JP2019527450A - 表示基板、表示パネル及び表示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 250
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 45
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 20
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N cadmium selenide Chemical class [Cd]=[Se] AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Abstract
本発明は、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板とを含む表示パネルを開示する。前記第一基板は、第一ベース基板と、前記第一ベース基板上にある第一マイクロ構造層とを含み、前記第一マイクロ構造層は、前記第一ベース基板とは遠位側に第一波形表面を有し、前記第一マイクロ構造層は、第一基板の外縁領域にあり、前記第一基板の表示領域を取り囲む。
Description
（関連出願の相互参照）
本願は２０１６年７月１９日に提出された中国特許出願２０１６１０５７１２２５．１に基づく優先権を主張し、その内容の全てが参照により本明細書に組み込まれる。
本願は２０１６年７月１９日に提出された中国特許出願２０１６１０５７１２２５．１に基づく優先権を主張し、その内容の全てが参照により本明細書に組み込まれる。
（技術分野）
本発明は表示技術に関するものであり、特に表示基板、表示パネル及び表示装置に関する。
本発明は表示技術に関するものであり、特に表示基板、表示パネル及び表示装置に関する。
液晶表示(LCD)装置及び有機発光ダイオード(OLED)表示装置等の表示装置が広く用いられている。一般的に、液晶表示装置は、互いに対向する対向基板とアレイ基板を含む。アレイ基板と対向基板に、薄膜トランジスタ、ゲート線、データ線、画素電極、共通電極、及び共通電極線が配置されている。液晶材料が上記の二つの基板の間に注入され、液晶層を形成している。一般的に、有機発光表示装置は、互いに対向する対向基板とアレイ基板とを含む。有機発光表示装置中のアレイ基板は陽極、発光層、及び陰極を含む。液晶表示装置及び有機発光ダイオード表示装置において、アレイ基板と対向基板は通常、光学透明樹脂等のフレームシール材を用いて封着されている。
本発明の１つの態様では、
第一基板と前記第一基板に対向する第二基板とを含む表示パネルであって、
前記第一基板は、
第一ベース基板と、
前記第一ベース基板上にある第一マイクロ構造層とを含み、
第一マイクロ構造層は、前記第一ベース基板とは遠位側に第一波形表面を有し、
第一マイクロ構造層は、第一基板の外縁領域にあり、前記第一基板の表示領域を取り囲む、
表示パネルを提供する。
第一基板と前記第一基板に対向する第二基板とを含む表示パネルであって、
前記第一基板は、
第一ベース基板と、
前記第一ベース基板上にある第一マイクロ構造層とを含み、
第一マイクロ構造層は、前記第一ベース基板とは遠位側に第一波形表面を有し、
第一マイクロ構造層は、第一基板の外縁領域にあり、前記第一基板の表示領域を取り囲む、
表示パネルを提供する。
必要に応じて、前記表示パネルは、第一マイクロ構造層の、第一ベース基板とは遠位側に、前記第一基板と前記第二基板とを封着してセルを形成するためのシール材層をさらに含む。
必要に応じて、前記表示パネルは、前記第一マイクロ構造層の、前記第一ベース基板とは遠位側に、乾燥材層をさらに含み、前記乾燥材層は前記第一基板の外縁領域内にあり、前記シール材層に取り囲まれた領域にある。
必要に応じて、前記表示パネルは、有機発光ダイオード表示パネルであり、前記第一基板は、前記第一ベース基板上にある有機発光層と、前記有機発光層の、前記第一ベース基板とは遠位側にある封止層とをさらに含む。
必要に応じて、前記第一基板は、前記封止層の、有機発光層とは遠位側に、量子ドット層をさらに含む。
必要に応じて、前記第二基板は、第二ベース基板と前記第二ベース基板上にある第二マイクロ構造層とを含み、前記第二マイクロ構造層は、前記第二ベース基板とは遠位側に第二波形表面を有し、前記第二マイクロ構造層は、前記第二基板の外縁領域にあり、前記第二基板の表示領域を取り囲む。
必要に応じて、前記表示パネルは、前記第一マイクロ構造層と前記第二マイクロ構造層との間に、前記第一基板と前記第二基板とを封着してセルを形成するためのシール材層をさらに含む。
必要に応じて、前記第一マイクロ構造層は複数のマイクロ構造のアレイを含む。
必要に応じて、前記複数のマイクロ構造間の距離は実質的に同じである。
必要に応じて、前記複数のマイクロ構造間の距離は約０．１ｍｍ〜約１ｍｍの範囲である。
必要に応じて、前記複数のマイクロ構造間の距離は約０．５ｍｍである。
必要に応じて、前記複数のマイクロ構造のそれぞれは湾曲した断面を有する。
必要に応じて、前記複数のマイクロ構造のそれぞれは実質的に半円形の断面を有する。
必要に応じて、前記複数のマイクロ構造は実質的に同じ半径を有する。
必要に応じて、前記複数のマイクロ構造は複数の凸部である。
必要に応じて、前記複数のマイクロ構造は複数の凹部である。
本発明の他の様態では、上記の表示パネルを含む表示装置を提供する。
本発明の他の様態では、ベース基板と、前記表示基板上にあり前記表示基板の外縁領域にあるマイクロ構造層とを含む表示基板であって、
