TWI354005B - - Google Patents

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13.54005 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關混合導熱性塡充材之聚矽氧散熱用組成 物，特別是有關爲使發熱性電子零件散熱，做爲介裝於發 熱性電子零件之熱境界面與散熱器（heat sink)或電路基板 等散熱構件間之導熱材料之有效導熱性聚矽氧散熱用組成 物及其使用方法。

【先前技術】 用於電子機器之CPU、驅動1C、記憶體等電子零件因 伴隨高性能化、高速化、小型化、高積體化，而變得由其 自身產生大量熱，而因此熱所導致之晶片之溫度上昇，造 成晶片運作不良、損毀。因此，既有提出各種爲了抑制運 作中電子零件溫度上升之散熱方法及其所使用之散熱構件

以往於電子機器等中，爲抑制運作中電子零件之溫度 上昇，使用利用鋁、銅等導熱率高之金屬板的散熱器等之 散熱構件。 其中，爲有效將電子零件所產生之熱導入散熱構件， 將具柔軟性之薄片、潤滑脂介裝於發熱性電子零件與散熱 構件之間，介著該薄片或潤滑脂實現由發熱性電子零件往 散熱器等散熱構件之導熱。 此等薄片及潤滑脂係於散熱構件固定於電子零件及其 附近後，呈擠壓附著狀態被使用時極爲有效，惟，於發熱 -5- 1354005 性電子零件與散熱構件間存在極大間隙時則有問題產生。 此般在電子零件與散熱構件之間存在大間隙時，以潤 滑脂塗佈埋入此間隙之量者極爲不易，即使可進行塗佈， 仍尙有無法維持形狀而出現流出之問題。 又，使用橡膠薄片後，雖可輕易塡埋此間隙，惟，因 環境溫度、振動後，電子零件與散熱構件之間隙時有變窄 現象，此時，加於發熱性電子零件之應力太大，則有損及 發熱性電子零件之憂慮。 又，做爲本發明相關之公知文獻者爲下述者。 〔專利文獻1〕日本特開2002-33427號公報 〔專利文獻2〕日本特開2002-261206號公報 【發明內容】 【發明所欲解決之課題】 本發明係有鑑於上述問題所完成者，而以提供一種可 塡埋發熱性電子零件等被散熱物與散熱構件間之位移性間 隙者，具良好散熱特性之導熱性聚矽氧散熱用組成物及其 使用方法爲其目的者。 【用以解決課題之手段】 本發明者爲達成該目的，進行精密硏討後結果發現將 含有（a)具有烯基之有機聚矽氧烷、（b)導熱性塡充材 、（c)分子中平均具有2個以上之直接結合於矽原子之氫 原子的有機氫化聚矽氧烷：（c)成份中直接結合於矽原 -6- 13.54005 子之氫原子/ (a)成份中之烯基其莫耳比爲超出0.6〜未 達10.0之量、（d)鈾族系加成反應觸媒 '及（e)含脂肪 族不飽和基之揮發性反應抑制劑：（c)成份中直接結合 於矽原子之氫原子/〔 （a)成份中之烯基+ (e)成份中 之不飽和基〕其莫耳比爲0.05〜0.5之量的導熱性聚矽氧 •散熱用組成物裝載於發熱性電子零件等被散熱物與散熱構 件之間後，加熱該散熱用組成物時，藉由使（e)成分自 φ 該散熱用組成物之表面揮發，其表面硬化後維持形狀，且 ，中心部呈未硬化狀態，因此，被散熱物與散熱構件間之 間隙即使位移仍可沿其位移進行變形，不致加入過剩應力 ，藉由可取得良好之散熱特性一事，進而完成本發明。 因此，本發明係提供一種下述所示之導熱性聚矽氧散 熱用組成物及其使用方法。 〔1〕含（a)具有烯基之有機聚矽氧烷 (b )導熱性塡充材

