CN105518065A - 导电组件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于制造多层组件的方法，该方法包括将至少一个有图案的衬底施加到至少一个无图案的衬底的至少一个表面上。本发明还涉及通过所述方法可获得的多层组件并且涉及所述多层组件在各种应用中的用途。
Description
本申请要求于2013年9月6日提交的欧洲申请号13183282.6的优先权，出于所有的目的将此申请的全部内容通过引用结合在此。
技术领域
本发明涉及一种光学透明的并且导电的多层组件、涉及一种用于其制造的方法并且涉及其在各种应用中的用途。
背景技术
光学透明的并且导电的氧化物(TCO)半导体材料由于其在可见光谱中的光学透明度和高电导率的独特组合长期以来已经被视为在如平板显示器、薄膜太阳能电池以及激光和发光二极管的应用中的有前景的功能材料。
TCO半导体材料典型地是含有一种或两种金属元素的二元或三元化合物。TCO半导体材料的最具代表性实例是杂质掺杂的ZnO、In2O3、SnO2和CdO以及三元化合物，如Zn2SnO4、ZnSnO3、Zn2In2O5、Zn3In2O6、In2SnO4、CdSnO3以及由ZnO、In2O3和SnO2的组合组成的多组分氧化物。
目前，Sn掺杂的In2O3(ITO)是最广泛使用的用于TCO应用的材料。然而，ITO的大规模实施由于铟的缺乏、毒性和高成本受到严重阻碍。
因此，具有与ITO的设备性能可比较的设备性能的替代TCO材料是高度希望的。
已经开发了若干种方法用于在不同衬底上，典型地在玻璃衬底上制造TCO薄膜，包括化学气相沉积、物理气相沉积、脉冲激光沉积和磁控溅射。
这些方法典型地要求高退火温度后处理步骤，通常大于400℃，以便改进如此沉积的(as-deposited)TCO材料的薄膜结晶度。该改进的薄膜结晶度有利地导致更好的光学透射率、电导率和载流子迁移率。
然而，因为常规衬底不能承受高退火温度，该沉积过程必须在相对低的温度下完成。
因此，在本领域仍然需要提供用于在包括聚合物衬底的各种衬底上简单制造光学透明的并且导电的组件的替代方法并且提供在其表面上、特别地在大面积表面上均匀地具有高透明度和高电导率特性的组件。
发明概述
现在已经发现，光学透明的并且导电的多层组件可以通过本发明的方法在各种衬底、特别地聚合物衬底上容易地获得，该多层组件有利地结合了在电磁波谱的可见区域内的低吸收系数和高电导率值。
而且，已经出人意料地发现，通过结合导电的有图案的膜和导电的连续膜，有可能有利地降低由此提供的多层组件的厚度，由此保证在电磁波谱的可见区域内的低吸收系数，同时成功地在其表面上、特别地在大面积表面上均匀地获得更高的电导率值和出色的机械特性。
此外，已经发现本发明的方法可以有利地在液相中、优选地在环境友好的水基介质中进行。
在第一实例中，本发明涉及一种用于制造多层组件的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)提供至少一个有图案的衬底，所述有图案的衬底是通过包括以下步骤的方法可获得的：
(1-a)提供具有外表面和内表面的光学透明的衬底层[层(LT-1)]，
(1-b)提供包含至少一种第一金属化合物[化合物(M1)]的液体组合物[组合物(L1)]，
(1-c)任选地，提供包含至少一种第二金属化合物[化合物(M2)]的液体组合物[组合物(L2)]，所述化合物(M2)与该化合物(M1)相同或不同，
(1-d)使用该组合物(L1)将有图案的层[层(LMP)]印刷到该层(LT-1)的至少一个表面上，
(1-e)任选地，使如在步骤(1-d)中提供的该层(LMP)与该组合物(L2)接触，并且
(1-f)在至少50℃的温度下干燥在步骤(1-d)亦或步骤(1-e)中提供的该有图案的衬底；
(2)提供至少一个无图案的衬底，所述无图案的衬底是通过包括以下步骤的方法可获得的：
(2-a)提供具有外表面和内表面的光学透明的衬底层[层(LT-2)]，所述层(LT-2)与该层(LT-1)相同或不同，
(2-b)提供包含至少一种光学透明的金属化合物[化合物(Mot)]的液体组合物[组合物(L3)]，
(2-c)任选地，在蚀刻气体的存在下通过射频辉光放电法处理该层(LT-2)的至少一个表面，
(2-d)使如在步骤(2-a)亦或步骤(2-c)中提供的该层(LT-2)与该组合物(L3)接触，由此提供光学透明的无图案的层[层(LMT)]，并且
(2-e)在至少50℃的温度下干燥在步骤(2-d)中提供的该无图案的衬底；并且
(3)将所述至少一个有图案的衬底施加到所述至少一个无图案的衬底的至少一个表面上，由此提供多层组件。
在第二实例中，本发明涉及一种多层组件，该多层组件包含：
(1)至少一个有图案的衬底，所述有图案的衬底包含：
-有图案的层[层(LMP)]，由至少一种第一金属化合物[化合物(M1)]的芯以及任选地至少部分覆盖所述芯的至少一种第二金属化合物[化合物(M2)]的壳制成，所述化合物(M2)与所述化合物(M1)相同或不同，以及
-任选地，光学透明的衬底层[层(LT-1)]，直接粘附到该层(LMP)的至少一个表面上、优选地到该层(LMP)的一个表面上；以及
(2)至少一个无图案的衬底，所述无图案的衬底包含：
-具有外表面和内表面的光学透明的衬底层[层(LT-2)]，所述层(LT-2)与该层(LT-1)相同或不同，如果存在的话，以及
-由至少一种光学透明的金属化合物[化合物(Mot)]制成的光学透明的无图案的层[层(LMT)]，直接粘附到该层(LT-2)的至少一个表面上、优选地到该层(LT-2)的一个表面上，
该层(LT-2)的所述至少一个表面在蚀刻气体的存在下任选地通过射频辉光放电法处理。
本发明的多层组件是有利地通过本发明的方法可获得的。
在第三实例中，本发明涉及本发明的多层组件在电子装置中作为光学透明电极的用途。
本发明的光学透明电极可以有利地用于电子装置中，如平板显示器、光伏电池、窗户、晶体管、发光二极管和激光器。
为了本发明的目的，通过“有图案的衬底”，它指的是在所述衬底的至少一个表面上包含有图案的层的衬底。
通过术语“有图案的层”，它在此旨在表示具有任何几何图形的层。
为了本发明的目的，通过“无图案的衬底”，它指的是在所述衬底的至少一个表面上包含连续层的衬底。
将本发明的多层组件的有图案的衬底的层(LMP)典型地直接粘附到该无图案的衬底的层(LMT)上。
