KR20160051834A

KR20160051834A - 전기 전도성 조립체

Info

Publication number: KR20160051834A
Application number: KR1020167008549A
Authority: KR
Inventors: 파울라 코조카루; 마르코 아포스톨로; 알레씨오 마라니; 이반 팔코
Original assignee: 솔베이 스페셜티 폴리머스 이태리 에스.피.에이.
Priority date: 2013-09-06
Filing date: 2014-09-05
Publication date: 2016-05-11
Also published as: WO2015032915A1; CN105518065A; CN105518065B; US10506710B1; JP2017502462A; US10455696B2; JP6434029B2; EP3041890A1; US20160212844A1; US20200008297A1

Abstract

본 발명은 적어도 하나의 패턴 기판을 적어도 하나의 비패턴 기판의 적어도 하나의 표면 상에 적용하는 단계를 포함하는 다층 조립체의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 방법에 의해 얻을 수 있는 다층 조립체 및 다양한 적용에서의 상기 다층 조립체의 용도에 관한 것이다.

Description

전기 전도성 조립체{ELECTRICALLY CONDUCTING ASSEMBLIES}

본 출원은 2013년 9월 6일 출원된 유럽 출원 번호 13183282.6에 대한 우선권을 주장하며, 이 출원의 전체 내용은 본 명세서에 모든 목적을 위하여 참조로 포함된다.

기술분야

본 발명은 광투과성이고 전기 전도성인 다층 조립체, 이의 제조 방법 및 다양한 적용에서의 이의 용도에 관한 것이다.

광투과성이고 전기 전도성인 산화물(TCO) 반도체 재료는, 이 재료의 가시 스펙트럼에서의 광학 투과도와 높은 전기 전도도의 독특한 조합으로 인하여, 플랫 패널 디스플레이, 박막 태양 전지, 레이저 및 발광 다이오드와 같은 적용에서 유망한 기능성 재료로서 오랫동안 고려되어 왔다.

TCO 반도체 재료는 통상적으로 1 개 또는 2 개의 금속 원소를 함유하는 2 원 또는 3원 화합물이다. TCO 반도체 재료의 가장 대표적인 예는 불순물이 도핑된 ZnO, In₂O₃, SnO₂ 및 CdO뿐만 아니라, Zn₂SnO₄, ZnSnO₃, Zn₂In₂O₅, Zn₃In₂O₆, In₂SnO₄, CdSnO₃과 같은 3원 화합물 및 ZnO, In₂O₃ 및 SnO₂의 조합으로 이루어진 다중성분 산화물이다.

현재, Sn이 도핑된 In₂O₃(ITO)은 TCO 적용에 있어서 가장 널리 이용되는 재료이다. 그러나, ITO의 대규모 이행은 인듐의 희소성, 독성 및 높은 비용으로 인하여 심각하게 방해된다.

그러므로 ITO의 성능과 비슷한 장치 성능을 가지는 대안적인 TCO 재료가 크게 요구된다.

다양한 기판, 통상적으로 유리 기판 상에 TCO 박막을 제조하기 위하여, 화학적 기상 증착법, 물리적 기상 증착법, 펄스 레이저 증착법 및 마그네트론 스퍼터링을 포함하여 몇 가지 방법이 개발되어 왔다.

이들 방법은 통상적으로 증착된 TCO 재료의 박막 결정도를 개선시키기 위하여, 보통 400℃를 초과하는 높은 어닐링 온도의 후처리 단계를 필요로 한다. 개선된 박막 결정도는 유리하게 더 양호한 광투과율, 전기 전도도 및 캐리어 유동성을 생성한다.

그러나, 종래 기판은 높은 어닐링 온도를 견딜 수 없기 때문에, 증착 방법이 비교적 낮은 온도 하에서 완료되어야 한다.

따라서, 당업계에서는 여전히 중합체 기판을 포함한 다양한 기판 상에 광투과성이고 전기 전도성인 조립체를 용이하게 제조하는 대안 방법 및 기판 상에, 특히 넓은 면적의 표면 상에 균질하게 높은 투명도 및 높은 전기 전도도 특성이 부여된 조립체를 제공하는 것이 요구된다.

이제, 전자기파 스펙트럼의 가시 영역에서 낮은 흡수 계수와 높은 전기 전도도 값을 유리하게 조합하여, 광투과성이고 전기 전도성인 다층 조립체가 다양한 기판, 특히 중합체 기판 상에서 본 발명의 방법에 의해 용이하게 얻어질 수 있음이 밝혀졌다.

또한, 놀랍게도 전기 전도성 패턴 막 및 전기 전도성 연속 막을 조합함으로써, 조립체의 표면 상, 특히 넓은 면적의 표면 상에서 균질하게 더 높은 전기 전도도 값 및 뛰어난 기계적 특성을 성공적으로 얻으면서, 이에 의해 제공되는 다층 조립체의 두께를 유리하게 감소시킬 수 있고, 따라서 전자기파 스펙트럼의 가시 영역에서 낮은 흡수 계수를 보장할 수 있음이 밝혀졌다.

또한, 본 발명의 방법은 유리하게 액상에서, 바람직하게는 환경친화적인 수계 매질에서 수행될 수 있음이 밝혀졌다.

제1 예에서, 본 발명은 다층 조립체의 제조 방법에 관한 것이며, 상기 방법은

(1) 적어도 하나의 패턴 기판을 제공하는 단계로서, 상기 패턴 기판은

(1-a) 외면 및 내면을 가지는 광투과성 기판층[층(LT-1)]을 제공하는 단계,

(1-b) 적어도 하나의 제1 금속 화합물[화합물(M1)]을 포함하는 액체 조성물[조성물(L1)]을 제공하는 단계,

(1-c) 선택적으로, 적어도 하나의 제2 금속 화합물[화합물(M2)]을 포함하는 액체 조성물[조성물(L2)]을 제공하는 단계(상기 화합물(M2)은 화합물(M1)과 동일하거나 상이함),

(1-d) 조성물(L1)을 사용하여 층(LT-1)의 적어도 하나의 표면 상에 패턴층[층(LMP)]을 인쇄하는 단계,

(1-e) 선택적으로, 단계 (1-d)에서 제공된 바와 같은 층(LMP)을 조성물(L2)과 접촉시키는 단계, 및

(1-f) 단계 (1-d) 또는 단계 (1-e)에서 제공된 패턴 기판을 적어도 50℃의 온도에서 건조시키는 단계

를 포함하는 방법에 의해 얻을 수 있는 단계,

(2) 적어도 하나의 비패턴 기판을 제공하는 단계로서, 상기 비패턴 기판은

(2-a) 외면 및 내면을 가지는 광투과성 기판층[층(LT-2)]을 제공하는 단계(상기 층(LT-2)은 층(LT-1)과 동일하거나 상이함),

(2-b) 적어도 하나의 광투과성 금속 화합물[화합물(M_ot)]을 포함하는 액체 조성물[조성물(L3)]을 제공하는 단계,

(2-c) 선택적으로, 에칭 가스의 존재 하에서 무선 주파수 글로 방전(radio-frequency glow discharge) 방법에 의해 층(LT-2)의 적어도 하나의 표면을 처리하는 단계,

(2-d) 단계 (2-a) 또는 단계 (2-c)에서 제공된 바와 같은 층(LT-2)을 조성물(L3)과 접촉시켜, 이에 의해 광투과성 비패턴층[층(LMT)]을 제공하는 단계, 및

(2-e) 단계 (2-d)에서 제공된 비패턴 기판을 적어도 50℃의 온도에서 건조시키는 단계

를 포함하는 방법에 의해 얻을 수 있는 단계; 및

(3) 상기 적어도 하나의 비패턴 기판의 적어도 하나의 표면 상에 상기 적어도 하나의 패턴 기판을 적용하여, 이에 의해 다층 조립체를 제공하는 단계

를 포함한다.

제2 예에서, 본 발명은

(1) 적어도 하나의 패턴 기판으로서, 상기 패턴 기판은

- 적어도 하나의 제1 금속 화합물[화합물(M1)]의 코어, 및 선택적으로 상기 코어를 적어도 부분적으로 코팅하는 적어도 하나의 제2 금속 화합물[화합물(M2)]의 셸로 만들어지는 패턴층[층(LMP)](상기 화합물(M2)은 상기 화합물(M1)과 동일하거나 상이함), 및

- 선택적으로, 층(LMP)의 적어도 하나의 표면 상에, 바람직하게는 층(LMP)의 하나의 표면 상에 직접 접착되는, 광투과성 기판층[층(LT-1)]

을 포함하는, 적어도 하나의 패턴 기판; 및

(2) 적어도 하나의 비패턴 기판으로서, 상기 비패턴 기판은

- 외면 및 내면을 가지는 광투과성 기판층[층(LT-2)](상기 층(LT-2)은, 만약에 있다면, 층(LT-1)과 동일하거나 상이함), 및

- 층(LT-2)의 적어도 하나의 표면 상에, 바람직하게는 층(LT-2)의 하나의 표면 상에 직접 접착되는, 적어도 하나의 광투과성 금속 화합물[화합물(M_ot)]로 만들어지는 광투과성 비패턴층[층(LMT)]

을 포함하는, 적어도 하나의 비패턴 기판

을 포함하는 다층 조립체에 관한 것이며, 상기 층(LT-2)의 적어도 하나의 표면은 에칭 가스의 존재 하에서 무선 주파수 글로 방전 방법에 의해 선택적으로 처리된다.

