JP2011151014A - 導電膜及びその製造方法、並びにタッチパネル - Google Patents

Abstract

【課題】膜はがれを起こすことなく、透明性及び導電性が大幅に向上した導電膜及び該導電膜の製造方法の提供。
【解決手段】金属ナノワイヤー及び分散剤を含有する金属ナノワイヤー含有膜を作製する金属ナノワイヤー含有膜作製工程と、前記金属ナノワイヤー含有膜を浸漬液中に浸漬する浸漬工程とを含む導電膜の製造方法である。該浸漬液が、金属ナノワイヤー含有膜中の分散剤を溶解可能な溶媒である態様、前記浸漬液が、エタノール、エチレングリコール、メタノール及び水から選択される少なくとも１種である態様などが好ましい。
【選択図】なし

Description

本発明は、膜はがれを起こすことなく、透明性及び導電性が大幅に向上した導電膜、及び該導電膜の製造方法、並びにタッチパネルに関する。

従来より、導電性微粒子を含有する分散液を塗布してなる導電膜について数多くの提案がなされている。しかし、これらの提案では、微粒子分散に必要な分散剤が微粒子間界面に存在するためか、高温処理を行わないと均一かつ十分な導電性を得ることが困難であるという問題がある。
このため、微粒子間界面を減少させる観点から、ポリオール法を用いて調製された銀ナノワイヤー分散物を、遠心分離工程を経て溶媒置換し、銀ナノワイヤー分散物を製造する方法が提案されている(特許文献１及び２参照)。これらの提案では、銀ナノワイヤー分散物を調製し、該銀ナノワイヤー分散物を塗布し、乾燥させることにより、導電膜の形成を行っており、微粒子間界面の減少により導電性を得るための金属量を減らすことができ、透明導電膜の形成も可能となるものである。
しかし、これらの提案では、分散物中に銀ナノワイヤー以外の金属微粒子などが存在するためか、十分な透明性を得ることが困難であり、また、分散剤が塗布膜中に残存するためか、十分な導電性が得られないという課題がある。
したがって膜はがれを起こすことなく、十分満足できる導電性及び透明性を兼ね備えた導電膜及び該導電膜の製造方法の速やかな提供が望まれているのが現状である。

米国特許出願公開第２００５／００５６１１８号明細書 米国特許出願公開第２００７／００７４３１６号明細書

本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、膜はがれを起こすことなく、透明性及び導電性が大幅に向上した導電膜及び該導電膜の製造方法、並びにタッチパネルを提供することを目的とする。

前記課題を解決するため本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、金属ナノワイヤー及び分散剤を含有する金属ナノワイヤー含有膜を浸漬液中に浸漬することにより、金属ナノワイヤー含有膜中の分散剤や余分な粒子などが除去でき、膜はがれを起こすことなく、透明性及び導電性が向上した導電膜が得られることを知見した。

本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 金属ナノワイヤー及び分散剤を含有する金属ナノワイヤー含有膜を作製する金属ナノワイヤー含有膜作製工程と、
前記金属ナノワイヤー含有膜を浸漬液中に浸漬する浸漬工程と、を含むことを特徴とする導電膜の製造方法である。
＜２＞ 浸漬液が、金属ナノワイヤー含有膜中の分散剤を溶解可能な溶媒である前記＜１＞に記載の導電膜の製造方法である。
＜３＞ 浸漬液が、エタノール、エチレングリコール、メタノール及び水から選択される少なくとも１種である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の導電膜の製造方法である。
＜４＞ 分散剤がイオン性界面活性剤である前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の導電膜の製造方法である。
＜５＞ イオン性界面活性剤が第４級アルキルアンモニウム塩である前記＜４＞に記載の導電膜の製造方法である。
＜６＞ 金属ナノワイヤーが、銀を含有する前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の導電膜の製造方法である。
＜７＞ 金属ナノワイヤーが、平均短軸長さ５０ｎｍ以下でありかつ平均長軸長さ５μｍ以上であり、短軸長さ５０ｎｍ以下でありかつ長軸長さ５μｍ以上である金属ナノワイヤーを全金属粒子中に金属量で５０質量％以上含む前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の導電膜の製造方法である。
＜８＞ 金属ナノワイヤーの短軸長さの変動係数が４０％以下である前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の導電膜の製造方法である。
＜９＞ 金属ナノワイヤーの断面形状が、角が丸まった形状である前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の導電膜の製造方法である。
＜１０＞ 金属ナノワイヤーの断面形状の鋭利度が７５％以下である前記＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の導電膜の製造方法である。
＜１１＞ 金属ナノワイヤー含有膜の作製が、金属ナノワイヤー及び分散剤を含む金属ナノワイヤー分散液を基材上に塗布し、乾燥させて行われる前記＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の導電膜の製造方法である。
＜１２＞ 前記＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の導電膜の製造方法により製造されたことを特徴とする導電膜である。
＜１３＞ 前記＜１２＞に記載の導電膜を用いたことを特徴とするタッチパネルである。

本発明によると、従来の前記諸問題を解決することができ、膜はがれを起こすことなく、透明性及び導電性が大幅に向上した導電膜及び該導電膜の製造方法、並びにタッチパネルを提供することができる。

図１は、金属ナノワイヤーの鋭利度を求める方法を示す説明図である。 図２は、タッチパネルの一例を示す概略断面図である。 図３は、タッチパネルの他の一例を示す概略説明図である。 図４は、図３に示すタッチパネルにおける導電膜の配置例を示す概略平面図である。 図５は、タッチパネルの更に他の一例を示す概略断面図である。

（導電膜及び導電膜の製造方法）
本発明の導電膜の製造方法は、金属ナノワイヤー含有膜作製工程と、浸漬工程とを少なくとも含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
本発明の導電膜は、本発明の導電膜の製造方法により製造される。
以下、本発明の導電膜の製造方法の説明を通じて本発明の導電膜の詳細についても明らかにする。

＜金属ナノワイヤー含有膜作製工程＞
前記金属ナノワイヤー含有膜作製工程は、金属ナノワイヤー及び分散剤を含有する金属ナノワイヤー含有膜を作製する工程である。
この場合、前記金属ナノワイヤー含有膜の作製は、金属ナノワイヤー及び分散剤を含む金属ナノワイヤー分散液を基材上に塗布し、乾燥させて行われることが好ましい。