前記マイクロ構造層は、前記ベース基板とは遠位側に波形表面を有し、
前記マイクロ構造層は、前記表示基板の表示領域を取り囲む、表示基板を提供する。
前記マイクロ構造層は、前記ベース基板とは遠位側に波形表面を有し、
前記マイクロ構造層は、前記表示基板の表示領域を取り囲む、表示基板を提供する。
必要に応じて、前記マイクロ構造層は複数の凸部を含む。
必要に応じて、前記マイクロ構造層は複数の凹部を含む。
以下の図面は、開示された各種実施形態を説明するための単なる例に過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない。
本発明は、以下の実施形態を参照してより具体的に説明する。なお、以下のいくつかの実施形態についての説明は、図示及び説明のみを目的としてここに示される。これらは、網羅的であること又は開示された具体的な形態に限定されることを意図するものではない。
有機発光ダイオード表示パネル等の従来の表示パネルにおいて、酸素や湿気が前記表示パネル内に入り込んだ場合、前記表示パネル内にある各種部材の電気特性が影響を受け、寿命の短縮及び輝度低下につながる。従来の表示パネルのシール法は、コーティング法、及び薄膜封止法を含む。コーティング法において、一つ以上の有機又は無機材料層が前記表示パネル内の表示部材(例えば、有機発光ダイオード)に積層され、これらの部材を外部の酸素及び湿気から遮断している。薄膜封止法において、一つ以上の耐酸素性・耐湿性フィルムが前記表示部材の上方に封止されている。これら従来の方法において、酸素及び湿気は主に前記表示部材の上面から遮断される。酸素及び湿気はなおも前記表示部材の側面から前記表示部材に侵入することができ、結果特性が劣化する。
したがって、本発明は、特に、関連技術の欠点や制限による一つ以上の課題を実質的に解決する表示基板、表示パネル、及び表示装置を提供する。本発明の１つの態様では、表示パネルを提供する。いくつかの実施形態では、前記表示パネルは、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板とを含む。前記第一基板は、必要に応じて、第一ベース基板と第一マイクロ構造層とを含み、前記第一マイクロ構造層は前記第一ベース基板とは遠位側に第一波形表面を有し、前記第一マイクロ構造層は第一基板の外縁領域内にあり、前記第一基板の表示領域を取り囲む。
本明細書で使用される用語「外縁領域」とは、表示パネル又は前記表示パネルにおける表示基板(例えば、アレイ基板又は対向基板)において、前記表示パネル又は表示基板へ信号を送信するために各種回路及び配線が設けられる領域を指す。前記表示装置の透明度を向上させるため、前記表示装置の不透明又はオペークな部材(例えば、バッテリー、プリント回路基板、金属フレーム)は、前記表示領域よりも、外縁領域に配置することができる。本明細書で使用される用語「表示領域」とは、表示パネル又は前記表示パネルにおける表示基板(例えば、アレイ基板又は対向基板)におにて、実際に画像が表示される領域を指す。
本明細書で使用される用語「波形表面」とは、複数の突起及び前記複数の突起に対応する複数の凹部を有する非平坦な表面を指す。波形表面は、多種多様な周期的又は非周期的な構造、変形、粗化、うねり、テクスチャリング又はこれらの組み合わせを含んでよい。前記複数の波形突起は、必要に応じて、前記複数の凹部によって離間している。本発明における前記波形表面は、必要に応じて、波形突起の２つの隣接する頂点間に、約０．１ｍｍ〜約１ｍｍの範囲の代表的な距離を有する。本発明における前記波形表面は、必要に応じて、波形凹部の２つの隣接する底点間に、約０．１ｍｍ〜約１ｍｍの範囲の代表的距離を有する。本発明における前記波形表面は、必要に応じて、波形突起の頂点と隣接する波形凹部の底点との間に、約０．１ｍｍ〜約１ｍｍの範囲の代表的な高低差を有する。
図１は本発明にかかるいくつかの実施形態における表示パネルの構造を示す概略図である。図１によれば、いくつかの実施形態における前記表示パネルは、第一基板１０１と、前記第一基板１０１に対向する第二基板２０１とを含む。前記第一基板１０１は、第一ベース基板１００と、前記第一ベース基板１００上にある第一マイクロ構造層１０２とを含む。前記第一マイクロ構造層１０２は、前記第一ベース基板１００とは遠位側に第一波形表面を有する。前記第一マイクロ構造層１０２は前記第一基板１０１の外縁領域ＰＡ内にある。前記第一マイクロ構造層１０２は前記第一基板１０１の表示領域ＤＡを取り囲む。
図１に示す前記表示パネルにおいて、前記第一基板１０１がアレイ基板であり、前記第二基板２０１がアレイ基板に対向する対向基板である。いくつかの実施形態では、前記第一基板１０１が対向基板であり、前記第二基板２０１が対向基板に対向するアレイ基板である。図２は、本発明にかかるいくつかの実施形態における表示パネルの構造を示す概略図である。図２によれば、前記第一基板１０１は前記表示パネルの対向基板である。前記第一基板１０１は、前記第一基板１０１の外縁領域ＰＡ内にある第一マイクロ構造層１０２を含む。前記第一マイクロ構造層１０２は、前記第一基板１０１の表示領域ＤＡを取り囲む。
