JP2015232647A - 積層体および画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】画像表示装置に用いられ得る積層体であって、金属ナノワイヤまたは金属メッシュを含みながらも、外光の反射散乱が抑制された積層体を提供すること。【解決手段】本発明の積層体は、円偏光板と透明導電性フィルムとを備え、該円偏光板が、偏光子と、第1の位相差層と、第2の位相差層とを有し、該第1の位相差層がnx>ny≧nzの屈折率特性を示し、該第2の位相差層がnz>nx≧nyの屈折率特性を示し、該第1の位相差層と該第2の位相差層とから構成される積層位相差フィルムの面内位相差Re(550)が120nm〜160nmで、厚み方向の位相差Rth(550)が40nm〜100nmであり、該透明導電性フィルムが、透明基材と、該透明基材の少なくとも片側に配置された透明導電性層とを有し、該透明基材の面内位相差Reが、1nm〜100nmであり、該透明導電性層が、金属ナノワイヤまたは金属メッシュを含む。【選択図】図1
Description
本発明は、積層体および画像表示装置に関する。
従来、タッチセンサーを有する画像表示装置において、タッチセンサーの電極として、透明樹脂フィルム上にITO(インジウム・スズ複合酸化物)などの金属酸化物層を形成して得られる透明導電性フィルムが多用されている。しかし、この金属酸化物層を備える透明導電性フィルムは、屈曲により導電性が失われやすく、フレキシブルディスプレイなどの屈曲性が必要とされる用途には使用しがたいという問題がある。
一方、屈曲性の高い透明導電性フィルムとして、金属ナノワイヤまたは金属メッシュを含む透明導電性フィルムが知られている。しかし、該透明導電性フィルムは、金属ナノワイヤ等により外光が反射散乱する問題がある。このような透明導電性フィルムを画像表示装置に用いると、金属ナノワイヤ等のパターンが視認され、また、コントラストが低下し、表示特性が劣るという問題がある。
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、画像表示装置に用いられ得る積層体であって、金属ナノワイヤまたは金属メッシュを含みながらも、外光の反射散乱が抑制された積層体を提供することにある。
本発明の積層体は、円偏光板と、透明導電性フィルムとを備え、該円偏光板が、透明導電性フィルムとは反対側の面から順に、偏光子と、第1の位相差層と、第2の位相差層とを有し、該第1の位相差層が、nx>ny≧nzの屈折率特性を示し、該第2の位相差層が、nz>nx≧nyの屈折率特性を示し、該第1の位相差層と該第2の位相差層とから構成される積層位相差フィルムの面内位相差Re(550)が120nm〜160nmで、厚み方向の位相差Rth(550)が40nm〜100nmであり、該透明導電性フィルムが、透明基材と、該透明基材の少なくとも片側に配置された透明導電性層とを有し、該透明基材の面内位相差Reが、1nm〜100nmであり、該透明導電性層が、金属ナノワイヤまたは金属メッシュを含む。
1つの実施形態においては、上記積層位相差フィルムが、第1の位相差層および第2の位相差層以外の光学異方性層を含まない。
1つの実施形態においては、上記第1の位相差層の面内位相差が、Re(450)<Re(550)の関係を満たす。
1つの実施形態においては、上記第1の位相差層の吸水率が、3%以下である。
1つの実施形態においては、上記第1の位相差層が、斜め延伸により得られる。
1つの実施形態においては、上記透明導電性層がパターン化されている。
1つの実施形態においては、上記金属ナノワイヤが、金、白金、銀および銅からなる群より選ばれた1種以上の金属により構成される。
本発明の別の局面によれば、画像表示装置が提供される。この画像表示装置は、視認側から順に、上記積層体と、金属製の反射体とを備える。
1つの実施形態においては、上記画像表示装置における円偏光板および透明導電性フィルムの積層部分において、拡散反射率が90%以上低減されている。
1つの実施形態においては、上記積層位相差フィルムが、第1の位相差層および第2の位相差層以外の光学異方性層を含まない。
1つの実施形態においては、上記第1の位相差層の面内位相差が、Re(450)<Re(550)の関係を満たす。
1つの実施形態においては、上記第1の位相差層の吸水率が、3%以下である。
1つの実施形態においては、上記第1の位相差層が、斜め延伸により得られる。
1つの実施形態においては、上記透明導電性層がパターン化されている。
1つの実施形態においては、上記金属ナノワイヤが、金、白金、銀および銅からなる群より選ばれた1種以上の金属により構成される。
本発明の別の局面によれば、画像表示装置が提供される。この画像表示装置は、視認側から順に、上記積層体と、金属製の反射体とを備える。
1つの実施形態においては、上記画像表示装置における円偏光板および透明導電性フィルムの積層部分において、拡散反射率が90%以上低減されている。
本発明の積層体は、第1の位相差層(nx>ny≧nz)と第2の位相差層(nz>nx≧ny)とを有する円偏光板と、金属ナノワイヤまたは金属メッシュを含む透明導電性フィルムとを備える。本発明の積層体を用いれば、外光が透明導電性フィルムに反射して生じた反射光の出射を抑制することができる。該反射光の出射が抑制されるため、金属ナノワイヤまたは金属メッシュを含む透明導電性フィルムを用いても、導電パターン(すなわち金属ナノワイヤまたは金属メッシュのパターン)が認識され難く、かつ、コントラストの高い画像表示装置を得ることができる。
(用語および記号の定義)
本明細書における用語および記号の定義は下記の通りである。
(1)屈折率(nx、ny、nz)
「nx」は面内の屈折率が最大になる方向(すなわち、遅相軸方向)の屈折率であり、「ny」は面内で遅相軸と直交する方向(すなわち、進相軸方向)の屈折率であり、「nz」は厚み方向の屈折率である。
(2)面内位相差(Re)
「Re(550)」は、23℃における波長550nmの光で測定した面内位相差である。Re(550)は、層(フィルム)の厚みをd(nm)としたとき、式:Re=(nx−ny)×dによって求められる。なお、「Re(450)」は、23℃における波長450nmの光で測定した面内位相差である。
(3)厚み方向の位相差(Rth)
「Rth(550)」は、23℃における波長550nmの光で測定した厚み方向の位相差である。Rth(550)は、層(フィルム)の厚みをd(nm)としたとき、式:Rth=(nx−nz)×dによって求められる。なお、「Rth(450)」は、23℃における波長450nmの光で測定した厚み方向の位相差である。
(4)Nz係数
Nz係数は、Nz=Rth/Reによって求められる。
本明細書における用語および記号の定義は下記の通りである。
(1)屈折率(nx、ny、nz)
「nx」は面内の屈折率が最大になる方向(すなわち、遅相軸方向)の屈折率であり、「ny」は面内で遅相軸と直交する方向(すなわち、進相軸方向)の屈折率であり、「nz」は厚み方向の屈折率である。
(2)面内位相差(Re)
「Re(550)」は、23℃における波長550nmの光で測定した面内位相差である。Re(550)は、層(フィルム)の厚みをd(nm)としたとき、式:Re=(nx−ny)×dによって求められる。なお、「Re(450)」は、23℃における波長450nmの光で測定した面内位相差である。
(3)厚み方向の位相差(Rth)
「Rth(550)」は、23℃における波長550nmの光で測定した厚み方向の位相差である。Rth(550)は、層(フィルム)の厚みをd(nm)としたとき、式:Rth=(nx−nz)×dによって求められる。なお、「Rth(450)」は、23℃における波長450nmの光で測定した厚み方向の位相差である。
(4)Nz係数
Nz係数は、Nz=Rth/Reによって求められる。
A.積層体の全体構成
図1は、本発明の好ましい実施形態による積層体の概略断面図である。この積層体100は、円偏光板10と、円偏光板10の片側に配置された透明導電性フィルム20とを備える。円偏光板10は、透明導電性フィルム20とは反対側の面から順に、偏光子11と、第1の位相差層12と、第2の位相差層13とを有する。第1の位相差層12は、nx>ny≧nzの屈折率特性を示す。第2の位相差層は、nz>nx≧nyの屈折率特性を示す。透明導電性フィルム20は、透明基材21と、透明基材21の少なくとも片側に配置された透明導電性層22とを有する。透明基材の片側に透明導電性層が配置される場合、該透明導電性層は、透明基材の円偏光板10側に配置されてもよく、円偏光板10とは反対側に配置されていてもよい。好ましくは、図1に示すように、透明導電性層22は、透明基材21の円偏光板10側に配置される。透明導電性層22は、金属ナノワイヤ1を含む。本実施形態における透明導電性フィルム20は、金属ナノワイヤ1を含む透明導電性層22から構成されるため、耐屈曲性に優れ、屈曲しても導電性が失われ難い。1つの実施形態においては、図1に示すように、金属ナノワイヤ1は保護層2により保護され得る。なお、透明導電性フィルム20と円偏光板10と、および、第1の位相差層12と偏光子11および第2の位相差層12とは、任意の適切な粘着剤または接着剤を介して貼り合わされ得る(図示せず)。本発明の積層体は、画像表示装置の部材(例えば、タッチパネルの電極、電磁波シールド)として用いられ得る。該積層体は、円偏光板側を視認側として、配置され得る。すなわち、該積層体が画像表示装置に適用される場合、視認側から順に、円偏光板10と、透明導電性フィルム20が配置され、また、視認側から順に、偏光子11と、第1の位相差層12と、第2の位相差層13とが配置される。
図1は、本発明の好ましい実施形態による積層体の概略断面図である。この積層体100は、円偏光板10と、円偏光板10の片側に配置された透明導電性フィルム20とを備える。円偏光板10は、透明導電性フィルム20とは反対側の面から順に、偏光子11と、第1の位相差層12と、第2の位相差層13とを有する。第1の位相差層12は、nx>ny≧nzの屈折率特性を示す。第2の位相差層は、nz>nx≧nyの屈折率特性を示す。透明導電性フィルム20は、透明基材21と、透明基材21の少なくとも片側に配置された透明導電性層22とを有する。透明基材の片側に透明導電性層が配置される場合、該透明導電性層は、透明基材の円偏光板10側に配置されてもよく、円偏光板10とは反対側に配置されていてもよい。好ましくは、図1に示すように、透明導電性層22は、透明基材21の円偏光板10側に配置される。透明導電性層22は、金属ナノワイヤ1を含む。本実施形態における透明導電性フィルム20は、金属ナノワイヤ1を含む透明導電性層22から構成されるため、耐屈曲性に優れ、屈曲しても導電性が失われ難い。1つの実施形態においては、図1に示すように、金属ナノワイヤ1は保護層2により保護され得る。なお、透明導電性フィルム20と円偏光板10と、および、第1の位相差層12と偏光子11および第2の位相差層12とは、任意の適切な粘着剤または接着剤を介して貼り合わされ得る(図示せず)。本発明の積層体は、画像表示装置の部材(例えば、タッチパネルの電極、電磁波シールド)として用いられ得る。該積層体は、円偏光板側を視認側として、配置され得る。すなわち、該積層体が画像表示装置に適用される場合、視認側から順に、円偏光板10と、透明導電性フィルム20が配置され、また、視認側から順に、偏光子11と、第1の位相差層12と、第2の位相差層13とが配置される。