＜＜金属ナノワイヤー分散液＞＞
前記金属ナノワイヤー分散液は、金属ナノワイヤー及び分散剤を含み、溶媒、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。

−金属ナノワイヤー−
前記金属ナノワイヤーは、平均短軸長さ（直径）が５０ｎｍ以下であり、かつ平均長軸長さ（長さ）が５μｍ以上であり、このような直径及び長さを有する金属ナノワイヤーが、全金属粒子中に金属量で５０質量％以上含まれているものである。
本発明において、前記金属ナノワイヤーとは、アスペクト比（長さ／直径）が３０以上である金属微粒子を意味する。

前記金属ナノワイヤーの平均短軸長さは５０ｎｍ以下であり、３５ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましい。なお、前記平均短軸長さが、小さすぎると耐酸化性が悪化し、耐久性が悪くなることがあるため、前記短軸長さは５ｎｍ以上であることが好ましい。一方、前記平均短軸長さが５０ｎｍを超えると、金属ナノワイヤー起因の散乱が生じるためか、十分な透明性を得ることができないことがある。
前記金属ナノワイヤーの平均長軸長さは、５μｍ以上であり、１０μｍ以上が好ましく、３０μｍ以上がより好ましい。なお、金属ナノワイヤーの長軸の長さが長すぎると金属ナノワイヤー製造時に絡まるためか、製造過程で凝集物が生じてしまうことがあるため、前記長軸の長さは１ｍｍ以下であることが好ましい。前記平均長軸長さが、５μｍ未満であると、密なネットワークを形成することが難しいためか、十分な導電性を得ることができないことがある。
ここで、前記金属ナノワイヤーの平均短軸長さ及び平均長軸長さは、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）と光学顕微鏡を用い、ＴＥＭ像や光学顕微鏡像を観察することにより求めることができ、本発明においては、金属ナノワイヤーの短軸長さ及び長軸長さは、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により３００個の金属ナノワイヤーを観察し、その平均値から求めたものである。

本発明においては、短軸長さが５０ｎｍ以下でありかつ長軸長さが５μｍ以上である金属ナノワイヤーが、全金属粒子中に金属量で５０質量％以上含まれており、６０質量％以上が好ましく、７５質量％以上がより好ましい。
前記短軸長さが５０ｎｍ以下であり長軸長さが５μｍ以上である金属ナノワイヤーの割合（以下、「適切ワイヤー化率」と称することもある）が、５０質量％未満であると、伝導に寄与する金属量が減少するためか伝導性が低下してしまうことがあり、同時に密なワイヤーネットワークを形成できないために電圧集中が生じるためか、耐久性が低下してしまうことがある。また、ナノワイヤー以外の形状の粒子が球形などのプラズモン吸収が強い場合には透明度を悪化してしまうことがある。
ここで、前記適切ワイヤー化率は、例えば金属ナノワイヤーが銀ナノワイヤーである場合には、銀ナノワイヤー水分散液をろ過して銀ナノワイヤーとそれ以外の粒子を分離し、ＩＣＰ発光分析装置を用いて、ろ紙に残っている銀（Ａｇ）量と、ろ紙を透過したＡｇ量とを各々測定することで、適切ワイヤー化率を求めることができる。ろ紙に残っている金属ナノワイヤーを透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察し、３００個の金属ナノワイヤーの短軸長さを観察し、その分布を調べることにより、短軸長さが５０ｎｍ以下でありかつ長軸長さが５μｍ以上である金属ナノワイヤーであることを確認する。なお、ろ紙は、ＴＥＭ像で短軸長さが５０ｎｍ以下であり、かつ長軸長さが５μｍ以上である金属ナノワイヤー以外の粒子の最長軸を計測し、その最長軸の５倍以上でありかつワイヤー長軸の最短長の１／２以下の径のものを用いることが好ましい。

本発明の金属ナノワイヤーの短軸長さ（直径）の変動係数は、４０％以下が好ましく、３５％以下がより好ましく、３０％以下が更に好ましい。
前記変動係数が、４０％を超えると、短軸長さの短いワイヤーに電圧が集中してしまうためか、耐久性が悪化することがある。
前記金属ナノワイヤーの短軸長さの変動係数は、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）像から３００個のナノワイヤーの短軸長さを計測し、その標準偏差と平均値を計算することにより、求めることができる。

本発明の金属ナノワイヤーの形状としては、例えば円柱状、直方体状、断面が多角形となる柱状など任意の形状をとることができるが、高い透明性が必要とされる用途では、円柱状や断面の多角形の角が丸まっている断面形状であることが好ましい。
前記金属ナノワイヤーの断面形状は、基材上に金属ナノワイヤー水分散液を塗布し、断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察することにより調べることができる。
前記金属ナノワイヤーの断面の角とは、断面の各辺を延長し、隣り合う辺から降ろされた垂線と交わる点の周辺部を意味する。また、「断面の各辺」とはこれらの隣り合う角と角を結んだ直線とする。この場合、前記「断面の各辺」の合計長さに対する前記「断面の外周長さ」との割合を鋭利度とした。鋭利度は、例えば図１に示したような金属ナノワイヤー断面では、実線で示した断面の外周長さと点線で示した五角形の外周長さとの割合で表すことができる。この鋭利度が７５％以下の断面形状を角の丸い断面形状と定義する。前記鋭利度は６０％以下が好ましく、５０％以下がより好ましい。前記鋭利度が７５％を超えると、該角に電子が局在し、プラズモン吸収が増加するためか、黄色みが残るなどして透明性が悪化してしまうことがある。前記鋭利度の下限は、３０％が好ましく、４０％がより好ましい。

前記金属ナノワイヤーにおける金属としては、特に制限はなく、いかなる金属であってもよく、１種の金属以外にも２種以上の金属を組み合わせて用いてもよく、合金として用いることも可能である。これらの中でも、金属又は金属化合物から形成されるものが好ましく、金属から形成されるものがより好ましい。
前記金属としては、長周期律表（ＩＵＰＡＣ１９９１）の第４周期、第５周期、及び第６周期からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属が好ましく、第２〜１４族から選ばれる少なくとも１種の金属がより好ましく、第２族、第８族、第９族、第１０族、第１１族、第１２族、第１３族、及び第１４族から選ばれる少なくとも１種の金属が更に好ましく、主成分として含むことが特に好ましい。

