CN109979972A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109979972A
CN109979972A CN201811609714.7A CN201811609714A CN109979972A CN 109979972 A CN109979972 A CN 109979972A CN 201811609714 A CN201811609714 A CN 201811609714A CN 109979972 A CN109979972 A CN 109979972A
Authority
CN
China
Prior art keywords
dykes
dams
insulating layer
component
protrusion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811609714.7A
Other languages
English (en)
Inventor
孔守喆
郑盛佑
金勋
蔡敬赞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN109979972A publication Critical patent/CN109979972A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Preparation Of Compounds By Using Micro-Organisms (AREA)
  • Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
  • Compounds Of Unknown Constitution (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显示装置。显示装置包括：具有显示区域和至少部分地围绕显示区域的非显示区域的基板；布置在基板的显示区域中的多个像素；布置在基板的非显示区域中沿基板的边缘延伸的多个第一凸起；以及布置在基板上多个第一凸起与显示区域之间的第二凸起，第二凸起包括排列成多个列以限制在制造期间过量的有机材料的流动的多个腔，其中腔可以被排列在沿横向于列的方向彼此交错的相邻列中。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年12月28日提交的韩国专利申请第10-2017-0183048号的优先权及其权益，在此为了所有目的通过引用将该韩国专利申请并入本文，如同在本文中充分地阐述一样。
技术领域
本发明的示例性实施例总体涉及显示装置，并且更具体地，涉及包括堤坝构件的显示装置，该堤坝构件用于减少用于制作显示装置中的层或组件的有机材料的溢出。
背景技术
在显示装置中，有机发光显示装置使用通过电子和空穴的复合发射光的多个有机发光元件来显示图像。与液晶显示装置相比，有机发光显示装置不需要单独的光源并且具有各种优点，例如，优异的亮度、优异的视角、快速响应时间、低功耗等。
为了制造有机发光显示装置，包括有机发光元件的多个像素形成在基板上，并且然后，薄膜封装层被提供在基板上以覆盖多个像素。薄膜封装层包括无机绝缘层和有机绝缘层。液体有机材料被提供在基板上并被固化以形成有机绝缘层。如果过量的液体有机材料被施加到基板上，则液体有机材料溢出基板。
在该背景技术部分公开的上述信息仅用于对本发明构思的背景的理解，并且因此可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据本发明的原理和示例性实施例构造的显示装置和制造显示装置的方法减少或防止用于制作显示装置中的层或组件的有机材料的溢出。避免过量的有机材料流到显示装置的其他部分和/或溢出基板增加了显示装置的可靠性和/或操作性能，并且可以避免用于移除过量的有机材料所需的附加处理步骤。
本发明构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且将部分地从描述中明白，或者可以通过本发明构思的实践来学习。
根据本发明的一个或多个实施例，显示装置包括：具有显示区域和至少部分地围绕显示区域的非显示区域的基板；布置在基板的显示区域中的多个像素；布置在基板的非显示区域中沿基板的边缘延伸的多个第一凸起；以及布置在基板上多个第一凸起与显示区域之间的第二凸起，第二凸起包括排列成多个列以限制在制造期间过量的有机材料的流动的多个腔，其中腔可以被排列在沿横向于列的方向彼此交错的相邻列中。
第二凸起可以包括布置在基板上作为单个层的虚设堤坝构件。
第二凸起可以包括有机材料。
第二凸起具有比多个第一凸起中的每个第一凸起的宽度大的宽度。
第一凸起可以包括堤坝构件，并且第二凸起可以包括虚设堤坝构件，第一凸起的堤坝构件包括：具有比虚设堤坝构件的高度高的高度的第一堤坝构件；以及具有比第一堤坝构件的高度高的高度的第二堤坝构件，其中第二堤坝构件可以被布置成与基板的边缘相邻，并且其中第一堤坝构件可以被布置在虚设堤坝构件与第二堤坝构件之间。
第一堤坝构件可以包括：布置在基板上的第一堤坝绝缘层；布置在第一堤坝绝缘层上的第二堤坝绝缘层；以及布置在第二堤坝绝缘层上的第三堤坝绝缘层。
第二堤坝构件可以包括：布置在基板上的第四堤坝绝缘层；布置在第四堤坝绝缘层上的第五堤坝绝缘层；布置在第五堤坝绝缘层上的第六堤坝绝缘层；以及布置在第六堤坝绝缘层上的第七堤坝绝缘层。
第一堤坝绝缘层、第二堤坝绝缘层、第三堤坝绝缘层、第四堤坝绝缘层、第五堤坝绝缘层、第六堤坝绝缘层和第七堤坝绝缘层中的每个堤坝绝缘层可以包括有机材料。
腔可以包括孔，并且第二凸起可以包括：主体部分，孔被限定在主体部分中，主体部分至少部分地围绕显示区域；以及从主体部分的面向显示区域的一侧延伸的多个突出部分。
多个突出部分在相对于排列在与多个突出部分相邻的列中的腔的横向方向上交错。
多个突出部分中的每个突出部分具有矩形形状、三角形形状和半圆形形状中的至少一个形状。
相邻的突出部分具有彼此不同的尺寸。
显示装置可以进一步包括：布置在基板的显示区域中并且延伸到非显示区域以与第二凸起相邻的绝缘层；以及覆盖多个像素的薄膜封装层，其中多个像素可以包括：布置在基板上的多个晶体管；以及连接到多个晶体管的多个发光元件，其中绝缘层可以被布置在多个晶体管上，其中多个发光元件可以被布置在绝缘层上并且通过穿过绝缘层限定的多个接触孔连接到多个晶体管，并且其中薄膜封装层可以被布置在多个发光元件上。
薄膜封装层可以包括：第一封装层，被布置在基板上，以覆盖显示区域中的多个发光元件以及非显示区域中的绝缘层、第二凸起和多个第一凸起；第二封装层，在显示区域中被布置在第一封装层上并且延伸到非显示区域，第二封装层在非显示区域中被布置在绝缘层的与绝缘层的边界相邻的部分上；以及第三封装层，被布置在第一封装层上，以覆盖第二封装层。
第一封装层和第三封装层中的每个封装层可以包括无机材料，并且第二封装层可以包括有机材料，并且腔被配置为接收来自第二封装层的过量的有机材料。
第二凸起被布置在绝缘层的边界与多个第一凸起之间。
第二凸起被布置在绝缘层上并且在绝缘层的边界与第二封装层的边界之间。
应当理解，前述概括描述和下面的具体描述两者是示例性和说明性的，并且旨在提供所要求保护的发明的进一步说明。
附图说明
包含附图来提供本发明的进一步理解并且附图被并入本说明书中且构成本说明书的一部分，附图图示本发明的示例性实施例并且与说明书一起用来解释本发明构思。
图1是图示根据本发明的第一示例性实施例构造的显示装置的平面图。
图2是示出图1所示的代表性像素的等效电路图。
图3是图示图2所示的像素的截面图；
图4是沿图1所示的线I-I'截取的截面图。
图5是图示图4所示的虚设堤坝构件的一部分的平面图。
图6是沿图5所示的线II-II'截取的截面图。
图7、图8、图9和图10是图示可以用在根据本发明的示例性实施例构造的显示装置中的虚设堤坝构件的各种示例性实施例的平面图。
图11是图示根据本发明的第二示例性实施例构造的显示装置的截面图。
图12是图示根据本发明的第三示例性实施例构造的显示装置的截面图。
图13是示出图12所示的虚设堤坝构件的一部分的平面图。
图14、图15和图16是图示可以用在根据本发明的示例性实施例构造的显示装置中的虚设堤坝构件的各种示例性实施例的平面图。
图17是图示根据本发明的第四示例性实施例构造的显示装置的截面图。
图18是图示根据本发明的第五示例性实施例构造的显示装置的截面图。
图19是图示图18所示的第一堤坝构件和第二堤坝构件的透视图。
图20是图示图19所示的第一堤坝构件和第二堤坝构件的平面图。
具体实施方式
