CN105940473A - 电子部件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能够提高外部电极的强度的电子部件及其制造方法。该电子部件的特征在于，具备：长方体状的坯体，具有相互对置的第一端面与第二端面、以及安装面；和第一外部电极，跨在上述第一端面以及上述安装面地设置，上述第一端面中的从上述安装面起至沿该安装面的法线方向离开规定距离为止之间的第一区域相对于该法线方向倾斜，以便随着在该安装面的法线方向上向该安装面靠近而向上述第二端面靠近，上述第一外部电极中的与上述第一区域接触的部分的厚度随着在该安装面的法线方向上向该安装面靠近而变大。
Description
技术领域
本发明涉及电子部件及其制造方法，更确切地说，涉及在坯体的表面设置有外部电极的电子部件及其制造方法。
背景技术
作为以往的电子部件，例如公知有专利文献1中记载的电感部件。图26是专利文献1中记载的电感部件500的剖面结构图。
电感部件500具备元件502以及端子电极504a、504b。元件502呈长方体状。端子电极504a跨在元件502的底面以及右面地设置。端子电极504b跨在元件502的底面以及左面地设置。
然而，在专利文献1所记载的电感部件500中，如图26所示，在元件502的底面与右面的棱线以及底面与左面的棱线，端子电极504a、504b的厚度变薄。因此，端子电极504a、504b难以获得足够的强度。
专利文献1：日本特开2006-114626号公报
发明内容
因此，本发明的目的在于提供能够提高外部电极的强度的电子部件及其制造方法。
本发明的一方式所涉及的电子部件的特征在于，具备：长方体状的坯体，具有相互对置的第一端面与第二端面、以及安装面；和第一外部电极，跨在上述第一端面以及上述安装面地设置，上述第一端面中的从上述安装面起至沿该安装面的法线方向离开规定距离为止之间的第一区域相对于该法线方向倾斜，以便随着在该安装面的法线方向靠近该安装面而向上述第二端面靠近，上述第一外部电极中的与上述第一区域接触的部分的厚度随着在该安装面的法线方向靠近该安装面而变大。
本发明的一方式所涉及的电子部件的制造方法的特征在于，具备：坯体制成工序，制成具有相互对置的第一端面与第二端面、以及安装面的长方体状的坯体；研磨工序，对上述第一端面的至少一部分进行研磨，由此使该第一端面中的从上述安装面起至沿该安装面的法线方向离开规定距离为止之间的第一区域相对于该法线方向倾斜，以便随着在该安装面的法线方向靠近该安装面而向上述第二端面靠近；以及电极形成工序，朝向上述安装面供给电极材料，由此形成跨在上述第一端面以及该安装面的第一外部电极。
根据本发明，能够提高外部电极的强度。
附图说明
图1A是一实施方式所涉及的电子部件10的外观立体图。
图1B是电子部件10的层叠体12的外观立体图。
图2是电子部件10的层叠体20的分解立体图。
图3A是电子部件10的A-A的剖面结构图
图3B是电子部件10的B-B的剖面结构图。
图3C是电子部件10的C-C的剖面结构图。
图4A是电子部件10的D-D的剖面结构图。
图4B是电子部件10的E-E的剖面结构图。
图4C是电子部件10的F-F的剖面结构图。
图5是电子部件10制造时的工序剖面图。
图6是电子部件10制造时的工序剖面图。
图7是电子部件10制造时的工序剖面图。
图8是电子部件10制造时的工序剖面图。
图9是电子部件10制造时的工序剖面图。
图10是电子部件10制造时的工序剖面图。
图11是电子部件10制造时的工序剖面图。
图12是电子部件10制造时的工序剖面图。
图13是电子部件10制造时的工序剖面图。
图14是电子部件10制造时的工序剖面图。
图15是电子部件10制造时的工序剖面图。
图16是电子部件10制造时的工序剖面图。
图17是电子部件10制造时的工序剖面图。
图18是电子部件10制造时的工序剖面图。
图19是电子部件10制造时的工序剖面图。
图20是电子部件10制造时的工序剖面图。
图21是电子部件10制造时的工序剖面图。
图22是电子部件10制造时的工序剖面图。
图23是电子部件10制造时的立体图。
图24是电子部件10制造时的立体图。
图25是电子部件10制造时的立体图。
图26是专利文献1所记载的电感部件500的剖面结构图。