いくつかの実施形態では、前記表示パネルは、前記第一基板にある第一マイクロ構造層と、前記第二基板にある第二マイクロ構造層とを含む。図３は、本発明にかかるいくつかの実施形態における表示パネルの構造を示す概略図である。図３によれば、前記第一ベース基板１００上の前記第一マイクロ構造層１０２は、前記第一ベース基板１００とは遠位側に第一波形表面を有し、第二ベース基板２００上の前記第二マイクロ構造層１０２’は、前記第二基板２０１における前記第二ベース基板２００とは遠位側に第二波形表面を有する。前記第一マイクロ構造層１０２は、前記第一基板１０１の外縁領域ＰＡ内にあり、前記第一基板１０１の表示領域ＤＡを取り囲む。前記第二マイクロ構造層１０２’は、前記第二基板２０１の外縁領域ＰＡ内にあり、前記第二基板２０１の表示領域ＤＡを取り囲む。
図１〜３によれば、いくつかの実施形態における前記表示パネルは、前記第一マイクロ構造層１０２の、前記第一ベース基板１００とは遠位側に、前記第一基板１０１と前記第二基板２０１とを封着してセルを形成するためのシール材層１０３をさらに含む。必要に応じて、前記第一基板１０１と前記第二基板２０１がともにマイクロ構造層含む場合、前記シール材層１０３は前記第一基板１０１と前記第二基板２０１との間、例えば、図３に示すように、前記第一マイクロ構造層１０２と前記第二マイクロ構造層１０２’との間にある。
本表示パネルでは、前記シール材層１０３と前記第一マイクロ構造層１０２(又は前記第二マイクロ構造層１０２’)は、協同して前記第一基板１０１と前記第二基板２０１とを封着している。例えば、シール材層１０３と前記第一マイクロ構造層１０２の間の界面においては、前記シール材層１０３のシール材の材料は前記第一マイクロ構造層１０２と接触(例えば、結合)している。前記界面は外部の酸素や湿気を実質的に通さない。シール材層と基板と間の界面が実質的に平坦な界面である従来の表示パネルと比較すると、本表示パネルでは、前記界面が波形界面を有することにより、外部の酸素及び湿気の前記表示パネル内部への侵入が非常に困難となる。結果として、本表示パネルは耐酸素性及び耐湿性が高くなる。
前記第一基板１０１に第一マイクロ構造層１０２、及び前記第二基板１０２に第二マイクロ構造層１０２’を有する前記表示パネルにおいて、前記シール材層１０３は、前記第一マイクロ構造層１０２とともに第一界面を形成し、前記第二マイクロ構造層１０２’とともに第二界面を形成する。前記シール材層１０３の前記シール材の材料は、前記第一界面にて前記第一マイクロ構造層１０２と接触(例えば、結合)し、かつ前記第二界面にて前記第二マイクロ構造層１０２’と接触(例えば、結合)する。前記第一界面及び前記第二界面は両方とも外部の酸素及び湿気を通しにくい波形界面であるため、前記表示パネルはシール材層１０３の両側でしっかりとシールされる。前記表示パネルの耐酸素性及び耐湿性はさらに向上できる。
図１〜３によれば、いくつかの実施形態における前記表示パネルは、前記第一基板１０１の外縁領域ＰＡ内にあって且つシール材層１０３に取り囲まれた領域にある乾燥材層１０４をさらに含む。例えば、前記乾燥材層１０４は、シール材層１０３の、前記表示領域ＤＡに対して近位側にある。図１〜３に示すように、いくつかの実施形態における前記乾燥材層１０４は、前記第一マイクロ構造層１０２の、前記第一ベース基板１００とは遠位側にある。必要に応じて、前記第一基板１０１と前記第二基板２０１がともにマイクロ構造層を含む場合は、前記乾燥材層１０４は前記第一基板１０１及び前記第二基板２０１の間、例えば、図３に示すように、前記第一マイクロ構造層１０２と前記第二マイクロ構造層１０２’との間にある。前記乾燥材層１０４は乾燥材で形成されている。好適な乾燥材は、例えば、硫酸銅及び硫酸マグネシウム等を含むが、これらに限定されない。シール材層１０３と前記第一マイクロ構造層１０２によってシールされた空間内に乾燥材層を有することで、前記空間内に閉じ込められた湿気を減少又は除去でき、前記表示パネルの長寿命化につながる。
いくつかの実施形態では、前記表示パネルは有機発光ダイオード表示パネルであり、前記第一基板１０１は有機発光ダイオード表示パネルのアレイ基板である。図１及び図３によれば、いくつかの実施形態では、前記第一基板１０１は、第一ベース基板１００と、前記第一ベース基板１００上にある有機発光層１０５と、有機発光層１０５の、前記第一ベース基板１００とは遠位側にある封止層１０６とをさらに含む。前記第一基板１０１は、必要に応じて、封止層１０６の有機発光層１０５とは遠位側に、量子ドット層１０７をさらに含む。量子ドット層１０７を有することにより、本表示パネルの発光強度を向上できる。
いくつかの実施形態では、前記第一マイクロ構造層１０２及び前記第二マイクロ構造層１０２’は複数のマイクロ構造を有する層である。マイクロ構造層における前記複数のマイクロ構造は、基板に規則正しく配置されてよい。マイクロ構造層における前記複数のマイクロ構造は、必要に応じて、基板に不規則に配置されてよい。マイクロ構造層における前記複数のマイクロ構造は、必要に応じて、基板にランダムに配置されてよい。前記マイクロ構造層(例えば、前記第一マイクロ構造層１０２及び前記第二マイクロ構造層１０２’)は、必要に応じて複数のマイクロ構造のアレイを含む。
図４は本発明にかかるいくつかの実施形態におけるマイクロ構造層の構造を示す概略図である。図４によれば、いくつかの実施形態における前記マイクロ構造層は、複数の凸部３０１を含む。図５は、本発明にかかるいくつかの実施形態におけるマイクロ構造層の構造を示す概略図である。図５によれば、いくつかの実施形態における前記マイクロ構造層は、複数の凹部４０１を含む。
必要に応じて、前記第一基板の前記第一マイクロ構造層は複数の凸部３０１を含む。必要に応じて、前記第一基板の前記第一マイクロ構造層は複数の凹部４０１を含む。必要に応じて、前記第二基板の前記第二マイクロ構造層は複数の凸部３０１を含む。必要に応じて、前記第二基板の前記第二マイクロ構造層は複数の凹部４０１を含む。
