CN104968728A - 导热性有机硅组合物、导热性层和半导体装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供导热性有机硅组合物，是在发热性电子部件与放热用构件之间配置的导热性有机硅组合物，含有：(A)在1分子中具有至少2个烯基的、25℃的运动粘度为10～100，000mm2/s的有机聚硅氧烷，(B)通式(1)所示的单末端3官能的水解性二甲基聚硅氧烷，(C)具有10W/m℃以上的热导率的导热性填充材料，(D)通式(2)所示的有机氢聚硅氧烷，(E)(D)成分以外的、在1分子中含有至少2个与硅原子直接键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷，(F)选自铂和铂化合物的催化剂，给予固化物，该固化物具有储能模量、损耗模量和损耗系数的适当的范围，难以发生冷热循环时的泵出、剥离，热阻的上升得以抑制。

Description

导热性有机硅组合物、导热性层和半导体装置
技术领域
本发明涉及安装于发热元件时发热冷却的反复引起的泵出现象、剥离难以发生的导热性有机硅组合物、导热性层和半导体装置。
背景技术
对于LSI、IC芯片等电子部件，公知使用中的发热和与其相伴的性能的下降，作为用于解决其的手段，使用了各种各样的放热技术。作为一般的方法，通过在发热部的附近配置冷却构件，使两者紧密接触后从冷却构件高效率地除热，从而进行放热。此时，如果在发热构件与冷却构件之间存在间隙，则导热性低的空气存在其间，从而使传热的效率不高，因此发热构件的温度没有充分地降低。为了防止这样的现象，以防止其间存在空气为目的，使用热导率好、对构件的表面具有追随性的放热材料、放热片材、放热脂(专利第2938428号公报、专利第2938429号公报、专利第3952184号公报：专利文献1～3)。
在放热脂中有通过在半导体芯片与散热器之间夹持加热而固化，使半导体芯片与散热器密合而使用的放热脂。这样的材料目前为止报道了各种材料(专利第5047505号公报：专利文献4)。但是，目前为止的材料的储能模量G’高，不能追随由于发热元件的工作停止而发生的冷热循环引起的发热体与冷却构件之间的翘曲，有时发生放热脂从基材的剥离。另一方面，作为G’低的材料，如果使用例如非反应型的脂，则发生泵出。如果这样地发生剥离、泵出，则发热体与冷却构件的密合变差，因此冷却效率降低，电子部件的性能降低。此外，目前为止的材料由于安装中的芯片、散热器的翘曲，发生了从这些基材的剥离或材料自身的破坏的情况下，其间存在空气，热阻显著地上升。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：专利第2938428号公报
专利文献2：专利第2938429号公报
专利文献3：专利第3952184号公报
专利文献4：专利第5047505号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明鉴于上述实际情况而完成，目的在于提供给予不发生冷热循环时的泵出、剥离，抑制了热阻的上升的固化物的导热性有机硅组合物、导热性层和半导体装置。
用于解决课题的手段
本发明人为了实现上述目的反复深入研究，结果发现：通过使用包含下述(A)～(F)成分的导热性有机硅组合物，将其配置在发热性电子部件与放热用构件之间，从而该组合物给予适当的储能模量、损耗模量和损耗系数，即使反复进行冷热循环，也难以发生剥离，难以发生泵出，因此热阻的上升得到抑制。此外发现，通过设计材料以具有适当的损耗系数，从而即使在发生了剥离(界面剥离)、材料自身的破坏(内聚破坏)的情况下再密合性也优异，再密合后的热阻的上升得以抑制，完成了本发明。