在下面的描述中，为了说明的目的，阐述许多具体细节，以提供本发明的各种示例性实施例或实现方式的全面理解。如本文中使用的，“实施例”和“实现方式”是作为采用本文中公开的一个或多个发明构思的设备或方法的非限制性示例的可互换的词。然而，要清楚，各种示例性实施例可以在没有这些具体细节的情况下或在一个或多个等价布置的条件下实践。在其他实例中，以框图的形式示出众所周知的结构和设备，以便避免不必要地模糊各种示例性实施例。此外，各种示例性实施例可以是不同的，但不一定是排斥的。例如，示例性实施例的特定形状、配置和特性可以用于另一示例性实施例或在另一示例性实施例中被实现而不脱离本发明构思。
除非另有指定，图示的示例性实施例应当被理解为提供本发明构思可以在实践中被实现的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另有指定，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文分别或统称为“要素”)可以被另行组合、分离、互换和/或重新排列，而不脱离本发明构思。
附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供用于使相邻要素之间的边界清楚。因此，除非指定，交叉影线和阴影的存在或不存在均不表达或指示针对特定材料的任何偏好或要求，图示要素之间的材料性质、尺寸、比例、共性，和/或要素的任何其他特性、属性、性质等。此外，在附图中，为了清楚和/或描述目的，可以夸大要素的尺寸和相对尺寸。当示例性实施例可以被不同地实现时，不同于所描述的顺序的特定工艺顺序可以被执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时被执行，或以与所描述的顺序相反的顺序被执行。此外，相同的附图标记表示相同的要素。
当诸如层的要素被称为“位于另一要素或层上”、“连接到”或“耦接到”另一要素或层时，该要素可以直接位于另一要素或层上、直接连接到或耦接到另一要素或层，或者可以存在中间要素或层。然而，当要素或层被称为“直接位于另一要素或层上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一要素或层时，不存在中间要素或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有中间要素的物理连接、电气连接和/或流体连接。此外，D1轴、D2轴和D3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，而是可以以更广泛的意义解释。例如，D1轴、D2轴和D3轴可以是相互垂直的，或者可以表示不相互垂直的不同方向。为了本公开目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或X、Y和Z中两个或更多个的任意组合，诸如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文中使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。
虽然本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的要素，但这些要素不应受这些术语限制。使用这些术语是为了将一个要素与另一个要素区别开来。因此，下面介绍的第一要素可以被称为第二要素，而不背离本公开的教导。
为了描述目的，本文可以使用空间相关术语，诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”、“之上”、“更高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等，并且由此来描述如附图中图示的一个要素与另一要素的关系。空间相关术语旨在涵盖装置在使用时、在操作时和/或在制造时除附图中描绘的朝向以外的不同朝向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为位于其他要素或特征“下方”或“下面”的要素将位于其他要素或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包含上方和下方两种方位。而且，装置可以朝向别的方向(例如，旋转90度或朝其他方位)，并且因此相应地解释本文中使用的空间相关描述符。
本文中使用的术语是为了描述特定实施例的目的，而不旨在限制。如本文使用的，单数形式的“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。此外，术语“包括”和/或“包含”，当其在本说明书中使用时，规定所述的特征、整体、步骤、操作、要素、组件和/或它们的组的存在，但不排除存在或增加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、要素、组件和/或它们的组。还应注意，如本文所使用的，术语“基本上”、“大约”以及其他类似术语被用作近似的术语并且不用作程度的术语，并且因此用于考虑会被本领域技术人员所认识到的测量、计算和/或提供的值中的内在偏差。
在本文中参考截面图示和/或分解图示来描述各种示例性实施例，该截面图示和/或分解图示是理想化示例性实施例和/或中间结构的示意性图示。因此，作为例如制造技术和/或公差的结果，可预期图示形状之间的变化。因此，本文所公开的示例性实施例不一定被解释为限于具体图示的区域形状，而将包括由例如制造导致的形状的偏差。以这种方式，在附图中图示的区域实际上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映设备的区域的实际形状，并且因此不一定旨在限制。
如本领域中的惯例，从功能块、单元和/或模块角度在附图中描述和图示了一些示例性实施例。本领域的技术人员将理解，这些块、单元和/或模块通过电子(或光学)电路(例如可以使用基于半导体的制造技术或其他制造技术形成的逻辑电路、分立组件、微处理器、硬布线电路、存储器元件、布线连接等)物理地实现。在块、单元和/或模块由微处理器或其他类似硬件实现的情形下，可以使用软件(例如，微代码)对它们进行编程和控制，以执行本文讨论的各种功能，并且可以可选地由固件和/或软件驱动。还预期每个块、单元和/或模块可以由专用硬件实现，或者实现为执行一些功能的专用硬件和执行其他功能的处理器(例如，一个或多个编程的微处理器和相关电路)的组合。此外，一些示例性实施例中的每个块、单元和/或模块可以被物理地分成两个或更多个交互和离散的块、单元和/或模块，而不脱离本发明构思的范围。此外，一些示例性实施例的块、单元和/或模块可以物理地合并为更加复杂的块、单元和/或模块，而不脱离本发明构思的范围。
除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开属于其一部分的领域中的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在常用词典中定义的那些术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义一致的含义，而不应当从理想化的或过于正式的意义上去解释，除非本文中明确如此限定。
下文将参考附图具体说明本发明的原理。
图1是图示根据本发明的第一示例性实施例构造的显示装置100的平面图。
参考图1，根据本发明所示实施例的显示装置100可以包括显示面板110、扫描驱动器120、数据驱动器130、发射驱动器140、多个第一凸起和第二凸起，第一凸起和第二凸起可以分别采用堤坝构件DM1和DM2以及虚设堤坝构件DDM的形式。显示面板110可以是有机发光显示面板，但示例性实施例并不限于此或者受此限制。例如，诸如液晶显示面板、电润湿显示面板和电泳显示面板等的各种显示面板可以用作显示面板110。
显示面板110可以是柔性显示面板。例如，显示面板110可以包括由具有柔性的塑料材料形成的基板以及布置在基板上的多个电子元件。显示面板110可以具有矩形形状，该矩形形状具有平行于第一方向DR1的短边和平行于与第一方向DR1相交的第二方向DR2的长边。
显示面板110可以具有与第一方向DR1和第二方向DR2平行的平坦表面(或平面)。显示面板110的平坦表面可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的非显示区域NDA。显示区域DA对应于图像被显示的区域，并且非显示区域NDA对应于没有图像被显示的区域。
显示面板110可以包括多个像素PX、多条扫描线SL1至SLm、多条数据线DL1至DLn以及多条发射线EL1至ELm。“m”和“n”中的每个是自然数。为便于说明，图1示出了一个像素PX，然而显示面板110实质上包括排列在其上的多个像素PX。多个像素PX可以以矩阵形式排列在显示区域DA中，并且可以连接到扫描线SL1到SLm、数据线DL1至DLn以及发射线EL1至ELm。