上記透明導電性層は、上記金属ナノワイヤに代えて、あるいは上記金属ナノワイヤと併用して、金属メッシュを含んでいてもよい。金属メッシュの詳細については後述する。
本発明の積層体は、透明導電性フィルムよりも視認側に円偏光板を備えることにより、(i)円偏光板に入射した外光(自然光)が、円偏光に変換され、(ii)該円偏光が透明導電性フィルムの金属ナノワイヤまたは金属メッシュで反射し、該反射光においては円偏光状態が反転し、(iii)該反射光(反転した円偏光)は、円偏光板を透過しない(すなわち、吸収される)ので、反射した外光が積層体から出射することを防止することができる。上記円偏光板は、第1の位相差層と第2の位相差層とを有し、該第2の位相差層の存在により、上記反射光を吸収する効果の角度依存性が低減する。このような円偏光板を用いることにより、金属ナノワイヤまたは金属メッシュから様々な角度で反射した反射光に対して、その出射を防止することができる。また、本発明の積層体を画像表示装置に適用し、透明導電性フィルムを下にして該積層体を反射体上に配置する場合には、透明導電性フィルムを透過した円偏光が該反射体で反射するが、透明導電性フィルムを構成する透明基材として、面内位相差Reが小さい透明基材を用いることにより、透明導電性フィルムを透過する光の円偏光状態が実質的に解消されず、反射光の出射が顕著に抑制され得る。このように外光反射が低減された結果、導電パターン(すなわち金属ナノワイヤまたは金属メッシュのパターン)が認識され難い積層体が得られる。また、該積層体を用いれば、コントラストの高い表示装置を得ることができる。
B.円偏光板
上記円偏光板は、上記のとおり、偏光子と、第1の位相差層と、第2の位相差層とを有する。実用的には、偏光子の少なくとも片側において該偏光子を保護する保護フィルムを有し得る。偏光子と保護フィルムとは、任意の適切な接着剤または粘着剤を介して積層され得る。
上記円偏光板は、上記のとおり、偏光子と、第1の位相差層と、第2の位相差層とを有する。実用的には、偏光子の少なくとも片側において該偏光子を保護する保護フィルムを有し得る。偏光子と保護フィルムとは、任意の適切な接着剤または粘着剤を介して積層され得る。
好ましくは、上記円偏光板は、該円偏光板の遅相軸(実質的には、第1の位相差層と第2の位相差層とから構成される積層位相差フィルムの遅相軸)と上記偏光子の吸収軸とのなす角度が、実質的に45°(例えば、40°〜50°)となるようにして配置される。
B−1.偏光子および保護フィルム
上記偏光子としては、任意の適切な偏光子が用いられる。例えば、ポリビニルアルコール系フィルム、部分ホルマール化ポリビニルアルコール系フィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体系部分ケン化フィルム等の親水性高分子フィルムに、ヨウ素や二色性染料等の二色性物質を吸着させて一軸延伸したもの、ポリビニルアルコールの脱水処理物やポリ塩化ビニルの脱塩酸処理物等ポリエン系配向フィルム等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素などの二色性物質を吸着させて一軸延伸した偏光子が、偏光二色比が高く、特に好ましい。偏光子の厚みは、好ましくは、0.5μm〜80μmである。
上記偏光子としては、任意の適切な偏光子が用いられる。例えば、ポリビニルアルコール系フィルム、部分ホルマール化ポリビニルアルコール系フィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体系部分ケン化フィルム等の親水性高分子フィルムに、ヨウ素や二色性染料等の二色性物質を吸着させて一軸延伸したもの、ポリビニルアルコールの脱水処理物やポリ塩化ビニルの脱塩酸処理物等ポリエン系配向フィルム等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素などの二色性物質を吸着させて一軸延伸した偏光子が、偏光二色比が高く、特に好ましい。偏光子の厚みは、好ましくは、0.5μm〜80μmである。
ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素を吸着させて一軸延伸した偏光子は、代表的には、ポリビニルアルコールをヨウ素の水溶液に浸漬することによって染色し、元長の3〜7倍に延伸することで作製される。延伸は染色した後に行ってもよいし、染色しながら延伸してもよいし、延伸してから染色してもよい。延伸、染色以外にも、例えば、膨潤、架橋、調整、水洗、乾燥等の処理が施されて作製される。
上記保護フィルムとしては、任意の適切なフィルムが用いられる。このようなフィルムの主成分となる材料の具体例としては、トリアセチルセルロース(TAC)等のセルロース系樹脂や、(メタ)アクリル系、ポリエステル系、ポリビニルアルコール系、ポリカーボネート系、ポリアミド系、ポリイミド系、ポリエーテルスルホン系、ポリスルホン系、ポリスチレン系、ポリノルボルネン系、ポリオレフィン系、アセテート系等の透明樹脂等が挙げられる。また、アクリル系、ウレタン系、アクリルウレタン系、エポキシ系、シリコーン系等の熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂等も挙げられる。この他にも、例えば、シロキサン系ポリマー等のガラス質系ポリマーも挙げられる。また、特開2001−343529号公報(WO01/37007)に記載のポリマーフィルムも使用できる。このフィルムの材料としては、例えば、側鎖に置換または非置換のイミド基を有する熱可塑性樹脂と、側鎖に置換または非置換のフェニル基ならびにニトリル基を有する熱可塑性樹脂を含有する樹脂組成物が使用でき、例えば、イソブテンとN−メチルマレイミドからなる交互共重合体と、アクリロニトリル・スチレン共重合体とを有する樹脂組成物が挙げられる。上記ポリマーフィルムは、例えば、上記樹脂組成物の押出成形物であり得る。
B−2.第1の位相差層
上記第1の位相差層は、上記のとおり、屈折率特性がnx>ny≧nzの関係を示す。第1の位相差層の面内位相差Re(550)は、好ましくは80nm〜200nm、より好ましくは100nm〜180nm、さらに好ましくは110nm〜170nmである。
上記第1の位相差層は、上記のとおり、屈折率特性がnx>ny≧nzの関係を示す。第1の位相差層の面内位相差Re(550)は、好ましくは80nm〜200nm、より好ましくは100nm〜180nm、さらに好ましくは110nm〜170nmである。
上記偏光子と第1の位相差層とは、偏光子の吸収軸と第1の位相差層の遅相軸とが所定の角度をなすように積層される。偏光子の吸収軸と第1の位相差層の遅相軸とのなす角度θは、好ましくは35°≦θ≦55°の関係を満たし、より好ましくは38°≦θ≦52°、さらに好ましくは39°≦θ≦51°である。このような範囲であれば、入射光の円偏光への変換(上記(i))、反射光の吸収(上記(ii)、(iii))が有効に行われ、反射した外光が積層体から出射することを防止することができる。
1つの実施形態においては、第1の位相差層は、いわゆる逆分散の波長依存性を示す。具体的には、本実施形態において第1の位相差層の面内位相差は、Re(450)<Re(550)の関係を満たす。このような関係を満たすことにより、優れた反射色相を達成することができる。Re(450)/Re(550)は、好ましくは0.8以上1未満であり、より好ましくは0.8以上0.95以下である。
上記第1の位相差層のNz係数は、好ましくは1〜3、より好ましくは1〜2.5、さらに好ましくは1〜1.5、特に好ましくは1〜1.3である。このような関係を満たすことにより、より優れた反射色相を達成し得る。
上記第1の位相差層は、その吸水率が好ましく3%以下であり、より好ましくは2.5%以下、さらに好ましくは2%以下である。このような吸水率を満足することにより、表示特性の経時変化を抑制することができる。なお、吸水率は、JIS K 7209に準拠して求めることができる。
上記第1の位相差層は、好ましくは、高分子フィルムの延伸フィルムである。
上記高分子フィルムを形成する樹脂としては、任意の適切な樹脂が用いられる。具体例としては、ポリノルボルネン等のシクロオレフィン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、セルロース系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリスルホン系樹脂等の樹脂が挙げられる。中でも、ノルボルネン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂が好ましい。
上記ポリノルボルネンとは、出発原料(モノマー)の一部または全部に、ノルボルネン環を有するノルボルネン系モノマーを用いて得られる(共)重合体をいう。
上記ポリノルボルネンとしては、種々の製品が市販されている。具体例としては、日本ゼオン社製の商品名「ゼオネックス」、「ゼオノア」、JSR社製の商品名「アートン(Arton)」、TICONA社製の商品名「トーパス」、三井化学社製の商品名「APEL」が挙げられる。
上記ポリカーボネート系樹脂としては、好ましくは、芳香族ポリカーボネートが用いられる。芳香族ポリカーボネートは、代表的には、カーボネート前駆物質と芳香族2価フェノール化合物(ジヒドロキシ化合物)との反応によって得ることができる。カーボネート前駆物質の具体例としては、ホスゲン、2価フェノール類のビスクロロホーメート、ジフェニルカーボネート、ジ−p−トリルカーボネート、フェニル−p−トリルカーボネート、ジ−p−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネート等が挙げられる。これらの中でも、ホスゲン、ジフェニルカーボネートが好ましい。
1つの実施形態においては、上記ポリカーボネート系樹脂は、下記一般式(1)で表されるジヒドロキシ化合物に由来する構造単位と、下記一般式(2)で表されるジヒドロキシ化合物に由来する構造単位と、下記一般式(3)で表されるジヒドロキシ化合物、下記一般式(4)で表されるジヒドロキシ化合物、下記一般式(5)で表されるジヒドロキシ化合物及び下記一般式(6)で表されるジヒドロキシ化合物からなる群より選ばれた一種以上のジヒドロキシ化合物に由来する構造単位を含む。
上記一般式(1)中、R1〜R4はそれぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜炭素数20のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数6〜炭素数20のシクロアルキル基、または、置換若しくは無置換の炭素数6〜炭素数20のアリール基を表し、Xは置換若しくは無置換の炭素数2〜炭素数10のアルキレン基、置換若しくは無置換の炭素数6〜炭素数20のシクロアルキレン基、または、置換若しくは無置換の炭素数6〜炭素数20のアリーレン基を表し、m及びnはそれぞれ独立に0〜5の整数である。
