TWI500719B - 用於導電部件之網印的方法及組合物 - Google Patents

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Description

用於導電部件之網印的方法及組合物
本揭示案係關於在基板上形成導電部件。
透明導體指在高透射率表面或基板上塗佈之導電薄膜。透明導體可經製造以具有表面導電性同時維持合理光學透明度。該等表面導電透明導體廣泛用作平板液晶顯示器、觸控面板、電致發光裝置及薄膜光伏特電池中之透明電極，用作抗靜電層及電磁波屏蔽層。
當前，真空沈積之金屬氧化物(諸如，氧化銦錫(ITO))為向介電表面(諸如，玻璃及聚合物薄膜)提供光學透明度及導電性之工業標準材料。然而，金屬氧化物薄膜為脆性的且在彎曲或其他物理應力期間易受損。其亦需要高沈積溫度及/或高溫退火溫度以達成高電導率水準。金屬氧化物薄膜與易吸收水份之基板(諸如，塑膠及有機基板，例如，聚碳酸酯)之黏著性亦可能存在問題。因此金屬氧化物薄膜在可撓性基板上之施加極為有限。此外，真空沈積為一種高成本方法且需要專用設備。此外，真空沈積法不利於形成圖案及電路。此情形通常導致需要昂貴之圖案化方法，諸如，光微影。
導電聚合物亦用作光學透明電導體。然而，與金屬氧化物薄膜相比，其通常具有較低電導率值及較高光學吸收(尤其在可見光波長下)，且遭受缺乏化學穩定性及長期穩定性的影響。
近來，已開發出使用導電奈米結構而形成之透明導體，且該等透明導體提供相對於上述透明導體類型之一些優點。特定言之，使用導電奈米結構而形成之透明導體相對可撓可使用濕式塗佈法製造且可展現理想電特徵及光學特徵。該等透明導體揭示於(例如)美國專利申請案第11/766,552號；第11/504,822號；第11/871,767號；及第11/871,721號中，該等專利申請案係以引用之方式全部併入本文中。此外，雖然上述許多種裝置應用可使用具有相對大的相連導電區域之透明導電薄片，但該等應用中之多者亦需要僅小區域、圖案、迹線、線或其他該等部件具有導電性之若干層。雖然已開發出圖案化奈米結構基透明導體之方法，但該等圖案化方法可呈現出低製造效率。因此，需要能夠產生具有導電圖案或部件之奈米結構基導電薄膜。
根據本發明，在基板上形成導電部件，其中該導電部件包括金屬各向異性奈米結構，且該導電部件係藉由將含有該等金屬各向異性奈米結構之塗佈溶液網印至該基板上來形成。本發明之用於網印導電部件之塗佈溶液較佳包括增稠劑及金屬各向異性奈米結構。該塗佈溶液可另外包括溶劑及鹼。
根據本發明，可藉由網印包括導電奈米結構之塗佈溶液而在基板上形成透明導電層及部件。網印為一種將塗佈溶液塗覆至基板之方法，其使用篩或網來支持一模板，該模板通常包括阻斷墨水通過網直至基板之一或多個部件。藉由滾筒、塗刷器或跨越網表面而移動之其他該裝置來促使墨水通過網。
對於在基板上產生精確匹配模板之部件的尖銳邊緣部件的網印方法而言，塗佈溶液必須具有相對高之黏度。特定言之，塗佈溶液較佳具有大於200cP之黏度，且更佳具有大於約900cP之黏度。然而，如下所述，對於在基板上形成之導電之部件而言，其中之導電奈米結構必須適當地分散以能夠形成導電網路。該適當分散可能難以在具有足夠高黏度以有效網印之塗佈溶液中達成。根據本發明，使用具有金屬各向異性奈米結構之塗佈溶液來將透明導電部件網印至基板上。
導電奈米結構
本發明之塗佈溶液較佳包括導電奈米結構。如本文所用之「奈米結構」通常指奈米大小之結構，其至少一個尺寸小於500nm，更佳小於250nm、100nm或25nm。本發明之塗佈溶液中所用之奈米結構較佳經各向異性成形，亦即，其具有不等於一之縱橫比(長度與直徑之比)。在產生透明導電部件時使用各向同性奈米結構可能係困難的，因為達成所要電導率水準可能需要相對高重量百分比(或表面負載水準)之該等奈米結構。該等高負載水準可能不可接受地影響光學特徵，諸如霧濁度(例如，通常導致較高霧濁度)及透明度(例如，通常導致較低透明度)。然而，在網印塗覆中使用各向異性奈米結構可能具有挑戰性，因為奈米結構之長度可能使得難以在適當黏性塗佈溶液中分散奈米結構。本發明之塗佈溶液及網印方法有利地克服該等困難。
該等奈米結構可為實心或空心的。實心各向異性奈米結構包括(例如)奈米線。空心各向異性奈米結構包括(例如)奈米管。通常，各向異性奈米結構之直徑為5nm至500nm，更佳為10nm至100nm，且更佳為30nm至90nm，且長度為100nm至10μm，且更佳為500nm至1μm。
奈米結構可由任何導電材料形成。導電材料最常為金屬。半導電或不導電奈米結構通常並不與本文中所揭示之方法及設備一起良好作用以在基板上產生透明導電部件，因為可能需要使用相對高百分比之該等材料來達成可接受之電導率。且，該等相對高之量可能不利地影響所產生之部件之光學特性。金屬材料較佳可為純金屬、金屬合金或包含兩種或兩種以上類型之金屬的雙金屬材料。合適金屬包括(但不限於)銀、金、銅、鎳、鍍金之銀、鉑及鈀。亦認為由金屬之大氣氧化導致之少量氧化物亦可存在。
導電各向異性奈米結構較佳可用作本發明之塗佈溶液中之主要導電介質。較佳類型之各向異性金屬奈米結構包括金屬奈米線。金屬奈米線為由金屬、金屬合金或電鍍金屬形成之奈米線。合適金屬奈米線包括(但不限於)銀奈米線、金奈米線、銅奈米線、鎳奈米線、鍍金銀奈米線、鉑奈米線及鈀奈米線。同在申請中且共同擁有之美國申請案第11/766,552號、第11/504,822號、第11/871,767號及第11/871,721號描述製備金屬奈米線(例如銀奈米線)之方法，其描述內容係以引用的方式全部併入本文中。
主要導電介質中所用之另一較佳類型之各向異性金屬奈米結構包括金屬奈米管。2008年4月18日申請之同在申請中且共同擁有之美國專利申請案第12/106,244號描述製備金屬奈米管(例如，金奈米管)之方法，該美國專利申請案之描述內容係以引用的方式全部併入本文中。
