CN103168332A - 芯片型陶瓷电子部件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供能够抑制至少前端部由树脂电极构成的外部电极的剥离，且基于吸引的拾取特性、耐基板弯曲特性优异的可靠性高的芯片型陶瓷电子部件及其制造方法。构成外部电极的树脂电极的、蔓延至其他的面的部分的至少前端部与陶瓷坯体接合，并且陶瓷坯体的表面的构成外部电极的树脂电极的前端部所接合的区域的十点平均粗糙度Rz1、与陶瓷坯体的表面的没有形成外部电极的区域的十点平均粗糙度Rz2的关系满足Rz1＞Rz2、Rz1＞3.3μm和Rz2＜3.2μm的要件。将外部电极形成具备与陶瓷坯体的表面接合的下层电极、和上层电极的构成，所述上层电极以覆盖下层电极的方式配设，且所述上层电极的蔓延至其他的面的部分的至少前端部与陶瓷坯体的表面接合且所述上层电极由树脂电极构成。

Description

芯片型陶瓷电子部件及其制造方法

技术领域

本发明涉及芯片型陶瓷电子部件及其制造方法，详细而言，涉及在外部电极的配设方式上具有特征的芯片型陶瓷电子部件及其制造方法。

背景技术

作为本发明所关联的陶瓷电子部件，例如有记载在日本特开平11-219849号公报(专利文献1)中的部件。

该陶瓷电子部件具备：长方体形状的陶瓷坯体、在陶瓷坯体的内部隔着陶瓷层以相互对置的方式加以配设的多个内部电极、以与规定的内部电极电连接的方式形成于陶瓷坯体的端面上的一对外部电极。

而且，外部电极具备：通过对含有金属粉末、玻璃粉末、有机粘合剂和有机溶剂的导电性糊料进行烧成而形成的下层电极、形成于该下层电极上的使含有金属粉末、热固化性树脂和有机溶剂的导电性糊料发生热固化而成的上层电极。另外，外部电极是以从部件主体的各端面蔓延至侧面的一部分的方式而形成的。

而且，就该陶瓷电子部件而言，记载了：外部电极按照不仅上层电极整面地覆盖下层电极而且上层电极越过下层电极的边缘部而延伸至陶瓷坯体的侧面的方式而形成。需说明的是，在专利文献1中，优选上层电极以经由下层电极的边缘部再延长0.05mm以上的方式而形成。这是由于在对外部电极从外部施加过度的应力时，在上层中将其吸收，而防止在部件主体的端部的外周中所产生的裂缝等，若超越边缘部的长度不足0.05mm，则裂缝等破损变得显著。

另外，在日本特开2008-71926号公报(专利文献2)中，公开了一种陶瓷电子部件，其具备：由陶瓷形成的长方体状的陶瓷坯体(部件主体)、形成于陶瓷坯体的内部的内部电极、和以从陶瓷坯体的端面蔓延至侧面的方式而形成且与上述内部电极导通的外部电极，其中，外部电极具备将含有金属粉末、玻璃粉末、有机粘合剂和有机溶剂的导电性糊料加以烧成而形成的下层电极、和位于下层电极上的由树脂电极形成的上层电极，作为树脂电极的上层电极形成到与下层电极的前端部相比而言后面的位置，上层电极没有覆盖下层电极的整面。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-219849号公报

专利文献2：日本特开2008-71926号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，如专利文献1的陶瓷电子部件所述，通过将含有热固化性树脂的导电性糊料加以热固化而形成的上层电极，按照进一步越过下层电极的边缘部而延伸至陶瓷坯体的侧面上的方式而形成，在浸渍于高温的焊料中的情况下，上层电极的边缘部有时从陶瓷坯体的侧面剥离，存在可靠性低这样的问题。

另外，专利文献2的陶瓷电子部件是上层电极没有完全将下层电极上覆盖的结构，因此，在弹性模量高的下层电极集中应力，因而存在耐基板弯曲特性降低这样的问题。

本发明是解决上述课题的发明，其目的在于，提供能够抑制至少前端部由树脂电极构成的外部电极的前端部从陶瓷坯体的剥离，基于吸引的拾取特性、耐基板弯曲特性优异的可靠性高的芯片型陶瓷电子部件；和能够高效地制造所述的芯片型陶瓷电子部件的芯片型陶瓷电子部件的制造方法。

用于解决课题的手段

为了上述课题，本发明的芯片型陶瓷电子部件的特征在于，

其具备：

具备相对置的2个端面和将所述2个端面间连结的4个侧面的长方体形状的陶瓷坯体，和

外部电极，所述外部电极按照从所述陶瓷坯体的、所述端面或所述侧面中的一个面越过棱线部而蔓延至其他的面的方式加以配设，且蔓延至所述其他的面的部分的至少前端部由含有树脂和导电成分的树脂电极构成；