上記一般式(3)中、R5は炭素数4から炭素数20の置換若しくは無置換の単環構造のシクロアルキレン基を示す。
<一般式(1)で表されるジヒドロキシ化合物>
上記一般式(1)で表されるジヒドロキシ化合物としては、具体的には、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−エチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−n−プロピルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−イソプロピルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−n−ブチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−sec−ブチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−tert−プロピルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロヘキシルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−フェニルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−イソプロピルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−イソブチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−tert−ブチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−シクロヘキシルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−フェニルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−tert−ブチル−6−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(3−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロポキシ)フェニル)フルオレン等が例示され、好ましくは、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−メチルフェニル)フルオレンであり、特に好ましくは、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル)フルオレンである。
上記一般式(1)で表されるジヒドロキシ化合物としては、具体的には、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−エチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−n−プロピルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−イソプロピルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−n−ブチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−sec−ブチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−tert−プロピルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロヘキシルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−フェニルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−イソプロピルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−イソブチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−tert−ブチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−シクロヘキシルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−フェニルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−tert−ブチル−6−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(3−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロポキシ)フェニル)フルオレン等が例示され、好ましくは、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−メチルフェニル)フルオレンであり、特に好ましくは、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル)フルオレンである。
<一般式(2)で表されるジヒドロキシ化合物>
上記一般式(2)で表されるジヒドロキシ化合物としては、例えば、立体異性体の関係にあるイソソルビド、イソマンニド、イソイデットが挙げられる。これらは1種を単独で用いても良く、2種以上を組み合わせて用いても良い。これらのジヒドロキシ化合物のうち、資源として豊富に存在し、容易に入手可能な種々のデンプンから製造されるソルビトールを脱水縮合して得られるイソソルビドが、入手及び製造のし易さ、光学特性、成形性の面から最も好ましい。
上記一般式(2)で表されるジヒドロキシ化合物としては、例えば、立体異性体の関係にあるイソソルビド、イソマンニド、イソイデットが挙げられる。これらは1種を単独で用いても良く、2種以上を組み合わせて用いても良い。これらのジヒドロキシ化合物のうち、資源として豊富に存在し、容易に入手可能な種々のデンプンから製造されるソルビトールを脱水縮合して得られるイソソルビドが、入手及び製造のし易さ、光学特性、成形性の面から最も好ましい。
<一般式(3)で表されるジヒドロキシ化合物>
上記一般式(3)で表されるジヒドロキシ化合物としては、単環構造のシクロアルキレン基を含む化合物(脂環式ジヒドロキシ化合物)が挙げられる。単環構造とすることにより、得られるポリカーボネート系樹脂をフィルムとしたときの靭性を改良することが出来る。脂環式ジヒドロキシ化合物の代表例としては、5員環構造又は6員環構造を含む化合物が挙げられる。5員環構造又は6員環構造であることにより、得られるポリカーボネート系樹脂の耐熱性を高くすることができる。6員環構造は共有結合によって椅子形もしくは舟形に固定されていてもよい。具体的には、1,2−シクロペンタンジオール、1,3−シクロペンタンジオール、1,2−シクロヘキサンジオール、1,3−シクロヘキサンジオール、1,4−シクロヘキサンジオール、2−メチル−1,4−シクロヘキサンジオール等が挙げられる。一般式(3)で表されるジヒドロキシ化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記一般式(3)で表されるジヒドロキシ化合物としては、単環構造のシクロアルキレン基を含む化合物(脂環式ジヒドロキシ化合物)が挙げられる。単環構造とすることにより、得られるポリカーボネート系樹脂をフィルムとしたときの靭性を改良することが出来る。脂環式ジヒドロキシ化合物の代表例としては、5員環構造又は6員環構造を含む化合物が挙げられる。5員環構造又は6員環構造であることにより、得られるポリカーボネート系樹脂の耐熱性を高くすることができる。6員環構造は共有結合によって椅子形もしくは舟形に固定されていてもよい。具体的には、1,2−シクロペンタンジオール、1,3−シクロペンタンジオール、1,2−シクロヘキサンジオール、1,3−シクロヘキサンジオール、1,4−シクロヘキサンジオール、2−メチル−1,4−シクロヘキサンジオール等が挙げられる。一般式(3)で表されるジヒドロキシ化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
<一般式(4)で表されるジヒドロキシ化合物>
上記一般式(4)で表されるジヒドロキシ化合物としては、単環構造のシクロアルキレン基を含む化合物(脂環式ジヒドロキシ化合物)が挙げられる。単環構造とすることにより、得られるポリカーボネート系樹脂をフィルムとしたときの靭性を改良することが出来る。脂環式ジヒドロキシ化合物の代表例としては、上記一般式(4)におけるR6が下記一般式(Ia)(式中、R9は水素原子、又は、置換若しくは無置換の炭素数1〜炭素数12のアルキル基を表す。)で示される種々の異性体が挙げられる。このような異性体の好ましい具体例としては、1,2−シクロヘキサンジメタノール、1,3−シクロヘキサンジメタノール、1,4−シクロヘキサンジメタノール等が挙げられる。これらは、入手が容易で、かつ、取扱い性に優れる。一般式(4)で表されるジヒドロキシ化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記一般式(4)で表されるジヒドロキシ化合物としては、単環構造のシクロアルキレン基を含む化合物(脂環式ジヒドロキシ化合物)が挙げられる。単環構造とすることにより、得られるポリカーボネート系樹脂をフィルムとしたときの靭性を改良することが出来る。脂環式ジヒドロキシ化合物の代表例としては、上記一般式(4)におけるR6が下記一般式(Ia)(式中、R9は水素原子、又は、置換若しくは無置換の炭素数1〜炭素数12のアルキル基を表す。)で示される種々の異性体が挙げられる。このような異性体の好ましい具体例としては、1,2−シクロヘキサンジメタノール、1,3−シクロヘキサンジメタノール、1,4−シクロヘキサンジメタノール等が挙げられる。これらは、入手が容易で、かつ、取扱い性に優れる。一般式(4)で表されるジヒドロキシ化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
なお、一般式(3)および(4)で表されるジヒドロキシ化合物に関して上記で例示した化合物は、使用し得る脂環式ジヒドロキシ化合物の一例であって、何らこれらに限定されるものではない。
<一般式(5)で表されるジヒドロキシ化合物>
上記一般式(5)で表されるジヒドロキシ化合物としては、具体的にはジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール(分子量150〜2000)などが挙げられる。
