CN104769684A - 透明导电性膜 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种透明导电性膜，其制造简便容易，透过率及导电性高，且可抑制虹状的斑纹的产生。本发明的透明导电性膜是具有透明基材及形成于该透明基材上的透明导电层、且总光线透过率为80％以上的透明导电性膜，该透明基材的厚度方向的相位差的绝对值为100nm以下，且该透明导电层包含金属纳米线或金属网。在优选的实施方式中，上述透明基材的厚度方向的相位差为50nm以下。

Description

透明导电性膜
技术领域
本发明涉及一种透明导电性膜。
背景技术
以往，透明导电性膜用于触控面板等电子设备零件的电极、遮断成为电子设备的误动作的原因的电磁波的电磁波屏蔽构件等。已知透明导电性膜是通过溅镀法在透明树脂膜上形成ITO(Indium Tin Oxide，铟-锡复合氧化物)等的金属氧化物层而获得的。然而，利用溅镀法的透明导电性膜的制造有需要大规模的设备而成本变高的问题。另外，也有难以制造宽度较宽的透明导电性膜的问题。进而，通过溅镀法获得的透明导电性膜有透光率变低的问题。
作为解决上述溅镀法的问题的方法，提出有在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基材上形成由金属纳米线、金属网等构成的导电层的方法。例如，在专利文献1中，提出有在PET基材上形成包含银纳米线的层的方法。利用该方法获得的透明导电性膜的包含银纳米线的层具有开口部，透过率高。然而，用作基材的PET为了获得实用的机械强度，需要拉伸处理，因此相位差非常大，在将使用这种PET基材而获得的透明导电性膜例如组合至液晶显示器而使用的情况下，产生虹状的斑纹(以下也称为虹斑)。这种现象在使用透过率高的透明导电性膜(例如如上所述包含金属纳米线(银纳米线)、金属网等的透明导电性膜)的情况下，即在自透明导电性膜射出的光量多的情况下，特别成为问题。另外，由于在自斜向的可视时明显地可见该虹斑，因而在自斜向观察画面端部的大型显示器中，虹斑的产生特别成为问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2009-505358号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明是为了解决上述课题而作出的，其目的在于提供一种透明导电性膜，其制造简便容易，透过率及导电性高，且可抑制虹状的斑纹的产生。
解决课题的技术手段
本发明的透明导电性膜是具有透明基材及形成于该透明基材上的透明导电层、且总光线透过率为80％以上的透明导电性膜，其中，上述透明基材的厚度方向的相位差的绝对值为100nm以下，且上述透明导电层包含金属纳米线或金属网。
在优选的实施方式中，上述透明基材的厚度方向的相位差为50nm以下。
在优选的实施方式中，上述透明基材的面内相位差为10nm以下。
在优选的实施方式中，上述透明基材包含环烯烃系树脂。
在优选的实施方式中，上述透明基材包含丙烯酸系树脂。
在优选的实施方式中，上述金属纳米线为银纳米线。
根据本发明的另一方式，提供一种触控面板。该触控面板包含上述透明导电性膜。
根据本发明的又一方式，提供一种电磁波屏蔽构件。该电磁波屏蔽构件包含上述透明导电性膜。
根据本发明的再一方式，提供一种液晶显示元件。该液晶显示元件具备上述触控面板及/或上述电磁波屏蔽构件。
根据本发明的再一方式，提供一种有机电致发光显示装置。该有机电致发光显示装置自可视侧起依次具备上述触控面板、偏振片及有机电致发光元件。
在优选的实施方式中，上述有机电致发光显示装置在上述触控面板与上述偏振片之间进一步具备上述电磁波屏蔽构件。
根据本发明的再一方式，提供一种有机电致发光显示装置。该有机电致发光显示装置自可视侧起依次具备上述电磁波屏蔽构件、偏振片及有机电致发光元件。
发明的效果
