CN105765717B - 高品质因子电感和电容电路结构 - Google Patents

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Abstract

一种电路包括第一叉指电容(100)，该第一叉指电容包括耦接到第一多个叉指元件(120)的第一总线(110)以及耦接到第二多个叉指元件(115)的第二总线(105)。该第一总线平行于第二总线。该电路包括电感(500)，该电感包括第一腿部(125，515)，朝向为垂直于第一总线和第二总线。该电感的第一腿部耦接到第一总线的中心(135)。相关方法也被公开。

Description

高品质因子电感和电容电路结构
技术领域
本公开涉及半导体集成电路(IC)，更具体地涉及用于半导体IC的高品质因子电容和电感电路结构。
背景技术
现代集成电路(IC)经常要求在GHz(gigahertz)频率范围内运行。对于10GHz或者更低频率，已知多个电路结构能够提供可接受的性能。例如，已知电感-电容(LC)电路结构能够在10GHz或更低频率下以适当高的品质(Q)因子运行。这些LC电路结构均含有叉指电容。
电路的Q因子通常随着频率的增加而降低。当频率增加到高于10GHz时，传统LC电路结构的性能开始显著下降。例如，当频率从大约10GHz增加到大约32GHz时，使用叉指电容的传统LC电路结构的Q因子将可预期地降低多达67％。
用于提高在高频下的LC电路结构Q因子的技术包括增加叉指电容的总线(busline)宽度，增加叉指电容的叉指元件的宽度，或者同时采用这两种方法。然而，这些技术占用了大量面积，从而降低了IC中可用于其它电路的面积和/或增加了IC自身的尺寸。此外，增加的总线和/或叉指元件的宽度增加了LC电路结构中的寄生电容。增加的寄生电容会降低电路的调谐范围，例如那些通常依赖或者包含LC电路结构的压控振荡器和/或其它电路。
发明内容
一种电路包括第一叉指电容，该第一叉指电容包括耦接到第一多个叉指元件的第一总线以及耦接到第二多个叉指元件的第二总线。该第一总线平行于第二总线。该电路还包括电感，该电感包括第一腿部，朝向为垂直于第一总线和第二总线。该电感的第一腿部耦接到第一总线的中心。
另一种电路包括第一多个叉指电容，其中该第一多个叉指电容的每个叉指电容包括耦接到第一多个叉指元件的第一总线、以及耦接到第二多个叉指元件的且平行于第一总线的第二总线。该电路包括第二多个叉指电容，其中第二多个叉指电容的每个叉指电容包括耦接到第三多个叉指元件的第三总线、以及耦接到第四多个叉指元件的且平行于第三总线的第四总线。第三总线平行于第四总线。该电路还包括电感，该电感包括朝向为垂直于第一总线的第一腿部以及平行于第一腿部的第二腿部。该电感的第一腿部耦接到第一多个叉指电容的每个第一总线的中心。该电感的第二腿部耦接到每个第二多个叉指电容的第三总线的中心。
本申请还公开了一种相关的方法。该方法包括提供电路的第一叉指电容，其中，该第一叉指电容包括耦接到第一多个叉指元件的第一总线，以及耦接到第二多个叉指元件的第二总线。第一总线平行于第二总线。该方法还包括提供电感，该电感具有朝向为垂直于第一总线和第二总线的第一腿部。该电感的第一腿部耦接到第一总线的中心。
附图说明
图1示出了一个示例性的包括叉指电容的电路结构的框图；
图2是图1的电路结构的截面侧视图；
图3是另一个示例性的包括叉指电容的电路结构的透视图；
图4示出了一个示例性的包括叉指电容阵列的电路结构的框图；
图5示出了一个示例性的电感-电容(LC)电路结构的框图；
图6示出了一个示例性的包括叉指电容阵列的电路结构的框图；
图7示出了另一个示例性的LC电路结构的框图；
图8示出了一个示例性的生成LC电路结构的方法的流程图；
图9示出了两个不同的LC电路结构的Q因子随频率变化的曲线图。
具体实施方式
本公开包括了定义了新特征的权利要求，应当理解，说明书结合附图考虑将更好地理解本文描述的这些多个特征。出于示意的目的，本公开描述了过程、机器、制品和多个变化例。所描述的任何具体结构和功能性细节不应被解释为限制的，而仅是作为权利要求的基础，并作为代表性基础、用于教导本领域技术人员以各种方式将所描述的特征应用于任何适当的具体结构。此外，本公开中使用的术语和词句不是出于限制性的目的，而是为了提供对特征的可理解的描述。
本公开涉及半导体集成电路(IC)，更具体地涉及用于半导体IC中的高品质因子电容和电感电路结构。根据本文公开的发明方案，描述了一种电路结构，其能够在包括超过约10GHz频率的宽频率范围内提供高品质(Q)因子。对于在大约32GHz频率处或该频率附近、以及高至大约52GHz的频率，该电路结构相较于传统的电路结构可以提供更高的Q因子。
该电路结构包括电感和一个或者多个叉指电容。每个叉指电容包括第一总线和第二总线。叉指电容的叉指元件均耦接到第一总线和第二总线。电感包括耦接到一个或者多个叉指电容的腿部。更具体地，电感的腿部耦接到所使用的每个叉指电容的总线的中心。
通过将电感的腿部耦接到叉指电容的总线的中心，使得电流在每个叉指电容的中心位置从电感注入到叉指电容。结果是，与其他电路中电流从叉指电容的总线边缘注入所通过的电流路径相比，电流在叉指电容内流经的路径长度降低了近一半。缩短的电流路径长度使得电路结构的串联电阻降低，从而增加了Q因子。如本公开描述的，相比于边缘-连接的配置，在选定频率处，耦接电感腿部至总线的中心能够使电路结构的Q因子增加大约60％。
出于简洁和清晰示出的目的，附图中示出的元件不必须按照比例绘制。例如，为了清晰，一些元件的尺寸相对于其他元件是扩大的。此外，在认为适当的地方，附图标记在附图中重复使用，以标识对应的、类同的、或者近似的特征。
图1示出了一个示例性的包括叉指电容的电路结构100的框图。图1的电路被实现在一个半导体IC内，并以布图示出。如图中所示，叉指电容100包括总线105和总线110。总线105平行于总线110。总线105耦接到多个叉指元件115。叉指元件115被用竖线阴影标识。总线110耦接到多个叉指元件120。叉指元件120被用横线阴影标识。叉指元件115和叉指元件120均垂直于总线105和110。因此叉指元件115和120彼此平行。
如图1描绘的，叉指元件115的各个叉指元件与叉指元件120的各个叉指元件交替分布。更具体地，从叉指电容100的左侧至右侧，叉指元件以一种重复模式排列：叉指元件115之后是叉指元件120，该叉指元件120之后是另一个叉指元件115，该另一个叉指元件115之后是另一个叉指元件120，以此类推。
在图1中总线105和叉指元件115用不同的阴影绘出，以更清楚地示出叉指电容100的不同部分。应当理解，在一个方面，总线105和叉指元件115可以形成于半导体IC的导电层的连续部分。例如，总线105和叉指元件115可以形成于一个连续的金属部分。类似的，总线110和叉指元件120使用不同的阴影，但是可以形成于半导体IC中的例如金属的导电层的连续部分。
电感的一部分形成在叉指电容100上。电感的该部分是电感的腿部125部分。腿部125被实现在与叉指电容100不同的导电层中。在所示出的实施例中，腿部125形成于叉指电容100上方的金属层。出于示意的目的，腿部125被示出为半透明的、以更清楚地示出腿部125相对于叉指电容100的位置以及腿部125和叉指电容100之间的连接。
腿部125位于总线110的中心上方。如本文所定义的，总线的“中心”是将总线分为两个相等长度或者部分的线。至少在该实施例中，总线110的中心以及总线105的中心被用虚线135表示。虚线135将总线105、总线110和腿部125分为两部分。