上記一般式(5)で表されるジヒドロキシ化合物としては、具体的にはジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール(分子量150〜2000)などが挙げられる。
<一般式(6)で表されるジヒドロキシ化合物>
上記一般式(6)で表されるジヒドロキシ化合物としては、具体的にはエチレングリコール、プロピレングリコール、1,4−ブタンジオール、1,6−ヘキサンジオール又は下記式(8)で表されるスピログリコールなどが挙げられ、その中でもプロピレングリコール、1,4−ブタンジオール、スピログリコールが好ましい。
上記一般式(6)で表されるジヒドロキシ化合物としては、具体的にはエチレングリコール、プロピレングリコール、1,4−ブタンジオール、1,6−ヘキサンジオール又は下記式(8)で表されるスピログリコールなどが挙げられ、その中でもプロピレングリコール、1,4−ブタンジオール、スピログリコールが好ましい。
上記一般式(3)で表されるジヒドロキシ化合物に由来する構造単位、上記一般式(4)で表されるジヒドロキシ化合物に由来する構造単位、上記一般式(5)で表されるジヒドロキシ化合物に由来する構造単位及び上記一般式(6)で表されるジヒドロキシ化合物に由来する構造単位の中でも、上記一般式(4)で表されるジヒドロキシ化合物に由来する構造単位及び/又は上記一般式(5)で表されるジヒドロキシ化合物に由来する構造単位を含んでいることが好ましく、上記一般式(5)で表されるジヒドロキシ化合物に由来する構造単位を含んでいることがより好ましい。上記一般式(5)で表されるジヒドロキシ化合物に由来する構造単位を含んでいることにより、延伸性の向上が図れる。
本実施形態のポリカーボネート系樹脂は、更にその他のジヒドロキシ化合物に由来する構造単位を含んでいてもよい。
<その他のジヒドロキシ化合物>
その他のジヒドロキシ化合物としては、例えば、ビスフェノール類等が挙げられる。ビスフェノール類としては、例えば、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン[=ビスフェノールA]、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジエチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−(3,5−ジフェニル)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブロモフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタン、2,4’−ジヒドロキシ−ジフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−5−ニトロフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、3,3−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、2,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルフィド、4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジクロロジフェニルエーテル、4,4’−ジヒドロキシ−2,5−ジエトキシジフェニルエーテル等が挙げられる。
<その他のジヒドロキシ化合物>
その他のジヒドロキシ化合物としては、例えば、ビスフェノール類等が挙げられる。ビスフェノール類としては、例えば、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン[=ビスフェノールA]、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジエチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−(3,5−ジフェニル)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブロモフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタン、2,4’−ジヒドロキシ−ジフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−5−ニトロフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、3,3−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、2,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルフィド、4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジクロロジフェニルエーテル、4,4’−ジヒドロキシ−2,5−ジエトキシジフェニルエーテル等が挙げられる。
上記ポリカーボネート系樹脂中、上記一般式(1)で表されるジヒドロキシ化合物に由来する構造単位は好ましくは18モル%以上であり、より好ましくは20モル%以上であり、さらに好ましくは25モル%以上である。このような範囲であれば、逆分散の波長依存性を有する第1の位相差層を得ることができる。
上記一般式(3)で表されるジヒドロキシ化合物、上記一般式(4)で表されるジヒドロキシ化合物、上記一般式(5)で表されるジヒドロキシ化合物及び上記一般式(6)で表されるジヒドロキシ化合物からなる群より選ばれた一種以上のジヒドロキシ化合物に由来する構造単位が、上記ポリカーボネート系樹脂中、25モル%以上であることが好ましく、より好ましくは30モル%以上、更に好ましくは35モル%以上である。該構造単位が過度に少ないと、フィルムとしたときの靭性が乏しくなるおそれがある。
上記ポリカーボネート系樹脂のガラス転移温度は、110℃以上150℃以下であることが好ましく、より好ましくは120℃以上140℃以下である。ガラス転移温度が過度に低いと耐熱性が悪くなる傾向にあり、フィルム成形後に寸法変化を起こすおそれがある。ガラス転移温度が過度に高いと、フィルム成形時の成形安定性が悪くなる場合があり、又フィルムの透明性を損なうおそれがある。なお、ガラス転移温度は、JIS K 7121(1987)に準じて求められる。
上記ポリカーボネート系樹脂の分子量は、還元粘度で表すことができる。還元粘度は、溶媒として塩化メチレンを用い、ポリカーボネート濃度を0.6g/dLに精密に調製し、温度20.0℃±0.1℃でウベローデ粘度管を用いて測定される。還元粘度の下限は、通常0.30dL/gが好ましく、より好ましは0.35dL/g以上である。還元粘度の上限は、通常1.20dL/gが好ましく、より好ましくは1.00dL/g、更に好ましくは0.80dL/gである。還元粘度が上記下限値より小さいと成形品の機械的強度が小さくなるという問題が生じるおそれがある。一方、還元粘度が上記上限値より大きいと、成形する際の流動性が低下し、生産性や成形性が低下するという問題が生じるおそれがある。
上記第1の位相差層は、上記のとおり、高分子フィルムを少なくとも一方向に延伸することにより作製される。上記高分子フィルムの形成方法としては、任意の適切な方法が採用され得る。例えば、溶融押出し法(例えば、Tダイ成形法)、キャスト塗工法(例えば、流延法)、カレンダー成形法、熱プレス法、共押出し法、共溶融法、多層押出し、インフレーション成形法等が挙げられる。好ましくは、Tダイ成形法、流延法およびインフレーション成形法が用いられる。
上記高分子フィルム(未延伸フィルム)の厚みは、所望の光学特性、後述の延伸条件などに応じて、任意の適切な値に設定され得る。好ましくは50μm〜300μmである。
上記延伸は、任意の適切な延伸方法、延伸条件(例えば、延伸温度、延伸倍率、延伸方向)が採用され得る。具体的には、自由端延伸、固定端延伸、自由端収縮、固定端収縮などの様々な延伸方法を、単独で用いることも、同時もしくは逐次で用いることもできる。延伸方向に関しても、水平方向、垂直方向、厚さ方向、対角方向等、様々な方向や次元に行なうことができる。延伸の温度は、高分子フィルムのガラス転移温度(Tg)に対し、Tg−30℃〜Tg+60℃であることが好ましく、より好ましくはTg−10℃〜Tg+50℃である。
上記延伸方法、延伸条件を適宜選択することにより、上記所望の光学特性(例えば、屈折率特性、面内位相差、Nz係数)を有する第1の位相差層を得ることができる。
1つの実施形態においては、第1の位相差層は、高分子フィルムを一軸延伸もしくは固定端一軸延伸することによりを作製される。固定端一軸延伸の具体例としては、高分子フィルムを長手方向に走行させながら、幅方向(横方向)に延伸する方法が挙げられる。延伸倍率は、好ましくは1.1倍〜3.5倍である。
別の実施形態においては、第1の位相差層は、長尺状の高分子フィルムを長手方向に対して角度θの方向に連続的に斜め延伸することにより作製される。斜め延伸を採用することにより、フィルムの長手方向に対して角度θの配向角(角度θの方向に遅相軸)を有する長尺状の延伸フィルムが得られ、例えば、偏光子との積層に際してロールツーロールが可能となり、製造工程を簡略化することができる。
斜め延伸に用いる延伸機としては、例えば、横および/または縦方向に、左右異なる速度の送り力もしくは引張り力または引き取り力を付加し得るテンター式延伸機が挙げられる。テンター式延伸機には、横一軸延伸機、同時二軸延伸機等があるが、長尺状の樹脂フィルムを連続的に斜め延伸し得る限り、任意の適切な延伸機が用いられ得る。
上記第1の位相差層(延伸フィルム)の厚みは、好ましくは20μm〜100μm、より好ましくは30μm〜80μm、さらに好ましくは30μm〜65μmである。
B−3.第2の位相差層
上記第2の位相差層は、上記のとおり、屈折率特性がnz>nx≧nyの関係を示す。このような屈折率特性を有する第2の位相差層を備えていれば、反射光を吸収する効果の角度依存性が低減し、金属ナノワイヤまたは金属メッシュから様々な角度で反射した反射光に対して、その出射を防止することができる。
上記第2の位相差層は、上記のとおり、屈折率特性がnz>nx≧nyの関係を示す。このような屈折率特性を有する第2の位相差層を備えていれば、反射光を吸収する効果の角度依存性が低減し、金属ナノワイヤまたは金属メッシュから様々な角度で反射した反射光に対して、その出射を防止することができる。
上記第2の位相差層の厚み方向の位相差Rth(550)は、好ましくは−260nm〜−10nm、より好ましくは−230nm〜−15nm、さらに好ましくは−215nm〜−20nmである。このような範囲であれば、上記効果が顕著となる。
1つの実施形態においては、第2の位相差層は、その屈折率がnx=nyの関係を示す。ここで、「nx=ny」は、nxとnyが厳密に等しい場合のみならず、nxとnyが実質的に等しい場合も包含する。具体的には、Re(550)が10nm未満であることをいう。別の実施形態においては、第2の位相差層は、その屈折率がnx>nyの関係を示す。この場合、第2の位相差層の面内位相差Re(550)は、好ましくは10nm〜150nmであり、より好ましくは10nm〜80nmである。
上記第2の位相差層は、任意の適切な材料で形成され得る。好ましくは、ホメオトロピック配向に固定された液晶層である。ホメオトロピック配向させることができる液晶材料(液晶化合物)は、液晶モノマーであっても液晶ポリマーであってもよい。当該液晶化合物および当該液晶層の形成方法の具体例としては、特開2002−333642号公報の[0020]〜[0042]に記載の液晶化合物および形成方法が挙げられる。この場合、厚みは、好ましくは0.1μm〜5μm、より好ましくは0.2μm〜3μmである。
別の好ましい具体例として、第2の位相差層は、特開2012−32784号公報に記載のフマル酸ジエステル系樹脂で形成された位相差フィルムであってもよい。この場合、厚みは、好ましくは5μm〜50μm、より好ましくは10μm〜35μmである。
B−4.積層位相差フィルム
上記第1の位相差層および第2の位相差層により、積層位相差フィルムが構成される。好ましくは、該積層位相差フィルムは、第1の位相差層および第2の位相差層以外の光学異方性層を含まない。なお、上記光学異方性層とは、面内位相差Re(550)が10nmを超え、および/または、厚み方向の位相差Rth(550)が−10nm未満もしくは10nmを超える層をいう。
上記第1の位相差層および第2の位相差層により、積層位相差フィルムが構成される。好ましくは、該積層位相差フィルムは、第1の位相差層および第2の位相差層以外の光学異方性層を含まない。なお、上記光学異方性層とは、面内位相差Re(550)が10nmを超え、および/または、厚み方向の位相差Rth(550)が−10nm未満もしくは10nmを超える層をいう。
上記第1の位相差層と第2の位相差層とから構成される積層位相差フィルムの面内位相差(550)Reは、120nm〜160nmであり、より好ましくは130nm〜150nmであり、さらに好ましくは135nm〜145nmである。このような範囲であれば、入射光の円偏光への変換(上記(i))、反射光の吸収(上記(ii)、(iii))が有効に行われ、反射した外光が積層体から出射することを防止することができる。
上記第1の位相差層と第2の位相差層とから構成される積層位相差フィルムの厚み方向の位相差Rth(550)、40nm〜100nmであり、より好ましくは50nm〜90nmであり、さらに好ましくは60nm〜80nmである。このような範囲であれば、表示装置に適用して、視野角特性を向上させ、表示特性の変化を抑制し得る積層体を得ることができる。
B−5.円偏光板の製造方法
上記円偏光板の製造方法としては、任意の適切な方法が採用され得る。1つの実施形態においては、長尺状で長手方向に吸収軸を有する偏光子および長尺状の第1または第2の位相差層を、それぞれ長手方向に搬送しながら、偏光子の長手方向と位相差層の長手方向とを揃えるようにして積層して積層フィルムを得る工程と、この積層フィルムおよび長尺状の第2または第1の位相差層を、それぞれ長手方向に搬送しながら、積層フィルムの長手方向と位相差層の長手方向とを揃えるようにして積層する工程とを含む方法により製造される。なお、長尺状の第1の位相差層と長尺状の第2の位相差層とを積層して積層位相差フィルムを作製し、この積層位相差フィルムと長尺状の偏光子とを積層することにより製造してもよい。ここで、偏光子の吸収軸と第1の位相差層の遅相軸とのなす角度θは、上述のとおり、好ましくは35°≦θ≦55°の関係を満たし、より好ましくは38°≦θ≦52°、さらに好ましくは39°≦θ≦51°である。
上記円偏光板の製造方法としては、任意の適切な方法が採用され得る。1つの実施形態においては、長尺状で長手方向に吸収軸を有する偏光子および長尺状の第1または第2の位相差層を、それぞれ長手方向に搬送しながら、偏光子の長手方向と位相差層の長手方向とを揃えるようにして積層して積層フィルムを得る工程と、この積層フィルムおよび長尺状の第2または第1の位相差層を、それぞれ長手方向に搬送しながら、積層フィルムの長手方向と位相差層の長手方向とを揃えるようにして積層する工程とを含む方法により製造される。なお、長尺状の第1の位相差層と長尺状の第2の位相差層とを積層して積層位相差フィルムを作製し、この積層位相差フィルムと長尺状の偏光子とを積層することにより製造してもよい。ここで、偏光子の吸収軸と第1の位相差層の遅相軸とのなす角度θは、上述のとおり、好ましくは35°≦θ≦55°の関係を満たし、より好ましくは38°≦θ≦52°、さらに好ましくは39°≦θ≦51°である。
上記長尺状の第1の位相差層は、その長手方向に対して角度θの方向に遅相軸を有し得る。このような構成によれば、上述のように、偏光板の製造においてロールツーロールが可能となり、製造工程を格段に短縮することができる。
C.透明導電性フィルム
上記透明導電性フィルムは、透明基材と、該透明基材の少なくとも片側に配置された透明導電性層とを有する。透明導電性層は金属ナノワイヤまたは金属メッシュを含む。
上記透明導電性フィルムは、透明基材と、該透明基材の少なくとも片側に配置された透明導電性層とを有する。透明導電性層は金属ナノワイヤまたは金属メッシュを含む。
上記透明導電性フィルムの全光線透過率は、好ましくは80%以上であり、より好ましくは85%以上であり、特に好ましくは90%以上である。金属ナノワイヤまたは金属メッシュを含む透明導電性層を備えることにより、全光線透過率の高い透明導電性フィルムを得ることができる。
上記透明導電性フィルムの表面抵抗値は、好ましくは0.1Ω/□〜1000Ω/□であり、より好ましくは0.5Ω/□〜500Ω/□であり、特に好ましくは1Ω/□〜250Ω/□である。金属ナノワイヤまたは金属メッシュを含む透明導電性層を備えることにより、表面抵抗値の小さい透明導電性フィルムを得ることができる。また、金属ナノワイヤを含む透明導電性層を形成する場合には、少量の金属ナノワイヤにより、上記のように表面抵抗値が小さく優れた導電性を発現させることができるので、光透過率の高い透明導電性フィルムを得ることができる。
C−1.透明基材
上記透明基材の面内位相差Reは、1nm〜100nmであり、好ましくは1nm〜50nmであり、より好ましくは1nm〜10nmであり、さらに好ましくは1nm〜5nmであり、特に好ましくは1nm〜3nmである。上記透明基材の面内位相差Reは小さいほど好ましい。面内位相差の小さい透明基材を用いれば、透明導電性フィルムにおける偏光解消が防止され、反射光の出射を抑制することができる。
上記透明基材の面内位相差Reは、1nm〜100nmであり、好ましくは1nm〜50nmであり、より好ましくは1nm〜10nmであり、さらに好ましくは1nm〜5nmであり、特に好ましくは1nm〜3nmである。上記透明基材の面内位相差Reは小さいほど好ましい。面内位相差の小さい透明基材を用いれば、透明導電性フィルムにおける偏光解消が防止され、反射光の出射を抑制することができる。
上記透明基材の厚み方向の位相差Rthの絶対値は、好ましくは100nm以下であり、より好ましくは75nm以下であり、さらに好ましくは50nm以下であり、特に好ましくは10nm以下であり、最も好ましくは5nm以下である。
上記透明基材の厚みは、好ましくは20μm〜200μmであり、より好ましくは30μm〜150μmである。このような範囲であれば、位相差の小さい透明基材を得ることができる。
上記透明基材の全光線透過率は、好ましくは80%以上であり、より好ましくは85%以上であり、さらに好ましくは90%以上である。
上記透明基材を構成する材料は、任意の適切な材料が用いられ得る。具体的には、例えば、フィルムやプラスチックス基材などの高分子基材が好ましく用いられる。透明基材の平滑性および透明導電性形成用の組成物(金属ナノワイヤ分散液、保護層形成用組成物)に対する濡れ性に優れ、また、ロールによる連続生産により生産性を大幅に向上させ得るからである。好ましくは、上記範囲の面内位相差Reを発現し得る材料が用いられる。
上記透明基材を構成する材料は、代表的には熱可塑性樹脂を主成分とする高分子フィルムである。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリノルボルネン等のシクロオレフィン系樹脂;アクリル系樹脂;低位相差ポリカーボネート系樹脂等が挙げられる。なかでも好ましくは、シクロオレフィン系樹脂またはアクリル系樹脂である。これらの樹脂を用いれば、位相差の小さい透明基材を得ることができる。また、これらの樹脂は、透明性、機械的強度、熱安定性、水分遮蔽性などに優れる。上記熱可塑性樹脂は、単独で、または2種以上組み合わせて用いてもよい。
上記ポリノルボルネンの具体例としては、上記B−2項で説明したとおりである。
上記アクリル系樹脂は、(メタ)アクリル酸エステル由来の繰り返し単位((メタ)アクリル酸エステル単位)および/または(メタ)アクリル酸由来の繰り返し単位((メタ)アクリル酸単位)を有する樹脂をいう。上記アクリル系樹脂は、(メタ)アクリル酸エステルまたは(メタ)アクリル酸の誘導体に由来する構成単位を有していてもよい。
上記アクリル系樹脂において、上記(メタ)アクリル酸エステル単位、(メタ)アクリル酸単位、および(メタ)アクリル酸エステルまたは(メタ)アクリル酸の誘導体に由来する構成単位の合計含有割合は、該アクリル系樹脂を構成する全構成単位に対して、好ましくは50重量%以上であり、より好ましくは60重量%〜100重量%であり、特に好ましくは70重量%〜90重量%である。このような範囲であれば、低位相差の透明基材を得ることができる。
上記アクリル系樹脂は、主鎖に環構造を有していてもよい。環構造を有することにより、アクリル系樹脂の位相差の上昇を抑制しつつ、ガラス転移温度を向上させることができる。環構造としては、例えば、ラクトン環構造、無水グルタル酸構造、グルタルイミド構造、N−置換マレイミド構造、無水マレイン酸構造等が挙げられる。
上記アクリル系樹脂は、その他の構成単位を有し得る。その他の構成単位としては、例えば、スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン、アクリロニトリル、メチルビニルケトン、エチレン、プロピレン、酢酸ビニル、メタリルアルコール、アリルアルコール、2−ヒドロキシメチル−1−ブテン、α−ヒドロキシメチルスチレン、α−ヒドロキシエチルスチレン、2−(ヒドロキシエチル)アクリル酸メチルなどの2−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸エステル、2−(ヒドロキシエチル)アクリル酸などの2−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸等などの単量体に由来する構成単位が挙げられる。
上記アクリル系樹脂の具体例としては、上記で例示したアクリル系樹脂の他、特開2004−168882号公報、特開2007−261265号公報、特開2007−262399号公報、特開2007−297615号公報、特開2009−039935号公報、特開2009−052021号公報、特開2010−284840号公報に記載のアクリル系樹脂も挙げられる。