扫描驱动器120、数据驱动器130和发射驱动器140可以被布置在非显示区域NDA中。扫描驱动器120可以被布置在与显示面板110的一个边相邻的非显示区域NDA中，显示面板110的该一个边对应于显示面板110的长边中的一个边。发射驱动器140可以被布置在与显示面板110的另一个边相邻的非显示区域NDA中，显示面板110的该另一个边与显示面板110的该一个边相对。数据驱动器130可以以集成电路的形式被实现，并且可以被布置在与显示面板110的短边中的一个边相邻的非显示区域NDA中。
扫描线SL1至SLm可以在第一方向DR1上延伸，并且可以连接到扫描驱动器120。扫描线SL1至SLm可以接收来自扫描驱动器120的多个扫描信号。数据线DL1至DLn可以在第二方向DR2上延伸，并且可以连接到数据驱动器130。数据线DL1至DLn可以接收来自数据驱动器130的多个数据电压。发射线EL1至ELm可以在第一方向DR1上延伸，并且可以连接到发射驱动器140。发射线EL1至ELm可以接收来自发射驱动器140的多个发射信号。
扫描驱动器120可以产生扫描信号，并且扫描信号可以通过扫描线SL1至SLm被施加到多个像素PX。扫描信号可以被依次施加到多个像素PX。数据驱动器130可以产生数据电压，并且数据电压可以通过数据线DL1至DLn被施加到多个像素PX。发射驱动器140可以产生发射信号，并且发射信号可以通过发射线EL1至ELm被施加到多个像素PX。
显示装置100可以包括用于控制扫描驱动器120、数据驱动器130和发射驱动器140的操作的时序控制器。时序控制器可以响应于从外部源提供的控制信号产生扫描控制信号、数据控制信号和发射控制信号。另外，时序控制器可以接收来自外部源的图像信号，并且可以将图像信号的数据格式转换为适合数据驱动器130与时序控制器之间的接口的数据格式。时序控制器可以向数据驱动器130提供数据格式被转换的图像信号。
扫描驱动器120可以响应于扫描控制信号产生扫描信号，并且发射驱动器140可以响应于发射控制信号产生发射信号。数据驱动器130可以接收具有转换的数据格式的图像信号，并且可以响应于数据控制信号产生与图像信号对应的数据电压。
多个像素PX可以响应于扫描信号接收数据电压。多个像素PX可以响应于发射信号发射具有与数据电压对应的亮度的光，并且结果是，图像可以被显示。多个像素PX的发光时间可以通过发射信号来控制。
在示例性实施例中，扫描驱动器120、数据驱动器130、发射驱动器140和/或它们的一个或多个组件可以通过一个或多个通用和/或专用组件实现，例如，一个或多个分立电路、数字信号处理芯片、集成电路、专用集成电路、微处理器、处理器、可编程阵列、现场可编程阵列、指令集处理器等。
根据一个或多个示例性实施例，本文中描述的特征、功能、过程等可以通过软件、硬件(例如，通用处理器、数字信号处理(DSP)芯片、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)等)、固件或它们的组合实现。以这种方式，扫描驱动器120、数据驱动器130、发射驱动器140和/或它们的一个或多个组件可以包括一个或多个存储器或以其他方式与一个或多个存储器相关联，存储器包括被配置用于使扫描驱动器120、数据驱动器130、发射驱动器140和/或它们的一个或多个组件执行本文中描述的特征、功能、过程等中的一个或多个的代码(例如，指令)。
存储器可以是参与向一个或多个软件、硬件和/或固件组件提供代码以供执行的任何介质。这样的存储器可以以任何合适的形式实现，包括但不限于非易失性介质、易失性介质和传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘。易失性介质包括动态存储器。传输介质包括同轴电缆、铜线和光纤。传输介质也可以采用声波、光波或电磁波的形式。计算机可读介质的常见形式包括例如软盘、柔性盘、硬盘、磁带、任何其他磁性介质、光盘只读存储器(CD-ROM)、可重写光盘(CD-RW)、数字视频盘(DVD)、可重写DVD(DVD-RW)、任何其他光学介质、穿孔卡片、纸带、光学掩模片、具有孔或其他光学可识别标记的图案的任何其他物理介质、随机存取存储器(RAM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、FLASH-EPROM、任何其他存储器芯片或磁带盒、载波、或信息可以被例如控制器/处理器读取的任何其他介质。
堤坝构件DM1和DM2可以被布置在非显示区域NDA中，以部分地或完全地围绕显示区域DA。具体地，堤坝构件DM1和DM2可以沿显示面板110的边缘延伸，以围绕扫描驱动器120、数据驱动器130和发射驱动器140。虚设堤坝构件DDM可以被布置在堤坝构件DM1和DM2与显示区域DA之间。作为代表性示例，描述了两个堤坝构件DM1和DM2，但示例性实施例并不限于此，并且堤坝构件DM1和DM2的数量不应局限于两个。
堤坝构件DM1和DM2可以包括与虚设堤坝构件DDM相邻的第一堤坝构件DM1和与显示面板110的边缘相邻的第二堤坝构件DM2。第一堤坝构件DM1可以被布置在虚设堤坝构件DDM与第二堤坝构件DM2之间。下面将更具体地描述第一堤坝构件DM1和第二堤坝构件DM2以及虚设堤坝构件DDM。
图2是示出图1所示的代表性像素PX的等效电路图。
图2仅图示了一个代表性像素PX，然而，布置在显示面板110中的多个像素PX可以具有与图2所示的像素PX的配置基本相同的配置。
参考图2，像素PX可以连接到扫描线SL1至SLm中的对应的扫描线SLi、数据线DL1至DLn中的对应的数据线DLj以及发射线EL1至ELm中的对应的发射线ELi。“i”为等于或小于“m”的自然数，并且“j”为等于或小于“n”的自然数。像素PX可以包括发光元件OLED、驱动晶体管T1、电容元件Cst、开关晶体管T2和发射控制晶体管T3。发光元件OLED可以是但不限于有机发光二极管。
驱动晶体管T1的源极端子可以被施加有第一电压ELVDD，并且驱动晶体管T1的漏极端子可以连接到发射控制晶体管T3的源极端子。驱动晶体管T1的栅极端子可以连接到开关晶体管T2的漏极端子。
开关晶体管T2的栅极端子可以连接到扫描线SLi，并且开关晶体管T2的源极端子可以连接到数据线DLj。电容元件Cst的第一电极可以连接到驱动晶体管T1的源极端子，并且电容元件Cst的第二电极可以连接到驱动晶体管T1的栅极端子。
发射控制晶体管T3的栅极端子可以连接到发射线ELi，并且发射控制晶体管T3的漏极端子可以连接到发光元件OLED的阳极电极。发光元件OLED的阴极电极可以施加有第二电压ELVSS。第二电压ELVSS可以具有比第一电压ELVDD的电平低的电平。
开关晶体管T2可以响应于通过扫描线SLi提供的扫描信号SCAN被导通。导通的开关晶体管T2可以向驱动晶体管T1的栅极端子提供通过数据线DLj提供的数据电压DATA。电容元件Cst可以充有施加到驱动晶体管T1的栅极端子的数据电压DATA，并且可以在开关晶体管T2被截止之后保持充电的数据电压DATA。
发射控制晶体管T3的栅极端子可以通过发射线ELi接收发射信号EM，并且发射控制晶体管T3可以响应于发射信号EM而导通。导通的发射控制晶体管T3可以向发光元件OLED提供流过驱动晶体管T1的驱动电流Ioled。像素PX可以在发射信号EM被施加到发射控制晶体管T3时发光。从发光元件OLED发射的光的强度可以根据驱动电流Ioled的量而改变。
在示例性实施例中，像素PX的晶体管T1、T2和T3为PMOS晶体管，但示例性实施例并不限于此或者受此限制。也就是说，像素PX的晶体管T1、T2和T3可以是NMOS晶体管。
图3是图示图2所示的像素PX的截面图。
参考图3，像素PX可以包括发光元件OLED和连接到发光元件OLED的晶体管TR。晶体管TR可以是图2所示的发射控制晶体管T3。晶体管TR和发光元件OLED可以被布置在基板SUB上，并且基板SUB可以包括由具有柔性的塑料材料制成的透明柔性基板。例如，基板SUB可以包括聚酰亚胺(PI)。
缓冲层BFL可以被布置在基板SUB上，并且可以包括无机材料。晶体管TR的半导体层SM可以被布置在缓冲层BFL上。半导体层SM可以包括诸如非晶硅或多晶硅的无机半导体，或者可以包括有机半导体。可替代地，半导体层SM可以包括氧化物半导体。尽管图3中未示出，半导体层SM可以包括源区、漏区以及源区与漏区之间的沟道区。
第一绝缘层INS1可以被布置在缓冲层BFL上以覆盖半导体层SM。第一绝缘层INS1可以包括无机材料。晶体管TR的栅电极GE可以被布置在第一绝缘层INS1上以与半导体层SM重叠。栅电极GE可以被布置成与半导体层SM的沟道区重叠。
第二绝缘层INS2可以被布置在第一绝缘层INS1上以覆盖栅电极GE。第二绝缘层INS2可以被称为层间绝缘层。第二绝缘层INS2可以包括有机材料和/或无机材料。