具体实施方式
以下，对一实施方式所涉及的电子部件及其制造方法进行说明。
(电子部件的构成)
以下，参照附图对一实施方式所涉及的电子部件的构成进行说明。图1A是一实施方式所涉及的电子部件10的外观立体图。图1B是电子部件10的层叠体12的外观立体图。图2是电子部件10的层叠体20的分解立体图。图3A是电子部件10的A-A的剖面结构图。图3B是电子部件10的B-B的剖面结构图。图3C是电子部件10的C-C的剖面结构图。图4A是电子部件10的D-D的剖面结构图。图4B是电子部件10的E-E的剖面结构图。图4C是电子部件10的F-F的剖面结构图。此外，在图3A～图3C以及图4A～图4C中，省略了层叠体20的内部结构。
在下文中，将电子部件10的层叠方向定义为z轴方向，将从z轴方向俯视时沿着电子部件的长边的方向定义为x轴方向、沿着短边的方向定义为y轴方向。此外，x轴、y轴以及z轴相互正交。
电子部件10具备层叠体20、线圈30以及外部电极40a、40b。
如图1B以及图2所示，层叠体20通过绝缘体层22a～22f被层叠为从z轴方向的正方向侧起依次排列而构成，并呈长方体状。在下文中，将z轴方向的正方向侧的面称为上面S1，将z轴方向的负方向侧的面称为下面S2。z轴方向与下面S2的法线方向平行。另外，将x轴方向的正方向侧的面称为端面S3，将x轴方向的负方向侧的面称为端面S4。端面S3、S4在x轴方向上对置。另外，将y轴方向的正方向侧的面称为侧面S5，将y轴方向的负方向侧的面称为侧面S6。侧面S5、S6在y轴方向上对置。
但是，如图3A～图3C所示，从y轴方向俯视时，端面S3稍微倾斜，以便随着向z轴方向的负方向侧前进而向x轴方向的负方向侧前进。即，端面S3相对于z轴方向倾斜，以便随着在z轴方向靠近下面S2而向端面S4靠近。
而且，如图2以及图3A～图3C所示，对端面S3与下面S2的棱线实施倒角。由此，端面S3与下面S2的接合部分带圆角。另外，如图2以及图4A～图4C所示，对端面S3与侧面S5的棱线实施倒角。同样，如图2以及图4A～图4C所示，对端面S3与侧面S6的棱线实施倒角。由此，端面S3与侧面S5的接合部分以及端面S3与侧面S6的接合部分带圆角。其中，如图4A～图4C所示，端面S3与侧面S5的接合部分的倒角直径以及端面S3与侧面S6的接合部分的倒角直径随着趋向于z轴方向的负方向侧(即，随着向下面S2靠近)而变大。
另外，如图3A～图3C所示，从y轴方向俯视时，端面S4稍微倾斜，以便随着趋向于z轴方向的负方向侧而趋向于x轴方向的正方向侧。即，端面S4相对于z轴方向倾斜，以便随着在z轴方向上向下面S2靠近而向端面S3靠近。
而且，如图2以及图3A～图3C所示，对端面S4与下面S2的棱线实施倒角。由此，端面S4与下面S2的接合部分带圆角。另外，如图2以及图4A～图4C所示，对端面S4与侧面S5的棱线实施倒角。同样，如图2以及图4A～图4C所示，对端面S4与侧面S6的棱线实施倒角。由此，端面S4与侧面S5的接合部分以及端面S4与侧面S6的接合部分带圆角。其中，如图4A～图4C所示，端面S4与侧面S5的接合部分的倒角直径以及端面S4与侧面S6的接合部分的倒角直径随着趋向于z轴方向的负方向侧(即，随着向下面S2靠近)而变大。
另外，各绝缘体层22a～22f在从z轴方向俯视时，呈长方形形状。绝缘体层22a～22f由含有金属磁性体的粒子的树脂制成。金属磁性体例如是Fe-Si-Cr合金、Fe(羰基)等。另外，树脂例如是环氧树脂。此外，金属磁性体的粒子也可以使用在表面形成了玻璃、树脂等的绝缘被膜或进行了表面氧化等表面改性的粒子。
如图2所示，绝缘体层22a在层叠体20中位于z轴方向的最靠正方向侧。另外，绝缘体层22a由磁性体构成。
绝缘体层22b与绝缘体层22a的z轴方向的负方向侧邻接。另外，绝缘体层22b由磁性体所形成的磁性体层24b以及非磁性体所形成的非磁性体层26b构成。非磁性体层26b是与绝缘体层22b的外缘平行地设置的带状的非磁性体层，在从z轴方向俯视时，呈一部分被切开的长方形形状的框型。另外，磁性体层24b在从z轴方向俯视时，设置于非磁性体层26b的周围以及非磁性体层26b的内部。