腿部125通过通孔结构130耦接到叉指电容100。通孔结构130将总线110连接到腿部125。通孔结构130还被线135分为两部分，并且如同总线105和110，该通孔结构关于线135对称。在一个方面，通孔结构130被实现为单个的，较大的通孔有时被称为“沟槽”通孔。图1中的通孔130-1代表将腿部125连接到总线110的中心的沟槽通孔。在另一个实施例中，可以使用单独的标准尺寸和/或形状的通孔连接腿部125至总线110的中心。
来自腿部125的电流通过通孔结构130在总线110中心注入到总线110中。因此，电流从线135标识的中心向外流至总线110的各个端部。电流进而流过指部120。如前述，相比于如箭头150示出的从总线边缘注入电流的传统LC电路结构，该方法减少了电流流经的路径。相比于图1示出的示例性实施方式，如果在箭头150的位置，即总线110的边缘，注入电流将会导致较长的电流流经路径，更大的电阻，以及较低的Q因子。
图2是图1的电路结构的截面侧视图。图2示出沿着图1的剖面线2-2得到的视图。图2示出了用于形成叉指电容100和电感的腿部125的多个IC工艺层。如图2示出的，这些层包括绝缘层205、导电层210、绝缘层215、导电层220和另一个绝缘层225。导电层210和220可以为金属层，例如，图形化的金属层。可以在层225之上和/或层205之下包含一个或者多个额外的层，用于实现其他无源或者有源的电路结构。
在图2的实施例中，叉指电容100通过单个金属层实现，因此被实现在同一个层中。更具体的，总线105、总线110、叉指元件115和叉指元件120均被实现在导电层210中，因此位于同一个层。腿部125被实现在导电层220中。腿部125经由通孔结构130耦接到总线110。通孔结构130被实现为延伸通过绝缘层210以连接总线110至腿部125。
在图2示出的实施例中，通孔结构130实现为多个较小的通孔130-2。图2示出了偶数个通孔130-2。因此，没有一个通孔130-2被线135分为两部分。然而，整体的通孔结构130被线135分为两部分且相对于线135对称，从而近似于连接到总线110的中心。因此具体实现为通孔130-2的通孔结构130可以被认为是连接到总线110的中心。在使用奇数个通孔130-2的场合，这些通孔130-2中的一个被线135分为两部分。
图3包括叉指电容305的另一个示例性电路结构300的透视图。叉指电容305包括总线310和总线315。总线310耦接到多个叉指元件320。总线315耦接到多个叉指元件325。电感的腿部330被实现在叉指电容305上方，且连接到总线315的中心。通孔结构(在视图中被遮挡)用于连接腿部330至总线315。
图4示出了包括叉指电容阵列405的一个示例性电路结构400的框图。如本文中所使用的，术语“阵列”意思是两个或者更多所知的电路元件类型。该阵列的元件通常是互连的。在很多情形中，该阵列实现为相对于选定的轴或者原点对称。此外，阵列的每个独立元件实现为与阵列的其他电路元件相同或者等价。
叉指电容阵列405包括叉指电容410、415、420和425。在一方面，作为叉指电容阵列405的一部分，叉指电容410、415、420和425的每个可以为相同的叉指电容，即为一个“单位”。例如，叉指电容410、415、420和425是相同的，具有彼此相等的电容值或者在定义的公差范围内的电容值。在图4描绘的实施例中，叉指电容410、415、420和425中的每个都是互相对齐的。此外，叉指电容410、415、420和425的相邻电容之间保持相同的间距，例如，分隔的叉指电容410和叉指电容415的距离等于分隔的叉指电容415和叉指电容420的距离，等等。
叉指电容410、415、420和425都包括总线430和总线435。多个叉指元件都耦接到总线430和435。电感的腿部440示出为半透明的形式，以更好的表示将每个总线435的中心连接到腿部440的通孔结构445。
每一个叉指电容410、415、420和425都大体上为如图1-3所描述的。类似的，电感的腿部440通过如上所述的包括一个或者多个通孔的通孔结构耦接到叉指电容410、415、420和425的总线435。
图5示出了一个示例性的电感-电容(LC)电路结构500的框图。LC电路结构500包括一个具有一个或者多个线圈510的电感505、腿部515和腿部520。腿部515平行于腿部520。
在示出的实施例中，电感505包括单个线圈或者环。然而应当理解的是，电感505不限于示出的线圈个数。电感505可以包括一个或者多个额外的完整线圈和/或一个或者多个额外的局部线圈。此外，电感505的线圈510(或者也可能是多个线圈)的形状不限于八边形。线圈510可以为圆形、方形、椭圆形、螺旋形或者依照所使用的具体IC制造技术的限制的、类似形状。
腿部515位于叉指电容元件525上方，并且连接到叉指电容元件525。叉指电容元件525可以实现为如图1-3描述的叉指电容，或者如图4描述的叉指电容阵列。腿部515位于叉指电容元件525上方，且将叉指电容元件525分为两部分。通过通孔结构(未示出)，叉指电容元件525的每个叉指电容的一个总线的中心耦接到腿部515。如前述，将叉指电容元件525的每个叉指电容的总线连接到腿部515的通孔结构相对于每个总线的中心是对称的。
传统的LC电路结构将叉指电容阵列置于电感的腿部的侧部。参考图5，例如，传统设计将叉指电容阵列置于用虚线示出的模块530的位置。如图所示，模块530的位置完全位于腿部515的左侧，因而电流注入到总线的边缘，而不是中心。
图6示出了一个包括叉指电容阵列602和604的示例性电路结构600的框图。叉指电容阵列602包括叉指电容606、608、610和612。叉指电容606、608、610和612都包括总线614和总线616。多个叉指元件均耦接到总线614和616。电感的第一腿部618示出为半透明的形式，以更好的表示将每个总线616的中心连接到腿部618、从而在叉指电容阵列602和腿部618之间形成连接的通孔结构620。
叉指电容阵列604包括叉指电容622、624、626和628。叉指电容622、624、626和628均包括总线630和总线632。多个叉指元件耦接到总线630和632。电感的第二腿部634示出为半透明的形式，以更好的表示将每个总线630的中心联接到腿部634、从而在叉指电容阵列604和腿部634之间形成连接的通孔结构636。
叉指电容阵列602和604大体上如图4所描述。因此，每个叉指电容606、608、610、612、622、624、626和628大体上与图1-3所描述的相同。相应地，如上所述，通过通孔结构620，电感的腿部618耦接到叉指电容606、608、610和612的每个总线616的中心。类似的，大体上如所描述的，通过通孔结构636，电感的腿部634耦接到叉指电容622、624、626和628的每个总线630的中心。
图6还包括多个开关640、642、644和646。在一方面，开关640、642、644和646是可选的而不是必须被包括的。如果是那样的，每对叉指电容之间会形成断路，即叉指电容612和622之间、叉指电容610和624之间、叉指电容608和626之间、叉指电容606和628之间形成断路。
包括图6所示的开关640、642、644和646使得前述的叉指电容对能够基于对开关640、642、644和646分别编程而被连接。在一个方面，开关640、642、644和646可以使用一个或者多个本领域已知的晶体管实现。关闭开关并且连接一个叉指电容对的两个叉指电容具有增加电路结构600的电容的效果。打开开关并且在一个叉指电容对的两个叉指电容之间制造断路具有降低电路结构600的电容的效果。
通过打开和/或关闭开关640、642、644和646中特定的开关，电路600的电容可以被变化，从而允许电路600在制造之后被调整。在一个方面，通过加载比特流和/或其他配置数据至包含电路600的具体IC中，可以对开关640、642、644和646进行编程。在另一方面，可以由控制IC内其他电路产生的控制信号来控制开关640、642、644和646的一个或者多个或者全部，从而在电路结构600的运行时现场地提供对开关的动态控制。任何情形下，根据IC探测到的不同条件和/或响应于IC中的信号和/或条件，可以按照需要在现场运行中改变电路结构600的电容。