根据本发明，通过由在厚度方向的相位差的绝对值小的透明基材上形成包含金属纳米线或金属网的透明导电层，可提供一种透过率及导电性高、且可抑制虹状的斑纹的产生的透明导电性膜。由于本发明的透明导电性膜可通过涂布形成上述透明导电层，因而可简便容易地制造。
附图说明
图1是本发明的优选的实施方式的透明导电性膜的概略截面图。
图2是本发明的实施方式之一的液晶显示元件的概略截面图。
图3是本发明的实施方式之一的液晶显示元件的概略截面图。
图4是本发明的实施方式之一的有机电致发光显示装置的概略截面图。
图5是本发明的实施方式之一的有机电致发光显示装置的概略截面图。
具体实施方式
A.透明导电性膜的整体构成
图1是本发明的优选的实施方式的透明导电性膜的概略截面图。如图1所示，本发明的透明导电性膜10具有透明基材1及形成于透明基材1上的透明导电层2。透明导电层2包含金属纳米线或金属网。
本发明的透明导电性膜的总光线透过率优选为80％以上，更优选为85％以上，特别优选为90％以上。在本发明中，通过具备包含金属纳米线或金属网的透明导电层，可获得总光线透过率高的透明导电性膜。另外，由于本发明的透明导电性膜具备厚度方向的相位差小的透明基材，因而即便如上所述那样透过率高，即，即便自透明导电性膜射出的光量多，也可抑制虹斑。本发明的效果之一为同时实现了高透光率与虹斑的抑制。
本发明的透明导电性膜的表面电阻值优选为0.1Ω/□～1000Ω/□，更优选为0.5Ω/□～500Ω/□，特别优选为1Ω/□～250Ω/□。在本发明中，通过具备包含金属纳米线或金属网的透明导电层，可获得表面电阻值小的透明导电性膜。另外，通过少量金属，从而如上所述那样表面电阻值小，可示出优良的导电性，因此可获得透光率高的透明导电性膜。
B.透明基材
上述透明基材的厚度方向的相位差Rth的绝对值为100nm以下，优选为75nm以下，更优选为50nm以下，特别优选为10nm以下，最优选为5nm以下。另外，在本说明书中，厚度方向的相位差Rth是指23℃、波长为545.6nm下的透明基材的厚度方向的相位差值。在将面内的折射率为最大的方向(即慢轴方向)的折射率设为nx，将厚度方向的折射率设为nz，并将透明基材的厚度设为d(nm)时，Rth可根据Rth＝(nx－nz)×d而求出。
上述透明基材的面内相位差Re优选为10nm以下，更优选为5nm以下，进一步优选为0nm～2nm。另外，在本说明书中，面内相位差Re是指23℃、波长为545.6nm下的透明基材的面内相位差值。在将面内的折射率为最大的方向(即慢轴方向)的折射率设为nx，将在面内与慢轴正交的方向(即快轴方向)的折射率设为ny，并将光学膜的厚度设为d(nm)时，Re可根据Re＝(nx－ny)×d而求出。
本发明的透明导电性膜通过使用如上所述那样厚度方向的相位差小的透明基材，可抑制虹斑。另外，通过使用厚度方向的相位差及面内相位差这两者均小的透明基材，抑制虹斑的效果变得更明显。认为如果使用低相位差的透明基材，则在斜向透过透明基材的光的光程差减小，可获得如上所述的效果。另外，这种效果在透过透明基材的光为椭圆偏振光的情况下变得更明显。
上述透明基材的厚度优选为20μm～200μm，更优选为30μm～150μm。如果为这种范围，则可获得相位差小的透明基材。
上述透明基材的总光线透过率优选为80％以上，更优选为85％以上，进一步优选为90％以上。
构成上述透明基材的材料可使用任意的适合的材料。具体而言，例如可优选地使用膜或塑料基材等高分子基材。其原因在于，透明基材的平滑性及对透明导电性形成用组合物的润湿性优良，另外，可通过利用辊的连续生产使生产率大幅度地提高。优选使用可表现出上述范围的厚度方向的相位差Rth的材料。
对于构成上述透明基材的材料而言，代表性地为以热塑性树脂为主成分的高分子膜。作为热塑性树脂，例如可列举聚降冰片烯等环烯烃系树脂；丙烯酸系树脂；低相位差聚碳酸酯树脂等。其中，优选为环烯烃系树脂或丙烯酸系树脂。如果使用这些树脂，则可获得相位差小的透明基材。另外，这些树脂的透明性、机械强度、热稳定性、水分掩蔽性等优良。上述热塑性树脂可单独使用或组合2种以上使用。