绝缘体层22c与绝缘体层22b的z轴方向的负方向侧邻接。另外，绝缘体层22c由磁性体所形成的磁性体层24c以及非磁性体所形成的非磁性体层26c构成。非磁性体层26c是与绝缘体层22c的外缘平行地设置的带状的非磁性体层，在从z轴方向俯视时，呈一部分被切开的长方形形状的框型。磁性体层24c在从z轴方向俯视时，设置于非磁性体层26c的周围以及非磁性体层26c的内部。
绝缘体层22d与绝缘体层22c的z轴方向的负方向侧邻接。另外，绝缘体层22d由磁性体所形成的磁性体层24d以及非磁性体所形成的非磁性体层26d构成。非磁性体层26d是与绝缘体层22d的外缘平行地设置的带状的非磁性体层，在从z轴方向俯视时，呈一部分被切开的长方形形状的框型。磁性体层24d在从z轴方向俯视时，设置于非磁性体层26d的周围以及非磁性体层26d的内部。
绝缘体层22e与绝缘体层22d的z轴方向的负方向侧邻接。另外，绝缘体层22e由磁性体所形成的磁性体层24e以及非磁性体所形成的非磁性体层26e构成。非磁性体层26e是与绝缘体层22e的外缘平行地设置的带状的非磁性体层，在从z轴方向俯视时，呈一部分被切开的长方形形状的框型。磁性体层24e在从z轴方向俯视时，设置于非磁性体层26e的周围以及非磁性体层26e的内部。
绝缘体层22f在层叠体20中位于z轴方向的最靠负方向侧。另外，绝缘体层22f由磁性体构成。
如上所述，非磁性体层26b～26e在从z轴方向俯视时，相互重合，形成长方形形状的轨道。
如图2所示，线圈30位于层叠体20的内部，由线圈导体32b～32f以及通孔导体34b～34e构成。另外，线圈30呈螺旋状，该螺旋的中心轴与z轴平行。即，线圈30从z轴方向的正方向侧俯视时，呈绕顺时针方向卷绕并且从z轴方向的正方向侧向负方向侧行进的螺旋状。此外，线圈30的材料为Au、Ag、Pd、Cu、Ni等导电性材料。
线圈导体32b是被设置成沿着非磁性体层26b的线状的导体。因此，线圈导体32b在从z轴方向俯视时，与非磁性体层26b同样地呈一部分被切开的长方形形状的框型，并与非磁性体层26b在一致的状态下重叠。而且，线圈导体32b的一端从绝缘体层22b的x轴方向的正方向侧的外缘向层叠体20的x轴方向的正方向侧的端面S3露出。而且，线圈导体32b的另一端在绝缘体层22b的x轴方向的正方向侧的外缘与y轴方向的正方向侧的外缘所形成的角附近，与在z轴方向上将绝缘体层22b贯通的通孔导体34b连接。
线圈导体32c是被设置成沿着非磁性体层26c的线状的导体。因此，线圈导体32c在从z轴方向俯视时，与非磁性体层26c同样地呈一部分被切开的长方形形状的框状，并与非磁性体层26c在一致的状态下重叠。而且，线圈导体32c的一端在绝缘体层22c的x轴方向的正方向侧的外缘与y轴方向的正方向侧的外缘所形成的角C1的附近与通孔导体34b连接。而且，线圈导体32c的另一端位于角C1的附近且比线圈导体32c的一端更靠绝缘体层22c的中心的位置，与在z轴方向上将绝缘体层22c贯通的通孔导体34c连接。
线圈导体32d是被设置成沿着非磁性体层26d的线状的导体。因此，线圈导体32d在从z轴方向俯视时，与非磁性体层26d同样地呈一部分被切开的长方形的框型，并与非磁性体层26d在一致的状态下重叠。而且，线圈导体32d的一端在绝缘体层22d的x轴方向的正方向侧的外缘与y轴方向的正方向侧的外缘所形成的角C2的附近与通孔导体34c连接。而且，线圈导体32d的另一端位于角C2的附近且比线圈导体32d的一端更靠绝缘体层22d的外缘的位置，与在z轴方向上将绝缘体层22d贯通的通孔导体34d连接。
线圈导体32e是被设置成沿着非磁性体层26e的线状的导体。因此，线圈导体32e在从z轴方向俯视时，与非磁性体层26e同样地呈一部分被切开的长方形的框型，并与非磁性体层26e在一致的状态下重叠。而且，线圈导体32e的一端在绝缘体层22e的x轴方向的正方向侧的外缘与y轴方向的正方向侧的外缘所形成的角C3的附近与通孔导体34d连接。而且，线圈导体32e的另一端位于角C3的附近且比线圈导体32e的一端更靠绝缘体层22e的中心的位置，与在z轴方向上将绝缘体层22e贯通的通孔导体34e连接。
线圈导体32f在从z轴方向俯视时，呈带棱角的U字型，是沿绝缘体层22f的x轴方向的正负两侧的外缘以及y轴方向的负方向侧的外缘设置的线状的导体。而且，线圈导体32f的一端在绝缘体层22f的x轴方向的正方向侧的外缘与y轴方向的正方向侧的外缘所形成的角的附近与通孔导体34e连接。而且，线圈导体32f的另一端从绝缘体层22f的x轴方向的负方向侧的外缘向层叠体20的x轴方向的负方向侧的端面S4露出。