(c)分子中平均具有2個以上直接結合於矽原子之氫 原子的有機氫化聚矽烷氧、（c)成份中之直接結合於矽 原子之氫原子/ (a)成份中之烯基其莫耳比爲超出〇.6〜 未達10.0之量。 (d)鉑族金屬系加成反應觸媒 (e )含脂肪族不飽和基之揮發性反應抑制劑（c )成 份中之直接結合於矽原子之氫原子/〔 （a)成份中之烯 基+ (e)成份中之不飽和基〕其莫耳比爲〇.〇5〜〇.5之量 所成，硬化時藉由使該（e)成份由表面揮發後，表面部 1354005 份呈硬化狀態，且，中心部呈未硬化狀態者爲其特徵之導 熱性聚矽氧散熱用組成物。 〔2〕揮發性反應抑制劑（e)爲乙炔化合物者爲其特 徵之〔1〕所載導熱性聚矽氧散熱用組成物。 〔3〕導熱性塡充材（b)爲至少1種選自金屬、氧化 物、氮化物、碳化物及人工鑽石者爲其特徵之〔1〕或〔2 〕所載之導熱性聚矽氧散熱用組成物。

〔4〕該導熱性聚矽氧散熱用組成物裝載於發熱性電 子零件與散熱構件間之間隙後，進行加熱散熱用組成物後 ，使該散熱用組成物中之（e)成份由散熱用組成物表面 揮發後，其表面硬化後，且，使中心部呈未硬化狀態者爲 其特徵之導熱性聚矽氧散熱用組成物之使用方法。 又，本發明之位移係指被散熱物與散熱構件之間隙因 環境溫度、振動而變大、或變小之意者。 【發明之效果】 φ 本發明之導熱性聚矽氧散熱用組成物係將此裝載於發 熱性電子零件等被散熱物與散熱構件之間的位移性間隙後 ，於加熱後僅表面硬化時，不會滴垂，即使對於間隙之位 移仍不會由被散熱物剝離，對於被散熱物不致加入過剩應 力，可顯示良好散熱特性者。 【實施方式】 〔發明實施之最佳形態〕

S -8 - 1354005 本發明所使用之（a)成份之有機聚矽氧烷係於1分子 中較佳具有2個以上烯基者，一般，基本上主鏈部份由重 覆之二有機矽氧烷單位所成者宜。做爲（a)成份之具體 例者如：下述一般式（1)〜（3)所示者。 R1 R1 X-Si-iO-SiViO-SiVO-Si-X (l) R1 R1 R1 R1 R1 R1 X R1 RJ-Si-(0-Si)a-(0-Si)c-0-Si-X (2) R1 R1 R1 R1 R1 R1 X R1 R1-Si-(0-Si)a-(0-Si)d-0-Si-R1 h h上· (3) R* (式中，R1代表獨立之未含脂肪族不飽和鍵之取代或非取 代之1價烴基者，X代表烯基者，a、b爲0或超出0之正數， c、d爲正數者^ )

做爲該式中，R1之未舍脂肪族不飽和鍵之非取代或取 代1價烴基例者如：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、 異丁基、第三一丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基 、壬基、癸基、月桂基等之烷基，環戊基、環己基、環庚 基等環烷基，苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、聯苯基等 芳基，苄基、苯基乙基、苯基丙基、甲基苄基等芳烷基， 及此等基之部份或全部結合於碳原子之氫原子被氟、氯、 溴等鹵原子、氰基等取代之基，如：氯甲基、2 —溴乙基 、3-氯丙基、3，3,3-三氟丙基、氯苯基' 氟苯基 '氰乙 基、3,3,4,4,5,5,6,6,6 —九氟己基等碳原子數爲1〜10，特 -9- 疒 7> 1354005 別是碳原子數爲1〜6之例者’其中又以甲基、乙基、丙基 、氯甲基、溴乙基、3，3,3 —三氟丙基、氰乙基等碳原子 數1〜3之非取代或取代之烷基、及苯基、氯苯基、氟苯基 等非取代或取代之苯基爲較佳者。又’ R1可均爲相同者’ 亦可均爲相異者。 做爲X之烯基例者如：乙烯基、烯丙基、丙烯基、異 丙烯基、丁烯基、己烯基、環己烯基等通常爲碳原子數2 〜8程度者，其中又以乙烯基、烯丙基等低級烯基爲較佳 ，特別以乙烯基爲更佳者。 式中，a爲0或超出0之正數者，又以滿足lOSaS 1〇,〇〇〇之正數者爲較佳者，更佳者爲滿足50SaS 2,000之 正數者，最佳者爲滿足1〇〇 Sag 1，000之正數者。b爲〇或 超出0之正數者，又以〇Sb/ (a+b) $0.5爲較佳，更佳 者爲OSb/ (a+b) S0.1者。c爲正數，而以〇<c/ (a + (〇$0.5者宜，更佳0<(：/(&+(；)$0.1爲最理想。（1 爲正數，以0<£1(3+(1)$0.5者宜，更佳者爲〇<£1/(3 + d ) $ 0 · 1 〇 此有機聚矽氧烷可單獨使用1種，亦可倂用不同複數 者。又，此有機聚矽氧烷以藉由Jis Ζ 8803所測定25 t之 黏度爲 〇_5 〜10,000 mm2/s 者宜，1·0〜1，000 mm2/s 者爲 更佳者。 本發明所使用之（b)成份導熱性塡充材可使用非磁 性之銅、鋁等金屬、氧化鋁、二氧化矽、氧化鎂、赤鐵氧 化物、氧化鈹、二氧化鈦、氧化鉻等金屬氧化物、氮化鋁 -10- 1354005 、氮化矽、氮化硼等金屬氮化物 '人工鑽石或碳化矽等， 一般使用做成導熱性塡充材之物質者。 此等導熱性塡充材之平均粒徑可使用0.1〜l〇〇M m， 較_者爲0.5〜50//m，更佳者爲0·5〜3〇vm者。當未達 0.1/zm時，則組成物之黏度變得太高，使用性不良，反之 ，超出100#m時，則組成物失去黏性，而有因位移產生 崩散之情況。此等塡充材可單獨使用1種，亦可混合複數