应当理解，每个叉指电容阵列602和604中选取的叉指电容的数目仅为示例目的，实际应用中可以包括更少或者更多的叉指电容。然而，对于任何一个情形，每个叉指电容阵列602和604中的叉指电容的数目可以匹配，或者相等。在这点上，所包括的开关的数目随着叉指电容阵列602和604中包括的叉指电容的数目而变化。
还应当理解，不是所有的叉指电容都需要包括开关。例如，一个或者多个叉指电容对(例如，叉指电容612和622；叉指电容610和624等)可以使用硬连线连接，而其他的叉指电容可以以可开关的方式连接。在另一方面中，所有的叉指电容对可以具有硬连线连接，从而不可开关。
图7示出了另一个示例性的LC电路结构700的框图。LC电路700包括电感705，其具有一个或者多个线圈710、腿部715和腿部720。腿部715平行于腿部720。
在示出的实施例中，电感705包括单个线圈或者环。正如结合图5所讨论的，电感705不限于所示出的线圈数目。电感705可以包括一个或者多个额外的完整线圈和/或一个或者多个额外的局部线圈。此外，电感705的线圈710(或者也可能是多个线圈)的形状不限于八边形。线圈710可以形成为圆形、方形、椭圆形、螺旋形，或者依照所使用的具体IC制备技术的限制的、类似的形状。
腿部715位于叉指电容元件725上方，且连接到叉指电容元件725。叉指电容元件725可以被实现为图1-3描述的叉指电容，或者图6描述的叉指电容阵列，例如叉指电容阵列602。因此，叉指电容元件725的每个叉指电容的一个总线的中心通过通孔结构耦接到腿部715。腿部715位于叉指电容元件725之上且将叉指电容元件725分为两部分。此外，腿部715上经由通孔结构连接至叉指电容元件725的连接点位于每个总线的中心，因而通孔结构相对于每个总线的中心是对称的。
腿部720位于叉指电容元件730上方，且连接到叉指电容元件730。叉指电容元件730可以是如图1-3描述的叉指电容，或者如图6描述的叉指电容阵列，例如叉指电容阵列604。因此，叉指电容元件730中每个叉指电容的一个总线的中心通过通孔结构耦接到腿部720。腿部720位于叉指电容元件730之上且将叉指电容元件730分为两部分。此外，腿部720上经由通孔结构连接至叉指电容元件730的连接点位于每个总线的中心，从而通孔结构相对于每个总线的中心是对称的。
电路700还包括多个开关735。开关735可以实现为如图6所描述的，更具体的，如开关640、642、644和646。因此，开关735的不同开关可以按照需要而被关闭和/或打开，以改变叉指电容元件725和730提供的电容，从而能够调整电路700。然而，在另一个方面中，正如图6所描述的，一个或者多个或者全部叉指电容对(其包括来自叉指电容元件725的一个叉指电容以及来自叉指电容元件730的一个叉指电容)可以通过硬线连接相连。
在传统的LC电路配置中，叉指电容阵列不位于电感的腿部下方。参考图7，在传统的LC电路配置中，例如，一个叉指电容阵列将全部位于腿部715的左侧，即虚线示出的模块740的位置。例如，类似的，在传统的LC电路配置中，另一叉指电容阵列将全部位于腿部715的右侧，即虚线示出的模块745的位置。位于位置740和745的每个分别的叉指电容阵列的位置使得需要边缘注入电流，从而降低了LC电路的Q因子。
图8示出了一个示例性的生成LC电路结构的方法800。更具体的，方法800提供了制造本公开所描述的LC电路结构的高层级描述。如本文所描述的LC电路结构，可以使用本领域技术人员所知的多种IC制备工艺和/或材料的任何一种来制造。
因此，在步骤805中，提供第一叉指电容。第一叉指电容包括耦接到第一多个叉指元件的第一总线和耦接到第二多个叉指元件的第二总线。第一总线平行于第二总线。在步骤810中，提供电感。电感具有朝向为垂直于第一总线和第二总线的第一腿部。第一腿部耦接到第一总线的中心。在步骤815中，第一多个叉指元件和第二多个叉指元件形成为垂直于总线。第一多个叉指元件的各个叉指元件和第二多个叉指元件的各个叉指元件交替分布。
在步骤820中，提供第二叉指电容。第二叉指电容具有耦接到第三多个叉指元件的第三总线和耦接到第四多个叉指元件的第四总线。第三总线和第四总线平行于第一总线。电感还包括平行于第一腿部的第二腿部。电感的第二腿部耦接到第三总线的中心。在步骤825中，通过使用开关可选地将第二总线连接到第四总线，可以改变电路的电容。
在另一方面，第一叉指电容被实现为第一叉指电容阵列。第一叉指电容阵列中的每个叉指电容包括如所描述的第一总线，第二总线，第一多个叉指电容和第二多个叉指电容。第一叉指电容阵列中的每个叉指电容的第一总线的中心可以连接到电感的第一腿部。
类似的，第二叉指电容被实现为第二叉指电容阵列。第二叉指电容阵列中的每个叉指电容包括如所描述的第三总线、第四总线、第三多个叉指电容和第四多个叉指电容。第二叉指电容阵列中的每个叉指电容的第三总线的中心可以连接到电感的第二腿部。
图9绘出了两种不同的LC电路结构的Q因子随频率变化的曲线图900。线条1代表传统LC电路结构中叉指电容器件的Q因子随频率变化的曲线。在传统的LC电路结构中，电感的腿部在总线的边缘或者端部连接到叉指电容。电感的每个腿部连接到一个叉指电容阵列。位于总线边缘的连接增加了电阻且降低了电路的Q因子。
线条2代表如本公开中如图7所描述的LC电路结构中的叉指电容器件的Q因子。用于生成线条2的LC电路结构将电感的每个腿部连接到叉指电容阵列的叉指电容的总线的中心，而非边缘。如图所示，在低频率以及32GHz范围附近甚至更高频率下，该配置的Q因子均超过传统LC电路结构的Q因子。
本公开涉及半导体IC，更具体地，涉及用于半导体IC的高品质因子LC电路结构。至少在一定程度上，通过在每个叉指电容的总线的中心位置连接叉指电容至电感，可以获得高品质因子。通过在总线的中心位置而非边缘连接叉指电容至电感，来自电感的电流在叉指电容的中心被注入到每个叉指电容。在总线的中心注入电流降低了电流在叉指电容内流经的路径长度，从而降低了叉指电容的串联电阻，提高了Q因子。
出于解释的目的，列举了具体的术语，以提供本文公开的多个发明概念的深入理解。然而，本文使用的术语是为解释特征的目的，而非限制性的。
例如，如本文所使用的术语“一个”或者“一”定义为一个或者多于一个。如本文所使用的“多个”定义为两个或者多于两个。如本文所使用的“另一个”定义为至少第二个或者多个。如本文所使用的“耦接”定义为没有任何中间元件的直接连接或者有一个或多个中间元件的间接连接。两个元件也可以机械耦接，电学耦接，或者通过通信通道、路径、网络、或系统通信连接。
如本文所使用的术语“和/或”是指涵盖相关联列出项的任意项和所有可能的一个或多个的组合。还应当理解，如本文所使用的术语“包括”和/或“包含”指代存在指出的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件，但是不排除存在额外的一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或他们的群组。还应当理解，虽然本文使用术语第一、第二等描述不同的元件，这些元件不应受限于这些术语，因为这些术语仅用于区分一个元件和另一个元件。
术语“如果”，取决于上下文，可以解释为表示“当…时”或者“一旦…时”或者“响应于确定”或者“响应于探测”。类似的，短语“如果确定”或者“如果检测到[一个指出的条件或者事件]”，取决于上下文，可以解释为表示“一旦确定”或者“响应于确定”或者“一旦检测到[该指出的条件或者事件]”或者“响应于检测到[该指出的条件或者事件]”。