如上所述，线圈导体32b～32f在从z轴方向俯视时，相互重合，在非磁性体层26b～26e所形成的长方形形状的轨道上环绕。另外，线圈导体32b～32f与非磁性体层26b～26e在z轴方向上交替排列。
如图1A所示，外部电极40a、40b是设置于层叠体20的表面的由金属构成的外部端子。更详细地说，外部电极40a跨在层叠体20的下面S2、与该下面S2邻接的端面S3以及侧面S5、S6地设置，并与线圈导体32b的一端连接。在外部电极40a中，将与下面S2、端面S3以及侧面S5、S6各自接触的部分称为接触部42a、44a、46a、48a。
另外，接触部42a将下面S2的x轴方向的正方向侧的短边附近覆盖，呈长方形形状。接触部44a将端面S3的大致整体覆盖，呈长方形形状。接触部46a将侧面S5的x轴方向的正方向侧的短边附近以及z轴方向的负方向侧的长边的x轴方向的正方向侧的短部附近覆盖，呈三角形形状。接触部48a将侧面S6的x轴方向的正方向侧的短边附近以及z轴方向的负方向侧的长边的x轴方向的正方向侧的短部附近覆盖，呈三角形形状。
另外，如图3A～图3C以及图4A～图4C所示，接触部44a的厚度随着趋向于z轴方向的负方向侧而变大。即，接触部44a的厚度随着在z轴方向上向下面S2靠近而变大。因此，接触部44a的与y轴方向正交的剖面形状呈三角形形状。由此，接触部44a的厚度在端面S3的z轴方向的负方向侧的长边处最大。
另外，如图3A～图3C以及图4A～图4C所示，接触部46a、48a的厚度随着趋向于z轴方向的负方向侧而变大。即，接触部46a、48a的厚度随着在z轴方向上向下面S2靠近而变大。因此，接触部46a、48a的与x轴方向正交的剖面形状呈三角形形状。由此，接触部46a、48a的厚度分别在侧面S5、S6的z轴方向的负方向侧的长边处最大。
外部电极40b跨在层叠体20的下面S2、与该下面S2邻接的端面S4以及侧面S5、S6地设置，并与线圈导体32f的另一端连接。由此，线圈30与外部电极40a、40b电连接。在外部电极40b中，将与下面S2、端面S3以及侧面S5、S6各自接触的部分称为接触部42b、44b、46b、48b。
另外，接触部42b将下面S2的x轴方向的负方向侧的短边附近覆盖，呈长方形形状。接触部44b将端面S4的大致整体覆盖，呈长方形形状。接触部46b将侧面S5的x轴方向的负方向侧的短边附近以及z轴方向的负方向侧的长边的x轴方向的负方向侧的短部附近覆盖，呈三角形形状。接触部48b将侧面S6的x轴方向的负方向侧的短边附近以及z轴方向的负方向侧的长边的x轴方向的负方向侧的短部附近覆盖，呈三角形形状。
另外，如图3A～图3C以及图4A～图4C所示，接触部44b的厚度随着趋向于z轴方向的负方向侧而变大。即，接触部44b的厚度随着在z轴方向上向下面S2靠近而变大。因此，接触部44b的与y轴方向正交的剖面形状呈三角形形状。由此，接触部44b的厚度在端面S4的z轴方向的负方向侧的长边处最大。
另外，如图3A～图3C以及图4A～图4C所示，接触部46b、48b的厚度随着趋向于z轴方向的负方向侧而变大。即，接触部46b、48b的厚度随着在z轴方向上向下面S2靠近而变大。因此，接触部46b、48b的与x轴方向正交的剖面形状呈三角形形状。由此，接触部46b、48b的厚度在侧面S5、S6的z轴方向的负方向侧的长边处最大。像以上那样构成的外部电极40a、40b由Cu、Ag或Cu与Ag的合金制成。
像以上那样构成的电子部件10被安装为层叠体20的下面S2与电路基板对置。即，层叠体20的下面S2是安装面。
(电子部件的制造方法)
接下来，对电子部件10的制造方法进行说明。图5～图22是电子部件10制造时的工序剖面图。图23～图25是电子部件10制造时的立体图。
首先，准备加入填料的热固性树脂片(以下，称为树脂片)260f。树脂片260f所含有的填料例举出硅、碳化硅、氧化铝等绝缘类的微小粒子。另外，树脂的主剂能够例举出环氧类的树脂等。