前記金属としては、例えば銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンテル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛、又はこれらの合金などが挙げられる。これらの中でも、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム又はこれらの合金が好ましく、パラジウム、銅、銀、金、白金、錫及びこれらの合金がより好ましく、銀又は銀を含有する合金が特に好ましい。

前記金属ナノワイヤーの前記金属ナノワイヤー分散液における含有量は、０．１質量％〜９９質量％が好ましく、０．３質量％〜９５質量％がより好ましい。前記含有量が、０．１質量％未満であると、製造時、乾燥工程における負荷が多大となり、９９質量％を超えると、粒子の凝集が起こりやすくなることがある。

−分散剤−
前記分散剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば第４級アルキルアンモニウム塩等のイオン性界面活性剤；アミノ基含有化合物、チオール基含有化合物、スルフィド基含有化合物、アミノ酸又はその誘導体、ペプチド化合物、多糖類、多糖類由来の天然高分子、合成高分子、又はこれらに由来するゲル等の高分子類、などが挙げられる。これらの中でも、浸漬時に洗浄することが容易であるため第４級アルキルアンモニウム塩が特に好ましい。

前記第４級アルキルアンモニウム塩としては、例えばヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド（ＨＴＡＢ）、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ステアリルトリメチルアンモニウムブロミド（ＳＴＡＢ）、ステアリルトリメチルアンモニウムクロリド、テトラデシルトリメチルアンモニウムブロミド、テトラデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ジラウリルジメチルアンモニウムブロミド、ジラウリルジメチルアンモニウムクロリドなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド（ＨＴＡＢ）が特に好ましい。

前記高分子類としては、例えば保護コロイド性のあるポリマーでゼラチン、ポリビニルアルコール、メチルセルロース、ヒドロキシプルピルセルロース、ポリアルキレンアミン、ポリアクリル酸の部分アルキルエステル、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ポリビニルピロリドン共重合体、などが挙げられる。
前記分散剤として使用可能な構造については、例えば「顔料の事典」（伊藤征司郎編、株式会社朝書院発行、２０００年）の記載を参照できる。

前記分散剤の前記金属ナノワイヤー分散液における含有量は、下記数式１により求めることができ、金属ナノワイヤーを分散できていれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２０質量％〜９５質量％が好ましく、４０質量％〜９０質量％がより好ましい。
＜数式１＞
分散剤の金属ナノワイヤー分散液における含有量（質量％）＝
（金属ナノワイヤー分散液中の金属含有量）／（金属ナノワイヤー分散液中の金属含有量＋分散剤の含有量）×１００

＜＜金属ナノワイヤーの製造方法＞＞
前記金属ナノワイヤーの製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば（１）ポリオール法（米国特許出願公開第２００５／００５６１１８号明細書、米国特許出願公開第２００７／００７４３１６号明細書参照）、（２）少なくともハロゲン化合物、及び還元剤を含む水溶媒中に、金属錯体溶液を添加して加熱する工程と、好ましくは脱塩処理工程とを含む金属ナノワイヤーの製造方法、などが挙げられる。これらの中でも、前記（２）の金属ナノワイヤーの製造方法が特に好ましい。

＜＜前記（２）の金属ナノワイヤーの製造方法＞＞
前記（２）の金属ナノワイヤーの製造方法は、少なくともハロゲン化合物、及び還元剤を含む水溶媒中に、金属錯体溶液を添加して加熱する工程と、好ましくは脱塩処理工程とを含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。

−金属錯体−
前記金属錯体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、銀錯体が特に好ましい。前記銀錯体の配位子としては、例えばＣＮ⁻、ＳＣＮ⁻、ＳＯ_３ ^２−、チオウレア、アンモニアなどが挙げられる。これらについては、“The Theory of the Photographic Process 4^th Edition”Macmillan Publishing、T.H.James著の記載を参照することができる。これらの中でも、銀アンモニア錯体が特に好ましい。
前記金属錯体の添加は、分散剤とハロゲン化合物の後に添加することが好ましい。ワイヤー核を高い確率で形成できるためか、本発明における適切な短軸長さ（直径）や長軸長さの金属ナノワイヤーの割合を高める効果がある。

前記溶媒としては、親水性溶媒が好ましく、該親水性溶媒としては、例えば水、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類；ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類；アセトン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類、などが挙げられる。

加熱温度は、１５０℃以下が好ましく、２０℃以上１３０℃以下がより好ましく、３０℃以上１００℃以下が更に好ましく、４０℃以上９０℃以下が特に好ましい。必要であれば、粒子形成過程で温度を変更してもよく、途中での温度変更は核形成の制御や再核発生の抑制、選択成長の促進による単分散性向上の効果があることがある。
前記加熱温度が、１５０℃を超えると、ナノワイヤーの断面の角が急峻になるためか、塗布膜評価での透過率が低くなることがある。また、前記加熱温度が低くなる程、核形成確率が下がり金属ナノワイヤーが長くなりすぎたためか、金属ナノワイヤーが絡みやすく、分散安定性が悪くなることがある。この傾向は２０℃以下で顕著となる。

前記加熱の際には還元剤を添加して行うことが好ましい。該還元剤としては、特に制限はなく、通常使用されるものの中から適宜選択することができ、例えば、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム等の水素化ホウ素金属塩；水素化アルミニウムリチウム、水素化アルミニウムカリウム、水素化アルミニウムセシウム、水素化アルミニウムベリリウム、水素化アルミニウムマグネシウム、水素化アルミニウムカルシウム等の水素化アルミニウム塩；亜硫酸ナトリウム、ヒドラジン化合物、デキストリン、ハイドロキノン、ヒドロキシルアミン、クエン酸又はその塩、コハク酸又はその塩、アスコルビン酸又はその塩等；ジエチルアミノエタノール、エタノールアミン、プロパノールアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノプロパノール等のアルカノールアミン；プロピルアミン、ブチルアミン、ジプロピレンアミン、エチレンジアミン、トリエチレンペンタミン等の脂肪族アミン；ピペリジン、ピロリジン、Ｎメチルピロリジン、モルホリン等のヘテロ環式アミン；アニリン、Ｎ−メチルアニリン、トルイジン、アニシジン、フェネチジン等の芳香族アミン；ベンジルアミン、キシレンジアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン等のアラルキルアミン；メタノール、エタノール、２−プロパノール等のアルコール；エチレングリコール、グルタチオン、有機酸類（クエン酸、リンゴ酸、酒石酸等）、還元糖類（グルコース、ガラクトース、マンノース、フルクトース、スクロース、マルトース、ラフィノース、スタキオース等）、糖アルコール類（ソルビトール等）などが挙げられる。これらの中でも、還元糖類、還元糖類の誘導体としての糖アルコール類が特に好ましい。
なお、還元剤種によっては機能として分散剤としても働く場合があり、同様に好ましく用いることができる。