在各種實施例中，導電奈米線之長度為約5-100μm且直徑(或橫截面)為5-100nm。在特定實施例中，奈米線之長度為約5-30μm且直徑為20-80nm。在一較佳實施例中，奈米線(例如，銀奈米線)之長度為約20μm且直徑為50nm。合適奈米管具有類似於關於奈米線所述之尺寸的尺寸。對於奈米管而言，直徑指奈米管之外徑。
導電部件
在基板上所形成之導電部件中，各向異性奈米結構經由滲透法而形成導電網路。當經由互連各向異性奈米結構而形成導電路徑時可建立滲透電導性。必須存在足量奈米結構以達到電滲透臨限值且使其變得導電。因此，電滲透臨限值為與奈米結構之負載密度或濃度相關之值，高於該值便可達成大範圍連接性。通常，負載密度指單位面積之奈米結構數目，其可由「數目/平方微米」表示。
如同在申請中之美國專利申請案第11/504,822號所述，各向異性奈米結構之縱橫比愈高，達成滲透電導性所需奈米結構愈少。對於各向異性奈米結構(諸如，奈米線或奈米管)而言，電滲透臨限值或負載密度與奈米線或奈米管之長度2 (平方長度)反相關。以引用的方式全部併入本文中之同在申請中且共同擁有之申請案11/871,053詳細描述在滲透臨限值下各向異性奈米結構之大小/形狀與表面負載密度之間的理論以及經驗關係。
圖1示意性展示基板(未展示)之表面上之導電部件5，其中由處於電滲透臨限值或高於電滲透臨限值之導電各向異性奈米結構20形成導電網路。藉由互連奈米結構20來形成導電路徑(例如，路徑可經由連接奈米結構而沿網路之一端行進至另一端)。因此可跨越各向異性奈米結構網路載運電流。
如本文所用之「導電網路」或「網路」指由高於電滲透臨限值之導電奈米結構形成之互連網路。通常，導電網路之表面電阻率不高於108 歐姆/平方(亦被稱為「Ω/□」)。表面電阻率較佳不高於104 Ω/□、3,000Ω/□、1,000Ω/□、或100Ω/□。通常，由金屬奈米線或奈米管形成之導電網路之表面電阻率在10Ω/□至1000Ω/□、100Ω/□至750Ω/□、50Ω/□至200Ω/□、100Ω/□至500Ω/□、或100Ω/□至250Ω/□、或10Ω/□至200Ω/□、10Ω/□至50Ω/□或1Ω/□至10Ω/□之範圍內。該等電阻範圍係藉由兩點電阻探針接觸導電部件兩端且將所得電阻除以構成該部件之平方數而獲得。舉例而言，長度為100μm且寬度為1μm之部件應由100個平方構成。
亦如圖1所示，各向異性奈米結構界定線間間隔30。在高於滲透臨限值時，線間間隔之大小(亦被稱為「網格大小」)與網路之電導率相關。通常，愈小之網格大小意謂愈密集分布之奈米結構，其又對應於愈高之電導率。
網格大小亦可用作奈米結構表面負載水準之指示物。舉例而言，對於給定長度之各向異性奈米結構而言，較低之表面負載將產生導致較大之網格大小。當網格大小高於特定臨限值時，奈米結構可能變得相隔過遠而使得不再可能滲透且線間間隔實際上成為絕緣體。圖2展示部件5'，其中奈米結構20'係處於不足以形成完整之網路之密度。線間間隔30'變得絕緣。換言之，歸因於與圖1相比之奈米結構之較低密度，網格大小擴大且奈米結構之間的電導性被破壞。
塗佈溶液
如上所述，為產生導電之表面部件，各向異性奈米結構負載水準足以在部件中形成滲透網路係重要的。因此，各向異性奈米結構在塗佈溶液中之量及分散對於能夠產生導電表面部件係重要的。此外，塗佈溶液之黏度必須足夠高以在基板上產生清潔線精確部件。
一項實施例之塗佈溶液較佳包括增稠劑及金屬各向異性奈米結構。特定言之，該實施例之塗佈溶液可包括99.0重量%至99.9重量%之增稠劑及0.1重量%至1.0重量%之金屬各向異性奈米結構。合適各向異性奈米結構如上所述。增稠劑可(例如)包括Dupont3517、Toyobo Vylonal及BorchiPW 25。亦認為該等及其他聚酯及聚胺基甲酸酯在本文所揭示之實施例中之任一者中用作增稠劑。本發明之塗佈溶液的另一實施例可具有99至999之增稠劑與金屬奈米結構之重量比。在該實施例中，增稠劑可(例如)為Dupont3517、Toyobo Vylonal及BorchiPW 25；且金屬奈米結構可(例如)為銀奈米線及/或金奈米管或本文所揭示之任何其他金屬各向異性奈米結構。
另一實施例之塗佈溶液較佳包括增稠劑、金屬各向異性奈米結構、溶劑及鹼。特定言之，該實施例之塗佈溶液可包括0.1重量%至8重量%之增稠劑，諸如，Polymer InnovationsWB40B-63或WB40B-64；0.01重量%至0.2重量%之鹼，例如，氫氧化銨或任何其他鹼；0.5重量%至1重量%之金屬各向異性奈米結構；及90.8重量%至99.4重量%之溶劑，諸如，水或諸如乙醇之任何其他溶劑。對於Polymer InnovationsWB40B-63或WB40B-64而言，溶液在用鹼中和時增稠。因此，當使用該等增稠劑中之任一者時，奈米結構較佳在添加鹼之前添加且分散。本發明之塗佈溶液之另一實施例可具有0.1至16之增稠劑與金屬奈米結構之重量比；0.01至0.4之鹼與金屬奈米結構之重量比；及90.8至198.8之溶劑與金屬奈米結構之重量比。在該實施例中，增稠劑可(例如)為Polymer InnovationsWB40B-63或WB40B-64(其亦可在本文所揭示之任何其他實施例中用作增稠劑)；鹼可(例如)為氫氧化銨或任何其他鹼；溶劑可(例如)為水或諸如乙醇之任何其他溶劑；且金屬奈米結構可(例如)為銀奈米線及/或金奈米管或本文所揭示之任何其他金屬各向異性奈米結構。