上述聚降冰片烯是指在起始原料(单体)的一部分或全部中使用具有降冰片烯环的降冰片烯系单体而获得的(共)聚合物。作为上述降冰片烯系单体，可列举：例如降冰片烯及其烷基及/或烷叉基取代物、例如5-甲基-2-降冰片烯、5-二甲基-2-降冰片烯、5-乙基-2-降冰片烯、5-丁基-2-降冰片烯、5-乙叉基-2-降冰片烯等及卤素等极性基取代物；二环戊二烯、2,3-二氢二环戊二烯等；二亚甲基八氢萘、其烷基及/或烷叉基取代物及卤素等极性基取代物、环戊二烯的三～四聚物、例如4,9:5,8-二亚甲基-3a,4,4a,5,8,8a,9,9a-八氢-1H-苯并茚、4,11:5,10:6,9-三亚甲基-3a,4,4a,5,5a,6,9,9a,10,10a,11,11a-十二氢-1H-环戊并蒽等。
作为上述聚降冰片烯，已市售有各种制品。作为具体例子，可列举日本ZEON公司制造的商品名“ZEONEX”、“ZEONOR”、JSR公司制造的商品名“Arton”、TICONA公司制造的商品名“TOPAS”、三井化学公司制造的商品名“APEL”。
上述丙烯酸系树脂是指具有源自(甲基)丙烯酸酯的重复单元((甲基)丙烯酸酯单元)及/或源自(甲基)丙烯酸的重复单元((甲基)丙烯酸单元)的树脂。上述丙烯酸系树脂可具有源自(甲基)丙烯酸酯或(甲基)丙烯酸的衍生物的结构单元。
在上述丙烯酸系树脂中，上述(甲基)丙烯酸酯单元、(甲基)丙烯酸单元及源自(甲基)丙烯酸酯或(甲基)丙烯酸的衍生物的结构单元的合计含有比率相对于构成该丙烯酸系树脂的全部结构单元优选为50重量％以上，更优选为60重量％～100重量％，特别优选为70重量％～90重量％。如果为这种范围，则可获得低相位差的透明基材。
上述丙烯酸系树脂可在主链上具有环结构。通过具有环结构，可抑制丙烯酸系树脂的相位差的上升，同时提高玻璃化转变温度。作为环结构，例如可列举内酯环结构、戊二酸酐结构、戊二酰亚胺结构、N-取代马来酰亚胺结构、马来酸酐结构等。
上述内酯环结构可选取任意的适合的结构。上述内酯环结构优选为4～8元环，更优选为5元环或6元环，进一步优选为6元环。作为6元环的内酯环结构，例如可列举下述通式(1)所表示的内酯环结构。
上述通式(1)中，R1、R2及R3分别独立为氢原子、碳数为1～20的直链状或者支链状的烷基、碳数为1～20的不饱和脂肪族烃基、或碳数为1～20的芳香族烃基。上述烷基、不饱和脂肪族烃基及芳香族烃基可具有羟基、羧基、醚基或酯基等取代基。
作为上述戊二酸酐结构，例如可列举下述通式(2)所表示的戊二酸酐结构。戊二酸酐结构例如可使(甲基)丙烯酸酯与(甲基)丙烯酸的共聚物在分子内脱醇环化缩合而获得。
上述通式(2)中，R4及R5分别独立为氢原子或甲基。
作为上述戊二酰亚胺结构，例如可列举下述通式(3)所表示的戊二酰亚胺结构。戊二酰亚胺结构例如可通过甲基胺等酰亚胺化剂将(甲基)丙烯酸酯聚合物进行酰亚胺化而获得。
上述通式(3)中，R6及R7分别独立为氢原子或者碳数为1～8的直链状或支链状的烷基，优选为氢原子或甲基。R8是氢原子、碳数为1～18的直链烷基、碳数为3～12的环烷基或碳数为6～10的芳基，优选碳数为1～6的直链烷基、环戊基、环己基或苯基。
在一个实施方式中，上述丙烯酸系树脂具有下述通式(4)所表示的戊二酰亚胺结构及甲基丙烯酸甲酯单元。
上述通式(4)中，R9～R12分别独立为氢原子或者碳数为1～8的直链状或支链状的烷基。R13是碳数为1～18的直链状或者支链状的烷基、碳数为3～12的环烷基、或碳数为6～10的芳基。
作为上述N-取代马来酰亚胺结构，例如可列举下述通式(5)所表示的N-取代马来酰亚胺结构。主链具有N-取代马来酰亚胺结构的丙烯酸系树脂例如可使N-取代马来酰亚胺与(甲基)丙烯酸酯共聚而获得。
上述通式(5)中，R14及R15分别独立为氢原子或甲基，R16是氢原子、碳数为1～6的直链烷基、环戊基、环己基或苯基。