图中的流程图和框图示出结构，功能，过程的可能实现的操作，机器，制造，和/或使用本文描述的一个或者多个特征的系统。在一些替换实施方式中，模块中指出的功能可以不按附图中指出的顺序发生。例如，取决于涉及的功能，两个顺次示出的模块可以大体上同时被执行，或者这些模块可以有时被逆序执行。
权利要求中的所有功能装置或者功能步骤元素(means or step plus functionelements)的所对应的结构，材料，动作，以及等同物意在包括任何用于执行该功能结构，材料，动作，结合如具体要求的其他所要求的元件。
一个示例性的电路包括第一叉指电容，其具有耦接到第一多个叉指元件的第一总线和耦接到第二多个叉指元件的第二总线。该第一总线平行于第二总线。该电路还包括电感，具有朝向为垂直于第一总线和第二总线的第一腿部。电感的第一腿部耦接到第一总线的中心。
一方面，第一多个叉指元件和第二多个叉指元件垂直于总线。第一多个叉指元件的各个叉指元件与第二多个叉指元件的各个叉指元件交替分布。
此外，第一总线、第二总线、第一多个叉指元件和第二多个叉指元件可以实现在同一层。因此，电感可以被至少实现于不同于第一层且平行于第一层的第二层。
电路还可以包括第二叉指电容，其具有耦接到第三多个叉指元件的第三总线和耦接到第四多个叉指元件的第四总线。该第三总线和第四总线平行于第一总线。电感的第一腿部耦接到第三总线的中心。
另一方面，电路包括第二叉指电容，其具有耦接到第三多个叉指元件的第三总线和耦接到第四多个叉指元件的第四总线。该第三总线和第四总线平行于第一总线。电感可以包括平行于第一腿部的第二腿部，其中电感的第二腿部耦接到第三总线的中心。电路还包括第一开关，配置成可选地连接第二总线至第四总线。
另一方面，当第二叉指电容耦接到电感的第二腿部时，电路可以包括第三叉指电容，其具有耦接到第五多个叉指元件的第五总线和耦接到第六多个叉指元件的第六总线。该第五总线和第六总线平行于第一总线。电感的第一腿部耦接到第五总线的中心。电路还包括第四叉指电容，其具有耦接到第七多个叉指元件的第七总线和耦接到第八多个叉指元件的第八总线。该第七总线和第八总线平行于第一总线。电感的第二腿部耦接到第七总线的中心。电路还包括第二开关，并被配置成可选地连接第六总线至第八总线。
另一个示例性的电路包括第一多个叉指电容，其中该第一多个叉指电容的每个叉指电容包括耦接到第一多个叉指元件的第一总线和耦接到第二多个叉指元件的第二总线，第一总线平行于第二总线。该电路包括第二多个叉指电容，其中该第二多个叉指电容的每个叉指电容包括耦接到第三多个叉指元件的第三总线和耦接到第四多个叉指元件的第四总线，第三总线平行于第四总线。第三总线平行于第一总线。该电路还包括电感，其具有朝向为垂直于第一总线的第一腿部和平行于第一腿部的第二腿部。电感的第一腿部耦接到第一多个叉指电容的每个第一总线的中心。电感的第二腿部耦接到第二多个叉指电容的每个第三总线的中心。
该电路还包括多个开关。每个开关可以分别配置成连接第二总线至第四总线。
一个示例性的方法包括提供一个电路的第一叉指电容，其中第一叉指电容包括耦接到第一多个叉指元件的第一总线和耦接到第二多个叉指元件的第二总线。该第一总线平行于第二总线。该方法还包括提供电感，该电感有朝向为垂直于第一总线和第二总线的第一腿部。电感的第一腿部耦接到第一总线的中心。
一方面，第一多个叉指元件和第二多个叉指元件垂直于总线。第一多个叉指元件的各个叉指元件与第二多个叉指元件的各个叉指元件交替分布。
该方法还包括将第一总线、第二总线、第一多个叉指元件和第二多个叉指元件分布在同一层。该方法还包括将电感分布在不同于第一层且平行于第一层的至少第二层。
另一方面，该方法可以包括提供第二叉指电容，其具有耦接到第三多个叉指元件的第三总线和耦接到第四多个叉指元件的第四总线。该第三总线和第四总线平行于第一总线。电感的第一腿部耦接到第三总线的中心。
另一方面，该方法可以包括提供第二叉指电容，其具有耦接到第三多个叉指元件的第三总线和耦接到第四多个叉指元件的第四总线。该第三总线和第四总线平行于第一总线。电感可以包括平行于第一腿部的第二腿部。电感的第二腿部耦接到第三总线的中心。
该方法还可以包括：通过使用第一开关可选地连接第二总线至第四总线，来改变电路的电容。
另一方面，当第二叉指电容耦接到电感的第二腿部时，该方法可以包括提供第三叉指电容，其具有耦接到第五多个叉指元件的第五总线和耦接到第六多个叉指元件的第六总线。该第五总线和第六总线平行于第一总线。电感的第一腿部耦接到第五总线的中心。该方法还可以包括提供第四叉指电容，其具有耦接到第七多个叉指元件的第七总线和耦接到第八多个叉指元件的第八总线。该第七总线和第八总线平行于第一总线。电感的第二腿部耦接到第七总线的中心。
该方法还可以包括：通过使用第二开关可选地连接第六总线至第八总线，来改变电路的电容。
在不偏离本发明精神或者实质特性情况下，本说明书公开的特征可以以其他形式具体化。因此，为表明这些特征和实施方式的范围，应当参照所附的权利要求，而非参照前述说明书。

Claims (15)

1.一种电路，其特征在于，包括：
第一叉指电容，包括耦接到第一多个叉指元件的第一总线，以及耦接到第二多个叉指元件的第二总线；
其中，所述第一总线平行于所述第二总线；以及
电感，包括第一腿部，其朝向为垂直于所述第一总线和所述第二总线；
其中，所述第一腿部被实现在所述第一叉指电容上方的导电层中；
第一通孔结构，所述第一通孔结构耦接在所述第一腿部和所述第一总线之间；
其中，所述电感的第一腿部将所述第一叉指电容分为两部分，并且通过所述第一通孔结构耦接到所述第一总线的中心；
第二叉指电容，包括耦接到第三多个叉指元件的第三总线，以及耦接到第四多个叉指元件的第四总线；
其中，所述第三总线和所述第四总线平行于所述第一总线；
第二通孔结构，所述第二通孔结构耦接在所述第一腿部和所述第三总线之间；
其中，所述电感的第一腿部将所述第二叉指电容分为两部分，并且通过所述第二通孔结构耦接到所述第三总线的中心；以及
其中，所述第一通孔结构关于位于所述第一总线的中心处的线对称布置，所述位于所述第一总线的中心处的线垂直于所述第一总线。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，
所述第一多个叉指元件和所述第二多个叉指元件垂直于所述第一总线和所述第二总线；以及
所述第一多个叉指元件的各个叉指元件与所述第二多个叉指元件的各个叉指元件交替分布。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一总线、所述第二总线、所述第一多个叉指元件以及所述第二多个叉指元件被实现在第一层中。
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述电感至少被实现在第二层中，所述第二层不同于所述第一层且平行于所述第一层。
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述导电层位于所述第二叉指电容上方。
6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：
第三叉指电容，包括耦接到第五多个叉指元件的第五总线，以及耦接到第六多个叉指元件的第六总线；
其中，所述第五总线和所述第六总线平行于所述第一总线；
其中，所述电感包括平行于所述第一腿部的第二腿部；
其中，所述第二腿部被实现在所述导电层中，并且位于所述第三叉指电容上方；以及
其中，所述电感的第二腿部将所述第三叉指电容分为两部分，并且通过第三通孔结构耦接到所述第五总线的中心。
7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，还包括：
第一开关，配置成可选地连接所述第二总线至所述第六总线。