種使用之。另外，亦可使用2種以上不同平均粒徑之粒子 者。又，本發明之平均粒徑可藉由激光衍射法等做成重量 平均値（或中徑）等求取之。 導熱性塡充材之配合量針對每100質量份之（a)成份 時，以3 00〜5,000質量份爲宜，更佳者爲500〜3,000質量 份。當導熱性塡充材配合量超出5,000質量份時，則於間 隙引起位移時，對於被散熱物之應力恐太大，反之，未達 3 00質量份時則無法取得所期待之導熱性。 本發明所使用之（c)成份有機氫化聚矽氧烷係於分 子中平均具有2個以上直接結合於矽原子之氫原子（Si - Η 基）者，做爲此有機氫化聚矽氧烷者，可使用下述平均結 構式（4)〜（6)所示之單一或混合物者》 R2 R2 H R2 0 I I I I , R2-Si-(0-Si)e-(〇-Si)r〇-Si-R- (4) R2 R2 R2 R2 -11 - (5) 1354005 H R2 H R2 R2-Si-(0-Si)e-{0-Si)s-0-Si-R2 b b l·- b R^Si^O-Si^aSi^-O-Si-R2 (6) (式中，R2代表未含脂肪族不飽和鍵之非取代或取代1價 烴基者，e、f、g、h爲0以上之正數者。）

式（4)〜（6)中，R2之未含脂肪族不飽和鍵之非取 代或取代1價烴基者例如：甲苯、乙基、丙基、異丙基、 丁基、異丁基、第三—丁基、戊基、新戊基、己基、庚基 、辛基、壬基、癸基、月桂基等之烷基，環戊基、環己基 、環庚基等之環烷基，苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、 聯苯基等芳基，苄基、苯基乙基、苯基丙基、甲基苄基等 芳烷基，及此等基之部份或全部結合於碳原子之氫原子被 氟、氯、溴等鹵原子、氰基等取代之基，如：氯甲基、2 —溴乙基、3_氯丙基、3，3,3 —三氟丙基、氯苯基、氟苯 基、氰乙基、3,3,4,4,5,5,6,6,6—九氟己基等，代表例者 爲碳原子數1〜10者，特別是碳原子數爲1〜6者，較佳者 爲甲基、乙基、丙基、氯甲基、溴乙基、3，3,3 —三氟丙 基、氰乙基等碳原子數1〜3之非取代或取代烷基、及苯基 、氯苯基、氟苯基、等非取代或取代之苯基者。又，R2並 未限定全部爲相同者。式（4)〜（6)中之e爲0以上之正 數者，f、g、h爲0以上之正數，較佳者以f爲2以上之正數 爲宜，g爲1以上之正數，h爲超出0之正數。