因此，本发明提供下述的导热性有机硅组合物、导热性层和半导体装置。
[1]导热性有机硅组合物，是在发热性电子部件与放热用构件之间配置的导热性有机硅组合物，其特征在于，含有下述(A)～(F)成分。
(A)在1分子中具有至少2个烯基的、25℃的运动粘度为10～100,000mm2/s的有机聚硅氧烷：100质量份，
(B)下述通式(1)所示的单末端3官能的水解性二甲基聚硅氧烷：50～150质量份，
(式中，a为5～100的正数，R1为碳原子数1～6的烷基。)
(C)具有10W/m℃以上的热导率的导热性填充材料：相对于(A)成分和(B)成分的合计100质量份，800～2,000质量份，
(D)下述通式(2)所示的有机氢聚硅氧烷，
(式中，b为5～500的正数，R2为碳原子数1～6的烷基。)
(E)(D)成分以外的、在1分子中含有至少2个与硅原子直接键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷：(D)成分和(E)成分的配合量为{(D)成分和(E)成分的合计的Si-H基的个数}/{(A)成分的烯基的个数}成为0.5～2.0的配合量，并且其比例使得(来自(D)成分的Si-H基的个数)/(来自(E)成分的Si-H基的个数)成为0.6～10.0，
(F)选自铂和铂化合物的催化剂：其配合量使得以铂原子计，成为(A)成分的0.1～500ppm，
[2][1]所述的导热性有机硅组合物，其还含有(G)抑制(F)成分的催化剂活性的选自炔属化合物、各种氮化合物、有机磷化合物、肟化合物和有机氯化合物的控制剂：其配合量使得相对于(A)成分，成为0.1～5质量％。
[3][1]或[2]所述的导热性有机硅组合物，其给予150℃下的储能模量G’为2,000Pa以上20,000Pa以下、损耗模量G”为5,000Pa以上40,000Pa以下并且损耗系数tanδ为0.8～3.0的范围的固化物。
[4][1]～[3]的任一项所述的导热性有机硅组合物，其给予下述固化物：将[1]～[3]的任一项所述的有机硅组合物在基材上涂布、固化而得到的固化物的热阻值α与将该固化物内聚破坏或从基材进行界面剥离、再次与上述基材密合后的热阻值β之比β/α为1.1以下。
[5]导热性层，其通过将[1]～[4]的任一项所述的导热性有机硅组合物固化而形成，配置在发热性电子部件与放热用构件之间，将来自发热性电子部件的热传导到放热用构件。
[6]半导体装置，是具有发热性电子部件、放热用构件和由[1]～[4]的任一项所述的导热性有机硅组合物的固化物构成的导热性层的半导体装置，经由上述导热性层将上述发热性电子部件和上述放热用构件接合。
[7][6]所述的半导体装置，其中，导热性层的厚度为200μm以下。
[8][6]或[7]所述的半导体装置，其中，发热性电子部件为半导体元件，该元件的芯片的面积为50mm2以上的大小。
发明的效果
本发明的导热性有机硅组合物，具有储能模量、损耗模量和损耗系数的适当的范围，难以发生冷热循环时的泵出、剥离，热阻的上升得以抑制。此外，通过以具有适当的范围的损耗系数的方式设计材料，即使在发生了剥离、材料自身的破坏的情况下，也能够与基材再次密合，再密合后的热阻没有大幅度地上升。
附图说明
图1是表示应用本发明的组合物的半导体装置的一例的纵断面概略图。
具体实施方式
本发明的导热性有机硅组合物含有下述(A)～(F)成分。
这种情况下，本发明的导热性有机硅组合物的固化物的150℃下的储能模量G’可为2,000Pa以上20,000Pa以下，优选为2,000Pa以上18,000Pa以下。如果不到2,000Pa，储能模量过低，元件工作时组合物泵出，如果超过20,000Pa，则弹性模量过高，因此在元件工作时的冷热循环中发生剥离。