本发明的多层组件的有图案的衬底和无图案的衬底都是有利地光学透明的。
为了本发明的目的，通过术语“光学透明的”，它指的是对于具有从约200nm至约3μm的波长的入射电磁辐射光学透明的。
未特别限制该层(LT-1)或该层(LT-2)的厚度；然而，应理解的是，该层(LT-1)和该层(LT-2)将典型地具有至少5μm、优选地至少10μm的厚度。当要求足够的机械阻力时，尽管仍适用于本发明的多层组件，将不使用具有小于5μm厚度的层(LT-1)和层(LT-2)。
未特别限制该层(LT-1)或该层(LT-2)的厚度的上限，条件是所述层(LT-1)和层(LT-2)仍可以提供特定领域的目标用途所要求的光学透明度。
本领域的技术人员，将依赖于层(LT-1)和层(LT-2)的性质选择所述层(LT-1)和层(LT-2)的适当厚度以提供所要求的光学透明度。
层(LT-1)和层(LT-2)，彼此相同或不同，有利地具有该入射电磁辐射的至少75％、优选地至少80％、更优选地至少90％的透射率。
本发明的多层组件因此也有利地是光学透明的。
本发明的多层组件典型地具有该入射电磁辐射的至少50％、优选地至少55％、更优选地至少60％的透射率。
典型地使用分光光度计根据任何适合的技术测量透射率。
层(LMP)和层(LMT)有利地是导电层。
本发明的多层组件有利地具有最多50Ω/平方、优选地最多25Ω/平方、更优选地最多20Ω/平方、甚至更优选地最多15Ω/平方的电阻率。
本发明的多层组件典型地具有包括在25μm与250μm之间、优选地在100μm与150μm之间的厚度。
层(LT-1)和层(LT-2)，彼此相同或不同，可以是多孔衬底层亦或无孔衬底层。
通过术语“多孔的”，它在此旨在表示含有具有有限尺寸的孔的衬底层。
通过术语“无孔的”，它在此旨在表示不含具有有限尺寸的孔的致密衬底层。
层(LT-1)和层(LT-2)，彼此相同或不同，典型地由选自玻璃和聚合物的材料制成。
合适的聚合物的非限制性实例包括氟聚合物、聚烯烃(如聚乙烯和聚丙烯)、聚萘二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰胺、乙烯乙酸乙烯酯以及聚氯乙烯。
层(LT-1)和层(LT-2)，彼此相同或不同，有利地是非导电的衬底层。
非导电的衬底层与导电层的区别在于，所述非导电的衬底层具有超过50Ω/平方的电阻率。
层(LMP)优选地是有图案的网格层[层(LMP’)]，该网格层由至少一种第一金属化合物[化合物(M1)]的芯以及任选地至少部分覆盖所述芯的至少一种第二金属化合物[化合物(M2)]的壳制成，所述化合物(M2)与所述化合物(M1)相同或不同。
本发明的多层组件的有图案的衬底优选地是包含以下各项的有图案的网格衬底：
-有图案的网格层[层(LMP’)]，由至少一种第一金属化合物[化合物(M1)]的芯以及任选地至少部分覆盖所述芯的至少一种第二金属化合物[化合物(M2)]的壳制成，所述化合物(M2)与所述化合物(M1)相同或不同，以及
-任选地，光学透明的衬底层[层(LT-1)]，直接粘附到该层(LMP’)的至少一个表面上、优选地到该层(LMP’)的一个表面上。
通过术语“有图案的网格层”，它在此旨在表示具有网格图案几何结构的层。
该层(LMP’)优选地具有包括在100μm与800μm之间、优选地在150μm与500μm之间的筛目尺寸。
该层(LMP’)优选地具有包括在5μm与70μm之间、优选地在7μm与35μm之间的条宽度。
典型地使用数字显微镜根据任何合适的技术测量该层(LMP’)的筛目尺寸和条宽度。
本发明的多层组件，其中该有图案的衬底包含具有包括在100μm与800μm之间、优选地在150μm与500μm之间的筛目尺寸以及包括在5μm与70μm之间、优选地在7μm与35μm之间的条宽度的层(LMP’)，有利地是光学透明的并且具有该入射电磁辐射的至少50％、优选地至少55％、更优选地至少60％的透射率。
根据本发明的方法的实施例，层(LT-1)可以是如以上定义的本发明的多层组件的无图案的衬底，所述无图案的衬底是通过本发明的方法可获得的，所述方法包括步骤(2-a)至(2-e)。
根据本发明的方法的此实施例，该用于制造多层组件的方法包括提供至少一个有图案的衬底，所述有图案的衬底是通过包括以下步骤的方法可获得的：
(1’-a)提供具有外表面和内表面的光学透明的衬底层[层(LT-1)]，
(1’-b)提供包含至少一种第一金属化合物[化合物(M1)]的液体组合物[组合物(L1)]，
(1’-c)任选地，提供包含至少一种第二金属化合物[化合物(M2)]的液体组合物[组合物(L2)]，所述化合物(M2)与该化合物(M1)相同或不同，
(1’-d)使用该组合物(L1)将有图案的层[层(LMP)]印刷到该层(LT-1)的至少一个表面上，
(1’-e)任选地，使如在步骤(1’-d)中提供的该层(LMP)与该组合物(L2)接触，并且
(1’-f)在至少50℃的温度下干燥在步骤(1’-d)亦或步骤(1’-e)中提供的该有图案的衬底，
其中所述层(LT-1)是通过包括以下步骤的方法可获得的无图案的衬底：
(2-a)提供具有外表面和内表面的光学透明的衬底层[层(LT-2)]，
(2-b)提供包含至少一种光学透明的金属化合物[化合物(Mot)]的液体组合物[组合物(L3)]，
(2-c)任选地，在蚀刻气体的存在下通过射频辉光放电法处理该层(LT-2)的至少一个表面，
(2-d)使如在步骤(2-a)亦或步骤(2-c)中提供的该层(LT-2)与该组合物(L3)接触，由此提供光学透明的无图案的层[层(LMT)]，并且
(2-e)在至少50℃的温度下干燥在步骤(2-d)中提供的该无图案的衬底。
本发明方法的此实施例的无图案的衬底典型地包含：
-具有外表面和内表面的光学透明的衬底层[层(LT-2)]，以及
-由至少一种光学透明的金属化合物[化合物(Mot)]制成的光学透明的无图案的层[层(LMT)]，直接粘附到该层(LT-2)的至少一个表面上、优选地到该层(LT-2)的一个表面上，
该层(LT-2)的所述至少一个表面在蚀刻气体的存在下任选地通过射频辉光放电法处理。
根据本发明的方法的此实施例的变体，在步骤(1’-d)中，将该有图案的衬底的层(LMP)印刷到该无图案的衬底的层(LMT)的相对的表面上。
根据本发明的第一实施例，该多层组件包含：
(1)至少一个有图案的衬底，所述有图案的衬底包含：
-由至少一种第一金属化合物[化合物(M1)]的芯制成的有图案的层[层(LMP)]，以及