S -12- 1354005 (C)成份之配合量係其（C)成份中之Si_H基/ (a )成份中之烯基以莫耳比爲超出0.6，未達10.0之量者宜 ，較佳者爲1.0〜5.0之量。當〇.6以下時，則組成物表面之 硬化將不足，1〇.〇以上時，則會導致硬化至內部。 本發明所使用之（d)成份鉑族金屬系硬化觸媒係爲 •促進（a)成份中之烯基與（c)成份中之Si_H基之加成 反應的觸媒者，可舉出做爲矽氫化反應所使用之公知之觸 φ 媒例者。做爲該具體例者如：鉑（含鉬黑）、铑、鈀等鈾 族金屬單體、H2PtCl4. nH20、H2PtCl6. ηΗ20、

NaHPtCU · nH20、KHPtCl6 · nH20、Na2PtCl6 · nH20、 K2PtCl4 . nH20、PtCl4 · nH20、PtCl2、Na2HPtCl4 · nH20 (惟，式中，n爲0〜6之整數者，較佳者爲0或6)等之氯 化鉑、氯化鉑酸及氯化鉑酸鹽、醇改性氯化鉑酸、氯化鉑 酸與烯烴之錯合物、鉑黑、鈀等鈾族金屬擔載於氧化鋁、 二氧化矽、碳等之載體者，铑-烯烴錯合物、氯參（三苯 φ 基膦）铑（威爾金森觸媒）、氯化鈾、氯化鉑酸或氯化鉑 酸鹽與含乙烯基之矽氧烷，特別是與含乙烯基之矽氧烷之 錯合物等例。 (d) 成份之使用量係可做爲理想觸媒量者，一般針 對成份（a)時，以鉑族金屬元素之質量換算下爲0.1〜 1，000 ppm者宜，較佳者爲0.5〜500 ppm，更佳者爲1.0〜 200 ppm。未達0.1 ppm則組成物表面將無法硬化，反之， 超出1，000 ppm時不利經濟面。 (e) 成份之具有脂肪族不飽和基之揮發性反應抑制 -13- 1354005 劑係於（d)成份存在下爲了抑制（a)成份中烯基與（c )成份中之Si _ Η基相互加成反應之進行者’而’爲實現 所期待之表面硬化性，安裝步驟中之加熱、發熱性電子零 件的運作後，務必揮發之。必要之揮發性係於150 °C下之 蒸氣壓爲1 hP a以上者。蒸氣壓之上限並未特別限定，惟 ，於配合時，務必於室溘下，爲液體及結晶者，因此，以 具有60°C以上之沸點者宜。當蒸氣壓於15(TC下未達1 hPa 時，則恐未能取得所期待之表面硬化性者，反之，60 °C下 超出1 024 hPa者，則於配合時已揮發之，恐未能進行所定 之配合。 做爲（e)成份之具體例者如：具有脂肪族不飽和基 之氮化合物、具有脂肪族不飽和基之硫化合物、具有脂肪 族不飽和基之磷化合物、乙炔醇化合物等例*其中又以對 於金屬無腐蝕性之乙炔醇者爲較佳者。 (e)成份之使用量係其（c)成份中之Si - Η基/〔 (a)成份中之烯基+ (e)成份中之不飽和基〕以莫耳比 爲0.05〜0.5者宜，較佳者爲0.1〜0.5之量者。當（c)成 份中之直接結合於矽原子之氫原子/〔 （a)成份中之烯 基+ (e)成份中之不飽和基〕超出0.5時，則設置組成物 於被散熱部位後，將硬化至內部。反之，未達0.05時，則 設置組成物於被散熱部位後，則由於安裝步驟之加熱，發 熱性電子零件運作後產生發泡而剩餘之（e)成份揮發而 導致出現組成物之收縮，產生組成物之龜裂等現象。 本發明導熱性聚矽氧散熱用組成物中，除此之外，在 • 14 - 13.54005 不損及本發明目的之範圍下，亦可添加各種導熱性塡充材 之表面處理劑、著色之顏料、染料、難燃性賦予劑、內含 脫模劑等可提昇機能之添加劑者。 藉由混煉（a)〜（e)成份後，可取得所期待之聚矽 氧散熱用組成物者。於混煉時，可使用行星混合器、品川 式萬能攪拌器、混合攪拌器、揑合器、雙棒滾輥、三棒滾 輥等、混煉粉體與液體時所使用之混合器者。