必要に応じて、前記第一基板の前記第一マイクロ構造層は、複数の凸部３０１を含み、且つ、前記第二基板の前記第二マイクロ構造層は複数の凸部３０１含む。必要に応じて、前記第一基板の前記第一マイクロ構造層は複数の凹部４０１を含み、且つ、前記第二基板の前記第二マイクロ構造層は複数の凹部４０１を含む。必要に応じて、前記第一基板の前記第一マイクロ構造層は複数の凸部３０１を含み、且つ、前記第二基板の前記第二マイクロ構造層は複数の凹部４０１を含む。必要に応じて、前記第一基板の前記第一マイクロ構造層は複数の凹部４０１を含み、且つ、前記表示基板の前記第二マイクロ構造層は複数の凸部３０１を含む。
いくつかの実施形態では、マイクロ構造層の前記複数のマイクロ構造は基板に規則正しく配置されている。前記複数のマイクロ構造間の距離は、必要に応じて、実質的同じである。前記複数のマイクロ構造間の距離は、必要に応じて、約０．１ｍｍ〜約１ｍｍの範囲にあり、例えば、約０．５ｍｍである。
いくつかの実施形態では、前記複数のマイクロ構造はそれぞれ湾曲した断面(図４及び図５に示す)を有する。前記複数のマイクロ構造は、必要に応じて、それぞれ実質的に半円形の断面を有する。前記複数のマイクロ構造は、必要に応じて、それぞれ円形の一部を有する断面を有する(図４及び図５に示す)。前記複数のマイクロ構造は、必要に応じて、実質的に同じ半径を有する。マイクロ構造のパターン及び寸法は、前記表示パネルのフレーム幅に基づいて設計できる。例えば、フレーム幅が小さい表示パネルについては、前記マイクロ構造は比較的小さいサイズを有するように設計でき、例えば、前記複数のマイクロ構造のそれぞれが比較的小さい半径を有するように設計できる。
本表示パネルでは、少なくとも一つのマイクロ構造層が、少なくとも一つの基板上に形成されている。前記シール材層及び前記マイクロ構造層が協同して前記基板を封着している。例えば、シール材層と前記マイクロ構造層と間の界面にて、シール材層のシール材の材料は前記マイクロ構造層と接触(例えば、結合)する。前記界面は外部の酸素や湿気を実質的に通さない。シール材層と基板間の界面が実質的に平坦な界面である従来の表示パネルと比較すると、本表示パネルの前記界面は波形界面を有し、これにより、外部の酸素及び湿気の前記表示パネル内部への侵入が非常に困難となる。結果として、本表示パネルの耐酸素性及び耐湿性は高くなる。前記第一基板に第一マイクロ構造層及び前記第二基板に第二マイクロ構造層を有する前記表示パネルにおいて、前記シール材層は前記第一マイクロ構造層とともに第一界面を形成し、前記第二マイクロ構造層とともに第二界面を形成する。前記シール材層の前記シール材の材料は、前記第一界面にて前記第一マイクロ構造層と接触(例えば、結合)し、前記第二界面にて前記第二マイクロ構造層と接触(例えば、結合)する。前記第一界面と前記第二界面は両方とも外部の酸素及び湿気を通しにくい波形界面であるため、前記表示パネルは前記シール材層の両側でしっかりとシールされる。前記表示パネルの耐酸素性及び耐湿性はさらに向上できる。前記シール材層と前記マイクロ構造層によってシールされた空間内に乾燥材層を含むことにより、前記空間内に閉じ込められた湿気をさらに減少又は除去でき、前記表示パネルの長寿命化につながる。前記表示パネル内に量子ドット層を有することにより、本表示パネルの発光強度はさらに向上できる。マイクロ構造のパターン及び寸法は前記表示パネルの望ましいフレーム幅に基づいて設計できる。例えば、フレーム幅が小さい表示パネルについては、前記マイクロ構造は比較的小さいサイズを有するように設計でき、例えば、前記複数のマイクロ構造のそれぞれが比較的小さい半径を有するように設計できる。
必要に応じて、前記表示パネルは有機発光ダイオード表示パネルである。必要に応じて、前記表示パネルは液晶表示パネルである。
本発明の他の態様では、表示パネルの製造方法を提供する。図６は、本発明にかかるいくつかの実施形態における表示パネルの製造方法を示すフローチャートである。図６によれば、いくつかの実施形態における方法は、第一基板を形成する工程と、前記第一基板に対向する第二基板を形成する工程とを含む。必要に応じて、前記第一基板を形成する工程は第一ベース基板上に第一マイクロ構造層を形成するステップを含み、前記第一マイクロ構造層は、前記第一ベース基板とは遠位側に第一波形表面を有するように形成され、前記第一マイクロ構造層は第一基板の外縁領域に形成され、且つ前記第一基板の表示領域を取り囲むように形成される。
前記マイクロ構造層は、各種好適な材料及び各種好適な製造方法を用いて作製される。例えば、複数のマイクロ構造を有するマイクロ構造層は、リソグラフィー法により製造できる。前記複数のマイクロ構造は、必要に応じて、成形型板による成形プロセスで形成できる。前記マイクロ構造層は、必要に応じて、例えばプラズマ強化化学蒸着(ＰＥＣＶＤ)プロセスなどを用いた蒸着法により形成できる。前記マイクロ構造層を作製するための好適な材料の例としては、無機絶縁材料及び有機絶縁材料を含むが、これらに限定されない。好適な無機絶縁材料の例としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素(例えば、Ｓｉ３Ｎ４)、酸窒化ケイ素(ＳｉＯｘＮｙ)を含むが、これらに限定されない。好適な有機絶縁材料としては、樹脂、ポリイミドなどを含むが、これらに限定されない。