前記還元剤の添加のタイミングは、分散剤の添加前でも添加後でもよく、ハロゲン化合物の添加前でも添加後でもよい。

本発明の金属ナノワイヤー製造の際にはハロゲン化合物を添加して行うことが好ましい。
前記ハロゲン化合物としては、臭素、塩素、ヨウ素を含有する化合物であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、臭化ナトリウム、塩化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム、臭化カリウム、塩化カリウム、ヨウ化カリウムなどのアルカリハライドや下記の分散剤と併用できる物質が好ましい。ハロゲン化合物の添加タイミングは、分散剤の添加前でも添加後でもよく、還元剤の添加前でも添加後でもよい。
なお、ハロゲン化合物種によっては、分散剤として機能するものがありうるが、同様に好ましく用いることができる。

前記ハロゲン化合物の代替としてハロゲン化金属微粒子を使用してもよいし、ハロゲン化合物とハロゲン化金属微粒子を共に使用してもよい。
分散剤とハロゲン化合物、又はハロゲン化金属微粒子は同一物質で併用してもよい。分散剤とハロゲン化合物を併用した化合物としては、例えば、アミノ基と臭化物イオンを含むヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド（ＨＴＡＢ）アミノ基と塩化物イオンを含むヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド（ＨＴＡＣ）などが挙げられる。

前記金属ナノワイヤー製造の際には分散剤を添加して行うことが好ましい。なお、使用する分散剤の種類によって得られる金属ナノワイヤーの形状を変化させることができる。
前記分散剤を添加する段階は、粒子調製する前に添加し、分散ポリマー存在下で添加してもよいし、粒子調整後に分散状態の制御のために添加しても構わない。分散剤の添加を二段階以上に分けるときには、その量は必要とするワイヤーの長さにより変更する必要がある。これは核となる金属粒子量の制御によるワイヤーの長さに起因しているためと考えられる。
前記分散剤としては、上述したものを用いることができる。

前記脱塩処理は、金属ナノワイヤーを形成した後、限外ろ過、透析、ゲルろ過、デカンテーション、遠心分離などの手法により行うことができる。

前記金属ナノワイヤー分散液における分散溶媒としては、主として水が用いられ、水と混和する有機溶媒を８０容量％以下の割合で併用することができる。
前記有機溶媒としては、例えば、沸点が５０℃〜２５０℃、より好ましくは５５℃〜２００℃のアルコール系化合物が好適に用いられる。このようなアルコール系化合物を併用することにより、塗布工程での塗り付け良化、乾燥負荷の低減をすることができる。
前記アルコール系化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばメタノール、エタノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール２００、ポリエチレングリコール３００、グリセリン、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、１,３−プロパンジオール、１,２−ブタンジオール、１,４−ブタンジオール、１,５−ペンタンジオール、１−エトキシ−２−プロパノール、エタノールアミン、ジエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、２−ジメチルアミノイソプロパノール、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

前記金属ナノワイヤー分散液は、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲン化物イオン等の無機イオンをなるべく含まないことが好ましい。
前記金属ナノワイヤー分散液の電気伝導度は、１ｍＳ／ｃｍ以下が好ましく、０．１ｍＳ／ｃｍ以下がより好ましく、０．０５ｍＳ／ｃｍ以下が更に好ましい。
前記金属ナノワイヤー分散液の２０℃における粘度は、０．５ｍＰａ・ｓ〜１００ｍＰａ・ｓが好ましく、１ｍＰａ・ｓ〜５０ｍＰａ・ｓがより好ましい。

前記金属ナノワイヤー分散液には、必要に応じて、バインダー、各種の添加剤、例えば、界面活性剤、重合性化合物、酸化防止剤、硫化防止剤、腐食防止剤、粘度調整剤、防腐剤などを含有することができる。

前記バインダーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばゼラチン、ゼラチン誘導体、ガゼイン、寒天、でんぷん、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸共重合体、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ポリビニルピロリドン、デキストラン、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記バインダーの前記金属ナノワイヤー分散液における含有量は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、銀１質量部に対し、０．０１質量部〜１０質量部が好ましく、０．１質量部〜５質量部がより好ましい。

前記腐食防止剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、アゾール類が好適である。前記アゾール類としては、例えばベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、メルカプトベンゾチアゾール、メルカプトベンゾトリアゾール、メルカプトベンゾテトラゾール、（２−ベンゾチアゾリルチオ）酢酸、３−（２−ベンゾチアゾリルチオ）プロピオン酸、及びこれらのアルカリ金属塩、アンモニウム塩、並びにアミン塩から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。前記腐食防止剤を含有することで、優れた防錆効果を発揮することができる。

−基材−
前記金属ナノワイヤー分散液を塗布する基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、白板ガラス、青板ガラス、シリカコート青板ガラス等の透明ガラス基板；ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂等の合成樹脂製シート、フィルム又は基板；アルミニウム板、銅板、ニッケル板、ステンレス板等の金属基板；その他セラミック板、光電変換素子を有する半導体基板などを挙げることができる。これらの基板には所望により、シランカップリング剤等の薬品処理、プラズマ処理、イオンプレーティング、スパッタリング、気相反応法、真空蒸着などの前処理を行うことができる。

以上のようにして作製された金属ナノワイヤー含有膜の厚みは、０．０２μｍ〜１μｍが好ましく、０．０３μｍ〜０．３μｍがより好ましい。

＜浸漬工程＞
前記浸漬工程は、前記金属ナノワイヤー含有膜を浸漬液中に浸漬する工程である。
前記浸漬は、金属ナノワイヤー含有膜全体が浸漬液中に浸かることができれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば（１）容器中に浸漬液を入れ、浸漬液中に金属ナノワイヤー含有膜を浸漬する方法、（２）塗布物を浸漬液中に通過させる方法などが挙げられる。
前記浸漬液としては、金属ナノワイヤー含有膜中の分散剤を溶解可能なものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば水、メタノール、エタノール、エチレングリコール、アセトンなどが挙げられる。これらの中でも、水、メタノール、エタノール、エチレングリコールが好ましく、水、エタノール、エチレングリコールが特に好ましい。

