TW200536896A - Composition for heat conductive siloxanes heat release and its using method - Google Patents

Description

200536896 ⑴ 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關混合導熱性塡充材之聚矽氧散熱用組成 物’特別是有關爲使發熱性電子零件散熱，做爲介裝於發 熱性電子零件之熱境界面與加熱槽、或電路基板等散熱構 件間之導熱材料之有效導熱性聚矽氧散熱用組成物及其使 用方法。 【先0U技術】 用於電子機器之CPU、驅動1C、記憶體等電子零件係 伴隨高性能化、高速化、小型化、高集成化、其自體產生 大量熱，藉由此熱晶片之溫度上昇，造成晶片運作不良、 損毁。因此，被揭示各種爲抑制運作中電子零件溫度上升 之散熱方法及其所使用之散熱構件。 先行技術於電子機器等中，爲抑制運作中電子零件之 • 溫度上昇，使用利用銘、銅等導熱率高之金屬板的加熱槽 等散熱構件。 其中，爲有效將電子零件所產生之熱導入散熱構件， 將具柔軟性之薄片、潤滑脂介裝於發熱性電子零件與散熱 構件之間，介著該薄片或潤滑脂實現由發熱性電子零件往 加熱槽等散熱構件之導熱。 此等薄片及潤滑脂係於散熱構件固定於電子零件及其 附近後，呈擠壓附著狀態被使用時極爲有效，惟，於發熱 性電子零件與散熱構件間存在極大間隙之問題產生。 200536896 (2) 此電子零件與散熱構件之間存在大間隙時，以潤滑脂 塗佈埋入此間隙之量者極爲不易，即使可進行塗佈，仍無 法維持形狀出現流掉之問題。 又，使用橡膠薄片後，雖可輕易塡埋此間隙，惟，藉 由環境溫度、振動後，電子零件與散熱構件之間隙時有變 窄現象，此時，加於發熱性電子零件之應力太大，恐損及 發熱性電子零件。 φ 又，做爲本發明相關之公知文獻者爲下記者。 〔專利文獻1〕特開2002-3 3 427號公報 〔專利文獻2〕特開2002-26 1 206號公報 【發明內容】 本發明鑑於上述問題，而以提供一種可塡埋發熱性電 子零件等被散熱物與散熱構件間之變位性間隙者，具良好 散熱特性之導熱性聚矽氧散熱用組成物及其使用方法爲其 φ 目的者。 本發明者爲達成該目的，進行精密硏討後結果發現將 含有（a )具有脂烯基之有機聚矽氧烷、（b )導熱性塡充 材、（c )分子中平均具有2個以上之直接結合於矽原子之 氫原子的有機氫化聚矽氧烷：（c )成份中直接結合於矽 原子之氫原子/ (a)成份中之脂烯基其莫耳比爲超出0.6 〜未達]0 · 〇之量、（d )鉑族系加成反應觸媒、及（e )含 脂肪族不飽和基之揮發性反應抑制劑：（c )成份中直接 結合於矽原子之氫原子/〔 （ a )成份中之脂烯基+ ( e ) -6- 200536896 (3) 成份中之不飽和基〕其莫耳比爲〇 . 〇 5〜0.5之量的導熱性 聚矽氧散熱用組成物裝載於發熱性電子零件等被散熱物與 散熱構件之間後，其表面硬化後維持形狀，且，中心部呈 未硬化狀態，因此，被散熱物與散熱構件間之間隙即使變 位仍可沿其變位進行變形，不致加入過剩應力，藉由可取 得良好之散熱特性，進而完成本發明。 因此，本發明係提供一種下記所示之導熱性聚矽氧散 熱用組成物及其使用方法。 ® 〔 1〕含（a )具有脂烯基之有機聚矽氧烷 (b )導熱性塡充材 (c)分子中平均具有2個以上直接結合於砂原子之氮 原子的有機氫化聚矽烷氧、（c )成份中之直接結合於石夕 原子之氫原子/ (a)成份中之脂烯基其莫耳比爲超出〇6 〜未達1 〇 . 〇之量。 (d )鉑族金屬系加成反應觸媒 0 ( e )含脂肪族不飽和基之揮發性反應抑制劑（c )成 份中之直接結合於5夕原子之氫原子/〔（ a )成份中之月旨 烯基+ (e)成份中之不飽和基〕其莫耳比爲〇〇5〜〇.5之 量所成，硬化時該（e )成份由表面揮發後，表面部份呈 硬化狀態，且，中心部呈未硬化狀態者爲其特徵之導熱性 聚矽氧散熱用組成物。 〔2〕揮發性反應抑制劑（e )爲乙炔化合物者爲其特 徵之〔1〕所載導熱性聚矽氧散熱用組成物。 〔^〕導熱I生_充材（b )爲至少]種選自金屬、氧化 -7- 200536896 (4) 物、氮化物、碳化物及人工鑽石者爲其特徵之〔丨〕或〔2 〕所載之導熱性聚矽氧散熱用組成物。 〔4〕該導熱性聚矽氧散熱用組成物裝載於發熱性電 子零件與散熱構件間之間隙後，進行加熱散熱用組成物後 ，使該散熱用組成物中之（e )成份由散熱用組成物表面 揮發後’其表面硬化後，且，使中心部呈未硬化狀態者爲 其特徵之導熱性聚矽氧散熱用組成物之使用方法。 又，本發明之變位係指被散熱物與散熱構件之間隙藉 ® 由環境溫度、振動變大、或變小之意者。 本發明導熱性聚矽氧散熱用組成物係將此裝載於發熱 性電子零件等被散熱物與散熱構件之間的變位性間隙後， 加熱後，表面硬化時，不會滴垂，即使間隙之變位仍可由 被散熱物剝離，對於被散熱物不致加入過剩應力，可顯示 良好散熱特性者。 具 中 子 分 1A 係 烷 氧 矽 聚 機 有 份 成 /—- 3 態 C 形之 佳用 最使 1 之所 式施明 方實發 施明本 實發 h烷般n-( U 氧 j Rj-S1IR 固 砂 記 1 七1 2{機下 R—x-si—k 有有： ' 者 基 烯 匕曰 般 基 :> 宜 者 成 所 位 · 單 式X丨si)丨R1