此外，本发明的导热性有机硅组合物的固化物的损耗模量G”可为5,000Pa以上40,000Pa以下，优选为5,000Pa以上35,000Pa以下。如果不到5,000Pa，则组合物的粘性缺乏，密合差，因此热阻上升，如果超过40,000Pa，则在元件工作时组合物泵出。
进而，损耗系数tanδ可为0.8～3.0的范围，优选为0.8～2.5的范围。如果比0.8低，则在元件工作时的冷热循环中组合物变硬，发生剥离，如果超过3.0，则元件工作时发生组合物的泵出。
构成本发明的(A)成分的有机聚硅氧烷，在1分子中具有至少2个与硅原子直接键合的烯基，可以是直链状，也可以是分支状，还可以是这些2种以上的不同粘度的混合物。作为烯基，可例示乙烯基、烯丙基、1-丁烯基、1-己烯基等，从合成的容易性、成本的方面出发，优选乙烯基。作为与硅原子键合的残余的有机基，可例示甲基、乙基、丙基、丁基、己基、十二烷基等烷基、苯基等芳基、2-苯基乙基、2-苯基丙基等芳烷基，此外，作为实例也可列举氯甲基、3，3，3-三氟丙基等取代烃基。这些中，从合成的容易性、成本的方面出发，优选甲基。与硅原子键合的烯基可存在于有机聚硅氧烷的分子链的末端、中途的任一者，优选至少存在于末端。25℃下的采用奥氏粘度计测定的运动粘度可为10～100，000mm2/s的范围，优选为100～50，000mm2/s。
(B)成分为下述通式(1)所示的单末端3官能的水解性二甲基聚硅氧烷。
(式中，a为5～100的正数，R1为碳原子数1～6的烷基。)
如果(B)成分的由通式(1)表示的单末端3官能的水解性二甲基聚硅氧烷的a比5小，则组合物的渗油变得严重，可靠性变差，如果比100大，润湿性不足，因此可为5～100，优选为10～60的范围。
该单末端3官能的水解性二甲基聚硅氧烷的添加量，相对于(A)成分100质量份，如果比50质量份少，则不能发挥充分的润湿性，如果比150质量份多，则渗油变得严重，可靠性变差，再次密合后的可靠性也变差，因此可为50～150质量份，优选为60～150质量份，更优选为60～130质量份，进一步优选为60～120质量份的范围。
(C)成分是具有10W/m℃以上的热导率的导热性填充材料。
(C)成分的平均粒径优选0.1～100μm，特别优选0.1～50μm的范围。如果该平均粒径比0.1μm小，则得到的组合物没有成为脂状，缺乏伸展性，如果比100μm大，有时缺乏放热脂的均一性，再密合性恶化。应予说明，本发明中，平均粒径是能够采用日机装(株)制マイクロトラックMT330OEX测定的体积基准的体积平均径。(C)成分的形状可以为不定形状，也可为球形，可以是任何形状。
(C)成分的填充量，相对于(A)成分和(B)成分的合计100质量份，如果比800质量份少，则组合物的热导率降低，如果比2,000质量份多，则组合物的粘度上升，缺乏伸展性，因此可为800～2,000质量份的范围，优选800～1，800质量份的范围。
作为(C)成分的具有热导率的导热性填充材料，使用热导率为10W/m℃以上的导热性填充材料。这是因为，如果填充材料具有的热导率比10W/m℃小，则导热性有机硅脂组合物的热导率本身变小。作为该导热性填充材料，可列举铝粉末、铜粉末、银粉末、铁粉末、镍粉末、金粉末、锡粉末、金属硅粉末、氮化铝粉末、氮化硼粉末、氧化铝粉末、金刚石粉末、碳粉末、铟粉末、镓粉末、氧化锌粉末、氧化铝粉末等，如果是具有10W/m℃以上的填充材料，可以是任何填充材料，可以是1种或者将2种以上混合的材料。
(D)成分为由下述通式(2)表示的有机氢聚硅氧烷。
(式中，b为5～500的正数，R2为碳原子数1～6的烷基。)