晶体管TR的源电极SE和漏电极DE可以彼此隔开，并且可以被布置在第二绝缘层INS2上。源电极SE可以通过穿过第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2限定的第一接触孔CH1连接到半导体层SM的源区。漏电极DE可以通过穿过第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2限定的第二接触孔CH2连接到半导体层SM的漏区。
第三绝缘层INS3可以被布置在第二绝缘层INS2上，以覆盖晶体管TR的源电极SE和漏电极DE。第三绝缘层INS3可以被称为用于提供平坦的上表面的平坦化层。第三绝缘层INS3可以包括有机材料。
发光元件OLED的第一电极E1可以被布置在第三绝缘层INS3上。第一电极E1可以通过穿过第三绝缘层INS3限定的第三接触孔CH3连接到晶体管TR的漏电极DE。第一电极E1可以被称为像素电极或阳极电极。第一电极E1可以包括透明电极或反射电极。
像素限定层PDL可以被布置在第一电极E1和第三绝缘层INS3上，以暴露第一电极E1的预定部分。开口部分OP可以通过像素限定层PDL被限定，用于暴露第一电极E1的预定部分。开口部分OP被限定在其中的区域可以被称为像素区域PA。像素区域PA的外围可以被称为非像素区域NPA。
有机发光层OEL可以被布置在开口部分OP中的第一电极E1上。有机发光层OEL可以包括能够产生具有红色、绿色和蓝色中的一种的光的有机材料。因此，有机发光层OEL可以产生红光、绿光和蓝光中的一种，然而示例性实施例并不局限于此或者受此限制。也就是说，有机发光层OEL可以通过分别产生红光、绿光和蓝光的有机材料的组合产生白光。
有机发光层OEL可以包括低分子有机材料或高分子有机材料。尽管图3中未示出，有机发光层OEL可以由空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的多层结构形成。空穴注入层可以被布置在第一电极E1上。空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层可以依次堆叠在空穴注入层上。
发光元件OLED的第二电极E2可以被布置在像素限定层PDL和有机发光层OEL上。第二电极E2可以被称为公共电极或阴极电极。第二电极E2可以包括透明电极或反射电极。
当显示面板110为前面发射型有机发光显示面板时，第一电极E1可以是反射电极，并且第二电极E2可以是透明电极。当显示面板110为后面发射型有机发光显示面板时，第一电极E1可以是透明电极，并且第二电极E2可以是反射电极。
发光元件OLED可以被布置在像素区域PA中，并且可以包括像素区域PA中的第一电极E1、有机发光层OEL和第二电极E2。第一电极E1可以是被配置用于注入空穴的阳极电极，并且第二电极E2可以是被配置用于注入电子的阴极电极。
薄膜封装层TFE可以被布置在发光元件OLED上以覆盖像素PX。薄膜封装层TFE可以被布置在第二电极E2上。薄膜封装层TFE可以包括布置在发光元件OLED上的第一封装层EN1、布置在第一封装层EN1上的第二封装层EN2以及布置在第二封装层EN2上的第三封装层EN3。第一封装层EN1和第三封装层EN3中的每个可以包括无机材料，并且第二封装层EN2可以包括有机材料。第二封装层EN2可以具有比第一封装层EN1和第三封装层EN3中的每个的厚度大的厚度。
第一电压ELVDD可以通过晶体管TR被施加到第一电极E1，并且第二电压ELVSS可以被施加到第二电极E2。注入有机发光层OEL中的空穴和电子可以彼此复合以产生激子(电子空穴对)，并且激子可以从激发态转变为基态以从发光元件OLED发射光。发光元件OLED可以发射具有取决于驱动电流的强度的红光、绿光和蓝光中的一种，并且因此可以显示图像信息。
图4是沿图1所示的线I-I'截取的截面图。图5是图示图4所示的虚设堤坝构件DDM的一部分的平面图。图6是沿图5所示的线II-II'截取的截面图。
参考图4、图5和图6，基板SUB可以包括显示区域DA和非显示区域NDA，并且基板SUB的显示区域DA可以包括像素区域PA和非像素区域NPA。像素PX可以被布置在基板SUB的显示区域DA中。第一堤坝构件DM1和第二堤坝构件DM2以及虚设堤坝构件DDM可以被布置在基板SUB的非显示区域NDA中。
扫描驱动器120可以包括多个晶体管，并且扫描驱动器120的晶体管可以被布置在基板SUB上。为便于说明，图4示出了扫描驱动器120的一个晶体管TS作为示例性实施例。此外，在图4的截面图中，以相对减小的尺寸图示了扫描驱动器120被布置的部分。
缓冲层BFL和第一绝缘层INS1可以被布置在基板SUB的显示区域DA和非显示区域NDA中。第二绝缘层INS2可以被布置在基板SUB的显示区域DA中。第二绝缘层INS2可以延伸到非显示区域NDA的与虚设堤坝构件DDM相邻的部分，并且第二绝缘层INS2可以被布置成与虚设堤坝构件DDM相邻。
布置在基板SUB的显示区域DA中的第三绝缘层INS3可以延伸到非显示区域NDA的与虚设堤坝构件DDM相邻的部分，并且第三绝缘层INS3可以被布置成与虚设堤坝构件DDM相邻，并且可以被布置在非显示区域NDA的该部分中的第二绝缘层INS2上。第三绝缘层INS3可以被布置在晶体管TR和TS上，以覆盖显示区域DA中的晶体管TR和非显示区域NDA中的晶体管TS。发光元件OLED可以被布置在第三绝缘层INS3上。发光元件OLED的第二电极E2可以延伸到非显示区域NDA，并且可以被布置在非显示区域NDA中的第三绝缘层INS3上。
第一堤坝构件DM1和第二堤坝构件DM2可以被布置在基板SUB的非显示区域NDA中，并且可以沿着基板SUB的边缘延伸。虚设堤坝构件DDM可以被布置在第一堤坝构件DM1和第二堤坝构件DM2与显示区域DA之间的基板SUB上。如图5所示，腔可以是可在制造期间接收或引导从另一层流动的有机材料的凹部、开口、孔或者虚设堤坝构件的表面中其他类型的不连续的形式，如本文中更具体描述的。为了便于描述，图示实施例中的腔被示出为可以穿过虚设堤坝构件DDM限定的孔H。孔H可以被排列成多列。排列在这些列中的第h列中的孔H可以与排列在这些列中的第(h+1)列(相邻的列)中的孔H交替地被排列。以这种方式，排列在第h列中的孔H与排列在第(h+1)列中的孔H交错，以便在横向(行)方向上与排列在第(h+1)列中的孔H不平行，其中“h”为自然数。
虚设堤坝构件DDM可以作为单个层被布置在基板SUB上。虚设堤坝构件DDM可以包括有机材料。例如，包括有机材料的光刻胶可以被布置在基板SUB上，以形成虚设堤坝构件DDM，并且然后，光刻胶的预定部分可以被移除以限定孔H。
第一堤坝构件DM1可以具有比虚设堤坝构件DDM的高度高的高度，并且第二堤坝构件DM2可以具有比第一堤坝构件DM1的高度高的高度。第一堤坝构件DM1与第二堤坝构件DM2之间的空间可以被限定为槽。第二堤坝构件DM2可以被布置成与基板SUB的边缘相邻，并且第一堤坝构件DM1可以被布置在虚设堤坝构件DDM与第二堤坝构件DM2之间。第一堤坝构件DM1和第二堤坝构件DM2以及虚设堤坝构件DDM中的每个的高度可以由第一堤坝构件DM1和第二堤坝构件DM2以及虚设堤坝构件DDM中的每个的底部表面与上表面之间的距离限定。
虚设堤坝构件DDM可以具有比第一堤坝构件DM1和第二堤坝构件DM2中的每个的宽度大的宽度。第一堤坝构件DM1和第二堤坝构件DM2以及虚设堤坝构件DDM中的每个的宽度可以由第一堤坝构件DM1和第二堤坝构件DM2以及虚设堤坝构件DDM中的每个的一侧与另一侧之间的距离限定。虚设堤坝构件DDM可以具有在大约2微米(μm)至大约5微米(μm)的范围内的厚度。虚设堤坝构件DDM可以具有大于或等于大约10微米(μm)的宽度。当然，根据具体应用可以使用其他尺寸。
第一堤坝构件DM1可以包括布置在基板SUB上的第一堤坝绝缘层DM1_1、布置在第一堤坝绝缘层DM1_1上的第二堤坝绝缘层DM1_2以及布置在第二堤坝绝缘层DM1_2上的第三堤坝绝缘层DM1_3。第二堤坝构件DM2可以包括布置在基板SUB上的第四堤坝绝缘层DM2_1、布置在第四堤坝绝缘层DM2_1上的第五堤坝绝缘层DM2_2、布置在第五堤坝绝缘层DM2_2上的第六堤坝绝缘层DM2_3以及布置在第六堤坝绝缘层DM2_3上的第七堤坝绝缘层DM2_4。