)1-X1 ] R—SI—R \)y 3 二如 之者 覆例 重體 由具 份之 部份 鏈成 主二罾 做 示 所 \)y a 200536896 (5) X 1 I 3 R·—si—R-(> y( X丨-si—R .κιν- ! xa I R--si—R •ΖΛ· *r(:r 3RI.TR R1

xlsilRJ 0 R—si—R (0- R丨»si—R JR

JK RIsi—R 3 (式中，R 1代表獨立之未含脂肪族不飽和鍵之取代或非取 代之1價烴基者，X代表脂烯基者，a、b爲0或超出0之正數 ，c、d爲正數者。） 做爲該式中，R ]之未含脂肪族不飽和鍵之非取代或取 代1價烴基例者如：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、 異丁基、第二一丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基 、壬基、癸基、月桂基等之烷基、環戊基、環己基、環庚 基等環烷基、苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、聯苯基等 芳基、苄基、苯基乙基、苯基丙基、甲基苄基等芳烷基、 及此寺基之部份或全部結合於碳原子之氯基被氟/、氯、溴 等鹵原子、氰基等取代之基，如：氯甲基、2-溴乙基' 3 一氯丙基、3，3，3 -三氟丙基、氯苯基、氟苯基、氰乙 基、3，3，4，4，5，5，6，6，0 —壬氟己基等碳原子數 爲1〜10，特別是碳原子數爲1〜6之例者，其中又以甲基 、乙基、丙基、氯甲基、溴乙基、3，3，3 —三氟丙基、 氰乙基等碳原子數1〜3之非取代或取代之烷基 '及苯基、 氯苯基、氟苯基等非取代或取代之苯基爲較佳者。又，R 1 可均爲相同者，亦可均爲相異者。 做爲X之脂烯基例者如：乙烯基、烯丙基、丙烯基、 200536896 (6) 異丙烯基、丁烯基、己烯基、環己烯基等通常爲碳原子數 2〜8者之例，其中又以乙烯基、烯丙基等低級脂烯基爲較 佳，特別以乙烯基爲更佳者。 式中，a爲0或超出0之正數者，又以滿足10^a$ 1 050 00之正數者爲較佳者，更佳者爲滿足50SaS 2,0 00之 正數者，最佳者爲滿足100Sa$l5000之正數者。b爲0或 超出0之正數者，又以0^13/(3+1〇^0.5爲較佳，更佳 ^ 者爲〇Sb/ (a+b) ‘0.1者。c爲正數，而以0<c/(a + c) S0.5者宜，更佳〇<c/ (a+c) $〇·1爲最理想。d 爲正數，以〇<d(a+d) S0.5者宜，更佳者爲0<d/ (a + d ) S 0· 1。 此有機聚矽氧烷可單獨使用1種，亦可倂用不同複數 者。又，此有機聚矽氧烷以藉由JIS Z 8 8 03所測定25 °c之 黏度爲 〇·5 〜10,000 mm2/s 者宜，1.0 〜1，000 mm2/s 者爲 更佳者。 φ 本發明所使用之（b )成份導熱性塡充材可使用非磁 性之銅、鋁等金屬、氧化鋁、二氧化矽、氧化鎂、氧化鐵 紅、氧化鈹耐化材、二氧化鈦、氧化鍩等金屬氧化物、氮 化鋁、氮化矽、氮化硼等金屬氮化物、人工鑽石或碳化矽 等，一般做成導熱性塡充材之物質者。 此等導熱性塡充材之平均粒徑可使用0. 1〜1 〇〇 # m， 較佳者爲0.5〜50/im，更佳者爲0.5〜30// m者。當未達 〇 . 1 /i m時，貝IJ組成物之黏度太高，使用性不良，反之，超 出1 0 0 // m時，則組成物失去黏性，出現位移、崩散狀。 -10- 200536896 (7) 此等塡充材可單獨使用1種，亦可混合複數種使用之。另 外，亦可使用2種以上不同平均粒徑之粒子者。又，本發 明之平均粒徑可藉由激光衍射法等做成重量平均値（或等 量徑）等求取之。 導熱性塡充材之配合量針對每100質量份之（a)成份 時，以300〜5,000質量份爲宜，更佳者爲500〜3,000質量 份。當導熱性塡充材配合量超出5,00 0質量份時，則於間 $ 隙引起變位時，對於被散熱物之應力恐太大，反之，未達 3 〇〇質量份時則無法取得所期待之導熱性。 之 用 使 分Η 於1- 係 烷 氧 矽 聚 化 a 機 有於 份合 成結 0接 C 直 上 以 個 2 所有 明具 發均 本平 中 子 S 子 原 氫 之 子 原 矽 基構 結 均 平 記 下 用 使 可 者 烷 氧 矽 聚 化 氫 機 有 此 爲 做 者

2 l· 2 式 RI-sIR 2 R 者 物 合 混 或 - 單 之 示 所 CI \)/ 0-.-RCI 6 R—si—R CΓΟ- Nl/ ) Η—siIR ^ο- Nly -e 4R2lfR2 ( 0 4