接下来，如图5所示，在树脂片260f上载置Cu箔320f，将Cu箔320f与树脂片260f压接。此时，为了同时进行树脂片260f与Cu箔320f的界面处的气体的除去，优选使用真空热加压装置。另外，压接的条件例如为90～200℃的温度下，进行1～30分钟的抽真空，而且在0.5～10MPa下进行1～120分钟的加压。此外，也可以通过辊压或高温冲压等手段进行压接。
压接后，为了使树脂片260f固化而实施热处理。该热处理使用烘箱等高温槽，例如在130～200℃的温度下进行10～120分钟。
热处理后，为了调节已压接的Cu箔320f的厚度，实施电镀Cu。具体而言，作为电镀的前处理，利用酸性清洁剂对压接有Cu箔320f的树脂片260f进行浸渍处理，除去Cu箔320f上的氧化被膜。接下来，使用主要成分为硫酸铜水溶液的电镀液，以恒电流模式在Cu箔上实施电镀Cu。电镀Cu后，进行水洗以及干燥。而且，以电镀形成后的基板翘曲的抑制为目的，使用烘箱等高温槽，例如在150～250℃的温度下进行60～180分钟的热处理。此外，在本工序中，也可以取代电镀Cu，而使用蒸镀、溅射等方法。
在结束厚度的调节的Cu箔320f上形成抗蚀剂图案RP1。在抗蚀剂图案RP1的形成工序中，首先，为了提高抗蚀剂图案RP1与Cu箔320f的紧贴性，使用抛光研磨机使Cu箔320f的表面粗糙化，并进行水洗以及干燥。此外，粗糙化时，也可以使用铣磨、蚀刻等方法。接下来，如图6所示，将抗蚀膜FR1层压在Cu箔320f上。而且，通过膜掩模，对抗蚀膜FR1进行曝光，从而被曝光的抗蚀膜固化。在抗蚀膜FR1固化后，将炭酸钠作为显影液来进行显影，从而除去未固化的抗蚀膜FR1。由此，在Cu箔320f上形成图7所示那样的抗蚀剂图案RP1。之后，为了除掉显影液而进行水洗以及干燥。
通过湿式蚀刻对形成有抗蚀剂图案RP1的Cu箔320f进行蚀刻，如图8所示，除去未被抗蚀剂图案RP1覆盖的Cu箔320f。此时，也可以代替湿式蚀刻而使用铣磨等。接下来，为了除去湿式蚀刻中使用过的溶液的残渣而进行水洗。而且，利用剥离液对Cu箔320f上的抗蚀剂图案RP1进行剥离。之后，通过水洗除去剥离液的残渣，使其干燥。通过该工序，如图9所示，在树脂片260f上形成与电子部件10的线圈导体32f对应的导体图案。
如图10所示，在形成有导体图案的树脂片260f上进而载放压接有Cu箔320e的树脂片260e并压接。压接的条件与上述同样地使用真空热加压装置在90～200℃的温度下进行1～30分钟的抽真空，进而在0.5～10MPa下进行1～120分钟的加压。此时，为了调整被层叠、压接的树脂片整体的厚度，也可以使用限制压接量的隔离件。此外，在本工序中被压接的树脂片260e之后成为电子部件10的非磁性体层26e，Cu箔320e成为线圈导体32e。此外，在本工序中，也可以在形成有导体图案的树脂片260f上压接树脂片260e，并在该树脂片260e上压接Cu箔320e。
对前工序中被压接的Cu箔320e以及树脂片260e形成通孔。在通孔形成工序中，首先，如图11所示，在Cu箔320e上形成抗蚀剂图案RP2。抗蚀剂图案RP2的形成按照Cu箔320e表面的粗糙化、抗蚀膜的层压、经由膜掩模的曝光、以及显影的顺序进行。接下来，通过湿式蚀刻对形成有抗蚀剂图案RP2的Cu箔320e进行蚀刻，并在蚀刻后除去抗蚀剂图案RP2。由此，如图12所示，在Cu箔320e形成通孔的一部分。而且，通过蚀刻除去Cu箔320e，并对树脂片260e露出的部分照射激光，从而形成如图13所示那样的贯通Cu箔320e以及树脂片260e的通孔。此时，也能够使用钻孔、溶解以及喷射等来形成通孔。然而，由于Cu箔反射激光，所以利用激光在脂片260e形成通孔，能够抑制在Cu箔上形成额外的通孔。而且，为了除去因通孔形成而产生的污迹，进行去污处理。此外，抗蚀剂图案形成以及蚀刻中的具体的条件与对Cu箔320f进行的情况下相同。
接下来，对通孔实施电镀，形成将Cu箔320e和与线圈导体32f对应的导体图案连接起来的通孔导体。在对通孔实施电镀的工序中，首先，如图14所示，在通孔的内周面形成种子层50。通过以这种子层50为基础来实施Cu电镀，从而形成图15所示那样的将Cu箔320e和与线圈导体32f对应的导体图案连接起来的通孔导体。此外，在本工序中所形成的通孔导体与通孔导体34e对应。