构成所述外部电极的树脂电极的、蔓延至所述其他的面的部分的至少前端部，与所述陶瓷坯体接合，并且所述陶瓷坯体的表面的所述外部电极的所述前端部所接合的区域的十点平均粗糙度Rz1、与所述陶瓷坯体的表面的没有形成所述外部电极的区域的十点平均粗糙度Rz2的关系满足如下要件：

Rz1＞Rz2，

Rz1＞3.3μm，

Rz2＜3.2μm。

另外，本发明的芯片型陶瓷电子部件的特征在于，

所述陶瓷坯体具备内部电极，并且所述内部电极被引出到所述陶瓷坯体的规定的面，

所述外部电极按照从所述陶瓷坯体的引出了所述内部电极的面越过棱线部而蔓延至其他的面的方式而形成。

另外，就本发明的芯片型陶瓷电子部件而言，优选所述外部电极具备与陶瓷坯体的表面接合的下层电极，和以覆盖所述下层电极的方式加以配设且蔓延至所述其他的面的部分的至少所述前端部与所述陶瓷坯体的表面接合的上层电极；所述上层电极为所述树脂电极。

另外，优选所述上层电极覆盖所述下层电极的整体，并且所述上层电极的边缘部的整体与所述下层电极的边缘部相比到达更外侧的区域，直接与所述陶瓷坯体的表面接合。

另外，优选所述陶瓷坯体具备多个所述内部电极，且规定的所述内部电极在所述陶瓷坯体的相对置的2个端面中的任一面露出，在所述端面形成有所述下层电极，由所述树脂电极形成的所述上层电极覆盖所述下层电极，并且越过棱线部而蔓延至所述陶瓷坯体的所述侧面，且蔓延至所述侧面的部分的至少前端部直接与所述陶瓷坯体接合。

另外，所述下层电极优选为通过将含有金属粉末、玻璃粉末、有机粘合剂和有机溶剂的导电性糊料烧成而形成的烧结电极，或通过镀敷而形成的镀敷电极。

另外，作为用于提高所述外部电极的表面的浸焊性的镀敷膜层，优选形成有：

(a)含有由镀Ni膜形成的第1镀敷膜层、和形成于其上的由镀Sn膜形成的第2镀敷膜层的镀敷膜层，或

(b)含有由镀Ni膜形成的第1镀敷膜层、和形成于其上的由镀Pb膜形成的第2镀敷膜层的镀敷膜层

中的任一镀敷膜层。

另外，本发明的芯片型陶瓷电子部件的制造方法，是用于制造技术方案1～7中任一项所述的芯片型陶瓷电子部件的方法，

作为用于形成所述陶瓷坯体的工序，具备：

通过将所述陶瓷坯体与含有研磨介质的浆料一起搅拌而对所述陶瓷坯体的表面整体进行研磨的工序，和

将在所述工序中进行了研磨后的所述陶瓷坯体的表面的、没有形成所述外部电极的区域掩蔽，通过对露出的区域喷射研磨剂，从而将应形成所述陶瓷坯体的所述外部电极的面加以粗面化的工序；

就所述陶瓷坯体而言，所述外部电极的所述前端部所接合的区域的十点平均粗糙度Rz1、与所述陶瓷坯体的表面的没有形成所述外部电极的区域的十点平均粗糙度Rz2的关系满足下述要件：

Rz1＞Rz2、

Rz1＞3.3μm、

Rz2＜3.2μm。

发明效果

本发明的芯片型陶瓷电子部件是具备陶瓷坯体、和外部电极的芯片型陶瓷电子部件，所述外部电极按照从陶瓷坯体的端面或侧面中的一个面越过棱线部而蔓延至其他的面的方式加以配设、且蔓延至其他的面的部分的至少前端部由含有树脂和导电成分的树脂电极构成，其中，外部电极的由树脂电极构成的前端与陶瓷坯体接合，并且陶瓷坯体的表面的上述前端部所接合的区域的十点平均粗糙度Rz1与没有形成外部电极的区域的十点平均粗糙度Rz2满足Rz1＞Rz2、Rz1＞3.3μm和Rz2＜3.2μm的要件，因此能够抑制在构成外部电极的树脂电极的、蔓延至陶瓷坯体的其他的面的部分的至少前端部中发生剥离，可提供可靠性高的芯片型陶瓷电子部件。

即，在外部电极的前端部所接合的区域的十点平均粗糙度Rz1、与没有形成外部电极的区域的十点平均粗糙度Rz2的关系，满足Rz1＞Rz2、Rz1＞3.3μm和Rz2＜3.2μm的要件的情况下，构成外部电极的树脂电极的至少前端部形成在与没有形成外部电极的区域相比表面加以粗面化后的区域，因此，在前端部构成外部电极的树脂电极材料，进入到陶瓷坯体的经粗面化后的表面的凹凸中而进行卡合，通过该锚固效应将构成外部电极的树脂电极的至少前端部牢固地接合于陶瓷坯体，例如在浸焊工序等中，即便暴露在高温的情况下，也能够防止构成外部电极的树脂电极的前端部从陶瓷坯体剥离，可提供耐基板弯曲特性也优异、并且陶瓷坯体的表面的没有外部电极的区域平滑且吸引拾取特性良好的可靠性高的芯片型陶瓷电子部件。