第一堤坝绝缘层DM1_1、第二堤坝绝缘层DM1_2、第三堤坝绝缘层DM1_3、第四堤坝绝缘层DM2_1、第五堤坝绝缘层DM2_2、第六堤坝绝缘层DM2_3和第七堤坝绝缘层DM2_4可以包括有机材料。第一堤坝绝缘层DM1_1、第二堤坝绝缘层DM1_2、第三堤坝绝缘层DM1_3、第四堤坝绝缘层DM2_1、第五堤坝绝缘层DM2_2和第六堤坝绝缘层DM2_3可以包括与第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3和像素限定层PDL中的至少一个相同的材料。第七堤坝绝缘层DM2_4可以包括与第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3和像素限定层PDL不同的有机材料。然而，示例性实施例并不局限于此或者受此限制。也就是说，第七堤坝绝缘层DM2_4可以包括与第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3和像素限定层PDL中的至少一个相同的有机材料。
第一封装层EN1可以被布置在基板SUB上，以覆盖发光元件OLED、第三绝缘层INS3、虚设堤坝构件DDM以及第一堤坝构件DM1和第二堤坝构件DM2。当第一封装层EN1被布置在虚设堤坝构件DDM上时，由于第一封装层EN1被布置在虚设堤坝构件DDM的孔H被限定在其中的部分中的下面的位置处，如图6所示，槽G可以被限定在第一封装层EN1中。
第二封装层EN2可以在显示区域DA中被布置在第一封装层EN1上，并且可以延伸到非显示区域NDA。第二封装层EN2可以在非显示区域NDA中被布置在与第三绝缘层INS3的边界相邻的第三绝缘层INS3的预定部分上。第三封装层EN3可以被布置在第一封装层EN1上以覆盖第二封装层EN2。虚设堤坝构件DDM可以被布置在第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的边界与第一堤坝构件DM1之间。虚设堤坝构件DDM的高度可以低于第二绝缘层INS2的上表面的高度。
当显示装置100的薄膜封装层TFE被制造时，液体有机材料可以被提供在第一封装层EN1上以形成第二封装层EN2。如果过量的液体有机材料被提供在第一封装层EN1上，则有机材料可能溢出基板SUB，并且导致可靠性问题和/或需要用于移除过量的材料的额外的处理步骤。
根据本发明的原理和示例性实施例，当液体有机材料被过量提供时，过量的有机材料可以容纳在或包含在虚设堤坝构件DDM的孔H中。实质上，过量的有机材料可以容纳在或包含在由孔H限定的第一封装层EN1的槽G中。另外，过量的有机材料可以容纳在或包含在第一堤坝构件DM1与第二堤坝构件DM2之间的槽中，从而减少或防止显示装置中的其他组件或层中的不规则或缺陷，和/或避免用于移除过量的材料的额外的处理步骤。
参考图5，在排列在第一列中的孔H的行之间流动的第一有机材料OR1可以容纳在或包含在排列在第二列(或中间列)中的孔H中，并且朝向排列在第一列中的孔H流动的第二有机材料OR2可以容纳在或包含在排列在第一列中的孔H中。当排列在第二列中的孔H被排列在与排列在第一列中的孔H和排列在第三列中的孔H相同的行中时，在孔H的行之间流动的第一有机材料OR1可能不容纳在或包含在孔H中并且在孔H的行之间穿过。因此，孔H的交错排列是有利的。
在图示的实施例中，由于排列在第二列中的孔H被交替排列，以便与排列在第一列中的孔H和排列在第三列中的孔H交错，所以第一有机材料OR1可以容纳在或包含在排列在第二列中的孔H中。也就是说，可以有效地阻挡或遏制第一有机材料OR1的流动。因此，过量的有机材料可以有效地容纳在或包含在虚设堤坝构件DDM中的孔H中。
相应地，根据图示实施例的显示装置100通过使用虚设堤坝构件DDM以及布置成与显示面板110的边缘相邻的第一堤坝构件DM1和第二堤坝构件DM2，穿过虚设堤坝构件DDM限定有孔H，可以有效地阻挡过量的有机材料。
图7、图8、图9和图10是图示可以用在根据本发明的示例性实施例构造的显示装置100中的虚设堤坝构件的各种示例性实施例的平面图。
下文将参考图7、图8、图9和图10主要描述与图4和图5所示的虚设堤坝构件DDM的结构不同的虚设堤坝构件DDMP、DDMP1、DDMP2和DDMP3的结构。在图7、图8、图9和图10中，相同的附图标记表示与图4和图5中的要素相同的要素。
参考图7，虚设堤坝构件DDMP可以包括主体部分BD和从主体部分BD延伸的突出部分P。主体部分BD可以围绕显示区域DA，孔H可以穿过主体部分BD被限定，并且图7所示的孔H可以与图5所示的孔H基本相同。主体部分BD可以具有与图5所示的虚设堤坝构件DDM基本相同的结构。突出部分P可以从主体部分BD的一侧朝向显示区域DA延伸，并且突出部分P中的每个可以具有矩形形状。突出部分P可以交替排列，以便在横向(行)方向上相对于排列在与突出部分P相邻的列中的孔H交错。
返回参考图5，虚设堤坝构件DDM的不包括突出部分P的一侧可以具有基本平坦的形状。虚设堤坝构件DDM的该一侧可以面向显示区域DA。然而，参考图7，当突出部分P被布置在主体部分BD的该一侧时，虚设堤坝构件DDMP的面向显示区域DA的一侧的表面积可由于布置在虚设堤坝构件DDMP的该一侧上的突出部分P而增加。在此情形下，由于接触虚设堤坝构件DDMP的该一侧的过量的有机材料的量可增加，因此可以更有效地阻挡过量的有机材料。
参考图8，虚设堤坝构件DDMP1可以包括主体部分BD和从主体部分BD的一侧延伸的突出部分P_1，并且突出部分P_1中的每个可以具有三角形形状。虚设堤坝构件DDMP1的其他结构与图7所示的虚设堤坝构件DDMP的其他结构基本相同。
参考图9，虚设堤坝构件DDMP2可以包括主体部分BD和从主体部分BD的一侧延伸的突出部分P_2，并且突出部分P_2中的每个可以具有半圆形形状。虚设堤坝构件DDMP2的其他结构与图7所示的虚设堤坝构件DDMP的其他结构基本相同。
参考图10，虚设堤坝构件DDMP3可以包括主体部分BD和从主体部分BD的一侧延伸的突出部分P_3，并且突出部分P_3中的每个可以具有矩形形状。突出部分P_3中的彼此相邻的两个突出部分P_3可以延伸不同量以具有彼此不同的尺寸。虚设堤坝构件DDMP3的其他结构与图7所示的虚设堤坝构件DDMP的其他结构基本相同。
图11是图示根据本发明的第二示例性实施例构造的显示装置200的截面图。
为便于说明，图11示出了与图4所示的截面图对应的截面图。根据第二示例性实施例的显示装置200可以具有与图4所示的显示装置100的截面配置基本相同的截面配置，除了虚设堤坝构件DDM'的排列之外。因此，将主要描述显示装置200的虚设堤坝构件DDM'的布置，并且与图4所示的显示装置100基本相同的显示装置200的其他配置的描述将被省略以避免冗余。另外，在图11中，相同的附图标记表示与图4中的要素相同的要素。
参考图11，与图4所示的虚设堤坝构件DDM不同，虚设堤坝构件DDM'可以被布置在第三绝缘层INS3的边界与第二封装层EN2的边界之间的第三绝缘层INS3上。因此，虚设堤坝构件DDM'可以被布置在非显示区域NDA的第二电极E2上。
虚设堤坝构件DDM'可以具有比图4所示的虚设堤坝构件DDM的尺寸小的尺寸，但可以具有与虚设堤坝构件DDM的结构基本相同的结构。例如，多个孔H也可以穿过与图5所示的虚设堤坝构件DDM基本相同的虚设堤坝构件DDM'被限定。另外，与图7、图8、图9和图10所示的虚设堤坝构件DDMP、DDMP1、DDMP2和DDMP3基本相同地，虚设堤坝构件DDM'也可以包括具有矩形形状、三角形形状、半圆形形状或不同尺寸的矩形形状的突出部分P、P_1、P_2和P_3。虚设堤坝构件DDM'可以具有在大约2微米(μm)至大约5微米(μm)的范围内的厚度。虚设堤坝构件DDM'可以具有大于或等于大约10微米(μm)的宽度。当然，根据具体应用可以使用其他尺寸。
图12是图示根据本发明的第三示例性实施例构造的显示装置300的截面图。图13是示出图12所示的虚设堤坝构件DDM1和DDM2的一部分的平面图。
为便于说明，图12示出了与图4所示的截面图对应的截面图。除了虚设堤坝构件DDM1和DDM2之外，根据第三示例性实施例的显示装置300可以具有与图4所示的显示装置100的配置基本相同的配置。因此，将主要描述虚设堤坝构件DDM1和DDM2，并且与图4所示的显示装置100基本相同的显示装置300的其他配置的描述将被省略以避免冗余。另外，在图12中，相同的附图标记表示与图4中的要素相同的要素。
参考图12和图13，显示装置300可以包括虚设堤坝构件DDM1和DDM2，并且虚设堤坝构件DDM1和DDM2可以被布置在第一堤坝构件DM1与显示区域DA之间的基板SUB上。虚设堤坝构件DDM1和DDM2中的每个可以具有比第一堤坝构件DM1的高度低的高度。
虚设堤坝构件DDM1和DDM2可以包括第一虚设堤坝构件DDM1和第二虚设堤坝构件DDM2，第一虚设堤坝构件DDM1被布置成与第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的边界相邻，第二虚设堤坝构件DDM2被布置在第一虚设堤坝构件DDM1与堤坝构件DM1和DM2之间。第一虚设堤坝构件DDM1和第二虚设堤坝构件DDM2可以被布置在第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的边界与第一堤坝构件DM1之间。第一虚设堤坝构件DDM1和第二虚设堤坝构件DDM2可以包括侧壁部分SW1和SW2以及突出部分P1和P2，侧壁部分SW1和SW2延伸以部分地或完全地围绕显示区域DA，突出部分P1和P2从侧壁部分SW1和SW2的一侧延伸。