在通孔导体形成后，对最上面的Cu箔进行蚀刻来形成导体图案，并在此进一步压接压接有Cu箔的树脂片，将进行通孔以及通孔导体的形成这样的上述的工序反复进行，最后压接树脂片，从而图16所示的包含线圈30的由非磁性体形成的线圈体118完成。此外，在线圈体118完成后，以该线圈体118的表面的平滑化为目的，通过抛光研磨、蚀刻、磨工、CMP(化学的机械研磨/Chemical Mechanical Polishing)等除去线圈体118表面的树脂。由此，线圈体118中的线圈30的上面侧以及下面侧的非磁性体层如图17所示那样被除去。
接下来，如图18所示，对位于线圈体118的内部的线圈30的内周进行喷砂，形成贯通孔H1。而且，利用切块机、激光以及喷射等，如图19所示那样除去处于线圈30的外周侧的树脂。由此，非磁性体层26b～26e完成。此外，贯通孔的形成也可以使用激光、冲切等。
接下来，如图20所示，在模具100上设置仅成为线圈30和非磁性体层26b～26e的线圈体118(以下，仅作为线圈体118)。而且，将含有金属磁性体的粒子的树脂片220a设置在线圈体118的上侧上，并朝向下侧对树脂片220a进行加压。由此，线圈体118的上半部分埋没到树脂片220a中。树脂片220a所包含的金属磁性体的粒子的材料例如例举出Fe－Si－Cr合金、Fe(羰基)等金属磁性材料。另外，树脂的主剂例举出环氧类的树脂等。树脂片220a是磁性体，之后成为电子部件10的绝缘体层22a以及磁性体层24b、24c。
接下来，如图21所示，将上半部分埋没到树脂片220a中的线圈体118的上下反转。而且，将含有金属磁性体的粒子的树脂片220b设置在上半部分埋没到树脂片220a中的线圈体118的上侧，并朝向下侧对树脂片220b进行加压。由此，线圈体118的下半部分埋没到树脂片220b中。树脂片220b所包含的金属磁性体的粒子的材料例如例举出Fe－Si－Cr合金、Fe(羰基)等金属磁性材料。另外，树脂的主剂例举出环氧类的树脂等。树脂片220b是磁性体，之后成为电子部件10的绝缘体层22f以及磁性体层24d～24e。之后，使用烘箱等高温槽，例如在130～200℃的温度下进行10～120分钟的热处理，从而母层叠体120完成。母层叠体120在z轴方向俯视时，具有多个层叠体20呈矩阵状地排列的结构。
接下来，如图22所示，通过切块机D1将母层叠体120分割为多个层叠体20。由此，层叠体20的制成结束。
接下来，如图23所示，将层叠体20矩阵状地在平面上排列。此时，将多个层叠体20进行配置，以便各层叠体20的下面S2朝向上侧并且在相邻的层叠体20彼此之间形成有微小间隙。在本实施方式中，沿x轴方向相邻的两个层叠体20之中的一方的层叠体20的端面S3与另一方的层叠体20的端面S4经由间隙对置。而且，沿y轴方向相邻的两个层叠体20之中的一方的层叠体20的侧面S5与另一方的层叠体20的侧面S6经由间隙对置。
接下来，在如图23所示那样排列多个层叠体20的状态下，通过喷砂法对该多个层叠体20进行研磨。具体而言，朝向矩阵状地排列的层叠体20的下面S2(即，从图23的上侧朝向下侧)供给(喷着)研磨剂。由此，如图24所示，对下面S2与端面S3、S4的棱线以及下面S2与侧面S5、S6的棱线实施倒角。而且，研磨剂侵入端面S3与端面S4之间的间隙，对端面S3、S4进行研磨。但是，与间隙的内里部分相比，研磨剂更容易侵入间隙的入口部分，因此端面S3、S4的研磨量随着从z轴方向的负方向侧趋向于正方向侧而变少。其结果是，随着从z轴方向的负方向侧趋向于正方向侧，间隙的宽度变小。即，在一个层叠体20中，端面S3相对于z轴方向倾斜，以便随着在z轴方向上向下面S2靠近而向端面S4靠近，端面S4相对于z轴方向倾斜，以便随着在z轴方向上向下面S2靠近而向端面S3靠近。而且，研磨剂侵入侧面S5与侧面S6之间的间隙，对侧面S5、S6进行研磨。但是，与间隙的内里部分相比，研磨剂更容易侵入间隙的入口部分，因此侧面S5、S6的研磨量随着从z轴方向的负方向侧趋向于正方向侧而变少。随着从z轴方向的负方向侧趋向于正方向侧，间隙的宽度变小。其结果是，在一个层叠体20中，侧面S5相对于z轴方向倾斜，以便随着在z轴方向上向下面S2靠近而向侧面S6靠近，侧面S6相对于z轴方向倾斜，以便随着在z轴方向上向下面S2靠近而向侧面S5靠近。