いくつかの実施形態では、前記第一基板を形成する工程は、第一マイクロ構造層を第一ベース基板上に形成するステップを含み、前記第二基板を形成する工程は、第二マイクロ構造層を第二ベース基板上に形成するステップを含む。前記第一マイクロ構造層は、前記第一ベース基板とは遠位側に第一波形表面を有するように形成され、前記第二マイクロ構造層は、前記第二ベース基板とは遠位側に第二波形表面を有するように形成される。前記第一マイクロ構造層は第一基板の外縁領域内に形成され、前記第一基板の表示領域を取り囲む。前記第二マイクロ構造層は前記第二基板の外縁領域内に形成され、前記第二基板の表示領域を取り囲む。
いくつかの実施形態では、前記方法は、前記第一マイクロ構造層の、前記第一ベース基板とは遠位側に、前記第一基板と前記第二基板を封着してセルを形成するためのシール材層を形成するステップをさらに含む。いくつかの実施形態では、第一マイクロ構造層が前記第一基板に形成され、且つ第二マイクロ構造層が前記第二基板に形成される場合、前記シール材層は、前記第一基板と前記第二基板との間、例えば、前記第一マイクロ構造層と前記第二マイクロ構造層との間に形成される。前記シール材層は、各種好適な材料及び各種好適な製造方法を用いて作製できる。シール材の例として、ＵＶ硬化性シール材(例えば、エポキシ樹脂)、低温熱硬化性シール材、及びレーザー硬化性シール材を含む。
いくつかの実施形態では、前記方法は、前記第一基板の外縁領域であって、前記シール材層によって取り囲まれた領域に、乾燥材層を形成するステップをさらに含む。例えば、前記乾燥材層は、前記シール材層の、前記表示領域に対して近位側に形成される。前記乾燥材層は、必要に応じて、前記第一マイクロ構造層の、前記第一ベース基板とは遠位側に形成される。第一マイクロ構造層が前記第一基板に形成され、且つ第二マイクロ構造層が前記第二基板に形成される場合、必要に応じて、前記乾燥材層は前記第一基板と前記第二基板との間、例えば、前記第一マイクロ構造層と前記第二マイクロ構造層との間に形成される。
いくつかの実施形態では、前記表示パネルは有機発光ダイオード表示パネルであり、前記第一基板は有機発光ダイオード表示パネルのアレイ基板である。前記第一基板を形成する工程は、必要に応じて、ベース基板上に有機発光層を形成するステップ、有機発光層の、前記第一ベース基板とは遠位側に、封止層を形成するステップを含む。前記第一基板を形成する工程は、必要に応じて、封止層の、有機発光層とは遠位側に量子ドット層を形成するステップをさらに含む。
量子ドット層は、各種好適な量子ドット材料及び各種好適な製造方法を用いて作製できる。例えば、ポリマー母材に量子ドット材料を取り込んだ量子ドット材料と前記ポリマー母材との混合体を基板上、例えば、封止層の有機発光層とは遠位側に、積層してよい。好適な量子ドット材料の例として、セレン化カドミウム(ＣｄＳｅ)量子ドットを含むが、これに制限されない。
いくつかの実施形態では、前記第一マイクロ構造層(又は前記第二マイクロ構造層)を形成する工程は、複数のマイクロ構造のアレイを形成するステップを含む。前記複数のマイクロ構造は、必要に応じて、複数の凸部である。前記複数のマイクロ構造は、必要に応じて、複数の凹部である。
前記第一マイクロ構造層(又は前記第二マイクロ構造層)は、必要に応じて、前記複数のマイクロ構造間の距離が実質的に同じとなるように形成される。前記複数のマイクロ構造間の距離は、必要に応じて、約０．１ｍｍ〜約１ｍｍの範囲であり、例えば、約０．５ｍｍである。
前記複数のマイクロ構造は、必要に応じて、それぞれが湾曲した断面を有するように形成される。前記複数のマイクロ構造は、必要に応じて、それぞれが実質的に半円形の断面を有するように形成される。前記複数のマイクロ構造は、必要に応じて、それぞれが円形の一部を有する断面を持つように形成される。前記複数のマイクロ構造は、必要に応じて、実質的に同じ半径を有するように形成される。マイクロ構造のパターン及び寸法は、前記表示パネルのフレーム幅に基づいて形成できる。例えば、フレーム幅が小さい表示パネルについては、前記マイクロ構造は比較的小さいサイズを有するように形成され、例えば、前記複数のマイクロ構造のそれぞれが比較的小さい半径を有するように形成される。
本発明の他の態様では、上述した又は上述の方法によって製造された表示パネルを有する表示装置を提供する。好適な表示装置の例として、電子ペーパー、携帯電話、タブレットコンピューター、テレビ、モニター、ノートパソコン、デジタルアルバム、ＧＰＳ等を含むが、これに制限されない。前記表示装置は、必要に応じて、有機発光ダイオード表示装置である。前記表示装置は、必要に応じて、液晶表示装置である。
本表示装置では、少なくとも一つのマイクロ構造層が、少なくとも一つの基板上に形成されている。前記シール材層及び前記マイクロ構造層が協同して前記表示装置の二つの基板を封着している。例えば、シール材層と前記マイクロ構造層と間の界面にて、前記シール材層のシール材の材料は、前記マイクロ構造層と接触(例えば、結合)する。前記界面は外部の酸素や湿気を実質的に通さない。シール材層と基板間の界面が実質的に平坦な界面である従来の表示装置と比較すると、本表示装置の前記界面は波形界面を有し、これにより、外部の酸素及び湿気の前記表示装置内部への侵入が非常に困難となる。結果として、本表示装置の耐酸素性及び耐湿性は高くなる。前記第一基板に第一マイクロ構造層及び前記第二基板に第二マイクロ構造層を有する前記表示装置において、前記シール材層は、前記第一マイクロ構造層とともに第一界面を形成し、前記第二マイクロ構造層とともに第二界面を形成する。前記シール材層の前記シール材の材料は、前記第一界面にて前記第一マイクロ構造層と接触(例えば、結合)し、前記第二界面にて前記第二マイクロ構造層と接触(例えば、結合)する。