-光学透明的衬底层[层(LT-1)]，直接粘附到该层(LMP)的至少一个表面上、优选地到该层(LMP)的一个表面上；以及
(2)至少一个无图案的衬底，所述无图案的衬底包含：
-具有外表面和内表面的光学透明的衬底层[层(LT-2)]，所述层(LT-2)与该层(LT-1)相同或不同，以及
-由至少一种光学透明的金属化合物[化合物(Mot)]制成的光学透明的无图案的层[层(LMT)]，直接粘附到该层(LT-2)的至少一个表面上、优选地到该层(LT-2)的一个表面上，
该层(LT-2)的所述至少一个表面在蚀刻气体的存在下任选地通过射频辉光放电法处理。
本发明的此第一实施例的多层组件的有图案的衬底是有利地通过本发明的方法可获得的，所述方法包括步骤(1-a)、(1-b)、(1-d)和(1-f)。
本发明的此第一实施例的多层组件的有图案的衬底是典型地支撑在层(LT-1)上。
将本发明的此第一实施例的多层组件的有图案的衬底的层(LMP)典型地直接粘附到该无图案的衬底的层(LMT)的相对的表面上。
根据本发明的此第一实施例的变体，该多层组件包含：
-光学透明的衬底层[层(LT-1)]，
-由至少一种第一金属化合物[化合物(M1)]的芯制成的有图案的层[层(LMP)]，直接粘附到该层(LT-1)的一个表面上，
-由至少一种光学透明的金属化合物[化合物(Mot)]制成的光学透明的无图案的层[层(LMT)]，直接粘附到该层(LMP)的相对的表面上，以及
-光学透明的衬底层[层(LT-2)]，直接粘附到该层(LMT)的相对的表面上，所述层(LT-2)与该层(LT-1)相同或不同，
其中在蚀刻气体的存在下任选地通过射频辉光放电法处理直接粘附到该层(LMT)的相对的表面上的该层(LT-2)的表面。
根据本发明的第二实施例，该多层组件包含：
(1)至少一个有图案的衬底，所述有图案的衬底包含有图案的层[层(LMP)]，该有图案的层由至少一种第一金属化合物[化合物(M1)]的芯以及任选地至少部分覆盖所述芯的至少一种第二金属化合物[化合物(M2)]的壳制成，所述化合物(M2)与所述化合物(M1)相同或不同；以及
(2)至少一个无图案的衬底，所述无图案的衬底包含：
-具有外表面和内表面的光学透明的衬底层[层(LT-2)]，以及
-由至少一种光学透明的金属化合物[化合物(Mot)]制成的光学透明的无图案的层[层(LMT)]，直接粘附到该层(LT-2)的至少一个表面上、优选地到该层(LT-2)的一个表面上，
该层(LT-2)的所述至少一个表面在蚀刻气体的存在下任选地通过射频辉光放电法处理。
本发明的此第二实施例的多层组件的有图案的衬底典型地不含层(LT-1)。
如果该层(LT-1)是无孔的光学透明的衬底层，该层(LMP)典型地与所述层(LT-1)分离，由此提供本发明的第二实施例的多层组件，所述多层组件包含不含层(LT-1)的自固定的有图案的衬底。
将本发明的此第二实施例的多层组件的有图案的衬底的层(LMP)典型地直接粘附到该无图案的衬底的层(LMT)的相对的表面上。
根据本发明的此第二实施例的第一变体，该多层组件包含：
-有图案的层[层(LMP)]，由至少一种第一金属化合物[化合物(M1)]的芯以及至少部分覆盖所述芯的至少一种第二金属化合物[化合物(M2)]的壳制成，所述化合物(M2)与所述化合物(M1)相同或不同，
-由至少一种光学透明的金属化合物[化合物(Mot)]制成的光学透明的无图案的层[层(LMT)]，直接粘附到该层(LMP)的一个表面上，以及
-光学透明的衬底层[层(LT-2)]，直接粘附到该层(LMT)的相对的表面上，
其中在蚀刻气体的存在下任选地通过射频辉光放电法处理直接粘附到该层(LMT)的相对的表面上的该层(LT-2)的表面。
本发明的第二实施例的此第一变体的多层组件的有图案的衬底是有利地通过本发明的方法可获得的，所述方法包括步骤(1-a)至(1-f)。
将本发明的第二实施例的此第一变体的多层组件的有图案的衬底的层(LMP)典型地直接粘附到该无图案的衬底的层(LMT)的相对的表面上。
根据本发明的此第二实施例的第二变体，该多层组件包含：
-有图案的层[层(LMP)]，由至少一种第一金属化合物[化合物(M1)]的芯以及任选地至少部分覆盖所述芯的至少一种第二金属化合物[化合物(M2)]的壳制成，所述化合物(M2)与所述化合物(M1)相同或不同，
-由至少一种光学透明的金属化合物[化合物(Mot)]制成的光学透明的无图案的层[层(LMT)]，直接粘附到该层(LMP)的一个表面上，以及
-光学透明的衬底层[层(LT-2)]，直接粘附到该层(LMT)的相对的表面上，
其中在蚀刻气体的存在下任选地通过射频辉光放电法处理直接粘附到该层(LMT)的相对的表面上的该层(LT-2)的表面。
本发明的第二实施例的此第二变体的多层组件的有图案的衬底是有利地通过本发明的方法可获得的，所述方法包括步骤(1’-a)至(1’-f)。
将本发明的第二实施例的此第二变体的多层组件的有图案的衬底的层(LMP)典型地直接粘附到该无图案的衬底的层(LMT)的相对的表面上。
为了本发明的目的，术语“氟聚合物”应理解为是指包含衍生自至少一种氟化单体的重复单元的氟聚合物[聚合物(F)]。
通过术语“氟化单体”，它在此旨在表示包含至少一个氟原子的烯键式不饱和单体。
术语“至少一种氟化单体”应理解为是指聚合物(F)可以包含衍生自一种或多于一种氟化单体的重复单元。在本文的其余部分，表述“氟化单体”为了本发明的目的应理解为是复数和单数形式均可，即它们表示一种或多于一种如以上定义的氟化单体二者。
值得注意地，合适的氟化单体的非限制性实例包括以下各项：
-C3-C8全氟烯烃，比如四氟乙烯(TFE)和六氟丙烯(HFP)；
-C2-C8氢化的氟烯烃，比如偏二氟乙烯(VDF)、氟乙烯、1,2-二氟乙烯以及三氟乙烯(TrFE)；
-具有式CH2＝CH-Rf0的全氟烷基乙烯，其中Rf0是C1-C6全氟烷基；
-氯代-和/或溴代-和/或碘代-C2-C6氟烯烃，如三氟氯乙烯(CTFE)；
-具有式CF2＝CFORf1的(全)氟烷基乙烯基醚，其中Rf1是C1-C6氟代-或全氟烷基，例如CF3、C2F5、C3F7；
-CF2＝CFOX0(全)氟-氧烷基乙烯基醚，其中X0是C1-C12烷基、C1-C12氧烷基或包含一个或多个醚基的C1-C12(全)氟氧烷基，如全氟-2-丙氧基-丙基；