接下来，如图25所示，将在形成有外部电极40a、40b的部分具有开口的掩模102配置在层叠体20的下面S2上。具体而言，将沿y轴方向延伸的带状的多个掩模102配置在沿y轴方向排列的层叠体20的各列。此时，对掩模102进行配置，以便层叠体20的下面S2的x轴方向的两侧的短边及其附近从掩模102露出。
接下来，如图25所示，在矩阵状地配置层叠体20并且配置了掩模102的状态下，朝向层叠体20的下面S2(即，从图25的上侧朝向下侧)供给电极材料(Ti以及Cu)，并形成外部电极40a、40b的基底电极。基底电极的形成方法例如举出溅射法、蒸镀法。
这里，电极材料侵入端面S3与端面S4之间的间隙，在端面S3、S4上形成基底电极。但是，与间隙的内里部分相比，电极材料更容易侵入间隙的入口部分，因此基底电极的膜厚随着从z轴方向的负方向侧趋向于正方向侧而变小。即，接触部44a、44b的厚度随着在z轴方向上向下面S2靠近而变大。
另外，电极材料侵入侧面S5与侧面S6之间的间隙，在侧面S5、S6上形成基底电极。但是，与间隙的内里部分相比，电极材料更容易侵入间隙的入口部分，因此基底电极的膜厚随着从z轴方向的负方向侧趋向于正方向侧而变小。即，接触部46a、46b、48a、48b的厚度随着在z轴方向上向下面S2靠近而变大。
此后，通过滚镀对外部电极40a、40b的基底电极的表面实施镀Ni/Sn。通过以上工序，电子部件10完成。
(效果)
根据以上那样地构成的电子部件10及其制造方法，能够提高外部电极的强度。以下，举外部电极40a为例进行说明。
在电子部件10中，外部电极40a跨在端面S3与下面S2。而且，与端面S3接触的接触部44a的厚度随着在z轴方向上向下面S2靠近而变大。由此，接触部44a的厚度在端面S3的z轴方向的负方向侧的长边处最大。因此，在端面S3与下面S2的棱线处，外部电极40a变厚，外部电极40a能够获得足够的强度。此外，对于外部电极40b也可以同样适用。
另外，在电子部件10中，能够提高散热性。以下，举外部电极40a为例进行说明。
在电子部件10中，在层叠体20内产生的热以放射状地扩散。此时，热的一部分在外部电极40a的接触部44a从上侧朝向下侧传导，向连接着外部电极40a的焊盘电极传导。而且，热在接触部44a从上侧向下侧传导时，放射状地扩散。
因此，在电子部件10中，接触部44a的厚度随着在z轴方向上向下面S2靠近而变大。由此，热在接触部44a容易传导。其结果是，电子部件10的散热性提高。此外，对于外部电极40b也同样适用。
(其他实施方式)
本发明所涉及的电子部件及其制造方法并不局限于上述电子部件10及其制造方法，在其主旨的范围内可以变更。
此外，在电子部件10中，端面S3整体相对于z轴方向倾斜，但也可以是端面S3的一部分相对于z轴方向倾斜。具体而言，端面S3中的从下面S2起至沿z轴方向离开规定距离为止之间的区域相对于z轴方向倾斜即可，以便随着在z轴方向上向下面S2靠近而向端面S4靠近。在该情况下，外部电极40a的接触部44a可以覆盖端面S3整体，也可以覆盖端面S3中从下面S2起至沿z轴方向离开规定距离为止之间的区域。在将端面S3中从下面S2起至沿z轴方向离开规定距离为止之间的区域覆盖的情况下，接触部44a中与端面S3中的从下面S2起至沿z轴方向离开规定距离为止之间的区域接触的部分的厚度随着在z轴方向上向下面S2靠近而变大即可。此外，可以说端面S4以及接触部44b也与端面S4以及接触部44a同样。
另外，在电子部件10中，侧面S5整体相对于z轴方向倾斜，但也可以是侧面S5的一部分相对于z轴方向倾斜。具体而言，侧面S5中的从下面S2起至沿z轴方向离开规定距离为止之间的区域相对于z轴方向倾斜即可，以便随着在z轴方向上向下面S2靠近而向侧面S6靠近。在该情况下，外部电极40a的接触部46a可以到达侧面S5的z轴方向的正方向侧的长边，也可以到达侧面S5中的从下面S2起沿z轴方向离开规定距离的地方。在到达侧面S5中的从下面S2起沿z轴方向离开规定距离的地方的情况下，接触部46a中与侧面S5中的从下面S2起至沿z轴方向离开规定距离为止之间的区域接触的部分的厚度随着在z轴方向上向下面S2靠近而变大即可。此外，可以说侧面S5以及接触部46b、侧面S6以及48a、48b也与侧面S5以及接触部44a同样。
另外，层叠体20可以由无机氧化物(玻璃)制成。