8.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，还包括：
第四叉指电容，包括耦接到第七多个叉指元件的第七总线，以及耦接到第八多个叉指元件的第八总线；
其中，所述第七总线和所述第八总线平行于所述第一总线；
其中，所述导电层位于所述第四叉指电容上方；以及
其中，所述电感的第二腿部将所述第四叉指电容分为两部分，并且通过第四通孔结构耦接到所述第七总线的中心。
9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，还包括：
第二开关，配置成可选地连接所述第四总线至所述第八总线。
10.一种方法，其特征在于，包括：
提供电路的第一叉指电容；
其中，所述第一叉指电容包括耦接到第一多个叉指元件的第一总线，以及耦接到第二多个叉指元件的第二总线；
其中，所述第一总线平行于所述第二总线；以及
提供电感，所述电感包括朝向为垂直于所述第一总线和所述第二总线的第一腿部；
其中，所述第一腿部被实现在所述第一叉指电容上方的导电层中；以及
将第一通孔结构耦接在所述第一腿部和所述第一总线之间；
其中，所述电感的第一腿部将所述第一叉指电容分为两部分，并且通过所述第一通孔结构耦接到所述第一总线的中心；
提供第二叉指电容，所述第二叉指电容包括耦接到第三多个叉指元件的第三总线，以及耦接到第四多个叉指元件的第四总线；
其中，所述第三总线和所述第四总线平行于所述第一总线；
将第二通孔结构耦接在所述第一腿部和所述第三总线之间；
其中，所述电感的第一腿部将所述第二叉指电容分为两部分，并且通过所述第二通孔结构耦接到所述第三总线的中心；
其中，所述第一通孔结构关于位于所述第一总线的中心处的线对称布置，所述位于所述第一总线的中心处的线垂直于所述第一总线；以及
其中，所述第二通孔结构关于位于所述第三总线的中心处的线对称分布，所述位于所述第三总线的中心处的线垂直于所述第三总线。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，
所述第一多个叉指元件和所述第二多个叉指元件垂直于所述第一和所述第二总线；以及
所述第一多个叉指元件的各个叉指元件与所述第二多个叉指元件的各个叉指元件相互交替分布。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，还包括：
将所述第一总线，所述第二总线，所述第一多个叉指元件，以及所述第二多个叉指元件实现在第一层中。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括：
将所述电感至少被实现在第二层中，所述第二层不同于所述第一层且平行于所述第一层。
14.根据权利要求10-11中任一项所述的方法，其特征在于，所述导电层位于所述第二叉指电容上方。
15.根据权利要求10-11中任一项所述的方法，其特征在于，还包括：
提供第三叉指电容，所述第三叉指电容包括耦接到第五多个叉指元件的第五总线，以及耦接到第六多个叉指元件的第六总线；
其中，所述第五总线和所述第六总线平行于所述第一总线；
其中，所述电感包括平行于所述第一腿部的第二腿部；
其中，所述第二腿部被实现在所述导电层中，且位于所述第三叉指电容上方；以及
其中，所述电感的第二腿部将所述第三叉指电容分为两部分，且通过第三通孔结构耦接到所述第五总线的中心。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI560839B (en) * 2014-04-16 2016-12-01 Realtek Semiconductor Corp Semiconductor device with inductor-capacitor resonant circuit
US9524964B2 (en) 2014-08-14 2016-12-20 Xilinx, Inc. Capacitor structure in an integrated circuit
US10026685B2 (en) * 2015-09-25 2018-07-17 Qualcomm Incorporated Metal-oxide-metal (MOM) capacitor with reduced magnetic coupling to neighboring circuit and high series resonance frequency
WO2018004563A1 (en) * 2016-06-29 2018-01-04 Intel IP Corporation High quality factor capacitor
US9948313B1 (en) * 2016-12-19 2018-04-17 Silicon Laboratories Inc. Magnetically differential loop filter capacitor elements and methods related to same
US10643985B2 (en) 2017-12-15 2020-05-05 Qualcomm Incorporated Capacitor array overlapped by on-chip inductor/transformer
US10600731B2 (en) 2018-02-20 2020-03-24 Qualcomm Incorporated Folded metal-oxide-metal capacitor overlapped by on-chip inductor/transformer
US10332885B1 (en) * 2018-05-23 2019-06-25 Xilinx, Inc. Systems and methods for providing capacitor structures in an integrated circuit

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6448873B1 (en) * 1998-01-09 2002-09-10 Texas Instruments Incorporated LC filter with suspended printed inductor and compensating interdigital capacitor
CN103050549A (zh) * 2011-10-14 2013-04-17 台湾积体电路制造股份有限公司 金属-氧化物-金属电容器结构

Family Cites Families (152)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1899176A (en) 1929-10-24 1933-02-28 Gen Electric High frquency condenser
GB1149569A (en) 1966-09-01 1969-04-23 Mini Of Technology Capacitors and methods for their manufacture
US3593319A (en) 1968-12-23 1971-07-13 Gen Electric Card-changeable capacitor read-only memory
GB1469944A (en) 1975-04-21 1977-04-06 Decca Ltd Planar capacitor
NL7609587A (nl) 1975-09-08 1977-03-10 Ncr Co Elektrisch afstembare mnos-capaciteit.