如此取得之本發明導熱性聚矽氧散熱用組成物係裝置 於發熱性電子零件與散熱器等散熱構件之間隙中，藉由加 熱後’使揮發反應抑制劑之表面部份硬化後保持形狀後； 即使被散熱物與散熱構件之間隙出現位移，仍沿其位移進 行變形’不致於對發熱性電子零件等加入應力，而顯示良 好散熱特性者。 又，加熱條件可與一般聚矽氧RTV橡膠之硬化條件相 同條件者，惟，被散熱元件之運作時所產生之熱亦可使表 % 面硬化之。積極加熱時，以60〜150 °C氣氛下，放置1分鐘 〜1 2小時者宜。 〔實施例〕 以下依實施例及比較例所示，進行本發明之具體說明 ，惟，本發明未受限於下述實施例者。又，下述例中，黏 度係代表藉由JIS Z 8803所測定之25°C之値者，平均粒徑 係藉由激光衍射法所測定之値者。

P -15- 1354005 〔實施例1〕 . 於品川式萬能攪拌器中置入100 g之具10,000 mm2/ s 黏度、兩末端具乙烯基之二甲基聚矽氧烷（含Vi基量： 0.00525 mol/100g)，及500 g之具l#m平均粒徑之氧化 鋁後，混合60分鐘後，加入0.2 g之氯化鈾酸之2 —乙基一 己醇溶液（鉑元素量2.0質量％ ) 、4.0 g之反應抑制劑之 乙炔基環己醇三甲苯溶液（50質量％)、5.0 g之下式（7 )所示之有機氫化聚矽氧烷（Si-H基量：0.00 1 84 mol/ g)後，針對分別添加物進行混合10分鐘後，最後，於一 700 mmHg之減壓條件下進行混合10分鐘後，取得組成物a 〇

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丨.丨· I. I

Mc-Si-(0-Si)24~(〇-Si)4O~Si-Mc ( 7 )

