CN103680766B - 导电薄膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电子材料技术领域，公开了一种导电薄膜的制备方法。包含以下步骤：将胺类化合物加入到金属盐或金属氧化物与溶剂的混合物中混合均匀，形成第一混合溶液，将第一混合溶液与金属纳米线分散液混合均匀，形成第二混合溶液，将第二混合溶液涂覆于基底上，对涂覆有第二混合溶液的基底进行加热处理，形成金属纳米线导电薄膜。与现有技术相比，本发明中金属盐或金属氧化物溶液反应生成的金属导电颗粒将金属纳米线连接在一起，提高金属纳米线导电薄膜的导电性；而胺类化合物又能够使金属盐或金属氧化物溶液在低于100摄氏度时反应生成金属导电颗粒，使得本发明可以应用于低成本且玻璃化转变温度低的聚合物基底。
Description
技术领域
本发明涉及电子材料技术，特别涉及导电薄膜的制备方法。
背景技术
铟锡氧化物（ITO）透明导电薄膜被广泛用于平板显示、薄膜太阳能电池、传感器、触摸屏和可延展电子等领域，导电性能优异，当透光率为90%时，方阻可小至10欧姆/平方米。但ITO电极一般采用高温蒸镀工艺，设备费用高昂，且铟质地脆，资源稀缺，价格昂贵，这些严重限制了其在低成本、不耐高温的柔性衬底上的应用，无法满足日益增长的柔性电子市场的需求。目前最有希望取代ITO的透明导电薄膜之一为银纳米线透明导电薄膜。但因银纳米线表面通常包裹一层绝缘性稳定剂聚乙烯吡咯烷酮（PVP），其分解温度高达数百摄氏度，使得银纳米线间接触电阻较大，导电性不够理想。
为了提高银纳米线薄膜的导电性，通常需要在接近200度的高温对银纳米线进行后处理，使得一些成本低、但玻璃化转变温度不高的聚合物，如聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET），无法作为银纳米线薄膜的基底使用。其他提高导电性的方法如施加压力、用盐酸蒸汽处理、高能量脉冲光照射等，虽然对于提高导电性有利，但都在一定程度上给柔性基底带来损伤，且因其工艺本身的原因，限制了银纳米线透明导电薄膜在某些方面的应用。例如，当施加压力时，银纳米线透明导电薄膜将难以作为器件顶电极使用，因为大多器件在此压力下将失效。同理，虽然高能量脉冲光照射是一种效率非常高的方法，但如果用来处理太阳能电池的顶电极，也会使得器件的活性层功能受到影响或失效。
发明内容
本发明的目的在于提供一种导电薄膜的制备方法，使得薄膜的导电性提升，同时能够适应低成本且玻璃化转变温度低的基底。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种导电薄膜的制备方法，包含以下步骤：
将胺类化合物加入到金属盐或金属氧化物与溶剂的混合物中混合均匀，形成第一混合溶液；
将所述第一混合溶液与金属纳米线分散液混合均匀，形成第二混合溶液；
将所述第二混合溶液涂覆于基底上；
对所述涂覆有第二混合溶液的基底进行加热处理，形成金属纳米线导电薄膜。
现有技术中，金属纳米线表面通常包裹一层绝缘性稳定剂聚乙烯吡咯烷酮（PVP），其分解温度高达数百摄氏度，使得金属纳米线间接触电阻较大，导电性不够理想，为了提高金属纳米线薄膜的导电性，通常需要在接近200度的高温对金属纳米线进行后处理，使得一些成本低、但玻璃化转变温度不高的聚合物，如聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET），无法作为金属纳米线导电薄膜的基底使用。而本发明中导电薄膜的制备方法是在金属纳米线分散液中加入混合了胺类化合物的金属盐或金属氧化物与溶剂的混合物，由于胺类化合物的络合作用，降低了金属盐或金属氧化物与溶剂的混合物还原生成金属导电颗粒的温度，使得本发明中的导电薄膜的制备方法可以应用于低成本且玻璃化转变温度低的聚合物基底。另外，反应生成的金属导电颗粒将金属纳米线连接在一起，提高金属纳米线导电薄膜的导电性。