-具有式CF2＝CFOCF2ORf2的(全)氟烷基乙烯基醚，其中Rf2是C1-C6氟代-或全氟烷基，例如CF3、C2F5、C3F7，或包含一个或多个醚基的C1-C6(全)氟氧烷基，如-C2F5-O-CF3；
-具有式CF2＝CFOY0的官能的(全)氟代-氧烷基乙烯基醚，其中Y0是C1-C12烷基或(全)氟烷基、C1-C12氧烷基或包含一个或多个醚基的C1-C12(全)氟氧烷基，并且Y0包含羧酸或磺酸基团，呈其酸、酰基卤或盐的形式；
-氟间二氧杂环戊烯，优选全氟间二氧杂环戊烯；以及
-具有式CR7R8＝CR9OCR10R11(CR12R13)a(O)bCR14＝CR15R16的可环化聚合单体，其中每个R7至R16，彼此独立，选自-F和C1-C3氟烷基，a是0或1，b是0或1，其条件是当a是1时b是0。
该聚合物(F)可以进一步包含至少一种氢化单体。
通过术语“氢化单体”，它在此旨在表示包含至少一个氢原子并且不含氟原子的烯键式不饱和单体。
术语“至少一种氢化单体”应理解为是指该聚合物(F)可以包含衍生自一种或多于一种氢化单体的重复单元。在本文的其余部分，表述“氢化单体”为了本发明的目的应理解为是复数和单数形式均可，即它们表示一种或多于一种如以上定义的氢化单体二者。
值得注意地，适合的氢化单体的非限制性实例包括，非氟化单体如乙烯、丙烯，乙烯基单体如乙酸乙烯酯，丙烯酸单体如甲基丙烯酸甲酯和丙烯酸丁酯，以及苯乙烯单体如苯乙烯和对-甲基苯乙烯。
该聚合物(F)可以是半结晶的或无定形的。
术语“半结晶的”在此旨在表示具有，如根据ASTMD3418-08测量的，从10J/g至90J/g、优选地从30J/g至60J/g、更优选地从35J/g至55J/g的熔解热的聚合物(F)。
术语“无定形的”在此旨在表示具有，如根据ASTMD-3418-08测量的，小于5J/g、优选小于3J/g、更优选小于2J/g的熔解热的聚合物(F)。
该聚合物(F)典型地是选自由以下各项组成的组：
(1)聚合物(F-1)，包含衍生自至少一种选自四氟乙烯(TFE)和三氟氯乙烯(CTFE)的氟化单体、以及衍生自至少一种选自乙烯、丙烯以及异丁烯的氢化单体的重复单元，任选地含有一种或多种另外的共聚单体，典型地其量为基于TFE和/或CTFE以及所述一种或多种氢化单体的总量按摩尔计从0.01％至30％；
(2)聚合物(F-2)，包含衍生自偏二氟乙烯(VDF)以及任选地衍生自一种或多种不同于VDF的氟化单体的重复单元；
(3)聚合物(F-3)，包含衍生自四氟乙烯(TFE)和至少一种不同于TFE的选自由以下各项组成的组的氟化单体的重复单元：
-具有式CF2＝CFORf1’的全氟烷基乙烯基醚，其中Rf1’是C1-C6全氟烷基；
-具有式CF2＝CFOX0的全氟-氧烷基乙烯基醚，其中X0是包含一个或多个醚基的C1-C12全氟氧烷基，如全氟-2-丙氧基-丙基；
-C3-C8全氟烯烃，如六氟丙烯(HFP)；以及
-具有式(I)的全氟间二氧杂环戊烯：
其中R1、R2、R3和R4，彼此相同或不同，独立地选自由以下各项组成的组：-F，任选地包含一个或多个氧原子的C1-C6氟烷基，以及任选地包含一个或多个氧原子的C1-C6氟烷氧基；以及
(4)聚合物(F-4)，包含衍生自至少一种具有式CR7R8＝CR9OCR10R11(CR12R13)a(O)bCR14＝CR15R16的可环化聚合单体的重复单元，其中每个R7至R16，彼此独立，选自-F和C1-C3氟烷基，a是0或1，b是0或1，其条件是当a是1时b是0。
该聚合物(F-1)优选地包含衍生自乙烯(E)以及三氟氯乙烯(CTFE)和四氟乙烯(TFE)中的至少一种的重复单元。
该聚合物(F-1)更优选地包含：
(a)按摩尔计从30％至48％、优选从35％至45％的乙烯(E)；
(b)按摩尔计从52％至70％、优选地从55％至65％的三氟氯乙烯(CTFE)、四氟乙烯(TFE)或它们的混合物；以及
(c)基于单体(a)和(b)的总量，按摩尔计最高达5％、优选地最高达2.5％的一种或多种氟化和/或氢化共聚单体。
该共聚单体优选地是选自(甲基)丙烯酸单体的组的氢化共聚单体。该氢化共聚单体更优选地是选自由以下各项组成的组：丙烯酸羟烷基酯共聚单体(如丙烯酸羟乙基酯、丙烯酸羟丙基酯和丙烯酸(羟基)乙基己基酯)，以及丙烯酸烷基酯共聚单体(如丙烯酸正丁基酯)。
在聚合物(F-1)中，优选的是ECTFE共聚物，即乙烯和CTFE以及任选地第三共聚单体的共聚物。
适合于本发明的方法的ECTFE聚合物典型地具有不超过210℃、优选地不超过200℃、甚至不超过198℃、优选地不超过195℃、更优选地不超过193℃、甚至更优选地不超过190℃的熔融温度。该ECTFE聚合物具有有利地至少120℃、优选地至少130℃、还优选地至少140℃、更优选地至少145℃、甚至更优选地至少150℃的熔融温度。
根据ASTMD3418，通过差示扫描量热法(DSC)以10℃/min的加热速率确定该熔融温度。
已经发现给出特别良好结果的ECTFE聚合物是主要由衍生自以下各项的重复单元组成的那些：
(a)按摩尔计从35％至47％的乙烯(E)；
(b)按摩尔计从53％至65％的三氟氯乙烯(CTFE)。
导致重复单元不同于上述那些的端链、缺陷或少量单体杂质仍可包含在该优选的ECTFE中，而不影响该材料的特性。
按照ASTM3275-81程序在230℃和2.16Kg下测量的该ECTFE聚合物的熔体流动速率的范围通常从0.01g/10min至75g/10min、优选地从0.1g/10min至50g/10min、更优选地从0.5g/10min至30g/10min。
根据ASTMD3418，以10℃/min的加热速率通过差示扫描量热法(DSC)确定聚合物(F-1)的熔解热。
该聚合物(F-1)典型地具有最多35J/g、优选地最多30J/g，更优选地最多25J/g的熔解热。
该聚合物(F-1)典型地具有至少1J/g、优选地至少2J/g、更优选地至少5J/g的熔解热。
该聚合物(F-1)有利地是半结晶聚合物。
该聚合物(F-2)优选地包含：
(a’)按摩尔计至少60％、优选地按摩尔计至少75％、更优选地按摩尔计至少85％的偏二氟乙烯(VDF)；以及
(b’)任选地，按摩尔计从0.1％至15％、优选地按摩尔计从0.1％至12％、更优选地按摩尔计从0.1％至10％的一种或多种氟化单体，该一种或多种氟化单体选自氟乙烯(VF1)、三氟氯乙烯(CTFE)、六氟丙烯(HFP)、四氟乙烯(TFE)、三氟乙烯(TrFE)以及全氟甲基乙烯基醚(PMVE)。