上記透明基材を構成する材料のガラス転移温度は、好ましくは100℃〜200℃であり、より好ましくは110℃〜150℃であり、特に好ましくは110℃〜140℃である。このような範囲であれば、耐熱性に優れる透明導電性フィルムを得ることができる。
上記透明基材は、必要に応じて任意の適切な添加剤をさらに含み得る。添加剤の具体例としては、可塑剤、熱安定剤、光安定剤、滑剤、抗酸化剤、紫外線吸収剤、難燃剤、着色剤、帯電防止剤、相溶化剤、架橋剤、および増粘剤等が挙げられる。使用される添加剤の種類および量は、目的に応じて適宜設定され得る。
上記透明基材を得る方法としては、任意の適切な成形加工法が用いられ、例えば、圧縮成形法、トランスファー成形法、射出成形法、押出成形法、ブロー成形法、粉末成形法、FRP成形法、およびソルベントキャスティング法等から適宜、適切なものが選択され得る。これらの製法の中でも好ましくは、押出成形法またはソルベントキャスティング法が用いられる。得られる透明基材の平滑性を高め、良好な光学的均一性を得ることができるからである。成形条件は、使用される樹脂の組成や種類等に応じて適宜設定され得る。
必要に応じて、上記透明基材に対して各種表面処理を行ってもよい。表面処理は目的に応じて任意の適切な方法が採用される。例えば、低圧プラズマ処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸またはアルカリ処理が挙げられる。1つの実施形態においては、透明基材を表面処理して、透明基材表面を親水化させる。透明基材を親水化させれば、水系溶媒により調製された透明導電性層形成用の組成物(金属ナノワイヤ分散液、保護層形成用組成物)を塗工する際の加工性が優れる。また、透明基材と透明導電性層との密着性に優れる透明導電性フィルムを得ることができる。
C−2.透明導電性層
上記透明導電性層は、金属ナノワイヤまたは金属メッシュを含む。
上記透明導電性層は、金属ナノワイヤまたは金属メッシュを含む。
(金属ナノワイヤ)
上記金属ナノワイヤとは、材質が金属であり、形状が針状または糸状であり、径がナノメートルサイズの導電性物質をいう。金属ナノワイヤは直線状であってもよく、曲線状であってもよい。金属ナノワイヤで構成された透明導電性層を用いれば、耐屈曲性に優れる透明導電性フィルムを得ることができる。また、金属ナノワイヤで構成された透明導電性層を用いれば、金属ナノワイヤが網の目状となることにより、少量の金属ナノワイヤであっても良好な電気伝導経路を形成することができ、電気抵抗の小さい透明導電性フィルムを得ることができる。さらに、金属ワイヤが網の目状となることにより、網の目の隙間に開口部を形成して、光透過率の高い透明導電性フィルムを得ることができる。
上記金属ナノワイヤとは、材質が金属であり、形状が針状または糸状であり、径がナノメートルサイズの導電性物質をいう。金属ナノワイヤは直線状であってもよく、曲線状であってもよい。金属ナノワイヤで構成された透明導電性層を用いれば、耐屈曲性に優れる透明導電性フィルムを得ることができる。また、金属ナノワイヤで構成された透明導電性層を用いれば、金属ナノワイヤが網の目状となることにより、少量の金属ナノワイヤであっても良好な電気伝導経路を形成することができ、電気抵抗の小さい透明導電性フィルムを得ることができる。さらに、金属ワイヤが網の目状となることにより、網の目の隙間に開口部を形成して、光透過率の高い透明導電性フィルムを得ることができる。
上記金属ナノワイヤの太さdと長さLとの比(アスペクト比:L/d)は、好ましくは10〜100,000であり、より好ましくは50〜100,000であり、特に好ましくは100〜10,000である。このようにアスペクト比の大きい金属ナノワイヤを用いれば、金属ナノワイヤが良好に交差して、少量の金属ナノワイヤにより高い導電性を発現させることができる。その結果、光透過率の高い透明導電性フィルムを得ることができる。なお、本明細書において、「金属ナノワイヤの太さ」とは、金属ナノワイヤの断面が円状である場合はその直径を意味し、楕円状である場合はその短径を意味し、多角形である場合は最も長い対角線を意味する。金属ナノワイヤの太さおよび長さは、走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡によって確認することができる。
上記金属ナノワイヤの太さは、好ましくは500nm未満であり、より好ましくは200nm未満であり、特に好ましくは10nm〜100nmであり、最も好ましくは10nm〜50nmである。このような範囲であれば、光透過率の高い透明導電性層を形成することができる。
上記金属ナノワイヤの長さは、好ましくは2.5μm〜1000μmであり、より好ましくは10μm〜500μmであり、特に好ましくは20μm〜100μmである。このような範囲であれば、導電性の高い透明導電性フィルムを得ることができる。
上記金属ナノワイヤを構成する金属としては、導電性の高い金属である限り、任意の適切な金属が用いられ得る。上記金属ナノワイヤ、好ましくは、金、白金、銀および銅からなる群より選ばれた1種以上の金属により構成される。なかでも好ましくは、導電性の観点から、銀、銅または金であり、より好ましくは銀である。また、上記金属にメッキ処理(例えば、金メッキ処理)を行った材料を用いてもよい。
上記金属ナノワイヤの製造方法としては、任意の適切な方法が採用され得る。例えば溶液中で硝酸銀を還元する方法、前駆体表面にプローブの先端部から印可電圧又は電流を作用させ、プローブ先端部で金属ナノワイヤを引き出し、該金属ナノワイヤを連続的に形成する方法等が挙げられる。溶液中で硝酸銀を還元する方法においては、エチレングリコール等のポリオール、およびポリビニルピロリドンの存在下で、硝酸銀等の銀塩の液相還元することによりにより、銀ナノワイヤが合成され得る。均一サイズの銀ナノワイヤは、例えば、Xia,Y.etal.,Chem.Mater.(2002)、14、4736−4745 、Xia, Y.etal., Nano letters(2003)3(7)、955−960 に記載される方法に準じて、大量生産が可能である。
透明導電性層において、上記金属ナノワイヤは、保護層により保護されていてもよい。
上記保護層を形成する材料としては、任意の適切な樹脂が用いられ得る。該樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂;ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系樹脂;ポリスチレン、ポリビニルトルエン、ポリビニルキシレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等の芳香族系樹脂;ポリウレタン系樹脂;エポキシ系樹脂;ポリオレフィン系樹脂;アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体(ABS);セルロース;シリコン系樹脂;ポリ塩化ビニル;ポリアセテート;ポリノルボルネン;合成ゴム;フッ素系樹脂等が挙げられる。好ましくは、ペンタエリスリトールトリアクリレート(PETA)、ネオペンチルグリコールジアクリレート(NPGDA)、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(DPHA)、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート(DPPA)、トリメチロールプロパントリアクリレート(TMPTA)等の多官能アクリレートから構成される硬化型樹脂(好ましくは紫外線硬化型樹脂)が用いられる。
上記保護層は、導電性樹脂から構成されていてもよい。導電性樹脂としては、例えば、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)、ポリアニリン、ポリチオフェン、およびポリジアセチレン等が挙げられる。
上記保護層は、無機材料から構成されていてもよい。無機材料としては、例えば、シリカ、ムライト、アルミナ、SiC、MgO−Al2O3−SiO2、Al2O3−SiO2、MgO−Al2O3−SiO2−Li2O等が挙げられる。
上記透明導電性層は、上記金属ナノワイヤを溶剤に分散させて得られた分散液(金属ナノワイヤ分散液)を、上記透明基材上に塗布した後、塗布層を乾燥させて、形成することができる。
上記金属ナノワイヤ分散液に含まれる溶剤としては、水、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、炭化水素系溶剤、芳香族系溶剤等が挙げられる。環境負荷低減の観点から、水を用いることが好ましい。
上記金属ナノワイヤ分散液中の金属ナノワイヤの分散濃度は、好ましくは0.1重量%〜1重量%である。このような範囲であれば、導電性および光透過性に優れる透明導電性層を形成することができる。
上記金属ナノワイヤ分散液は、目的に応じて任意の適切な添加剤をさらに含有し得る。上記添加剤としては、例えば、金属ナノワイヤの腐食を防止する腐食防止材、金属ナノワイヤの凝集を防止する界面活性剤等が挙げられる。使用される添加剤の種類、数および量は、目的に応じて適切に設定され得る。また、金属ナノワイヤ分散液は、本発明の効果が得られる限り、必要に応じて、任意の適切なバインダー樹脂を含み得る。
上記金属ナノワイヤ分散液の塗布方法としては、任意の適切な方法が採用され得る。塗布方法としては、例えば、スプレーコート、バーコート、ロールコート、ダイコート、インクジェットコート、スクリーンコート、ディップコート、スロットダイコート、凸版印刷法、凹版印刷法、グラビア印刷法等が挙げられる。塗布層の乾燥方法としては、任意の適切な乾燥方法(例えば、自然乾燥、送風乾燥、加熱乾燥)が採用され得る。例えば、加熱乾燥の場合には、乾燥温度は代表的には100℃〜200℃であり、乾燥時間は代表的には1〜10分である。
透明導電性層が保護層を有する場合、該保護層は、例えば、上記のようにして金属ナノワイヤ部を形成した後、さらに上記保護層形成用材料または保護層形成用材料の前駆体(上記樹脂を構成する単量体)を含む保護層形成用組成物を塗布し、その後乾燥、ならびに必要に応じて硬化処理して形成させることができる。塗布方法としては、上記分散液と同様の方法が採用され得る。乾燥方法としては、任意の適切な乾燥方法(例えば、自然乾燥、送風乾燥、加熱乾燥)が採用され得る。例えば、加熱乾燥の場合には、乾燥温度は代表的には100℃〜200℃であり、乾燥時間は代表的には1〜10分である。硬化処理は、保護層を構成する樹脂に応じて任意の適切な条件により行われ得る。
上記保護層形成用組成物は溶剤を含み得る。上記保護層形成用組成物に含まれる溶剤としては、例えば、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、テトラヒドロフラン、炭化水素系溶剤、または芳香族系溶剤等が挙げられる。好ましくは、該溶剤は、揮発性である。該溶剤の沸点は、好ましくは200℃以下であり、より好ましくは150℃以下であり、さらに好ましくは100℃以下である。