优选地，在所述将胺类化合物加入到金属氧化物与溶剂的混合物中混合均匀，形成第一混合溶液的步骤之前，还包含以下步骤：
在所述金属氧化物与溶剂的混合物中加入氨水。
金属氧化物在氨水中可溶解，使得其对应的还原生成金属的反应于均相中进行，提高了反应效率，同时因金属氧化物是固体粉末，溶解后便于更好地与金属纳米线分散液混合。
优选地，所述胺类化合物为以下任意一种或其任意组合：
氨水、乙胺、异丙胺、乙二胺、丙二胺、丁二胺、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺或三异丙醇胺。
本实施方式中用到的胺类化合物种类较多，可供选择的范围比较广泛。本实施方式优选二乙醇胺。加入胺类化合物的主要作用是降低金属盐或金属氧化物生成金属导电颗粒的温度，使得本发明中导电薄膜的制备方法可以应用于低成本但玻璃化转变温度低的聚合物基底。
优选地，在形成所述第一混合溶液之后，在形成所述第二混合溶液之前，还包含以下步骤：
在所述第一混合溶液中加入低沸点溶剂；
所述低沸点溶剂为一种沸点低于100摄氏度的溶剂。
第一混合溶液稀释后可提高其稳定性，避免常温下体系中金属盐反应生成金属而析出，延长其储存时间。
优选地，若所述第一混合溶液中溶剂含水，则在形成所述第一混合溶液之后，形成所述第二混合溶液之前，或在形成所述第二混合溶液之后加入高沸点溶剂；若所述第一混合溶液中的溶剂不含水，则在形成所述第一混合溶液之后，形成所述第二混合溶液之前，加入高沸点溶剂；
其中，所述高沸点溶剂为一种沸点在120～250摄氏度之间的溶剂。
使用低沸点溶剂是因为通常为得到较好的分散性最终使用的金属纳米线分散液浓度均偏低，需要使用大量溶剂进行稀释，而低沸点溶剂容易挥发，提高了银纳米线成膜后的干燥速率，从而降低了溶剂收缩效应对金属纳米线导电性的影响。但如果仅使用低沸点溶剂，由于其快速挥发，在后续加热时将导致金属盐呈固体析出，降低了与还原剂的接触面积及与胺类物质的络合，导致其还原生成金属颗粒的产率下降，从而不足以充分连接金属纳米线，无法有效提高薄膜的导电性。因此单纯使用低沸点溶剂无法有效地使金属盐反应生成金属，所以本发明中使用低沸点溶剂与高沸点溶剂的混合物作为溶剂，使最终得到质量较好的导电薄膜。
优选地，所述低沸点溶剂为水、乙醇、异丙醇、乙酸乙酯、丙酮、甲醇中的一种或几种的混合物；
若所述胺类化合物为醇胺类，则所述高沸点溶剂为乙二醇、正丁醇、正丁醚、乙二醇单甲醚、二乙二醇单甲醚、丙二醇、环己酮、醋酸丁酯或二甲苯中的一种或几种的混合物；
若所述胺类化合物不是醇胺类，则所述高沸点溶剂为乙二醇，或乙二醇与正丁醇、正丁醚、乙二醇单甲醚、二乙二醇单甲醚、丙二醇、环己酮、醋酸丁酯、二甲苯中的一种或几种的混合物。
因醇胺类胺类化合物，其本身不但可以与金属盐络合而降低金属盐还原生成金属的温度，同时在加热时具备还原性，因此无需另外加入还原剂；而非醇胺类胺类化合物，仅具备与金属盐络合降低反应温度的功能，因此需另外加入还原剂乙二醇，因为乙二醇兼具还原剂和溶剂的双重性质，可有效简化工艺。
优选地，所述胺类化合物与所述金属盐或金属氧化物的摩尔比为0.5～5。
胺类化合物的加入量需满足与金属离子充分络合的要求，使得金属盐还原成金属的反应顺利进行。
优选地，所述金属盐或金属氧化物在所述第二混合溶液中的浓度小于或等于100毫摩尔每升；
所述金属纳米线在所述第二混合溶液中的浓度为0.1～10毫克每毫升。
控制金属盐或金属氧化物的加入量可避免生成过多金属颗粒降低薄膜的透光率，控制金属纳米线在第二混合溶液中的浓度，可提高金属纳米线的分散性，增强薄膜的导电性。
优选地，所述金属盐为硝酸银或羧酸银；
所述金属氧化物为氧化银；
所述金属纳米线为银纳米线。
金属银导电性能较好，且在空气中比铜等稳定，因此本发明中优选银盐或氧化银作为金属盐或金属氧化物，优选银纳米线作为金属纳米线。