需说明的是，外部电极的至少前端部，在是由含有树脂和导电成分的电极材料构成的树脂电极的情况下、在没有将接合面加以粗面化的情况下，容易从前端部发生剥离，但是根据本发明，构成外部电极的树脂电极的至少前端部，与相较没有形成外部电极的区域而被加以粗面化后的区域接合，因此，能够可靠地防止和抑制构成外部电极的树脂电极的前端部从陶瓷坯体剥离。

另外，本发明在用于如下所述的芯片型陶瓷电子部件时，也能够确实地抑制、防止构成外部电极的树脂电极从陶瓷坯体剥离，提供可靠性高的芯片型陶瓷电子部件，所述芯片型陶瓷电子部件是陶瓷坯体具备内部电极，并且内部电极被引出到陶瓷坯体的固定的面，外部电极从陶瓷坯体的引出了内部电极的面越过棱线部而蔓延至其他的面而形成。

另外，根据本发明，使外部电极形成具备与陶瓷坯体的表面接合的下层电极、和以覆盖下层电极的方式加以配设且蔓延至上述其他的面的部分的至少前端部与陶瓷坯体的表面接合的上层电极的构成，并且，在将上层电极设为树脂电极的情况下，均能够抑制、防止构成外部电极的树脂电极(上层电极)的边缘部从陶瓷坯体剥离，可提供可靠性高的芯片型陶瓷电子部件。

另外，上层电极覆盖下层电极的整体，并且上层电极的边缘部的整体到达与下层电极的边缘部相比更靠外侧的区域，形成直接与陶瓷坯体的表面接合的构成，从而可以可靠地抑制、防止构成外部电极的树脂电极从陶瓷坯体剥离，可提供可靠性高的芯片型陶瓷电子部件。

另外，在将本发明用于如下所述的芯片型陶瓷电子部件时，也能够可靠地抑制、防止构成外部电极的树脂电极从陶瓷坯体剥离，从而提供可靠性高的芯片型陶瓷电子部件。所述芯片型陶瓷电子部件是陶瓷坯体具备内部电极，并且内部电极被从陶瓷坯体的规定的面引出，外部电极从陶瓷坯体的引出了内部电极的面越过棱线部而形成至其他的面。

另外，陶瓷坯体具备多个内部电极，规定的内部电极露出于陶瓷坯体的相对置的2个端面中的任一面，在端面形成有下层电极，由树脂电极构成的上层电极覆盖下层电极，并且越过棱线部而蔓延至陶瓷坯体的侧面，蔓延至侧面的部分的至少前端部直接与陶瓷坯体接合，在上述构成的情况下，能够抑制、防止在陶瓷坯体的两端部具备外部电极的、通常的层叠陶瓷电容器等芯片型陶瓷电子部件中外部电极的剥离，从而提供可靠性高的芯片型陶瓷电子部件。

另外，作为下层电极，通过使用通过将含有金属粉末、玻璃粉末、有机粘合剂和有机溶剂的导电性糊料烧成而形成的烧结电极、或通过镀敷而形成的镀敷电极，从而可提供：具备高导通可靠性的外部电极并且在浸焊工序等中不会引起外部电极的剥离的、可靠性高的芯片型陶瓷电子部件。

另外，通过在外部电极的表面形成(a)含有由镀Ni膜形成的第1镀敷膜层和形成于其上的由镀Sn膜形成的第2镀敷膜层的镀敷膜层、或(b)含有由镀Ni膜形成的第1镀敷膜层和形成于其上的由镀Pb膜形成的第2镀敷膜层的镀敷膜层，从而能够提高外部电极的浸焊性，使本发明进一步发挥实效。

另外，就本发明的芯片型陶瓷电子部件的制造方法而言，通过将陶瓷坯体与含有研磨介质的浆料一起搅拌，从而对陶瓷坯体的表面整体进行研磨后，将陶瓷坯体的表面的、没有形成外部电极的区域掩蔽，对露出的区域喷射研磨剂，从而对陶瓷坯体的应该形成外部电极的面进行粗面加工，因此，可以可靠且高效地形成外部电极的前端部所接合的区域的十点平均粗糙度Rz1、与陶瓷坯体的表面的没有形成外部电极的区域的十点平均粗糙度Rz2的关系满足Rz1＞Rz2、Rz1＞3.3μm和Rz2＜3.2μm的要件的陶瓷坯体。