(D)成分的由通式(2)表示的有机氢聚硅氧烷的b，如果比5小，则成为挥发成分，因此在电子部件的使用方面不优选，如果比500大，粘度升高，处理变得困难，因此可为5～500的范围，优选为5～100的范围。作为R2，为选自甲基、乙基、丙基、丁基、己基等的烷基，这些中，从合成的容易性、成本的方面出发，优选甲基。
(E)成分为不包括上述(D)成分的有机氢聚硅氧烷。
为了通过交联使组合物网状化，(E)成分的具有Si-H基的有机氢聚硅氧烷在1分子中具有至少2个Si-H基是必要的。作为与硅原子键合的残余的有机基团，可列举甲基、乙基、丙基、丁基、己基、十二烷基等烷基、苯基等芳基、2-苯基乙基、2-苯基丙基等芳烷基、氯甲基、3，3，3-三氟丙基等取代烃基，此外，作为实例，也可列举2-缩水甘油氧基乙基、3-缩水甘油氧基丙基、4-缩水甘油氧基丁基等含有环氧环的有机基团。该具有Si-H基的有机氢聚硅氧烷可以是直链状、分支状和环状的任一种，此外也可以是它们的混合物。
作为(E)成分的具体例，可列举下述的实例。
对于(D)成分与(E)成分的配合量，如果{(D)成分和(E)成分的合计的Si-H基的个数}/{(A)成分的烯基的个数}比0.5小，则不能充分地使组合物网状化，因此损耗系数tanδ过度升高，如果比2.0大，则损耗系数tanδ过度降低，因此可为0.5～2.0的范围，优选为0.5～1.8的范围。这种情况下，从再密合性的方面出发，如果比0.7小，则不能充分地使组合物网状化，因此再密合后的有机硅组合物有可能在可靠性试验中泵出，如果比1.5大，交联密度过度升高，有可能再密合性无法显现，因此优选0.7～1.5，更优选0.7～1.3的范围。
此外，(来自(D)成分的Si-H基的个数)/(来自(E)成分的Si-H基的个数)为0.6～10.0。如果比10.0大，损耗模量G”过度变大，因此可靠性变差，如果比0.6小，交联密度过度升高，无法显现再密合性。更优选为1.0～6.0的范围。
(F)成分的选自铂和铂化合物的催化剂是(A)成分的烯基与(B)成分的Si-H基之间的加成反应的促进成分。该(F)成分可列举例如铂的单质、氯铂酸、铂-烯烃络合物、铂-醇络合物、铂配位化合物等。(F)成分的配合量，相对于(A)成分的质量，可为0.1～500ppm的范围。
在本发明的有机硅组合物中，根据需要，作为(G)成分，为了抑制上述(F)成分的催化剂活性，可配合选自炔属化合物、各种氮化合物、有机磷化合物、肟化合物、有机氯化合物的控制剂。
(G)成分的控制剂抑制室温下的氢化硅烷化反应的进行，延长贮存期、适用期。作为反应控制剂，能够使用公知的反应控制剂，能够利用炔属化合物、各种氮化合物、有机磷化合物、肟化合物、有机氯化合物等。(G)成分的配合量，相对于(A)成分，可为0.1～5质量％的范围。为了改善在有机硅树脂中的分散性，可将它们用甲苯等稀释而使用。
此外，本发明中，除了上述的(A)～(G)成分以外，根据需要，为了防止劣化，可加入抗氧化剂等。
制造本发明的有机硅组合物时，将(A)～(G)成分用トリミックス、ツウィンミックス、プラネタリミキサー(均为井上制作所(株)制造的混合机的注册商标)、ウルトラミキサー(みずほ工业(株)制造的混合机的注册商标)、ハイビスディスパーミックス(特殊机化工业(株)制造的混合机的注册商标)等混合机混合。
本发明的有机硅组合物是在25℃下具有10～500Pa·s、特别地50～400Pa·s的脂状，在70～300℃、30～180分钟的固化条件下固化。
这种情况下，本发明的有机硅组合物如上所述，通常给予150℃下的储能模量G’为2，000Pa以上20，000Pa以下、损耗模量G”为5，000Pa以上40，000Pa以下、并且损耗系数tanδ为0.8～3.0的范围的固化物。