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i]-R2 H—si—R -0- H丨si—R 0 X R*—si—R' (0- HIsilR9 2* R 6 價 11 代 取 或 代 取 bh 之 鍵 和 包 會 不 族 肪 脂 含 未 表 代 2 R 中 式 取、 非基 之丙 鍵異 和、 飽基 不丙 } 族、 肪基 者脂乙 數含、 π未廿本 J之甲 JR: 以，口 ο $ 爲中例 者 基 烴 ，) 價 e 4 1 ，C代 者式取 基 或 烴 代 f g 6 h -11 - 200536896 (8) 丁基、異丁基、第三一丁基、戊基、新戊基、 、辛基、壬基、癸基、月桂基等之烷基、環戊 、環庚基等之環院基、苯基、甲苯基、二甲苯 聯苯基等芳基、苄基、苯基乙基、苯基丙基、 芳院基、及此等基之部份或全部結合於碳原子 氟、氯、溴等鹵原子、氰基等取代之基，如： —溴乙基、3-氯丙基、3，3，3 —三氟丙基、 苯基、氰乙基、3，3，4，4，5，5，6，6，6 ^ 等例，代表例者爲碳原子數1〜1 0者，特別是51 〜6者，較佳者爲甲基、乙基、丙基、氯甲基、 ，3，3—二氟/丙基、氰乙基等碳原子數1〜3之 代烷基、及苯基、氯苯基、氟苯基、等非取代 基者。又，R2並未限定全部爲相同者。式（4) 之e爲0以上之正數者’ f、g、h爲0以上之正數 f爲2以上之正數爲宜，g爲〗以上之正數，h爲走 〇 (c )成份之配合量係其（C )成份中之s i )成份中之脂嫌基以莫耳比爲超出〇·6，未達 宜，較佳者爲1 · 0〜5 · 0之量。當0 · 6以下時，則 之硬化將不足，1 0 · 0以上時’則硬化至內部。 本發明所使用之（d)成份鉑族金屬系硬 促進（a )成份中之脂烯基與（C )成份中之S : 之加成反應的觸媒者，做爲氫矽烷化反應所使 者如：公知之觸媒例者。做爲該具體例者如： 己基、庚基 基、環己基 基、萘基、 甲基苄基等 之氫原子被 氯甲基、2 氛本基、氯 一壬氟己基 矣原子數爲1 *溴乙基、3 非取代或取 或取代之苯 〜（6 )中 ，較佳者以 呈出0之正數 —Η基 / ( a 1 0.0之量者 組成物表面 化觸媒係爲 i 一 Η基相互 用之觸媒例 鉑（含鉑黑 -12 - 200536896 (9) )、铑、鈀等鉑族金屬單體、Η 2 P t C 14 · η Η 2 Ο、 H2PtCl6 · ηΗ20、NaHPtCU · ηΗ2〇、KHPtCl6 · ηΗ2〇、 Na2PtCl6 · ηΗ20、K2PtCl4 · ηΗ2〇、PtCl4 · ηΗ20、PtCl2、 Na2HPtCl4· ηΗ20 (惟，式中，η爲0〜6之整數者，較佳者 爲〇或6 )等之氯化鉑、氯化鉑酸及氯化鉑酸鹽、醇改性氯 化鉑酸、氯化鉑酸與烯烴之絡合物、鉑黑、鈀等鉑族金屬 擔載於氧化鋁、二氧化矽、碳等之載體者，铑-烯烴絡合 | 物、氯三（三苯基膦）铑（威爾金森觸媒）、氯化鉑、氯 化鉑酸或氯化鉑酸鹽與含乙烯基之矽氧烷，特別是與含乙 烯基之矽氧烷之絡合物等例。 (d )成份之使用量係可做爲理想觸媒量者，一般針 對成份（a )時，以鉑族金屬元素之質量換算下爲〇 · 1〜 15000 ppm者宜，較佳者爲0.5〜500 ppm，更佳者爲1.0〜 2 0 0 p p m。未達0 . 1 p p m則組成物表面將無法硬化，反之， 超出1 5 0 0 0 p p m時不利經濟面。 φ ( e )成份之具有脂肪族不飽和基之揮發性反應抑制 劑係於（d )成份存在下抑制（a )成份中脂烯基與（c ) 成份中之S i - Η基相互加成反應之進行者，而，爲實現所 期待之表面硬化性、安裝步驟中之加熱、發熱性電子零件 的運作後，務必揮發之。必要之揮發性係於1 5 0 °C下之蒸 氣壓爲1 hPa以上者。蒸氣壓之上限並未特別限定，惟， 於配合時，務必於室溫下’爲液體及結晶者，因此，以具 有6 0 °C以上之沸點者宜。當蒸氣壓於]5 0 °C下未達1 h P a時 ，則恐未能取得所期待之表面硬化性者，反之，6 0 °C下超 -13- 200536896 (10) 出1 02 4 hP a者，則於配合時已揮發之，恐未能進行所定之 配合。 做爲（e )成份之具體例者如：具有脂肪族不飽和基 之氮化合物、具有脂肪族不飽和基之硫化合物 '具有脂肪 族不飽和基之磷化合物、乙炔醇化合物等例，其中又以對 於金屬無腐蝕性之乙炔醇者爲較佳者。 (e )成份之使用量係其（c )成份中之s i - Η基/〔 0 ( a )成份中之脂烯基+ ( e )成份中之不飽和基〕以莫耳 比爲0.05〜0.5者宜，較佳者爲〇·ΐ〜〇.5之量者。當（c) 成份中之直接結合於矽原子之氫原子/〔（ a )成份中之 脂烯基+( e )成份中之不飽和基〕超出〇. 5時，則設置組 成物於被散熱部位後，將硬化至內部。反之，未達0.05時 ，則設置組成物於被散熱部位後，則藉由安裝步驟之加熱 、發熱性電子零件運作後產生發泡、剩餘之（e )成份出 現揮發組成物之收縮，產生組成物之裂化等現象。 | 本發明導熱性聚矽氧散熱用組成物中，除此之外，在 不損及本發明目的之範圍下，亦可添加各種導熱性塡充材 之表面處理劑、著色之顏料、染料、難燃性附與劑、內含 脫模劑等可提昇機能之添加劑者。 藉由混煉（a )〜（e )成份後，可取得所期待之聚矽 氧散熱用組成物者。於混煉時，可使用行星混合器、品川 式萬能攪拌器、混合攪拌器、揑合器、雙棒滾輥、三棒滾 輥等、混煉粉體與液體時所使用之混合器者。 如此取得之本發明導熱性聚矽氧散熱用組成物係裝置 -14 - 200536896 (11) 於發熱性電子零件與加熱槽等散熱構件之間隙中，藉由加 熱後’使揮發反應抑制劑之表面部份硬化後保持形狀後； 即使被散熱物與散熱構件之間隙出現變位，仍沿其變位進 行變形’不致於發熱性電子零件等加入應力，顯示良好散 熱特性者。 又，加熱條件可與一般聚矽氧RTV橡膠之硬化條件相 同條件者’惟，被散熱元件之運作時所產生之熱亦可使表 g 面硬化之。積極加熱時，以6 0〜1 5 0 °C氣氛下，放置1分鐘 〜1 2小時者宜。 〔實施例〕 以下依實施例及比較例所示，進行本發明之具體說明 ，惟，本發明未受限於下記實施例者。又，下記例中，黏 度係代表藉由JI S Z 8 8 0 3所測定之2 5 °C之値者’平均粒徑 係藉由激光衍射法所測定之値者。 〔實施例I〕