Me Me Me Me 〔比較例1〕 於品川式萬能攪拌機置入100 g之具1 0,000 mm2/s之 黏度，兩末端具乙烯基之二甲基聚矽氧烷（含Vi量： 0.00525 mol/ 1 〇〇 g ) 、500 g具1/zm平均粒徑之氧化銘後 ，混合60分鐘之後，加入〇.2 g之氯化鈾酸之2 —乙基一己 醇溶液（鉑元素量2.0質量％ ) 、0.1 g反應抑制劑之乙炔 基環己醇之甲苯溶液（50質量％)、5·0 g之上式（7)所 示之有機氫化聚矽氧烷，針對分別添加物進行混合10分鐘 ’最後’於-700 mmHg之減壓條件下進行混合10分鐘後， 取得組成物b。 •16- 1354005 〔比較例2〕 於品川式萬能攪拌器中置入100 g之具1 0,000 mm2/s 之黏度，兩末端具乙烯基之二甲基聚矽氧烷（含Vi基量： 0.00525 mol/100 g) 、500 g之具1仁m平均粒徑之氧化銘 ，，進行混合60分鐘後，加入0.2 g之氯化鈾般之2-乙基一 己醇溶液（鉑元素量2.0質量％) 、30 g之反應抑制劑之 φ 乙炔基環己醇之甲苯溶液（50質量％ ) 、5.0g之上式（7 )所示之有機氫化聚矽氧烷，針對分別之添加物進行混合 10分鐘後，最後，於-700 mmHg之減壓條件下進行混合1〇 分鐘後，取得組成物c。 〔實施例2〕 於品川式萬能攪拌器中置入100 g之具i〇,〇〇〇 mm2/s 之黏度，兩末端具乙烯基之二甲基聚矽氧烷（含vi基量： ^ 0.00525 mol/100 g) 、500 g之具1# m平均粒徑之氧化鋁 ，混合60分鐘後，添加0.2 g之氯化鉛酸之2 -乙基—己醇 溶液（鉬元素量2.0重量％ )、4.0 g之反應抑制劑之3 —甲 基_1 一丁炔—3 —醇、5.0 g之該式（7)所示有機氫化聚 矽氧烷，針對分別之添加物進行混合10分鐘後，最後， 於-700 mmHg之減壓條件下進行混合10分鐘後，取得組成 物d。 〔比較例3〕 -17- 1354005 於品川式萬能攪拌器中置入100 g之具10,000 mm2/s 之黏度，兩末端具乙烯基之二甲基聚矽氧烷（含Vi基量： 0.00525 mol/ 100 g) 、500 g之具1/Z m平均粒徑之氧化鋁 ，混合60分鐘後，加入0.2 g氯化鉛酸之2 —乙基一己醇溶 液（鉑元素量2.0質量％)、0.1 g之反應抑制劑之3 -甲基 —1 一 丁块—3 -醇、5.0 g之上式（7)所不之有機氮化聚 矽氧烷，針對分別添加物進行混合分鐘，最後於-700 mmHg之減壓條件下進行混合10分鐘後，取得組成物e » 〔比較例4〕 於品川式萬能攪拌器中置入100 g具10,000 mm2/s黏 度，兩末端具乙烯基之二甲基聚矽氧烷（含Vi基量： 0.00525 mol/100 g) 、500 g具lgm平均粒徑之氧化鋁， 混合60分鐘後，添加0.2 g氯化鉑酸之2 -乙基-己醇溶液 (鈾元素量2.0質量％ ) 、30 g反應抑制劑之3 —甲基一 1 一丁炔_3-醇、5.0 g上式（7)所示之有機氫化聚矽氧 烷，針對分別之添加物進行混合1〇分鐘’最後於-70 0 mmHg之減壓條件下，混合10分鐘後，取得組成物f。 〔比較例5〕 於品川式萬能攪拌器中置入1〇〇 g之具1〇,〇〇〇 mm2/s 黏度，兩末端具乙烯基之二甲基聚矽氧烷（含Vi基量： 0.00525 mo 1/100 g) 、500 g之具1# m平均粒徑之氧化鋁 ，混合60分鐘後，最後於-700 mmHg之減壓條件下，進行 -18- 1354005 混合ίο分鐘後’取得組成物g。 利用該實施例1、2及比較例1〜5取得之組成物a〜g， 藉由下述所示方法，進行測定熱阻力、空隙之有無、滴垂 性、剝離性、壓縮應力。此等結果示於表1β • <熱阻力〉 將適量之組成物a〜g分別置於插入熱電對之鋁塊上， φ 將2SD923型電晶體由組成物上載置後，如圖1所示，固定 組成物厚度爲1 mm，去除由電晶體擠出之部份。將此於 120°C之氣氛下放置5分鐘後，於2SD923型晶體管上進行 外加10 W之電力。外加電力起1〇分鐘後之2SD923型晶體 管之溫度T1(°C)與鋁塊之溫度T2(t)藉由以下計算 式進行計算各組成物之熱阻力。 計算式：熱阻力 rc/w)=[Ti(°c)-T2(°c)]/i〇(w) φ 《空隙之有無》 分別將1.0 g之組成物a〜g載置於5 cm角之玻璃板上， 將此於120 °C之氣氛下放置5分鐘後，以目測確定是否出現 空隙。 《滴垂性》 分別將1.0 g之組成物a〜g載置於5 cm角之玻璃板上， 設置1 mm之調距板後，以另一相同大小玻璃板夾蓋固定 之。將此於120 °C氣氛下放置5分鐘後，呈垂直站立放置24 -19- 1354005 小時後，確定滴垂性。 (剝離性> 分別將1.0 g之組成物a〜g載置於5 cm角之玻璃板上， 設置1 mm之調距板後，以另一相同大小玻璃板夾蓋固定 之。將此於120°C氣氛下放置5分鐘後，使玻璃板間隙擴展 至1.2 mm，確定組成物是否由玻璃剝離之。

《壓縮應力》 分別將1 .〇 g之組成物a〜g載置於5 cm角之鋁板上’設 置1 mm之調距板後，以另一相同大小銘板夾蓋固定之。 將此於120 °C氣氛下放置5分鐘後’脫取調距板’利用島津 製作所製之精密試驗機Autograph AG- 1，以0.5 mm/min 之速度進行壓縮至0.8 mm，進行測定10分鐘後之應力。