该聚合物(F-2)可以进一步包含按摩尔计从0.01％至20％、优选地按摩尔计从0.05％至18％、更优选地按摩尔计从0.1％至10％的如以上定义的至少一种(甲基)丙烯酸单体。
该聚合物(F-3)优选地包含衍生自四氟乙烯(TFE)的重复单元以及按重量计至少1.5％、优选地按重量计至少5％、更优选地按重量计至少7％的衍生自至少一种不同于TFE的氟化单体的重复单元。
该聚合物(F-3)优选地包含衍生自四氟乙烯(TFE)的重复单元以及按重量计最多30％、优选地按重量计最多25％、更优选地按重量计最多20％的衍生自至少一种不同于TFE的氟化单体的重复单元。
该聚合物(F-3)更优选地选自由以下各项组成的组：
-聚合物(F-3A)，包含衍生自四氟乙烯(TFE)和至少一种全氟烷基乙烯基醚的重复单元，该至少一种全氟烷基乙烯基醚选自由以下各项组成的组：具有式CF2＝CFOCF3的全氟甲基乙烯基醚、具有式CF2＝CFOC2F5的全氟乙基乙烯基醚以及具有式CF2＝CFOC3F7的全氟丙基乙烯基醚；以及
-聚合物(F-3B)，包含衍生自四氟乙烯(TFE)和至少一种具有式(I)的全氟间二氧杂环戊烯的重复单元：
其中R1、R2、R3和R4，彼此相同或不同，独立地选自由以下各项组成的组：-F，C1-C3全氟烷基，例如-CF3、-C2F5、-C3F7、以及任选地包含一个氧原子的C1-C3全氟烷氧基，例如-OCF3、-OC2F5、-OC3F7、-OCF2CF2OCF3；优选地，其中R1＝R2＝-F并且R3＝R4是C1-C3全氟烷基，优选地R3＝R4＝-CF3或者其中R1＝R3＝R4＝-F并且R2是C1-C3全氟烷氧基，例如-OCF3、-OC2F5、-OC3F7。
值得注意地，适合的聚合物(F-3A)的非限制性实例包括从意大利苏威特种聚合物公司(SolvaySpecialtyPolymersItalyS.p.A)以商品名PFAP和M系列和MFA可商购的那些。
该聚合物(F-3B)更优选地包含衍生自四氟乙烯(TFE)以及至少一种如以上定义的具有式(I)的全氟间二氧杂环戊烯的重复单元，其中R1＝R3＝R4＝-F并且R2＝-OCF3，或者其中R1＝R2＝-F并且R3＝R4＝-CF3。
值得注意地，适合的聚合物(F-3B)的非限制性实例包括从意大利苏威特种聚合物公司以商标名AD和从杜邦公司(E.I.DuPontdeNemoursandCo.)以AF可商购的那些。
该聚合物(F-4)优选地包含衍生自至少一种具有式CR7R8＝CR9OCR10R11(CR12R13)a(O)bCR14＝CR15R16的可环化聚合单体的重复单元，其中每个R7至R16，彼此独立，为-F，a＝1并且b＝0。
该聚合物(F-4)典型地是无定形的。
值得注意地，适合的聚合物(F-4)的非限制性实例包括从旭硝子公司(AsahiGlassCompany)以商标名可商购的那些。
该聚合物(F)典型地通过悬浮液或者乳液聚合方法制造。
层(LT-1)和层(LT-2)，彼此相同或不同，优选地由选自由氟聚合物、优选地如以上定义的聚合物(F-1)，聚萘二甲酸乙二酯和聚对苯二甲酸乙二酯组成的组的材料制成。
为了本发明的目的，通过“液体组合物”，它是指在大气压下在20℃下呈液态的介质。
组合物(L1)典型地包含至少一种化合物(M1)、水和至少一种有机溶剂[溶剂(S)]。
化合物(M1)可以是呈其单质状态的金属或者包含一种或多种呈氧化状态的金属离子的金属化合物。
该化合物(M1)典型地选自由以下各项组成的组：Rh、Ir、Ru、Ti、Re、Os、Cd、Tl、Pb、Bi、In、Sb、Al、Ti、Cu、Ni、Pd、V、Fe、Cr、Mn、Co、Zn、Mo、W、Ag、Au、Pt、Ir、Ru、Pd、Sn、Ge、Ga、其合金以及其衍生物。
合适的溶剂(S)的非限制性实例包括以下各项：
-脂肪族，脂环族或芳香族醚氧化物类，更具体地，二乙基氧化物，二丙基氧化物，二异丙基氧化物，二丁基氧化物，甲基叔丁基醚(methyltertiobutylether)，二戊基氧化物，二异戊基氧化物，乙二醇二甲醚，乙二醇二乙醚，乙二醇二丁醚，苄基氧化物，二噁烷，四氢呋喃(THF)，
-乙二醇醚类，例如乙二醇单甲醚，乙二醇单乙醚，乙二醇单丙醚，乙二醇单异丙醚，乙二醇单丁醚，乙二醇单苯醚，乙二醇单苄醚，二乙二醇单甲醚，二乙二醇单乙醚，二乙二醇单正丁醚，
-乙二醇醚酯类，例如乙二醇甲醚乙酸酯，乙二醇单乙醚乙酸酯，乙二醇单丁醚乙酸酯，
-醇类，例如甲醇，乙醇，二丙酮醇，
-酮类，例如丙酮，甲基乙基酮，甲基异丁基酮，二异丁基酮，环己酮、异佛尔酮，以及
-直链的或环状的酯类，例如：乙酸异丙酯，乙酸正丁酯，乙酰乙酸甲酯，邻苯二甲酸二甲酯，g-丁内酯。
组合物(L1)优选地包含至少一种选自下组的化合物(M1)，该组由Cu、Ni、Fe、Zn、Ag、Au、Pt、其合金以及其衍生物组成。
组合物(L1)优选地不含任何溶剂(S)。
在本发明的方法的步骤(1-d)中，典型地通过丝网印刷、凹版印刷、柔版印刷或喷墨印刷技术将该组合物(L1)印刷到该层(LT-1)的至少一个表面上。
在本发明的方法的步骤(1-d)中，优选地通过喷墨印刷技术将该组合物(L1)印刷到该层(LT-1)的至少一个表面上。
在本发明的方法的步骤(1’-d)中，典型地通过丝网印刷、凹版印刷、柔版印刷或喷墨印刷技术将该组合物(L1)印刷到该层(LMT)的相对的表面上。
在本发明的方法的步骤(1’-d)中，优选地通过喷墨印刷技术将该组合物(L1)印刷到该层(LMT)的相对的表面上。
该组合物(L2)典型地包含至少一种化合物(M2)和至少一种离子液体[液体(I)]。
该化合物(M2)可以是呈其单质状态的金属或者包含一种或多种呈氧化状态的金属离子的金属化合物。
该化合物(M2)可以与该化合物(M1)相同或不同。
该化合物(M2)典型地选自由以下各项组成的组：Rh、Ir、Ru、Ti、Re、Os、Cd、Tl、Pb、Bi、In、Sb、Al、Ti、Cu、Ni、Pd、V、Fe、Cr、Mn、Co、Zn、Mo、W、Ag、Au、Pt、Ir、Ru、Pd、Sn、Ge、Ga、其合金以及其衍生物。
为了本发明的目的，通过术语“离子液体[液体(I)]”旨在表示通过带正电的阳离子与带负电的阴离子结合形成的在大气压力下在低于100℃的温度下呈液态的化合物。
该液体(I)典型地选自由包含以下各项的离子液体组成的组：