优选地，所述加热处理的温度为60～120摄氏度，所述加热处理的时间为1～60分钟。
成膜后对薄膜的加热处理温度和时间直接影响薄膜的导电性能，本发明中应严格控制加热处理的温度和时间，优选加热处理的温度为80摄氏度，时间为15分钟。
优选地，所述涂覆的方式为喷涂、刮涂、旋涂或印刷。
本发明中涂覆的方式可以为喷涂、刮涂、旋涂或印刷，优选旋涂，旋涂的方式比较容易通过控制基底的转速和旋涂时间控制薄膜的厚度。本发明优选转速为300～3000转每分钟，旋涂时间为10～60秒。
优选地，所述基底为透明或不透明的柔性或刚性物质。
本发明中的基底可以选择透明的或不透明的，柔性的或刚性的，使本发明中制备的金属纳米线导电薄膜应用范围广泛。
优选地，基底为玻璃或聚对苯二甲酸乙二醇酯PET。
玻璃成本低，性质稳定，可耐高温；聚对苯二甲酸乙二醇酯PET柔性好，成本低。
附图说明
图1是根据本发明第一实施方式中导电薄膜的制备方法流程图；
图2是根据本发明第五实施方式中导电薄膜的制备方法流程图；
图3是根据本发明第五实施方式中胺类化合物与银盐溶液的混合溶液在80摄氏度加热后的扫描电镜图；
图4是根据本发明第五实施方式中制备出的银纳米线导电薄膜的扫描电镜图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。
本发明的第一实施方式涉及一种导电薄膜的制备方法。包含以下步骤：
将胺类化合物加入到金属盐与溶剂的混合物中混合均匀，形成第一混合溶液；
将所述第一混合溶液与金属纳米线混合均匀，形成第二混合溶液；
将所述第二混合溶液涂覆于基底上；
对所述涂覆有第二混合溶液的基底进行加热处理，形成金属纳米线导电薄膜。
具体流程如图1所示。
步骤101：将金属盐溶解于溶剂中，形成金属盐溶液。
本实施方式中的金属盐优选硝酸银或羧酸银，金属银导电性能较好，空气中性质较铜等稳定，因此本发明中优选银盐作为金属盐。
接着步骤102：将胺类化合物加入到溶剂中溶解，再与金属盐溶液混合均匀，形成第一混合溶液。
此处加入的胺类化合物为醇胺类化合物，该醇胺类化合物可以为以下任意一种或其任意组合：
乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺或三异丙醇胺。
本实施方式中用到的醇胺类化合物种类繁多，可供选择的范围比较广泛，本实施方式优选二乙醇胺。加入醇胺类化合物的主要作用是降低金属盐或金属氧化物生成金属导电颗粒的温度，使得本发明中的导电薄膜的制备方法可以应用于低成本但玻璃化转变温度低的聚合物基底；醇胺类化合物本身具有还原性，可将金属盐还原成金属。
另外，上述醇胺类化合物与金属盐溶液中的金属盐的摩尔比要在0.5～5范围内，以便使醇胺类化合物与金属盐充分络合。
接着步骤103：将第一混合溶液与金属纳米线分散液混合均匀，形成第二混合溶液。
上述金属纳米线优选银纳米线。
值得一提的是，在本实施方式中，在形成第一混合溶液之后，形成第二混合溶液之前，可以在第一混合溶液中加入低沸点溶剂对其进行稀释，该低沸点溶剂为为一种沸点低于100摄氏度的溶剂。稀释后可提高第一混合溶液的稳定性，避免常温下体系中金属盐反应生成金属而析出，延长其储存时间。使用低沸点溶剂进行稀释，主要是考虑到在成膜时溶剂比较容易挥发，利于得到质量较好的薄膜。另外，若上述第一混合溶液中溶剂含水，则还可以在形成第一混合溶液之后，形成第二混合溶液之前，或在形成第二混合溶液之后加入高沸点溶剂；若上述第一混合溶液中的溶剂不含水，则在形成第一混合溶液之后，形成第二混合溶液之前，加入高沸点溶剂。该高沸点溶剂为一种沸点在120～250摄氏度之间的溶剂。使用低沸点溶剂是因为通常为得到较好的分散性最终使用的金属纳米线浓度均偏低，需要使用大量溶剂进行稀释，而低沸点溶剂容易挥发，提高了银纳米线成膜后的干燥速率，从而降低了溶剂收缩效应对金属纳米线导电性的影响。但如果仅使用低沸点溶剂，由于其快速挥发，在后续加热时将导致金属盐呈固体析出，降低了与还原剂的接触面积及与胺类物质的络合，导致其还原生成金属颗粒的产率下降，从而不足以充分连接金属纳米线，无法有效提高薄膜的导电性。因此单纯使用低沸点溶剂无法有效地使金属盐反应生成金属，所以本发明中使用低沸点溶剂与高沸点溶剂的混合物作为溶剂，使最终得到质量较好的导电薄膜。