前記第一界面と前記第二界面は両方とも外部の酸素及び湿気を通しにくい波形界面であるため、前記表示装置は、前記シール材層の両側でしっかりとシールされる。前記表示装置の耐酸素性及び耐湿性はさらに向上できる。前記シール材層と前記マイクロ構造層によってシールされた空間内に乾燥材層を含むことにより、前記空間内に閉じ込められた湿気をさらに減少又は除去でき、前記表示装置の長寿命化につながる。前記表示装置内に量子ドット層を有することにより、本表示装置の発光強度はさらに向上できる。マイクロ構造のパターン及び寸法は前記表示装置の望ましいフレーム幅に基づいて設計される。例えば、フレーム幅が小さい表示装置については、前記マイクロ構造は比較的小さいサイズを有するように設計でき、例えば、前記複数のマイクロ構造のそれぞれが比較的小さい半径を有するように設計できる。
本発明の他の態様では、表示基板を提供する。いくつかの実施形態では、前記表示基板は、ベース基板と、前記ベース基板上にあって前記表示基板の外縁領域にあるマイクロ構造層とを含み、前記マイクロ構造層は前記ベース基板とは遠位側に波形表面を有し、前記マイクロ構造層は前記表示基板の表示領域を取り囲む。必要に応じて、前記マイクロ構造層は、複数の凸部を含む。必要に応じて、前記マイクロ構造層は、複数の凹部を含む。前記表示基板は必要に応じて、アレイ基板である。前記表示基板は、必要に応じて、対向基板である。
いくつかの実施形態では、前記表示基板は有機発光ダイオード表示パネルにおけるアレイ基板である。前記表示基板は、必要に応じて、ベース基板と、前記ベース基板上にある有機発光層と、発光層の前記ベース基板とは遠位側にある封止層と、封止層の前記発光層とは遠位側にある量子ドット層とを、さらに含む。
いくつかの実施形態では、前記マイクロ構造層は複数のマイクロ構造を含む。マイクロ構造層における前記複数のマイクロ構造は、前記表示基板に規則正しく配置されてよい。マイクロ構造層における前記複数のマイクロ構造は、必要に応じて、前記表示基板に不規則に配置されてよい。マイクロ構造層における前記複数のマイクロ構造は、必要に応じて、前記表示基板にランダムに配置されてよい。前記マイクロ構造層は、必要に応じて、複数のマイクロ構造のアレイを含む。前記複数のマイクロ構造間の距離は、必要に応じて、実質的に同じである。前記複数のマイクロ構造間の距離は、必要に応じて、約０．１ｍｍ〜約１ｍｍの範囲にあり、例えば、約０．５ｍｍである。前記複数のマイクロ構造は、必要に応じて、それぞれ湾曲した断面を有する。前記複数のマイクロ構造は、必要に応じて、それぞれ実質的に半円形の断面を有する。前記複数のマイクロ構造は、必要に応じて、それぞれ円形の一部を有する断面を有する。前記複数のマイクロ構造は、必要に応じて、実質的に同じ半径を有する。
本発明の実施形態についての前述の説明は、図示及び説明を目的として示されたものである。これらは、網羅的であること又は本発明を開示された具体的な形態或いは開示された模範的な実施形態に限定されることを意図するものではない。したがって、前述の説明は、制限的ではなく例示的であるとみなされるべきである。明らかに、多くの変更及び変形が、当業者にとって自明的である。実施形態は、本発明の原理及び最良形態の実用的な適用を説明するために選択及び記載され、これにより、当業者は本発明の各種実施形態を理解でき、且つ、特定の用途又は意図する実用に適した各種変更を理解できる。本発明の範囲は、添付の請求の範囲およびそれらの均等物によって定義されることを意図し、他に断りがない限り、全ての用語は最も広い合理的な意味を指す。そのため、「発明」、「本発明」等の用語は請求項の範囲必ずしもを特定の実施形態に限定するものではなく、本発明の代表的な実施形態への言及は、本発明を限定することを意味するのではなく、、そのような限定は推測されるべきではない。本発明は、添付の請求項の思想及び範囲によってのみ限定される。さらに、これらの請求項は、名詞又は要素に伴って「第一」、「第二」等を使用する場合がある。これらの用語は命名法として理解されるべきであり、特定の数が与えられていない限り、そのような命名法によって変更される要素の数に制限を与えると解釈されるべきではない。記載された長所及び利点は、本発明のすべての実施形態に適用されるわけではない。当然のことながら、当業者は、以下の請求項によって定義される本発明の範囲から逸脱することなく、記載された実施形態に変更を加えることができる。さらに、本発明における要素および構成要素は、その要素または構成要素が以下の請求項において明示的に列挙されているかどうかにかかわらず、公衆に捧げる意図はない。
Claims (20)
- 第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板とを含む表示パネルであって、
前記第一基板は、
第一ベース基板と、
前記第一ベース基板上にある第一マイクロ構造層とを含み、
前記第一マイクロ構造層は、前記第一ベース基板とは遠位側に第一波形表面を有し、
前記第一マイクロ構造層は、第一基板の外縁領域にあり、前記第一基板の表示領域を取り囲む、
表示パネル。 - 前記第一マイクロ構造層の、前記第一ベース基板とは遠位側に、前記第一基板と前記第二基板とを封着してセルを形成するためのシール材層をさらに含む、請求項１記載の表示パネル。
- 前記第一マイクロ構造層の、前記第一ベース基板とは遠位側に、乾燥材層をさらに含み、
前記乾燥材層は前記第一基板の外縁領域にあり、前記シール材層に取り囲まれた領域にある、請求項２に記載の表示パネル。 - 前記表示パネルは、有機発光ダイオード表示パネルであり、