第一虚设堤坝构件DDM1可以包括第一侧壁部分SW1以及从第一侧壁部分SW1的一侧朝向显示区域DA延伸的多个第一突出部分P1。第二虚设堤坝构件DDM2可以包括第二侧壁部分SW2以及从第二侧壁部分SW2的一侧朝向显示区域DA延伸的多个第二突出部分P2。第一突出部分P1可以被交替地排列以便与第二突出部分P2交错，并且第一突出部分P1和第二突出部分P2中的每个可以具有矩形形状。
第一虚设堤坝构件DDM1和第二虚设堤坝构件DDM2中的每个可以具有在大约2微米(μm)至大约5微米(μm)的范围内的厚度。第一虚设堤坝构件DDM1和第二虚设堤坝构件DDM2中的每个可以具有大于或等于大约10微米(μm)的宽度。当然，根据具体应用可以使用其他尺寸。第一虚设堤坝构件DDM1和第二虚设堤坝构件DDM2中的每个的厚度可以由第一虚设堤坝构件DDM1和第二虚设堤坝构件DDM2中的每个的底部表面与上表面之间的距离限定。第一虚设堤坝构件DDM1和第二虚设堤坝构件DDM2中的每个的宽度可以由第一虚设堤坝构件DDM1和第二虚设堤坝构件DDM2中的每个的一个侧表面与另一侧表面之间的距离限定。
过量的有机材料首先可以被第一虚设堤坝构件DDM1和第二虚设堤坝构件DDM2阻挡，并且其次可以被第一堤坝构件DM1和第二堤坝构件DM2阻挡。由于第一虚设堤坝构件DDM1和第二虚设堤坝构件DDM2包括第一突出部分P1和第二突出部分P2，所以第一虚设堤坝构件DDM1和第二虚设堤坝构件DDM2中的每个的面向显示区域DA的一侧的表面积可以增加，并且结果是，可以更有效地阻挡过量的有机材料。另外，由于第一突出部分P1和第二突出部分P2彼此交替地排列，因此可以比当第一突出部分P1和第二突出部分P2以直线关系彼此平行地被布置时更有效地抑制有机材料的流动。
相应地，根据图示实施例的显示装置300通过使用第一堤坝构件DM1和第二堤坝构件DM2以及第一虚设堤坝构件DDM1和第二虚设堤坝构件DDM2可以有效地阻挡过量的有机材料。
图14、图15和图16是图示可以用在根据本发明的示例性实施例构造的显示装置300中的虚设堤坝构件的各种示例性实施例的平面图。
下文将参考图14、图15和图16主要描述与图13所示的第一虚设堤坝构件DDM1和第二虚设堤坝构件DDM2的结构不同的第一虚设堤坝构件DDM1_1、DDM1_2和DDM1_3以及第二虚设堤坝构件DDM2_1、DDM2_2和DDM2_3的结构。在图14、图15和图16中，相同的附图标记表示与图13中的要素相同的要素。
参考图14，第一虚设堤坝构件DDM1_1可以包括第一侧壁部分SW1以及从第一侧壁部分SW1的一侧延伸的第一突出部分P1_1。第二虚设堤坝构件DDM2_1可以包括第二侧壁部分SW2以及从第二侧壁部分SW2的一侧延伸的第二突出部分P2_1。第一突出部分P1_1和第二突出部分P2_1可以具有三角形形状。
参考图15，第一虚设堤坝构件DDM1_2可以包括第一侧壁部分SW1以及从第一侧壁部分SW1的一侧延伸的第一突出部分P1_2。第二虚设堤坝构件DDM2_2可以包括第二侧壁部分SW2以及从第二侧壁部分SW2的一侧延伸的第二突出部分P2_2。第一突出部分P1_2和第二突出部分P2_2可以具有半圆形形状。
参考图16，第一虚设堤坝构件DDM1_3可以包括第一侧壁部分SW1以及从第一侧壁部分SW1的一侧延伸的第一突出部分P1_3。第二虚设堤坝构件DDM2_3可以包括第二侧壁部分SW2以及从第二侧壁部分SW2的一侧延伸的第二突出部分P2_3。第一突出部分P1_3和第二突出部分P2_3可以具有矩形形状。第一突出部分P1_3中的彼此相邻的第一突出部分P1_3可以具有彼此不同的尺寸。第二突出部分P2_3中的彼此相邻的第二突出部分P2_3可以具有彼此不同的尺寸。
图17是图示根据本发明的第四示例性实施例构造的显示装置400的截面图。
为便于说明，图17示出了与图4所示的截面图对应的截面图。除了虚设堤坝构件DDM1'和DDM2'的布置之外，根据第四示例性实施例的显示装置400可以具有与图12所示的显示装置300的配置基本相同的配置。因此，将主要描述显示装置400的虚设堤坝构件DDM1'和DDM2'的布置，并且与图12所示的显示装置300基本相同的显示装置400的其他配置的描述将被省略以避免冗余。另外，在图17中，相同的附图标记表示与图4中的要素相同的要素。
参考图17，与图12所示的虚设堤坝构件DDM1和DDM2不同，虚设堤坝构件DDM1'和DDM2'可以被布置在第三绝缘层INS3的边界与第二封装层EN2的边界之间的第三绝缘层INS3上。
虚设堤坝构件DDM1'和DDM2'可以具有比图12所示的虚设堤坝构件DDM1和DDM2小的尺寸，但可以具有与虚设堤坝构件DDM1和DDM2的结构相同的结构。例如，虚设堤坝构件DDM1'和DDM2'可以包括具有矩形形状、三角形形状、半圆形形状或与图13、图14、图15和图16所示的虚设堤坝构件DDM1、DDM2、DDM1_1、DDM2_1、DDM1_2、DDM2_2、DDM1_3和DDM2_3不同尺寸的矩形形状的突出部分P1、P2、P1_1、P2_1、P1_2、P2_2、P1_3和P2_3。第一虚设堤坝构件DDM1'和第二虚设堤坝构件DDM2'可以具有在大约2微米(μm)至大约5微米(μm)的范围内的厚度。第一虚设堤坝构件DDM1'和第二虚设堤坝构件DDM2'可以具有大于或等于大约10微米(μm)的宽度。当然，根据具体应用可以使用其他尺寸。
图18是图示根据本发明的第五示例性实施例构造的显示装置500的截面图。图19是图示图18所示的第一堤坝构件DM1'和第二堤坝构件DM2'的透视图。图20是图示图19所示的第一堤坝构件DM1'和第二堤坝构件DM2'的平面图。
为便于说明，图18示出了与图4所示的截面图对应的截面图。除了虚设堤坝构件DDM不包含在显示装置500中以及第一堤坝构件DM1'和第二堤坝构件DM2'的配置之外，根据第五示例性实施例的显示装置500可以具有与图4所示的显示装置100的配置基本相同的配置。因此，将主要描述显示装置500的第一堤坝构件DM1'和第二堤坝构件DM2'的配置，并且与图4所示的显示装置100基本相同的显示装置500的其他配置的描述将被省略以避免冗余。另外，在图18中，相同的附图标记表示与图4中的要素相同的要素。
参考图18、图19和图20，第一堤坝构件DM1'可以被布置在第二堤坝构件DM2'与显示区域DA之间，并且第二堤坝构件DM2'可以被布置成与基板SUB的边缘相邻。
第一堤坝构件DM1'可以包括延伸以围绕显示区域DA的第一侧壁部分SW3_1以及从第一侧壁部分SW3_1的一侧朝向显示区域DA延伸的第一突出部分P3_1。第二堤坝构件DM2'可以包括延伸以围绕显示区域DA的第二侧壁部分SW3_2以及从第二侧壁部分SW3_2的一侧朝向显示区域DA延伸的第二突出部分P3_2。
第一堤坝构件DM1'和第二堤坝构件DM2'的堆叠结构可以与图4所示的第一堤坝构件DM1和第二堤坝构件DM2的堆叠结构基本相同。因此，为便于说明，第一堤坝构件DM1'和第二堤坝构件DM2'的配置的附图标记在图18和图19中被省略。
如图20所示，第一突出部分P3_1可以被交替地排列，以便与第二突出部分P3_2交错。为便于说明，图20仅示出了第一堤坝构件DM1'和第二堤坝构件DM2'中的每个的最上层的结构。由于第一堤坝构件DM1'和第二堤坝构件DM2'中的每个的一侧的表面积因为第一突出部分P3_1和第二突出部分P3_2而增加，所以可以更有效地阻挡过量的有机材料。
根据本发明的原理和示例性实施例，显示装置可以包括与显示面板的边缘相邻的堤坝构件以及包括在虚设堤坝构件中限定的孔的虚设堤坝构件。当被提供用于形成组件(诸如薄膜封装层的第二封装层)的有机材料被过量提供在基板上时，过量的有机材料可以容纳在或包含在虚设堤坝构件的孔中以及堤坝构件之间的槽中。因此，过量的有机材料可以被有效地阻挡或限制而不会溢出基板或导致其他组件中的缺陷。
尽管本文已经描述特定示例性实施例和实现方式，但是其他实施例和修改将从该描述中显而易见。因此，如对本领域普通技术人员来说将是显而易见的那样，示例性实施例不限于此，而是受限于随附权利要求的更广范围以及各种明显的修改和等价布置。

Claims (17)

1.一种显示装置，包括：
具有显示区域和至少部分地围绕所述显示区域的非显示区域的基板；
布置在所述基板的所述显示区域中的多个像素；
布置在所述基板的所述非显示区域中沿所述基板的边缘延伸的多个第一凸起；以及