DE2548563A1 (de) 1975-10-30 1977-05-05 Licentia Gmbh Verfahren zum herstellen eines kondensators
US4249196A (en) 1978-08-21 1981-02-03 Burroughs Corporation Integrated circuit module with integral capacitor
JPS5851552Y2 (ja) 1978-10-18 1983-11-24 株式会社日立ホームテック ガス瞬間湯沸器
JPS5836723Y2 (ja) 1980-12-18 1983-08-18 丸井産業株式会社 結露防止用インサ−トの台座
US4427457A (en) 1981-04-07 1984-01-24 Oregon Graduate Center Method of making depthwise-oriented integrated circuit capacitors
US4409608A (en) 1981-04-28 1983-10-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Recessed interdigitated integrated capacitor
US4470096A (en) 1982-06-18 1984-09-04 Motorola Inc. Multilayer, fully-trimmable, film-type capacitor and method of adjustment
US4470099A (en) 1982-09-17 1984-09-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Laminated capacitor
JPS5991718U (ja) 1982-12-11 1984-06-21 株式会社村田製作所 コンデンサアレイ
US4571543A (en) 1983-03-28 1986-02-18 Southwest Medical Products, Inc. Specific material detection and measuring device
DE3326957C2 (de) 1983-07-27 1986-07-31 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Integrierte Schaltung
JPH0682783B2 (ja) 1985-03-29 1994-10-19 三菱電機株式会社 容量およびその製造方法
JPS61259560A (ja) 1985-05-14 1986-11-17 Nec Corp 半導体集積回路
JPS61263251A (ja) 1985-05-17 1986-11-21 Nec Corp 半導体装置
US4827323A (en) 1986-01-07 1989-05-02 Texas Instruments Incorporated Stacked capacitor
US4831431A (en) 1986-03-31 1989-05-16 Honeywell Inc. Capacitance stabilization
JPS6370550A (ja) 1986-09-12 1988-03-30 Nec Corp 半導体集積回路装置
JPS6370550U (zh) 1986-10-27 1988-05-12
US4878151A (en) 1987-04-10 1989-10-31 National Semiconductor Corporation Anti-parallel capacitor
US4731696A (en) 1987-05-26 1988-03-15 National Semiconductor Corporation Three plate integrated circuit capacitor
JPH0196943A (ja) 1987-10-09 1989-04-14 Toshiba Corp 半導体集積回路装置
JPH0195762U (zh) * 1987-12-18 1989-06-26
US4994688A (en) 1988-05-25 1991-02-19 Hitachi Ltd. Semiconductor device having a reference voltage generating circuit
JPH01298322A (ja) 1988-05-27 1989-12-01 Fuji Photo Film Co Ltd 交叉くし形電極対
JPH01313917A (ja) 1988-06-13 1989-12-19 Taiyo Yuden Co Ltd 積層型電子部品
JPH038360Y2 (zh) 1988-10-26 1991-02-28
US4914546A (en) 1989-02-03 1990-04-03 Micrel Incorporated Stacked multi-polysilicon layer capacitor
JPH02231755A (ja) 1989-03-03 1990-09-13 Mitsubishi Electric Corp Ｍｉｍ容量を備えたモノリシック集積回路
JPH02268439A (ja) 1989-04-10 1990-11-02 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPH02307275A (ja) 1989-05-23 1990-12-20 Seiko Epson Corp 半導体装置
US5089878A (en) 1989-06-09 1992-02-18 Lee Jaesup N Low impedance packaging
JPH0244129A (ja) 1989-06-21 1990-02-14 Mitsubishi Petrochem Co Ltd 温水式床暖房構造の施工方法
EP0412514A1 (en) 1989-08-08 1991-02-13 Nec Corporation Capacitance device
US5117114A (en) 1989-12-11 1992-05-26 The Regents Of The University Of California High resolution amorphous silicon radiation detectors
US5021920A (en) 1990-03-30 1991-06-04 Texas Instruments Incorporated Multilevel integrated circuit capacitor and method of fabrication
JPH0831392B2 (ja) 1990-04-26 1996-03-27 株式会社村田製作所 積層コンデンサ
JP2504606B2 (ja) 1990-05-18 1996-06-05 株式会社東芝 半導体記憶装置およびその製造方法
JP2590618B2 (ja) 1990-05-31 1997-03-12 松下電器産業株式会社 画像表示装置
US5005103A (en) 1990-06-05 1991-04-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing folded capacitors in semiconductor and folded capacitors fabricated thereby
JP2700959B2 (ja) 1991-02-25 1998-01-21 三菱電機株式会社 集積回路のキャパシタ
US5077225A (en) 1991-04-30 1991-12-31 Micron Technology, Inc. Process for fabricating a stacked capacitor within a monolithic integrated circuit using oxygen implantation
US5189594A (en) 1991-09-20 1993-02-23 Rohm Co., Ltd. Capacitor in a semiconductor integrated circuit and non-volatile memory using same
US5166858A (en) 1991-10-30 1992-11-24 Xilinx, Inc. Capacitor formed in three conductive layers
US5155658A (en) 1992-03-05 1992-10-13 Bell Communications Research, Inc. Crystallographically aligned ferroelectric films usable in memories and method of crystallographically aligning perovskite films
US5275974A (en) 1992-07-30 1994-01-04 Northern Telecom Limited Method of forming electrodes for trench capacitors
US5208725A (en) 1992-08-19 1993-05-04 Akcasu Osman E High capacitance structure in a semiconductor device
JPH06163820A (ja) * 1992-11-19 1994-06-10 Fujitsu Ltd モノリシックｆｅｔ増幅器の製造方法
JPH07283076A (ja) 1994-04-15 1995-10-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> キャパシタ
