏感電子元件200F的吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於第一膠材240內，一般而言，吸濕材10a例如是透明或不透明吸濕材，可用於吸收水氣及氧氣。
圖13A是本揭露第七實施例的環境敏感電子元件的剖面 示意圖。圖13B是本揭露第八實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。圖13C是本揭露第九實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。圖13D是本揭露第十實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。請參考圖13A，圖13A的環境敏感電子元件200G與圖11A的環境敏感電子元件200C相似，其不同之處在於：圖13A的環境敏感電子元件200G更具有觸控層TP，其中觸控層TP配置於可撓性基板210a上，且觸控層TP與第一膠材240分別位於阻障層210b的兩對側。具體而言，本實例的環境敏感電子元件200G 例如是在撕除阻障功能膜100G的離型膜130後，透過膠材140將基板110以及側壁阻障結構120貼合於環境敏感電子元件背板230上並且進一步撕除可撓性載板CAR後所形成。在此必須說明的是，將基板110壓合於環境敏感電子元件背板230之後，基板110即形成為第一基板210並且側壁阻障結構120即形成為第一側壁阻障結構220。之後，膠材140固化(例如熱固化、紫外光固化等)以形成第一膠材240，藉此第一基板210及第一側壁阻障結構220透過此第一膠材240與環境敏感電子元件背板230穩固地接合。
請參考圖13B，圖13B的環境敏感電子元件200H與圖 13A的環境敏感電子元件200G相似，其不同之處在於：圖13B的環境敏感電子元件200H的觸控層TP例如是透過膠材240a貼合於可撓性基板210a的外表面，其中觸控層TP與第一膠材240分別位於可撓性基板210a的兩對側。
請參考圖13C，圖13C的環境敏感電子元件200I與圖13A 的環境敏感電子元件200G相似，其不同之處在於：圖13C的環境敏感電子元件200I的吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於第一膠材240內，一般而言，吸濕材10a例如是透明或不透明吸濕材，可用於吸收水氣及氧氣。
請參考圖13D，圖13D的環境敏感電子元件200J與圖13B 的環境敏感電子元件200H相似，其不同之處在於：圖13D的環境敏感電子元件200J的吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於第一膠材240內，一般而言，吸濕材10a例如是透明或不透明吸濕 材，可用於吸收水氣及氧氣。
圖14A是本揭露第十一實施例的環境敏感電子元件的剖 面示意圖。圖14B是本揭露第十二實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。圖14C是本揭露第十三實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。圖14D是本揭露第十四實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。請參考圖14A，圖14A的環境敏感電子元件200K與圖13A的環境敏感電子元件200G相似，其不同之處在於：圖6A的環境敏感電子元件200K的可撓性基板210a上配置有四分之一波長補償膜加偏光膜POL，其中四分之一波長補償膜加偏光膜POL與阻障層210b分別位於可撓性基板210a兩對側。
請參考圖14B，圖14B的環境敏感電子元件200L與圖 14A的環境敏感電子元件200K相似，其不同之處在於：圖14B的環境敏感電子元件200L的觸控層TP例如是透過膠材240a貼合於可撓性基板210a的外表面，而四分之一波長補償膜加偏光膜POL配置於觸控層TP上，其中觸控層TP與第一膠材240分別位於可撓性基板210a的兩對側，且觸控層TP位於四分之一波長補償膜加偏光膜POL與膠材240a之間。
請參考圖14C，圖14C的環境敏感電子元件200M與圖 14A的環境敏感電子元件200K相似，其不同之處在於：圖14C的環境敏感電子元件200M的吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於第一膠材240內，一般而言，吸濕材10a例如是透明或不透明吸濕材，可用於吸收水氣及氧氣。