-选自由以下各项组成的组的阳离子：硫鎓离子或咪唑鎓、吡啶鎓、吡咯烷鎓或哌啶鎓环，所述环任选地在氮原子上特别地被具有1至8个碳原子的一个或多个烷基取代，并且在碳原子上特别是被具有1至30个碳原子的一个或多个烷基取代，以及
-阴离子，选自由卤化物阴离子、全氟化的阴离子和硼酸根组成的组。
该组合物(L2)优选地包含至少一种选自下组的化合物(M2)，该组由Cu、Ni、Fe、Zn、Ag、Au、Pt、Cr、Co、Pd、其合金以及其衍生物组成。
在本发明的方法的步骤(1-e)中，如果存在，典型地通过电镀或化学镀技术使如在步骤(1-d)中提供的层(LMP)与该组合物(L2)接触。
在本发明的方法的步骤(1’-e)中，如果存在，典型地通过电镀或化学镀技术使如在步骤(1’-d)中提供的层(LMP)与该组合物(L2)接触。
如果本发明的方法进一步包括步骤(1-e)或步骤(1’-e)，由此提供的多层组件的有图案的衬底的层(LMP)是典型地由至少一种第一金属化合物[化合物(M1)]的芯以及至少部分覆盖所述芯的至少一种第二金属化合物[化合物(M2)]的壳制成，所述化合物(M2)与所述化合物(M1)相同或不同。
如果本发明的方法进一步包括步骤(1-e)或步骤(1’-e)，由此提供的多层组件的有图案的衬底典型地不含层(LT-1)。
如果本发明的方法进一步包括步骤(1-e)或步骤(1’-e)，该层(LMP)典型地与该层(LT-1)分离，由此提供本发明的第二实施例的第一变体的多层组件，所述多层组件包含不含层(LT-1)的自固定的有图案的衬底。
为了本发明的目的，通过“电镀”，它是指典型地在电解池中进行的过程，其中使用电流来从其氧化态至其单质态还原金属化合物。
为了本发明的目的，通过“化学镀”，它是指典型地在电镀槽中进行的氧化还原过程，其中在适合的化学还原剂的存在下从其氧化态至其单质态还原金属化合物。
在本发明的方法的步骤(1-e)中，如果存在，优选地通过电镀技术使如在步骤(1-d)中提供的层(LMP)与该组合物(L2)接触。
在本发明的方法的步骤(1’-e)中，如果存在，优选地通过电镀技术使如在步骤(1’-d)中提供的层(LMP)与该组合物(L2)接触。
在本发明的方法的步骤(1-f)中，典型地在包括在50℃与150℃之间的温度下、优选在包括在100℃与150℃之间的温度下干燥在步骤(1-d)亦或步骤(1-e)中提供的多层组件的有图案的衬底。
在本发明的方法的步骤(1’-f)中，典型地在包括在50℃与150℃之间的温度下、优选在包括在100℃与150℃之间的温度下干燥在步骤(1’-d)亦或步骤(1’-e)中提供的多层组件的有图案的衬底。
在本发明的方法的步骤(2-c)中，如果存在，在蚀刻气体的存在下通过射频辉光放电法处理该层(LT-2)的至少一个表面。
通过“射频辉光放电法”，它在此旨在表示通过射频放大器供能的方法，其中辉光放电是通过在含有蚀刻气体的电池中的两个电极之间施加电压而产生的。然后，将如此产生的辉光放电穿过喷射头以达到待处理的材料的表面。
通过“蚀刻气体”，它在此旨在表示适合于在射频辉光放电法中使用的气体或气体的混合物。
该蚀刻气体优选地选自空气、N2、NH3、CH4、CO2、He、O2、H2以及它们的混合物。
该射频辉光放电法典型地是在减压下或在大气压下进行的。
该射频辉光放电法优选地是在约760托的大气压下进行的。
大气压等离子体具有显著的技术意义，因为与低压等离子体或高压等离子体相比，无需确保反应容器维持不同于大气压力的压力水平。
该射频辉光放电法典型地在包括在1kHz与100kHz之间的射频下进行。
该射频辉光放电法典型地是在包括在1kV与50kV之间的电压下进行。
根据本发明的方法的第一实施例，在步骤(2-c)中的射频辉光放电法产生电晕放电。
本发明的方法的此第一实施例的射频辉光放电法典型地在包括在5kHz与15kHz之间的射频下进行。
本发明的方法的此第一实施例的射频辉光放电法典型地在包括在1kV与20kV之间的电压下进行。
该电晕放电典型地具有包括在1×109与1×1013cm-3之间的密度。
根据本发明的方法的第二实施例，在步骤(2-c)中的射频辉光放电法产生等离子体放电。
本发明的方法的此第二实施例的射频辉光放电法典型地在包括在10kHz与100kHz之间的射频下进行。
本发明的方法的此第二实施例的射频辉光放电法典型地在包括在5kV与15kV之间的电压下进行。
该等离子体放电典型地具有包括在1×1016与1×1019cm-3之间的密度。
本申请人已经发现，在蚀刻气体的存在下通过射频辉光放电法处理该层(LT-2)之后，该层(LT-2)成功地保持包括其光学透明度的其本体特性。
本申请人认为，并不限制本发明的范围，在氨气气氛的存在下通过射频辉光放电法，将胺官能团接枝在该层(LT-2)的经处理的表面上。
而且，本申请人认为，并不限制本发明的范围，在氮气气氛的存在下通过射频辉光放电法，将氮基官能团接枝在该层(LT-2)的经处理的表面上。
在本发明的方法的步骤(2-d)中，典型地通过化学镀技术使如在步骤(2-a)亦或步骤(2-c)中提供的层(LT-2)与该组合物(L3)接触。
该组合物(L3)典型地包含至少一种化合物(Mot)、至少一种溶剂(S)和至少一种还原剂[试剂(R)]。
该化合物(Mot)典型地是选自由以下各项组成的组的金属氧化物：
-杂质掺杂的ZnO、In2O3、SnO2和CdO，如Sn掺杂的ZnO、In2O3(ITO)、SnO2和CdO，
-三元金属氧化物化合物，如Zn2SnO4、ZnSnO3、Zn2In2O5、Zn3In2O6、In2SnO4、CdSnO3，以及
-由ZnO、In2O3和SnO2的组合组成的多组分金属氧化物。
该组合物(L3)优选地包含至少一种化合物(Mot)，该化合物选自由以下各项组成的组：杂质掺杂的ZnO、In2O3、SnO2和CdO，如Sn掺杂的ZnO、In2O3(ITO)、SnO2和CdO。
该试剂(R)典型地选自由以下各项组成的组：甲醛、肼和次磷酸钠。
如果通过化学镀技术使如在步骤(2-a)亦或步骤(2-c)中提供的层(LT-2)与该组合物(L3)接触，使该层(LT-2)与化学镀金属化催化剂初步接触，由此提供催化层[层(LT-2c)]。然后使该层(LT-2c)与该组合物(L3)接触。
该化学镀金属化催化剂典型地选自由衍生自以下各项的催化剂组成的组：钯、铂、铑、铱、镍、铜、银和金。
该化学镀金属化催化剂优选地选自衍生自钯的催化剂，如PdCl2。