前記浸漬工程における浸漬の条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば浸漬液がエタノールであれば、５℃〜４０℃の範囲で１秒間〜３０分間が好ましく、１０℃〜３０℃の範囲で３秒間〜３分間がより好ましい。

前記金属ナノワイヤー含有膜を浸漬液中に浸漬することにより、金属ナノワイヤー含有膜から分散剤が除去されたことは、例えば分散剤としてイオン性界面活性剤を用いた場合には、浸漬処理後の浸漬液の導電度を測定することにより確認することができる。

本発明の導電膜は、本発明の導電膜の製造方法により製造される。
本発明の導電膜の表面抵抗は、１×１０^７Ω／□以下が好ましく、１×１０^３Ω／□以下がより好ましい。
ここで、前記表面抵抗は、例えば四端子法により測定することができる。
本発明の導電膜の光透過率は、７０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましい。
ここで、前記透過率は、例えば自記分光光度計（ＵＶ２４００−ＰＣ、島津製作所製）により測定することができる。

本発明の導電膜は、膜はがれを起こすことなく、透明性と導電性を大幅に向上させることができるので、例えばタッチパネル、ディスプレイ用電極、電磁波シールド、有機又は無機ＥＬディスプレイ用電極、電子パーパー、フレキシブルディスプレイ用電極、集積型太陽電池、表示素子、その他の各種デバイスなどに幅広く適用される。これらの中でも、タッチパネル、表示素子、集積型太陽電池が特に好ましい。

＜表示素子＞
本発明で用いられる表示素子としての液晶表示素子は、上記のようにして基板上にパターニングされた本発明の前記導電膜が設けられた素子基板と、対向基板であるカラーフィルター基板とを、位置を合わせて圧着後、熱処理して組み合わせ、液晶を注入し、注入口を封止することによって製作される。このとき、カラーフィルター上に形成される導電膜も、本発明の前記導電膜を用いることが好ましい。
また、前記素子基板上に液晶を散布した後、基板を重ね合わせ、液晶が漏れないように密封して液晶表示素子が製作されてもよい。
なお、前記液晶表示素子に用いられる液晶、即ち液晶化合物及び液晶組成物については特に制限はなく、いずれの液晶化合物及び液晶組成物をも使用することができる。

＜集積型太陽電池＞
本発明で用いられる集積型太陽電池（以下、太陽電池デバイスと称することもある）としては、特に制限はなく、太陽電池デバイスとして一般的に用いられるものを使用することができる。例えば、単結晶シリコン系太陽電池デバイス、多結晶シリコン系太陽電池デバイス、シングル接合型、又はタンデム構造型等で構成されるアモルファスシリコン系太陽電池デバイス、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）やインジウム燐（ＩｎＰ）等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体太陽電池デバイス、カドミウムテルル（ＣｄＴｅ）等のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体太陽電池デバイス、銅／インジウム／セレン系（いわゆる、ＣＩＳ系）、銅／インジウム／ガリウム／セレン系（いわゆる、ＣＩＧＳ系）、銅／インジウム／ガリウム／セレン／硫黄系（いわゆる、ＣＩＧＳＳ系）等のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体太陽電池デバイス、色素増感型太陽電池デバイス、有機太陽電池デバイスなどが挙げられる。これらの中でも、本発明においては、上記太陽電池デバイスが、タンデム構造型等で構成されるアモルファスシリコン系太陽電池デバイス、及び銅／インジウム／セレン系（いわゆる、ＣＩＳ系）、銅／インジウム／ガリウム／セレン系（いわゆる、ＣＩＧＳ系）、銅／インジウム／ガリウム／セレン／硫黄系（いわゆる、ＣＩＧＳＳ系）等のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体太陽電池デバイスであることが好ましい。

タンデム構造型等で構成されるアモルファスシリコン系太陽電池デバイスの場合、アモルファスシリコン、微結晶シリコン薄膜層、また、これらにＧｅを含んだ薄膜、更に、これらの２層以上のタンデム構造が光電変換層として用いられる。成膜はプラズマＣＶＤ等を用いる。

前記太陽電池に用いられる本発明の導電膜としての透明導電層は、前記全ての太陽電池デバイスに関して適用できる。前記透明導電層は、太陽電池デバイスのどの部分に含まれてもよいが、光電変換層に隣接していることが好ましい。光電変換層との位置関係に関しては下記の構成が好ましいが、これに限定されるものではない。また、下記に記した構成は太陽電池デバイスを構成する全ての部分を記載しておらず、前記透明導電層の位置関係が分かる範囲の記載としている。
（Ａ）基板−透明導電層（本発明品）−光電変換層
（Ｂ）基板−透明導電層（本発明品）−光電変換層−透明導電層（本発明品）
（Ｃ）基板−電極−光電変換層−透明導電層（本発明品）
（Ｄ）裏面電極−光電変換層−透明導電層（本発明品）

また、前記太陽電池に用いられる透明導電層は、赤外波長の透過率が高く、かつシート抵抗が小さいため、赤外波長に対する吸収の大きな太陽電池、例えばタンデム構造型等で構成されるアモルファスシリコン系太陽電池、銅／インジウム／セレン系（いわゆる、ＣＩＳ系）、銅／インジウム／ガリウム／セレン系（いわゆる、ＣＩＧＳ系）、銅／インジウム／ガリウム／セレン／硫黄系（いわゆる、ＣＩＧＳＳ系）等のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体太陽電池などに好適に用いられる。

（タッチパネル）
本発明の導電膜をタッチパネルの透明導電体として使用した場合、透過率の向上により視認性に優れ、かつ導電性の向上により素手、手袋を嵌めた手、指示具のうち少なくとも一つによる文字等の入力又は画面操作に対し応答性に優れるタッチパネルを製作することができる。
前記タッチパネルとしては、広く公知のタッチパネルが挙げられ、いわゆるタッチセンサー及びタッチパッドとして知られているものに対して、本発明の導電膜を適用することができる。