作为上述马来酸酐结构，例如可列举下述通式(6)所表示的马来酸酐结构。主链具有马来酸酐结构的丙烯酸系树脂例如可使马来酸酐与(甲基)丙烯酸酯共聚而获得。
上述通式(6)中，R17及R18分别独立为氢原子或甲基。
上述丙烯酸系树脂可具有其它结构单元。作为其它结构单元，例如可列举源自如下单体的结构单元：苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯、丙烯腈、甲基乙烯基酮、乙烯、丙烯、乙酸乙烯酯、甲基烯丙醇、烯丙醇、2-羟基甲基-1-丁烯、α-羟基甲基苯乙烯、α-羟基乙基苯乙烯、2-(羟基乙基)丙烯酸甲酯等2-(羟基烷基)丙烯酸酯、丙烯酸-2-羟基乙基酯等丙烯酸-2-羟基烷基酯等。
作为上述丙烯酸系树脂的具体例子，除上述中例示的丙烯酸系树脂以外，还可列举：日本特开2004-168882号公报、日本特开2007-261265号公报、日本特开2007-262399号公报、日本特开2007-297615号公报、日本特开2009-039935号公报、日本特开2009-052021号公报、日本特开2010-284840号公报中记载的丙烯酸系树脂。
构成上述透明基材的材料的玻璃化转变温度优选为100℃～200℃，更优选为110℃～150℃，特别优选为110℃～140℃。如果为这种范围，则可获得耐热性优良的透明导电性膜。
上述透明基材可根据需要进一步包含任意的适合的添加剂。作为添加剂的具体例子，可列举：增塑剂、热稳定剂、光稳定剂、润滑剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂、阻燃剂、着色剂、抗静电剂、相容化剂、交联剂及增稠剂等。所使用的添加剂的种类及量可根据目的适当设定。
作为获得上述透明基材的方法，可使用任意的适合的成型加工法，例如可自压缩成型法、转移成型法、注塑成型法、挤出成型法、吹塑成型法、粉末成型法、FRP成型法及溶剂流延法等中适当选择适合的方法。这些制法中，优选使用挤出成型法或溶剂流延法。其原因在于，可提高所获得的透明基材的平滑性，获得良好的光学均匀性。成型条件可根据所使用的树脂的组成或种类等适当设定。
可根据需要对上述透明基材进行各种表面处理。对于表面处理，根据目的采用任意的适合的方法。例如可列举低压等离子处理、紫外线照射处理、电晕处理、火焰处理、酸或碱处理。在一个实施方式中，对透明基材进行表面处理而使透明基材表面亲水化。如果使透明基材亲水化，则涂布通过水系溶剂制备的透明导电层形成用组合物时的加工性优良。另外，可获得透明基材与透明导电层的密合性优良的透明导电性膜。
C.透明导电层
上述透明导电层包含金属纳米线或金属网。
(金属纳米线)
金属纳米线是指材质为金属、形状为针状或线状、直径为纳米尺寸的导电性物质。金属纳米线可为直线状，也可为曲线状。如果使用由金属纳米线构成的透明导电层，则通过使金属纳米线成为网状，从而即便为少量金属纳米线，也可形成良好的导电路径，可获得电阻小的透明导电性膜。进而，通过使金属纳米线成为网状，可在网目的间隙形成开口部，从而获得透光率高的透明导电性膜。
上述金属纳米线的粗度d与长度L的比(纵横比：L/d)优选为10～100,000，更优选为50～100,000，特别优选为100～10,000。如果使用如上所述那样纵横比大的金属纳米线，则金属纳米线良好地交叉，可通过少量金属纳米线表现出高的导电性。其结果，可获得透光率高的透明导电性膜。另外，在本说明书中，所谓的“金属纳米线的粗度”，在金属纳米线的截面为圆状的情况下是指其直径，在为椭圆状的情况下是指其短径，在为多边形的情况下是指最长的对角线。金属纳米线的粗度及长度可通过扫描式电子显微镜或透射式电子显微镜来确认。
上述金属纳米线的粗度优选为小于500nm，更优选为小于200nm，特别优选为10nm～100nm，最优选为10nm～50nm。如果为这种范围，则可形成透光率高的透明导电层。
上述金属纳米线的长度优选为2.5μm～1000μm，更优选为10μm～500μm，特别优选为20μm～100μm。如果为这种范围，则可获得导电性高的透明导电性膜。