此外，本发明的有机硅组合物通常给予具有0.1～20W/mK、特别地1～10W/mK的热传导、而且具有3～11mm2·K/W、特别地4～10mm2·K/W的热阻的固化物。
本发明的导热性有机硅组合物的固化物，与发热性电子部件等的基材密合后，即使发生从基材的剥离(界面剥离)或材料自身的破坏(内聚破坏)，对基材的再密合性也优异，再密合后也具有上述范围的热阻。这种情况下，将界面剥离或内聚破坏前的热阻值设为α、将再密合后的热阻值设为β时的它们的比β/α的值优选1.1以下。对下限值并无特别限制，通常为0.5以上。
应予说明，上述β/α的值能够通过设计材料以具有适当范围的损耗系数而实现。
这种情况下，该热阻即使实施了1，500个循环的-55℃(30分钟)125℃(30分钟)的加热循环试验后，特别是实施了1，000个循环的-40℃(30分钟)125℃(30分钟)的加热循环试验后，也几乎没有变化。
本发明的有机硅组合物的固化物作为导热性层而配置在发热性电子部件与放热用构件之间，高效率地将由发热性电子部件产生的热传导到放热用构件。
具体地，本发明的组合物的固化物能够作为在发热性电子部件与放热用构件之间存在、用于形成导热性层的导热性固化物使用。这种情况下，使用上述本发明组合物，能够得到放热特性优异的半导体装置，即，具有发热性电子部件、放热用构件、和由上述本发明组合物的固化物构成的导热性层的半导体装置，其为将上述发热性电子部件与上述放热用构件经由上述导热性层接合的半导体装置。
上述半导体装置能够采用包含下述工序的制造方法得到：
(a)涂布于上述发热性电子部件的表面或放热用构件的情况下，将上述组合物涂布于上述部件或构件表面，在上述表面形成由上述组合物形成的被覆层(导热性层)的工序，
(b)将上述被覆层、上述发热性电子部件和上述放热用构件压接、固定的工序，和
(c)在80～180℃下对得到的结构体进行处理，使上述被覆层固化而制成上述导热性层的工序。
对于上述半导体装置及其制造方法，参照图1进行说明。应予说明，图1中记载的装置只不过是表示本发明组合物的在半导体装置中应用的一例，并不旨在将本发明涉及的半导体装置限定为图1中记载的装置。
首先，将冷冻保存状态的本发明组合物在室温下放置，将其自然地解冻，成为脂状。接下来，将液状的本发明组合物收容于注射器等涂布用具内。
在发热性电子部件、例如图1中记载的印刷配线基板1上安装的作为发热性电子部件的CPU等的IC封装2的表面，从注射器等将本发明组合物涂布(分配)，形成被覆层3。在其上配置放热用构件、例如通常具有铝制的放热扇叶的放热用构件4，使用夹具5，将放热用构件4经由被覆层3压接于IC封装2而固定。作为IC等半导体元件，优选使用芯片的面积为50mm2以上的大小的半导体元件。
此时，可以以被IC封装2与放热用构件4夹持而存在的被覆层3的厚度通常成为优选地200μm以下、特别优选地180μm以下的方式来调整或选择夹具5。如果上述厚度过薄，上述压接时，本发明组合物对于IC封装2和放热用构件4的追随性变得不足，有可能在上述两者间产生间隙。因此，下限值优选10μm以上。此外，相反地，如果过厚，由于热阻变大，因此有时不能获得充分的放热效果。
接下来，使如上所述构成的装置通过回流炉等加热装置内，使由本发明组合物形成的被覆层3固化而制成导热性层。该固化所需的温度条件为80～180℃，特别优选为100～180℃。如果上述温度不到80℃，固化变得不充分，相反如果是超过180℃的高温，有可能电子部件、基材劣化。