前記タッチパネルとしては、前記導電膜を有する限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、表面型静電容量方式タッチパネル、投射型静電容量方式タッチパネル、抵抗膜式タッチパネルなどが挙げられる。

前記表面型静電容量方式タッチパネルの一例について図２を用いて説明する。この図２において、タッチパネル１０は、透明基板１１の表面を一様に覆うように透明導電膜１２を配してなり、透明基板１１の端部の透明導電膜１２上に、図示しない外部検知回路との電気接続のための電極端子１８が形成されている。
なお、図２中１３は、シールド電極となる透明導電膜を示し、１４、１７は、保護膜を示し、１５は、中間保護膜を示し、１６は、グレア防止膜を示す。
透明導電膜１２上の任意の点を指でタッチ等すると、前記透明導電膜１２は、タッチされた点で人体を介して接地され、各電極端子１８と接地ラインとの間の抵抗値に変化が生じる。この抵抗値の変化を前記外部検知回路によって検知し、タッチした点の座標が特定される。

前記表面型静電容量方式タッチパネルの他の一例を図３を用いて説明する。この図３においてタッチパネル２０は、透明基板２１の表面を覆うように配された透明導電膜２２と透明導電膜２３と、該透明導電膜２２と該透明導電膜２３とを絶縁する絶縁層２４と、指等の接触対象と透明導電膜２２又は透明導電膜２３の間に静電容量を生じる絶縁カバー層２５からなり、指等の接触対象に対して位置検知する。構成によっては、透明導電膜２２，２３を一体として構成することもできる。また、絶縁層２４又は絶縁カバー層２５を空気層として構成してもよい。
絶縁カバー層２５を指等でタッチすると、指等と透明導電膜２２又は透明導電膜２３の間の静電容量の値が変化に変化が生じる。この静電容量値の変化を前記外部検知回路によって検知し、タッチした点の座標が特定される。
また、図４により、投射型静電容量方式タッチパネルとしてのタッチパネル２０を透明導電膜２２と透明導電膜２３とを平面から視た配置を通じて模式的に説明する。
タッチパネル２０は、Ｘ軸方向の位置を検出可能とする複数の透明導電膜２２と、Ｙ軸方向の複数の透明導電膜２３とが、外部端子に接続可能に配されている。透明導電膜２２と透明導電膜２３とは、指先等の接触対象に対し複数接触して、接触情報が多点で入力されることを可能とされる。
このタッチパネル２０上の任意の点を指でタッチ等すると、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の座標が位置精度よく特定される。
なお、透明基板、保護層等のその他の構成としては、前記表面型静電容量方式タッチパネルの構成を適宜選択して適用することができる。また、タッチパネル２０において、複数の透明導電膜２２と、複数の透明導電膜２３とによる透明導電膜のパターンの例を示したが、その形状、配置等としては、これらに限られない。

前記抵抗膜式タッチパネルの一例について図５を参照して説明する。この図５において、タッチパネル３０は、透明導電膜３２が配された基板３１と、該透明導電膜３２上に複数配されたスペーサ３６と、空気層３４を介して、透明導電膜３２と接触可能な透明導電膜３３と、該透明導電膜３３上に配される透明フィルム３５とが支持されて構成される。
このタッチパネル３０に対して、透明フィルム３５側からタッチすると、透明フィルム３５が押圧され、押し込まれた透明導電膜３２と透明導電膜３３とが接触し、この位置での電位変化を図示しない外部検知回路で検出することで、タッチした点の座標が特定される。

以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
以下の例において、銀ナノワイヤーの平均短軸長さ（直径）及び平均長軸長さ、銀ナノワイヤー短軸長さ（直径）の変動係数、適切ワイヤー化率、及び銀ナノワイヤーの断面角の鋭利度は、以下のようにして測定した。

＜銀ナノワイヤーの平均短軸長さ（直径）及び平均長軸長さ＞
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２０００ＦＸ）を用い、３００個の銀ナノワイヤーを観察し、その平均値から銀ナノワイヤーの平均短軸長さ（直径）及び平均長軸長さを求めた。

＜銀ナノワイヤー短軸長さ（直径）の変動係数＞
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ、日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２０００ＦＸ）を用い、３００個の銀ナノワイヤーを観察し、その平均値から銀ナノワイヤーの短軸長さ（直径）を計測し、その標準偏差と平均値を計算することにより変動係数を求めた。

＜適切ワイヤー化率＞
各銀ナノワイヤー水分散液をろ過して銀ナノワイヤーとそれ以外の粒子を分離し、ＩＣＰ発光分析装置（株式会社島津製作所製、ＩＣＰＳ−８０００）を用いてろ紙に残っているＡｇ量と、ろ紙を透過したＡｇ量を各々測定し、短軸長さ（直径）が５０ｎｍ以下であり、かつ長軸長さが５μｍ以上である銀ナノワイヤー（適切なワイヤー）の全金属粒子中の金属量（質量％）を求めた。
なお、適切ワイヤー化率を求める際の適切な銀ワイヤーの分離は、メンブレンフィルター（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ社製、ＦＡＬＰ０２５００、孔径１．０μｍ）を用いて行った。

＜銀ナノワイヤーの断面角の鋭利度＞
銀ナノワイヤーの断面形状は、基材上に銀ナノワイヤー水分散液を塗布し、断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２０００ＦＸ）で観察し、３００個の断面について、断面の外周長さと断面の各辺の合計長さを計測し、「断面の各辺」の合計長さに対する前記「断面の外周長さ」との比率である鋭利度を求めた。この鋭利度が７５％以下の場合には角の丸い断面形状であるとした。

（調製例１）
−試料Ｎｏ．１０１の調製−
予め、下記の添加液Ａ、Ｇ、及びＨを調製した。
〔添加液Ａ〕
硝酸銀粉末０．５１ｇを純水５０ｍＬに溶解した。その後、１Ｎのアンモニア水を透明になるまで添加した。そして、全量が１００ｍＬになるように純水を添加した。
〔添加液Ｇ〕
グルコース粉末０．５ｇを１４０ｍＬの純水で溶解して、添加液Ｇを調製した。
〔添加液Ｈ〕
ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド（ＨＴＡＢ）粉末０．５ｇを２７．５ｍＬの純水で溶解して、添加液Ｈを調製した。