作为构成上述金属纳米线的金属，只要为导电性高的金属，则可使用任意的适合的金属。作为构成上述金属纳米线的金属，例如可列举银、金、铜、镍等。另外，可使用对这些金属进行镀覆处理(例如镀金处理)而成的材料。其中，从导电性的观点来看，优选为银、铜或金，更优选为银。
作为上述金属纳米线的制造方法，可采用任意的适合的方法。例如可列举：在溶液中还原硝酸银的方法；自探针的尖端部使施加电压或电流作用于前体表面，利用探针尖端部拉出金属纳米线，连续地形成该金属纳米线的方法等。在溶液中还原硝酸银的方法中，通过在乙二醇等多元醇及聚乙烯吡咯啶酮的存在下进行硝酸银等银盐的液相还原，可合成银纳米线。均匀尺寸的银纳米线例如可依据Xia,Y.etal.,Chem.Mater.(2002),14,4736-4745、Xia,Y.etal.,Nano letters(2003)3(7),955-960中记载的方法大量生产。
上述透明导电层可通过在上述透明基材上涂布包含上述金属纳米线的透明导电层形成用组合物而形成。更具体而言，可将使上述金属纳米线分散在溶剂中而成的分散液(透明导电层形成用组合物)涂布在上述透明基材上后，使涂布层干燥，从而形成透明导电层。
作为上述溶剂，可列举水、醇系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、烃系溶剂、芳香族系溶剂等。从减轻环境负荷的观点来看，优选使用水。
包含上述金属纳米线的透明导电层形成用组合物中的金属纳米线的分散浓度优选为0.1重量％～1重量％。如果为这种范围，则可形成导电性及透光性优良的透明导电层。
包含上述金属纳米线的透明导电层形成用组合物可根据目的进一步含有任意的适合的添加剂。作为上述添加剂，例如可列举防止金属纳米线的腐蚀的防腐蚀材料、防止金属纳米线的凝集的表面活性剂等。所使用的添加剂的种类、数及量可根据目的适当设定。另外，只要能获得本发明的效果，则该透明导电层形成用组合物可根据需要包含任意的适合的粘合剂树脂。
作为包含上述金属纳米线的透明导电层形成用组合物的涂布方法，可采用任意的适合的方法。作为涂布方法，例如可列举：喷涂、棒式涂布、辊式涂布、模具涂布、喷墨涂布、网版涂布、浸渍涂布、凸版印刷法、凹版印刷法、照相(gravure)印刷法等。作为涂布层的干燥方法，可采用任意的适合的干燥方法(例如自然干燥、送风干燥、加热干燥)。例如，在加热干燥的情况下，干燥温度代表性地为100℃～200℃，干燥时间代表性地为1～10分钟。
在上述透明导电层包含金属纳米线的情况下，该透明导电层的厚度优选为0.01μm～10μm，更优选为0.05μm～3μm，特别优选为0.1μm～1μm。如果为这种范围，则可获得导电性及透光性优良的透明导电性膜。
在上述透明导电层包含金属纳米线的情况下，该透明导电层的总光线透过率优选为85％以上，更优选为90％以上，进一步优选为95％以上。
上述透明导电层中的金属纳米线的含有比率相对于透明导电层的总重量优选为80重量％～100重量％，更优选为85重量％～99重量％。如果为这种范围，则可获得导电性及透光性优良的透明导电性膜。
在上述金属纳米线为银纳米线的情况下，透明导电层的密度优选为1.3g/cm3～10.5g/cm3，更优选为1.5g/cm3～3.0g/cm3。如果为这种范围，则可获得导电性及透光性优良的透明导电性膜。
(金属网)
包含金属网的透明导电层是金属细线在上述透明基材上形成为格子状的图案而成的。包含金属网的透明导电层可通过任意的适合的方法来形成。该透明导电层例如可通过将包含银盐的感光性组合物(透明导电层形成用组合物)涂布在上述层叠体上、之后进行曝光处理及显影处理、使金属细线形成为规定的图案而获得。另外，该透明导电层还可将包含金属微粒子的糊料(透明导电层形成用组合物)印刷成规定的图案而获得。这种透明导电层及其形成方法的详细情况例如记载在日本特开2012-18634号公报中，将该记载作为参考引用至本说明书中。另外，作为由属网构成的透明导电层及其形成方法的另一个例子，可列举日本特开2003-331654号公报中记载的透明导电层及其形成方法。