因而，可提供能够防止外部电极的剥离、且耐基板弯曲特性也优异的、可靠性高的芯片型陶瓷电子部件。

需说明的是，在本发明中，作为通过将陶瓷坯体与含有研磨介质的浆料一起搅拌而对陶瓷坯体的表面整体加以研磨的方法而言，例如可举出滚磨的方法。

附图说明

图1是表示本发明的一实施例(实施例1)所述的芯片型电子部件的主视剖面图。

图2是表示本发明的一实施例(实施例1)所述的芯片型电子部件的立体图。

图3是说明制造本发明的一实施例(实施例1)所述的芯片型电子部件的方法的图，且是表示在进行陶瓷坯体的局部粗面化处理的过程时将陶瓷坯体保持于保持板的状态的图。

图4是说明制造本发明的一实施例(实施例1)所述的芯片型电子部件的方法的图，且是表示对陶瓷坯体喷射研磨剂而进行局部粗面化处理的方法的图。

图5是表示比较例2的试样(层叠陶瓷电容器)的图。

图6是表示本发明的其他的实施例(实施例2)所述的芯片型陶瓷电子部件的主视剖面图。

图7是表示本发明的其他的实施例(实施例3)所述的芯片型陶瓷电子部件的主视剖面图。

具体实施方式

以下示出本发明的实施方式，进一步详细地说明本发明的特征。

实施例1

[1]芯片型陶瓷电子部件的制作

在本实施例中，作为芯片型陶瓷电子部件，制作了具有如图1和图2所示的结构的层叠陶瓷电容器。如图1和图2所示，该层叠陶瓷电容器具有具备端面4a、4b、侧面14a、14b、14c、14d的长方体形状，并且具备具有陶瓷层2和内部电极3a、3b的陶瓷层叠体(陶瓷坯体)1、以及以与内部电极3a、3b导通的方式配设的外部电极10a、10b。

另外，外部电极10a、10b按照从陶瓷坯体1的两侧的端面4a、4b，越过棱线部，而蔓延至其他的面的方式加以配设，即，在本实施例中以蔓延至4个侧面14a、4b、4c、4d的方式加以配设。

另外，外部电极10a、10b具备：通过涂布导电糊料而进行烧结而形成的下层电极(烧结电极)5a、5b，和以覆盖下层电极5a、5b的方式加以配设的由树脂电极构成的上层电极6a、6b。

进而，在该实施例的层叠陶瓷电容器中，虽然在图1、图2中未示出，但是在构成外部电极10a、10b的上层电极(树脂电极)6a、6b上形成有镀Ni膜来作为第1镀敷膜层，进而在镀Ni膜上形成镀Sn膜来作为第2镀敷膜层。

在该实施例中，形成了镀Sn膜来作为第2镀敷膜层，但是也可以代替镀Sn膜而形成镀Pb膜来作为第2镀敷膜层。

接下来，对于上述层叠陶瓷电容器的制造方法进行说明。

(1)陶瓷坯体的制作

首先，制作了在内部配设有多个内部电极的、长3.2mm、宽1.6mm、厚1.6mm的电容器部件(陶瓷坯体)1(参照图1、图2)。需说明的是，陶瓷坯体例如可利用将涂布有内部电极形成用的导电性糊料的陶瓷生片层叠、压接、切割后而进行烧成的方法等公知的各种方法加以制作。

(2)陶瓷坯体的整个面的研磨

然后，将陶瓷坯体1000个投入到直径200mm、轴方向的长度250mm的釜(桶)中，同时加入500g的氧化铝粉A-43L(D50＝1.5μm、(株)昭和电工制)和纯水2000g，在60rpm的转速下改变处理时间，而使釜旋转，从而进行研磨(滚磨)，对陶瓷坯体的整个面进行研磨。然后，进行纯水清洗，然后将研磨了整个面后的陶瓷坯体分离，干燥。

(3)基于研磨材料喷射的陶瓷坯体的局部粗面化处理

如图3所示，将整个面经研磨后的陶瓷坯体1以陶瓷坯体1的两端部突出约500μm的方式插入到进行保持的保持板11的保持孔12中而加以保持。

然后，如图4所示出的俯视的概要图所示，使保持陶瓷坯体1的保持板11沿着规定方向运送，并且沿着运送方向，使用在保持板11的两侧各4个位置、总计8个位置具有喷射口13的喷雾喷射机14，对由保持板11所保持的陶瓷坯体1喷射粉碎氧化铝粉A-12C(D50＝84μm、(株)昭和电工制)。需说明的是，将喷射粉碎氧化铝粉的喷雾喷射机14的喷射口(喷嘴径)设为将喷射量设为每1喷射口为10.0g/s，改变陶瓷坯体1的运送时间(在被喷射粉碎氧化铝粉的区域中的滞留时间)，从而改变粗面化处理的时间，进行粗面化处理。