於品川式萬能攪拌器中置入100 g之具1〇,〇〇〇 mm2/s 黏度、兩末端具乙烯基之二甲基聚砂氧院（含Vl基量： ◦•〇〇525 mol/100g)，及500 g之具1 “⑺平均粒徑之氧化 鋁後，混合6 0分鐘後，加入〇 · 2 g之氯化鉑酸之2 一乙基一 己醇溶液（鉑元素量2 · 〇質量％ )、4.0 g之反應抑制劑之 乙炔環己醇三甲苯溶液（50質量％)、5.0g之下式（7) 所示之有機氫化聚矽氧烷（Si - Η基量：0·00] 84 n]cI/ S 200536896 (12) )後，針對分別添加物進行混合1 0分鐘後，最後，於-700 mm Hg之減壓條件下進行混合10分鐘後，取得組成物a

Me Me H Me II ιι (7)

Me-Si-(〇-Si)2^(〇-Si)4-C)-Si-Me

Me Me

Me Me 〔比較例1〕 於品川式萬能攪拌機置入100 g之具1 0,0 0 0 mm2/s之 黏度，兩末端具乙烯基之二甲基聚矽氧烷（含Vi量： 0.00525 mol/100 g) 、500 g具l//m平均粒徑之氧化鋁後 ，混合60分鐘之後，加入0.2 g之氯化鉑酸之2—乙基-己 醇溶液（鉑元素量2.0質量％ ) 、0.1 g反應抑制劑之乙炔 環己醇之甲苯溶液（5 0質量％ )、5.0 g之上式（7 )所示 之有機氫化聚矽氧烷，針對分別添加物進行混合1 0分鐘， 最後，於—7 0 0 m m H g之減壓條件下進行混合]0分鐘後， 取得組成物b。 〔比較例2〕 於品川式萬能攪拌器中置入100 g之具1 0,0 00 mm2/ s 之黏度，兩末端具乙烯基之二甲基聚矽氧烷（含Vi基量： 0 · 0 0 5 2 5 m ο 1 / 1 0 〇 g ) 、5 0 0 g之具1 // m平均粒徑之氧化鋁 ’進彳7混合6 0分鐘後，加入〇 . 2 g之氯化I自般之2 -乙基一 己醇溶液（鉑元素量2.0質量％ ) 、3 0 g之反應抑制劑之 乙炔環己醇之甲苯溶液（5 0質量％ ) ' 5 · 0 g之上式（7 ) -16 - 200536896 (13) 所示之有機氫化聚矽氧烷，針對分別之添加物進行混合1 0 分鐘後，最後，於一 7 00 mmHg之減壓條件下進行混合10 分鐘後，取得組成物c。 〔實施例2〕 於品川式萬能攪拌器中置入1〇〇 g之具1〇,〇〇〇 mm2/s 之黏度，兩末端具乙烯基之二甲基聚矽氧烷（含Vi基量： 0.00525 mol / 100 g) 、500 g之具l//m平均粒徑之氧化銘 ，混合60分鐘後，添加0.2 g之氯化鉑酸之2 -乙基-己醇 溶液（鉑元素量2.0重量％ ) 、4.0 g之反應抑制劑之3 —甲 基—1 — 丁炔一 3 -醇、5.0 g之該式（7 )所示有機氫化聚 矽氧烷，針對分別之添加物進行混合1 〇分鐘後，最後，於 —7 00 mmHg之減壓條件下進行混合1〇分鐘後，取得組成 物d。 〔比較例3〕 於品川式萬能攪拌器中置入】〇〇 g之具1 0,000 之黏度，兩末端具乙烯基之二甲基聚矽氧烷（含Vi基量： 0.00525 in 〇1/]00 g) 、500 g之具】Μ ηι平均粒徑之氧化鋁 ’混合6 0分鐘後’加入0.2 g氯化銷酸之2 —乙基一己醇$谷 液（鉑元素量2 · 0質量％ ) 、0 . 