JP4851255B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
前記基板の前記周辺部に搭載された半導体チップとを有する表示装置であって、
前記半導体チップは、第1のバンプ電極を有し、
前記基板は、表示領域の配線に接続された第1の配線と、前記第1の配線に隣接して配置され表示領域の別の配線に接続された第2の配線と、前記第1の配線と前記第2の配線とを被う絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された第1のコンタクト孔と、前記絶縁膜より上層に形成され前記第1のコンタクト孔を介して前記第1の配線と接続された第1の端子とを有し、
前記第1のバンプ電極は、前記第1の端子と接続されており、
前記第2の配線は、前記第1の端子と電気的に絶縁されており、
平面的に見た場合に、前記第1の端子は、前記絶縁膜を介して前記第2の配線と重畳して配置されている。
前記基板の前記周辺部に搭載された半導体チップとを有する表示装置であって、
前記半導体チップは、第1のバンプ電極を有し、
前記基板は、表示領域の配線に接続された第1の配線と、前記第1の配線に隣接して配置され表示領域の別の配線に接続された第2の配線と、前記第1の配線と前記第2の配線とを被う絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された第1のコンタクト孔と、前記絶縁膜より上層に形成され前記第1のコンタクト孔を介して前記第1の配線と接続された第1の端子とを有し、
前記第1のバンプ電極は、前記第1の端子と接続されており、
前記第2の配線は、前記第1の端子と電気的に絶縁されており、
平面的に見た場合に、前記第1のバンプ電極は、前記絶縁膜を介して前記第2の配線と重畳して配置されている。
前記絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同材料からなる絶縁膜を含む構成としても良い。
前記基板は、前記絶縁膜より上層に形成され前記第2のバンプ電極に接続される第2の端子を有し、
前記第1の端子と前記表示部との間の距離は、前記第2の端子と前記表示部との間の距離と異なっており、
平面的に見た場合に、前記第1の端子に重畳する前記基板の配線の本数が、前記第2の端子に重畳する前記基板の配線の本数と等しい構成としても良い。
前記第1の検査端子は、前記第1のスイッチング素子を介して前記第1の配線に接続されている構成としても良い。
前記基板は、前記絶縁膜に形成された第2のコンタクト孔と、前記絶縁膜より上層に形成され前記第2のコンタクト孔を介して前記第2の配線と接続された第2の端子とを有し、
前記第2のバンプ電極は、前記第2の端子と接続されており、
前記第1の配線は、前記第2の端子と電気的に絶縁されており、
平面的に見た場合に、前記第2の端子は、前記第1の配線と重畳して配置されている構成としても良い。
前記複数のバンプ電極は、前記半導体チップの短辺方向に2段以上に配置されており、
前記複数のバンプ電極は、第1段目のバンプ電極の前記半導体チップの長辺方向の位置が、第2段目のバンプ電極の前記半導体チップの前記長辺方向の位置に対して、シフトしていない構成としても良い。
前記複数のバンプ電極は、前記半導体チップの短辺方向に2段以上に配置されており、
前記複数のバンプ電極は、第1段目のバンプ電極の前記半導体チップの長辺方向の位置が、第2段目のバンプ電極の前記半導体チップの前記長辺方向の位置に対して、シフトしている構成としても良い。
Claims (12)
- 表示部と周辺部とを有する基板と、
前記基板の前記周辺部に搭載された半導体チップとを有する表示装置であって、
前記半導体チップは、第1のバンプ電極を有し、
前記基板は、表示領域の配線に接続された第1の配線と、前記第1の配線に隣接して配置され表示領域の別の配線に接続された第2の配線と、前記第1の配線と前記第2の配線とを被う絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された第1のコンタクト孔と、前記絶縁膜より上層に形成され前記第1のコンタクト孔を介して前記第1の配線と接続された第1の端子とを有し、
前記第1のバンプ電極は、前記第1の端子と接続されており、
前記第2の配線は、前記第1の端子と電気的に絶縁されており、
平面的に見た場合に、前記第1の端子は、前記絶縁膜を介して前記第2の配線と重畳して配置されていることを特徴とする表示装置。 - 平面的に見た場合に、前記第1のバンプ電極は、前記絶縁膜を介して前記第2の配線と重畳して配置されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 表示部と周辺部とを有する基板と、
前記基板の前記周辺部に搭載された半導体チップとを有する表示装置であって、
前記半導体チップは、第1のバンプ電極を有し、
前記基板は、表示領域の配線に接続された第1の配線と、前記第1の配線に隣接して配置され表示領域の別の配線に接続された第2の配線と、前記第1の配線と前記第2の配線とを被う絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された第1のコンタクト孔と、前記絶縁膜より上層に形成され前記第1のコンタクト孔を介して前記第1の配線と接続された第1の端子とを有し、
前記第1のバンプ電極は、前記第1の端子と接続されており、
前記第2の配線は、前記第1の端子と電気的に絶縁されており、
平面的に見た場合に、前記第1のバンプ電極は、前記絶縁膜を介して前記第2の配線と重畳して配置されていることを特徴とする表示装置。 - 前記絶縁膜は、2層以上の絶縁膜で構成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の表示装置。
- 前記基板は、薄膜トランジスタを有し、
前記絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同材料からなる絶縁膜を含むことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の表示装置。 - 前記端子は、少なくともその表面がITO(Indium Tin Oxide)で形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の表示装置。
- 前記半導体チップは、第2のバンプ電極を有し、
前記基板は、前記絶縁膜より上層に形成され前記第2のバンプ電極に接続される第2の端子を有し、
前記第1の端子と前記表示部との間の距離は、前記第2の端子と前記表示部との間の距離と異なっており、
平面的に見た場合に、前記第1の端子に重畳する前記基板の配線の本数が、前記第2の端子に重畳する前記基板の配線の本数と等しいことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の表示装置。 - 前記基板の前記周辺部は、第1の検査端子と、第1のスイッチング素子とを有し、
前記第1の検査端子は、前記第1のスイッチング素子を介して前記第1の配線に接続されていることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の表示装置。 - 前記半導体チップは、第2のバンプ電極を有し、
前記基板は、前記絶縁膜に形成された第2のコンタクト孔と、前記絶縁膜より上層に形成され前記第2のコンタクト孔を介して前記第2の配線と接続された第2の端子とを有し、
前記第2のバンプ電極は、前記第2の端子と接続されており、
前記第1の配線は、前記第2の端子と電気的に絶縁されており、
平面的に見た場合に、前記第2の端子は、前記第1の配線と重畳して配置されていることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の表示装置。 - 前記半導体チップは、前記半導体チップの1つの長辺に、前記第1のバンプ電極を含む複数のバンプ電極を有し、
前記複数のバンプ電極は、前記半導体チップの短辺方向に2段以上に配置されており、
前記複数のバンプ電極は、第1段目のバンプ電極の前記半導体チップの長辺方向の位置が、第2段目のバンプ電極の前記半導体チップの前記長辺方向の位置に対して、シフトしていないことを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の表示装置。 - 前記半導体チップは、前記半導体チップの1つの長辺に、前記第1のバンプ電極を含む複数のバンプ電極を有し、
前記複数のバンプ電極は、前記半導体チップの短辺方向に2段以上に配置されており、
前記複数のバンプ電極は、第1段目のバンプ電極の前記半導体チップの長辺方向の位置が、第2段目のバンプ電極の前記半導体チップの前記長辺方向の位置に対して、シフトしていることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の表示装置。 - 前記基板に対向して配置された対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持された液晶とを有することを特徴とする請求項1から11のいずれかに記載の表示装置。
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