AUPM596394A0 (en) 1994-05-31 1994-06-23 Dyksterhuis, Francis Henry Games and puzzles
US5583359A (en) 1995-03-03 1996-12-10 Northern Telecom Limited Capacitor structure for an integrated circuit
JPH09199973A (ja) 1996-01-17 1997-07-31 Kazuhiko Yamanouchi 弾性表面波変換器
US5872697A (en) 1996-02-13 1999-02-16 International Business Machines Corporation Integrated circuit having integral decoupling capacitor
US5939766A (en) 1996-07-24 1999-08-17 Advanced Micro Devices, Inc. High quality capacitor for sub-micrometer integrated circuits
US5712813A (en) 1996-10-17 1998-01-27 Zhang; Guobiao Multi-level storage capacitor structure with improved memory density
US6064108A (en) 1997-09-02 2000-05-16 Hughes Electronics Corporation Integrated interdigitated capacitor
US6066537A (en) 1998-02-02 2000-05-23 Tritech Microelectronics, Ltd. Method for fabricating a shielded multilevel integrated circuit capacitor
JPH11274887A (ja) 1998-03-26 1999-10-08 Masao Takeuchi 弾性表面波変換器
US6037621A (en) 1998-07-29 2000-03-14 Lucent Technologies Inc. On-chip capacitor structure
US6677637B2 (en) 1999-06-11 2004-01-13 International Business Machines Corporation Intralevel decoupling capacitor, method of manufacture and testing circuit of the same
JP4446525B2 (ja) 1999-10-27 2010-04-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US6417556B1 (en) 2000-02-02 2002-07-09 Advanced Micro Devices, Inc. High K dielectric de-coupling capacitor embedded in backend interconnect
US6383858B1 (en) 2000-02-16 2002-05-07 Agere Systems Guardian Corp. Interdigitated capacitor structure for use in an integrated circuit
US6303456B1 (en) 2000-02-25 2001-10-16 International Business Machines Corporation Method for making a finger capacitor with tuneable dielectric constant
US6538282B1 (en) 2000-03-14 2003-03-25 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP2001267503A (ja) 2000-03-16 2001-09-28 Toshiba Corp キャパシタ及び集積回路
US6747307B1 (en) 2000-04-04 2004-06-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Combined transistor-capacitor structure in deep sub-micron CMOS for power amplifiers
US6297524B1 (en) 2000-04-04 2001-10-02 Philips Electronics North America Corporation Multilayer capacitor structure having an array of concentric ring-shaped plates for deep sub-micron CMOS
US6822312B2 (en) 2000-04-07 2004-11-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Interdigitated multilayer capacitor structure for deep sub-micron CMOS
US6410954B1 (en) 2000-04-10 2002-06-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multilayered capacitor structure with alternately connected concentric lines for deep sub-micron CMOS
US6570210B1 (en) 2000-06-19 2003-05-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multilayer pillar array capacitor structure for deep sub-micron CMOS
US7259945B2 (en) 2000-08-09 2007-08-21 Server Technology, Inc. Active arc-suppression circuit, system, and method of use
US6635916B2 (en) 2000-08-31 2003-10-21 Texas Instruments Incorporated On-chip capacitor
US6974744B1 (en) 2000-09-05 2005-12-13 Marvell International Ltd. Fringing capacitor structure
US6625006B1 (en) 2000-09-05 2003-09-23 Marvell International, Ltd. Fringing capacitor structure
US6690570B2 (en) 2000-09-14 2004-02-10 California Institute Of Technology Highly efficient capacitor structures with enhanced matching properties
US6385033B1 (en) 2000-09-29 2002-05-07 Intel Corporation Fingered capacitor in an integrated circuit
JP4696357B2 (ja) * 2000-12-26 2011-06-08 パナソニック株式会社 共振器
US6653681B2 (en) 2000-12-30 2003-11-25 Texas Instruments Incorporated Additional capacitance for MIM capacitors with no additional processing
US6980414B1 (en) 2004-06-16 2005-12-27 Marvell International, Ltd. Capacitor structure in a semiconductor device
JP2002261561A (ja) 2001-02-27 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd フィルタ部品
US6542351B1 (en) 2001-06-28 2003-04-01 National Semiconductor Corp. Capacitor structure
US6548400B2 (en) 2001-06-29 2003-04-15 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating interlevel connectors using only one photomask step
US6437431B1 (en) 2001-08-07 2002-08-20 Lsi Logic Corporation Die power distribution system
US6740922B2 (en) 2001-08-14 2004-05-25 Agere Systems Inc. Interdigitated capacitor and method of manufacturing thereof
ITRM20010517A1 (it) 2001-08-29 2003-02-28 Micron Technology Inc Struttura di condensatore integrato di polisilicio.