本申请人已经发现如此处理的层(LT-2)的表面提供了与通过化学镀技术施加到其上的层(LMT)的出色的层间粘附。
在本发明的方法的步骤(2-e)中，典型地在包括在50℃与150℃之间的温度下、优选在包括在100℃与150℃之间的温度下干燥由此提供的多层组件的无图案的衬底。
在本发明的方法的步骤(3)中，典型地将至少一个有图案的衬底的层(LMP)施加到至少一个无图案的衬底的层(LMT)上。
在本发明的方法的步骤(3)中，一般使用本领域通常已知的技术将至少一个有图案的衬底施加到至少一个无图案的衬底的至少一个表面上。
这些技术中的一种或其他的选择典型地是基于所述有图案的衬底和所述无图案的衬底的材料和其厚度而做出的。
在本发明的方法的步骤(3)中，典型地通过组装所述至少一个有图案的衬底和所述至少一个无图案的衬底到彼此之上将至少一个有图案的衬底施加到至少一个无图案的衬底的至少一个表面上。
若任何通过引用结合在此的专利、专利申请以及公开物的披露内容与本申请的描述相冲突的程度到了可能导致术语不清楚，则本说明应该优先。
现在将参考以下实例更详细地说明本发明，这些实例的目的仅仅是说明性的并且不限制本发明的范围。
原料
从西格玛-奥德里奇公司(SigmaAldrich)可商购的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)。
从西格玛-奥德里奇公司可商购的Sn掺杂的In2O3(ITO)。
从SunChemical,Inc作为JettableSilverInkU5603可商购的包含Ag的组合物[组合物(Ag)]。
实例1-多层组件的制造
提供具有125μm厚度的无图案的衬底，所述衬底具有由直接粘附到由Sn掺杂的In2O3(ITO)制成的光学透明的连续层上的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)制成的层。
通过喷墨印刷技术使用DimatixDMP-2831喷墨印刷机(具有十pL打印头以及含有过滤穿过220nm的针筒式滤器的组合物(Ag)的耐溶剂的连接柱)将具有1.2μm厚度的有图案的网格层印刷到所述无图案的衬底的由ITO制成的光学透明的连续层上来制造多层组件。
由此提供的由Ag制成的有图案的网格层具有400μm的筛目尺寸和20μm的条宽度。
对比实例1-有图案的衬底的制造
通过喷墨印刷技术将有图案的网格层使用该组合物(Ag)印刷到具有120μm厚度的PET层的一个表面上来制造具有125μm厚度的有图案的网格衬底。
由此提供的由Ag制成的有图案的网格层具有400μm的筛目尺寸和20μm的条宽度。
对比实例2-无图案的衬底的制造
使用从西格玛-奥德里奇公司可商购的无图案的衬底，所述衬底具有125μm的厚度，其中将由Sn掺杂的In2O3(ITO)制成的光学透明的连续层直接粘附到具有120μm厚度的PET层上。
筛目和条宽度结构的测定
通过使用DimatixDMP-2831喷墨印刷机基准摄像机及其数字软件来测定有图案的网格层的筛目和条宽度结构。
光学透明度的测定
通过使用双光束分光光度计(PerkinElmerLambda2)测量透射率值来测定这些组件的光学透明度。波长测量范围是200nm-1000nm并且数据点间距是1nm。
电阻率的测定
通过使用四点技术(多高度探针，桥接技术)在室温下在标准环境中在25cm2的样品上测定这些组件的电阻率。
结果在此列于下表1中：
表1
由此已经发现本发明的多层组件有利地提供了与现有技术的组件相比更低的电阻率值，同时有利地维持高透射率值。
Claims (16)
1.一种用于制造多层组件的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)提供至少一个有图案的衬底，所述有图案的衬底是通过包括以下步骤的方法可获得的：
(1-a)提供具有外表面和内表面的光学透明的衬底层[层(LT-1)]，
(1-b)提供包含至少一种第一金属化合物[化合物(M1)]的液体组合物[组合物(L1)]，
(1-c)任选地，提供包含至少一种第二金属化合物[化合物(M2)]的液体组合物[组合物(L2)]，所述化合物(M2)与该化合物(M1)相同或不同，
(1-d)使用该组合物(L1)将有图案的层[层(LMP)]印刷到该层(LT-1)的至少一个表面上，
(1-e)任选地，使如在步骤(1-d)中提供的该层(LMP)与该组合物(L2)接触，并且
(1-f)在至少50℃的温度下干燥在步骤(1-d)亦或步骤(1-e)中提供的该有图案的衬底；
(2)提供至少一个无图案的衬底，所述无图案的衬底是通过包括以下步骤的方法可获得的：
(2-a)提供具有外表面和内表面的光学透明的衬底层[层(LT-2)]，所述层(LT-2)与该层(LT-1)相同或不同，
(2-b)提供包含至少一种光学透明的金属化合物[化合物(Mot)]的液体组合物[组合物(L3)]，
(2-c)任选地，在蚀刻气体的存在下通过射频辉光放电法处理该层(LT-2)的至少一个表面，
(2-d)使如在步骤(2-a)亦或步骤(2-c)中提供的该层(LT-2)与该组合物(L3)接触，由此提供光学透明的无图案的层[层(LMT)]，并且
(2-e)在至少50℃的温度下干燥在步骤(2-d)中提供的该无图案的衬底；并且
(3)将所述至少一个有图案的衬底的层(LMP)施加到所述至少一个无图案的衬底的层(LMT)上，由此提供多层组件。
2.一种用于制造多层组件的方法，所述方法包括提供至少一个有图案的衬底，所述有图案的衬底是通过包括以下步骤的方法可获得的：
(1’-a)提供具有外表面和内表面的光学透明的衬底层[层(LT-1)]，所述层(LT-1)是包含以下各项的无图案的衬底：
-具有外表面和内表面的光学透明的衬底层[层(LT-2)]，以及
-由至少一种光学透明的金属化合物[化合物(Mot)]制成的光学透明的无图案的层[层(LMT)]，直接粘附到该层(LT-2)的至少一个表面上、优选地到该层(LT-2)的一个表面上，
其中在蚀刻气体的存在下任选地通过射频辉光放电法处理该层(LT-2)的所述至少一个表面，
(1’-b)提供包含至少一种第一金属化合物[化合物(M1)]的液体组合物[组合物(L1)]，
(1’-c)任选地，提供包含至少一种第二金属化合物[化合物(M2)]的液体组合物[组合物(L2)]，所述化合物(M2)与该化合物(M1)相同或不同，
(1’-d)使用该组合物(L1)将有图案的层[层(LMP)]印刷到该层(LMT)的相对的表面上，