본 발명의 다층 조립체는 본 발명의 방법에 의해 유리하게 얻을 수 있다.

제3 예에서, 본 발명은 전자 장치에서 본 발명의 다층 조립체의 광투과성 전극으로서의 용도에 관한 것이다.

본 발명의 광투과성 전극은 패널 디스플레이, 광전지, 창문, 트랜지스터, 발광 다이오드 및 레이저와 같은 전자 장치에서 유리하게 사용될 수 있다.

본 발명의 목적을 위하여, “패턴 기판”은 기판의 적어도 하나의 표면 상에 패턴층을 포함하는 기판을 의미한다.

용어 “패턴층”은 본 명세서에서 임의의 패턴 기하학적 구조를 가지는 층을 나타내는 것으로 의도된다.

본 발명의 목적을 위하여, “비패턴 기판”은 기판의 적어도 하나의 표면 상에 연속층을 포함하는 기판을 의미한다.

본 발명의 다층 조립체의 패턴 기판의 층(LMP)은 통상적으로 비패턴 기판의 층(LMT) 상에 직접 접착된다.

본 발명의 다층 조립체의 패턴 기판 및 비패턴 기판은 둘 다 유리하게 광투과성이다.

본 발명의 목적을 위하여, 용어 “광투과성”은 파장이 약 200 nm 내지 약 3 μm인 입사 전자기 방사선에 대한 광투과성을 의미한다.

층(LT-1) 또는 층(LT-2)의 두께는 특별히 제한되지 않으며; 그럼에도 불구하고 층(LT-1) 및 층(LT-2)은 통상적으로 두께가 적어도 5 μm, 바람직하게는 적어도 10 μm일 것으로 이해된다. 두께가 5 μm 미만인 한편, 본 발명의 다층 조립체에 여전히 적합한 층(LT-1) 및 층(LT-2)은 적합한 기계적 저항성이 필요할 때 사용되지 않을 것이다.

층(LT-1) 또는 층(LT-2) 두께의 상한에 따라, 이는 특히 제한되지 않으며, 단 상기 층(LT-1) 및 층(LT-2)은 여전히 표적화된 용도의 특정 분야에 필요한 광학 투과도를 제공할 수 있다.

필요한 광학 투과도를 제공하기 위하여, 당업자는 층(LT-1) 및 층(LT-2)의 성질에 따라서 상기 층(LT-1) 및 층(LT-2)의 적절한 두께를 선택할 것이다.

서로 동일하거나 상이한 층(LT-1) 및 층(LT-2)은 유리하게 투과율이 입사 전자기 방사선의 적어도 75%, 바람직하게는 적어도 80%, 더 바람직하게는 적어도 90%이다.

따라서 본 발명의 다층 조립체는 또한 유리하게 광투과성이다.

본 발명의 다층 조립체는 통상적으로 투과율이 입사 전자기 방사선의 적어도 50%, 바람직하게는 적어도 55%, 더 바람직하게는 적어도 60%이다.

투과율은 통상적으로 임의의 적합한 기법에 따라서 분광광도계를 사용하여 측정된다.

층(LMP) 및 층(LMT)은 유리하게 전기 전도성 층이다.

본 발명의 다층 조립체는 유리하게 전기 저항률이 최대 50 Ω/스퀘어, 바람직하게는 최대 25 Ω/스퀘어, 더 바람직하게는 최대 20 Ω/스퀘어, 훨씬 더 바람직하게는 최대 15 Ω/스퀘어이다.

본 발명의 다층 조립체는 통상적으로 두께가 25 μm 내지 250 μm, 바람직하게는 100 μm 내지 150 μm에 포함된다.

서로 동일하거나 상이한 층(LT-1) 및 층(LT-2)은 다공성 기판층 또는 비다공성 기판층일 수 있다.

용어 “다공성”은 본 명세서에서 한정된 크기의 기공을 함유하는 기판층을 나타내는 것으로 의도된다.

용어 “비다공성”은 본 명세서에서 한정된 크기의 기공이 없는 조밀한 기판층을 나타내는 것으로 의도된다.

서로 동일하거나 상이한 층(LT-1) 및 층(LT-2)은 통상적으로 유리 및 중합체로부터 선택되는 재료로 만들어진다.

적합한 중합체의 비제한적 예는 플루오로중합체, 폴리올레핀(예컨대, 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌), 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리아미드, 에틸렌 비닐 아세테이트 및 폴리비닐 클로라이드를 포함한다.

서로 동일하거나 상이한 층(LT-1) 및 층(LT-2)은 유리하게 비전도성 기판층이다.

비전도성 기판층은 전기 저항률이 50 Ω/스퀘어 초과라는 점에서, 상기 비전도성 기판층은 전기 전도성 층과 구별된다.

층(LMP)은 바람직하게 적어도 하나의 제1 금속 화합물[화합물(M1)]의 코어, 및 선택적으로 상기 코어를 적어도 부분적으로 코팅하는 적어도 하나의 제2 금속 화합물[화합물(M2)]의 셸로 만들어지는 격자 패턴층[층(LMP')]이며, 상기 화합물(M2)은 상기 화합물(M1)과 동일하거나 상이하다.

본 발명의 다층 조립체의 패턴 기판은 바람직하게

- 적어도 하나의 제1 금속 화합물[화합물(M1)]의 코어, 및 선택적으로 상기 코어를 적어도 부분적으로 코팅하는 적어도 하나의 제2 금속 화합물[화합물(M2)]의 셸로 만들어지는 격자 패턴층[층(LMP')](상기 화합물(M2)은 상기 화합물(M1)과 동일하거나 상이함), 및

- 선택적으로, 층(LMP')의 적어도 하나의 표면 상에, 바람직하게는 층(LMP')의 하나의 표면 상에 직접 접착되는, 광투과성 기판층[층(LT-1)]

을 포함하는 격자 패턴 기판이다.

용어 “격자 패턴층”은 본 명세서에서 격자 패턴 기하학적 구조를 가지는 층을 나타내는 것으로 의도된다.

층(LMP')은 바람직하게 메시 크기가 100 μm 내지 800 μm, 바람직하게는 150 μm 내지 500 μm에 포함된다.

층(LMP')은 바람직하게 바 너비(bar width)가 5 μm 내지 70 μm, 바람직하게는 7 μm 내지 35 μm에 포함된다.

층(LMP')의 메시 크기 및 바 너비는 통상적으로 임의의 적합한 기법에 따라서 디지털 현미경을 사용하여 측정된다.

패턴 기판이 메시 크기가 100 μm 내지 800 μm, 바람직하게는 150 μm 내지 500 μm에 포함되고, 바 너비가 5 μm 내지 70 μm, 바람직하게는 7 μm 내지 35 μm에 포함되는 층(LMP')을 포함하는 본 발명의 다층 조립체는 유리하게 광투과성이고, 투과율이 입사 전자기 방사선의 적어도 50%, 바람직하게는 적어도 55%, 더 바람직하게는 적어도 60%이다.

본 발명의 방법의 구현예에 따르면, 층(LT-1)은 상기 정의된 바와 같은 본 발명의 다층 조립체의 비패턴 기판일 수 있으며, 상기 비패턴 기판은 본 발명의 방법에 의해 얻을 수 있고, 상기 방법은 단계 (2-a) 내지 (2-e)를 포함한다.

본 발명의 방법의 구현예에 따르면, 다층 조립체의 제조 방법은 적어도 하나의 패턴 기판을 제공하는 단계를 포함하며, 상기 패턴 기판은

(1'-a) 외면 및 내면을 가지는 광투과성 기판층[층(LT-1)]을 제공하는 단계,

(1'-b) 적어도 하나의 제1 금속 화합물[화합물(M1)]을 포함하는 액체 조성물[조성물(L1)]을 제공하는 단계,

(1'-c) 선택적으로, 적어도 하나의 제2 금속 화합물[화합물(M2)]을 포함하는 액체 조성물[조성물(L2)]을 제공하는 단계(상기 화합물(M2)은 화합물(M1)과 동일하거나 상이함),

(1'-d) 조성물(L1)을 사용하여 층(LT-1)의 적어도 하나의 표면 상에 패턴층[층(LMP)]을 인쇄하는 단계,

(1'-e) 선택적으로, 단계 (1'-d)에서 제공된 바와 같은 층(LMP)을 조성물(L2)과 접촉시키는 단계, 및

(1'-f) 단계 (1'-d) 또는 단계 (1'-e)에서 제공된 패턴 기판을 적어도 50℃의 온도에서 건조시키는 단계

를 포함하는 방법에 의해 얻을 수 있고,

상기 층(LT-1)은

(2-a) 외면 및 내면을 가지는 광투과성 기판층[층(LT-2)]을 제공하는 단계,

(2-c) 선택적으로, 에칭 가스의 존재 하에서 무선 주파수 글로 방전 방법에 의해 층(LT-2)의 적어도 하나의 표면을 처리하는 단계,

를 포함하는 방법에 의해 얻을 수 있는 비패턴 기판이다.

본 발명의 방법의 이러한 구현예의 비패턴 기판은 통상적으로

- 외면 및 내면을 가지는 광투과성 기판층[층(LT-2)],

을 포함하며,

상기 층(LT-2)의 적어도 하나의 표면은 에칭 가스의 존재 하에서 무선 주파수 글로 방전 방법에 의해 선택적으로 처리된다.

본 발명의 방법의 이러한 구현예의 변형에 따르면, 단계 (1'-d) 하에서 패턴 기판의 층(LMP)은 비패턴 기판의 층(LMT)의 반대면 상에 인쇄된다.

본 발명의 제1 구현예에 따르면, 다층 조립체는

(1) - 적어도 하나의 제1 금속 화합물[화합물(M1)]의 코어로 만들어지는 패턴층[층(LMP)], 및

- 층(LMP)의 적어도 하나의 표면 상에, 바람직하게는 층(LMP)의 하나의 표면 상에 직접 접착되는, 광투과성 기판층[층(LT-1)]

을 포함하는 적어도 하나의 패턴 기판; 및

(2) - 외면 및 내면을 가지는 광투과성 기판층[층(LT-2)](상기 층(LT-2)은 층(LT-1)과 동일하거나 상이함), 및

을 포함하는 적어도 하나의 비패턴 기판

을 포함하며, 상기 층(LT-2)의 적어도 하나의 표면은 에칭 가스의 존재 하에서 무선 주파수 글로 방전 방법에 의해 선택적으로 처리된다.

본 발명의 이러한 제1 구현예의 다층 조립체의 패턴 기판은 유리하게 본 발명의 방법에 의해 얻을 수 있으며, 상기 방법은 단계 (1-a), (1-b), (1-d) 및 (1-f)를 포함한다.

본 발명의 이러한 제1 구현예의 다층 조립체의 패턴 기판은 통상적으로 층(LT-1) 상에 지지된다.

본 발명의 이러한 제1 구현예의 다층 조립체의 패턴 기판의 층(LMP)은 통상적으로 비패턴 기판의 층(LMT)의 반대면 상에 직접 접착된다.

본 발명의 이러한 제1 구현예의 변형에 따르면, 다층 조립체는

- 광투과성 기판층[층(LT-1)],

- 층(LT-1)의 하나의 표면 상에 직접 접착되는, 적어도 하나의 제1 금속 화합물[화합물(M1)]의 코어로 만들어지는 패턴층[층(LMP)],

- 층(LMP)의 반대면 상에 직접 접착되는, 적어도 하나의 광투과성 금속 화합물[화합물(M_ot)]로 만들어지는 광투과성 비패턴 층[층(LMT)], 및

- 층(LMT)의 반대면 상에 직접 접착되는, 광투과성 기판층[층(LT-2)](상기 층(LT-2)은 층(LT-1)과 동일하거나 상이함)

을 포함하며, 층(LMT)의 반대면 상에 직접 접착되는 층(LT-2)의 표면은 에칭 가스의 존재 하에서 무선 주파수 글로 방전 방법에 의해 선택적으로 처리된다.

본 발명의 제2 구현예에 따르면, 다층 조립체는

(1) 적어도 하나의 패턴 기판으로서, 상기 패턴 기판은 적어도 하나의 제1 금속 화합물[화합물(M1)]의 코어, 및 선택적으로 상기 코어를 적어도 부분적으로 코팅하는 적어도 하나의 제2 금속 화합물[화합물(M2)]의 셸로 만들어지는 패턴층[층(LMP)](상기 화합물(M2)은 상기 화합물(M1)과 동일하거나 상이함)을 포함하는, 적어도 하나의 패턴 기판; 및

(2) 적어도 하나의 비패턴 기판으로서, 상기 비패턴 기판은

- 외면 및 내면을 가지는 광투과성 기판층[층(LT-2)], 및

을 포함하는, 적어도 하나의 비패턴 기판

본 발명의 이러한 제2 구현예의 다층 조립체의 패턴 기판에는 통상적으로 층(LT-1)이 없다.

층(LT-1)이 비다공성 광투과성 기판층이면, 층(LMP)은 통상적으로 상기 층(LT-1)으로부터 박리되고, 이에 의하여 본 발명의 제2 구현예의 다층 조립체를 제공하며, 상기 다층 조립체는 층(LT-1)이 없는 자립형 패턴 기판을 포함한다.

본 발명의 이러한 제2 구현예의 다층 조립체의 패턴 기판의 층(LMP)은 통상적으로 비패턴 기판의 층(LMT)의 반대면 상에 직접 접착된다.

본 발명의 이러한 제2 구현예의 제1 변형에 따르면, 다층 조립체는

- 적어도 하나의 제1 금속 화합물[화합물(M1)]의 코어, 및 상기 코어를 적어도 부분적으로 코팅하는 적어도 하나의 제2 금속 화합물[화합물(M2)]의 셸로 만들어지는 패턴층[층(LMP)](상기 화합물(M2)은 상기 화합물(M1)과 동일하거나 상이함), 및

- 층(LMP)의 하나의 표면 상에 직접 접착되는, 적어도 하나의 광투과성 금속 화합물[화합물(M_ot)]로 만들어지는 광투과성 비패턴층[층(LMT)], 및

- 층(LMT)의 반대면 상에 직접 접착되는, 광투과성 기판층[층(LT-2)]

본 발명의 제2 구현예의 이러한 제1 변형의 다층 조립체의 패턴 기판은 유리하게 본 발명의 방법에 의해 얻을 수 있으며, 상기 방법은 단계 (1-a) 내지 (1-f)를 포함한다.

본 발명의 제2 구현예의 이러한 제1 변형의 다층 조립체의 패턴 기판의 층(LMP)은 통상적으로 비패턴 기판의 층(LMT)의 반대면 상에 직접 접착된다.

본 발명의 이러한 제2 구현예의 제2 변형에 따르면, 다층 조립체는

- 적어도 하나의 제1 금속 화합물[화합물(M1)]의 코어, 및 선택적으로 상기 코어를 적어도 부분적으로 코팅하는 적어도 하나의 제2 금속 화합물[화합물(M2)]의 셸로 만들어지는 패턴층[층(LMP)](상기 화합물(M2)은 상기 화합물(M1)과 동일하거나 상이함),

본 발명의 제2 구현예의 이러한 제2 변형의 다층 조립체의 패턴 기판은 유리하게 본 발명의 방법에 의해 얻을 수 있으며, 상기 방법은 단계 (1'-a) 내지 (1'-f)를 포함한다.

본 발명의 제2 구현예의 이러한 제2 변형의 다층 조립체의 패턴 기판의 층(LMP)은 통상적으로 비패턴 기판의 층(LMT)의 반대면 상에 직접 접착된다.

본 발명의 목적을 위하여, 용어 “플루오로중합체”는 적어도 하나의 플루오르화 단량체로부터 유래된 반복 단위를 포함하는 플루오로중합체[중합체(F)]를 의미하는 것으로 이해된다.

용어 “플루오르화 단량체”는, 본 명세서에서 적어도 하나의 불소 원자를 포함하는 에틸렌 불포화 단량체를 의미하는 것으로 의도된다.

용어 “적어도 하나의 플루오르화 단량체”는 중합체(F)가 하나 이상의 플루오르화 단량체로부터 유래된 반복 단위를 포함할 수 있는 것을 의미하는 것으로 이해된다. 본 명세서의 나머지에서, 표현 “플루오르화 단량체”는 본 발명의 목적을 위하여 복수와 단수 둘 다로, 즉 상기 정의된 바와 같은 하나 이상의 플루오르화 단량체를 둘 다 나타내는 것으로 이해된다.

적합한 플루오르화 단량체의 비제한적 예는 특히 다음을 포함한다:

- C₃-C₈ 퍼플루오로올레핀, 예컨대 테트라플루오로에틸렌(TFE) 및 헥사플루오로프로펜(HFP);

- C₂-C₈ 수소화 플루오로올레핀, 예컨대 비닐리덴 플루오라이드(VDF), 비닐 플루오라이드, 1,2-디플루오로에틸렌 및 트리플루오로에틸렌(TrFE);

- 화학식 CH₂=CH-R_f0(여기서, R_f0은 C₁-C₆ 퍼플루오로알킬기임)의 퍼플루오로알킬에틸렌;

- 클로로- 및/또는 브로모- 및/또는 요오도-C₂-C₆ 플루오로올레핀, 예컨대 클로로트리플루오로에틸렌(CTFE);

- 화학식 CF₂=CFOR_f1(여기서, R_f1은 C₁-C₆ 플루오로- 또는 퍼플루오로알킬기, 예를 들어 CF₃, C₂F₅, C₃F₇임)의 (퍼)플루오로알킬비닐에테르;

- CF₂=CFOX₀ (퍼)플루오로-옥시알킬비닐에테르(여기서, X₀은 하나 이상의 에테르기를 포함하는 C₁-C₁₂ (퍼)플루오로옥시알킬기, C₁-C₁₂ 옥시알킬기 또는 C₁-C₁₂ 알킬기, 예컨대 퍼플루오로-2-프로폭시-프로필기임);

- 화학식 CF₂=CFOCF₂OR_f2(여기서, R_f2는 C₁-C₆ 플루오로- 또는 퍼플루오로알킬기, 예를 들어 CF₃, C₂F₅, C₃F₇ 또는 하나 이상의 에테르기를 포함하는 C₁-C₆ (퍼)플루오로옥시알킬기, 예컨대 -C₂F₅-O-CF₃임)의 (퍼)플루오로알킬비닐에테르;

- 화학식 CF₂=CFOY₀(여기서, Y₀은 하나 이상의 에테르기를 포함하는 C₁-C₁₂ (퍼)플루오로옥시알킬기, C₁-C₁₂ 옥시알킬기 또는 C₁-C₁₂ 알킬 또는 (퍼)플루오로알킬기이고, Y₀는 그의 산, 산 할로겐화물 또는 염 형태로 카복실산 또는 설폰산기를 포함함)의 작용기 (퍼)플루오로-옥시알킬비닐에테르;

- 플루오로디옥솔, 바람직하게는 퍼플루오로디옥솔; 및

- 화학식 CR₇R₈=CR₉OCR₁₀R₁₁(CR₁₂R₁₃)_a(O)_bCR₁₄=CR₁₅R₁₆(여기서, 각각의 R₇ 내지 R₁₆은 서로 독립적으로 -F 및 C₁-C3 플루오로알킬기로부터 선택되며, a는 0 또는 1이고, b는 0 또는 1이며, 단 a가 1일 때, b는 0임)의 고리 중합성 단량체.

중합체(F)는 적어도 하나의 수소화 단량체를 추가로 포함할 수 있다.

용어 “수소화 단량체”는 본 명세서에서 적어도 하나의 수소 원자를 포함하고 불소 원자가 없는 에틸렌 불포화 단량체를 나타내는 것으로 의도된다.

용어 “적어도 하나의 수소화 단량체”는 중합체(F)가 하나 이상의 수소화 단량체로부터 유래된 반복 단위를 포함할 수 있음을 의미하는 것으로 이해된다. 본 명세서의 나머지에서, 표현 “수소화 단량체”는 본 발명의 목적을 위하여 복수와 단수 둘 다로, 즉 상기 정의된 바와 같은 하나 이상의 수소화 단량체 둘 다를 나타내는 것으로 이해된다.

적합한 수소화 단량체의 비제한적 예는, 특히 비플루오르화 단량체(예컨대, 에틸렌, 프로필렌), 비닐 단량체(예컨대, 비닐 아세테이트), 아크릴 단량체(예컨대, 메틸 메트아크릴레이트 및 부틸 아크릴레이트), 및 스티렌 단량체(예컨대, 스티렌 및 p-메틸스티렌)를 포함한다.

중합체(F)는 반결정질 또는 비결정질일 수 있다.

용어 “반결정질”은 본 명세서에서 ASTM D3418-08에 따라서 측정하였을 때, 융합열이 10 J/g 내지 90 J/g, 바람직하게는 30 J/g 내지 60 J/g, 더 바람직하게는 35 J/g 내지 55 J/g인 중합체(F)를 나타내는 것으로 의도된다.

용어 “비결정질”은 본 명세서에서 ASTM D-3418-08에 따라 측정하였을 때, 융합열이 5 J/g 미만, 바람직하게는 3 J/g 미만, 더 바람직하게는 2 J/g 미만인 중합체(F)를 나타내는 것으로 의도된다.

중합체(F)는 통상적으로,

(1) 테트라플루오로에틸렌(TFE) 및 클로로트리플루오로에틸렌(CTFE)으로부터 선택되는 적어도 하나의 플루오르화 단량체로부터 유래된 반복 단위, 그리고 에틸렌, 프로필렌 및 이소부틸렌으로부터 선택되는 적어도 하나의 수소화된 단량체로부터 유래된 반복 단위를 포함하고, 선택적으로 TFE 및/또는 CTFE 및 상기 수소화된 단량체(들)의 총량을 기준으로, 통상적으로 0.01 몰% 내지 30 몰%의 양으로, 하나 이상의 추가적인 공단량체를 함유하는 중합체(F-1);

(2) 비닐리덴 플루오라이드(VDF)로부터 유래된 반복 단위, 그리고 선택적으로 VDF와 상이한 하나 이상의 플루오르화 단량체로부터 유래된 반복 단위를 포함하는 중합체(F-2);

(3) 테트라플루오로에틸렌(TFE) 및 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 TFE와 상이한 적어도 하나의 플루오르화 단량체로부터 유래된 반복 단위를 포함하는 중합체(F-3):

- 화학식 CF₂=CFOR_f1 _'(여기서, R_f1 _'은 C₁-C₆ 퍼플루오로알킬기임)의 퍼플루오로알킬비닐에테르;

- 화학식 CF₂=CFOX₀(여기서, X₀는 하나 이상의 에테르기를 포함하는 C₁-C₁₂ 퍼플루오로옥시알킬기, 예컨대 퍼플루오로-2-프로폭시-프로필기임)의 퍼플루오로-옥시알킬비닐에테르;

- C₃-C₈ 퍼플루오로올레핀, 예컨대 헥사플루오로프로펜(HFP); 및

- 화학식 I의 퍼플루오로디옥솔:

[화학식 I]

(여기서, 식 중, R₁, R₂, R₃ 및 R₄는 서로 동일하거나 상이하고, -F, 선택적으로 하나 이상의 산소 원자를 포함하는 C₁-C₆ 플루오로알킬기, 및 선택적으로 하나 이상의 산소 원자를 포함하는 C₁-C₆ 플루오로알콕시기로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택됨); 및

(4) 화학식 CR₇R₈=CR₉OCR₁₀R₁₁(CR₁₂R₁₃)_a(O)_bCR₁₄=CR₁₅R₁₆의 적어도 하나의 고리 중합성 단량체로부터 유래된 반복 단위를 포함하는 중합체(F-4)(여기서, 각각의 R₇ 내지 R₁₆은 서로 독립적으로 -F 및 C₁-C₃ 플루오로알킬기로부터 선택되며, a는 0 또는 1이고, b는 0 또는 1이며, 단 a가 1일 때, b는 0임)

로 이루어진 군으로부터 선택된다.

중합체(F-1)는 바람직하게 에틸렌(E) 및 적어도 하나의 클로로트리플루오로에틸렌(CTFE) 및 테트라플루오로에틸렌(TFE)으로부터 유래된 반복 단위를 포함한다.

중합체(F-1)는 더 바람직하게

(a) 에틸렌(E) 30 몰% 내지 48 몰%, 바람직하게는 35 몰% 내지 45 몰%;

(b) 클로로트리플루오로에틸렌(CTFE), 테트라플루오로에틸렌(TFE) 또는 이들의 혼합물 52 몰% 내지 70 몰%, 바람직하게는 55 몰% 내지 65 몰%; 및

(c) 하나 이상의 플루오르화 및/또는 수소화 공단량체(들)의 단량체(a) 및 (b)의 총량을 기준으로 최대 5 몰%, 바람직하게는 최대 2.5 몰%

를 포함한다.

공단량체는 바람직하게 (메트)아크릴 단량체의 군으로부터 선택되는 수소화 공단량체이다. 수소화 공단량체는 더 바람직하게 하이드록시알킬아크릴레이트 공단량체, 예컨대 하이드록시에틸아크릴레이트, 하이드록시프로필아크릴레이트 및 (하이드록시)에틸헥실아크릴레이트, 및 알킬 아크릴레이트 공단량체, 예컨대 n-부틸 아크릴레이트의 군으로부터 선택된다.

중합체(F-1) 중에서, ECTFE 공중합체, 즉 에틸렌과 CTFE의 공중합체, 및 선택적으로 제3의 공단량체가 바람직하다.

본 발명의 방법에 적합한 ECTFE 중합체는 통상적으로 용융 온도가 210℃를 초과하지 않고, 바람직하게는 200℃를 초과하지 않으며, 심지어 198℃를 초과하지 않고, 바람직하게는 195℃를 초과하지 않으며, 더 바람직하게는 193℃를 초과하지 않고, 훨씬 더 바람직하게는 190℃를 초과하지 않는다. ECTFE 중합체는 용융 온도가 유리하게는 적어도 120℃, 바람직하게는 적어도 130℃, 훨씬 바람직하게는 적어도 140℃, 더 바람직하게는 적어도 145℃, 훨씬 더 바람직하게는 적어도 150℃이다.

용융 온도는 ASTM D 3418에 따라서 가열 속도 10℃/분으로 시차주사 열량측정법(DSC)에 의해 결정된다.

특히 양호한 결과를 제공하는 것으로 발견된 ECTFE 중합체는 본질적으로:

(a) 에틸렌(E) 35 몰% 내지 47 몰%;

(b) 클로로트리플루오로에틸렌(CTFE) 53 몰% 내지 65 몰%로부터 유래된 반복단위로 이루어진 것이다.

상기 언급된 것과 상이한 반복 단위를 야기하는 말단 사슬, 결함 또는 소량의 단량체 불순물은 재료의 특성에 영향을 미치는 일 없이 바람직한 ECTFE 중에 여전히 포함될 수 있다.

230℃ 및 2.16 Kg에서 ASTM 3275-81의 절차에 따라 측정된 ECTFE 중합체의 용융 유속은 일반적으로 0.01 g/10 분 내지 75 g/10 분, 바람직하게는 0.1 g/10 분 내지 50 g/10 분, 더 바람직하게는 0.5 g/10 분 내지 30 g/10 분의 범위에 있다.

중합체(F-1)의 융합열은 ASTM D 3418에 따라서 10℃/분의 가열 속도로 시차주사 열량측정법(DSC)에 의해 결정된다.

중합체(F-1)는 통상적으로 융합열이 최대 35 J/g, 바람직하게는 최대 30 J/g, 더 바람직하게는 최대 25 J/g이다.

중합체(F-1)는 통상적으로 융합열이 적어도 1 J/g, 바람직하게는 적어도 2 J/g, 더 바람직하게는 적어도 5 J/g이다.

중합체(F-1)는 유리하게 반결정질 중합체이다.

중합체(F-2)는 바람직하게,

(a') 비닐리덴 플루오라이드 (VDF) 적어도 60 몰%, 바람직하게는 적어도 75 몰%, 더 바람직하게는 적어도 85 몰%; 및

(b') 선택적으로, 비닐플루오라이드(VF₁), 클로로트리플루오로에틸렌(CTFE), 헥사플루오로프로펜(HFP), 테트라플루오로에틸렌(TFE), 트리플루오로에틸렌(TrFE) 및 퍼플루오로메틸비닐에테르(PMVE)로부터 선택되는 하나 이상의 플루오르화 단량체 0.1 몰% 내지 15 몰%, 바람직하게는 0.1 몰% 내지 12 몰%, 더 바람직하게는 0.1 몰% 내지 10 몰%

를 포함한다.

중합체(F-2)는 상기 정의된 바와 같은 적어도 하나의 (메트)아크릴 단량체 0.01 몰% 내지 20 몰%, 바람직하게는 0.05 몰% 내지 18 몰%, 더 바람직하게는 0.1 몰% 내지 10 몰%를 추가로 포함할 수 있다.

중합체(F-3)는 바람직하게 테트라플루오로에틸렌(TFE)로부터 유래된 반복 단위 및 적어도 1.5 중량%, 바람직하게는 적어도 5 중량%, 더 바람직하게는 적어도 7 중량%의 TFE와 상이한 적어도 하나의 플루오르화 단량체로부터 유래된 반복 단위를 포함한다.

중합체(F-3)는 바람직하게 테트라플루오로에틸렌(TFE)으로부터 유래된 반복 단위 및 최대 30 중량%, 바람직하게는 최대 25 중량%, 더 바람직하게는 최대 20 중량%의 TFE와 상이한 적어도 하나의 플루오르화 단량체로부터 유래된 반복 단위를 포함한다.

중합체(F-3)는 더 바람직하게

- 테트라플루오로에틸렌(TFE) 및 화학식 CF₂=CFOCF₃의 퍼플루오로메틸비닐에테르, 화학식 CF₂=CFOC₂F₅의 퍼플루오로에틸비닐에테르 및 화학식 CF₂=CFOC₃F₇의 퍼플루오로프로필비닐에테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 퍼플루오로알킬비닐에테르로부터 유래된 반복 단위를 포함하는 중합체(F-3A); 및

- 테트라플루오로에틸렌(TFE) 및 화학식 I의 적어도 하나의 퍼플루오로디옥솔로부터 유래된 반복 단위를 포함하는 중합체(F-3B)

[화학식 I]

(여기서, R₁, R₂, R₃ 및 R₄는 서로 동일하거나 상이하고, -F, C₁-C₃ 퍼플루오로알킬기, 예를 들어 -CF₃, -C₂F₅, -C₃F₇, 및 선택적으로 하나의 산소 원자를 포함하는 C₁-C₃ 퍼플루오로알콕시기, 예를 들어 -OCF₃, -OC₂F₅, -OC₃F₇, -OCF₂CF₂OCF₃으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되며; 바람직하게, R₁=R₂=-F이고 R₃=R₄는 C₁-C₃ 퍼플루오로알킬기, 바람직하게 R₃=R₄는 -CF₃이거나, 또는 R₁=R₃=R₄=-F이고 R₂는 C₁-C₃ 퍼플루오로알콕시, 예를 들어 -OCF₃, -OC₂F₅, -OC₃F₇임)

로 이루어진 군으로부터 선택된다.

적합한 중합체(F-3A)의 비제한적 예는, 특히 Solvay Specialty Polymers Italy S.p.A.사의 상표명 HYFLON^® PFA P 및 M 시리즈 및 HYFLON^® MFA로 상업적으로 입수가능한 것을 포함한다.

중합체(F-3B)는 더 바람직하게 테트라플루오로에틸렌(TFE) 및 상기 정의된 바와 같은 화학식 I의 적어도 하나의 퍼플루오로디옥솔로부터 유래된 반복 단위를 포함하며, R₁=R₃=R₄=-F이고, R₂=-OCF₃이거나, R₁=R₂=-F이고, R₃=R₄=-CF₃이다.

적합한 중합체(F-3B)의 비제한적 예는, 특히 Solvay Specialty Polymers Italy S.p.A.사의 상표명 HYFLON^® AD 및 E. I. Du Pont de Nemours and Co.사의 TEFLON^® AF로 상업적으로 입수가능한 것을 포함한다.

중합체(F-4)는 바람직하게 CR₇R₈=CR₉OCR₁₀R₁₁(CR₁₂R₁₃)_a(O)_bCR₁₄=CR₁₅R₁₆의 적어도 하나의 고리 중합성 단량체로부터 유래된 반복 단위를 포함하며, 각각의 R₇ 내지 R₁₆은 서로 독립적으로 -F이고, a=1이며, b=0이다.

중합체(F-4)는 통상적으로 비결정질이다.

적합한 중합체(F-4)의 비제한적 예는, 특히 Asahi Glass Company사의 상표명 CYTOP^®로 상업적으로 입수가능한 것을 포함한다.

중합체(F)는 통상적으로 현탁액 또는 에멀전 중합 방법에 의해 제조된다.

서로 동일하거나 상이한 층(LT-1) 및 층(LT-2)은 바람직하게 플루오로중합체, 바람직하게는 상기 정의된 바와 같은 중합체(F-1), 폴리에틸렌 나프탈레이트 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 재료로 만들어진다.

본 발명의 목적을 위하여, “액체 조성물”은 대기압 하 20℃에서 액체 상태인 매질을 의미한다.

조성물(L1)은 통상적으로 적어도 하나의 화합물(M1), 물 및 적어도 하나의 유기 용매[용매(S)]를 포함한다.

화합물(M1)은 하나 이상의 금속 이온을 산화 상태로 포함하는 금속 화합물 또는 원소 상태의 금속일 수 있다.

화합물(M1)은 통상적으로 Rh, Ir, Ru, Ti, Re, Os, Cd, Tl, Pb, Bi, In, Sb, Al, Ti, Cu, Ni, Pd, V, Fe, Cr, Mn, Co, Zn, Mo, W, Ag, Au, Pt, Ir, Ru, Pd, Sn, Ge, Ga, 이들의 합금 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된다.

적합한 용매(S)의 비제한적 예는

- 지방족, 지환족 또는 방향족 에테르 산화물, 더 구체적으로 디에틸 산화물, 디프로필 산화물, 디이소프로필 산화물, 디부틸 산화물, 메틸tert이오부틸에테르, 디펜틸 산화물, 디이소펜틸 산화물, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디부틸 에테르 벤질 산화물, 디옥산, 테트라하이드로퓨란(THF),

- 글리콜 에테르, 예컨대 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노페닐 에테르, 에틸렌 글리콜 모노벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노-n-부틸 에테르,

- 글리콜 에테르 에스테르, 예컨대 에틸렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트,

- 알코올, 예컨대 메틸 알코올, 에틸 알코올, 디아세톤 알코올,

- 케톤, 예컨대 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸 케톤, 디이소부틸케톤, 사이클로헥사논, 이소포론, 및

- 선형 또는 환형 에스테르, 예컨대 이소프로필 아세테이트, n-부틸 아세테이트, 메틸 아세토아세테이트, 디메틸 프탈레이트, g-부티로락톤

을 포함한다.

조성물(L1)은 바람직하게 Cu, Ni, Fe, Zn, Ag, Au, Pt, 이들의 합금 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물(M1)을 포함한다.

조성물(L1)에는 바람직하게 어떠한 용매(S)도 없다.

본 발명의 방법의 단계 (1-d) 하에서, 조성물(L1)은 통상적으로 층(LT-1)의 적어도 하나의 표면 상에 스크린 인쇄, 그라비어 인쇄, 플렉소 인쇄 또는 잉크 젯 인쇄 기법에 의해 인쇄된다.

본 발명의 방법의 단계 (1-d) 하에서, 조성물(L1)은 바람직하게 층(LT-1)의 적어도 하나의 표면 상에 잉크 젯 인쇄 기법에 의해 인쇄된다.

본 발명의 방법의 단계 (1'-d) 하에서, 조성물(L1)은 통상적으로 층(LMT)의 반대면 상에 스크린 인쇄, 그라비어 인쇄, 플렉소 인쇄 또는 잉크 젯 인쇄 기법에 의해 인쇄된다.

본 발명의 방법의 단계 (1'-d) 하에서, 조성물(L1)은 바람직하게 층(LMT)의 반대면 상에 잉크 젯 인쇄 기법에 의해 인쇄된다.

조성물(L2)은 통상적으로 적어도 하나의 화합물(M2) 및 적어도 하나의 이온성 액체[액체(I)]를 포함한다.

화합물(M2)은 하나 이상의 금속 이온을 산화 상태로 포함하는 금속 화합물 또는 원소 상태의 금속일 수 있다.

화합물(M2)은 화합물(M1)과 동일하거나 상이할 수 있다.

화합물(M2)은 통상적으로 Rh, Ir, Ru, Ti, Re, Os, Cd, Tl, Pb, Bi, In, Sb, Al, Ti, Cu, Ni, Pd, V, Fe, Cr, Mn, Co, Zn, Mo, W, Ag, Au, Pt, Ir, Ru, Pd, Sn, Ge, Ga, 이들의 합금 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된다.

본 발명의 목적을 위하여, 용어 “이온성 액체[액체(I)]”는 대기압 하 100℃ 미만의 온도에서 양으로 하전된 양이온과 음으로 하전된 음이온의 조합에 의해 액체 상태로 형성된 화합물을 의미한다.

액체(I)는 통상적으로

- 설포늄 이온 또는 이미다졸륨, 피리디늄, 피롤리디늄 또는 피페리디늄 고리로 이루어진 군으로부터 선택되는 양이온(상기 고리는 선택적으로 질소 원자 상에서, 특히 1 개 내지 8 개의 탄소 원자를 가지는 하나 이상의 알킬기에 의해, 그리고 탄소 원자 상에서, 특히 1 개 내지 30 개의 탄소 원자를 가지는 하나 이상의 알킬기에 의해 치환됨), 및

- 할로겐화물 음이온, 퍼플루오르화 음이온 및 붕산염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 음이온

을 포함하는 이온성 액체로 이루어진 군으로부터 선택된다.

조성물(L2)은 바람직하게 Cu, Ni, Fe, Zn, Ag, Au, Pt, Cr, Co, Pd, 이들의 합금 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물(M2)을 포함한다.

본 발명의 방법의 단계 (1-e) 하에서, 만약에 있다면, 단계 (1-d)에서 제공된 바와 같은 층(LMP)은 통상적으로 조성물(L2)과 전기도금 또는 무전해 도금 기법에 의해 접촉된다.

본 발명의 방법의 단계 (1'-e) 하에서, 만약에 있다면, 단계 (1'-d)에서 제공된 바와 같은 층(LMP)은 통상적으로 조성물(L2)과 전기도금 또는 무전해 도금 기법에 의해 접촉된다.

본 발명의 방법이 단계 (1-e) 또는 단계 (1'-e)를 포함하면, 이에 의해 제공된 다층 조립체의 패턴 기판의 층(LMP)은 통상적으로 적어도 하나의 제1 금속 화합물[화합물(M1)]의 코어, 및 상기 코어를 적어도 부분적으로 코팅하는 적어도 하나의 제2 금속 화합물[화합물(M2)]의 셸로 만들어지며, 상기 화합물(M2)은 상기 화합물(M1)과 동일하거나 상이하다.

본 발명의 방법이 단계 (1-e) 또는 단계 (1'-e)를 포함하면, 이에 의해 제공된 다층 조립체의 패턴 기판에는 통상적으로 층(LT-1)이 없다.

본 발명의 방법이 단계 (1-e) 또는 단계 (1'-e)를 추가로 포함하면, 층(LMP)은 통상적으로 상기 층(LT-1)으로부터 박리되고, 이에 의하여 본 발명의 제2 구현예의 제1 변형의 다층 조립체를 제공하며, 상기 다층 조립체는 층(LT-1)이 없는 자립형 패턴 기판을 포함한다.

본 발명의 목적을 위하여, “전기도금”은 통상적으로, 금속 화합물의 산화 상태에서 원소 상태로 금속 화합물을 환원시키는 데 전류가 사용되는 전해조에서 수행되는 방법을 의미한다.

본 발명의 목적을 위하여, “무전해 도금”은 통상적으로, 적합한 화학적 환원제의 존재 하에서 금속 화합물의 산화 상태에서 원소 상태로 금속 화합물이 환원되는 도금욕에서 수행되는 산화환원 방법을 의미한다.

본 발명의 방법의 단계 (1-e) 하에서, 만약에 있다면, 단계 (1-d)에서 제공된 바와 같은 층(LMP)은 바람직하게 조성물(L2)과 전기도금 기법에 의해 접촉된다.

본 발명의 방법의 단계 (1'-e) 하에서, 만약에 있다면, 단계 (1'-d)에서 제공된 바와 같은 층(LMP)은 바람직하게 조성물(L2)과 전기도금 기법에 의해 접촉된다.

본 발명의 방법의 단계 (1-f) 하에서, 단계 (1-d) 또는 단계 (1-e)에서 제공된 다층 조립체의 패턴 기판은 통상적으로 50℃ 내지 150℃에 포함되는 온도에서, 바람직하게는 100℃ 내지 150℃에 포함되는 온도에서 건조된다.

본 발명의 방법의 단계 (1'-f) 하에서, 단계 (1'-d) 또는 단계 (1'-e)에서 제공된 다층 조립체의 패턴 기판은 통상적으로 50℃ 내지 150℃에 포함되는 온도에서, 바람직하게는 100℃ 내지 150℃에 포함되는 온도에서 건조된다.

본 발명의 방법의 단계 (2-c) 하에서, 만약에 있다면, 층(LT-2)의 적어도 하나의 표면은 에칭 가스의 존재 하에서 무선 주파수 글로 방전 방법에 의해 처리된다.

“무선 주파수 글로 방전 방법”은 본 명세서에서 무선-주파수 증폭기에 의해 작동되는 방법을 나타내는 것으로 의도되며, 글로 방전은 에칭 가스를 함유하는 전지 내 두 전극 사이에 전압을 인가함으로써 발생된다. 이어서 이렇게 발생된 글로 방전은 제트 헤드(jet head)를 통과하여 처리될 재료의 표면에 도달한다.

“에칭 가스”는 본 명세서에서 무선 주파수 글로 방전 공정에서 사용에 적합한 가스 또는 가스 혼합물을 나타내는 것으로 의도된다.

에칭 가스는 바람직하게 공기, N₂, NH₃, CH₄, CO₂, He, O₂, H₂ 및 이들의 혼합물로부터 선택된다.

무선 주파수 글로 방전 방법은 통상적으로 감압 하 또는 대기압 하에서 수행된다.

무선 주파수 글로 방전 방법은 바람직하게 약 760 Torr의 대기압 하에서 수행된다.

저압 플라스마 또는 고압 플라스마와 대조적으로, 대기압과 상이한 압력 수준의 유지를 보장하는데 어떤 반응 용기도 필요하지 않기 때문에, 대기압 플라스마는 중요한 기술적 중요성을 가진다.

무선 주파수 글로 방전 방법은 통상적으로 1 kHz 내지 100 kHz에 포함되는 무선 주파수에서 수행된다.

무선 주파수 글로 방전 방법은 통상적으로 1 kV 내지 50 kV에 포함되는 전압에서 수행된다.

본 발명의 방법의 제1 구현예에 따르면, 단계 (2-c) 하에서의 무선 주파수 글로 방전 방법은 코로나 방전을 발생시킨다.

본 발명의 방법의 이러한 제1 구현예의 무선 주파수 글로 방전 방법은 통상적으로 5 kHz 내지 15 kHz에 포함되는 무선 주파수에서 수행된다.

본 발명의 방법의 이러한 제1 구현예의 무선 주파수 글로 방전 방법은 통상적으로 1 kV 내지 20 kV에 포함되는 전압에서 수행된다.

코로나 방전은 통상적으로 밀도가 1 x 10⁹ cm^-3 내지 1 x 10¹³ cm^-3에 포함된다.

본 발명의 방법의 제2 구현예에 따르면, 단계 (2-c) 하에서의 무선 주파수 글로 방전 방법은 플라스마 방전을 발생시킨다.

본 발명의 방법의 이러한 제2 구현예의 무선 주파수 글로 방전 방법은 통상적으로 10 kHz 내지 100 kHz에 포함되는 무선 주파수에서 수행된다.

본 발명의 방법의 이러한 제2 구현예의 무선 주파수 글로 방전 방법은 통상적으로 5 kV 내지 15 kV에 포함되는 전압에서 수행된다.

플라스마 방전은 통상적으로 밀도가 1 x 10¹⁶ cm^-3 내지 1 x 10¹⁹ cm^-3에 포함된다.

본 출원인은 에칭 가스의 존재 하에서 무선 주파수 글로 방전 공정에 의한 층(LT-2)의 처리 후에, 층(LT-2)이 광학 투과도를 포함한 본체 성질(bulk property)을 성공적으로 유지한다는 것을 발견하였다.

본 출원인은 이것으로 본 발명의 범주를 제한하는 것은 아니지만 암모니아 분위기의 존재 하에서 무선 주파수 글로 방전 방법에 의해 아민 작용기가 층(LT-2)의 처리된 표면 상에 그래프트된다고 생각한다.

또한, 본 출원인은 이것으로 본 발명의 범주를 제한하는 것은 아니지만 질소 분위기의 존재 하에서 무선 주파수 글로 방전 공정에 의해 질소계 작용기가 층(LT-2)의 처리된 표면 상에 그래프트된다고 생각한다.

본 발명의 방법의 단계 (2-d) 하에서, 단계 (2-a) 또는 단계 (2-c)에서 제공된 바와 같은 층(LT-2)은 통상적으로 조성물(L3)과 무전해 도금 기법에 의해 접촉된다.

조성물(L3)은 통상적으로 적어도 하나의 화합물(M_ot), 적어도 하나의 용매(S) 및 적어도 하나의 환원제[제제(R)]를 포함한다.

화합물(M_ot)은 통상적으로

- 불순물이 도핑된 ZnO, In₂O₃, SnO₂ 및 CdO, 예컨대 Sn이 도핑된 ZnO, In₂O₃(ITO), SnO₂ 및 CdO,

- 3원 금속 산화물 화합물, 예컨대 Zn₂SnO₄, ZnSnO₃, Zn₂In₂O₅, Zn₃In₂O₆, In₂SnO₄, CdSnO₃, 및

- ZnO, In₂O₃ 및 SnO₂의 조합으로 이루어진 다중성분 금속 산화물

로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 산화물이다.

조성물(L3)은 바람직하게 불순물이 도핑된 ZnO, In₂O₃, SnO₂ 및 CdO, 예컨대 Sn이 도핑된 ZnO, In₂O₃(ITO), SnO₂ 및 CdO로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물(M_ot)을 포함한다.

제제(R)는 통상적으로 포름알데히드, 하이드라진 및 차아인산나트륨으로 이루어진 군으로부터 선택된다.

단계 (2-a) 또는 단계 (2-c)에서 제공된 바와 같은 층(LT-2)이 조성물(L3)과 무전해 도금 기법에 의해 접촉되면, 층(LT-2)은 사전에 무전해 금속화 촉매와 접촉되어, 이에 의해 촉매층[층(LT-2_c)]을 제공한다. 이어서 층(LT-2_c)은 조성물(L3)과 접촉된다.

무전해 금속화 촉매는 통상적으로 팔라듐, 백금, 로듐, 이리듐, 니켈, 구리, 은 및 금으로부터 유래된 촉매로 이루어진 군으로부터 선택된다.

무전해 금속화 촉매는 바람직하게 팔라듐으로부터 유래된 촉매, 예컨대 PdCl₂로부터 선택된다.

본 출원인은 이렇게 처리된 층(LT-2)의 표면이 여기에 무전해 도금 기법에 의해 적용된 층(LMT)으로 뛰어난 간층 접착을 제공한다는 것을 발견하였다.

본 발명의 방법의 단계 (2-e) 하에서, 이에 의해 제공된 다층 조립체의 비패턴 기판은 통상적으로 50℃ 내지 150℃에 포함되는 온도, 바람직하게는 100℃ 내지 150℃에 포함되는 온도에서 건조된다.

본 발명의 방법의 단계 (3) 하에서, 적어도 하나의 패턴 기판의 층(LMP)은 통상적으로 적어도 하나의 비패턴 기판의 층(LMT) 상에 적용된다.

본 발명의 방법의 단계 (3) 하에서, 적어도 하나의 패턴 기판은 일반적으로 당업계에서 통상적으로 알려진 기법을 사용하여 적어도 하나의 비패턴 기판의 적어도 하나의 표면 상에 적용된다.

이들 기법 중 어느 것의 선택은 통상적으로 상기 패턴 기판 및 상기 비패턴 기판의 두께 및 재료를 기반으로 하여 이루어진다.

본 발명의 방법의 단계 (3) 하에서, 적어도 하나의 패턴 기판은 통상적으로 상기 적어도 하나의 패턴 기판 및 상기 적어도 하나의 비패턴 기판을 서로의 위에 조립함으로써 적어도 하나의 비패턴 기판의 적어도 하나의 표면 상에 적용된다.

본 명세서에 참조로 포함되어 있는 임의의 특허, 특허 출원 및 간행물의 개시 내용이, 용어를 불명확하게 할 수 있는 정도로 본 출원의 설명과 상충되면, 본 설명이 우선할 것이다.

본 발명은 이제 다음의 실시예를 참조하여 더 상세하게 기재될 것이며, 실시예의 목적은 단지 예시적이며 본 발명의 범주를 제한하지 않는다.

원 재료

Sigma Aldrich사로부터 상업적으로 입수가능한 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET).

Sigma Aldrich사로부터 상업적으로 입수가능한 Sn이 도핑된 In₂O₃(ITO).

Sun Chemical, Inc.사로부터 SunTronic^® Jettable Silver Ink U5603으로 상업적으로 입수가능한 Ag를 포함하는 조성물[조성물(Ag)].

실시예 1 - 다층 조립체의 제조

두께가 125 μm인 비패턴 기판을 제공하였으며, 상기 기판은 Sn이 도핑된 In₂O₃(ITO)로 만들어진 광투과성 연속층 상에 직접 접착된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)로 만들어진 층을 가진다.

다층 조립체를, 10-pL 프린트-헤드 및 220 nm 시린지 필터를 통해 여과된 조성물(Ag)을 함유하는 내용매성 카트리지를 가지는 Dimatix DMP-2831 잉크 젯 프린터를 사용하여, 상기 비패턴 기판의 ITO로 만들어진 광투과성 연속층 상에 두께가 1.2 μm인 격자 패턴층을 잉크 젯 인쇄 기법에 의해 인쇄함으로써 제조하였다.

이에 의해 제공된 Ag로 만들어진 격자 패턴층은 메시 크기가 400 μm이고, 바 너비가 20 μm이다.

비교예 1 - 패턴 기판의 제조

두께가 125 μm인 격자 패턴 기판을, 잉크 젯 인쇄 기법에 의해 조성물(Ag)을 사용하여, 두께가 120 μm인 PET 층의 하나의 표면 상에 격자 패턴 층을 인쇄함으로써 제조하였다.

비교예 2 - 비패턴 기판의 제조

Sigma Aldrich 사로부터 상업적으로 입수가능한 비패턴 기판을 사용하였으며, 상기 기판은 두께가 125 μm이고, Sn이 도핑된 In₂O₃(ITO)으로 만들어진 광투과성 연속층은 두께가 120 μm인 PET 층 상에 직접 접착된다.

메시 및 바 너비 구조의 결정

격자 패턴 층의 메시 및 바 너비 구조를 Dimatix DMP-2831 잉크 젯 프린터 기준 카메라 및 이의 디지털 소프트웨어를 사용하여 결정하였다.

광학 투과도의 결정

조립체의 광학 투과도를 양선 분광광도계(Perkin Elmer Lambda 2)를 사용하여 투과율 값을 측정하여 결정하였다. 파장 측정 범위는 200 nm 내지 1000 nm이었고, 데이터 포인트 간격은 1 nm이었다.

전기 저항률의 결정

조립체의 전기 저항률은 25 cm²의 샘플에 대하여 표준 환경의 실온에서 4 점 기법(Multi Height Probe, Bridge Technology)을 사용하여 결정하였다.

결과는 본 명세서의 하기 표 1에 제시되어 있다:

실행	500 nm에서의 투과율 [%]	전기 저항률 [Ω/스퀘어]
실시예 1	60	12
비교예 1	65	85
비교예 2	78	60

따라서 본 발명의 다층 조립체는 유리하게 높은 투과율 값을 유지하면서, 종래 기술의 조립체와 비교하여 유리하게 더 낮은 전기 저항률 값을 제공한다는 것을 발견하였다.

Claims

다층 조립체의 제조 방법으로서, 상기 방법은
(1) 적어도 하나의 패턴 기판을 제공하는 단계로서, 상기 패턴 기판은
(1-a) 외면 및 내면을 가지는 광투과성 기판층[층(LT-1)]을 제공하는 단계,
(1-b) 적어도 하나의 제1 금속 화합물[화합물(M1)]을 포함하는 액체 조성물[조성물(L1)]을 제공하는 단계,
(1-c) 선택적으로, 적어도 하나의 제2 금속 화합물[화합물(M2)]을 포함하는 액체 조성물[조성물(L2)]을 제공하는 단계(상기 화합물(M2)은 화합물(M1)과 동일하거나 상이함),
(1-d) 조성물(L1)을 사용하여 층(LT-1)의 적어도 하나의 표면 상에 패턴층[층(LMP)]을 인쇄하는 단계,
(1-e) 선택적으로, 단계 (1-d)에서 제공된 바와 같은 층(LMP)을 조성물(L2)과 접촉시키는 단계, 및
(1-f) 단계 (1-d) 또는 단계 (1-e)에서 제공된 패턴 기판을 적어도 50℃의 온도에서 건조시키는 단계
를 포함하는 방법에 의해 얻을 수 있는 단계,
(2) 적어도 하나의 비패턴 기판을 제공하는 단계로서, 상기 비패턴 기판은
(2-a) 외면 및 내면을 가지는 광투과성 기판층[층(LT-2)]을 제공하는 단계(상기 층(LT-2)은 층(LT-1)과 동일하거나 상이함),
(2-b) 적어도 하나의 광투과성 금속 화합물[화합물(M_ot)]을 포함하는 액체 조성물[조성물(L3)]을 제공하는 단계,
(2-c) 선택적으로, 에칭 가스의 존재 하에서 무선 주파수 글로 방전(radio-frequency glow discharge) 방법에 의해 층(LT-2)의 적어도 하나의 표면을 처리하는 단계,
(2-d) 단계 (2-a) 또는 단계 (2-c)에서 제공된 바와 같은 층(LT-2)을 조성물(L3)과 접촉시켜, 이에 의해 광투과성 비패턴층[층(LMT)]을 제공하는 단계, 및
(2-e) 단계 (2-d)에서 제공된 비패턴 기판을 적어도 50℃의 온도에서 건조시키는 단계
를 포함하는 방법에 의해 얻을 수 있는 단계; 및
(3) 상기 적어도 하나의 비패턴 기판의 층(LMT) 상에 상기 적어도 하나의 패턴 기판의 층(LMP)을 적용하여, 이에 의해 다층 조립체를 제공하는 단계
를 포함하는, 방법.
다층 조립체의 제조 방법으로서, 상기 방법은 적어도 하나의 패턴 기판을 제공하는 단계를 포함하며, 상기 패턴 기판은
(1'-a) 외면 및 내면을 가지는 광투과성 기판층[층(LT-1)]을 제공하는 단계로서, 상기 층(LT-1)은
- 외면 및 내면을 가지는 광투과성 기판층[층(LT-2)], 및
- 층(LT-2)의 적어도 하나의 표면 상에, 바람직하게는 층(LT-2)의 하나의 표면 상에 직접 접착된, 적어도 하나의 광투과성 금속 화합물[화합물(M_ot)]로 만들어진 광투과성 비패턴층[층(LMT)]
을 포함하는 비패턴 기판이며,
상기 층(LT-2)의 적어도 하나의 표면은 에칭 가스의 존재 하에서 무선 주파수 글로 방전 방법에 의해 선택적으로 처리되는 단계,
(1'-b) 적어도 하나의 제1 금속 화합물[화합물(M1)]을 포함하는 액체 조성물[조성물(L1)]을 제공하는 단계,
(1'-c) 선택적으로, 적어도 하나의 제2 금속 화합물[화합물(M2)]을 포함하는 액체 조성물[조성물(L2)]을 제공하는 단계(상기 화합물(M2)은 화합물(M1)과 동일하거나 상이함),
(1'-d) 조성물(L1)을 사용하여 층(LMT)의 반대면 상에 패턴층[층(LMP)]을 인쇄하는 단계,
(1'-e) 선택적으로, 단계 (1'-d)에서 제공된 바와 같은 층(LMP)을 조성물(L2)과 접촉시키는 단계, 및
(1'-f) 단계 (1'-d) 또는 단계 (1'-e)에서 제공된 패턴 기판을 적어도 50℃의 온도에서 건조시키는 단계
를 포함하는 방법에 의해 얻을 수 있는, 방법.
제2항에 있어서, 상기 비패턴 기판은
(2-a) 외면 및 내면을 가지는 광투과성 기판층[층(LT-2)]을 제공하는 단계,
(2-b) 적어도 하나의 광투과성 금속 화합물[화합물(M_ot)]을 포함하는 액체 조성물[조성물(L3)]을 제공하는 단계,
(2-c) 선택적으로, 에칭 가스의 존재 하에서 무선 주파수 글로 방전 방법에 의해 층(LT-2)의 적어도 하나의 표면을 처리하는 단계,
(2-d) 단계 (2-a) 또는 단계 (2-c)에서 제공된 바와 같은 층(LT-2)을 조성물(L3)과 접촉시켜, 이에 의해 광투과성 비패턴층[층(LMT)]을 제공하는 단계, 및
(2-e) 단계 (2-d)에서 제공된 비패턴 기판을 적어도 50℃의 온도에서 건조시키는 단계
를 포함하는 방법에 의해 얻을 수 있는, 방법.
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 조성물(L3)의 화합물(M_ot)은
- 불순물이 도핑된 ZnO, In₂O₃, SnO₂ 및 CdO, 예컨대 Sn이 도핑된 ZnO, In₂O₃(ITO), SnO₂ 및 CdO,
- 3원 금속 산화물 화합물, 예컨대 Zn₂SnO₄, ZnSnO₃, Zn₂In₂O₅, Zn₃In₂O₆, In₂SnO₄, CdSnO₃, 및
- ZnO, In₂O₃ 및 SnO₂의 조합으로 이루어진 다중성분 금속 산화물
로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 산화물인, 방법.
제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 (2-d) 하에서 상기 층(LT-2)은 조성물(L3)과 무전해 도금 기법에 의해 접촉되는, 방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조성물(L1) 중 화합물(M1)은 Rh, Ir, Ru, Ti, Re, Os, Cd, Tl, Pb, Bi, In, Sb, Al, Ti, Cu, Ni, Pd, V, Fe, Cr, Mn, Co, Zn, Mo, W, Ag, Au, Pt, Ir, Ru, Pd, Sn, Ge, Ga, 이들의 합금 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는, 방법.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 (1-d) 또는 단계 (1'-d) 하에서 조성물(L1)은 스크린 인쇄, 그라비어 인쇄, 플렉소 인쇄 또는 잉크 젯 인쇄 기법에 의해 인쇄되는, 방법.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조성물(L2) 중 화합물(M2)은 Rh, Ir, Ru, Ti, Re, Os, Cd, Tl, Pb, Bi, In, Sb, Al, Ti, Cu, Ni, Pd, V, Fe, Cr, Mn, Co, Zn, Mo, W, Ag, Au, Pt, Ir, Ru, Pd, Sn, Ge, Ga, 이들의 합금 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는, 방법.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 (1-e) 또는 단계 (1'-e) 하에서 상기 층(LMP)은 조성물(L2)과 전기도금 또는 무전해 도금 기법에 의해 접촉되는, 방법.
(1) - 적어도 하나의 제1 금속 화합물[화합물(M1)]의 코어, 및 선택적으로 상기 코어를 적어도 부분적으로 코팅하는 적어도 하나의 제2 금속 화합물[화합물(M2)]의 셸로 만들어지는 패턴층[층(LMP)](상기 화합물(M2)은 상기 화합물(M1)과 동일하거나 상이함), 및
- 선택적으로, 층(LMP)의 적어도 하나의 표면 상에, 바람직하게는 층(LMP)의 하나의 표면 상에 직접 접착되는, 광투과성 기판층[층(LT-1)]
을 포함하는, 적어도 하나의 패턴 기판; 및
(2) - 외면 및 내면을 가지는 광투과성 기판층[층(LT-2)](상기 층(LT-2)은, 만약에 있다면, 층(LT-1)과 동일하거나 상이함), 및
- 층(LT-2)의 하나의 표면 상에 직접 접착되는, 적어도 하나의 광투과성 금속 화합물[화합물(M_ot)]로 만들어지는 광투과성 비패턴층[층(LMT)]
을 포함하는, 적어도 하나의 비패턴 기판
을 포함하는 다층 조립체이며, 상기 층(LT-2)의 적어도 하나의 표면은 에칭 가스의 존재 하에서 무선 주파수 글로 방전 방법에 의해 선택적으로 처리되고,
상기 다층 조립체의 패턴 기판의 층(LMP)은 비패턴 기판의 층(LMT)의 반대면 상에 직접 접착되는, 다층 조립체.
제10항에 있어서, 상기 다층 조립체는
- 광투과성 기판층[층(LT-1)],
- 층(LT-1)의 하나의 표면 상에 직접 접착되는, 적어도 하나의 제1 금속 화합물[화합물(M1)]의 코어로 만들어지는 패턴층[층(LMP)],
- 층(LMP)의 반대면 상에 직접 접착되는, 적어도 하나의 광투과성 금속 화합물[화합물(M_ot)]로 만들어지는 광투과성 비패턴층[층(LMT)], 및
- 층(LMT)의 반대면 상에 직접 접착되는, 광투과성 기판층[층(LT-2)](상기 층(LT-2)은 층(LT-1)과 동일하거나 상이함)
을 포함하며, 상기 층(LMT)의 반대면 상에 직접 접착되는 층(LT-2)의 표면은 에칭 가스의 존재 하에서 무선 주파수 글로 방전 방법에 의해 선택적으로 처리되는, 다층 조립체.
제10항에 있어서, 상기 다층 조립체는
- 적어도 하나의 제1 금속 화합물[화합물(M1)]의 코어, 및 선택적으로 상기 코어를 적어도 부분적으로 코팅하는 적어도 하나의 제2 금속 화합물[화합물(M2)]의 셸로 만들어지는 패턴층[층(LMP)](상기 화합물(M2)은 상기 화합물(M1)과 동일하거나 상이함),
- 층(LMP)의 하나의 표면 상에 직접 접착되는, 적어도 하나의 광투과성 금속 화합물[화합물(M_ot)]로 만들어지는 광투과성 비패턴층[층(LMT)], 및
- 층(LMT)의 반대면 상에 직접 접착되는, 광투과성 기판층[층(LT-2)]
을 포함하며, 상기 층(LMT)의 반대면 상에 직접 접착되는 층(LT-2)의 표면은 에칭 가스의 존재 하에서 무선 주파수 글로 방전 방법에 의해 선택적으로 처리되는, 다층 조립체.
제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 층(LMP)은 적어도 하나의 제1 금속 화합물[화합물(M1)]의 코어, 및 선택적으로 상기 코어를 적어도 부분적으로 코팅하는 적어도 하나의 제2 금속 화합물[화합물(M2)]의 셸로 만들어지는 격자 패턴층[층(LMP')](상기 화합물(M2)은 상기 화합물(M1)과 동일하거나 상이함)인, 다층 조립체.
제13항에 있어서, 상기 층(LMP')은 메시 크기가 100 μm 내지 800 μm, 바람직하게는 150 μm 내지 500 μm에 포함되는, 다층 조립체.
제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 층(LMP')은 바 너비(bar width)가 5 μm 내지 70 μm, 바람직하게는 7 μm 내지 35 μm에 포함되는, 다층 조립체.
전자 장치에서 광투과성 전극으로서의 제10항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 다층 조립체의 용도.