本实施方式中优选的低沸点溶剂为水、乙醇、异丙醇、乙酸乙酯、丙酮、甲醇中的一种或几种的混合物；优选的高沸点溶剂为乙二醇、正丁醇、正丁醚、乙二醇单甲醚、二乙二醇单甲醚、丙二醇、环己酮、醋酸丁酯或二甲苯中的一种或几种的混合物。
另外，上述金属盐在第二混合溶液中的浓度小于或等于100毫摩尔每升；上述金属纳米线在第二混合溶液中的浓度在0.1～10毫克每毫升范围内。总之，在上述第二混合溶液中，金属盐与金属纳米线的摩尔比应小于1。控制金属盐的加入量可避免生成过多金属颗粒降低薄膜的透光率，控制金属纳米线在第二混合溶液中的浓度，可提高金属纳米线的分散性，增强薄膜的导电性。
步骤104：将第二混合溶液涂覆于基底上。
将该第二混合溶液涂覆于基底上的方式可以是喷涂、刮涂、旋涂或印刷，本实施方式中优选旋涂，旋涂的方式比较容易通过控制基底的转速以及旋转时间来控制金属纳米线在基底上的量。金属纳米线在基底上的密度不同，薄膜的透光率就不同，密度大则透光率低，导电性高；密度小则透光率高，导电性差，当然，金属纳米线在基底上的密度还跟金属纳米线分散在分散液中的浓度有关。本实施方式中基底转速控制在300～3000转每分钟，旋转时间控制在10～60秒。
本实施方式中基底为透明或不透明的柔性或刚性物质，优选玻璃或聚对苯二甲酸乙二醇酯PET。玻璃成本低，性质稳定，可耐高温；聚对苯二甲酸乙二醇酯PET柔性好，成本低。本实施方式中的基底可以选择透明的或不透明的，柔性的或刚性的，使本发明中制备出的金属纳米线导电薄膜应用范围非常广泛。
步骤105：加热处理上述涂覆有第二混合溶液的基底。
加热处理的温度为60～120摄氏度，时间为1～60分钟。
成膜后对薄膜的加热处理温度和时间直接影响薄膜的导电性能，本实施方式中应严格控制加热处理的温度和时间，优选加热处理的温度为80摄氏度，时间为15分钟。
至此，整个过程结束。
现有技术中，金属纳米线表面通常包裹一层绝缘性稳定剂聚乙烯吡咯烷酮（PVP），其分解温度高达数百摄氏度，使得金属纳米线间接触电阻较大，导电性不够理想，为了提高金属纳米线薄膜的导电性，通常需要在接近200度的高温对金属纳米线进行后处理，使得一些成本低、但玻璃化转变温度不高的聚合物，如聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET），无法作为金属纳米线导电薄膜的基底使用。而本发明中导电薄膜的制备方法是在金属纳米线中加入混合了醇胺类化合物的金属盐溶液，因为醇胺类物质具有还原性，能与金属盐反应生成金属导电颗粒，反应生成的金属导电颗粒能够连接金属纳米线，进而提高金属纳米线导电薄膜的导电性；而醇胺类化合物又能够降低金属盐或金属氧化物溶液生成金属导电颗粒的温度，这样的话金属盐溶液在低于100摄氏度时就能反应生成金属导电颗粒，使得本发明中的导电薄膜的制备方法可以应用于低成本且玻璃化转变温度低的聚合物基底。
本发明的第二实施方式涉及一种导电薄膜的制备方法。第二实施方式与第一实施方式类似，不同之处在于，在101步骤中，加入的不是金属盐，而是金属氧化物，因此在此步骤中还需加入氨水。因为金属氧化物在氨水中可溶解，使得其对应的还原生成金属的反应于均相中进行，提高了反应效率，同时因金属氧化物是固体粉末，溶解后便于更好地与金属纳米线分散液混合。本实施方式中优选金属氧化物为氧化银。
第一实施方式中提到的相关技术细节在本实施方式中依然有效，为了减少重复，这里不再赘述。相应地，本实施方式中提到的相关技术细节也可应用在第一实施方式中。
本发明的第三实施方式涉及一种导电薄膜的制备方法。第三实施方式与第一实施方式类似，不同之处在于，步骤102中加入的胺类化合物不是醇胺类，优选乙胺、异丙胺、乙二胺、丙二胺、丁二胺，且步骤101中高沸点溶剂优选乙二醇，或乙二醇与正丁醇、正丁醚、乙二醇单甲醚、二乙二醇单甲醚、丙二醇、环己酮、醋酸丁酯或二甲苯中的一种或几种的混合物。因为此时胺类化合物仅作为金属盐的络合剂降低还原反应的温度，不具备还原性，因此，需加入乙二醇作为还原剂，因为乙二醇兼具还原剂和溶剂的双重性质，可有效简化工艺。
第一实施方式中提到的相关技术细节在本实施方式中依然有效，为了减少重复，这里不再赘述。相应地，本实施方式中提到的相关技术细节也可应用在第一实施方式中。
本发明的第四实施方式涉及一种导电薄膜的制备方法。第四实施方式与第三实施方式类似，不同之处在于，步骤101中加入的不是金属盐，而是金属氧化物，因此在此步骤中还需加入氨水。第三实施方式中提到的相关技术细节在本实施方式中依然有效，为了减少重复，这里不再赘述。相应地，本实施方式中提到的相关技术细节也可应用在第三实施方式中。
本发明的第五实施方式涉及一种导电薄膜的制备方法。第五实施方式为第一实施方式的一个具体实施例。具体如图2所示。
步骤201：称取0.04克硝酸银，加入1.7克乙二醇，超声直至全部溶解，配制成硝酸银溶液。
本步骤为配制银盐溶液的步骤，此处的乙二醇即为高沸点溶剂。
步骤202：称取0.38克二乙醇胺，加入2.8克乙醇溶解上述二乙醇胺。
此处的乙醇即为低沸点溶剂，二乙醇胺为胺类化合物。
步骤203：将步骤201中的硝酸银溶液0.27克和步骤202中的溶液0.08克混合后加入7.2克乙醇，搅拌均匀，形成第一混合溶液。
此处第一混合溶液即胺类化合物与银盐溶液的混合溶液。该第一混合溶液在80摄氏度加热后的扫描电镜图如图3所示，可见硝酸银已经与胺类化合物反应生成银颗粒。
步骤204：称取0.2克浓度为10毫克每毫升的银纳米线分散液，加入0.8克步骤203中的第一混合溶液，搅拌均匀，形成第二混合溶液。
步骤205：将步骤204中的第二混合溶液在PET上旋涂成膜。
旋涂时的转速为500转每秒，旋涂时间为60秒。
步骤206：将步骤205中形成的膜在80摄氏度下加热15分钟，形成银纳米线导电薄膜。
如图4所示为本实施方式制备出的银纳米线导电薄膜的扫描电镜图。可见银颗粒包裹在银纳米线表面。
不难发现，本实施方式为第一实施方式相对应的一个具体实施例，第一实施方式中提到的相关技术细节在本实施方式中依然有效，为了减少重复，这里不再赘述。相应地，本实施方式中提到的相关技术细节也可应用在第一实施方式中。
上面各种方法的步骤划分，只是为了描述清楚，实现时可以合并为一个步骤或者对某些步骤进行拆分，分解为多个步骤，只要包含相同的逻辑关系，都在本专利的保护范围内。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。
Claims (15)
1.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：
将胺类化合物加入到金属盐或金属氧化物与溶剂的混合物中混合均匀，形成第一混合溶液；
将所述第一混合溶液与金属纳米线分散液混合均匀，形成第二混合溶液；
将所述第二混合溶液涂覆于基底上；
对所述涂覆有第二混合溶液的基底进行加热处理，形成金属纳米线导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，在所述将胺类化合物加入到金属氧化物与溶剂的混合物中混合均匀，形成第一混合溶液的步骤之前，还包含以下步骤：
在所述金属氧化物与溶剂的混合物中加入氨水。
3.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述胺类化合物为以下任意一种或其任意组合：
氨水、乙胺、异丙胺、乙二胺、丙二胺、丁二胺、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺或三异丙醇胺。
4.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，在形成所述第一混合溶液之后，在形成所述第二混合溶液之前，还包含以下步骤：
在所述第一混合溶液中加入低沸点溶剂；
所述低沸点溶剂为一种沸点低于100摄氏度的溶剂。
5.根据权利要求4所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述低沸点溶剂为水，乙醇，异丙醇，乙酸乙酯，丙酮，甲醇中的一种或几种的混合物。
6.根据权利要求4所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，若所述第一混合溶液中溶剂含水，则在形成所述第一混合溶液之后，形成所述第二混合溶液之前，或在形成所述第二混合溶液之后加入高沸点溶剂；若所述第一混合溶液中的溶剂不含水，则在形成所述第一混合溶液之后，形成所述第二混合溶液之前，加入高沸点溶剂；
其中，所述高沸点溶剂为一种沸点在120～250摄氏度之间的溶剂。
7.根据权利要求6中所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述低沸点溶剂为水，乙醇，异丙醇，乙酸乙酯，丙酮，甲醇中的一种或几种的混合物；
若所述胺类化合物为醇胺类，则所述高沸点溶剂为乙二醇、正丁醇、正丁醚、乙二醇单甲醚、二乙二醇单甲醚、丙二醇、环己酮、醋酸丁酯或二甲苯中的一种或几种的混合物；
若所述胺类化合物不是醇胺类，则所述高沸点溶剂为乙二醇，或乙二醇与正丁醇、正丁醚、乙二醇单甲醚、二乙二醇单甲醚、丙二醇、环己酮、醋酸丁酯、二甲苯中的一种或几种的混合物。
8.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述胺类化合物与所述金属盐或金属氧化物的摩尔比为0.5～5。
9.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，在所述第二混合溶液中，所述金属盐或金属氧化物与所述金属纳米线分散液中的金属纳米线的摩尔比小于1。
10.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属盐或金属氧化物在所述第二混合溶液中的浓度小于或等于100毫摩尔每升；
所述金属纳米线分散液中的金属纳米线在所述第二混合溶液中的浓度为0.1～10毫克每毫升。
11.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属盐为硝酸银或羧酸银；
所述金属氧化物为氧化银；
所述金属纳米线分散液中的金属纳米线为银纳米线。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述加热处理的温度为60～120摄氏度，所述加热处理的时间为1～60分钟。
13.根据权利要求1至11中任一项所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述涂覆的方式为喷涂、刮涂、旋涂或印刷。
14.根据权利要求1至11中任一项所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述基底为透明或不透明的柔性或刚性物质。
15.根据权利要求1至11中任一项所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述基底为玻璃或聚对苯二甲酸乙二醇酯PET。
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