在另一實施例中，本發明之塗佈溶液較佳包括增稠劑、金屬各向異性奈米結構及溶劑。特定言之，該實施例之塗佈溶液可包括1重量%至10重量%之增稠劑，諸如，乙基纖維素(例如，Dow之Ethocel100、200、300)、羥基丙基纖維素及羥基丙基甲基纖維素(例如，Sigma Aldrich目錄號423173及Methocel311)(其中之任一者可在本文所揭示之任何其他實施例中用作增稠劑)；0.1重量%至1重量%之金屬各向異性奈米結構；及89重量%至98.9重量%之溶劑，例如，水、丙二醇單甲醚(PGME)、乳酸乙酯、苯甲醇及二丙酮醇。當使用纖維素材料中之任一者作為增稠劑時，該材料在溶解於溶液中時黏度增加。因此，當使用纖維素增稠劑時，較佳在將增稠劑溶解於水中之前混入奈米結構。本發明之塗佈溶液之另一實施例可具有1至100之增稠劑與金屬奈米結構之重量比；及89至989之溶劑與金屬奈米結構之重量比。在該實施例中，增稠劑可(例如)為乙基纖維素(例如，Dow之Ethocel100、200、300)、羥基丙基纖維素及羥基丙基甲基纖維素(例如，Sigma Aldrich目錄號423173及Methocel311)；溶劑可(例如)為水、丙二醇單甲醚(PGME)、乳酸乙酯、苯甲醇及二丙酮醇；且金屬奈米結構可(例如)為銀奈米線及/或金奈米管或本文所揭示之任何其他金屬各向異性奈米結構。
基板
如本文所用之「基板」或「所選基板」指將導電部件塗佈於其上之材料。基板可為剛性或可撓的。基板可透光或不透明。舉例而言，合適剛性基板包括玻璃、聚碳酸酯、丙烯酸系化合物及其類似物。合適可撓性基板包括(但不限於)聚酯(例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸酯及聚碳酸酯)；聚烯烴(例如，線性、分支及環狀聚烯烴)；聚乙烯(例如，聚氯乙烯、聚氯亞乙烯、聚乙烯醇縮醛、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯及其類似物)；纖維素酯鹼(例如，三乙酸纖維素、乙酸纖維素)；聚碸，諸如，聚醚碸；聚醯亞胺；聚矽氧；及其他習知聚合物薄膜。合適基板之額外實例可見於(例如)美國專利第6,975,067號中。
後處理
可能存在如下狀況：在如本文所述而將部件網印於基板上之後，所印刷部件之電導率可能對於其預期用途不夠高。因此，根據本發明，可在部件及基板上進行多種網印後處理。
發現會提高所印刷部件之電導率的一種印刷後處理為在使部件乾燥之後用乙醇洗滌所印刷部件。第二該印刷後處理為烘焙基板上之部件。在一項實施例中，可(例如)藉由將基板及部件置放於加熱板上而進行烘焙後處理。亦可將基板及部件置放於烘箱或其他加熱環境中來進行烘焙。
此外，發現將所印刷部件曝露於氬氣氛或其他惰性氣氛可提高該部件之電導率。舉例而言，用氬或氧電漿表面處理所印刷部件可改良該部件之電導率。作為一說明性實例，可在March PX250系統中使用以下工作參數進行Ar或N2 電漿處理：300W，90秒(或45秒)，Ar或N2 氣流：12sccm，壓力：~300毫托。亦可使用其他已知表面處理(例如，電暈放電或UV/臭氧處理)。舉例而言，Enercon系統可用於電暈處理。
作為後處理之一部分，可進一步對所印刷部件進行壓力處理。在一項實施例中，可將其上印刷部件之基板饋送穿過層壓機之滾筒，該等滾筒對該基板之表面施加壓力。應瞭解，亦可使用單滾筒。
有利地，對根據本文所述之方法製造之導電部件施加壓力可提高該部件之電導率。特定言之，可藉由使用一或多個滾筒(例如，圓柱形桿)而對根據本文所述之方法製造之導電部件的一個或兩個表面施加壓力，其中之一者或兩者可能(但並非必需)具有大於導電層之寬度尺寸的長度尺寸。若使用單滾筒，則可將基板置放於剛性表面上，且在將壓力施加至滾筒時，單滾筒使用已知方法跨越基板之曝露表面而滾壓。
在一項實施例中，可藉由一或多個滾筒而對透明導體施加50psi至10,000psi。亦認為可施加100psi至1000psi、200psi至800psi、300psi至500psi或高達3000psi。較佳地，但未必，在塗覆下述任何基質或外塗層材料之前，對導電部件施加壓力。
若使用兩個或兩個以上滾筒來對導電薄片施加壓力，則可使用「夾壓」或「夾送」滾筒。夾壓或夾送滾筒在此項技術中係熟知的，且描述於(例如)3M Technical Bulletin「Lamination Techniques for Converters of Laminating Adhesives」(2004年3月)中，該文獻係以引用的方式全部併入本文中。可進行對所印刷部件施加壓力一次或多次。若多次(例如)藉由層壓施加壓力，則可每次相對於平行於薄片之滾壓表面之軸在相同方向上或在不同方向上進行層壓。
基質或外塗層
在將導電部件沈積至基板上之後，在特定實施例中，在導電部件頂部沈積外塗層或基質可能較佳。外塗層或基質指將導電奈米結構分散或嵌入於其中之固態材料。各向異性奈米結構之部分可自外塗層或基質材料凸出以使得能夠接取至導電網路。外塗層或基質可充當奈米結構之主體。外塗層或基質可保護金屬奈米結構免受不利環境因素(諸如，腐蝕及磨損)影響。特定言之，基質可顯著降低環境中之腐蝕成份(諸如，水份、痕量酸、氧、硫及其類似物)之滲透性。此外，外塗層或基質向導電部件提供有利之物理及機械特性。舉例而言，其可向基板提供黏著性。此外，不同於金屬氧化物薄膜，嵌入有各向異性奈米結構之聚合物基質或有機基質為穩固且可撓的。
此外，導電層之光學特性可藉由選擇適當基質材料來定製。舉例而言，可藉由使用具有所要折射率、組成及厚度之基質來有效減少反射損耗及不當眩光。
通常，基質為光學透光材料。若在可見光區(400nm-700nm)中材料之光透射率為至少80%，則認為該材料「光學透光」或「光學透明」。除非另作規定，否則本文所述之透明導體中之所有層(包括基板及各向異性奈米結構層)較佳為光學透光的。基質之光學透光度通常由大量因素決定，該等因素包括(但不限於)折射率(RI)、厚度、整個厚度中RI之一致性、表面(包括界面)反射及霧濁度(由表面粗糙度及/或嵌入之粒子導致之散射損耗)。