另外，电子部件10可以通过将扁线卷绕为螺旋状的线圈利用树脂模制成形而制成。
此外，电子部件10具备线圈30，但也可以具备线圈以外的电路元件(例如电容、电阻等)。
此外，不需要对端面S3、S4以及侧面S5、S6所有面进行研磨，可以对上述面的至少一部分进行研磨。
工业上的可利用性
如上所述，本发明对于电子部件及其制造方法是有用的，在能够使外部电极的强度提高这一点上优异。
符号说明：
10...电子部件；12...层叠体；20...层叠体；30...线圈；S1...上面；S2...下面；S3、S4...端面；S5、S6...侧面。
Claims (7)
1.一种电子部件，其特征在于，具备：
长方体状的坯体，具有相互对置的第一端面与第二端面、以及安装面；和
第一外部电极，跨在所述第一端面以及所述安装面地设置，
所述第一端面中的从所述安装面起至沿该安装面的法线方向离开规定距离为止之间的第一区域相对于该法线方向倾斜，以便随着在该安装面的法线方向靠近该安装面而向所述第二端面靠近，
所述第一外部电极中的与所述第一区域接触的部分的厚度随着在该安装面的法线方向靠近该安装面而变大。
2.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，
所述坯体具有相互对置的第一侧面以及第二侧面，
所述第一侧面中的从所述安装面起至沿该安装面的法线方向离开所述规定距离为止之间的第二区域相对于该法线方向倾斜，以便随着在该安装面的法线方向靠近该安装面而向所述第二侧面靠近，
所述第一外部电极跨在所述第一端面、所述第一侧面以及所述安装面地设置，
所述第一外部电极中的与所述第二区域接触的部分的厚度随着在该安装面的法线方向靠近该安装面而变大。
3.根据权利要求1或2所述的电子部件，其特征在于，
还具备电路元件，该电路元件设置于所述坯体，与所述第一外部电极电连接。
4.一种电子部件的制造方法，其特征在于，具备：
坯体制成工序，制成具有相互对置的第一端面与第二端面、以及安装面的长方体状的坯体；
研磨工序，对所述第一端面的至少一部分进行研磨，由此使该第一端面中的从所述安装面起至沿该安装面的法线方向离开规定距离为止之间的第一区域相对于该法线方向倾斜，以便随着在该安装面的法线方向靠近该安装面而向所述第二端面靠近；以及
电极形成工序，朝向所述安装面供给电极材料，由此形成跨在所述第一端面以及该安装面的第一外部电极。
5.根据权利要求4所述的电子部件的制造方法，其特征在于，
在所述研磨工序中，在将多个所述坯体排列以便所述第一端面与所述第二端面经由间隙对置的状态下，通过喷砂法朝向所述安装面供给研磨剂，
在所述电极形成工序中，在将多个所述坯体排列以便所述第一端面与所述第二端面经由间隙对置的状态下，朝向所述安装面供给电极材料。
6.根据权利要求4或5所述的电子部件的制造方法，其特征在于，
在所述电极形成工序中，将在形成所述第一外部电极的部分具有开口的掩模配置在所述安装面上，供给所述电极材料。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的电子部件的制造方法，其特征在于，
在所述电极形成工序中，通过蒸镀法或溅射法形成所述第一外部电极。
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Legal Events
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20170217 Address after: Kyoto Japan Applicant after: Murata Manufacturing Co., Ltd. Address before: Kyoto Japan Applicant before: Murata Manufacturing Co., Ltd. Applicant before: Kochi Aki Co., Ltd. |
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Application publication date: 20160914 |
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