1 g之反應抑制劑之3 —甲基 一]一 丁炔一 3 —醇、5.0 g之上式（7 )所示之有機氫化聚 矽氧烷，針對分別添加物進行混合I 0分鐘’最後於一 7 0 0 mmH g之丨咸壓條件下進行混合1 〇分鐘後，取得組成物e。 - 17- 200536896 (14) 〔比較例4〕 於品川式萬能攪拌器中置入100 g具1 0,0 0 0 mm2/s黏 度，兩末端具乙烯基之二甲基聚矽氧烷（含Vi基量： 0.00525 mol/100 g) 、500 g具平均粒徑之氧化鋁， 混合60分鐘後，添加0.2 g氯化鉑酸之2 —乙基一己醇溶液 (鉑元素量2.0質量％ ) 、3 0 g反應抑制劑之3 —甲基一 ；! 一 丁炔一 3 —醇、5.0 g上式（7)所示之有機氫化聚矽氧 烷，針對分別之添加物進行混合1 〇分鐘，最後於- 700 mmHg之減壓條件下，混合10分鐘後，取得組成物f。 〔比較例5〕 於品川式萬能攪拌器中置入100 g之具1 0,000 mm2/s 黏度，兩末端具乙烯基之二甲基聚矽氧烷（含Vi基量： 0.0 0 5 2 5 m ο 1 / 1 0 0 g ) 、5 0 0 g之具1 // m平均粒徑之氧化鋁 ，混合60分鐘後，最後於—700 mmHg之減壓條件下，進 行混合1 〇分鐘後，取得組成物g。 利用該實施例1、2及比較例]〜5取得之組成物a〜g， 藉由下記所示方法，進行測定熱阻力、空隙之有無、滴垂 性、剝離性、壓縮應力。此等結果示於表1。 《熱阻力》 將適量之組成物a〜g分別置於插入熱電對之鋁塊上， 將2 S D 9 2 3型晶體管由組成物上載置後，如圖1所示，固定 -18 - 200536896 (15) 組成物厚度爲1 mm，去除由晶體管擠出之部份。將此於 120°C之氣氛下放置5分鐘後，於2SD 92 3型晶體管上進行 外加1 0 W之電力。外加電力起1 〇分鐘後之2 S D 9 2 3型晶體 管之溫度T1 ( °C )與鋁塊之溫度T2 ( °C )藉由以下計算 式進行計算各組成物之熱阻力° 計算式：熱阻力（°C/W)=[T1(°C)— T2(°C)]/10(W) I 《空隙之有無》 分別將1 .〇 g之組成物a〜g載置於5 cm角之玻璃板上， 將此於120 °C之氣氛下放置5分鐘後，以目測確定是否出現 空隙。 《滴垂性》 分別將1.0 g之組成物a〜g載置於5 cm角之玻璃板上， 設置1 m m之調距板後’以另一相问大小玻璃板夾蓋固定 φ 之。將此於12(TC氣氛下放置5分鐘後，呈垂直站立放置24 小時後，確定滴垂性。 《剝離性》 分別將1 · 〇 g之組成物a〜g載置於5 c m角之玻璃板上， 設置1 m m之調距板後，以另一相同大小玻璃板夾蓋固定 之。將此於1 20 °C氣氛下放置5分鐘後，使玻璃板間隙擴展 至1 .2 m m，確定組成物是否由玻璃剝離之。 -19- 200536896 (16) 《壓縮應力》 分別將].〇 g之組成物a〜g載置於5 cm角之鋁板上，設 置1 mm之調距板後，以另一相同大小鋁板夾蓋固定之。 將此於1 2 0 °C氣氛下放置5分鐘後，脫取調距板，利用島津 製作所製之自動曲線圖AG - 1，以0.5 mm / min之速度進 行壓縮至0.8 mm，進行測定10分鐘後之應力。