(1’-e)任选地，使如在步骤(1’-d)中提供的该层(LMP)与该组合物(L2)接触，并且
(1’-f)在至少50℃的温度下干燥在步骤(1’-d)亦或步骤(1’-e)中提供的该有图案的衬底。
3.根据权利要求2所述的方法，其中该无图案的衬底是通过包括以下步骤的方法可获得的：
(2-a)提供具有外表面和内表面的光学透明的衬底层[层(LT-2)]，
(2-b)提供包含至少一种光学透明的金属化合物[化合物(Mot)]的液体组合物[组合物(L3)]，
(2-c)任选地，在蚀刻气体的存在下通过射频辉光放电法处理该层(LT-2)的至少一个表面，
(2-d)使如在步骤(2-a)亦或步骤(2-c)中提供的该层(LT-2)与该组合物(L3)接触，由此提供光学透明的无图案的层[层(LMT)]，并且
(2-e)在至少50℃的温度下干燥在步骤(2-d)中提供的该无图案的衬底。
4.根据权利要求1或3所述的方法，其中该组合物(L3)中的化合物(Mot)是选自下组的金属氧化物，该组由以下各项组成：
-杂质掺杂的ZnO、In2O3、SnO2和CdO，如Sn掺杂的ZnO、In2O3(ITO)、SnO2和CdO，
-三元金属氧化物化合物，如Zn2SnO4、ZnSnO3、Zn2In2O5、Zn3In2O6、In2SnO4、CdSnO3，以及
-由ZnO、In2O3和SnO2的组合组成的多组分金属氧化物。
5.根据权利要求1、3和4中任一项所述的方法，其中在步骤(2-d)中，使该层(LT-2)与该组合物(L3)通过化学镀技术接触。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中该组合物(L1)中的化合物(M1)选自由以下各项组成的组：Rh、Ir、Ru、Ti、Re、Os、Cd、Tl、Pb、Bi、In、Sb、Al、Ti、Cu、Ni、Pd、V、Fe、Cr、Mn、Co、Zn、Mo、W、Ag、Au、Pt、Ir、Ru、Pd、Sn、Ge、Ga、其合金以及其衍生物。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中在步骤(1-d)或步骤(1’-d)中，通过丝网印刷、凹版印刷、柔版印刷或喷墨印刷技术来印刷该组合物(L1)。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中该组合物(L2)中的化合物(M2)选自由以下各项组成的组：Rh、Ir、Ru、Ti、Re、Os、Cd、Tl、Pb、Bi、In、Sb、Al、Ti、Cu、Ni、Pd、V、Fe、Cr、Mn、Co、Zn、Mo、W、Ag、Au、Pt、Ir、Ru、Pd、Sn、Ge、Ga、其合金以及其衍生物。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中在步骤(1-e)或步骤(1’-e)中，使该层(LMP)与该组合物(L2)通过电镀或化学镀技术接触。
10.一种多层组件，包含：
(1)至少一个有图案的衬底，所述有图案的衬底包含：
-有图案的层[层(LMP)]，由至少一种第一金属化合物[化合物(M1)]的芯以及任选地至少部分覆盖所述芯的至少一种第二金属化合物[化合物(M2)]的壳制成，所述化合物(M2)与所述化合物(M1)相同或不同，以及
-任选地，光学透明的衬底层[层(LT-1)]，直接粘附到该层(LMP)的至少一个表面上、优选地到该层(LMP)的一个表面上；以及
(2)至少一个无图案的衬底，所述无图案的衬底包含：
-具有外表面和内表面的光学透明的衬底层[层(LT-2)]，所述层(LT-2)与该层(LT-1)相同或不同，如果存在的话，以及
-由至少一种光学透明的金属化合物[化合物(Mot)]制成的光学透明的无图案的层[层(LMT)]，直接粘附到该层(LT-2)的一个表面上，
该层(LT-2)的所述至少一个表面在蚀刻气体的存在下任选地通过射频辉光放电法处理，
其中，将该多层组件的有图案的衬底的层(LMP)直接粘附到该无图案的衬底的层(LMT)的相对的表面上。
11.根据权利要求10所述的多层组件，所述多层组件包含：
-光学透明的衬底层[层(LT-1)]，
-由至少一种第一金属化合物[化合物(M1)]的芯制成的有图案的层[层(LMP)]，直接粘附到该层(LT-1)的一个表面上，
-由至少一种光学透明的金属化合物[化合物(Mot)]制成的光学透明的无图案的层[层(LMT)]，直接粘附到该层(LMP)的相对的表面上，以及
-光学透明的衬底层[层(LT-2)]，直接粘附到该层(LMT)的相对的表面上，所述层(LT-2)与该层(LT-1)相同或不同，
其中在蚀刻气体的存在下任选地通过射频辉光放电法处理直接粘附到该层(LMT)的相对的表面上的该层(LT-2)的表面。
12.根据权利要求10所述的多层组件，所述多层组件包含：
-有图案的层[层(LMP)]，由至少一种第一金属化合物[化合物(M1)]的芯以及任选地至少部分覆盖所述芯的至少一种第二金属化合物[化合物(M2)]的壳制成，所述化合物(M2)与所述化合物(M1)相同或不同，
-由至少一种光学透明的金属化合物[化合物(Mot)]制成的光学透明的无图案的层[层(LMT)]，直接粘附到该层(LMP)的一个表面上，以及
-光学透明的衬底层[层(LT-2)]，直接粘附到该层(LMT)的相对的表面上，
其中在蚀刻气体的存在下任选地通过射频辉光放电法处理直接粘附到该层(LMT)的相对的表面上的该层(LT-2)的表面。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的多层组件，其中该层(LMP)是有图案的网格层[层(LMP’)]，该网格层由至少一种第一金属化合物[化合物(M1)]的芯以及任选地至少部分覆盖所述芯的至少一种第二金属化合物[化合物(M2)]的壳制成，所述化合物(M2)与所述化合物(M1)相同或不同。
14.根据权利要求13所述的多层组件，其中该层(LMP’)具有包括在100μm与800μm之间、优选地在150μm与500μm之间的筛目尺寸。
15.根据权利要求13或14所述的多层组件，其中该层(LMP’)具有包括在5μm与70μm之间、优选地在7μm与35μm之间的条宽度。
16.根据权利要求10至15中任一项所述的多层组件作为电子装置中的光学透明电极的用途。
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