在上述透明导电层包含金属网的情况下，该透明导电层的厚度优选为0.1μm～30μm，更优选为0.1μm～9μm，进一步优选为1μm～3μm。
在上述透明导电层包含金属网的情况下，该透明导电层的透过率优选为80％以上，更优选为85％以上，进一步优选为90％以上。
在将上述透明导电性膜用于触控面板等的电极的情况下，上述透明导电层可布图成规定的图案。透明导电层的图案的形状只要是作为触控面板(例如静电电容方式触控面板)良好地动作的图案，则并无特别限定，例如可列举日本特表2011-511357号公报、日本特开2010-164938号公报、日本特开2008-310550号公报、日本特表2003-511799号公报、日本特表2010-541109号公报中记载的图案。透明导电层形成于透明基材上之后，可使用公知的方法进行布图。
D.其它层
上述透明导电性膜可根据需要具备任意的适合的其它层。作为上述其它层，例如可列举硬涂层、抗静电层、防眩层、抗反射层、滤色器层等。
上述硬涂层具有对上述透明基材赋予耐化学品性、耐擦伤性及表面平滑性的功能。
作为构成上述硬涂层的材料，可采用任意的适合的物质。作为构成上述硬涂层的材料，例如可列举环氧系树脂、丙烯酸系树脂、硅酮系树脂及它们的混合物。其中，优选为耐热性优良的环氧系树脂。上述硬涂层可通过热或活性能量线使这些树脂固化而获得。
E.用途
上述透明导电性膜可用于显示元件等电子设备。更具体而言，透明导电性膜例如可用作触控面板等所使用的电极、遮断成为电子设备的误动作的原因的电磁波的电磁波屏蔽构件等。
在一个实施方式中，可将上述透明导电性膜与液晶面板组合，从而提供液晶显示元件。优选为该液晶显示元件自可视侧起依次具备上述透明导电性膜及液晶面板。
作为具备上述透明导电性膜的液晶显示元件的更具体的一个例子，可列举图2的概略截面图所示的液晶显示元件。该液晶显示元件100自可视侧起依次具备包含本发明的透明导电性膜作为电极的触控面板110及液晶面板120。作为触控面板，可使用任意的适合的触控面板，例如可列举电阻膜型触控面板、静电电容型触控面板等。在一个实施方式中，如图例示，可使用具有2片透明导电性膜10及配置在2片透明导电性膜10之间的隔板11的触控面板(电阻膜型触控面板)。另外，在使用静电电容型触控面板的情况下，本发明的导电性膜的透明导电层如上述E项所说明的那样可布图成规定的图案。作为液晶面板，可使用任意的适合的液晶面板。代表性地，如图例示，可使用具有2片偏振片20及配置在2片偏振片之间的液晶单元21的液晶面板。作为偏振片及液晶单元，可使用任意适合者。另外，上述触控面板及液晶面板可进一步具备任意的适合的其它构件。
作为具备上述透明导电性膜的液晶显示元件的另一具体例子，可列举图3的概略截面图所示的液晶显示元件。该液晶显示元件100'自可视侧起依次具备触控面板110'、由本发明的透明导电性膜10构成的电磁波屏蔽构件130及液晶面板120。
在图3所示的实施方式中，作为触控面板110'，可使用任意的适合的触控面板。例如可列举电阻膜型触控面板、静电电容型触控面板等。另外，作为用于触控面板110'的电极，可使用任意的适合的电极。例如，在一个实施方式中，使用本发明的透明导电性膜作为电极，在另一个实施方式中，使用ITO电极。在触控面板110'为静电电容型触控面板的情况下，电极可布图成任意的适合的图案。电极的图案的形状例如可列举日本特表2011-511357号公报、日本特开2010-164938号公报、日本特开2008-310550号公报、日本特表2003-511799号公报、日本特表2010-541109号公报中记载的图案。另外，可在电磁波屏蔽构件130的可视侧配置其它构件(例如保护片材)代替触控面板。
在另一个实施方式中，可将上述透明导电性膜、偏振片及有机电致发光元件组合，从而提供一种有机电致发光显示装置。优选该有机电致发光显示装置自可视侧起依次具备上述透明导电性膜、偏振片及有机电致发光元件。