前記第一基板は、
前記第一ベース基板上にある有機発光層と、
前記有機発光層の、前記第一ベース基板とは遠位側にある封止層とをさらに含む、請求項１記載の表示パネル。 - 前記第一基板は、前記封止層の、有機発光層とは遠位側に、量子ドット層をさらに含む、請求項１記載の表示パネル。
- 前記第二基板は、第二ベース基板と、前記第二ベース基板上にある第二マイクロ構造層とを含み、
前記第二マイクロ構造層は、前記第二ベース基板とは遠位側に第二波形表面を有し、
前記第二マイクロ構造層は、前記第二基板の外縁領域にあり、前記第二基板の表示領域を取り囲む、請求項１記載の表示パネル。 - 前記第一マイクロ構造層と前記第二マイクロ構造層との間に、前記第一基板と前記第二基板とを封着してセルを形成するためのシール材層をさらに含む、請求項６に記載の表示パネル。
- 前記第一マイクロ構造層は複数のマイクロ構造のアレイを含む、請求項１に記載の表示パネル。
- 前記複数のマイクロ構造間の距離は実質的に同じである、請求項８に記載の表示パネル。
- 前記複数のマイクロ構造間の距離は約０．１ｍｍ〜約１ｍｍの範囲である、請求項８に記載の表示パネル。
- 前記複数のマイクロ構造間の距離は約０．５ｍｍである、請求項１０に記載の表示パネル。
- 前記複数のマイクロ構造のそれぞれは湾曲した断面を有する、請求項８に記載の表示パネル。
- 前記複数のマイクロ構造のそれぞれは実質的に半円形の断面を有する、請求項８に記載の表示パネル。
- 前記複数のマイクロ構造は実質的に同じ半径を有する、請求項１３に記載の表示パネル。
- 前記複数のマイクロ構造は複数の凸部である、請求項８に記載の表示パネル。
- 前記複数のマイクロ構造は複数の凹部である、請求項８に記載の表示パネル。
- 請求項１から１６のいずれかに記載の表示パネルを含む表示装置。
- ベース基板と、前記表示基板上にあり前記表示基板の外縁領域にあるマイクロ構造層とを含む表示基板であって、
前記マイクロ構造層は、前記ベース基板とは遠位側に波形表面を有し、
前記マイクロ構造層は、前記表示基板の表示領域を取り囲む、
表示基板。 - 前記マイクロ構造層は複数の凸部を含む、請求項１８に記載の表示基板。
- 前記マイクロ構造層は複数の凹部を含む、請求項１８に記載の表示基板。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610571225.1 | 2016-07-19 | ||
| CN201610571225.1A CN106025092B (zh) | 2016-07-19 | 2016-07-19 | 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置 |
| PCT/CN2017/078908 WO2018014587A1 (en) | 2016-07-19 | 2017-03-31 | Display substrate, display panel, and display apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019527450A true JP2019527450A (ja) | 2019-09-26 |
| JP6935879B2 JP6935879B2 (ja) | 2021-09-15 |
Family
ID=57116044
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017550758A Active JP6935879B2 (ja) | 2016-07-19 | 2017-03-31 | 表示基板、表示パネル及び表示装置 |
| JP2017560807A Active JP6863905B2 (ja) | 2016-07-19 | 2017-05-10 | 表示基板、表示パネル、表示装置、並びに表示基板及び表示パネルの製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017560807A Active JP6863905B2 (ja) | 2016-07-19 | 2017-05-10 | 表示基板、表示パネル、表示装置、並びに表示基板及び表示パネルの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20180254432A1 (ja) |
| EP (2) | EP3488477A4 (ja) |
| JP (2) | JP6935879B2 (ja) |
| KR (1) | KR101989417B1 (ja) |
| CN (2) | CN106025092B (ja) |
| WO (2) | WO2018014587A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106025092B (zh) * | 2016-07-19 | 2018-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置 |
| CN106328825B (zh) * | 2016-10-31 | 2019-01-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示器 |
| CN107104201B (zh) * | 2017-05-25 | 2019-08-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管显示面板封装结构及其制作方法、显示装置 |