請參考圖14D，圖14D的環境敏感電子元件200N與圖 14B的環境敏感電子元件200L相似，其不同之處在於：圖14D的環境敏感電子元件200N的吸濕材10a例如是以粒子的型態分佈於第一膠材240內，一般而言，吸濕材10a例如是透明或不透明吸濕材，可用於吸收水氣及氧氣。
圖15A是本揭露第十五實施例的環境敏感電子元件的剖 面示意圖。圖15B是本揭露第十六實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。圖15C是本揭露第十七實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。圖15D是本揭露第十八實施例的環境敏感電子元件的剖面示意圖。請參考圖15A，圖15A的環境敏感電子元件200O與圖13A的環境敏感電子元件200G相似，其不同之處在於：圖15A的環境敏感電子元件200O更具有彩色濾光層CF，其中彩色濾光層CF配置於觸控層TP上，且彩色濾光層CF與阻障層210b位於觸控層TP的兩對側。
請參考圖15B，圖15B的環境敏感電子元件200P與圖13B 的環境敏感電子元件200H相似，其不同之處在於：圖15B的環境敏感電子元件200P更具有彩色濾光層CF，其中彩色濾光層CF配置於觸控層TP上，且彩色濾光層CF與阻障層210b位於觸控層TP的兩對側。
請參考圖15C，圖15C的環境敏感電子元件200Q與圖 13C的環境敏感電子元件200I相似，其不同之處在於：圖15C的環境敏感電子元件200Q更具有彩色濾光層CF，其中彩色濾光層 CF配置於觸控層TP上，且彩色濾光層CF與阻障層210b位於觸控層TP的兩對側。
請參考圖15D，圖15D的環境敏感電子元件200R與圖13D的環境敏感電子元件200J相似，其不同之處在於：圖15D的環境敏感電子元件200R更具有彩色濾光層CF，其中彩色濾光層CF配置於觸控層TP上，且彩色濾光層CF與阻障層210b位於觸控層TP的兩對側。
圖16是本揭露一實施例的顯示裝置的剖面示意圖。請參 考圖16，本實施例的顯示裝置300至少包括顯示面板DIS、第二基板310、至少一第二側壁阻障結構320以及第二膠材340。第二基板310配置於顯示面板DIS的一側。第二側壁阻障結構320位於第二基板310上，且第二側壁阻障結構320位於顯示面板DIS與第二基板310之間。第二膠材340配置於第二基板310與顯示面板DIS之間，且第二膠材340包覆第二側壁阻障結構320，其中第二基板310與第二側壁阻障結構320透過第二膠材340貼合於顯示面板DIS上。
在此必須說明的是，顯示面板DIS例如是圖9至圖15的 環境敏感電子元件200A至200R的其中之一，也因此，顯示面板DIS至少包括了第一基板210、至少一第一側壁阻障結構220、環境敏感電子元件背板230以及第一膠材240。第一側壁阻障結構220位於第一基板210上。第一基板210配置於環境敏感電子元件背板230上方，且第一側壁阻障結構220位於第一基板210與環 境敏感電子元件背板230之間。第一膠材240配置於第一基板210與環境敏感電子元件背板230之間，且第一膠材240包覆第一側壁阻障結構220，其中第一基板210與第一側壁阻障結構220透過第一膠材240貼合於環境敏感電子元件背板230上。
另一方面，第二基板310、至少一第二側壁阻障結構320 以及第二膠材340構成一蓋板部LID。可以理解的是，蓋板部LID例如是阻障功能膜100A至100K的其中之一在撕除離型膜130後，透過膠材140貼合於環境敏感電子元件背板230的另一側，並且例如透過滾輪、下壓平頭、軟墊下壓或其他外力的方式使基板110的側壁阻障結構120透過膠材140與環境敏感電子元件背板230緊密接觸所形成。詳細而言，將基板110壓合於環境敏感電子元件背板230之後，基板110即形成為第二基板310並且側壁阻障結構120即形成為第二側壁阻障結構320。之後，膠材140固化(例如熱固化、紫外光固化等)以形成第二膠材340，藉此第二基板310及第二側壁阻障結構320透過此第二膠材340(亦即蓋板部LID)與環境敏感電子元件背板230穩固地接合。
在本實施例中，環境敏感電子元件背板230可包括可撓性基材230a以及環境敏感電子元件單元230b，其中環境敏感電子元件單元230b排列於該可撓性基材230a上。詳細而言，可撓性基材230a例如是聚亞醯胺(PI)所構成，亦可以是其他可撓性材料所構成。另一方面，環境敏感電子元件單元230b包括主動元件232b以及電路與導線234b，且電路導線234b與該主動元件232b 電性連接。在本實施例中，主動元件232b例如是主動式環境敏感電子顯示元件，其中主動式環境敏感電子顯示元件例如是一主動型矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AM-OLED)或者是主動型矩陣電泳顯示器(Active Matrix Electro Phoretic Display,AM-EPD)，俗稱電子紙，或者是主動型矩陣液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display,AM-LCD)，或者是主動型矩陣藍相液晶顯示器(Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display)。