需说明的是，在该实施例中，为了得到陶瓷坯体1的表面的、包括构成外部电极10a、10b的树脂电极6a、6b的前端部所接合的区域A的、形成有外部电极10a、10b的区域的十点平均粗糙度Rz1，与陶瓷坯体1的表面的没有形成外部电极的区域B的十点平均粗糙度Rz2的关系满足Rz1＞Rz2、Rz1＞3.3μm和Rz2＜3.2μm的要件的试样以及不满足该要件的试样，从而调整利用滚磨的整面研磨的时间、和利用氧化铝粉喷射的粗面化处理的时间。

利用滚磨进行的整面研磨的时间和利用氧化铝粉喷射的粗面化处理的时间的组合关系示于表1。

[表1]

(4)下层电极(底层导体层)的形成

将表2示出的组成的导电性糊料以300μm的厚度刮浆(squeegee)在工作台上，将由上述得到的粗面化处理后的陶瓷坯体的一侧端面浸渍于该导电性糊料中，在陶瓷坯体的一侧端面涂布导电性糊料。而且，在120℃下进行15min的干燥。

然后，在相同的方法和条件下在陶瓷坯体的其他侧端面也进行导电性糊料的涂布和干燥。

然后，将在两端面涂布有导电性糊料的陶瓷坯体1在峰值温度750℃下进行热处理而形成了下层电极。

[表2]

成分	含有比例(重量％)
		甲基丙烯酸树脂	5
丙烯酸树脂	5
		乙二醇单丁醚	5
萜品醇	15
		玻璃粉末	5
铜粉A(球状)	20
		铜粉B(扁平状)	45

(5)上层电极(导电性树脂层)的形成

首先，按照以下的顺序，制作了上层电极形成用的树脂电极糊料(导电性树脂组合物)。

将双酚A型环氧树脂(环氧当量1470g/eq)和酚醛清漆型苯酚树脂(羟基当量105g/eq)以当量配合而成的热固化型导电性树脂组合物(参照表3)利用小型混合器混合后，进一步利用三联辊(three-axis roll)进行混炼。

[表3]

成分	含有比例(重量％)
		双酚A型环氧树脂	14
酚醛清漆型苯酚树脂	1
		咪唑	1
银粉A(球状)	24
		银粉B(扁平状)	40
二甘醇单丁醚	20

然后，使用高沸点溶剂将粘度调整至25±2Pa·s(E型粘度计1rpm时)。

将如此地调整了粘度后的树脂电极糊料(导电性树脂组合物)以500μm的厚度刮浆于工作台上，将如上所述地形成有下层电极的陶瓷坯体1的一侧端面浸渍在该树脂电极糊料中，于一侧端面涂布树脂电极糊料。此时，将陶瓷坯体1向树脂电极层的冲入速度设为0.2mm/s、提拉速度设为3.0mm/s、下死点保持时间设为1.5s。

然后，在150℃下进行15min的干燥，使所涂布的树脂电极糊料干燥。

接着，对于陶瓷坯体的其他侧端面也在相同的方法和条件下涂布树脂电极糊料并使其干燥。

然后，在两端面涂布树脂电极糊料，将进行了干燥后的陶瓷坯体1在大气气氛中在峰值温度200℃下保持2小时，使树脂电极糊料进行热固化，从而形成了上层电极。

(6)镀敷膜的形成

通过湿式滚电镀(wet barrel electroplating)的方法，在如上所述形成的上层电极的表面形成了镀敷膜。

在该实施例中，在上层电极的表面形成厚约3.5±1.5μm的镀Ni膜来作为第1镀敷膜层，并且形成厚约3.5±1.5μm的镀Sn膜来作为第2镀敷膜层。

由此，得到具有如图1和图2所示的结构的层叠陶瓷电容器(表4的试样编号1～18的试样)。

(7)作为比较例的试样(层叠陶瓷电容器)的制作

(a)比较例1的试样

为了比较，仅进行陶瓷坯体的整面研磨45min而没有进行利用研磨材料喷射的单元的局部粗面化处理，除此以外，利用与上述实施例1的情况相同的方法和条件，制作了比较例1的试样(表4的试样编号19的试样)(层叠陶瓷电容器)。就该比较例1的试样而言，陶瓷坯体的没有形成外部电极的区域的表面粗糙度、与形成有外部电极的区域的表面粗糙度相同，即，是陶瓷坯体的整个表面的粗糙度均匀的试样。

(b)比较例2的试样

图5是表示比较例2的试样(层叠陶瓷电容器)的图。该比较例2的试样与比较例1的情况相同，陶瓷坯体的没有形成外部电极的区域的表面粗糙度、与形成有外部电极的区域的表面粗糙度相同，是具备下层电极和上层电极的层叠陶瓷电容器，但是如图5所示，作为树脂电极的上层电极6a(6b)没有到达下层电极5a(5b)的端缘部(前端部)，是上层电极6a(6b)的前端部没有与陶瓷坯体1接合的结构的层叠陶瓷电容器。需说明的是，该比较例2的层叠陶瓷电容器是具有与专利文献2(日本特开2008-71926号)的陶瓷电子部件相同的结构的层叠陶瓷电容器。需说明的是，在图5中，与图1施用了相同符号的部分表示相同或相当的部分。