200536896 (17) 〔表1〕 組成物 實施例] 比較例1 比較例2 實施例2 比較例3 比較例4 比較例5 Si-H/Vi” 1.75 —— 抑制劑 乙炔環己醇之甲苯 (50質量％) 3-甲基小丁炔各醇 無 抑制劑添加 量(g) 4.0 0.1 30 40 0.1 30 — Si-H/不飽和 基*2 0.43 1.63 0.04 0.17 1.43 0.03 — 測定結果 熱抵抗 (°C/W) 1.97 1.96 3.54 2.05 1.98 4.54 2.21 空隙之有無 並 Μ 有 Μ j \ \\ 有 dot 無 滴垂之有無 Μ j \ \\ 無 4fff 無 40Ε J \ 無 並 ^\\\ 擴大間隙時 之剝離 4fff j\\\ 有 Μ J \ w 無 有· J fc Ατττ ΤΠΤ j\\\ 壓縮應力 (MPa) 0.0 1.7 0.0 0.0 1.5 0.0 0.0 Μ :直接結合於有機氫化聚矽氧烷中之矽原子的氫原子莫 耳量/含乙烯基之二甲基聚矽氧中之乙烯基莫耳量 * 2 :直接結合於有機氫化聚矽氧烷中之矽原子的氫原子莫 耳量/〔含乙烯基之二甲基聚矽氧烷中之乙烯基莫耳量+ 反應抑制劑之不飽和基莫耳量〕 #3 :抑制劑之沸點

乙炔環己醇：沸點1 8 0 °C

3 —甲基一 1 — 丁炔一 3 —醇：沸點]〇 2〜1 0 5 °C -21 - 200536896 (18) 本發明導熱性聚矽氧散熱用組成物裝置於空隙時，顯 示良好之散熱特性、無滴垂現象，即使間隙變位仍可由被 散熱物剝離，確定對於被散熱物無過剩應力。 【圖式簡單說明】 〔圖1〕代表本發明實施例中熱阻力測定之說明圖者 【主要元件符號說明】 1 2SD923型晶體管 2 鋁塊 3 熱電對（晶體管：T 1 ) 4 熱電對（鉛塊：T2 ) 5 散熱組成物

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Claims (1)

1. 200536896 ⑴ 十、申請專利範圍 1 . 一種導熱性聚矽氧散熱用組成物，其特徵係含有 (a )具脂烯基之有機聚矽氧烷 (b )導熱性塡充材 (c )分子中平均具2個以上直接結合於矽原子之氫原 子的有機氫化聚矽氧烷（c )成份中之直接結合於砂原子 的氫原子/( a)成份中之脂烯基之莫耳比爲超出〇.6未達 φ 10.0之量。 (d )鉑族金屬系附加反應觸媒 (e )含有脂肪族不飽和基之揮發性反應抑制劑（c ) 成份中之直接結合於矽原子的氫原子/〔 （a)成份中之 脂烯基+ (e)成份中之不飽和基〕之莫耳比爲〇〇5〜ο」 之量 所成者’於硬化時，該（e )成份由表面揮發後，其表面 部份呈硬化狀態，且，中心部呈未硬化狀態者。 φ 2 ·如申請專利範圍第1項之導熱性聚矽氧散熱用組成 物，其中該揮發性反應抑制劑（e )爲乙炔醇化合物者。 3 .如申請專利範圍第1項或第2項之導熱性聚矽氧散 熱用組成物’其中該導熱性塡充材（b )爲至少1種選自金 屬、氧化物、氮化物、碳化物及人工鑽石者。 4 · 一種導熱性聚矽氧散熱用組成物之使用方法，其 特徵係於發熱性電子零件與散熱構件之間隙裝置如申請專 利範圍第】項、第2項、或第3項之導熱性聚矽氧散熱用組 成物後，進行散熱用組成物之加熱後，使該散熱用組成物 - 23- 200536896 (2) 中之（e )成份由散熱用組成物表面揮發後，其表面被硬 化之，且，中心部呈未硬化狀態者。

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