S -20- 1354005 〔表1〕 組成物 實施例1 比較例1 比較例2 實施例2 比較例3 比較例4 比較例5 Si-H/Vi” 1.75 _ — 抑制劑·3 乙炔基環己醇之甲苯 (50質量％) 3-甲基-1· 丁炔-3-醇 Μ 抑制劑添加 量(g) 4.0 0.1 30 40 0.1 30 — Si-H/不飽和 基*2 0.43 1.63 0.04 0.17 1.43 0.03 — 測宙結果 熱阻力 (°CAV) 1.97 1.96 3.54 2.05 1.98 4.54 2.21 空隙之有無 姐 /»\\ JHrr ~ΠΓΓ 有 無 Μ 有 Μ 滴垂之有無 Λτττ. Μ 4rrr 無 Μ Ji\\ 無 Arrt. JIXL· /M> Μ 有 擴大間隙時 之剝離 ^ΠΤ- m 有 frrr, m 無 有 無 4πτ llll. 〆》、、 壓縮應力 (MPa) 0.0 1.7 0.0 0.0 1.5 0.0 0.0

”：直接結合於有機氫化聚矽氧烷中之矽原子的氫原子莫 耳量/含乙烯基之二甲基聚矽氧中之乙烯基莫耳量 *2:直接結合於有機氫化聚矽氧烷中之矽原子的氫原子莫 耳量/〔含乙烯基之二甲基聚矽氧烷中之乙烯基莫耳量+ 反應抑制劑之不飽和基莫耳量] * 3 :抑制劑之沸點 乙炔基環己醇：沸點18(rc 3—甲基-1— 丁炔—3_醇：沸點1〇2〜1〇5

-21 - 1354005 經確認本發明導熱性聚矽氧散熱用組成物裝置於空隙 時，可顯示良好之散熱特性，無滴垂現象，·即使對於間隙 位移仍不會自被散熱物剝離，對於被散熱物亦不會施予過 剩應力· 【圖式簡單說明】 〔圖1〕代表本發明實施例中熱阻力測定之說明圖者

【主要元件符號說明】 1 2SD923型電晶體 2 鋁塊 3 熱電對（電晶體：T1) 4 熱電對（鋁塊：T2 ) 5 散熱組成物

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Claims (1)

1. 13.54005 十、申請專利範圍 1. 一種導'熱性聚矽氧散熱用組成物，其係裝著於發 熱性電子零件與散熱構件之間隙而使發熱性電子零件之熱 散熱至散熱構件之散熱材料用之導熱性聚矽氧散熱用組成 物，其特徵係含有 (a)於1分子中具有2個以上之烯基之有機聚矽氧烷 :100質量份

   (b) 導熱性塡充材：300〜5,000質量份 (c) 分子中平均具2個以上直接結合於矽原子之氫原 子的有機氫化聚矽氧烷：（c)成份中之直接結合於矽原 子的氫原子/ (a)成份中之烯基之莫耳比爲超出〇.6而未 達1〇.〇之量 (d) 鈾族金屬系加成反應觸媒：以鉑族金屬元素換 算相對於（a)成分爲0.1〜1，000 ppm (e) 選自具有脂肪族不飽合基之氮化合物、具有脂 φ 肪族不飽和基之硫化合物、具有脂肪族不飽和基之磷化合 物、乙炔醇化合物，並持有60°C以上之沸點，在150°C下 之蒸氣壓爲1 hPa以上，抑制（a)成分中之烯基與（c) 成分中之Si-H基之加成反應之之揮發性反應抑制劑：（c )成份中之直接結合於矽原子的氫原子/〔 （a)成份中 之烯基+ (e)成份中之不飽和基〕之莫耳比爲0.05〜0.5 之量所成； 藉由在60〜150 °C環境中放置1分鐘〜12小時，該（e )成份由表面揮發後，其表面部份因（a)成份與（c)成 -23- 1354005 份之加成反應而呈現硬化狀態，且中心部呈現未硬化狀態 者。 2. 如申請專利範圍第1項之導熱性聚矽氧散熱用組成 物，其中該揮發性反應抑制劑（e)爲乙炔醇化合物。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項之導熱性聚矽氧散 熱用組成物，其中該導熱性塡充材（b)爲至少1種選自金 屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物及人工鑽石》

   4. 一種散熱構造之製造方法，其特徵係於發熱性電 子零件與散熱構件之間隙裝置如申請專利範圍第1項、第2 項或第3項之導熱性聚矽氧散熱用組成物後，藉由在60〜 150 °C中加熱該散熱用組成物1分鐘〜12小時後，使該散熱 用組成物中之（e)成份由散熱用組成物表面揮發，並因 (a)成份與（c)成份之加成反應而使其表面硬化，且使 中心部呈現未硬化狀態，進而形成使發熱性電子零件之熱 散熱至散熱構件之散熱材者*

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