在制作该比较例2的层叠陶瓷电容器的过程中，与上述比较例1中所使用的陶瓷坯体相同，使用了仅进行了陶瓷坯体的整面研磨45min而没进行利用研磨材料喷射的单元的局部粗面化处理的陶瓷坯体。而且，将表2所示的导电性糊料以600μm厚度刮浆于工作台上，将陶瓷坯体的一侧端面浸渍在该导电性糊料中，在一侧端面涂布导电性糊料，干燥后，在其他侧端面也涂布导电性糊料。然后，对涂布有导电性糊料的陶瓷坯体1进行烧成热处理，形成了下层电极。

进而，将与在上述实施例1中所用的树脂电极糊料相同的树脂电极糊料以400μm厚度刮浆在工作台上，浸渍陶瓷坯体的端部，在下层电极上涂布树脂电极糊料，使其固化而形成上层电极，从而得到如图5所示的、具有上层电极6a(6b)没有到达下层电极5a(5b)的端缘部(前端部)的结构的、比较例2的试样(表4的试样编号20的试样)(层叠陶瓷电容器)。需说明的是，其他的条件与制造上述实施例1的层叠陶瓷电容器的情况相同。

[2]特性的评价

(1)有无外部电极的蔓延的前端部的剥离

将如上所述制作而得的试样(层叠陶瓷电容器)浸渍在加温至280℃的Sn-3.0Ag-0.5Cu焊料浴(M705、千住金属工业(株)制)中20s。

将浸渍结束后的试样加以树脂固定，进行DPA(破坏性物理解析)。具体而言，通过用200倍的实体显微镜进行观察，从而考察有无从陶瓷坯体1的、端面4a、4b越过棱线部而蔓延至侧面14a、14b、14c、14d的部分的前端部中的上层电极(上层电极)6a、6b的剥离。

(2)拾取试验

对于所制作的各试样，进行使用了自动安装机的基于空气吸附的拾取试验，计数产生了保持不良(试样的下落)的试样数，算出下落不良率(n＝200)。

(3)基板弯曲试验(弯曲界限试验)

对所制作的各试样按照耐印刷板弯曲性试验(JIS C5101-1、4.35项)而实施了弯曲界限试验(容量法)。

具体而言，使用焊料Sn-3.0Ag-0.5Cu，将各试样(层叠陶瓷电容器)在回流峰值温度270℃的条件下安装于玻璃环氧基板(特性F)上的40mm×100mm×1.6mm(厚度)的铜连接盘(copper land)，使安装有试样的基板在基板弯曲速度1mm/s的条件下弯曲，考察8mm弯曲时的不良发生率(n＝20)。就不良发生率而言，在上述试验中，将容量变化率达到了±10％的试样判断为不良，求出相对于试样数的比例(％)，作为不良发生率。

上述的特性的测定结果示于表4。

需说明的是，表4中合并表示：

(a)进行陶瓷坯体的整面研磨的时间、

(b)进行利用研磨材料喷射的单元的局部粗面化处理的时间、

(c)陶瓷坯体的、构成外部电极10a、10b的树脂电极6a、6b的前端部所接合的区域A的十点平均粗糙度Rz1、

(d)陶瓷坯体1的表面的没有形成外部电极的区域B的十点平均粗糙度Rz2。

[表4]

如表4所示，在为满足Rz1＞Rz2且Rz1＞3.3μm的要件的本发明的实施例所述的试样(试样编号3～5、9、10、12～15的试样)的情况下，确认了能够抑制从陶瓷坯体中的上层电极的蔓延前端部的剥离。这是由于形成有外部电极的区域的表面被加以粗面化，因此，通过锚固效应而提高了上层电极(导电性树脂)与陶瓷坯体的物理性密合强度的缘故。

另外，在满足上述要件的本发明的实施例所述的试样的情况下，没有形成外部电极的区域的平滑度高，因此没有发现利用空气吸附而进行的拾取时的脱落。这是由于提高了陶瓷坯体的表面的平滑性，抑制了拾取时的空气泄露，提高了吸附力的缘故。

另外，在满足上述要件的本发明的实施例所述的试样的情况下，对于耐基板弯曲界限试验，也没有发现不良的发生。

另一方面，在不满足Rz1＞Rz2且Rz1＞3.3μm的要件的试样(对试样编号施用了＊标记的试样)的情况下，如表4所示，确认发生了外部电极的蔓延前端部剥离、或拾取试验中的脱落中的任一种不合格情况。

但是，在不满足要件的(对试样编号施用了＊标记的试样)的情况下，在耐基板弯曲界限试验中也没有发现不良的发生。

另外，在仅进行陶瓷坯体的整面研磨而没有进行局部粗面化处理的比较例1的试样(试样编号19的试样)的情况下，发现以75％这样特别高的比例发生了外部电极的蔓延前端部的剥离。这是由于没有进行局部粗面化处理，因此无法获得锚固效应的缘故。

另外，在作为树脂电极的上层电极形成到与下层电极的前端部相比而言后面的位置、且具有上层电极的蔓延前端部没有与陶瓷坯体接合的结构的比较例2的试样(试样编号20的试样)的情况下，确认了耐基板弯曲试验中的不良发生率高，为50％。可推测为这是由于上层电极没有完全覆盖在下层电极上，因此在弹性模量高的下层电极中集中了应力的缘故。

实施例2

图6是表示本发明的其他的实施例(实施例2)所述的芯片型陶瓷电子部件(层叠陶瓷电容器)的立体图。就该层叠陶瓷电容器而言，外部电极10a、10b不具备实施例1中的底层电极，而形成仅由树脂电极6a、6b构成的1层结构。但是，在该实施例的芯片型陶瓷电子部件的情况下，还具备与上述实施例1的情况相同的第1镀敷膜层和第2镀敷膜层。

需说明的是，该芯片型陶瓷电子部件利用以下的方法来制作。

首先，准备与实施例1相同的陶瓷坯体，在

(1)利用使用了氧化铝浆料的滚磨而进行的整面研磨时间为15min、

(2)利用粉碎氧化铝粉的喷射而进行的局部粗面化处理的时间为15min

的条件下，进行了整面研磨和局部粗面化处理。

然后，与实施例1的情况不同，没有形成下层电极(底层导体)，而利用按照上述实施例1的情况的方法，仅形成了在实施例1中作为上层电极而形成的树脂电极，然后，利用与上述实施例1的情况相同的方法，通过在树脂电极的表面形成第1镀敷膜层(镀Ni膜)和第2镀敷膜层(镀Sn膜)，从而形成了实施例2的试样(表4的试样编号21的试样)(层叠陶瓷电容器)。需说明的是，其他的条件全部与实施例1的情况相同。

然后，对于没有设置如此地制作而得的下层电极(底层导体)的试样，与实施例1的情况相同，进行了(1)考察有无外部电极的蔓延前端部的剥离的试验、(2)拾取试验、和(3)耐基板弯曲试验各个试验，评价了特性。其结果合并示于表4。

如表4所示，如实施例2的试样(试样编号21的试样)(层叠陶瓷电容器)那样，在没有设置下层电极(底层导体)的情况下，也没有发现发生外部电极的蔓延前端部的剥离、拾取试验中的脱落、耐基板弯曲试验中的不良发生等，确认了可获得特性良好且可靠性高的层叠陶瓷电容器。

实施例3

图7是表示本发明的其他的实施例(实施例3)所述的芯片型陶瓷电子部件的立体图。

该芯片型陶瓷电子部件是4个电容器部内置于陶瓷坯体1的电容器阵列，分别将各自4个外部电极10a、10b配置于陶瓷坯体一侧端面和其他侧端面，各外部电极10a、10b按照从端面4a、4b越过棱线部而蔓延至上面15a和下面15b的方式加以配设。

而且，在该实施例3的芯片型陶瓷电子部件中，外部电极10a、10b没有特别地加以图示，但是与上述实施例1的情况相同，形成为具备下层电极、上层电极(树脂电极)、第1镀敷膜层和第2镀敷膜层的构成。

如该实施例3的、阵列型的芯片型陶瓷电子部件那样，在具有外部电极10a、10b按照从端面4a、4b蔓延至上面15a和下面15b的方式加以配设的结构的情况下，使在外部电极的蔓延前端部中上层电极所接合的陶瓷坯体的表面区域的十点平均粗糙度Rz1、与陶瓷坯体的表面的没有形成外部电极的区域的十点平均粗糙度Rz2的关系满足Rz1＞Rz2、Rz1＞3.3μm和Rz2＜3.2μm的要件，由此确认了可以得到能够抑制外部电极的蔓延前端部的剥离、拾取试验中的脱落、耐基板弯曲试验中的不良等的发生的可靠性高的芯片型陶瓷电子部件。

需说明的是，在上述实施例中，就成为树脂电极的底层的下层电极是通过涂布导电性糊料并进行烧结而形成的烧结电极的情况而言，采用例子进行了说明，但是也可以是对电极所露出的端面实施镀敷并使在内部电极的露出部分所析出的镀敷金属生长从而形成的镀敷电极。

另外，在上述实施例中，对于作为芯片型陶瓷电子部件的层叠陶瓷电容器，采用例子进行了说明，但是本发明还可用于芯片型线圈部件、芯片型LC复合部件等各种芯片型电子部件。

本发明进一步在其他的方面中也并不限定于上述实施例，有关内部电极的构成材料、陶瓷坯体的具体的形状和构成材料、用于形成上层电极的树脂电极糊料(导电性树脂组合物)所使用的导电性粉末、树脂、溶剂等的种类等及其他方面，可以在发明的范围内加以各种应用、变形。

符号的说明

1                   陶瓷层叠体(陶瓷坯体)

2                   陶瓷层

3a、3b              内部电极

4a、4b              陶瓷坯体的端面

5a、5b              下层电极(烧结电极)

6a、6b              上层电极(树脂电极)

10a、10b            外部电极

11                  保持板

12                  保持孔

13                  喷射口

14                  喷雾喷射机

14a、14b、14c、14d  陶瓷坯体的侧面

15a                 陶瓷坯体的上面

15b                 陶瓷坯体的下面

A                   陶瓷坯体的表面的配设有外部电极的区域

B                   陶瓷坯体的表面没有形成外部电极的区域

Claims (8)

1.一种芯片型陶瓷电子部件，其特征在于，

具备：

具备相对置的2个端面、和将所述2个端面间连结的4个侧面的长方体形状的陶瓷坯体，和

外部电极，所述外部电极按照从所述陶瓷坯体的、所述端面或所述侧面中的一个面越过棱线部而蔓延至其他的面的方式加以配设，且蔓延至所述其他的面的部分的至少前端部由含有树脂和导电成分的树脂电极构成；

构成所述外部电极的树脂电极的、蔓延至所述其他的面的部分的至少前端部，与所述陶瓷坯体接合，并且所述陶瓷坯体的表面的所述外部电极的所述前端部所接合的区域的十点平均粗糙度Rz1、与所述陶瓷坯体的表面的未形成所述外部电极的区域的十点平均粗糙度Rz2的关系满足如下要件：

Rz1＞Rz2、

Rz1＞3.3μm、

Rz2＜3.2μm。

2.根据权利要求1所述的芯片型陶瓷电子部件，其特征在于，

所述陶瓷坯体具备内部电极，并且所述内部电极被引出到所述陶瓷坯体的规定的面，

所述外部电极按照从所述陶瓷坯体的引出了所述内部电极的面越过棱线部蔓延至其他的面的方式而形成。

3.根据权利要求1或2所述的芯片型陶瓷电子部件，其特征在于，

所述外部电极具备：

与所述陶瓷坯体的表面接合的下层电极，和

上层电极，所述上层电极以覆盖所述下层电极的方式加以配设，且蔓延至所述其他的面的部分的至少所述前端部与所述陶瓷坯体的表面接合；

所述上层电极是所述树脂电极。

4.根据权利要求3所述的芯片型陶瓷电子部件，其特征在于，

所述上层电极覆盖所述下层电极的整体，并且所述上层电极的边缘部的整体，到达比所述下层电极的边缘部靠近外侧的区域，直接接合于所述陶瓷坯体的表面。

5.根据权利要求3或4所述的芯片型陶瓷电子部件，其特征在于，

所述陶瓷坯体具备多个所述内部电极，并且规定的所述内部电极在所述陶瓷坯体的相对置的2个端面中的任一面露出，在所述端面形成有所述下层电极，由所述树脂电极构成的所述上层电极覆盖所述下层电极并且越过棱线部而蔓延至所述陶瓷坯体的所述侧面，蔓延至所述侧面的部分的至少前端部直接与所述陶瓷坯体接合。

6.根据权利要求3～5中任一项所述的芯片型陶瓷电子部件，其特征在于，

所述下层电极是通过对含有金属粉末、玻璃粉末、有机粘合剂和有机溶剂的导电性糊料进行烧成而形成的烧结电极、或通过镀敷而形成的镀敷电极。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的芯片型陶瓷电子部件，其特征在于，

作为用于提高所述外部电极的表面的浸焊性的镀敷膜层，形成有

(a)含有由镀Ni膜形成的第1镀敷膜层和形成于其上的由镀Sn膜形成的第2镀敷膜层的镀敷膜层，或

(b)含有由镀Ni膜形成的第1镀敷膜层和形成于其上的由镀Pb膜形成的第2镀敷膜层的镀敷膜层

中的任一镀敷膜层。

8.一种芯片型陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，是用于制造权利要求1～7中任一项所述的芯片型陶瓷电子部件的方法，

作为用于形成所述陶瓷坯体的工序，具备：

通过将所述陶瓷坯体与含有研磨介质的浆料一起搅拌，从而对所述陶瓷坯体的表面整体进行研磨的工序，和

将在所述工序中进行了研磨后的所述陶瓷坯体的表面的、未形成所述外部电极的区域加以掩蔽，通过对露出的区域喷射研磨剂，从而将所述陶瓷坯体的应该形成所述外部电极的面加以粗面化的工序；

就所述陶瓷坯体而言，所述外部电极的所述前端部所接合的区域的十点平均粗糙度Rz1、与所述陶瓷坯体的表面的未形成所述外部电极的区域的十点平均粗糙度Rz2的关系满足下述要件：

Rz1＞Rz2、

Rz1＞3.3μm、

Rz2＜3.2μm。

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