上記保護層形成用組成物は、目的に応じて任意の適切な添加剤をさらに含有し得る。添加剤としては、例えば、架橋剤、重合開始剤、安定剤、界面活性剤、腐食防止剤等が挙げられる。
上記透明導電性層が金属ナノワイヤを含む場合、上記透明導電性層の厚みは、好ましくは0.01μm〜10μmであり、より好ましくは0.05μm〜3μmであり、特に好ましくは0.1μm〜1μmである。このような範囲であれば、導電性および光透過性に優れる透明導電性フィルムを得ることができる。
上記透明導電性層が金属ナノワイヤを含む場合、上記透明導電性層の全光線透過率は、好ましくは85%以上であり、より好ましくは90%以上であり、さらに好ましくは95%以上である。
上記透明導電性層における金属ナノワイヤの含有割合は、透明導電性層の全重量に対して、好ましくは30重量%〜96重量%であり、より好ましくは43重量%〜88重量%である。このような範囲であれば、導電性および光透過性に優れる透明導電性フィルムを得ることができる。
上記金属ナノワイヤが銀ナノワイヤである場合、透明導電性層の密度は、好ましくは1.3g/cm3〜7.4g/cm3であり、より好ましくは1.6g/cm3〜4.8g/cm3である。このような範囲であれば、導電性および光透過性に優れる透明導電性フィルムを得ることができる。
(金属メッシュ)
金属メッシュを含む透明導電性層は、上記透明基材上に、金属細線が格子状のパターンに形成されてなる。金属メッシュを含む透明導電性層は、任意の適切な方法により形成させることができる。該透明導電性層は、例えば、銀塩を含む感光性組成物(透明導電性層形成用組成物)を上記積層体上に塗布し、その後、露光処理および現像処理を行い、金属細線を所定のパターンに形成することにより得ることができる。また、該透明導電性層は、金属微粒子を含むペースト(透明導電性層形成用組成物)を所定のパターンに印刷して得ることもできる。このような透明導電性層およびその形成方法の詳細は、例えば、特開2012−18634号公報に記載されており、その記載は本明細書に参考として援用される。また、金属メッシュから構成される透明導電性層およびその形成方法の別の例としては、特開2003−331654号公報に記載の透明導電性層およびその形成方法が挙げられる。
金属メッシュを含む透明導電性層は、上記透明基材上に、金属細線が格子状のパターンに形成されてなる。金属メッシュを含む透明導電性層は、任意の適切な方法により形成させることができる。該透明導電性層は、例えば、銀塩を含む感光性組成物(透明導電性層形成用組成物)を上記積層体上に塗布し、その後、露光処理および現像処理を行い、金属細線を所定のパターンに形成することにより得ることができる。また、該透明導電性層は、金属微粒子を含むペースト(透明導電性層形成用組成物)を所定のパターンに印刷して得ることもできる。このような透明導電性層およびその形成方法の詳細は、例えば、特開2012−18634号公報に記載されており、その記載は本明細書に参考として援用される。また、金属メッシュから構成される透明導電性層およびその形成方法の別の例としては、特開2003−331654号公報に記載の透明導電性層およびその形成方法が挙げられる。
上記透明導電性層が金属メッシュを含む場合、該透明導電性層の厚みは、好ましくは0.1μm〜30μmであり、より好ましくは0.1μm〜9μmであり、さらに好ましくは1μm〜3μmである。
上記透明導電性層が金属メッシュを含む場合、該透明導電性層の透過率は、好ましくは80%以上であり、より好ましくは85%以上であり、さらに好ましくは90%以上である。
上記透明導電性層は所定のパターンにパターン化され得る。透明導電性層のパターンの形状はタッチパネル(例えば、静電容量方式タッチパネル)として良好に動作するパターンが好ましく、例えば、特表2011−511357号公報、特開2010−164938号公報、特開2008−310550号公報、特表2003−511799号公報、特表2010−541109号公報に記載のパターンが挙げられる。透明導電性層は透明基材上に形成された後、公知の方法を用いてパターン化することができる。本発明においては、このようにパターン化された透明導電性層のパターンが視認されることを防止することができる。
C−3.その他の層
上記透明導電性フィルムは、必要に応じて、任意の適切なその他の層を備え得る。上記その他の層としては、例えば、ハードコート層、帯電防止層、アンチグレア層、反射防止層、カラーフィルター層等が挙げられる。
上記透明導電性フィルムは、必要に応じて、任意の適切なその他の層を備え得る。上記その他の層としては、例えば、ハードコート層、帯電防止層、アンチグレア層、反射防止層、カラーフィルター層等が挙げられる。
上記ハードコート層は、上記透明基材に耐薬品性、耐擦傷性および表面平滑性を付与させる機能を有する。
上記ハードコート層を構成する材料としては、任意の適切なものを採用し得る。上記ハードコート層を構成する材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂およびこれらの混合物が挙げられる。なかでも好ましくは、耐熱性に優れるエポキシ系樹脂である。上記ハードコート層はこれらの樹脂を熱または活性エネルギー線により硬化させて得ることができる。
D.画像表示装置
1つの実施形態においては、本発明の積層体を用いた画像表示装置が提供される。図2は、本発明の積層体を用いた画像表示装置の一例を示す概略断面図である。この画像表示装置200は、視認側から順に、積層体100と、表示素子110とを備える。積層体100は、上記のとおり、視認側から順に、円偏光板10と、透明導電性フィルム20とを備える。円偏光板は、視認側から順に、偏光子11と、第1の位相差層12と、第2の位相差層13とを有する。透明導電性フィルム20は、透明基材21と、透明基材21の少なくとも片側に配置された透明導電性層22とを有する。透明導電性フィルム20は、金属ナノワイヤ1または金属メッシュを含む。この透明導電性フィルム20は、画像表示装置において、例えば、タッチパネルの電極、電磁波シールド等として機能し得る。表示素子110としては、金属製の反射体を備える表示素子が用いられる。このような表示素子の代表例としては、反射電極(反射体)を備える有機EL素子が挙げられる。表示素子として有機EL素子を用いれば、屈曲性に優れる画像表示装置が得られ得る。なお、透明導電性フィルム20と、円偏光板10および/または表示素子110とは、任意の適切な粘着剤を介して貼り合わされ得る(図示せず)。また、本発明の画像表示装置は、用途等に応じて、任意の適切な他の部材をさらに含み得る。
1つの実施形態においては、本発明の積層体を用いた画像表示装置が提供される。図2は、本発明の積層体を用いた画像表示装置の一例を示す概略断面図である。この画像表示装置200は、視認側から順に、積層体100と、表示素子110とを備える。積層体100は、上記のとおり、視認側から順に、円偏光板10と、透明導電性フィルム20とを備える。円偏光板は、視認側から順に、偏光子11と、第1の位相差層12と、第2の位相差層13とを有する。透明導電性フィルム20は、透明基材21と、透明基材21の少なくとも片側に配置された透明導電性層22とを有する。透明導電性フィルム20は、金属ナノワイヤ1または金属メッシュを含む。この透明導電性フィルム20は、画像表示装置において、例えば、タッチパネルの電極、電磁波シールド等として機能し得る。表示素子110としては、金属製の反射体を備える表示素子が用いられる。このような表示素子の代表例としては、反射電極(反射体)を備える有機EL素子が挙げられる。表示素子として有機EL素子を用いれば、屈曲性に優れる画像表示装置が得られ得る。なお、透明導電性フィルム20と、円偏光板10および/または表示素子110とは、任意の適切な粘着剤を介して貼り合わされ得る(図示せず)。また、本発明の画像表示装置は、用途等に応じて、任意の適切な他の部材をさらに含み得る。
本発明の積層体を用いた画像表示装置においては、円偏光板を、金属ナノワイヤまたは金属メッシュを含む透明導電性フィルムよりも視認側に配置することにより、表示素子の反射体からの反射光、および、金属ナノワイヤまたは金属メッシュからの反射光が低減される。本来、金属ナノワイヤまたは金属メッシュは反射率上昇要因となるところ、本発明によれば、金属ナノワイヤまたは金属メッシュを含んでいても、該金属ナノワイヤまたは金属メッシュによる反射率の上昇を抑制することができる。その結果、金属ナノワイヤまたは金属メッシュで反射した外光と金属ナノワイヤまたは金属メッシュ以外の部分で反射した外光との光強度差が小さくなり、導電パターン(すなわち金属ナノワイヤまたは金属メッシュのパターン)が認識され難い画像表示装置を得ることができる。
好ましくは、本発明の画像表示装置における円偏光板および透明導電性フィルムの積層部分において、拡散反射率が90%以上低減されている。このように、拡散反射率が低減されていることは、上記円偏光板と上記透明導電性フィルムとから構成される積層体を評価用のアルミニウム製反射板に載せ、所定の光を入反射させて測定した際の拡散反射率Aと、該アルミニウム製反射板に該光を入反射させて測定した際の拡散反射率Bとの関係により定量的に評価することができる。本明細書においては、上記拡散反射率Aと上記拡散反射率BとがA≦(100%−X%)×Bの関係を有する場合、「画像表示装置における円偏光板および透明導電性フィルムの積層部分において、拡散反射率がX%以上低減されている」といえる。上記拡散反射率Aと拡散反射率Bとの関係は、好ましくはA≦0.1Bである。また、上記拡散反射率Aと拡散反射率Bとの関係は、より好ましくはA≦0.05Bであり、さらに好ましくはA≦0.03Bであり、特に好ましくはA≦0.01Bである。すなわち、本発明の画像表示装置における円偏光板および透明導電性フィルムの積層部分において、拡散反射率が95%以上低減されていることがより好ましく、97%以上低減されていることがさらに好ましく、99%以上低減されていることが特に好ましい。このように散乱反射が低減された画像表示装置は、反射体を備える表示素子および透明導電性フィルムより視認側に円偏光板を配置することにより得ることができる。拡散反射率の測定方法は後述する。
上記拡散反射率Aと、上記円偏光板のみを偏光子が外側になるようにして上記アルミニウム製反射板に載せて測定した拡散反射率Cとの差(A−C)は、好ましくは0.17%以下であり、より好ましくは0.15%以下であり、さらに好ましくは0.01%〜0.12%である。(A−C)が小さいということは、金属ナノワイヤまたは金属メッシュによる反射率の上昇が抑制されていることを意味する。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例になんら限定されるものではない。実施例における評価方法は以下のとおりである。なお、厚みは尾崎製作所製ピーコック精密測定機器 デジタルゲージコードレスタイプ「DG−205」を使用して測定した。