一般而言，主動元件232b為顯示器中的主要顯示區域，其中包含薄膜電晶體(TFT)(未繪示)，且薄膜電晶體可以是非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)與金屬氧化物薄膜電晶體(metal oxide TFT)或多晶矽薄膜電晶體(p-Si TFT)。此外，多晶矽薄膜電晶體(p-Si TFT)可進一步包括低溫多晶矽薄膜電晶體(low-temperature p-Si TFT)以及高溫多晶矽薄膜電晶體(high-temperature p-Si TFT)、連續晶粒矽薄膜電晶體(Continuous Grain Silicon TFT,CGS TFT)或超晶粒矽薄膜電晶體(Super Grain Silicon TFT,SGS FT)等等。
此外，第二膠材340更進一步具有散熱輔助材料20，其中散熱輔助材料20例如是以粒子的型態分佈於第二膠材340內。一般而言，散熱輔助材料20例如是鑽石、類鑽石、銅、銀、金、鋁、鉑、陶瓷材料或其氧化物的高散熱係數材料，可用以將熱導出。另一方面，第二膠材340亦可具有抗電磁干擾材料30，其中抗電磁干擾材料30例如是以粒子的型態分佈於第二膠材340內。 一般而言，抗電磁干擾材料30例如是金、銀、銅、碳或鉛等，可用以減弱電磁的效應。
簡言之，本揭露的顯示裝置300可以是上述實施例的任一環境敏感電子元件200A至200R與撕除離型膜130後的任一阻障功能膜100A至100R的組合，其中第二阻障結構320可以是幾乎貼近顯式面板DIS的可撓性基材230a，亦或是嵌入顯式面板DIS的可撓性基材230a，用以阻隔外界水氣以及氧氣。具體而言，貼合於任一環境敏感電子元件200A至200R的蓋板部LID可作為透光蓋板，亦可作為不透光蓋板，換言之，本揭露的顯示裝置可以是雙面發光的顯示裝置，亦可以是單面發光的顯示裝置。此外，本揭露的顯示裝置更可以是具有觸控功能的顯示裝置，且進一步具有吸濕、散熱以及抗電磁效應等功效
綜上所述，本揭露的阻障功能膜具有接合於基板及離型膜之間的膠材，且基板上具有側壁阻障結構，其中側壁阻障結構位於基板及離型膜之間。此外，本揭露的環境敏感電子元件及顯示裝置具有接合於兩基板之間的膠材，其中側壁阻障結構配置於兩基板之間並且至少部分側壁阻障結構圍繞環境敏感電子元件單元的主動元件，其中側壁阻障結構由膠材所包覆。換言之，本揭露的阻障功能、環境敏感電子元件及顯示裝置不但具有良好的阻隔水氣與氧氣的能力，且易於量產。
此外，由於本揭露具有配置於基板上的吸濕材，亦或是分佈於膠材內的吸濕材，且膠材具有散熱輔助材以及抗電磁干擾 材料。換言之，本揭露的側壁阻障功能膜、環境敏感電子元件及顯示裝置更具有吸收水氧、散熱以及減弱電磁效應等功效，從而有效延長電子元件的壽命。
雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧吸濕材
20‧‧‧散熱輔助材料
30‧‧‧抗電磁干擾材料
100A‧‧‧阻障功能膜
110‧‧‧基板
120‧‧‧側壁阻障結構
130‧‧‧離型膜
140‧‧‧膠材

Claims (54)

  1. 一種阻障功能膜，包括：一基板；至少一側壁阻障結構，位於該基板上；一離型膜，配置於該基板上方，其中該側壁阻障結構位於該基板與該離型膜之間；以及一膠材，包覆該側壁阻障結構並且位於該基板與該離型膜之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的阻障功能膜，更包括一吸濕材，其中該吸濕材配置於該基板上，位於該基板與該膠材之間，且該吸濕材被該側壁阻障結構所環繞。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的阻障功能膜，更包括一吸濕材，其中該吸濕材分佈於該膠材內。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的阻障功能膜，更包括一散熱輔助材料，其中該散熱輔助材料分佈於該膠材內。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的阻障功能膜，更包括一抗電磁干擾材料，其中該抗電磁干擾材料分佈於該膠材內。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的阻障功能膜，其中該基板包括金屬基板或玻璃基板。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的阻障功能膜，其中該基板包括：可撓性基板；以及 至少一阻障層，配置於該可撓性基板上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的阻障功能膜，更包括一四分之一波長補償膜加偏光膜，該四分之一波長補償膜加偏光膜配置於該可撓性基板上，且該四分之一波長補償膜加偏光膜與該阻障層分別位於該可撓性基板兩對側。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的阻障功能膜，更包括一觸控層，其中該觸控層配置於該可撓性基板上，且該觸控層與該膠材分別位於該阻障層的兩對側。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的阻障功能膜，更包括一彩色濾光層，其中該彩色濾光層配置於該觸控層上，且該彩色濾光層與該阻障層位於該觸控層的兩對側。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的阻障功能膜，其中該側壁阻障結構包括連續且封閉的環狀結構。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的阻障功能膜，其中該側壁阻障結構的截面包括矩形、梯形、多邊形、圓形或橢圓形，且該截面垂直於該基板。
  13. 一種阻障功能膜的製作方法，包括：於一基板上形成至少一側壁阻障結構；於一離型膜上形成一膠材；以及透過該膠材將該離型膜貼附於該基板上，其中該膠材包覆該側壁阻障結構並且位於該基板與該離型膜之間。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的阻障功能膜的製作方法， 其中於該基板上形成該側壁阻障結構的方法包括：於該基板上塗佈一光阻層；於該光阻層上進行曝光、顯影與蝕刻處理；以及移除該光阻層以形成該側壁阻障結構。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的阻障功能膜的製作方法，更包括：於該基板上形成一吸濕材，其中吸濕材位於該基板與該膠材之間，且該吸濕材被該側壁阻障結構所環繞。
  16. 如申請專利範圍第13項所述的阻障功能膜的製作方法，更包括一吸濕材，其中該吸濕劑分佈於該膠材內。
  17. 如申請專利範圍第13項所述的阻障功能膜的製作方法，更包括一散熱輔助材料，其中該散熱輔助材料分佈於該膠材內。
  18. 如申請專利範圍第13項所述的阻障功能膜的製作方法，更包括一抗電磁干擾材料，其中該抗電磁干擾材料分佈於該膠材內。
  19. 如申請專利範圍第13項所述的阻障功能膜的製作方法，其中該基板包括金屬基板或玻璃基板。
  20. 如申請專利範圍第13項所述的阻障功能膜的製作方法，其中該基板包括：可撓性基板；以及於該可撓性基板上形成之少一阻障層。
  21. 如申請專利範圍第20項所述的阻障功能膜的製作方法， 更包括：於該可撓性基板上形成一四分之一波長補償膜加偏光膜，其中該四分之一波長補償膜加偏光膜與該阻障層分別位於該可撓性基板兩對側。
  22. 如申請專利範圍第20項所述的阻障功能膜的製作方法，更包括：於該可撓性基板上形成一觸控層，其中該觸控層與該膠材分別位於該阻障層的兩對側。
  23. 如申請專利範圍第22項所述的阻障功能膜的製作方法，更包括：於該觸控層上形成一彩色濾光層，其中該彩色濾光層與該阻障層位於該觸控層的兩對側。
  24. 如申請專利範圍第13項所述的阻障功能膜的製作方法，其中該側壁阻障結構包括連續且封閉的環狀結構。
  25. 如申請專利範圍第13項所述的阻障功能膜的製作方法，其中該側壁阻障結構的截面包括矩形、梯形、多邊形、圓形或橢圓形，且該截面垂直於該基板。
  26. 一種環境敏感電子元件，包括：一第一基板；至少一第一側壁阻障結構，位於該第一基板上；一環境敏感電子元件背板，其中該第一基板配置於該環境敏感電子元件背板上方，且該第一側壁阻障結構位於該第一基板與 該環境敏感電子元件背板之間；以及一第一膠材，配置於該第一基板與該環境敏感電子元件背板之間，且該第一膠材包覆該第一側壁阻障結構，其中該第一基板與該第一側壁阻障結構透過該第一膠材貼合於該環境敏感電子元件背板上。
  27. 如申請專利範圍第26項所述的環境敏感電子元件，其中該環境敏感電子元件背板包括：一可撓性基材；以及環境敏感電子元件單元，配置於該可撓性基材上。
  28. 如申請專利範圍第27項所述的環境敏感電子元件，其中環境敏感電子元件單元包括一主動元件以及一電路導線，且該電路導線與該主動元件電性連接。
  29. 如申請專利範圍第26項所述的環境敏感電子元件，更包括一吸濕材，其中該吸濕材配置於該第一基板上，位於該第一基板與該第一膠材之間，且該吸濕材被該第一側壁阻障結構所環繞。
  30. 如申請專利範圍第26項所述的環境敏感電子元件，更包括一吸濕材，其中該吸濕材分佈於該第一膠材內。
  31. 如申請專利範圍第26項所述的環境敏感電子元件，更包括一散熱輔助材料，其中該散熱輔助材料分佈於該第一膠材內。
  32. 如申請專利範圍第26項所述的環境敏感電子元件，更包括一抗電磁干擾材料，其中該抗電磁干擾材料分佈於該第一膠材內。
  33. 如申請專利範圍第26項所述的環境敏感電子元件，其中該第一基板包括金屬基板或玻璃基板。
  34. 如申請專利範圍第26項所述的環境敏感電子元件，其中該第一基板包括：可撓性基板；以及至少一阻障層，配置於該可撓性基板上。
  35. 如申請專利範圍第34項所述的環境敏感電子元件，更包括一四分之一波長補償膜加偏光膜，該四分之一波長補償膜加偏光膜配置於該可撓性基板上，且該四分之一波長補償膜加偏光膜與該側壁阻障結構分別位於該第一基板兩對側。
  36. 如申請專利範圍第34項所述的環境敏感電子元件，更包括一觸控層，其中該觸控層配置於該可撓性基板上，且該觸控層與該膠材分別位於該阻障層的兩對側。
  37. 如申請專利範圍第36項所述的環境敏感電子元件，更包括一彩色濾光層，其中該彩色濾光層配置於該觸控層上，且該彩色濾光層與該阻障層位於該觸控層的兩對側。
  38. 如申請專利範圍第26項所述的環境敏感電子元件，其中該第一側壁阻障結構包括連續且封閉的環狀結構。
  39. 如申請專利範圍第26項所述的環境敏感電子元件，其中該第一側壁阻障結構截面包括矩形、梯形、多邊形、圓形或橢圓形，且該截面垂直於該第一基板。
  40. 一種顯示裝置，包括： 一環境敏感電子元件；一第二基板，配置於該環境敏感電子元件的一側；至少一第二側壁阻障結構，位於該第二基板上，且該第二側壁阻障結構位於該環境敏感電子元件與該第二基板之間；以及一第二膠材，配置於該第二基板與該環境敏感電子元件之間，且該第二膠材包覆該第二側壁阻障結構，其中該第二基板與該第二側壁阻障結構透過該第二膠材貼合於該環境敏感電子元件上。
  41. 如申請專利範圍第40項所述的顯示裝置，其中該環境敏感電子元件包括：一第一基板；以及一環境敏感電子元件背板，其中該第二基板與該第二側壁阻障結構透過該第二膠材貼合於該第一基板上或該環境敏感電子元件背板上。
  42. 如申請專利範圍第41項所述的顯示裝置，其中該環境敏感電子元件背板包括：一可撓性基材；以及環境敏感電子元件單元，配置於該可撓性基材上。
  43. 如申請專利範圍第42項所述的顯示裝置，其中該環境敏感電子元件單元包括一主動元件以及一電路導線，且該電路導線與該主動元件電性連接。
  44. 如申請專利範圍第40項所述的顯示裝置，更包括一吸濕 材，其中該吸濕材配置於該第二基板上，位於該第二基板與該第二膠材之間，且該吸濕材被該第二側壁阻障結構所環繞。
  45. 如申請專利範圍第40項所述的顯示裝置，更包括一吸濕材，其中該吸濕材分佈於該第二膠材內。
  46. 如申請專利範圍第40項所述的顯示裝置，更包括一散熱輔助材料，其中該散熱輔助材料分佈於該第二膠材內。
  47. 如申請專利範圍第40項所述的顯示裝置，更包括一抗電磁干擾材料，其中該抗電磁干擾材料分佈於該第二膠材內。
  48. 如申請專利範圍第40項所述的顯示裝置，其中該第二基板包括金屬基板或玻璃基板。
  49. 如申請專利範圍第40項所述的顯示裝置，其中該第二基板包括：可撓性基板；以及至少一阻障層，配置於該可撓性基板上。
  50. 如申請專利範圍第49項所述的顯示裝置，更包括一四分之一波長補償膜加偏光膜，該四分之一波長補償膜加偏光膜配置於該可撓性基板上，且該四分之一波長補償膜加偏光膜與該側壁阻障結構分別位於該第一基板兩對側。
  51. 如申請專利範圍第49項所述的顯示裝置，更包括一觸控層，其中該觸控層配置於該可撓性基板上，且該觸控層與該膠材分別位於該阻障層的兩對側。
  52. 如申請專利範圍第51項所述的顯示裝置，更包括一彩色 濾光層，其中該彩色濾光層配置於該觸控層上，且該彩色濾光層與該阻障層位於該觸控層的兩對側。
  53. 如申請專利範圍第40項所述的顯示裝置，其中該第二側壁阻障結構包括連續且封閉的環狀結構。
  54. 如申請專利範圍第40項所述的顯示裝置，其中該第二側壁阻障結構的截面包括矩形、梯形、多邊形、圓形或橢圓形，且該截面垂直於該第二基板。
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