次に、以下のようにして、銀ナノワイヤー水分散液を調製した。
純水４１０ｍＬを三口フラスコ内に入れ、２０℃にて攪拌しながら、添加液Ｈ ８２．５ｍＬ、及び添加液Ｇ ２０６ｍＬをロートにて添加した（一段目）。この液に、添加液Ａ ２０６ｍＬを流量２．０ｍＬ／ｍｉｎ、攪拌回転数８００ｒｐｍで添加した（二段目）。その１０分間後、添加液Ｈを８２．５ｍＬ添加した（三段目）。その後、３℃／分で内温７５℃まで昇温した。その後、攪拌回転数を２００ｒｐｍに落とし、５時間加熱した。
得られた水分散液を冷却した後、限外濾過モジュールＳＩＰ１０１３（旭化成株式会社製、分画分子量６，０００）、マグネットポンプ、及びステンレスカップをシリコーン製チューブで接続し、限外濾過装置とした。
銀ナノワイヤー分散液（水溶液）をステンレスカップに入れ、ポンプを稼動させて限外濾過を行った。モジュールからの濾液が５０ｍＬになった時点で、ステンレスカップに９５０ｍＬの蒸留水を加え、洗浄を行った。上記の洗浄を伝導度が５０μＳ／ｃｍ以下になるまで繰り返した後、濃縮を行い、試料Ｎｏ．１０１の銀ナノワイヤー水分散液を作製した。
得られた試料Ｎｏ．１０１の銀ナノワイヤーの平均短軸長さ（直径）、平均長軸長さ、適切ワイヤー化率、銀ナノワイヤー直径の変動係数、及び断面角の鋭利度を表１に示す。

（調製例２）
−試料Ｎｏ．１０２の調製−
調製例１において、一段目の混合溶液の初期温度２０℃を３０℃に変えた以外は、調製例１と同様にして、試料Ｎｏ．１０２の銀ナノワイヤー水分散液を作製した。
得られた試料Ｎｏ．１０２の銀ナノワイヤーの平均短軸長さ（直径）、平均長軸長さ、適切ワイヤー化率、銀ナノワイヤー直径の変動係数、及び断面角の鋭利度を表１に示す。

（調製例３）
−試料Ｎｏ．１０３の調製−
調製例１において、一段目で添加する添加液Ｈの量を８２．５ｍＬから６５．０ｍＬに変えた以外は、調製例１と同様にして、試料Ｎｏ．１０３の銀ナノワイヤー水分散液を作製した。
得られた試料Ｎｏ．１０３の銀ナノワイヤーの平均短軸長さ（直径）、平均長軸長さ、適切ワイヤー化率、銀ナノワイヤー直径の変動係数、及び断面角の鋭利度を表１に示す。

（調製例４）
−試料Ｎｏ．１０４の調製−
調製例１において、添加液Ｈに添加するヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド（ＨＴＡＢ）を等モルのステアリルトリメチルアンモニウムブロミド（ＳＴＡＢ）に代えた以外は、調製例１と同様にして、試料Ｎｏ．１０４の銀ナノワイヤー水分散液を調製した。
得られた試料Ｎｏ．１０４の銀ナノワイヤーの平均短軸長さ（直径）、平均長軸長さ、適切ワイヤー化率、銀ナノワイヤー直径の変動係数、及び断面角の鋭利度を表１に示す。

（調製例５）
−試料Ｎｏ．１０５の調製−
エチレングリコール３０ｍｌを三口フラスコに入れ１６０℃に加熱した。その後、３６ｍＭのポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）（Ｋ−５５、和光純薬工業株式会社製）、３μＭのアセチルアセトナート鉄、６０μＭの塩化ナトリウムエチレングリコール溶液１８ｍｌと、２４ｍＭの硝酸銀エチレングリコール溶液１８ｍｌを毎分１ｍｌの速度で添加した。１６０℃で６０分間加熱後室温まで冷却した。水を加えて遠心分離し、伝導度が５０μＳ／ｃｍ以下になるまで精製し、試料Ｎｏ．１０５の銀ナノワイヤーの水分散液を得た。
得られた試料Ｎｏ．１０５の銀ナノワイヤーの平均短軸長さ（直径）、平均長軸長さ、適切ワイヤー化率、銀ナノワイヤー直径の変動係数、及び断面角の鋭利度を表１に示す。

（調製例６）
−試料Ｎｏ．１０６の調製−
調製例５において、添加するポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）（Ｋ−５５、和光純薬工業株式会社製）を７２ｍＭに変えた以外は、調製例５と同様にして、試料Ｎｏ．１０６の銀ナノワイヤー水分散液を作製した。
得られた試料Ｎｏ．１０６の銀ナノワイヤーの平均短軸長さ（直径）、平均長軸長さ、適切ワイヤー化率、銀ナノワイヤー直径の変動係数、及び断面角の鋭利度を表１に示す。

（実施例１）
−下引き層の形成−
市販の二軸延伸熱固定済の厚み１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板に８Ｗ／ｍ^２・分のコロナ放電処理を施し、下記組成の下引き層用塗布液を塗布して乾燥厚み０．８μｍの下引き層を形成した。
−下引き層用塗布液の組成−
・ブチルアクリレート・・・４０質量％
・スチレン・・・２０質量％
・グリシジルアクリレート・・・・４０質量％
上記組成からなる共重合体ラテックスに、ヘキサメチレン−１,６−ビス（エチレンウレア）を０．５質量％含有させて、下引き層用塗布液を調製した。

次に、下引き層の表面に８Ｗ／ｍ^２・分のコロナ放電処理を施して、ヒドロキシエチルセルロースを親水性ポリマー層として乾燥厚みが０．２μｍになるように塗設した。

次に、ドクターコーターを用いて、試料Ｎｏ．１０１の銀ナノワイヤー水分散液を親水性ポリマー層上に塗布し、乾燥した。塗布銀量を蛍光Ｘ線分析装置（ＳＩＩ社製、ＳＥＡ１１００）にて測定し、０．０２ｇ／ｍ^２となるように塗布銀量を調節し、厚み０．１μｍの銀ナノワイヤー含有塗布膜を形成した。

＜浸漬処理＞
作製した銀ナノワイヤー含有塗布膜について、以下の浸漬条件により、浸漬処理を行った。
−浸漬条件−
浸漬液としてエタノールを用い、温度２５℃下で浸漬し、１５秒間保持した。