在特定實施例中，基質之厚度為約10nm至5μm，約20nm至1μm，或約50nm至200nm。在其他實施例中，基質具有約1.3至2.5或約1.35至1.8之折射率。在特定實施例中，基質為聚合物，其亦被稱為聚合物基質。光學透光聚合物在此項技術中係已知的。合適聚合物基質之實例包括(但不限於)：聚丙烯酸系化合物(諸如，聚甲基丙烯酸酯(例如，聚(甲基丙烯酸甲酯))、聚丙烯酸酯及聚丙烯腈)、聚乙烯醇，聚酯(例如，聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸酯及聚碳酸酯)、具有高度芳香性之聚合物，(諸如，酚系樹脂或甲酚甲醛樹脂())、聚苯乙烯、聚乙烯基甲苯、聚乙烯基二甲苯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚硫、聚碸、聚苯及聚苯醚、聚胺基甲酸酯(PU)、環氧化物、聚烯烴(例如，聚丙烯、聚甲基戊烯及環狀烯烴)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)、纖維素、聚矽氧及其他含矽聚合物(例如，聚倍半矽氧烷及聚矽烷)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙酸酯、聚降冰片烯、合成橡膠(例如，EPR、SBR、EPDM)、及氟聚合物(例如，聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯(TFE)或聚六氟丙烯)、氟-烯烴及烴烯烴之共聚物(例如，)、及非晶形碳氟聚合物或共聚物(例如，Asahi Glass Co.之或Du Pont之AF)。
在其他實施例中，本文所述之聚合物基質包含部分聚合或部分固化之聚合物。與全聚合或全固化基質相比，部分固化基質具有較小之交聯及/或聚合程度及較低之分子量。因此，部分聚合基質可在特定條件下蝕刻且使用習知光微影可能進行圖案化。在適當聚合條件下，部分固化基質可進一步固化，藉此進一步進行交聯及聚合以提供分子量高於部分固化基質之分子量的基質。可將部分固化基質蝕刻，繼之以另一固化步驟，以提供經圖案化且全固化之透明導電部件。合適部分固化聚合物之實例包括(但不限於)部分固化之丙烯酸酯、聚矽氧-環氧化物、矽氧烷、酚醛清漆、環氧化物、胺基甲酸酯、倍半矽氧烷或聚醯亞胺。
在其他實施例中，基質為無機材料。舉例而言，可使用基於二氧化矽、富鋁紅柱石、氧化鋁、SiC、MgO-Al2 O3 -SiO2 、Al2 O3 -SiO2 、MgO-Al2 O3 -SiO2 -Li2 O之溶膠-凝膠基質或其混合物。在特定實施例中，基質自身係導電的。舉例而言，基質可為導電聚合物。導電聚合物在此項技術中係熟知的，包括(但不限於)聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩)(PEDOT)、聚苯胺、聚噻吩及聚二乙炔。
電特性及光學特性
使用方法及具有導電奈米結構之塗佈溶液而產生之透明導電部件可具有至少50%、至少60%、至少70%、至少80%、至少85%、至少90%或至少95%之光透射率(使用空氣作為參考物)。霧濁度為光散射指數。其指在透射期間與入射光分離且散射之光之量的百分比(亦即，透射霧濁度)。不同於很大程度上為介質之特性的光透射率，霧濁度通常為生產問題且通常由表面粗糙度及嵌入之粒子或介質中之組成非均質性導致。在各種實施例中，透明導電部件之霧濁度不超過10%，不超過8%，不超過5%，不超過3%或不超過1%。
如本文所述，本發明之導電部件包括高於電滲透臨限值之奈米結構之互連網路。通常，本發明之導電部件之電阻率不高於108 歐姆/平方(亦被稱為「Ω/□」)。電阻率較佳不高於104 Ω/□、3,000Ω/□、1,000Ω/□或100Ω/□。通常，電阻率在10Ω/□至1000Ω/□、100Ω/□至750Ω/□、50Ω/□至200Ω/□、100Ω/□至500Ω/□、或100Ω/□至250Ω/□、或10Ω/□至200Ω/□、10Ω/□至50Ω/□或1Ω/□至10Ω/□之範圍內。
如上所述，當形成單一部件時，可藉由將多個塗佈溶液塗層鋪設至基板上而在基板上形成導電部件。雖然該多層鋪設通常使部件之電阻率減小，但其亦可增加霧濁度且減少部件之透射。
應用
具有使用本文所揭示之網印法及設備產生之透明導電部件的基板可用作廣泛各種裝置中之電極，該等裝置包括當前利用透明導體(諸如，金屬氧化物薄膜)之任何裝置。合適裝置之實例包括平板顯示器(諸如，LCD)、電漿顯示面板(PDP)、彩色平板顯示器之彩色濾光器、觸控螢幕、電磁屏蔽、功能性玻璃(例如，用於電致變色窗(electrochromic window))、光電子裝置(包括EL燈及光伏特電池)及其類似物。此外，本文之透明導電部件可用於可撓性裝置(諸如，可撓性顯示器及觸控螢幕)中。
(a)液晶顯示器
LCD為一種藉由根據外部電場控制光透射率來顯示影像之平板顯示器。通常，LCD包括液晶胞(或「像素」)之矩陣及用於驅動該等像素之驅動電路。每一液晶胞具備像素電極，其用於相對於共同電極而向該液晶胞施加電場。若各像素電極連接至薄膜電晶體(TFT)，則其一起充當開關裝置，亦即，像素電極根據經由TFT而施加之資料信號而驅動液晶胞。
TFT LCD面板包含兩個基板，其中液晶胞插入於其間。對於每一液晶胞而言，在下基板上提供像素電極，而在上對置基板之整個表面上整體地形成共同電極。因此下基板(亦被稱為TFT陣列基板或TFT底板)包含連接至相應像素電極之薄膜電晶體陣列。上對置基板包含共同電極，其可塗佈於彩色濾光器上，該組合可稱為彩色濾光器基板。
以往，像素電極由高透射性ITO薄膜製成以便允許足量光透過。如上所述，ITO薄膜製造昂貴且若用於可撓性基板上則可能易於斷裂。本文所述之各向異性奈米結構基透明導體部件提供TFT像素電極製造之替代做法。
一般而言，可根據此項技術中任何已知方法來製造本文所述之薄膜電晶體。可藉由用各向異性奈米結構透明導電塗料噴墨製成TFT底板之部件來形成奈米線基像素電極。
本文所揭示之奈米結構基透明導電部件與LCD技術中當前所用之所有TFT組態相容。通常，薄膜電晶體屬於兩大類：底閘極型及頂閘極型。在底閘極TFT中，閘電極安置於作用層下，而在頂閘極TFT中，閘電極安置於作用層上。與頂閘極薄膜電晶體相比，底閘極薄膜電晶體通常具有優良可靠性。該等結構組態更詳細地描述於(例如)Modern Liquid Crystal Process Technologies '99(Press Journal，1998年，第53至59頁)及Flat Panel Display 1999(Nikkei BP，1998年，第132至139頁)中。此外，視形成作用區域之材料類型而定，薄膜電晶體亦可基於非晶矽、多晶矽及有機半導體。
圖3展示一項實施例之TFT底板的開關裝置的橫截面圖。如所示，開關裝置394包含一底閘極薄膜電晶體396及一奈米結構基像素電極398。該薄膜電晶體包括一在一基板402上形成之閘電極400。該閘電極可為由光微影界定之金屬層(例如，Mo-Al-Cd)。一閘極絕緣層406上覆在該閘電極400上。該薄膜電晶體396進一步包括一絕緣層410、一第一半導體層414(例如，非晶矽)及一第二半導體層418(例如，n+ 摻雜非晶矽)，上述層全部經界定以形成島狀結構。一源電極422及一汲電極426界定一通道430，繼而曝露該第一半導體層414(亦即，作用層)之一部分。另一保護層434覆蓋該島狀結構、源電極及汲電極，同時曝露一接觸孔438。該保護層434為(例如)氮化矽層。奈米結構基透明導電部件442以一圖案塗佈於薄膜電晶體396上以形成像素電極398。在TFT底板之其他部分中，亦可圖案化相同奈米結構基透明導體部件442以界定一信號線區域446。在另一實施例中，可將上述開關裝置併入於液晶顯示器(LCD)裝置中。
圖4示意性展示一LCD裝置500，其包含一TFT底板501及一彩色濾光器基板502。一背光504經由一偏光器508及一玻璃基板512而投射光。複數個第一透明導體條帶520定位於該底玻璃基板512與一第一對準層522(例如，聚醯亞胺層)之間。每一透明導體條帶520與一資料線524交替。間隔物530提供於該第一對準層522與一第二對準層532之間，該等對準層將液晶536夾在其間。複數個第二透明導體條帶540定位於該第二對準層532上，該等第二透明導體條帶540相對於該等第一透明導體條帶520以直角定向。第二透明導體條帶540進一步塗佈有一鈍化層544、彩色基質之彩色濾光器548、一頂玻璃基板550及一偏光器554。有利地，透明導體條帶520及540可使用本文所揭示之分別網印至底玻璃基板及對準層上之透明導電部件而形成。不同於以往使用之金屬氧化物條帶(ITO)，無需昂貴的沈積或蝕刻製程。
圖5展示另一實施例之基於頂閘極TFT之LCD的橫截面圖。如所示，LCD 542具有一TFT基板544及一彩色濾光器基板546，其中一液晶層548插入於其間。如上所述，在該TFT基板544中，薄膜電晶體550及像素電極552以一矩陣組態配置於一底透明基板554上。一共同電極556(可向其提供共同電壓)及一彩色濾光器558安置於一頂透明基板560上。在彼此面對且其間具有液晶548之該像素電極552與該共同電極556之間所施加之電壓驅動液晶胞(像素)。
底透明基板554上經安置以用於該等像素中之每一者之薄膜電晶體550為頂閘極型TFT，其閘電極562位於一作用層564上。TFT之作用層564根據此項技術中之已知方法而圖案化於底基板554上。一閘極絕緣層566上覆於該作用層564上並覆蓋該作用層564。作用層564之面對閘電極562之一部分為通道區564c。摻雜有雜質之一汲極區564d及一源極區564s定位於通道區564c之各別側。作用層564之汲極區564d經由覆蓋閘電極562之一層間絕緣層568中所形成之接觸孔而連接至亦充當一汲電極566之資料線。且，一絕緣層570經安置以覆蓋資料線及汲電極566。形成像素電極552之奈米結構基透明導電部件定位於絕緣層570上。像素電極552經由接觸孔而連接至作用層564之源極區564s。一第一對準層572可定位於該像素電極上。
圖13進一步展示一儲存電容元件574，其可經安置以用於每一像素。該儲存電容元件維持對應於顯示內容之電荷，當未選擇TFT時，該電荷應施加至液晶電容。因此，可維持像素電極552之電壓改變，繼而使顯示內容能夠在一序列期間保持不變。
如所示，作用層564之源極區564s亦充當儲存電容元件574之第一電極576。儲存電容元件574之第二電極578可與閘電極562同時形成且可在與閘電極562形成於同一層中。閘極絕緣層566亦充當第一電極576與第二電極578之間的介電層。閘電極566(亦即，閘極線)與第二電極578(亦即，儲存電容線)平行配置。其相對於像素電極552以直角定向以界定像素之矩陣。
應理解，對於底閘極與頂閘極TFT組態兩者而言，作用層可為任何可接受之半導體材料。通常，歸因於沈積及圖案化步驟之簡易性及經濟性而廣泛使用非晶矽。亦可使用多晶矽。因為與非晶矽相比，多晶矽具有較佳電流驅動能力，所以當用於開關裝置中時其提供優良效能。多晶矽之低溫沈積係可能的，且已作為製造多晶矽基TFT之替代做法來報導，參見(例如)美國專利第7,052,940號。此外，亦可使用有機半導體材料。在特定實施例中，有機π共軛化合物可用作形成有機TFT之作用層的有機半導體材料。π共軛化合物在此項技術中係已知的，其包括(但不限於)：聚吡咯、聚噻吩(可視情況摻雜有C60 )、聚芘、聚乙炔及聚苯并噻吩及其類似物。適合於有機TFT之有機半導體材料之更多實例描述於(例如)美國專利第7,018,872號中。
如本文所述，TFT底板與彩色濾光器基板對置而定位於LCD中(參見(例如)圖24及25)。彩色濾光器基板通常包含一透明基板、一黑色基質(或光屏蔽層)及彩色像素陣列。通常，彩色像素在透明基板上以一圖案配置。黑色基質在每一彩色像素周圍形成柵格。在特定實施例中，每一彩色像素與一種顏色相關。在其他實施例中，每一彩色像素可進一步分成更小之著色區域(被稱為子像素)，每一子像素與一種顏色相關聯。通常，使用原色，諸如，紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)。舉例而言，重複RGB三合體陣列能夠產生廣泛各種顏色之彩色影像。彩色像素或子像素並不限於原色，亦可使用諸如白色、黃色或青色之其他顏色。
視LCD之模式而定，TN(扭轉向列型)模式中之共同電極與單位彩色濾光器之相對位置可不同於IPS(共平面切換型)模式中之相對位置。
(b)電漿顯示面板
電漿顯示面板藉由用電漿放電所產生之紫外光激發螢光物質(例如，磷)來發射可見光。電漿顯示面板使用兩個絕緣基板(例如，玻璃板)，每一絕緣基板具有其上形成之電極及障壁肋以界定個別胞(像素)。該等胞填充有一或多種惰性氣體(例如，Xe、Ne或Kr)，其可在電場下離子化以產生電漿。更具體言之，位址電極在胞後沿後玻璃板形成。透明顯示電極以及匯流排電極安裝於胞前在前玻璃板上。位址電極及透明顯示電極彼此正交且在胞處路徑交叉。在操作過程中，控制電路對電極充電，繼而在前板與後板之間產生電壓差且使惰性氣體離子化且形成電漿。
金屬氧化物透明導體(例如，ITO)以往用作上玻璃板上之透明顯示電極以允許電漿產生之可見光通過。奈米結構基透明迹線為PDP中之顯示電極之合適電極材料。其可如本文所揭示以所需部件大小(例如，100-300μm)來進行網印。
圖6展示一項實施例之PDP的橫截面圖。PDP 606包括：一下透明基板608；一在該下透明基板608上形成之下絕緣層610；一在該下絕緣層608上形成之位址電極612；一在該位址電極612及該下絕緣層610上形成之下介電層614；界定一放電胞618之隔離壁616；定位於該隔離壁616上之黑色基質層620；一在該黑色基質層620及該隔離壁616之側面上及在該下絕緣層608上形成之螢光層622；一上透明基板624；一在上透明基板624上形成且相對於該位址電極612以直角定位之顯示電極626；一在該顯示電極626之一部分上形成之匯流排電極628；一在該匯流排電極628、該顯示電極626及該上透明基板624上形成之上介電層630；及一在該上介電層630上形成之保護層(例如，MgO)632。顯示電極可由根據本文所述之方法而沈積之導電奈米結構迹線來形成。
應理解，該等奈米結構基透明導電部件適合於PDP之任何其他組態，其中透明電極定位於顯示面板上以使得光可以可接受之效率透射而在顯示面板上產生影像。
(c)光伏特電池
太陽輻射提供約0.4eV至4eV之光子範圍之可用能量。諸如光伏特(PV)電池之光電子裝置可採集該範圍之特定光子能量，且將該範圍之特定光子能量轉換為電能。光伏特電池本質上為光照下之半導體接面。由半導體接面(或二極體)吸收光，且在接面兩側(亦即，在n型射極及p型基極中)產生電子-電洞對。該等電荷載流子--來自基極之電子及來自射極之電洞--接著擴散至接面且由電場掃走，因此跨越裝置而產生電流。
可在同質接面電池中藉由摻雜單一材料(例如，晶態矽)形成p型側及n型側來形成半導體接面。可使用PN結構或P-i-N結構。
可藉由使兩個不同半導體接觸來形成異質接面。通常，兩個半導體具有不同帶隙。具有較高帶隙者因其透明度而被選擇且作為頂層或窗口層而定位。具有較低帶隙者形成底層，其充當吸光材料。窗口層允許幾乎所有入射光抵達容易吸收光之底層。
已開發出多接面電池以捕獲太陽光譜之更大部分。在此組態中，將個別異質接面電池以使得太陽光首先落於具有最大帶隙之材料上的方式堆疊。第一電池中未吸收之光子透射至第二電池，第二電池接著吸收剩餘太陽輻射之較高能量部分而對較低能量光子保持透明。繼續該等選擇性吸收過程直至最後之電池，其具有最小帶隙。
在激子PV電池中，替代p摻雜及n摻雜區，使用不同能帶隙之材料以經由電荷自一半導體轉移至另一半導體來使激子分裂。電荷分離之後，該等電荷歸因於內建電位而被掃走，內建電位係歸因於用於電荷收集之接觸電極之間的功函數差異而產生。舉例而言，有機光伏特電池以此方式工作，其中一半導體可為聚噻吩且另一者為C60 。聚噻吩吸收光且產生激子。電子自聚噻吩躍遷至C60 (該電子之較低能態)。電洞如同電子一樣藉由在巴克球之間跳躍而沿聚噻吩骨架移動直至其被收集。
歐姆金屬-半導體觸點被提供給太陽電池之n型與p型側兩者。在多接面電池中，其亦插入於兩個鄰近電池之間。在n型側上產生或已由接面「收集」且掃至n型側上之電子可行進穿過線，對負載供電且繼續穿過線直至其抵達p型半導體-金屬觸點。
因為透明導體(例如，ITO)允許光通過窗口層直至下方之作用光吸收材料，且充當歐姆觸點而將光產生之電荷載流子傳送遠離此光吸收材料，所以需要其作為太陽電池之觸點材料。
圖7展示同質接面太陽電池664。該太陽電池644包括一頂觸點668、一底觸點670及一插入於其間之半導體二極體672。該半導體二極體可為(例如)PN結構，其中p摻雜矽在頂部且N摻雜矽在底部。矽通常為晶態矽。作為更經濟之替代物，可根據此項技術中已知之方法使用多晶矽。半導體二極體亦可由非晶矽形成，在該情況下，P-i-N結構係較佳的。
頂觸點通常為光學透光的且包含光入射表面，亦即光最初進入於太陽電池之表面。視情況，該底觸點670下可存在一基板674。此外，視情況，可形成匯流排條676，其上覆於頂觸點上。該等匯流排條676可藉由網印如本文所述之奈米結構基透明導電線來形成。
圖8展示另一實施例之異質接面太陽電池。如所示，該異質接面太陽電池680包括一頂觸點682、一底觸點684及一插入於其間之半導體異質接面層686。
在特定實施例中，該半導體異質接面層686包含三層結構(例如，N-i-P)。因此，其可包含一摻雜頂半導體層686a、一無摻雜中間半導體層686b及一摻雜底半導體層686c。在特定實施例中，與第三半導體層686c相比，第一半導體層686a具有較高帶隙。
第一、第二及第三半導體層可沈積為薄膜層。合適半導體材料包括(但不限於)有機半導體材料(如本文所述)、碲化鎘(CdTe)、硒化銅銦鎵(CIGS)、硒化銅銦(CIS)及其類似物。舉例而言，在典型CdTe電池中，頂層為p型硫化鎘(CdS)，中間層為本質CdTe，且底層為n型碲化鋅(ZnTe)。半導體異質接面層686亦可能以NP結構形式僅包括頂半導體層686a及底半導體層686c。
基於薄膜半導體層之異質接面電池與矽基太陽電池相比節約了材料成本。然而，歸因於薄膜半導體層之較差效能，該等裝置與聚晶矽基電池相比在能量轉換上較低效。因此，在一項實施例中，與圖9結合描述多接面電池。如所示，多接面電池690自頂部至底部依次包括：一頂觸點692、一第一電池694、一隧道層696、一第二電池698及一底觸點700，其中該頂觸點692及該底觸點700係由如本文所揭示之導電奈米結構基透明薄膜製成。出於簡單之目的，多接面電池690經展示以僅包括兩個電池。然而，應理解，可以類似方式製造額外電池。
第一電池692與第二電池698兩者均具有類似於圖29B中所示之單接面太陽電池680之3層結構。第一電池較接近入射光，且因此應經選擇以具有大於第二電池之帶隙的帶隙。在如此進行的情況下，第一電池對於較低能量光子透明，該等光子可由第二電池698吸收。
第一及第二電池由隧道層696分開以允許電子在該等電池之間流動。隧道層696可為包含相反摻雜半導體層之PN二極體。
頂觸點692及底觸點700為奈米線基透明導體薄膜。其可藉由本文所述之方法來製備。如熟習此項技術者將認識到，太陽電池690可包括額外層，諸如，基板、匯流排條、抗反射薄膜及其類似物。此外，應理解，本文所揭示之奈米結構基透明薄膜適用作任何太陽電池組態中之一或多個觸點。
實例 實例1 銀奈米線之合成
銀奈米線係藉由在聚(乙烯基吡咯啶酮)(PVP)存在的情況下使溶解於乙二醇中之硝酸銀還原來合成。該方法描述於(例如)Y. Sun、B. Gates、B. Mayers及Y. Xia之「Crystalline silver nanowires by soft solution processing」，Nanolett ，2002年，2(2)第165-168頁中。均一銀奈米線可藉由離心或其他已知方法而選擇性地隔離。
或者，均一銀奈米線可藉由將合適離子添加劑(例如，氯化四丁基銨)添加至以上反應混合物中來直接合成。因此產生之銀奈米線可在無大小選擇之獨立步驟之情況下直接使用。該合成更詳細地描述於以本申請案之受讓人Cambrios Technologies Corporation之名義的美國臨時申請案第60/815,627號中，該申請案全部併入本文中。
實例2 網印導電塗佈溶液；電特性
如本文所述製備銀奈米線且經由沈降及溶劑交換來純化，且接著使其在水中沈降歷時1週。奈米線具有約11.5μm至15.5μm之長度及在約35nm至45nm範圍內之直徑。將水傾析且使沈降奈米線充分乾燥。接著將PGME添加至奈米線且混合。接著使奈米線再沈降歷時1週且將PGME傾析。接著將所得奈米線之部分分別添加至2種不同增稠劑Dupont3617及BorchiPW 25，且混合，每一溶液具有約99重量%之增稠劑及約1重量%之奈米線。亦使用約1重量%至10重量%之Ethocel300、各自分別為約89重量%至98重量%之PGME、乳酸乙酯、苯甲醇及二丙酮醇來製備額外4種塗佈溶液，該等塗佈溶液各自與約1重量%之奈米線混合。
使用AMI-Presco MSP-485網印機將塗佈溶液中之每一者網印至透明PET基板上。將基板與網之間的間隙設為0.010英吋至0.035英吋。將硬度計90塗刷器與250篩目不鏽鋼網一起使用。所印刷圖案為約0.6cm寬×5.6cm長之匯流排條。乳液厚度為0.0005英吋。接著使匯流排條部件乾燥。接著使用Keithlyinstruments之兩點電阻表量測每一匯流排條之電阻且將每一部件用乙醇沖洗歷時1分鐘且再次量測電阻。最後，將每一匯流排條在120℃下加熱達5分鐘，且再次用乙醇沖洗且量測電阻。下表1中展示所得電阻量測值。
Ethocel300及Borchi PW 25之電阻量測值之範圍係由沿匯流排條之末端在不同點處獲取之量測值產生。電阻量測值在第一乙醇沖洗之後降低約10%，且在烘焙及第二乙醇沖洗之後再降低約10%。如所示，基板上之導電部件可藉由網印含有導電各向異性奈米結構之塗佈溶液來產生。
實例3 網印導電塗佈溶液；電特性及光學特性
如本文所述而製備銀奈米線且經由沈降及溶劑交換來純化，且接著使其在水中沈降歷時1週。奈米線具有約11.5μm至15.5μm之長度及在約35nm至45nm範圍內之直徑。將水傾析。接著將所得奈米線之部分分別添加至不同重量百分比(如下文表2及表3中所示)之Polymer InnovationsWB40B-63(表2)中且分別添加至WB40B-64(表3)中以產生具有0.7重量%之銀奈米線、下文指示之重量百分比之增稠劑的溶液，其中剩餘溶液為水。網印各混合物以在透明PET上產生約3×4英吋矩形導電部件。接著量測每一部件之電阻率、透明度及霧濁度。藉由使用Delcom電阻量測裝置及藉由使用四點接觸電阻量測探針來量測電阻率。下文在表2及表3中展示每一混合物之電阻率量測結果。
如所示，在使用約0.5%增稠劑之後，對於增稠劑WB40B-63(表2)或增稠劑WB40B-64(表3)，部件之電阻變得相對相當高。
使使用1.25% WB40B-63增稠劑而印刷之部件另外通過Pepetools Model PEPE 189.00層壓機六次。每次層壓之後，量測電阻。此外，6次通過層壓機之後，將部件曝露於氫氣氛且再次量測電阻。圖10中展示層壓及氬處理之結果。在縱軸上給出電阻率且在橫軸上展示通過層壓機之次數。標記「氬」之條為氬處理之後的電阻量測值。最後之條為對照條，其既未經層壓亦未用氬處理。如所示，在層壓6次之後，層壓使部件之電阻自至少10,000kΩ減小至約1kΩ。此外，氬處理進一步將電阻減小至低於1kΩ。
本說明書中所提及及/或申請書資料表中所列之上述所有美國專利、美國專利申請公開案、美國專利申請案及國外專利、國外專利申請案及非專利公開案均以引用的方式全部併入本文中。
自上文應瞭解，雖然已出於說明之目的而在本文中描述本發明之特定實施例，但在不偏離本發明之精神及範疇的情況下可進行各種修改。因此，本發明僅受限於隨附[申請專利範圍]。
5．．．導電部件
5'．．．導電部件
20．．．奈米結構
20'．．．奈米結構
30．．．線間間隔
30'．．．線間間隔
394．．．開關裝置
396．．．底閘極薄膜電晶體/薄膜電晶體
398．．．奈米結構基像素電極/像素電極
400．．．閘電極
402．．．基板
406．．．閘極絕緣層
410．．．絕緣層
414．．．第一半導體層
418．．．第二半導體層
422．．．源電極
426．．．汲電極
430．．．通道
434．．．保護層
438．．．接觸孔
442．．．奈米結構基透明導電部件
446．．．信號線區域
500．．．LCD裝置
501．．．TFT底板
502．．．彩色濾光器基板
504．．．背光
508．．．偏光器
512．．．玻璃基板
520．．．第一透明導體條帶/透明導體條帶
522．．．第一對準層
524．．．資料線
530．．．間隔物
532．．．第二對準層
536．．．液晶
540．．．第二透明導體條帶
542．．．LCD
544．．．鈍化層
544．．．TFT基板
546．．．彩色濾光器基板
548．．．彩色濾光器
548．．．液晶層/液晶
550．．．頂玻璃基板
550．．．薄膜電晶體
552．．．像素電極
554．．．偏光器
554．．．底透明基板/底基板
556．．．共同電極
558．．．彩色濾光器
560．．．頂透明基板
562．．．閘電極
564．．．作用層
564c．．．通道區
564d．．．汲極區
564s．．．源極區
566．．．閘極絕緣層
566．．．汲電極/閘極絕緣層/閘電極
568．．．層間絕緣層
570．．．絕緣層
572．．．第一對準層
574．．．儲存電容元件
576．．．第一電極
578．．．第二電極
606．．．PDP
608．．．下透明基板
610．．．下絕緣層
612．．．位址電極
614．．．下介電層
616．．．隔離壁
618．．．放電胞
620．．．黑色基質層
622．．．螢光層
624．．．上透明基板
626．．．顯示電極
628．．．匯流排電極
630．．．上介電層
632．．．保護層
664．．．同質接面太陽電池
668．．．頂觸點
670．．．底觸點
672．．．半導體二極體
674．．．基板
676．．．匯流排條
680．．．異質接面太陽電池
682．．．頂觸點
684．．．底觸點
686．．．半導體異質接面層
686a．．．摻雜頂半導體層/第一半導體層
686b．．．無摻雜中間半導體層
686c．．．摻雜底半導體層/第三半導體層
690．．．多接面電池
692．．．頂觸點
694．．．第一電池
696．．．隧道層
698．．．第二電池
700．．．底觸點
圖1為本發明之包括高於滲透臨限值之各向異性奈米結構之導電部件的圖式。
圖2為包括低於滲透臨限值之各向異性奈米結構之部件的圖式。
圖3為一項實施例之TFT底板之開關裝置的橫截面圖。
圖4展示本發明之包含基於奈米結構之透明電極的顯示裝置。
圖5展示一項實施例之基於頂閘極TFT之LCD的橫截面圖。
圖6展示一項實施例之PDP的橫截面圖。
圖7展示一項實施例之同質接面太陽電池結構。
圖8展示另一實施例之異質接面太陽電池結構。
圖9展示另一實施例之多接面太陽電池結構。
圖10為說明施加至本發明之導電部件之壓力後處理的結果的曲線圖。
5．．．導電部件
20．．．奈米結構
30．．．線間間隔

Claims (17)

  1. 一種用於網印以形成奈米結構之導電網路之塗佈組合物，其包括：增稠劑；鹼；及金屬各向異性奈米結構，其中該塗佈組合物具有大於200cP之黏度，其中增稠劑對各向異性奈米結構之比為99至999。
  2. 如請求項1之塗佈組合物，其具有大於900cP之黏度。
  3. 如請求項1之塗佈組合物，其中該增稠劑為Dupont® 3517、Toyobo Vylonal®及Borchi® PW 25中之一者。
  4. 如請求項1之塗佈組合物，其中該金屬各向異性奈米結構為該塗佈組合物之0.1重量%至1.0重量%。
  5. 一種用於網印以形成奈米結構之導電網路之塗佈組合物，其包括：水性溶劑；增稠劑；及金屬各向異性奈米結構，其中該塗佈組合物具有大於200cP之黏度，增稠劑對各向異性奈米結構之比為1至100；且溶劑對各向異性奈米結構之比為89至989。
  6. 如請求項5之塗佈組合物，其中該增稠劑為乙基纖維素、氫丙基纖維素及羥基丙基纖維素中之一者，且該溶劑為水、PGME、乳酸乙酯、苯甲醇及二丙酮醇中之一者。
  7. 如請求項5之塗佈組合物，其進一步包括鹼。
  8. 如請求項5之塗佈組合物，其具有大於900cP之黏度。
  9. 如請求項5之塗佈組合物，其中該金屬各向異性奈米結構為該塗佈組合物之0.1重量%至1.0重量%。
  10. 一種在基板上以網印形成之導電部件，其中：該導電部件包括金屬各向異性奈米結構；且該導電部件係藉由將如請求項1或請求項5之塗佈組合物網印至該基板上而形成。
  11. 一種液晶顯示器，其包括如請求項10之導電部件。
  12. 一種電漿顯示面板，其具有如請求項10之導電部件。
  13. 一種光伏特電池，其具有如請求項10之導電部件。
  14. 如請求項10之導電部件，其具有大於85%之光學透明度。
  15. 如請求項10之導電部件，其具有小於3%之光學霧濁度。
  16. 如請求項10之導電部件，其具有小於200歐姆/平方之電阻率。
  17. 如請求項10之導電部件，其具有上覆於該導電部件上之基質層。
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