使如上所述得到的半导体装置工作、使用的情况下，IC封装等发热性电子部件的表面温度通常成为60～120℃左右的高温。对于该发热，由本发明组合物的固化物构成的导热性层显示高的导热性，而且即使发生了发热性电子部件等从基材的剥离(界面剥离)、材料自身的破坏(内聚破坏)的情况下，再密合性也优异，也能够抑制再密合后的热阻的上升。
再有，通过预先由本发明组合物制作所需的厚度的片状固化物，使其与以往的导热性片材同样地存在于发热性电子部件与放热用构件之间，也能够获得同样的效果。此外，作为需要导热性和耐热性的其他装置等的部件，也能够适宜地使用本发明组合物的固化物的片材等。
实施例
以下列举实施例对本发明更详细地说明。
[实施例1～13、比较例1～5]
有关本发明涉及的效果的试验如下所述进行。
[弹性模量评价]
在直径2.5cm的2片平行板之间，以厚2mm涂布导热性有机硅组合物。从25℃以5℃/分钟将涂布的板升温后，以在150℃下维持温度120分钟的方式作成程序，进行了储能模量G’、损耗模量G”和损耗系数tanδ的测定。测定使用粘弹性测定装置(レオメトリック·サイエンティフィック社制造、RDAIII型)进行，采用升温开始后5,620秒后或7,200秒后的数值。
[热阻测定I]
在直径12.7mm的圆形铝板2片中夹持导热性有机硅组合物，在150℃的烘箱中装入90分钟，使导热性有机硅组合物加热固化，制作热阻测定用的试验片，测定热阻。进而，将该试验片在1个循环-55℃(30分钟)125℃(30分钟)的加热循环试验下静置，1,500个循环实施后再次测定热阻。再有，该热阻测定采用ナノフラッシュ(ニッチェ社制造、LFA447)进行。
[热阻测定II]
在直径12.7mm的圆形铝板2片中夹持导热性有机硅组合物，在150℃的烘箱中装入90分钟，使导热性有机硅组合物加热固化，制作热阻测定用的试验片，测定热阻。将该测定值设为热阻α。进而，通过拉伸该试验片，有意地将材料剥离，通过在常温下加压，从而再次测定热阻。将该测定值设为热阻β。进而，然后实施1,000个循环的加热循环试验(1个循环-40℃(30分钟)125℃(30分钟))，观察热阻的变化。应予说明，该热阻测定采用ナノフラッシュ(ニッチェ社制造、LFA447)进行。
[粘度]
导热性有机硅组合物的绝对粘度使用マルコム粘度计(PC-1TL型)在25℃下测定。
[热导率]
将各组合物浇铸到3cm厚的模具中，覆盖厨用盖板，用京都电子工业(株)制的Model QTM-500测定。
准备形成本发明组合物的以下的各成分。
(A)成分
A-1：两末端用二甲基乙烯基甲硅烷基封端、25℃下的运动粘度为600mm2/s的二甲基聚硅氧烷
(B)成分
B-1：下述式所示的水解性二甲基聚硅氧烷
(C)成分
使用5升行星式混合机(井上制作所(株)制造)以下述表1的混合比在室温下将下述的铝粉末和氧化锌粉末混合15分钟，得到了C-1。
平均粒径2.0μm的铝粉末
平均粒径20.0μm的铝粉末
平均粒径1.0μm的氧化锌粉末
[表1]
单位：g
(D)成分
下述式所示的有机氢聚硅氧烷
D-1：
D-2：
(E)成分
E-1：
E-2：
E-3：
E-4：
E-5：
(F)成分
F-1：铂-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物的A-1溶液、以铂原子计，含有1质量％
(G)成分
G-1：1-乙炔基-1-环己醇的50质量％甲苯溶液
将(A)～(G)成分如下所述混合，得到了实施例和比较例的导热性有机硅组合物。
即，在5升行星式混合机(井上制作所(株)制造)中取(A)成分，以下述表中所示的配合量加入(B)、(C)成分，在170℃下混合1小时。冷却直至成为常温，接下来，以下述表中所示的配合量加入(D)、(E)、(F)、(G)成分，混合直至达到均匀。
[表2]
＊1：表示升温开始后5,620秒后的值。
＊2：表示热阻测定I的结果。
[表3]
＊1：表示升温开始后5,620秒后的值。
＊2：表示热阻测定I的结果。
通过使用本发明的导热性有机硅组合物，难以发生泵出、剥离，其结果能够抑制加热循环试验后的热阻的上升。
[表4]
＊3：表示升温开始后7,200秒后的值。
＊4：表示热阻测定II的结果。
[表5]
＊3：表示升温开始后7，200秒后的值。
＊4：表示热阻测定II的结果。
本发明的导热性有机硅组合物，即使发生了电子部件等从基材的剥离、材料自身的破坏的情形下，也能够与基材再密合，再密合后热阻也几乎不变化，因此能够抑制热阻的上升。
附图标记的说明
1  印刷配线基板
2  IC封装
3  被覆层(导热性层)
4  放热构件
5  夹具

Claims (8)

1.导热性有机硅组合物，是在发热性电子部件与放热用构件之间配置的导热性有机硅组合物，其特征在于，含有下述(A)～(F)成分：
(A)在1分子中具有至少2个烯基、25℃的运动粘度为10～100,000mm2/s的有机聚硅氧烷：100质量份，
(B)下述通式(1)所示的单末端3官能的水解性二甲基聚硅氧烷：50～150质量份，
式中，a为5～100的正数，R1为碳原子数1～6的烷基，
(C)具有10W/m℃以上的热导率的导热性填充材料：相对于(A)成分和(B)成分的合计100质量份，800～2,000质量份，
(D)下述通式(2)所示的有机氢聚硅氧烷，
式中，b为5～500的正数，R2为碳原子数1～6的烷基，
(E)(D)成分以外的、在1分子中含有至少2个与硅原子直接键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷：(D)成分与(E)成分的配合量为{(D)成分与(E)成分合计的Si-H基的个数}/{(A)成分的烯基的个数}成为0.5～2.0的配合量，并且其比例使得(来自(D)成分的Si-H基的个数)/(来自(E)成分的Si-H基的个数)成为0.6～10.0，
(F)选自铂和铂化合物的催化剂：其配合量使得以铂原子计、成为(A)成分的0.1～500ppm。
2.权利要求1所述的导热性有机硅组合物，其中，还含有(G)抑制(F)成分的催化剂活性的选自炔属化合物、各种氮化合物、有机磷化合物、肟化合物和有机氯化合物的控制剂：其配合量使得相对于(A)成分，成为0.1～5质量％。
3.权利要求1或2所述的导热性有机硅组合物，其给予150℃下的储能模量G’为2,000Pa以上20,000Pa以下、损耗模量G”为5,000Pa以上40,000Pa以下并且损耗系数tanδ为0.8～3.0的范围的固化物。
4.权利要求1～3的任一项所述的导热性有机硅组合物，其提供固化物，所述固化物为将权利要求1～3的任一项所述的有机硅组合物在基材上涂布、固化而得到的固化物时的热阻值α与将该固化物内聚破坏或从基材进行界面剥离、再次与上述基材密合后的热阻值β之比β/α为1.1以下。
5.导热性层，其通过将权利要求1～4的任一项所述的导热性有机硅组合物固化而形成，配置在发热性电子部件与放热用构件之间，将来自发热性电子部件的热传导到放热用构件。
6.半导体装置，是具有发热性电子部件、放热用构件、和由权利要求1～4的任一项所述的导热性有机硅组合物的固化物构成的导热性层的半导体装置，经由上述导热性层将上述发热性电子部件和上述放热用构件接合。
7.权利要求6所述的半导体装置，其中，导热性层的厚度为200μm以下。
8.权利要求6或7所述的半导体装置，其中，发热性电子部件为半导体元件，该元件的芯片的面积为50mm2以上的大小。
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