次に、浸漬処理後の銀ナノワイヤー含有塗布膜（導電膜）について、以下のようにして諸特性を評価した。結果を表２に示す。

＜塗布膜の透過率（透明性）＞
得られた浸漬処理後の銀ナノワイヤー含有塗布膜（導電膜）を、島津製作所製ＵＶ−２５５０を用いて、４００ｎｍ〜８００ｎｍの透過率を測定し、下記基準で評価した。
〔評価基準〕
◎：透過率が９０％以上で、実用上問題ないレベルである。
○：透過率が８０％以上９０％未満で、実用上問題ないレベルである。
△：塗布膜がやや黄色味を帯び、透過率が７５％以上８０％未満で、実用上問題ないレベルである。
×：塗布膜が黄色味を帯び、透過率が０％以上７５％未満で、実用上問題あるレベルである。

＜塗布膜の表面抵抗（導電性）＞
得られた浸漬処理後の金属ナノワイヤー含有膜（導電膜）を、表面抵抗計（三菱化学株式会社製、Ｌｏｒｅｓｔａ−ＧＰ ＭＣＰ−Ｔ６００）を用いて表面抵抗を測定し、下記基準で導電性を評価した。
〔評価基準〕
◎：表面抵抗が１００Ω／□未満で、実用上問題ないレベルである。
○：表面抵抗が５００Ω／□未満で、実用上問題ないレベルである。
△：表面抵抗が１，０００Ω／□未満で、実用上問題ないレベルである。
×：表面抵抗が１，０００Ω／□以上で、実用上問題あるレベルである。

＜塗布膜の膜はがれの評価＞
銀ナノワイヤー含有塗布膜を浸漬液から引き上げて乾燥させた後、１ｃｍ^２あたり一点の膜厚を測定し、浸漬させる前との平均膜厚減少率を求めて、下記基準で評価した。
〔評価基準〕
◎：平均膜厚減少率が９０％以上である。
○：平均膜厚減少率が７５％以上である。
△：平均膜厚減少率が５０％以上である。
×：平均膜厚減少率が５０％未満である。

（実施例２〜１１及び比較例１〜８）
実施例１において、表２に示す銀ナノワイヤー含有塗布膜（試料Ｎｏ．１０１〜試料Ｎｏ．１０６）、浸漬処理の有無、浸漬液、及び遠心分離の有無に変えた以外は、実施例１と同様にして、浸漬処理後の銀ナノワイヤー含有塗布膜を作製し、実施例１と同様にして、諸特性を評価した。結果を表２に示す。
なお、実施例１０、１１及び比較例７、８における遠心分離は、試料Ｎｏ．１０１及び試料Ｎｏ．１０６を作製した後、塗布を行う前に４，５００ｒｐｍで１０分間の条件で行った。

（実施例１２）
−タッチパネルの作製−
実施例１で作製した導電膜を用いて、『最新タッチパネル技術』（２００９年７月６日発行、株式会社テクノタイムズ）、三谷雄二監修、“タッチパネルの技術と開発”、シーエムシー出版（２００４年１２月発行）、「ＦＰＤ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ２００９ Ｆｏｒｕｍ Ｔ−１１講演テキストブック」、「Ｃｙｐｒｅｓｓ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ アプリケーションノートＡＮ２２９２」等に記載の方法により、タッチパネルを作製した。
作製したタッチパネルを使用した場合、透過率の向上により視認性に優れ、かつ導電性の向上により素手、手袋を嵌めた手、指示具のうち少なくとも一つによる文字等の入力又は画面操作に対し応答性に優れるタッチパネルを製作できることが分かった。

本発明の導電膜の製造方法により製造された導電膜は、膜はがれを起こすことなく、透明性及び導電性が大幅に向上したので、例えばタッチパネル、ディスプレイ用電極、電磁波シールド、有機又は無機ＥＬディスプレイ用電極、電子パーパー、フレキシブルディスプレイ用電極、集積型太陽電池、表示素子、その他の各種デバイスなどに幅広く用いられる。

１０、２０、３０ タッチパネル
１１、２１、３１ 透明基板
１２、１３、２２、２３、３２、３３ 透明導電膜
２４ 絶縁層
２５ 絶縁カバー層
１４、１７ 保護膜
１５ 中間保護膜
１６ グレア防止膜
１８ 電極端子
３４ 空気層
３５ 透明フィルム
３６ スペーサ

Claims (13)

1. 金属ナノワイヤー及び分散剤を含有する金属ナノワイヤー含有膜を作製する金属ナノワイヤー含有膜作製工程と、
   前記金属ナノワイヤー含有膜を浸漬液中に浸漬する浸漬工程と、を含むことを特徴とする導電膜の製造方法。
2. 浸漬液が、金属ナノワイヤー含有膜中の分散剤を溶解可能な溶媒である請求項１に記載の導電膜の製造方法。
3. 浸漬液が、エタノール、エチレングリコール、メタノール及び水から選択される少なくとも１種である請求項１から２のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
4. 分散剤がイオン性界面活性剤である請求項１から３のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
5. イオン性界面活性剤が第４級アルキルアンモニウム塩である請求項４に記載の導電膜の製造方法。
6. 金属ナノワイヤーが、銀を含有する請求項１から５のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
7. 金属ナノワイヤーが、平均短軸長さ５０ｎｍ以下でありかつ平均長軸長さ５μｍ以上であり、短軸長さ５０ｎｍ以下でありかつ長軸長さ５μｍ以上である金属ナノワイヤーを全金属粒子中に金属量で５０質量％以上含む請求項１から６のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
8. 金属ナノワイヤーの短軸長さの変動係数が４０％以下である請求項１から７のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
9. 金属ナノワイヤーの断面形状が、角が丸まった形状である請求項１から８のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
10. 金属ナノワイヤーの断面形状の鋭利度が７５％以下である請求項１から９のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
11. 金属ナノワイヤー含有膜の作製が、金属ナノワイヤー及び分散剤を含む金属ナノワイヤー分散液を基材上に塗布し、乾燥させて行われる請求項１から１０のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
12. 請求項１から１１のいずれかに記載の導電膜の製造方法により製造されたことを特徴とする導電膜。
13. 請求項１２に記載の導電膜を用いたことを特徴とするタッチパネル。