| US10431743B2 (en) * | 2017-10-30 | 2019-10-01 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Manufacturing method of an OLED anode and an OLED display device thereof |
| CN110085133A (zh) * | 2018-01-26 | 2019-08-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
| US11219899B2 (en) * | 2018-08-01 | 2022-01-11 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Micro-channel structure, sensor, micro-fluidic device, lab-on-chip device, and method of fabricating micro-channel structure |
| CN109155328B (zh) * | 2018-08-10 | 2023-04-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板、显示设备和制造显示基板的方法 |
| CN109309171B (zh) * | 2018-09-29 | 2020-07-07 | 广州国显科技有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法、柔性显示装置 |
| KR102208826B1 (ko) * | 2018-10-10 | 2021-01-28 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | 디스플레이 기판, 디스플레이 장치, 디스플레이 기판을 제조하는 방법 |
| CN109473465B (zh) * | 2018-11-19 | 2021-02-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
| CN110398862B (zh) * | 2019-07-25 | 2022-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及显示面板 |
| CN110808270A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-02-18 | 杭州追猎科技有限公司 | 一种有机发光面板封装结构 |
| CN110808339A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-02-18 | 杭州追猎科技有限公司 | 一种有机发光面板 |
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| WO2023100244A1 (ja) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
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- 2017-03-31 JP JP2017550758A patent/JP6935879B2/ja active Active
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|---|---|
| CN106025092B (zh) | 2018-05-25 |
| US20180226604A1 (en) | 2018-08-09 |
| US20180254432A1 (en) | 2018-09-06 |
| US10658612B2 (en) | 2020-05-19 |
| CN106025092A (zh) | 2016-10-12 |
| CN108292712A (zh) | 2018-07-17 |
| EP3488478A4 (en) | 2020-05-27 |
| WO2018014587A1 (en) | 2018-01-25 |
| CN108292712B (zh) | 2020-10-30 |
| KR101989417B1 (ko) | 2019-06-17 |
| EP3488477A1 (en) | 2019-05-29 |
| EP3488478A1 (en) | 2019-05-29 |
| WO2018014632A1 (en) | 2018-01-25 |
| JP6935879B2 (ja) | 2021-09-15 |
| JP6863905B2 (ja) | 2021-04-21 |
| EP3488478B1 (en) | 2023-04-19 |
| KR20180029956A (ko) | 2018-03-21 |
| JP2019527843A (ja) | 2019-10-03 |
| EP3488477A4 (en) | 2020-03-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210817 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |