CN1052088C - 一种具有三层结构导线的显示板及包括该显示板的一种显示装置 - Google Patents

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Abstract

显示板的一表面上有导线，用于将从显示板的一周边部位的外面接收的信号传送给显示板显示区域。各导线有置于显示板的表面上用第一材料制的第一导电薄膜，置于第一导电薄膜的一部分上用满足下述条件第二材料制的第二导电薄膜，即第二导电薄膜表面较第一导电薄膜表面不易氧化，及透明导电薄膜，薄膜是一氧化膜并置于至少第二导电薄膜上。第一导电薄膜，第二导电薄膜以及透明薄膜构成导线的三层结构部分。

Description

一种具有三层结构导线的显示板及包括该显示板的一种显示装置
本发明涉及一种显示板及该显示板的一种装配结构，特别地涉及构成液晶显示装置、EL(场致发光)显示装置和其他显示装置的显示面板的一部分的一种显示板，以及该显示板的一种装配结构。
图1显示了根据一般的装配方法(驱动IC装配方法)装配的一矩阵形液晶显示装置。通过将液晶(未显示)封装在一下基板221和一上基板222之间组成一显示板，构造成一LCD面板201。下基板221的周边部位配备有许多导线206、207，这些导线206、207从含有象素的显示区域203向外朝其边缘伸展。在显示板边缘一侧上的导线206、207的端部用作电极端(为了简单起见，在本说明书中，假定该电极端包括在导线中)。图2是沿图1中的2-2线的一剖视图。如图2中所示，下基板221的导线206具有，例如二层结构，该二层结构包括厚度大约为3000的由Ta(钽)制成的薄膜209和置于该Ta薄膜之上的厚度大约为800的由ITO(铟锡氧化物)制成的薄膜210(见，例如日本专利申请公开SHO 63195687)。如图1中所示，在已装配的情形下，设置有驱动IC224。225的软性导线板204、205与下基板221的每一导线206、207连接。更详细地说，如图2中所示，软性导线板204具有Cu制成的输出端208，该输出端位于导线板204的基膜即用聚酰亚胺树脂制成的基底217上，并镀有Sn、Au或类似物。下基板221的导线206的端部通过具有导电性的一连接材料211与软性导线板204的输出端208连接。在操作中，驱动IC 224输出的一显示信号经软性导线板204的输出端208。连接材料211以及下基板221的导线206提供给显示区域。
图3显示了根据COG(Chip On Glass)方法装配的一已有的矩阵形液晶显示装置。通过将液晶(未显示)封装在下一基板121和一上基板122之间组成一显示板，构造成一LCD面板101。在下基板121的周边部位，配备有许多导线126a和126b，以及127a和127b，这些导线从具有象素的一显示区域123向外伸展。导线126a和126b，以及127a和127b的边缘侧的端部用作电极端。在导线126a、127a的基板的边缘一侧上，还配备有与导线126a、127a隔开的导线126b、127b。这些导线126b、127b向基板的边缘伸展。图4是沿图3中的4-4线的一剖视图。如图4中所示，下基板121的导线126a和导线126b均具有两层结构，该两层结构包括厚度为大约3000的一Ta薄膜129和置于该Ta薄膜129上的厚度为大约800的—ITO薄膜130。如图3中所示，在装配状态下，驱动IC 124、125设置于下基板121上，位于导线126a、127a与导线126b、127b之间，软性导线板133、134分别与导线126b、127b连接。更详细地，如图4中所示，驱动IC 124具有一输出侧隆起(bump)电极128a和一输入侧隆起电极128b。该输出侧隆起电极128a和输入侧隆起电极128b通过一具有导电性的连接材料131分别与导线126a和导线126b连接。同时，软性导线板133在其用聚酰胺树脂制成的基底137的一表面上具有镀Sn、Au或类似物的由Cu制成的输出端135。该输出端135经一具有导电性的连接材料136与下基板121的导线126b的端部连接。在操作中，经软性导线板133的输出端135、连接材料136、导线126b、连接材料131以及输入侧隆起电极128b，一电源和一输入信号提供给驱动IC 124。然后，经输出侧隆起电极128a、连接材料131。以及导线126a，从驱动IC124输出的一显示信号提供给该显示区域。
在上述的两种液晶显示装置中，导线206、207(图1和2中所示)以及导线126a和126b；127a和127b(图3和4中所示)具有由Ta薄膜(下薄膜)和ITO薄膜(上薄膜)组成的两层结构。由于Ta薄膜的表面(Sheet)电阻率大约为3Ω/□，而ITO薄膜的表面(Sheet)电阻率大约为50Ω/□，因此，从显示板的周边提供给显示区域的电源及信号主要经过Ta薄膜，即下层。在此两层结构中，由于Ta薄膜上存在ITO薄膜，所以在显示板的构造完成以后，可以防止Ta薄膜表面的氧化。
然而，在具有由Ta薄膜和ITO薄膜组成的两层结构的导线206、207(如图1和2中所示)以及导线126a和126b；127a和127b(图3和4中所示)中，下层即Ta薄膜的表面在ITO薄膜形成期间氧化。另外，在ITO薄膜上制作布线图案的过程中进行再加工时，Ta薄膜受到用于ITO薄膜的蚀刻剂(氯化铁溶液)的腐蚀，并且性质发生改变。因而，ITO薄膜和Ta薄膜之间连接处的电阻率显著地改变，导致流量减少。根据一实验，由于在显示板装配过程中不稳定因素的影响，ITO薄膜和Ta薄膜之间连接处的电阻率在大约2×104-107Ω·μm2范围里。当Ta薄膜的表面被氧化而其性质发生改变，并且Ta薄膜与ITO薄膜之间连接处的电阻率增加时，从驱动IC到显示区域的电阻率增加，从而显示信号失真，导致图像显示质量下降。当相应于图像显示较好的导线206、207(图1和2中所示)以及导线126a和126b；127a和127b(图3和4中所示)的面积减小时，这个问题变得很严重。例如，导线126a的面积在COG装配系统中比在一般装配系统(驱动IC装配系统)中小很多。从而，电阻率极大地增加，而电阻率的这种极大增加导致对图象显示质量产生显著的影响。同时，虽然导线126b具有比导线126a大的面积，但导线电阻率的增加对于电源的提供是致命的，即使这种增加很小，它会显著地降低驱动IC的操作条件。
因此，本发明的目的是提供一种显示板以及该显示板的一种装配结构，即显示装置，它们不受制造过程中的变化的影响，并提供高的流量和好的显示质量。
为了达到上述目的，本发明提供一种显示板，该显示板在其一表面上具有导线，以用于将从该显示板的周边部位的外侧接收到的信号传给该显示板的一个显示区域，其中每一导线包括：
一个用第一材料制成的第一导电薄膜，置于显示板的表面上；
一个用第二材料制成的第二导电薄膜，该种材料满足第二导电薄膜的表面较之第一导电薄膜的表面不容易氧化的条件，并置于第一导电薄膜的一部分之上；以及
一个透明导电薄膜，该薄膜为氧化膜，并至少置于第二导电薄膜之上，
该第一导电薄膜，第二导电薄膜和透明薄膜构成导线的三层结构部分。
在具有上述结构的显示板中，因为透明导电薄膜不是直接形成在第一导电薄膜上，而且第二导电薄膜形成在第一导电薄膜和透明导电薄膜之间，所以，不同于常规的例子，在形成透明导电薄膜的过程中，第一导电薄膜的表面不受腐蚀。另外，由于第二导电薄膜较之第一导电薄膜不易于氧化，因此，在形成透明导电薄膜的过程中第二导电薄膜的氧化程度比常规例子中在形成透明导电薄膜的过程中第一导电薄膜的表面的氧化程度要轻。因此，根据本发明，第一导电薄膜的表面和第二导电薄膜的表面的氧化可以抑制。
另外，由于具有上述配置，与常规的例子相比较，在第一导电薄膜和第二导电薄膜间的连接处的层间电阻率以及在第二导电薄膜和透明导电薄膜间的连接处的层间电阻率不易受过程中的变化的影响，并且该电阻率较低和更稳定。因而，显示板具有高的产量，并且在装配过程以后，保证好的显示质量。该显示板还可以应付未来的使图像显示更精细的需要。
在本发明的一实施例中，除了用作一电极端的一端部，导线的部分包括三层结构部分用一绝缘保护薄膜覆盖。在每一导线的端部处，透明导电薄膜在第一导电薄膜上形成。换句话说，覆盖导线的绝缘保护薄膜具有一开口部分以露出每一导线的端部，而三层结构部分不在绝缘保护薄膜的开口部位处。利用此配置，在通过蚀刻形成绝缘保护薄膜的开口部位中，可以防止第二导电薄膜受蚀刻剂的腐蚀。因此，可以防止第二导电薄膜由于该蚀刻剂而消失。具体地说，可以防止第二导电薄膜下的第一导电薄膜暴露出来。更特别地，可以防止较第二导电薄膜更易受氧化的第一导电薄膜暴露出来。从而，防止第一导电薄膜的表面氧化，并进而防止导线的电阻增加。
结果是，导线上具有绝缘保护薄膜的显示板可具有高产量，在装配过程以后，保证了良好的显示质量。
在一实施例中，在每一导线的端部处，第二导电薄膜围绕着形成在第一导电薄膜上的透明导电薄膜。在此情形下，经多种不同路径，一电流可以从围绕透明导电薄膜的第二导电薄膜导向由第二导电薄膜围绕的透明导电薄膜，反之亦然。
对于第一材料，Ta或主要成分为Ta的合金可以使用，对于第二材料，Ti或主要成分为Ti的合金可以使用。可选择地，第一材料和第二材料可以从Al或主要成分为Al的合金、Mo或主要成分为Mo的合金、Cr或主要成分为Cr的合金、W或主要成分为W的合金，以及Au或主要成分为Au的合金这样一族中进行选择。
另一方面，透明导电薄膜可以用铟锡氧化物(ITO)制造。
当第一导电薄膜是Ta薄膜，第二导电薄膜是Ti薄膜，而透明导电薄膜是ITO薄膜时，在Ta薄膜上形成Ti薄膜以构成导线的过程中，Ta薄膜的表面不被氧化。另外，在Ti薄膜上形成ITO薄膜的过程中Ti薄膜的表面的氧化程度远低于在Ta薄膜上形成ITO薄膜的过程中Ta薄膜的表面的氧化程度。另外，Ti薄膜不受用于ITO薄膜的蚀刻剂(氯化铁溶液)的腐蚀。因而，与常规的情形相比，在Ta薄膜和Ti薄膜间的连接处的层间电阻率以及在Ti薄膜和ITO薄膜间的连接处的层间电阻率不易受处理过程中的变化的影响，该电阻率变低并且稳定。由此，显示板具有高的产量，并且在装配过程以后保证良好的显示质量。该显示板还可以应付未来的使图像显示更精细的需要。
在包括上述显示板的一显示装置中，导线与一软性导线板的输出端相连，该软性导线板上设置有一驱动电路以产生传送给显示区域的信号。在比显示装置中，由于Ta薄膜和Ti薄膜间以及Ti薄膜和ITO薄膜间的层间电阻率低，与常规的情形相比，与从软性导线板的输出端伸向显示区域的导线相关的电阻(包括端部处的电阻)处于低而稳定的状态。从而，可以得到良好的显示质量。
在一显示装置中，导线包括第一导线和第二导线，该第一导线从显示区域朝外伸向显示板的周边，该第二导线配备在第一导线的板边侧缘上，并且向显示板的边缘伸展。在此情形下，用于产生传送给显示区域的信号的一驱动电路配备在显示板的第一导线和第二导线之间，该驱动电路的输入侧电极与第二导线的显示区域侧端部相连，该驱动电路的输出侧电极与第一导线的板边侧缘端部相连，而用于将一信号提供给驱动电路的一软性导线板的输出端与第二导线的板边侧缘端部相连。在此显示装置中，由于导线薄膜间的层间电阻率低，与常规情形相比，与从软性导线板的输出端向驱动电路的输入侧端伸展的第二导线相关的电阻(包括端部处的电阻)以及与从驱动电路的输出侧端向显示区域伸展的第一导线相关的电阻(包括端部处电阻)处于低而稳定的状态。从而，可以得到良好的显示质量。
如果各第一和第二导线的透明导电薄膜是铟锡氧化物薄膜，则第一和第二导线的铟锡氧化物薄膜与驱动电路的相应电极由一个各向异性电薄膜相连。在此情形下，驱动电路或驱动IC(片)的下表面由该各向异性的导电薄膜保护。从而，不用树脂层封装驱动IC，可以达到一高可靠性。
在另一实施例中，在各第一导线的板边侧缘端部处和各第二导线的显示区域侧端部处形成有一Mo(钼)薄膜。在此情形下，由于该钼薄膜的出现，导线与驱动IC的输出侧电极和输入侧电极(一般用Au制成)的接触电阻进一步降低。从而，与从软性导线板的输出端向驱动电路的输入侧电极伸展的第二导线相关的电阻(包括端部处的电阻)以及与从驱动电路的输出侧电极向显示区域伸展的第一导线相关的电阻(包括端部处的电阻)进一步降低。从而，可以达到良好的显示质量，并且连接可靠性增加。
当每一第一和第二导线的Mo薄膜通过包括Ag或Ag的合金和Pd(钯)作为导电粒子的涂料与驱动电路的相应电极相连时，每一导线与驱动电路的相应电极间的接触电阻进一步降低。从而，与第一和第二导线相关的电阻(包括端部处电阻)进一步降低。由此，可以达到良好的显示质量，并且连接的可靠性增加。
从下面给出的详细描述和附图可更完整地理解本发明，这些描述和附图仅仅是作为说明给出，因此对本发明无限制性。
图1是用普通装配方法装配的一常规液晶显示装置的平面图。
图2是沿图1中的2-2线的剖视图。
图3是用COG方法装配的一常规液晶显示装置的平面图。
图4是沿图3中的4-4线的剖视图。
图5是包括根据本发明的第一实施例的一显示板的液晶显示装置的概略平面图。
图6是沿图5中6-6线的一剖视图。
图7是第一实施例的显示板的下基板的局部平面图，显示了下基板上导线的平面排列。
图8是图6的一基本部分的放大的剖视图。
图9是第一实施例的显示板中第二导线的平面图。
图10是包括根据本发明的第二实施例的一显示板的液晶显示装置的基本部分的剖视图。
图11是第二实施例的显示板的一下基板的局部平面图，显示了下基板上导线的平面排列。
图12是图10的一基本部分的放大的剖视图。
图13是第二实施例的显示板中第二导线的平面图。
图14是第一实施例和第二实施例的液晶显示装置的显示区域的剖视图。
图15是根据本发明的第三实施例的一液晶显示装置的基本部分的剖视图。
第一实施例
图5显示了根据COG(Chip On Glaso)方法装配的一液晶显示装置的概略平面图，而图6显示了该装置的基本部分的一剖视图，其中，为了简单一些部分未画影线。此液晶显示装置配备有LCD面板1，驱动IC 24、25以及软性导线板33、34。
该LCD面板1作为根据本发明的第一实施例的一显示板，配备有一下基板21，一上基板22，以及封入下基板21与上基板22间的液晶。
如图5-7所示，下基板21配备有多个第一导线46a、47a，多个第二导线46b、47b，以及用作一绝缘保护薄膜的SiN薄膜42。
下面将详细地描述导线46a、46b。然而，很容易理解，下面的描述适用于导线47a、47b。
在下基板21上，第一导线46a从一显示区域23向外伸展，在该显示区域23中像素朝向其周边部位形成。每一第一导线46a的端部46a-1用作一电极端。第二导线46b与第一导线46a分隔开地配备在第一导线46a的板边侧缘上，并且向基板21的周边或边缘伸展。用作绝缘保护薄膜的SiN薄膜42在导线46a和46b上形成，并具有大约3000A的厚度。在与导线46a和46b的端部46a-1、46b-1及46b-2相对的位置上，SiN薄膜42配备有开口部位X1、X2和X3。除了与开口部位X1、X2和X3相对的区域，导线46a和46b的整个区域几乎均由SiN薄膜42覆盖。
每一第一导线46a和第二导线46b具有形成在下基板21上作为第一导电薄膜的Ta(钽)薄膜29，形成在Ta薄膜29上作为第二导电薄膜的Ti(钛)薄膜40，以及形成在Ta薄膜29与Ti薄膜40上作为透明导电薄膜的ITO薄膜30。Ta薄膜29、Ti薄膜40、及ITO薄膜30构成三层结构部分Z1和Z2，而Ta薄膜29与直接形成在其上的ITO薄膜30构成两层结构部分Y1、Y2、Y3和Y4。三层结构部分Z1和Z2不与SiN薄膜42的开口部位X1、X2和X3相对。两层结构部位Y2、Y3和Y4与SiN薄膜42的开口部位X1、X2和X3相对。Ta薄膜29的厚度大约为3000，Ti薄膜40的厚度大约为3000，而ITO薄膜30的厚度大约为800。Ta薄膜的表面电阻率大约为3Ω/□，ITO薄膜的表面电阻率大约为50Ω/□，而Ti薄膜的表面电阻率大约为3Ω/□。
第一实施例的下基板21的第一导线46a和第二导线46b具有前述的三层结构部位Z1和Z2。在制造该三层结构部位中，首先在Ta薄膜29上形成Ti薄膜，然后在Ti薄膜40上形成ITO薄膜30。换句话说，ITO薄膜30不是直接形成的Ta薄膜29上。因此，包括在三层结构部位Z1和Z2中的Ta薄膜29的表面不氧化。由于Ti薄膜40较Ta薄膜29不易受氧化，因此由于在Ti薄膜40上形成ITO薄膜30而引起的Ti薄膜40的表面的氧化程度，远低于由于在Ta薄膜29上形成ITO薄膜30而引起的Ta薄膜29的表面的氧化程度。另外，Ti薄膜40不受用于蚀刻ITO薄膜30的蚀刻剂(氯化铁溶液)的腐蚀。
从而，与常规情形相比，Ta薄膜29与Ti薄膜40间的连接处的电阻率以及Ti薄膜40与ITO薄膜30间的连接处的电阻率不易受过程中的变化的影响。其结果是，那些层间电阻率低且稳定。因此，根据本实施例，可以得到好的显示质量。另外，LCD面板1可具有高的流量，并能够处理精细的图像显示。
在与SiN薄膜42的开口部位X1、X2和X3相对的区域处不配备Ti薄膜40。从而，Ti薄膜40不受在SiN薄膜42制作布线图案中使用的蚀刻剂(缓冲氢氟酸)的腐蚀。如果在与开口X1、X2和X3相对的区域处配备Ti薄膜40，该蚀刻剂(缓冲氢氟酸)将穿透厚度较小的ITO薄膜30而腐蚀下面的Ti薄膜40。这将导致Ti薄膜40受腐蚀，并与上面的ITO薄膜30一起消失。其结果是，只有易受氧化的Ta薄膜29保留在端部46a-1，46b-1和46b-2，而Ta薄膜29的表面变得显著地不稳定。通过使用SiF4(四氟化硅)等离子体用干蚀刻方法进行SiN薄膜42的蚀刻，由于蚀刻而引起的Ti薄膜40和ITO薄膜30的可能的消失可以避免。然而对于干蚀刻，产生了一个问题，这就是需要大量的初始投资。
根据本实施例，因为在与开口部位X1、X2和X3相对的区域处没有配备Ti薄膜40，所以不需要大量的初始投资，可以避免用于SiN薄膜42的蚀刻剂引起的Ti薄膜40的消失。从而，比Ti薄膜40更易受氧化的Ti薄膜40下的Ta薄膜29可以避免被暴露。由此，可以防止Ta薄膜29的表面受氧化，并从而防止第一导线46a和第二导线46b的电阻增加。因此，根据本实施例，由于采用干蚀刻，不需要大的初始投资，LCD面板1可以具有高的流量。另外，本实施例可以处理未来的使图像显示更精细的需要。
驱动IC24具有输出侧隆重起电极28a和输入侧隆起电极28b。该隆起电极28a和28b用镀金形成。该隆起电极28a和28b设置在SiN薄膜42的开口部位X1和X2之上。软性导线板33具有用聚酰亚胺树脂制成的一基膜，即基板37，以及形成在基板37的一表面上、用Cu制成并镀以Sn、Au或类似物的输出端35。软性导线板33的输出端35设置在SiN薄膜42的开口部位X3之上。驱动IC25和软性导线板34分别与驱动IC24和软性导线板33类似。
在图5和6中所示的装配状态中，驱动IC24设置在下基板21上，在第一导线46a和第二导线46b之间。更准确地说，经一连接材料制成的各向异性导电薄膜41，驱动IC24的输出侧隆起电极28a和输入侧隆起电极28b分别与导线46a的板边侧缘端部46a-1以及导线46b的显示区域侧端部46b-1相连。端部46a-1和46b-1用作第一导线46a和第二导线46b的电极端。
软性导线板33与导线46b的端部46b-2相连。更准确地说，经一连接材料制成的各向异性导电薄膜36，软性导线板33的输出端35(只显示了其中一个)与下基板21上的第二导线46b的板边侧缘端部46b-2相连。
通过施压加热该各向异性导电薄膜41和36，完成上述连接。
在操作中，一电源和一输入信号从软性导线板33的各输出端35经各向异性导电薄膜36、导线46b、各向异性导电薄膜41以及输入侧隆起电极28b提供给驱动IC24。
驱动IC24输出的一显示信号经输出侧隆起电极28a、各向异性导电薄膜41以及导线46a提供给显示区域。
由于Ti薄膜40配备在导线46a和46b的各布线图案的一部分上，因此与常规的情形相比，与从软性导线板33的输出端35向驱动IC24的输入侧隆起电极28b伸展的导线46b相关的电阻(包括端部的电阻)以及与从驱动IC24的输出侧隆起电极28a向显示区域23伸展的导线46a相关的电阻(包括端部的电阻)低而稳定。从而，可以得到良好的显示质量。另外，由于下基板21和驱动IC24经各向异性导电薄膜41相互连接，因此驱动IC(片)24的下表面受到各向异性导电薄膜41的保护。这使得可以不用树脂封装驱动IC24而得到一高的可靠性。
根据对一特定布线图案中形成的第一导线46a和第二导线46b的实验测试，Ta薄膜29与Ti薄膜40间连接处的电阻率为5×102～8×102Ω·μm2，而Ta薄膜40与ITO薄膜30间的连接处的电阻率为5×102～2×103Ω·μm2，即使当过程中发生变化时。因而，从Ta薄膜29经Ti薄膜40到ITO薄膜30的电阻率估计为1.0×103～2.8×103Ω·μm2，这是上述两个电阻率的和。即，在第一实施例的显示板的下基板21中，导线的电阻率较之没有配备Ti薄膜40的常规例子的导线的电阻率值2×104～107Ω·μm2，能够大大地降低。
第二导线46b的板边侧缘端部46b-2和显示区域侧端部46b-1以及第一导线46a的板边侧缘端部46a-1，分别相对SiN薄膜42的开口部位X3、X2以及X1而设置，并用作电极端。用作电极端的各端部46b-2、46b-1以及46a-1具有包括ITO薄膜30及配备在其下的Ta薄膜29的两层结构。因而，在端部46b-2、46b-1及46a-1中，与前述的三层结构相比，由于过程中的变化引起的ITO薄膜30与Ta薄膜29间的连接处的电阻变化很大。
下面参考图8和9描述在一电流从软性导线板33的输出端35经第二导线46b流向驱动IC24的输入侧隆起电极28b的情形中，第一实施例的电阻率减小功能。图8显示了第二导线46b及其邻近区域的一放大的剖视图，而图9显示了第二导线46b的俯视图。在图8中，为了简单，一些部分的影线省去。
首先，图8中所示路径A是当第二导线46b的ITO薄膜30与Ta薄膜29间的连接处的电阻率处于一变化范围中的相对低的值时，一电流流过的路径。在此情形下，从软性导线板33的输出端35经各向异性导电薄膜36流向ITO薄膜30的电流流过具有比Ta薄膜29高的表面电阻率的ITO薄膜30。然后，该电流流过ITO薄膜30与Ta薄膜29间的一连接处S2，流入具有较低表面电阻率的Ta薄膜29。然后，该流入Ta薄膜29的电流在驱动IC24的输入侧隆起电极28b的下方再次流过Ta薄膜29与ITO薄膜30间的连接处S2，然后流过ITO薄膜30经各向异性导电薄膜41进入输入侧隆起电极28b。
同时，图8中所示路径B是当第二导线46b的ITO薄膜30与Ta薄膜29间的连接处的电阻率处于变化范围中的相对高的值时，一电流流过的路径。在此情形下，从软性导线板33的输出端35径各向异性导电薄膜36流向ITO薄膜30的电流，不经过ITO薄膜30与Ta薄膜29间的连接处S2而流入具有比Ta薄膜29高的表面电阻率的ITO薄膜30。然后，该电流流过与SiN薄膜42的开口部位X3相对的ITO薄膜30的一区域，接着流过ITO薄膜30与Ti薄膜40间的连接处S1，再后流入具有比ITO薄膜30表面电阻率低的Ti薄膜40或流入Ti薄膜下的Ta薄膜29，如图8中的路径B1或B2所示。上述的原因在于Ti薄膜40具有比ITO薄膜30低的表面电阻率，并且Ti薄膜40与ITO薄膜30间连接处S1的电阻率低于Ta薄膜29与ITO薄膜30间连接处S2的表面电阻率。要注意的是Ti薄膜40与Ta薄膜29间的连接处的电阻率低于连接处S1的电阻率。然后，上述电流在输入侧隆起电极28b一侧上的Ti薄膜40的一端处再次经过ITO薄膜30与Ti薄膜40间的连接处S1，并流过ITO薄膜30和各向异性导电薄膜41进入输入侧隆起电极28b。
在不包括Ti薄膜40的常规导线结构中，电流的路径限于路径A，从而电流不得不经过具有比ITO薄膜30和Ti薄膜40间连接处S1电阻率高的ITO薄膜30与Ta薄膜29间的连接处S2。相反，在此第一实施例中，电流可以流经路径B，即经过具有比连接处S2的电阻率低的连接处S1的一旁路。由于第一实施例具有电流流经的旁路，因此防止了第二导线46b具有高电阻，而使其保持低电阻。第一导线46a同样如此。即，与常规例子相比，导线的电阻可以保持在一较低的值。从而，可以得到良好的显示质量。
实际上，当Ti薄膜40的面积为104μm2时，与第二导线46b相关的电阻(包括端部电阻)为3-4Ω，该值表明，与没有Ti薄膜的电阻为5-29Ω的导线相比，电阻及其变化能够显著地降低。
第二实施例
本发明的第二实施例参考图10-13进行描述。在图10-13中，与图6-9中所示类似的部分用同样的参考符号来表示。图10显示了根椐COG(Chip On Glass)方法装配的一液晶显示装置的基本部分的剖视图。本实施例的液晶显示装置具有与图5中所示第一实施例基本相同的概略平面图，因此图5也用来描述第二实施例的液晶显示装置。本液晶显示装置配备有一LCD面板11，驱动IC24、25以及软性导线板33、34。
LCD面板11配备有一下基板21，该下基板21是根据本发明的第二实施例的一显示板，一个上基板(参考图5中的22)，以及封装在下基板21与上基板之间的液晶。
如图10和11中所示，下基板21配备有多个第一导线96a，第二导线96b，以及用作绝缘保护膜的SiN薄膜42。
在下基板21上，第一导线96a从形成象素的一显示区域(参考图5中的23)向外朝其周边部位伸展。每个第一导线96a的端部96a-1用作一电极端。第二导线96b配备在第一导线96a的板边侧缘上，与第一导线96a分开，并向基板21的周边或边缘伸展。用作绝缘保护膜的SiN薄膜42形成在导线96a和96b上，并且厚度大约为3000。在与导线96a和96b的端部96a-1、96b-1及96b-2相对的位置处，SiN薄膜42配备有开口部分X10、X20及X30。除了与开口部分X10、X20及X30相对的区域以外，SiN薄膜42几乎覆盖了导线96a和96b的整个区域。
每个第一导线96a和第二导线96b具有形成在下基板21上作为第一导电薄膜的一层Ta薄膜29，形成在Ta薄膜29上作为第二导电薄膜的Ti薄膜40，以及形成在Ta薄膜29与Ti薄膜40上作为透明导电薄膜的ITO薄膜30。在与开口部分X10、X20及X30不相对的区域中，Ta薄膜29、Ti薄膜40和ITO薄膜30构成三层结构部分Z10和Z20。
在与三层结构部分Z10和Z20相邻的区域，第一和第二导线96a与96b具有两层结构部分Y10、Y20、Y30及Y40。两层结构部分Y10-Y40包括Ta薄膜29及形成在其上的ITO薄膜30。
另外，在第二实施例中，在三层结构部分Z10和Z20中用作第二导电薄膜的Ti薄膜40包围两层结构部分Y20、Y30和Y40中的ITO薄膜30，如图13中所示。
Ta薄膜29的厚度大约为3000，Ti薄膜40的厚度大约为3000，而ITO薄膜30的厚度大约为800。Ta薄膜29的表面电阻率大约为3Ω/□，ITO薄膜30的表面电阻率大约为50Ω/□，而Ti薄膜40的表面电阻率约为3Ω/□。
在图5和10所示的装配状态中，驱动IC24设置在下基板21上第一导线96a和第二导线96b之间。该驱动IC24具有输出侧隆起电极28a和输入侧隆起电极28b。隆起电极28a和28b通过镀金形成。隆起电极28a和28b设置在开口部分X10和X20之上。软性导线板33具有用聚酰亚胺树脂制成的基膜或基板37，并具有形成在基板37的一表面上的用镀Sn、Au或类似物的Cu材料制成的输出端35。软性导线板33的输出端35设置在SiN薄膜42的开口部分X30之上。
驱动IC24的输出侧隆起电极28a和输入侧隆起电极28b经一各向异性导电薄膜41分别与第一导线96a的板边侧缘端部96a-1及第二导线96b的显示区域侧端部96b-1相连。这种连接通过施压加热各向异性导电薄膜41而实现。端部96a-1和96b-1用作第一导线96a和第二导线96b的电极端。
软性导线板33与下基板21相连。更准确地说，软性导线板33的输出端35经一各向异性导电薄膜36与下基板21上的第二导线96b的板边侧缘端部96b-2相连。这种连接通过施压加热各向异性导电薄膜36而实现。
在操作中，一电源和一输入信号从软性导线板33的输出端35经各向异性导电薄膜36、导线96b、各向异性导电薄膜41以及输入侧隆起电极28b提供给驱动IC24。
从驱动IC24输出的一显示信号经输出侧隆起电极28a、各向异性导电薄膜41及导线96a提供给显示区域(见图5中23)。
在下基板21上的第一和第二导线96a和96b的三层结构部分Z10和Z20的制造中，首先在Ta薄膜29上形成Ti薄膜40，然后在Ti薄膜40上形成ITO薄膜30。换句话说，ITO薄膜30不是直接形成在Ta薄膜29上。相应地，包括在三层结构部分Z10和Z20中的Ta薄膜29的表面不被氧化。由于Ti薄膜40较Ta薄膜29不易于氧化，因此，由于在Ti薄膜40上形成ITO薄膜30而引起的Ti薄膜40的表面的氧化程度，远远低于由于在Ta薄膜29上形成ITO薄膜30而引起的Ta薄膜29的表面的氧化程度。另外，Ti薄膜40不受用于蚀刻ITO薄膜30的蚀刻剂(氯化铁溶液)的腐蚀。
从而，与常规情形相比，Ta薄膜29与Ti薄膜40间的连接处的电阻率以及Ti薄膜40与ITO薄膜30间的连接处的电阻率不易受过程中的变化的影响。其结果是，那些层间电阻率低而稳定。
在与SiN薄膜42的开口部分X10、X20及X30相对的区域上不配备Ti薄膜40。从而，Ti薄膜40不受在绝缘保护膜SiN薄膜42上形成布线图案中使用的蚀刻剂(缓冲氢氟酸)的腐蚀。其结果是，避免了在蚀刻剂用于SiN薄膜42时Ti薄膜40的消失。因而，防止Ti薄膜40之下较Ti薄膜40更易于氧化的Ta薄膜29暴露出来。因此，可以防止Ta薄膜29的表面氧化，并从而防止第一导线96a和第二导线96b的电阻增加。从而，根据本实施例，LCD面板11可以具有高流量。另外，本实施例可以满足未来的使得图像显示更精细的需要。
下面参考图12和13，描述在一电流从软性导线板33的输出端35经第二导线96b流向驱动IC24的输入侧隆起电极28b的情形下，第二实施例的电阻降低功能。图12显示了第二导线96b及其邻域的一放大剖视图，而图13显示了第二导线96b的一俯视图。在图12中，为了简单，一些部分的影线省略。
首先，图12中所示路径c是在第二导线96b的ITO薄膜30与Ta薄膜29间的连接处的电阻率处于变化范围中的相对低的值时，一电流流过的路径。在此情形下，从软性导线板33的输出端35经各向异性导电薄膜36流向ITO薄膜30的电流流过具有较Ta薄膜29高的表面电阻率的ITO薄膜30。然后，该电流流过ITO薄膜30与Ta薄膜29间的连接处S20，并流入具有较低表面电阻率的Ta薄膜29。然后，流入Ta薄膜29的电流在驱动IC24的输入侧隆起电极28b的下方再次流过Ta薄膜29与ITO薄膜30间的连接处S20，并流过ITO薄膜30经各向异性导电薄膜41流入输入侧隆起电极28b。
同时，图12中所示路径D是在第二导线96b的ITO薄膜30与Ta薄膜29间的连接处的电阻率处于变化范围中的相对高的值时，一电流流过的路径。在此情形下，从软性导线板33的输出端35经各向异性导电薄膜36流向ITO薄膜30的电流不经过ITO薄膜30与Ta薄膜29间的连接处S20而流入具有较Ta薄膜29高的表面电阻率的ITO薄膜30。然后该电流流过与SiN薄膜42的开口部分X30相对的ITO薄膜30的一区域，接着流过ITO薄膜30与Ti薄膜40间的连接处S10，然后流入具有较ITO薄膜30低的表面电阻率的Ti薄膜40或流入Ti薄膜40之下的Ta薄膜29中，如图12中的路径D1或D2所示。上述的原因在于，Ti薄膜40具有较ITO薄膜30低的表面电阻，而Ti薄膜40与ITO薄膜30间连接处S10的电阻率较Ta薄膜29与ITO薄膜30间连接处S20的表面电阻率为低。要注意的是，Ti薄膜40与Ta薄膜29间连接处的电阻率低于连接处S10的电阻率。然后上述电流在输入侧隆起电极28b的一侧上Ti薄膜40的一端处再次流过ITO薄膜30与Ti薄膜40间的连接处S10，并流过ITO薄膜30和各向异性导电薄膜41进入输入侧隆起电极28b。
在不包括Ti薄膜40的常规导线结构中，电流路径限于路径C，从而，电流不得不经过具有比ITO薄膜30与Ti薄膜40间连接处S10的电阻率高的ITO薄膜30与Ta薄膜29间的连接处S20。相反地，在此第二实施例中，电流可以经过路径D，即穿过具有较连接处S20电阻率低的连接处S10的一旁路。由于第二实施例具有用于电流流过的低电阻旁路，因此防止了第二导线96b作为一整体具有高电阻，并使其保持在一低电阻上。对于第一导线96a同样如此。即，与常规例子相比，导线电阻可以保持在一较低的值上。
在第一实施例中，由于第二导线46b的Ti薄膜40只配备在开口部分X3的一侧上(显示区域侧)，从开口部分X3到Ti薄膜40的电流路径只有一个方向，如图9中所示。相反，根据第二实施例，由于Ti薄膜40围绕着与开口部分X30相对的ITO薄膜30，因此从ITO薄膜30到围绕ITO薄膜30的Ti薄膜40，有多条不同电流路径，如图13中所示。另外，根据第二实施例，由于在输入侧隆起电极28b的邻域中，围绕SiN薄膜42的开口部分X20配备有Ti薄膜40，因此，从Ti薄膜40到与开口部分X20相对的ITO薄膜30，有多条不同的电流路径，如图13中所示。如上所述，由于在第二实施例中，Ti薄膜40围绕着与开口部分X20和X30相对的ITO薄膜30，因此在Ti薄膜40与ITO薄膜30间的所有方向上配备有多条电流路径。从而，与Ti薄膜40不围绕ITO薄膜30的第一实施例相比，电流路径中的电流密度可以降低。因此，导线的电阻可以比第一实施例进一步降低。
实际上，当Ti薄膜40的面积为3×104μm2时，与第二导线96b相关的电阻率(包括端部处的电阻率)为1.5-2Ω。从此值可以明显看出，不仅与没有Ti薄膜的常规导线的值5-29Ω相比，而且与第一实施例中的导线的值相比，第二实施例中导线的电阻率值及其变化显著地降低。
要注意的是，在第一和第二实施例中，Ta薄膜29、Ti薄膜40、ITO薄膜30及SiN薄膜42不仅构成第一导线46a、96a以及第二导线46b、96b，而且构成LCD面板1和11的显示区域23。更准确地说，Ta薄膜29构成显示区域23的一TFT(薄膜晶体管)门电极302a，Ti薄膜40构成一源电极307及一漏电极308，ITO薄膜30构成一ITO透明导电薄膜309作为一象素，以及SiN薄膜42构成一保护膜310，如图14中所示。
因此，根据第一和第二实施例，构成LCD面板的显示区域的薄膜有效地用来降低导线的电阻，而不导致成本的增加。
下面参考图14描述形成LCD面板的显示区域23的过程。
首先，在一玻璃基板301上形成一Ta薄膜，然后通过光刻法形成一门电极302a、一门总线6未显示)以及一引线电极(未显示)图案。其后，只有需要阳极氧化的门电极302a通过光刻法曝光，浸入酒石酸铵水溶液中，然后用于一形成过程。其后在6.5v的常压下通过一形成过程，形成厚度为1000的Ta2O3薄膜。结果，形成包括Ta的第一绝缘薄膜304。通过CVD方法，溅镀(sputtering)方法或类似方法，在第一绝缘薄膜304上，层叠一厚度为1000A的Si3N4薄膜作为第二绝缘薄膜305。第二绝缘薄膜305可以用SiO、SiO2、Y2O3、Al2O3、MgF2或另一种不是Si3N4的材料制成。第二绝缘薄膜305具有保护阳极氧化的Ta2O3薄膜即第一绝缘薄膜304的功能。第一绝缘薄膜304与第二绝缘薄膜305构成一门绝缘薄膜。然后通过辉光放电，淀积厚度为3000的一非晶硅层，作为一半导体层306。随后，淀积厚度为3000的Ti，作为一源电极307和一漏电极308。通过此方式，完成一个TFT(薄膜晶体管)。
然后，形成一厚度为300-1000A的ITO透明导电薄膜309，作为一象素。在TFT中，通过CVD方法淀积厚度为3000的SiO3N4作为一保护膜310，以覆盖半导体层306。保护膜310不仅保护非晶硅层，而且减少半导体层306的表面以减少TFT关断状态下的漏泄电流，从而显著地改善TFT的特性。最后，通过聚酰亚胺树脂的研磨、封装及液晶的填充完成操作和取向处理步骤，并从而完成一个LCD面板。
在具有上述结构的显示区域23中，因为门绝缘薄膜包括一阳极氧化的Ta薄膜的第一绝缘膜304，所以该TFT具有下面的极好特性：
(1)极好的绝缘质量(无气孔)，高可靠性及高压电阻；
(2)小游离离子密度；
(3)相对于半导体、小的接口层密度；
(4)作用于该半导体的大的场效应。另外，在该显示区域中，因为源电极307和漏电极308由Ti形成，在面板装配过程中，该TFT的特性变化(由于金属离子侵入TFT中)可以减少，从而达到增加可靠性的目的。
在第一和第二实施例中，缓冲氢氟酸作为蚀刻剂用于SiN薄膜42。从而在与SiN薄膜42的开口部分X1、X2、X3及X10、X20、X30相对的区域上不形成Ti薄膜40，使得缓冲氢氟酸不腐蚀Ti薄膜40。
然而，当SiN薄膜42的蚀刻通过例如用SiF4(四氟化硅)等离子体的干蚀刻方法进行时，Ti薄膜40不受蚀刻的腐蚀。从而，在这样的情形下，在导线图案的整个区域上形成Ti薄膜40更可取。当采用这种配置时，相对于由于过程中的变化引起的ITO薄膜30与Ta薄膜29间的连接处的层间电阻率的变化或耗散，可以保持端部的电阻在最低水平上。
另外，在上面的实施例中，Ta薄膜用作第一导电薄膜，而Ti薄膜用作第二导电薄膜。可选择地，其主要成分为Ta的一合金薄膜可用作第一导电薄膜，而其主要成分为Ti的一合金薄膜可以用作第二导电薄膜。还有，只要满足第二导电薄膜的表面较第一导电薄膜的表面不易于氧化这个条件，用于第一和第二导电薄膜的材料可以从下面一组材料中进行选择，包括：Al或Al作为主要成分的合金；Mo或Mo作为主要成分的合金；Cr或Cr作为主要成分的合金；W或W作为主要成分的合金；以及Au或Au作为主要成分的合金。
第三实施例
图15显示了根据本发明的第三实施例的一液晶显示装置的基本部分。由于其平面图类似于图5中所示，因此图5中的平面图也用于描述本实施例。类似于第一和第二实施例的液晶显示装置，本液晶显示装置用COG方法装配，并配备有一LCD面板111，驱动IC24，及软性导线板33。为了简单，与图6中所示的同样的部件在图15中用同样的参考符号来表示。由于驱动IC24和软性导线板33与第一和第二实施例中的相同，因此不再进行描述。
通过在一作为显示板的下基板21与一上基板22(见图5)之间封装液晶，构成LCD面板111。体现本发明的下基板21配备有多条第一导线66a，该导线从形成象素的一显示区域23向外朝其周边部位伸展。每条第一导线66a具有端部作为一电极端。在第一导线66a的板边侧缘配备有一第二导线66b，该第二导线与第一导线分开，也向板的周边伸展。形成的导线66a和66b的图案的每一个具有两层的薄膜，包括与下基板21接触的Ta薄膜29和一配备在Ta薄膜29上的ITO薄膜30。在形成的每条导线的图案的至少一个区域中，一个Ti薄膜40设置于Ta薄膜29和ITO薄膜30之间。在第一导线66a的板边侧缘端部和第二导线66b的显示区域侧端部处的Ta薄膜29与ITO薄膜30上形成有一Mo薄膜60，第一导线66a和第二导线66b分别包括该Mo薄膜60。该Mo薄膜具有大约0.5Ω/□的表面电阻率。除了导线66a和66b的端部以外，一绝缘薄膜42覆盖了下基板21的几乎整个区域。
在下基板21的制造过程中，与常规的情形相比，Ta薄膜29与Ti薄膜40间连接处的层间电阻率以及Ti薄膜40与ITO薄膜30间连接处的层间电阻率不易受过程中的变化的影响，从而层间电阻率变得低而稳定。因此，显示板111可具有高流量。另外，该显示板可以满足未来的使得图像显示更精细的需要。Mo薄膜60只配备在第一导线66a的板边侧缘端部及第二导线66b的显示区域侧端部的原因是，Mo薄膜的耐潮性低，从而将受到从产生的绝缘薄膜42的间隔部位上的缝隙进入的湿气的腐蚀。
在图5和15中所示的装配状态中，驱动IC24设置在下基板21的第一导线66a与第二导线66b之间。同时，软性导线板33与导线66b连接。更准确地说，驱动IC24的输出侧隆起电极28a与输入侧隆起电极28b经包括有Ag和Pd的合金的导电离子的Ag和Pd胶61(称作“Ag/Pd胶”)分别与下基板21的导线66a的板边侧缘端部(电极端)及导线66b的显示区域侧端部相连。同时，软性导线板33的输出端35经一各向异性导电薄膜36与下基板21的导线66b的板边侧缘端部相连。驱动IC24与下基板21间的缝隙中充填有密封树脂62。经Ag/Pd胶61的连接，通过将适量的Ag/Pd胶61输送给驱动IC24的输出侧隆起电极28和输入侧隆起电极28b，将驱动IC定位，及加热Ag/Pd胶61以对其进行固定而完成。经各向异性导电薄膜36的连接通过施压加热而完成。
在操作中，一电源和一输入信号的从软性导线板33的输出端35经连接材料36、第二导线66b、连接材料61、及驱动IC24的输入侧隆起电极28b提供给驱动IC24。然后，驱动IC24输出的一显示信号经输出侧隆起电极28a、连接材料61及第一导线66a提供给显示区域23。
与第一实施例类似，由于Ti薄膜40至少配备在导线66a和66b的每一图案的一个区域上，因此与常规情形相比，与从软性导线板33的输出端35向驱动IC24的输入侧电极28b伸展的第二导线66b相关的电阻(包括端部处电阻)以及与从驱动IC24的输出侧电极28a向显示区域23伸展的第一导线66a相关的电阻(包括端部处电阻)变得低而稳定。从而，可以得到好的显示质量。另外，借助于Mo薄膜60和Ag/Pd胶61，第一导线66a的板边侧缘端部与驱动IC24的输出侧隆起电极28a间以及第二导线66b的显示区域侧端部与驱动IC24的输入侧隆起电极28b间的接触电阻，与第一实施例相反，可以大大降低。从而，与第一实施例相比，与第一导线66a相关的电阻(包括端部处电阻)以及与第二导线66b相关的电阻(包括端部处电阻)可以进一步降低。因此，可以得到一更好的显示质量，并且连接的可靠性能够增加。
实际上，当Ti薄膜40的面积为约4×104μm2时，与第二导线66b相关的导线电阻(包括端部电阻)为1.5-2.5Ω。显然，与没有Ti薄膜的导线中的值2-10Ω相比，包括Ti薄膜的导线中的电阻及电阻的变化或耗散显著地降低。
要注意的是，配备在导线内或导线上的Ti薄膜和Mo薄膜一般地用于LCD面板的显示区域，而不是只专门用于本发明的实施。从而，本发明的实施例不会导致成本的增加。
虽然由于在本实施例中的过程中的限制，Ti薄膜40只在每一导线图案的区域上形成，但当在过程中没有限制时，在导线图案的整个区域上形成Ti薄膜40是更可取的。
尽管在前面的实施例中描述了根据COG方法装配的液晶显示装置，但本发明的范围当然不限于此。本发明可以用于通过普通装配系统(驱动IC装配方法)装配的液晶显示装置。在上述情形下，与常规情形相比，从软性导线板的输出端向显示区域伸展的导线的电阻可以低而稳定，从而可以得到好的显示质量。本发明可以广泛地应用于任何其他平面型显示装置，如EL显示装置。
对本发明已进行了描述，显然其具有许多变化方式。这样的变化不看作脱离本发明的实质和范围，并且所有对于本领域的技术人员为明显的变型将包括在所附权利要求的范围中。

Claims (20)

1.一种显示板，该显示板在其一表面上具有导线，以用于将从该显示板的周边部位的外面接收到的信号传送给该显示板的显示区域，其中每一导线包括：
一个第一导电薄膜，该薄膜用第一材料形成，并置于所述显示板的所述表面上；
一个第二导电薄膜，该薄膜用第二材料形成，并满足所述第二导电薄膜的表面较所述第一导电薄膜的表面不易于氧化这样一个条件，而且该第二导电薄膜置于所述第一导电薄膜的一部分上；以及
一个透明导电薄膜，该薄膜是一氧化物的薄膜，并且置于至少所述第二导电薄膜上，
所述第一导电薄膜、第二导电薄膜及透明薄膜构成所述导线的一个三层结构部分。
2.如权利要求1所述的显示板，其特征在于，除用作电极端的端部以外，包括所述三层结构部分，所述导线的部分用一绝缘保护薄膜覆盖。
3.如权利要求2所述的显示板，其特征在于，在用作电极端的每一导线的一个端部，所述透明导电薄膜形成在所述第一导电薄膜上。
4.如权利要求3所述的显示板，其特征在于，所述第二导电薄膜围绕着形成在所述第一导电薄膜上的透明导电薄膜。
5.如权利要求3所述的显示板，其特征在于，所述导线包括，从该显示区域向外朝该显示板的周边伸展的第一导线，以及配备在所述第一导线的板边侧缘上向该显示板的周边伸展的第二导线。
6.如权利要求1所述的显示板，其特征在于，所述第一材料是Ta或主要成分为Ta的合金，而所述第二材料是Ti或主要成份为Ti的合金。
7.如权利要求1所述的显示板，其特征在于，所述第一材料和第二材料从下面一组材料中选择，包括Al或主要成分为Al的合金，Mo或主要成分为Mo的合金，Cr或主要成分为Cr的合金，W或主要成分为W的合金，以及Au或主要成分为Au的合金。
8.如权利要求1所述的显示板，其特征在于，所述透明导电薄膜由铟锡氧化物制成。
9.如权利要求6所述的显示板，其特征在于，所述透明导电薄膜由铟锡氧化物制成。
10.如权利要求9所述的显示板，其特征在于，每一导线还包括一Mo薄膜，该Mo薄膜形成在包括在所述三层结构部分中的所述透明导电薄膜上。
11.如权利要求10所述的显示板，其特征在于，在用作电极端的每一导线的一个端部，所述Mo薄膜还形成在所述第一导电薄膜上。
12.如权利要求11所述的显示板，其特征在于，所述导线包括，从该显示区域向外朝该显示板的周边伸展的第一导线，以及配备在所述第一导线的板边侧缘上并向该显示板的周边伸展的第二导线，所述Mo薄膜形成在每一第一导线的板边侧缘端部以及每一第二导线的显示区域侧端部。
13.一种显示装置，该装置包括如权利要求1所述的显示板，其特征在于，所述导线与一软性导线板的输出端相连，该软性导线板上设置有一驱动电路以产生传送给所述显示区域的信号。
14.一种显示装置，该装置包括如权利要求5所述的显示板，其特征在于，在该显示板的所述第一导线与第二导线之间配备有用于产生传送给所述显示区域的信号的一驱动电路，其中该驱动电路的输入侧电极与所述第二导线的显示区域侧端部相连，而该驱动电路的输出侧电极与所述第一导线的板边侧缘端部相连，以及其中，用于将信号提供给所述驱动电路的一软性导线板的输出端与所述第二导线的板边侧缘端部相连。
15.如权利要求14所述的显示装置，其特征在于，所述每一第一和第二导线的透明导电薄膜是一铟锡氧化物薄膜，而其中所述每一第一和第二导线的该铟锡氧化物薄膜通过各向异性导电薄膜与该驱动电路的相应电极相连。
16.一种显示装置，该装置包括如权利要求12所述的显示板，其特征在于，在该显示板的所述第一导线与所述第二导线之间配备有用于产生传送给所述显示区域的信号的一驱动电路，其中该驱动电路的输入侧电极与所述第二导线的所述显示区域侧端部相连，而该驱动电路的输出侧电极与所述第一导线的所述板边侧缘端部相连，并且其中，用于将信号提供给所述驱动电路的一软性导线板的输出端与所述第二导线的板边侧缘端部相连。
17.如权利要求16所述的显示装置，其特征在于，所述每一第一和第二导线的Mo薄膜通过包括Ag或者Ag和Pd的合金作为导电离子的胶与驱动电路的相应电极相连。
18.一种显示板，该显示板在其一表面上具有导线，以用于将从该显示板的周边部位处的外面接收到的一信号传送给该显示板的一显示区域，其中每一导线包括：
一个钽薄膜，形成在所述显示板的所述表面上；
一个钛薄膜，形成在所述钽薄膜的至少一部分上；以及
一个铟锡氧化物薄膜，形成在至少所述钛薄膜上。
19.如权利要求18所述的显示板，其特征在于所述铟锡氧化薄膜还在所述钽薄膜的无钛薄膜形成的部位上形成。
20.如权利要求19所述的显示板，其特征在于，在每一导线的一个端部处，一Mo薄膜形成在所述铟锡氧化物薄膜上。
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