布置在所述基板上所述多个第一凸起与所述显示区域之间的第二凸起，所述第二凸起包括排列成多个列以限制在制造期间过量的有机材料的流动的多个腔，
其中所述腔被排列在沿横向于所述列的方向彼此交错的相邻列中。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二凸起包括布置在所述基板上作为单个层的虚设堤坝构件。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二凸起包括有机材料。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二凸起具有比所述多个第一凸起中的每个第一凸起的宽度大的宽度。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一凸起包括堤坝构件，并且所述第二凸起包括虚设堤坝构件，所述第一凸起的所述堤坝构件包括：
具有比所述虚设堤坝构件的高度高的高度的第一堤坝构件；以及
具有比所述第一堤坝构件的所述高度高的高度的第二堤坝构件，
其中所述第二堤坝构件被布置成与所述基板的所述边缘相邻，并且
其中所述第一堤坝构件被布置在所述虚设堤坝构件与所述第二堤坝构件之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述第一堤坝构件包括：
布置在所述基板上的第一堤坝绝缘层；
布置在所述第一堤坝绝缘层上的第二堤坝绝缘层；以及
布置在所述第二堤坝绝缘层上的第三堤坝绝缘层。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述第二堤坝构件包括：
布置在所述基板上的第四堤坝绝缘层；
布置在所述第四堤坝绝缘层上的第五堤坝绝缘层；
布置在所述第五堤坝绝缘层上的第六堤坝绝缘层；以及
布置在所述第六堤坝绝缘层上的第七堤坝绝缘层。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一堤坝绝缘层、所述第二堤坝绝缘层、所述第三堤坝绝缘层、所述第四堤坝绝缘层、所述第五堤坝绝缘层、所述第六堤坝绝缘层和所述第七堤坝绝缘层中的每个堤坝绝缘层包括有机材料。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述腔包括孔，并且所述第二凸起包括：
主体部分，所述孔被限定在所述主体部分中，所述主体部分至少部分地围绕所述显示区域；以及
从所述主体部分的面向所述显示区域的一侧延伸的多个突出部分。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述多个突出部分在横向方向上相对于排列在与所述多个突出部分相邻的列中的所述腔交错。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述多个突出部分中的每个突出部分具有矩形形状、三角形形状和半圆形形状中的至少一个形状。
12.根据权利要求9所述的显示装置，其中，相邻的突出部分具有彼此不同的尺寸。
13.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
布置在所述基板的所述显示区域中并且延伸到所述非显示区域以与所述第二凸起相邻的绝缘层；以及
覆盖所述多个像素的薄膜封装层，
其中所述多个像素包括：
布置在所述基板上的多个晶体管；以及
连接到所述多个晶体管的多个发光元件，
其中所述绝缘层被布置在所述多个晶体管上，
其中所述多个发光元件被布置在所述绝缘层上并且通过穿过所述绝缘层限定的多个接触孔连接到所述多个晶体管，并且
其中所述薄膜封装层被布置在所述多个发光元件上。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述薄膜封装层包括：
第一封装层，被布置在所述基板上，以覆盖所述显示区域中的所述多个发光元件以及所述非显示区域中的所述绝缘层、所述第二凸起和所述多个第一凸起；
第二封装层，在所述显示区域中被布置在所述第一封装层上并且延伸到所述非显示区域，所述第二封装层在所述非显示区域中被布置在所述绝缘层的与所述绝缘层的边界相邻的部分上；以及
第三封装层，被布置在所述第一封装层上，以覆盖所述第二封装层。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一封装层和所述第三封装层中的每个封装层包括无机材料，并且所述第二封装层包括有机材料，并且所述腔被配置为接收来自所述第二封装层的过量的有机材料。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第二凸起被布置在所述绝缘层的所述边界与所述多个第一凸起之间。
17.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第二凸起被布置在所述绝缘层上并且在所述绝缘层的所述边界与所述第二封装层的边界之间。
CN201811609714.7A 2017-12-28 2018-12-27 显示装置 Pending CN109979972A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170183048A KR102465435B1 (ko) 2017-12-28 2017-12-28 표시 장치
KR10-2017-0183048 2017-12-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109979972A true CN109979972A (zh) 2019-07-05

Family

ID=67059972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811609714.7A Pending CN109979972A (zh) 2017-12-28 2018-12-27 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10978671B2 (zh)
KR (1) KR102465435B1 (zh)
CN (1) CN109979972A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111653589A (zh) * 2020-04-29 2020-09-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板和显示装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101974086B1 (ko) * 2016-09-30 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
CN109585690B (zh) * 2018-12-29 2021-03-16 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
US11271185B2 (en) * 2019-02-27 2022-03-08 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display structure having a dam and gap
CN110350106B (zh) * 2019-07-15 2021-11-16 云谷（固安）科技有限公司 显示面板以及显示装置
CN110504386B (zh) * 2019-08-29 2022-04-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
US11302895B2 (en) * 2019-09-25 2022-04-12 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate having separation pillar in the peripheral area, display apparatus, and method of fabricating display substrate having the same
CN111129034A (zh) * 2019-12-20 2020-05-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
KR20210102526A (ko) 2020-02-10 2021-08-20 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20210104398A (ko) * 2020-02-17 2021-08-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111564479B (zh) * 2020-05-20 2023-10-10 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置
KR20220085622A (ko) 2020-12-15 2022-06-22 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자
CN115148928A (zh) * 2022-06-20 2022-10-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104133327A (zh) * 2014-08-21 2014-11-05 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板
CN205789979U (zh) * 2016-05-30 2016-12-07 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 一种有机发光显示器件面板、显示设备
CN106896586A (zh) * 2015-11-02 2017-06-27 三星显示有限公司 显示设备及其制造方法
CN107104124A (zh) * 2016-02-19 2017-08-29 株式会社日本显示器 显示装置
CN107195803A (zh) * 2017-07-21 2017-09-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6861803B1 (en) * 1992-01-28 2005-03-01 Fujitsu Limited Full color surface discharge type plasma display device
KR102250759B1 (ko) 2013-09-02 2021-05-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20150071538A (ko) 2013-12-18 2015-06-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102250048B1 (ko) 2014-09-16 2021-05-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102391361B1 (ko) 2015-01-14 2022-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102292670B1 (ko) 2015-02-27 2021-08-23 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102323242B1 (ko) * 2015-03-10 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
KR20160123424A (ko) 2015-04-15 2016-10-26 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102362189B1 (ko) * 2015-04-16 2022-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102370352B1 (ko) 2015-07-29 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102615113B1 (ko) 2016-05-10 2023-12-19 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104133327A (zh) * 2014-08-21 2014-11-05 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板
CN106896586A (zh) * 2015-11-02 2017-06-27 三星显示有限公司 显示设备及其制造方法
CN107104124A (zh) * 2016-02-19 2017-08-29 株式会社日本显示器 显示装置
CN205789979U (zh) * 2016-05-30 2016-12-07 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 一种有机发光显示器件面板、显示设备
CN107195803A (zh) * 2017-07-21 2017-09-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111653589A (zh) * 2020-04-29 2020-09-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板和显示装置
WO2021217839A1 (zh) * 2020-04-29 2021-11-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111653589B (zh) * 2020-04-29 2021-12-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190207157A1 (en) 2019-07-04
KR102465435B1 (ko) 2022-11-10
KR20190081005A (ko) 2019-07-09
US11956989B2 (en) 2024-04-09
US20210217994A1 (en) 2021-07-15
US10978671B2 (en) 2021-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109979972A (zh) 显示装置
CN111128080B (zh) 显示基板及显示装置
TWI552333B (zh) 具有矽及半導電性氧化物薄膜電晶體之顯示器
JP2022043114A (ja) 半導体装置
TWI279752B (en) Transistor array substrate, display panel and manufacturing method of display panel
CN108269834A (zh) 显示设备
CN107994051A (zh) 显示装置及其制造方法
US11348991B2 (en) Display device having opening in protective substrate at bending area and method of fabricating the same
TWI721185B (zh) 半導體裝置、記憶體裝置及顯示系統
CN105960711A (zh) 像素驱动电路
CN114822414A (zh) 显示基板及显示装置
CN101266945B (zh) 显示面板的制造方法
JP4254675B2 (ja) ディスプレイパネル
US20230180554A1 (en) Light emitting display device and manufacturing method thereof
US20220359577A1 (en) Light emitting display device
CN116018014A (zh) 显示装置及其制造方法
KR20200051093A (ko) 화소, 이를 포함한 표시 장치, 및 표시 장치의 제조 방법
JP6962731B2 (ja) 半導体装置、表示システム及び電子機器
JP2006098622A (ja) ディスプレイパネル
CN113906494B (zh) 显示基板及其驱动方法、显示装置
CN110364554A (zh) 像素
KR102512014B1 (ko) 표시 장치
TWI841034B (zh) 發光顯示裝置及其製造方法
US20220093679A1 (en) Display device
US20230070620A1 (en) Display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination