201131582 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種不會引起膜剝離且透明性及導電 性大幅度地提昇的導電膜及該導電膜的製造方法以及觸控 面板。 【先前技術】 先前以來，已提出了大量的將含有導電性微粒子的分 散液塗佈而形成的導電膜。但是，該些提案中可能由於微 粒子分散所必需的分散劑存在於微粒子間界面，而存在若 不進行高溫處理則難以獲得均勻且充分的導電性的問題。 因此，就使微粒子間界面減少的觀點而言，已提出了 以下方法：將使用多元醇法而製備的銀奈米線分散液經由 離心分離步難猜溶㈣換，製造銀奈親分散液（參 照專利文獻1及專利文獻2)。該些提案中，藉由製備銀^ 米線分散液’塗佈該銀奈米線分散液並使其賴，而進行
，電膜的形成，可藉由微粒子間界面的減少而減少用以赛 侍導電性的金屬量，亦可形成透明導電膜。 X 以外些提案中，可能由於分散液中存在銀奈米線 卜的金屬微粒子等Lx獲得充分的透雖。另外， 劑殘存於塗佈膜中’而存在無法獲得充分的 =此現狀為，驢迅速提供—料料祕剝離且兼 77滿足需求的導電性及透明性的導 的製造方法。 〒电犋 3 201131582 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻η美國專利申請案公開第·/〇〇56118號 說明書 [專利文獻2]美國專利巾請案公開第2術順號 說明書 【發明内容】 本發明的目的在於提供-種不會引起膜剝離且透明性 及導電性大幅度地提㈣導電膜及該導_的製造方法以 及觸控面板。 本發明者等人為了解決上述課題而反覆進行了潛心研 究’結果發現，藉由將至少含有金屬奈米線及分散劑的含 金屬奈米線的膜浸潰於浸潰液中，可將含金屬夺 中的分㈣或多餘的粒子等去除，獲得不上= 透明性及導電性大幅度地提昇的導電膜。 本發明疋基於本發明者等人的上述見解而成用以解 決上述問題的手段如下。即， <1>一種導電膜的製造方法，其特徵在於包括： 含金屬奈米線的膜製作步驟，製作含有金屬奈米線及 分散劑的含金屬奈米線的膜；及 浸潰步驟，將上述含金屬奈米線的膜浸潰於浸潰液中。 ^ <2>如上述<1>所記載的導電膜的製造方法，其中 浸潰液為可將含金屬奈米線的膜中的分散劑溶解的溶劑。 <3>如上述<1>所記載的導電膜的製造方法，其中 4 201131582 浸潰液為選自乙醇、乙二醇、曱醇及水中的裏少-種。 <4>如上述<1;>所記載的導電膜的 方法，其 分散劑為離子性界面活性劑。 <5>如上述<4>所記載的導電膜的製造方法，其 離子性界面錄料四城基錄鹽。 =6>如上述<;1>所記載的導電膜的製造方法， 金屬奈米線含有銀。 、 入Μ = 如上述<1：>所記載的導電膜的製造方法，复中 金屬不米線是平均短轴長度為5Qnm以下且平均長解 以上’於所有金屬粒子中以金屬量為％ Wt%i^ 長度為50 η"以下且長轴長度為5帅以上的 么厘如上述所記載的導電膜的製造方法，其中 金屬不米線的短軸長度的變動係數為4G%以下。 公jiH如上述〈丨〉所記載的導電_製造方法，其中 金屬不米線的剖面形狀為圓角形狀。 公属如上述所記載的導電膜的製造方法，复中 金屬不米線關φ形狀的銳利度為75%以下。 八J1!〉如上述…所記載的導電膜的製造方法，豆中 含金屬奈米線的膜的製作是將含有金 八中 金屬不树以液㈣於基材上並使其乾燥而 <12>-種導魏，其雜在於··其 步驟的導電膜的製造方法而製造： a匕括以下 含金屬奈米線的膜製作步驟，製作含有金屬奈米線及 201131582 分散劑的含金屬奈米線的膜；及 浸潰步驟，將上述含金屬奈米線的膜浸潰於浸潰液中。 <13>—種觸控面板，其特徵在於使用藉由包括以下 步驟的導電膜的製造方法而製造的導電膜： 含金屬奈米線的膜製作步驟，製作含有金屬奈米線及 分散劑的含金屬奈米線的膜；及 浸潰步驟，將上述含金屬奈米線的膜浸潰於浸潰液中。 [發明效果] 根據本發明，可解決先前的上述各種問題，可提供一 種不會引起膜剝離且透明性及導電性大幅度地提昇的導電 膜及該導電膜的製造方法以及觸控面板。 【實施方式】 (導電膜及導電膜的製造方法） 本發明的導電膜的製造方法至少包括含金屬奈米線的 膜製作步驟及浸潰步驟，進而視需要含有其他步驟。 本發明的導電膜是藉由本發明的導電膜的製造方法而 製造。 以下’通過說明本發明的導電膜的製造方法，來對本 發明的導電膜的詳細情況加以明確說明。 <含金屬奈米線的膜製作步驟> 上述含金屬奈米線的膜製作步驟是製作至少含有金屬 奈米線及分散劑的含金屬奈米線的膜的步驟。 此時’上述含金屬奈米線的膜的製作較佳為將至少含 有金屬奈米線及分散劑的金屬奈米線分散液塗佈於基材上 6 201131582 並使其乾燥而進行。 <<金屬奈米線分散液>> 劑，嫩液至少含有金屬奈米線及分散 m 3有〉谷劑及進而視需要的其他成分。 -金屬奈米線- 上述金屬奈米線是平均絲長度 =:::長度(長度)為:種直 純奸财料*量為5〇 直πΓΓΓ ’所謂上述金屬奈鱗，是橫比（長度/ 罝仅）為30以上的金屬微粒子。 上述錢奈錄的平均絲長私5— 為35細以下，更佳為2〇nm以下 = 長度若過小則有時耐氧化性亞 ’L =丑軸 軸長度較佳為5 nm以上變差，故上述短 度超過50 nm，則有右上述平均紐軸長 射而無法獲得充分的透明；。產生金屬奈米線引起的敎 為：二==均長轴長度為一上，較佳 的長軸的長度過長，則右拄 再者，右金屬奈米線 繞而於製造過对產生凝聚物造時纏 1麵以下。若上述平均長轴長度小於5長:的長度較佳為 由於Τ蛾密集的網路而無法獲得充二導=時可能 此處’上述金屬奈鍋平均短轴長度=長轴長 201131582 T物：藉由使用穿透式電子顯微鏡（τ議—η Electron Μ聊sc〇py，TEM)及光學顯 A 太丄又疋日由穿透式電子顯微鏡（ΤΕΜ)觀察300個 金屬奈米線，趣據其平均值而求出。 本發月中，短轴長度為5〇 nm以下且 以上的金屬奈米線是於所有金屬粒子中以金m wt%==較佳為6〇wt%以上，更二 上的全屬二ί長度為5〇細以下且長轴長度為5哗以 仏屬不米線的比例（以下，有時亦稱為 能由於有助於傳導的金屬量減少： 外的㈣耐久性下降。另外，於奈米線以 ==粒子為球形等電聚吸收(ρΐ_ 強的情形時’有時會使翻度惡化。 的情適ί線化率例如於金屬奈米線為銀奈米線 盘直11不、米線水分散液進行過濾而將銀夺米線 pf他粒子錄，彳__合錢㈤⑽i吻c=d ㈣分㈣置，分制㈣、財殘留的 察ΐ紙ίί ^的Ag量’藉此求出適當線化率。用TEM觀 軸Ϊ声並屬奈米線，觀察300個金屬奈米線的短 布，藉此確認其是短軸長度為… 伟j 為5 μιη以上的金屬奈米線。再者，濾紙較 * 1用ΤΕΜ像對短轴長度為5Gnm以下且長軸長1為5 8 201131582 μπι 直徑的遽紙。 長的1/2以下的 較佳:=屬長度(直徑)的變動係數 若上述變動係=二：:而佳為編下。 於短轴長於電壓集中 據穿=====變動係數例如可藉由根 長度，並計算其標===個奈米線的短轴 本======採，t、長方 ’較佳為圓柱狀或剖面的多角形的; 太* ί ^屬奈米線的剖面形狀可藉由在基材上塗佈金屬 :面二:散液’並利用穿透式電子顯微鏡(TEM)觀察 延長上料的剖面的角，是指將勤的各邊 所謂「剖面的各邊^垂線相交的點的周邊部。另外， 線。此時，將些相鄰的角與角連結的直 的各邊」的面的外周長度」相對於上述「剖面 1所示的金比tj作為銳利度。銳利度例如在圖 長度與虛線所:的五二外=:=; 9 201131582 銳利度為75%以下的剖面形狀定義為圓角的剖面形狀。上 述銳利度較佳為60%以下，更佳為5〇%以下。若/述銳利 度超過75%，則有時可能由於電子局部存在於該角，^ 吸收增加，而導致殘留黃色等透明性惡化。 的 下限較佳為30%，更佳為40%。 上述金屬奈米線的金屬並無特別限制可為任音金 f J工一種金屬以外亦可組合使用兩種以上的金屬了亦 吏用。該些中，較佳為由金屬或金屬化合 物形成，更佳為由金屬形成。 述Ϊ屬較佳為選自由長週期表（IUPAC1991)的第 金Γ更⑽6週期所組成的群組中的至少-^ it為=自/ 2族〜第14族中的至少-種金屬，進 =選自第？、第8族、第9族、第_、第u族、 為主丄二族及第14族中的至少-種金™ 姑、如;Γ列舉銅、銀、金、翻、把、錄、錫、 録、錯或該些金屬的合金等。該此二=、=、 纪、銅銀或該些金屬的合金，更佳為 含有銀的合金。該些金屬的合金，特佳為銀或 佳為奈米線分散液中的含量較 含量少於0 1 更佳為0.3 wt°/〇〜95 wt%。若上述 ;Wt/°’則製造時乾燥步驟的負荷變得非常大， 201131582 若上述含量超過99 wt%，則有時容易引起粒子 -分散劑- 叫。 上述分散劑並無特別限制，可根據目的而適告 例如可列舉：四級烧基敍鹽等離子性界面活性劑了人=’ 的化合物、含硫醇基的化合物、含硫喊基的化^，基 ”生物二肽化合物、多糖類、來源於多糖類的$ 咼分子、合成高分子、或來源於該些物質的凝膠等高八= 類等。該些中，四級烷基銨鹽由於浸潰時容易清洗故特 1。 上述四級烷基銨鹽例如可列舉：溴化十六烷基三 敍（HTAB)、氣化十六烧基三甲基錢、演化硬脂基三^ 銨（STAB)、氣化硬脂基三甲基銨、溴化十四烷基三曱^ 銨、氣化十四烷基三曱基銨、溴化二月桂基二甲= 化二月桂基二甲基銨等。該些可單獨使用一種，亦可併^ 兩種以上。該些中，特佳為溴化十六烷基三 (HTAB)。 土私 上述高分子類例如可列舉：作為具有保護膠體性的聚 合物的明膠（gelatin)、聚乙烯醇、曱基纖維素、羥丙基纖 維素、聚烷二胺、聚丙烯酸的部分烷基酯、聚乙烯吡二烷 酮（PVP)、聚乙烯吡咯烷酮共聚物等。 疋 關於作為上述分散劑可使用的結構，例如可參照「顏 料的事典」（伊藤征司郎編，朝書院股份有限公司發行/， 2000年）的記載。 上述分散劑於上述金屬奈米線分散液中的含量可藉由 下述數式1而求出，只要可將金屬奈米線分散則無特別限 11 201131582 制，可根據目的而適當選擇，較佳為20 wt%〜95 wt%，更 佳為 40 wt%〜90 wt〇/〇。 <數式1> 分散劑於金屬奈米線分散液中的含量（wt%)= (金屬奈米、線分散液中的金屬含量）/(金屬奈米線分 散液中的金屬含量+分散劑的含量）χ1〇〇 < <金屬奈米線的製造方法> > 上述金屬奈米線的製造方法並無特別限制，可根據目 的而適當選擇，例如可列舉：⑴多元醇法（參日g美國專 利申請案公開第2005/0056118號說明書、美國專利申&岽 公開第麵。嶋號說明書);⑴至少== 素化合物及還原劑的水溶劑中添加金屬錯合物溶液並進行 加熱的步驟，較佳為包括脫鹽處理步驟的金屬奈米線的製 造方法等。該些中，特佳為上述（2)的金屬奈米線的製造 方法。 <<上述（2)的金屬奈米線的製造方法>> 上述（2)的金屬奈米線的製造方法至少包括在含有鹵 素化合物及還原劑的水溶劑中添加金屬錯合物溶液並進行 加熱的步驟，較佳為包括脫鹽處理步驟，進而視需要包括 其他步驟。 -金屬錯合物- 上述金屬錯合物並無特別限制，可根據目的而適當選 12 201131582 擇’特佳為銀錯合物。上述銀錯合物的配位基例如可列舉 CN、SCN、SO32·、硫脲、氨等。關於該些配位基，可來 照「The Theory of the Photographic Process 4th Edition」
Macmillan Publishing、T.H.James 著的記載。該些中，特佳 為銀氨錯合物。 上述金屬錯合物的添加較佳為在分散劑及齒素化合物 之後添加。可能由於能以高概率形成線核，而有提高本發 明的適當的短軸長度（直徑）或長軸長度的金屬奈米 比例的效果。 上述溶劑較佳為親水性溶劑，該親水性溶劑例如可列 舉：水:甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇等醇類；二嗓 院、四氫吱喃等喊類；丙酮等嶋；四氫 環狀醚類等。 唧一心烷等 加熱温度較佳為15(TC以下，更佳為耽以上 =，進而，為观以上剛。c以下，特佳為贼以上机 度變更有枋报士 Τ文尺，皿度，中途的溫 更有邮成的控做料次產生 促進所引起的單讀鋪昇的效果。 ^擇成長的 的剖面:角變:二’則有時可能由於奈米線 另外，上佈膜評價中的透過率變低。 %"刀散歡性變差。該傾向於贼以下㈣顯線谷易纏 上述加熱時較佳為添加還原劑而進行。該還原劑並無 13 201131582 特別限制’可自通常使用的還原劑中適當選擇，例如可列 舉：蝴氫化鈉、硼氫化鉀等硼氫化金屬鹽；氫化鋁鋰、氫 化鋁鉀、氫化鋁鉋、氫化鋁鈹、氫化鋁鎂、氫化鋁鈣等氫 化紹鹽’亞硫酸納、肼化合物、糊精（dextrin)、對苯二酴 (hydroqUinone )、經基胺、檸檬酸或其鹽、琥拍酸或其鹽、 抗壞血酸或其鹽等；二乙基胺基乙醇、乙醇胺、丙醇胺、 二乙醇胺、二甲基胺基丙醇等烷醇胺；丙胺、丁胺、二丙 胺乙一胺、二乙五胺等脂肪族胺；π底υ定（piperidine )、 吡咯啶（pyrrolidine)、N-甲基吡咯啶、嗎啉等雜環式胺； 苯胺、N-甲基本胺、甲苯胺（吣比丨出狀）、氨基苯甲鱗 (anisidine )、乙氧基苯胺（phenetidine )等芳香族胺；苄 胺、二甲苯二胺、N-甲基苄胺等芳烷基胺；甲醇、乙醇、 2-丙醇等醇，乙二醇、谷胱甘肽（^加批匕加幻、有機酸類 (檸檬酸、顏果酸、酒石酸等）、還原糖類（葡萄糖、半乳 糖、甘露糖、絲、颜、麥雜、棉子糖、水蘇糖等）、 糖醇類（山梨糖醇等）$。該些中，特佳為還原糖類、作 為還原糖類的衍生物的糖醇類。 八再者’視還原劑的種類不同，有時還原劑亦發揮作為 为散劑的功能，同樣亦可較佳地使用。 關於上述還原_添加時機，可為分散劑的添加前亦 可為添加後’且可為較化合㈣添加前亦可為添加後。 本發明的金屬奈米線製造時健為杨㈣化合 進行。 上述«化合物只要為含有演、氣、蛾的化合物則並 201131582 二特别限制，可根據目的而適當選擇，例如較佳為溴化鈉、 2納、峨化納、姨化卸、漠化鉀、氣化鉀、块化鉀等驗 、，屬_化物或可與下述分散劑併用的物質。關於鹵素化合 物的添加時機’可為分散劑的添加前亦可為添加後，且可 為還原劑的添加前亦可為添加後。 再者，視S素化合物的種類不同，亦可能有發揮作為 分散劑的舰的自素化合物，同樣可触地制。’’、、 亦可使用齒化金屬微粒子代替上述鹵素化合物，亦可 將鹵素化合物與齒化金屬微粒子一起使用。 为散劑與鹵素化合物、或鹵化金屬微粒子亦能以同— 物質而併用。作為洲分散雜i素化合㈣化合物，例 可列舉3有版基及溴化物離子的溴化十六烧基三甲基録 、漠化硬脂基三甲基錢（STAB)’含有胺基及氯 子的氣化十六烷基三甲基銨（HTAC)等。 上述金屬奈米線製造時較佳為添加分散劑而進行。再 ，亦可藉由所使用的分散劑的種類而使所得的金 線的形狀變化。 不’、 關於添加上述分制的階段，可於奸製備前添加， ^刀散聚合物存在下添加，亦可妹子罐後添加以控制 ，散狀態。於將分散劑的添加分成二階段以上時，其量必 雜據所需要的線的長度*變更。—般認為其賴在於， 成為核的金屬粒子量的控制會影響線的長度。 上述分散劑可使用上述物質。 上述脫鹽處理可於形成金屬奈米線後藉由超過遽、透 15 201131582 析、凝膠過渡、傾析、離心分離等方法而進行。 上述金屬奈米線分散液中的分散溶劑主要是使用水， 亦能以80 vol%以下的比例併用與水混和的有機溶劑。 上述有機溶劑例如適合使用沸點為5〇1〜25(Π3、更 佳為55°C〜200。(：的醇系化合物。藉由併用此種醇系化合 物’可實現塗佈步驟中的良好塗附、減少乾燥負荷。 上述醇系化合物並無特別限制，可根據目的而適當選 擇，例如可列舉：曱醇、乙醇、乙二醇、二乙二醇、三乙 二醇、聚乙二醇200、聚乙二醇3〇〇、甘油、丙二醇、二丙 二醇、1，3-丙二醇、丁二醇、M•丁二醇、丨义戊二醇、 1-乙。氧基-2-丙醇、乙醇胺、二乙醇胺、2 (2胺基乙氧基) 乙醇、2-二甲基胺基異丙醇等。該些可單獨使用一種，亦 可併用兩種以上。 ；屬不、米線分散液較佳為儘量不含驗. 驗土金屬離子、齒化物離子等無機離子/驗 下ίίί屬奈米線分散液的導電率較佳為1 mS/cm』 mS/cm以下，進而佳為〇 〇5以下 m—㈧二奈米Ϊ分散液於贼的黏度較佳為〇. μ +〇()mPa·8,更佳為 ImPa.s〜50ml>a.s。 種添加，視需要可含有黏合劑、《 硫化劑、抗腐_、#^合性化合物、抗氧化劑、相 L ... ^ 黏度凋整劑、防腐劑等。 例如可歹二:並無特別限制，可根據目的而適當選擇， 歹】舉明膠、明膠衍生物、白，旨、擇聚 201131582 綾甲基纖維素、羥乙基纖維素、 °亥些可單獨使用一種，亦可併 乙稀醇、聚丙浠酸共聚物、 聚乙婦。比Π各校J同、糊精等 用兩種以上。 j述齡_上述金屬奈錢分舰巾的含量並益特 別限制’可根據目的而適t選擇，相對於銀丨 , 佳為〇·01重量份〜10重量份，更佳為（U重量份〜5重^ 份。 里 上述抗腐蝕劑並無特別限制，可根據目的而適 擇，唑類較為合適。上述唑類例如可列舉選自苯幷三唑、 甲苯三。坐、苯幷射、疏基苯幷三唾、疏基笨幷:嗤、 (2-苯幷嗔唾硫基)乙酸、3·(2·苯幷嘆嗤硫基)丙酸及該些的 驗金屬鹽、銨鹽及胺鹽巾的至少—種。藉由含有上述抗 蚀劑，可發揮優異的防銹效果❶ & -基材_ 塗佈上述金屬奈米線分散液的基材並無特別限制，可 根據目的而適當選擇，例如可列舉：白板玻璃、青板玻璃、 二氧化矽塗佈青板玻璃等透明玻璃基板；聚碳酸酯、聚醚 颯、聚S旨、丙烯酸系樹脂、氣乙烯樹脂、芳香族聚酿胺樹 脂、聚醯胺醯亞胺、聚醯亞胺等的合成樹脂製薄片、膜或 基板；鋁板、銅板、鎳板、不鏽鋼板等金屬基板；其他陶 瓷板、具有光電轉換元件的半導體基板等。對於該些基板， 視需要可進行矽烷偶合劑等的化學品處理、電聚處理、離 子電鍍、濺鍍、氣相反應法、真空蒸鍍等前處理。 以如上方式製作的含金屬奈米線的膜的厚度較佳為 17 201131582 0.02 μιη〜1 μιη，更佳為 〇 〇3 μιη〜〇 3 μιη。 <浸潰步驟> 上述浸潰步驟是將上述含金屬奈米線的膜浸潰於浸潰 液中的步驟。 -•心叹旧/、將含金屬奈米線的膜整體浸潰於凉 液中則並無特別限制，可根據目的而適當選擇如= 舉⑴於容器中放入浸潰液並於浸潰液中浸潰含: 線的膜的方法、（2)使塗佈物於浸潰液中_ 上述浸潰液只要可將含金屬奈米線的膜中的分^.1 ==制’可根據目的而適當選擇，例 水甲龄、乙醇、乙二醇、丙嗣等。該些中舉 曱醇、乙醇、乙二醇，特佳為水、乙醇、乙二酿f為水、 上述浸潰步驟中的浸潰的條件並無 = ㈣而適當選擇，例如若浸潰液為乙醇夺==可根據 〜贼的範圍内浸潰1秒鐘〜30分鐘，更^圭為於5°C 30°C的範圍内浸潰3秒鐘〜3分鐘。 < 為於10C〜 藉由將上述含金屬奈米線的膜浸主 金屬奈米線的膜中將分散劑去除這液中而自含 子性界面活性劑作為分散劑時，可藉如於使用離 浸潰液的導電度來確認。 J疋反潰處理後的 j 告。 的導電膜的製造方法而 本發明，導麵的表面電阻較 更佳為1χ103Ω/□以下。 勹1x10 Ω/α以下， 201131582 此處，上述表面電阻例如可藉由四端子法測定。 本發明的導電膜的光透過率較佳為70%以上，更佳為 80%以上。 此處’上述透過率例如可藉由自動記錄式分光光度計 (UV2400-PC，島津製作所製造）來測定。 本發明的導電膜可使透明性及導電性大幅度地提昇而 不會引起膜剝離，故可廣泛地用於例如觸控面板、顯示器 用電極、電磁波遮罩 '有機或無機電致發光 (Electroluminescence.，EL)顯示器用電極、電子紙、可 撓性顯示器用電極、積體型太陽電池、顯示元件、其他各 種元件等。該些中’特佳為觸控面板、顯示元件、積體型 太陽電池。 <顯示元件> 作為本發明中使用的顯示元件的液晶顯示元件是藉由 將如上述般在基板上設有經圖案化的本發明的上述導電膜 的元件基板與作為對向基板的彩色濾光片基板對位並進行 壓接後，熱處理而加以組合，注入液晶並將注入口密封而 製作。此時，形成於彩色濾光片上的導電膜亦是較佳為使 用本發明的上述導電膜。 另外，亦可於上述元件基板上散布液晶後，將基板重 合，以液晶不漏出的方式密封而製作液晶顯示元件。 再者，關於上述液晶顯示元件所使用的液晶、即液曰 化s物及液晶組成物，並無特別限制，可使用任意的液晶 化合物及液晶組成物。 201131582 <積體型太陽電池> 本發明中使用的積體型太陽電池（以下亦稱為太陽電 池元件）並無特別限制，可使用通常所用的太陽電池元件。 例如可列舉：單晶矽系太陽電池元件、多晶矽系太陽電池 元件、以單接合型或串聯構造型等而構成的非晶矽系太陽 電池元件、砷化鎵（GaAs)或磷化銦（InP)等Πΐ-ν族化 合物半導體太陽電池元件、碲化錫（CdTe)等II·VI族化 合物半導體太陽電池元件、銅/銦/硒系（所謂Cis系）、銅 /銦/鎵/砸系（所謂CIGS系）、銅/銦/鎵/石西/硫系（所謂CIGSS 系）等I-III-VI族化合物半導體太陽電池元件、色素增感 型太陽電池元件、有機太陽電池元件等。該些中，於本發 明中，上述太陽電池元件較佳為以串聯構造型等構成的非 晶矽系太陽電池元件、及銅/銦/硒系（所謂CIS系）、銅/ 銦/録/砸糸（所g胃CIGS系）、銅/姻/錄/石西/硫系（所★宣「ΐΌςς 系）等I-III-VI族化合物半導體太陽電池元件。 以串聯構造型等構成的非晶矽系太陽電池元件的情況 下，非晶矽或微晶矽薄膜層、另外於該些中含有Ge的薄 膜、進而該些的2層以上的串聯構造被用作光電轉換層Z。 成膜時使用電漿化學氣相沈積（Chemical Deposition，CVD)等。 作為上述太陽電池所使用的本發明的導電膜的透明導 電層可應用於上述所有太陽電池元件+。上述透明導電層 可含有在太陽f池元件的任意部分，魏為與光電轉換層 鄰接。與光電轉換層的位置關係較佳為下述構成，但不^ 20 201131582 疋於此。另外，下述構成並未記載構成太陽電池元件的所 有部分，而是記載可瞭解上述透明導電層的位置關係的範 圍。 (A) 基板-透明導電層（本發明品光電轉換層 (B) 基板-透明導電層（本發明品）_光電轉換層-透 明導電層（本發明品） (C) 基板-電極_光電轉換層-透明導電層（本發明品） (D) 裏面電極-光電轉換層-透明導電層（本發明品） 另外，上述太陽電池所用的透明導電層由於紅外波長 的透過率高、且薄片電阻小’故適合用於對紅外波長的吸 收大的太陽電池例如以串聯構造型等構成非晶矽系太陽電 池、銅/銦/硒系（所謂CIS系）、銅/銦/鎵/砸系（所謂aGs 系）、銅/銦/鎵/石西/硫系（所謂CIGSS系）等ΜΗ_νι族化 合物半導體太陽電池等。 ' (觸控面板） 於將本發明的導電膜用作觸控面板的透明導電體時， 可製作由魏過率提昇錢覺確雛㈣，且*於導電性 提對空手 '戴著手㈣手、指具中的至少一種的 文字等的輸人或晝面操作的應答性優異_控面板。 上述觸控面板可廣泛列舉公知的觸控面板，對於 所謂觸控感測器及觸控塾而已知的構件，可應用本發明的 導電膜。 上述觸控面板只要具有上述導電膜則並無特別限制， 可根據目㈣適當選擇，例如可脾表面型靜電電容方式 201131582 觸控面板、投射型靜電電容方式觸控面板、電阻膜式觸控 面板等。 使用圖2對上述表面型靜電電容方式觸控面板的一例 加以說明。於該圖2中，觸控面板1〇是以將透明基板u 的表面均一地覆蓋的方式配置透明導電膜12而形成，並於 透明基板11的端部的透明導電膜12上形成用以與未圖示 的外部檢測電路電性連接的電極端子18。 再者，圖2中，13表示成為遮罩電極的透明導電膜， 14、17表示保護膜，15表示中間保護膜，16表示防眩膜。 若以手指觸摸透明導電膜12上的任意點等，則上述透 明導電膜12於所觸摸的點經由人體而接地，各電極端子 18與接地線之間的電阻值發生變化。藉由上述外部檢測電 路對該電阻值的變化進行檢測，而確定所觸摸的點的座標。 使用圖3對上述表面型靜電電容方式觸控面板的其他 一例進行說明。該圖3中，觸控面板20是由以將透明基板 21的表面覆蓋的方式配置的透明導電膜22及透明導電膜 23、將該透明導電膜22與該透明導電膜23絕緣的絕緣層 4 '及於手指等接觸對象與透明導電膜22或透明導電膜 23之間產生靜電電容的絕緣覆蓋層25所構成，對手指等 接觸對象進行位置檢測。視構成不同，亦可將透明導電膜 22，23構成為一體。另外，亦可使絕緣層24或絕 層25構成為空氣層。 若以手指等觸摸絕緣覆蓋層25，則手指等與透明導電 膜22或透明導電膜23之間的靜電電容的值發生變化。藉 22 201131582 ==測電路檢測該靜電電容值的變化，確定所觸 23俯=配藉詈由Γ，通過對透明導電膜22與透明導電膜 ==隹嫌射型靜電電容方式觸控面板的 觸控面板20進行示意性說明。 導電中’可f測x轴方向的位置的多片透明 = =22/、Y轴方向的多片透明導電膜23配置成可與外 :巧：連接。透明導電膜22與透明導電膜23可多片接觸 才曰尖專接觸對象，於多點處輸入接觸資訊。 若以手指等觸摸該觸控面板2〇上的 置精度佳地確定X軸方醜，則可位 表二電====構成可適當選擇上述 面姑電式板構成而應用。另外，觸控 板20+ ’示出了由多片透明導電膜22與多 ς 的透明導電膜的圖案的例子，但其形狀、配置Ϊ 明。= :一 的基板31、多片地配置於該相導電 電^ 32 經由空氣層34而可與剌導糾36、 33、ί，於該透明導電膜-上的透明膜導電膜 到按Ϊ明膜35側觸摸該觸控面板％，則透明膜35典 利用夫hi被壓人的透明導電膜32與透明導電獏33接觸又 未圖示的外部檢測電路對該位置的電位變化二 201131582 測’藉此確定所觸摸的點的座標。 [實例] 實 以下’對本發明的實例加以說明，本發明不受該此 例的任何限定。 二 、，以下的例子中，銀奈米線的平均短軸長度（直秤） 平均長軸長度、銀奈米線短軸長度（直徑）的變動^數及 適當線化率、及銀奈米線的剖面角的銳利度是如以下'浐則 > <銀奈米線的平均短軸長度（直徑）及平均長轴長产 使用穿透式電子顯微鏡（TEM，曰本電子股份有限八 司製造，JEM-2000FX)觀察300個銀奈米線，根^其^ 值求出銀奈米線的平均短軸長度（直徑）及平均長轴^長度-。 <銀奈米線短軸長度（直徑）的變動係數> a 使用穿透式電子顯微鏡（TEM，日本電子股份有限公 司製造’ JEM_2000FX)觀察3⑻個銀奈米線，根據其平均 值計測銀奈米線的短軸長度（直徑），計算其標準偏差及平 均值，藉此求出變動係數。 <適當線化率> 對各銀奈米線水分散液進行過遽而將銀奈米線與其他 粒子刀離使用ICP發光分析裝置（島津製作所股份有限 公司製造，ICPS-8000)，分別測定遽紙中殘留的Ag量及 透過滤紙的Ag量，求出短軸長度（直徑）為％細以下 且長軸長度為5 μιη以上的銀奈米線（適當的線）於所有 24 201131582 金屬粒子中的金屬量（wt%)。 再者，求出適當線化率時的適當的銀線的分離是使用 薄臈過濾器（Millipore公司製造，FALP02500,孔徑J 來進行。 ‘ 〈銀奈米線的剖面角的銳利度> 關於銀奈米線的剖面形狀，於基材上塗佈銀奈米線水 分散液，利用穿透式電子顯微鏡（TEM，日本電^股份有 限公司製造，JEM-2000FX)觀察剖面，對3〇〇個剖面計測 剖面的外周長度及剖面的各邊的合計長度，求出 「剖面的外周長度」相對於「剖面的各邊」== 比率的銳利度。該賴度為75%以下時為圓角的剖面形狀。 (製備例1) •試樣No. 101的製備· 預先製備下述添加液A、添加液G及添加液H。 〔添加液A〕 將石肖酸銀粉末0.5! g溶解於純水5〇灿中。其後，添 力口 1 N的氨水直至變透明為止。繼而，添加純水以使總量 建到100 mL。 〔添加液G〕 以l4〇mL的純水溶解葡萄糖粉末〇5 g，製備添加液 〇 〔添加液Η〕 以27.5 mL的純水溶解壤化十六烧基三甲基敍 (HTAB)粉末0.5g，製備添加液H。 25 201131582 繼而，以如下方式製備銀奈米線水分散液。 將純水410 mL放入至三口燒瓶内，於2〇°C下一邊擾 拌’一邊用漏斗添加添加液Η 82.5 mL及添加液G 206 mL (第一階段）。於該液體中以流量2.0 mL/min、擾拌轉速 800 rpm而添加添加液a 206 mL (第二階段）。1〇分鐘後， 添加添加液Η 82.5 mL (第三階段）。其後，以3°(：/πήη升 溫至内溫75。(：為止。其後，將攪拌轉速降低至2〇〇 rpm， 加熱5小時。 將所得的水分散液冷卻後，以聚矽氧製配管將超過濾 模組SIP1013 (旭化成股份有限公司製造，截留分子量 6,000)、磁泵及不鏽鋼杯連接，製成超過濾裝置。 將銀奈米線分散液（水溶液）放入至不鏽鋼杯中，使 泵動作而進行超過濾。於自模組流出的濾液達到 50 mL 的 時刻，於不鏽鋼杯中添加950 mL的蒸餾水，進行清洗。 反覆進行上述清洗直至導電率達到5()μ8/αη以下後，進行 農縮，製作試樣No.101的銀奈米線水分散液。 將所得的試樣价鹰的銀奈麟的平均_長度（直 :)、平均長轴長度、適當線化率、銀奈米線直徑的變動係 數、及剖面角的銳利度示於表1。 (製備例2 ) -試樣No.102的製備_ =例。1中’將第—階段的混合溶液的初期溫肩
No 102的相3^C ’除此以外’與製備例1同樣地製作試1 No.102的銀奈米線水分散液。 26 201131582 將所得的試樣No.102的銀奈米線的平均短轴長产（直 =)、平均長轴長度、適當線化率、銀奈米線直徑的^動係 數、及剖面角的銳利度示於表1。 (製備例3) -試樣No.103的製備- 於製備❸中’將第-階段中添加的添加液 ^更為㈣^，除此以外，與製備例！同樣地製 作5式樣No.103的銀奈米線水分散液。 將所得的試樣麗03的銀奈米線的平均短 長軸長度、適當線化率、銀奈米線直徑的變動係 數、及剖面角的銳利度示於表1。 (製備例4) -試樣No.104的製備- -甲t備例1巾，將添加至添域H中㈣化十六烧基 )換成等料料化硬縣三甲基銨 (STAB )，除此以外，與製備你丨〗π接丨立丨 的銀奈米線水分散液]鴨_樣版刚 將所得的試樣Ν。.刚的银奈米 徑）、平均妹錢、適細㈣長度（直 數、及剖μ的銳利度示於表1β、線直㈣變動係 (製備例5 ) -試樣No.105的製備- 其後ml放人至三°燒瓶中並加熱至聰。 其後以母W里lml的速度添加36mM的聚乙稀财烧 27 201131582 酮（PVP) (κ·55,和光純藥工業股份有限公司製造）、3 μΜ 的乙酿丙’鐵、6G μΜ的氯化納乙二醇溶液18 ―及24祕 的硝酸銀乙二醇溶液18 m卜於靴加熱6〇分鐘後冷卻 至室溫。添加水進行離心分離，進行純化直至導電率達到 50pS/cm以下，獲得試樣N〇 1〇5的銀奈米線的水分散液。 /將所得的試樣Νο·105的銀奈米線的平均短軸長度（直 U平均長轴長度、適當線化率、銀奈米線直徑的變動係 數、及剖面角的銳利度示於表1。 (製備例6) -試樣No. 1〇6的製備· 於製備例5巾’將所添加的聚乙烯^各院綱（pvp) (=5 ’和光純藥工#股份有限公司製造）變更為7: 太本姑除此以外與製備例5同樣地製作試樣No·106的部 奈米線水分散液。 將戶^試樣N。遍的銀奈米線的平均短轴長度（直 Ϊ ^軸長度、適當線化率、銀奈綺紐的變動係 數、及剖面角的銳利度示於表丨中。 28 201131582 冥60卜£ 剖面角的銳利度（％) 47.3 43.4 58.3 52.4 82.4 44.8 18.3 33.4 27.4 16.2 38.9 32.7 適當線化率 (wt%) 82.6 1_62J_1 63.2 88.3 85.3 64.2 長軸長度 (平均） | 36.7 μιη 1 32.3 μπι 6.8 μιη 25.3 μηα 10 μιη 10 μιη 短軸長度 (平均） 17.6 nm j 48.3 nm 17.8 run 18.6 nm 100 nm 1 製造方法 水系CTAB法 水系CTAB法 水系CTAB法 水系CTAB法 多元醇法 多元醇法 分散劑 1 ΗΤΑΒ 1 ΗΤΑΒ ΗΤΑΒ STAB PVP PVP 銀粒子形狀 璲 墙 祿 璲 試樣No. Ο 1_1 s »—Η 104 〇 〇 201131582 (實例1) -底塗層的形成- 對市售的經雙韩延伸熱固定的厚度100 μιη的聚對苯 一曱酸乙二S旨（PET)基板實施8W/m2.min的電暈放電處 理，塗佈下述組成的底塗層用塗佈液，形成乾燥厚度〇 8 的底塗層。 -底塗層用塗佈液的組成_ •丙稀酸丁自旨 ***40 wt% •20 wt% •40 wt% •笨乙烯 •丙烯酸縮水甘油酯…抑1/0 使由上述組成所構成的共聚物乳膠含有0.5 wt〇/ 亞甲基-1，6·雙(伸乙基脲），製備底塗層用塗佈液。0、六 繼而，對底塗層的表面實施8w/m2.min的 理’將紅基雜素作為親水性聚合物層， ，處 為0.2 μιη的方式塗設。 屎厚度成 然後，使用到刀塗佈機，將試樣Ν〇 1〇1的 分散液塗佈於親水性聚人物思 、# —、不米線水
射線分繼螢光X =節塗佈銀量以相_g/m2，形成厚度 量’ 奈米線的塗佈膜。 瓜的含有銀 <浸潰處理> 浸 對於所製作的含有銀奈米線的塗佈膜，依 >貝條件進行浸潰處理。 “、、以下的 -浸潰條件· 201131582 ν w 而對於浸潰處理後含有銀奈米線的塗佈膜（導電 、、/下般對各種特性進行評價。將結果示於。 秒鐘使用乙醇作為浸潰液，於溫度25。〇下浸潰，保持15 膜）， \至邱膜的透過率（透明性）〉 製作所製造的υν·255〇 ’對所得的浸潰處理 < ’ 3銀奈米線的塗佈膜（導電膜）測定4〇〇 nm〜8〇〇 nm的透過率，按下述基準進行評價。 〔評價基準〕 ◎.透過率為90%以上，為實用上無問題的水平。 〇.透過率為80%以上且小於9〇%，為實用上無問題 的水平。 —△•塗佈膜略帶黃色，透過率為75%以上且小於8〇%， 為實用上無問題的水平。 x ·塗佈膜帶黃色，透過率為〇%以上且小於75%，為 實用上有問題的水平。 <塗佈膜的表面電阻（導電性）> 使用表面電阻計（三菱化學股份有限公司製造， Loresta-GP MCP-T600) ’對所得的浸潰處理後的含金屬奈 米線的膜（導電膜）測定表面電阻，按下述基準評價導電 性。 〔評價基準〕 ◎:表面電阻小於1〇〇 Ω/□，為實用上無問題的水平。 0 :表面電阻小於500 Ω/口，為實用上無問題的水平。 31 201131582 平 △:表面電阻小於口，為實用上無問題的水平。 表面電阻為1，000 Ω/口以上，為實用上有問題的水 <塗佈膜的膜剝離的評價> ^將，有銀奈米線的塗佈膜自浸潰液中提起並加以乾燥 後，對每1 cm2測定一點的膜厚，求出與浸潰前相比的平 均膜厚減少率，按下述基準進行評價。 〔評價基準〕 ◎:平均膜厚減少率為90%以上。 〇 :平均膜厚減少率為75%以上。 △:平均膜厚減少率為50%以上。 x :平均膜厚減少率小於50%。 (實例2〜實例11及比較例1〜比較例8 ) 於實例1中’變更為表2所示的含有銀奈米線的塗佈 膜（試樣No.101〜試樣No.106)、浸潰處理的有無、浸潰 液、及離心分離的有無’除此以外，與實例i同樣地/&作 浸潰處理後的含有銀奈米線的塗佈膜，並與實例丨 對各種特性進行评價。將結果示於表2中。 再者’實例1〇、實例11及比較例7、比較例8中的離 心分離是於製作試樣版1〇1及試樣Ng•刚後 前，於4,500 rpm、10分鐘的條件下進行。 32 201131582 [表2] 試樣^_ 浸潰處理 浸潰液 導電性 逯明性 膜剝離 備註 實例1 101 有 乙醇 ◎ ◎ 實例2 102 有 乙醇 ◎ ◎ ◎ 實例3 103 有 乙醇 ◎ ◎ ◎ 實例4 h 1〇5一 有 乙二醇 〇 〇 〇 實例5 106_____ 有 乙二醇 ◎ ◎ 實例6 104 有 乙醇 ◎ ◎ ◎ 實例7 101 一 有 水 0 〇 ◎ 實例8 101 有 曱醇 〇 〇 〇 實例9 106 有 乙醇 ◎ ◎ ◎ 實例10 101 有 乙醇 ◎ ◎ ◎ 有離心分離 實例11 1〇6— 有 U , 1 乙二醇 ◎ ◎ 有離心分離 比較例1 丨 util 101 無 X X ◎ 比較例2 102 無 X X ◎ 比較例3 103 無 X X ◎ 比較例4 105 無 X X ◎ 比較例5 106 ^ 無 X X ◎ 比較例6 104」 無 X X ◎ 比較例7 101 無 〇 Δ ◎ 有離心分離 比較例8 無 〇 Δ ◎ 有離心分離 (實例12) -觸控面板的製作- 使用實例1中製作的導電膜，藉由『最新觸控面板技 術』（2009年7月6日發行，Techno-Times股份有限公司）、 三谷雄二監製、「觸控面板的技術與開發」、CMC出版（2004 年 12 月發行）、「FPD International 2009 Forum T-11 演講文 本」、「Cypress Semiconductor Corporation Application note AN2292」等所記載的方法來製作觸控面板。 於使用所製作的觸控面板時，可知能製作出由於透過
S 33 201131582 率提昇而視覺確認性優異，且由於導電性提昇而對空手、 戴著手套的手、指示器具中的至少一種的文字等的輸入或 畫面操作的應答性優異的觸控面板。 [產業上之可利用性] 藉由本發明的導電膜的製造方法而製造的導電膜不會 引起膜剝離且透明性及導電性大幅度地提昇，故可廣泛地 用於例如觸控面板、顯示器用電極、電磁波遮罩、有機或 =機el顯示器用電極、電子紙、可撓性顯示器用電極二 體型太陽電池、顯示元件、其他各種元件等。 【圖式簡單說明】 圖1是表示求出金屬奈米線的銳利度的方法的說明 圖2是表示觸控面板的一例的概略剖面圖。 圖3 θ主- 疋表示觸控面板的其他一例的概略說明圖。 圖4是矣_ 概略平面圖不圖3所示的觸控面板的導電膜的配置例 【主I表示觸控面板的進而其他一例的概略剖面圖 要70件符號說明】 了 20、30 :觸控面板 11、21、Ή · 31 ·透明基板 12、13、2)、 14 _ ' 23、32、33 :透明導電膜 4、17:保_ 中間保護膜 b ·防眩祺 34 201131582 18 :電極端子 24 :絕緣層 25 :絕緣覆蓋層 34 :空氣層 35 :透明膜 36 :間隔件