作为具备上述透明导电性膜的有机电致发光显示装置的更具体的一个例子，可列举图4的概略截面图所示的有机电致发光显示装置。该有机电致发光显示装置200自可视侧起依次具备包含本发明的透明导电性膜作为电极的触控面板110、偏振片20及有机电致发光元件30。作为触控面板，可使用任意的适合的触控面板，例如可列举电阻膜型触控面板、静电电容型触控面板等。在一个实施方式中，如图例示，可使用具有2片透明导电性膜10及配置在2片透明导电性膜10之间的隔板11的触控面板(电阻膜型触控面板)。另外，在使用静电电容型触控面板的情况下，本发明的导电性膜的透明导电层如上述E项所说明的那样可布图成规定的图案。作为偏振片及有机电致发光元件，可使用任意适合者。另外，上述有机电致发光显示装置可进一步具备任意的适合的其它构件。
作为具备上述透明导电性膜的有机电致发光显示装置的另一具体例子，可列举图5的概略图所示的有机电致发光显示装置。该有机电致发光显示装置200'自可视侧起依次具备触控面板110'、由本发明的透明导电性膜10构成的电磁波屏蔽构件130、偏振片20及有机电致发光元件30。
在图5所示的实施方式中，作为触控面板110'，可使用任意的适合的触控面板。例如，可使用如图3中所说明的触控面板。另外，该触控面板可包含如图3中所说明的电极。另外，可在电磁波屏蔽构件130的可视侧配置其它构件(例如保护片材)代替触控面板。
实施例
以下通过实施例具体地说明本发明，但本发明并不受这些实施例的任何限定。实施例中的评价方法如下所述。另外，厚度是使用尾崎制作所制造的PEACOCK精密测定设备：数字计无线型“DG-205”进行测定。
(1)相位差值
使用王子计测机器公司制造的商品名“KOBRA-WRP”测定透明基材层的相位差值。将测定温度设为23℃，将测定波长设为545.6nm。
(2)表面电阻值
使用Mitsubishi Chemical Analytech公司制造的商品名“Loresta-GPMCP-T610”，通过四端子法测定所获得的透明导电性膜的表面电阻值。将测定温度设为23℃。
(3)总光线透过率
使用村上色彩研究所制造的商品名“HR-100”，在室温下测定所获得的透明导电性膜的总光线透过率。另外，分别各测定3次，将平均值作为测定值。
(4)虹斑观察
在偏振片(日东电工公司制造，商品名“NPF-SEG1425DU”)上，以该偏振片的吸收轴与透明基材的慢轴垂直的方式贴合透明导电性膜。将所获得的层叠体配置在背光源上，自相对于透明基材的慢轴方向倾斜45°的角度观察有无虹斑的产生。
(制造例1)金属纳米线的合成及透明导电层形成用组合物的制备
在具备搅拌装置的反应容器中，在160℃下添加5ml的无水乙二醇、0.5ml的PtCl2的无水乙二醇溶液(浓度：1.5×10-4mol/L)。经过4分钟后，在所获得的溶液中，用6分钟的时间同时滴加2.5ml的AgNO3的无水乙二醇溶液(浓度：0.12mol/l)及5ml的聚乙烯吡咯啶酮(MW：5500)的无水乙二醇溶液(浓度：0.36mol/l)，从而生成银纳米线。该滴加是在160℃下进行直至AgNO3被完全地还原。接着，在如上述方式获得的包含银纳米线的反应混合物中，添加丙酮直至该反应混合物的体积变为5倍之后，对该反应混合物进行离心分离(2000rpm，20分钟)，从而获得银纳米线。
所获得的银纳米线的短径为30nm～40nm，长径为30nm～50nm，长度为20μm～50μm。
使该银纳米线(浓度：0.2重量％)及十二烷基-五乙二醇(浓度：0.1重量％)分散在纯水中，制备了透明导电层形成用组合物。
(实施例1)
使用降冰片烯系环烯烃膜(日本ZEON公司制造，商品名“ZEONORZF14”，厚度：40μm)作为透明基材。将该降冰片烯系环烯烃膜的厚度方向的相位差Rth及面内相位差Re示于表1。
对该降冰片烯系环烯烃膜进行电晕处理，使表面亲水化。之后，使用棒式涂布机(第一理科公司制造，制品名“Bar Coater No.06”)，涂布制造例1中制备的透明导电层形成用组合物，之后，在送风干燥机内，在120℃下干燥2分钟，从而获得在透明基材上形成有透明导电层(0.1μm)的透明导电性膜。
将所获得的透明导电性膜供至上述(2)～(4)的评价。将结果示于表1。
(实施例2)
使用丙烯酸系聚合物膜(Kaneka公司制造，商品名“HX-40UC”)代替降冰片烯系环烯烃膜，除此以外，与实施例1同样地获得透明导电性膜。将所使用的丙烯酸系聚合物膜及所获得的透明导电性膜供至上述(1)～(4)的评价。将结果示于表1。
(实施例3)
对实施例1中使用的降冰片烯系环烯烃膜进行电晕处理，使表面亲水化。之后，使用银糊料(TOYOCHEM株式会社制造，商品名“RA FS 039”)，利用网版印刷法形成金属网(线宽：100μm，间距为1.5mm的格子)，在120℃下烧结10分钟，获得透明导电性膜。
将所获得的透明导电性膜供至上述(2)～(4)的评价。将结果示于表1。
(比较例1)
使用PET膜(三菱树脂公司制造，商品名“DIAFOIL T602”)代替降冰片烯系环烯烃膜，除此以外，与实施例1同样地获得透明导电性膜。将所使用的PET膜及所获得的透明导电性膜供至上述(1)～(4)的评价。将结果示于表1。
表1
根据表1可知，本发明的透明导电性膜的透光率及导电性高，且可抑制虹状的斑纹的产生。
产业上的利用可能性
本发明的透明导电性膜可用于显示元件等电子设备。更具体而言，透明导电性膜例如可用作触控面板等所使用的电极、电磁波屏蔽构件。
符号说明
1 透明基材
2 透明导电层
10 透明导电性膜
11 隔板
20 偏振片
21 液晶单元
30 有机电致发光元件
100 液晶显示元件
200 有机电致发光显示装置

Claims (14)

1.一种透明导电性膜，其是具有透明基材及形成于该透明基材上的透明导电层、且总光线透过率为80％以上的透明导电性膜；其中，
所述透明基材的厚度方向的相位差的绝对值为100nm以下；
所述透明导电层包含金属纳米线或金属网。
2.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其中，所述透明基材的厚度方向的相位差为50nm以下。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电性膜，其中，所述透明基材的面内相位差为10nm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的透明导电性膜，其中，所述透明基材包含环烯烃系树脂。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的透明导电性膜，其中，所述透明基材包含丙烯酸系树脂。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的透明导电性膜，其中，所述金属纳米线为银纳米线。
7.一种触控面板，其包含权利要求1至6中任一项所述的透明导电性膜。
8.一种电磁波屏蔽构件，其包含权利要求1至6中任一项所述的透明导电性膜。
9.一种液晶显示元件，其具备权利要求7所述的触控面板。
10.根据权利要求9所述的液晶显示元件，其进一步具备权利要求8所述的电磁波屏蔽构件。
11.一种液晶显示元件，其具备权利要求8所述的电磁波屏蔽构件。
12.一种有机电致发光显示装置，其自可视侧起依次具备权利要求7所述的触控面板、偏振片及有机电致发光元件。
13.根据权利要求12所述的有机电致发光显示装置，其在权利要求7所述的触控面板与所述偏振片之间进一步具备权利要求8所述的电磁波屏蔽构件。
14.一种有机电致发光显示装置，其自可视侧起依次具备权利要求8所述的电磁波屏蔽构件、偏振片及有机电致发光元件。
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