DE10145462B4 (de) 2001-09-14 2006-01-26 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zur Verringerung einer Degradation eines Feldeffekt-Transistors
US6661079B1 (en) 2002-02-20 2003-12-09 National Semiconductor Corporation Semiconductor-based spiral capacitor
US6737698B1 (en) 2002-03-11 2004-05-18 Silicon Laboratories, Inc. Shielded capacitor structure
JP2003282721A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Murata Mfg Co Ltd 半導体装置および送受信装置
JP4014432B2 (ja) 2002-03-28 2007-11-28 ユーディナデバイス株式会社 インタディジタルキャパシタ及びその容量調整方法
GB0207857D0 (en) 2002-04-05 2002-05-15 Zarlink Semiconductor Ltd Integrated circuit capacitors
DE10217565A1 (de) 2002-04-19 2003-11-13 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit integrierter gitterförmiger Kapazitätsstruktur
DE10217567A1 (de) 2002-04-19 2003-11-13 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit integrierter Kapazitätsstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung
US7271465B2 (en) 2002-04-24 2007-09-18 Qualcomm Inc. Integrated circuit with low-loss primary conductor strapped by lossy secondary conductor
TW541646B (en) 2002-07-11 2003-07-11 Acer Labs Inc Polar integrated capacitor and method of making same
DE10249192A1 (de) 2002-10-22 2004-05-13 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauelement mit integriertem passiven elektronischen Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10303738B4 (de) 2003-01-30 2007-12-27 Infineon Technologies Ag Speicherkondensator und Speicherzellenanordnung
GB2398169B (en) 2003-02-06 2006-02-22 Zarlink Semiconductor Ltd An electrical component structure
US6963122B1 (en) 2003-02-21 2005-11-08 Barcelona Design, Inc. Capacitor structure and automated design flow for incorporating same
US6819542B2 (en) 2003-03-04 2004-11-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Interdigitated capacitor structure for an integrated circuit
US6765778B1 (en) 2003-04-04 2004-07-20 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated vertical stack capacitor
US6880134B2 (en) 2003-04-09 2005-04-12 Freescale Semiconductor, Inc. Method for improving capacitor noise and mismatch constraints in a semiconductor device
US7013436B1 (en) 2003-05-25 2006-03-14 Barcelona Design, Inc. Analog circuit power distribution circuits and design methodologies for producing same
US6949781B2 (en) 2003-10-10 2005-09-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Metal-over-metal devices and the method for manufacturing same
US6972463B2 (en) 2003-10-20 2005-12-06 United Microelectronics Corp. Multi-finger transistor
US7259956B2 (en) 2003-12-19 2007-08-21 Broadcom Corporation Scalable integrated circuit high density capacitors
US7205854B2 (en) 2003-12-23 2007-04-17 Intel Corporation On-chip transistor degradation monitoring
US7282937B2 (en) 2003-12-31 2007-10-16 Intel Corporation On-chip frequency degradation compensation
US7050290B2 (en) 2004-01-30 2006-05-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated capacitor
US6933869B1 (en) 2004-03-17 2005-08-23 Altera Corporation Integrated circuits with temperature-change and threshold-voltage drift compensation
US6903918B1 (en) 2004-04-20 2005-06-07 Texas Instruments Incorporated Shielded planar capacitor
FR2870042B1 (fr) 2004-05-07 2006-09-29 St Microelectronics Sa Structure capacitive de circuit integre
US7154734B2 (en) 2004-09-20 2006-12-26 Lsi Logic Corporation Fully shielded capacitor cell structure
JP4343085B2 (ja) 2004-10-26 2009-10-14 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7009832B1 (en) 2005-03-14 2006-03-07 Broadcom Corporation High density metal-to-metal maze capacitor with optimized capacitance matching
US7202548B2 (en) 2005-09-13 2007-04-10 Via Technologies, Inc. Embedded capacitor with interdigitated structure
US7368902B2 (en) 2005-10-28 2008-05-06 International Business Machines Corporation Impedance calibration for source series terminated serial link transmitter
TWI296852B (en) 2005-12-07 2008-05-11 Winbond Electronics Corp Interdigitized capacitor
US7161228B1 (en) 2005-12-28 2007-01-09 Analog Devices, Inc. Three-dimensional integrated capacitance structure
US7645675B2 (en) 2006-01-13 2010-01-12 International Business Machines Corporation Integrated parallel plate capacitors
US20070181973A1 (en) 2006-02-06 2007-08-09 Cheng-Chou Hung Capacitor structure
TWI271754B (en) 2006-02-16 2007-01-21 Jmicron Technology Corp Three-dimensional capacitor structure
KR100876881B1 (ko) 2006-02-24 2008-12-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 패드부
US7274085B1 (en) 2006-03-09 2007-09-25 United Microelectronics Corp. Capacitor structure
JP2009540541A (ja) 2006-06-02 2009-11-19 ケネット・インコーポレーテッド 改良された金属‐絶縁体‐金属キャパシタ
US8330251B2 (en) 2006-06-26 2012-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device structure for reducing mismatch effects
US7286071B1 (en) 2006-08-14 2007-10-23 Ipo Displays Corp System for displaying images
DE102006044570A1 (de) * 2006-09-21 2008-04-03 Atmel Duisburg Gmbh Integrierte Schaltungsanordnung und integrierte Schaltung
KR100814440B1 (ko) 2006-11-29 2008-03-17 삼성전자주식회사 커패시터 구조물
US20080128857A1 (en) 2006-12-05 2008-06-05 Integrated Device Technology, Inc. Multi-Finger Capacitor
TWI320964B (en) 2006-12-29 2010-02-21 Ind Tech Res Inst Face center cube capacitor and manufacture method thereof
US7838919B2 (en) 2007-03-29 2010-11-23 Panasonic Corporation Capacitor structure
US7564264B1 (en) 2007-05-14 2009-07-21 Xilinx, Inc. Preventing transistor damage
US20090057826A1 (en) 2007-09-04 2009-03-05 Kim Sun-Oo Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof
US8169050B2 (en) 2008-06-26 2012-05-01 International Business Machines Corporation BEOL wiring structures that include an on-chip inductor and an on-chip capacitor, and design structures for a radiofrequency integrated circuit
US7906831B2 (en) 2008-09-23 2011-03-15 Infineon Technologies Ag Semiconductor device with capacitor arrangement electrically coupled to inductor coil
US8362589B2 (en) 2008-11-21 2013-01-29 Xilinx, Inc. Integrated capacitor with cabled plates
US7944732B2 (en) 2008-11-21 2011-05-17 Xilinx, Inc. Integrated capacitor with alternating layered segments
US8207592B2 (en) 2008-11-21 2012-06-26 Xilinx, Inc. Integrated capacitor with array of crosses
US7994609B2 (en) 2008-11-21 2011-08-09 Xilinx, Inc. Shielding for integrated capacitors
US7994610B1 (en) 2008-11-21 2011-08-09 Xilinx, Inc. Integrated capacitor with tartan cross section
US7956438B2 (en) 2008-11-21 2011-06-07 Xilinx, Inc. Integrated capacitor with interlinked lateral fins
US8255858B2 (en) 2008-11-26 2012-08-28 Broadcom Corporation Method for adjusting capacitance of capacitors without affecting die area
US8493708B2 (en) 2011-02-21 2013-07-23 International Business Machines Corporation Capacitor structure
US8653844B2 (en) 2011-03-07 2014-02-18 Xilinx, Inc. Calibrating device performance within an integrated circuit
US8941974B2 (en) 2011-09-09 2015-01-27 Xilinx, Inc. Interdigitated capacitor having digits of varying width
US20130140671A1 (en) * 2011-12-06 2013-06-06 Win Semiconductors Corp. Compound semiconductor integrated circuit with three-dimensionally formed components

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6448873B1 (en) * 1998-01-09 2002-09-10 Texas Instruments Incorporated LC filter with suspended printed inductor and compensating interdigital capacitor
CN103050549A (zh) * 2011-10-14 2013-04-17 台湾积体电路制造股份有限公司 金属-氧化物-金属电容器结构

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017504185A (ja) 2017-02-02
KR20160089500A (ko) 2016-07-27
CN105765717A (zh) 2016-07-13
EP3075008A1 (en) 2016-10-05
US20150145615A1 (en) 2015-05-28
JP6336071B2 (ja) 2018-06-06
EP3075008B1 (en) 2022-03-30
KR102178206B1 (ko) 2020-11-12
US9270247B2 (en) 2016-02-23
WO2015080770A1 (en) 2015-06-04

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