(1)位相差値
各位相差層から50mm×50mmのサンプルを切り出して、測定サンプルとし、Axometrics社製のAxoscanを用いて測定した。測定波長は550nm、測定温度は23℃とした。
また、アタゴ社製のアッベ屈折率計を用いて平均屈折率を測定し、得られた位相差値から屈折率nx、ny、nzを算出した。
(2)表面抵抗値
NAPSON製 商品名「EC−80」を用いて測定した。測定温度は23℃とした。
(3)全光線透過率、ヘイズ
株式会社村上色彩研究所製の商品名「HR−100」を用いて、23℃にて測定した。繰り返し回数3回の平均値を、測定値とした。
(4)拡散反射率
コニカミノルタ製の商品名「CM−2600d」を用いて、D65光源にて、正反射を含まない(SCE)方式にて測定した。測定温度は23℃とした。繰り返し回数2回の平均値を測定値とした。
なお、実施例および比較例において、円偏光板と透明導電性フィルムとから構成される積層体をアルミニウム製反射板に載せて測定した拡散反射率A、該積層体の透明導電性フィルムから金属ナノワイヤを除去した後に測定した拡散反射率A’を測定した。
各位相差層から50mm×50mmのサンプルを切り出して、測定サンプルとし、Axometrics社製のAxoscanを用いて測定した。測定波長は550nm、測定温度は23℃とした。
また、アタゴ社製のアッベ屈折率計を用いて平均屈折率を測定し、得られた位相差値から屈折率nx、ny、nzを算出した。
(2)表面抵抗値
NAPSON製 商品名「EC−80」を用いて測定した。測定温度は23℃とした。
(3)全光線透過率、ヘイズ
株式会社村上色彩研究所製の商品名「HR−100」を用いて、23℃にて測定した。繰り返し回数3回の平均値を、測定値とした。
(4)拡散反射率
コニカミノルタ製の商品名「CM−2600d」を用いて、D65光源にて、正反射を含まない(SCE)方式にて測定した。測定温度は23℃とした。繰り返し回数2回の平均値を測定値とした。
なお、実施例および比較例において、円偏光板と透明導電性フィルムとから構成される積層体をアルミニウム製反射板に載せて測定した拡散反射率A、該積層体の透明導電性フィルムから金属ナノワイヤを除去した後に測定した拡散反射率A’を測定した。
[実施例1]
(第1の位相差層の作製)
第1の位相差層となる延伸フィルム(1)を以下のようにして作製した。
ノルボルネン系シクロオレフィンフィルム(日本ゼオン株式会社製 商品名「ゼオノア」)を面内位相差Re(550)が140nmとなるように一軸方向に延伸し、延伸フィルム(1)を得た。該フィルム(1)の厚み方向の位相差Rth(550)は141nmであり、該フィルム(1)は、nx>ny=nzの屈折率特性を示した。
(第1の位相差層の作製)
第1の位相差層となる延伸フィルム(1)を以下のようにして作製した。
ノルボルネン系シクロオレフィンフィルム(日本ゼオン株式会社製 商品名「ゼオノア」)を面内位相差Re(550)が140nmとなるように一軸方向に延伸し、延伸フィルム(1)を得た。該フィルム(1)の厚み方向の位相差Rth(550)は141nmであり、該フィルム(1)は、nx>ny=nzの屈折率特性を示した。
(第2の位相差層の作製)
下記化学式(I)(式中の数字65および35はモノマーユニットのモル%を示し、便宜的にブロックポリマー体で表している:重量平均分子量5000)で示される側鎖型液晶ポリマー20重量部、ネマチック液晶相を示す重合性液晶(BASF社製:商品名PaliocolorLC242)80重量部および光重合開始剤(チバスペシャリティーケミカルズ社製:商品名イルガキュア907)5重量部をシクロペンタノン200重量部に溶解して液晶塗工液を調製した。そして、基材フィルム(ノルボルネン系樹脂フィルム:日本ゼオン(株)製、商品名「ゼオネックス」)に当該塗工液をバーコーターにより塗工した後、80℃で4分間加熱乾燥することによって液晶を配向させた。この液晶層に紫外線を照射し、液晶層を硬化させることにより、基材上に第2の位相差層となる液晶固化層(厚み:0.58μm)を形成した。この層の面内位相差Re(550)は0nm、厚み方向の位相差Rth(550)は−71nmであり(nx:1.5326、ny:1.5326、nz:1.6550)、nz>nx=nyの屈折率特性を示した。
下記化学式(I)(式中の数字65および35はモノマーユニットのモル%を示し、便宜的にブロックポリマー体で表している:重量平均分子量5000)で示される側鎖型液晶ポリマー20重量部、ネマチック液晶相を示す重合性液晶(BASF社製:商品名PaliocolorLC242)80重量部および光重合開始剤(チバスペシャリティーケミカルズ社製:商品名イルガキュア907)5重量部をシクロペンタノン200重量部に溶解して液晶塗工液を調製した。そして、基材フィルム(ノルボルネン系樹脂フィルム:日本ゼオン(株)製、商品名「ゼオネックス」)に当該塗工液をバーコーターにより塗工した後、80℃で4分間加熱乾燥することによって液晶を配向させた。この液晶層に紫外線を照射し、液晶層を硬化させることにより、基材上に第2の位相差層となる液晶固化層(厚み:0.58μm)を形成した。この層の面内位相差Re(550)は0nm、厚み方向の位相差Rth(550)は−71nmであり(nx:1.5326、ny:1.5326、nz:1.6550)、nz>nx=nyの屈折率特性を示した。
(円偏光板の作製)
上記延伸フィルム(1)(第1の位相差層)に、アクリル系粘着剤を介して、上記液晶固化層(第2の位相差層)を貼り合わせた後、上記基材フィルムを除去して、延伸フィルム(1)に液晶固化層が転写された積層位相差フィルムを得た。得られた積層位相差フィルムの面内位相差Re(550)は141nmであり、厚み方向の位相差Rth(550)は70nmであった。
次いで、上記延伸フィルム(1)(第1の位相差層)と、粘着剤層を備える直線偏光子(日東電工社製、商品名「偏光板SEG1425」)とを貼り合わせて、円偏光板(1)を得た。延伸フィルム(1)と直線偏光子とは、延伸フィルム(1)の遅相軸が、直線偏光子の吸収軸に対して反時計回りに45°となるようにして貼り合わせた。
上記延伸フィルム(1)(第1の位相差層)に、アクリル系粘着剤を介して、上記液晶固化層(第2の位相差層)を貼り合わせた後、上記基材フィルムを除去して、延伸フィルム(1)に液晶固化層が転写された積層位相差フィルムを得た。得られた積層位相差フィルムの面内位相差Re(550)は141nmであり、厚み方向の位相差Rth(550)は70nmであった。
次いで、上記延伸フィルム(1)(第1の位相差層)と、粘着剤層を備える直線偏光子(日東電工社製、商品名「偏光板SEG1425」)とを貼り合わせて、円偏光板(1)を得た。延伸フィルム(1)と直線偏光子とは、延伸フィルム(1)の遅相軸が、直線偏光子の吸収軸に対して反時計回りに45°となるようにして貼り合わせた。
(銀ナノワイヤの合成および銀ナノワイヤ分散液の調製)
攪拌装置を備えた反応容器中、160℃下で、無水エチレングリコール5ml、PtCl2の無水エチレングリコール溶液(濃度:1.5×10−4mol/L)0.5mlを加えた。4分経過後、得られた溶液に、AgNO3の無水エチレングリコール溶液(濃度:0.12mol/l)2.5mlと、ポリビニルピロリドン(MW:5500)の無水エチレングリコール溶液(濃度:0.36mol/l)5mlとを同時に、6分かけて滴下して、銀ナノワイヤを生成した。この滴下は、160℃下で、AgNO3が完全に還元されるまで行った。次いで、上記のようにして得られた銀ナノワイヤを含む反応混合物に、該反応混合物の体積が5倍になるまでアセトンを加えた後、該反応混合物を遠心分離して(2000rpm、20分)、銀ナノワイヤを得た。
得られた銀ナノワイヤは、短径が30nm〜40nmであり、長径が30nm〜50nmであり、長さは30μm〜50μmであった。
純水中に、該銀ナノワイヤ(濃度:0.2重量%)、およびドデシル−ペンタエチレングリコール(濃度:0.1重量%)を分散させ、銀ナノワイヤ分散液を調製した。
攪拌装置を備えた反応容器中、160℃下で、無水エチレングリコール5ml、PtCl2の無水エチレングリコール溶液(濃度:1.5×10−4mol/L)0.5mlを加えた。4分経過後、得られた溶液に、AgNO3の無水エチレングリコール溶液(濃度:0.12mol/l)2.5mlと、ポリビニルピロリドン(MW:5500)の無水エチレングリコール溶液(濃度:0.36mol/l)5mlとを同時に、6分かけて滴下して、銀ナノワイヤを生成した。この滴下は、160℃下で、AgNO3が完全に還元されるまで行った。次いで、上記のようにして得られた銀ナノワイヤを含む反応混合物に、該反応混合物の体積が5倍になるまでアセトンを加えた後、該反応混合物を遠心分離して(2000rpm、20分)、銀ナノワイヤを得た。
得られた銀ナノワイヤは、短径が30nm〜40nmであり、長径が30nm〜50nmであり、長さは30μm〜50μmであった。
純水中に、該銀ナノワイヤ(濃度:0.2重量%)、およびドデシル−ペンタエチレングリコール(濃度:0.1重量%)を分散させ、銀ナノワイヤ分散液を調製した。
(保護層形成用組成物の調製)
イソプロピルアルコール(和光純薬工業株式会社製)、ダイアセトンアルコール(和光純薬工業株式会社製)を重量比1:1で混合したものを溶媒として用いた。該溶媒に、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(DPHA)(新中村化学社製、商品名「A−DPH」)3.0重量%、および光反応開始剤(チバ・ジャパン社製、製品名「イルガキュア907」)0.09重量%を投入して保護層形成用組成物を調製した。
イソプロピルアルコール(和光純薬工業株式会社製)、ダイアセトンアルコール(和光純薬工業株式会社製)を重量比1:1で混合したものを溶媒として用いた。該溶媒に、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(DPHA)(新中村化学社製、商品名「A−DPH」)3.0重量%、および光反応開始剤(チバ・ジャパン社製、製品名「イルガキュア907」)0.09重量%を投入して保護層形成用組成物を調製した。
(透明導電性フィルム(1)の作製)
透明基材としてノルボルネン系シクロオレフィンフィルム(日本ゼオン株式会社製、商品名「ゼオノア」、面内位相差Re=1.7nm、厚み方向の位相差Rth=1.8nm)を用いた。
この透明基材上に、バーコーター(第一理科株式会社製 製品名「バーコーター No.10」)を用いて上記銀ナノワイヤ分散液を塗布し、120℃の送風乾燥機内で2分間乾燥させた。その後、上記保護層形成用組成物をWet膜厚4μmでスロットダイにて塗布し、120℃の送風乾燥機内で2分間乾燥させた。次いで、酸素濃度100ppmとした紫外光照射装置(Fusion UV Systems社製)で積算照度400mJ/cm2の紫外光を照射して保護層形成用組成物を硬化させて保護層を形成し、透明導電性フィルム(1)[透明基材/透明導電性層(金属ナノワイヤおよび保護層を含む)]を得た。
この透明導電性フィルム(1)の表面抵抗値は151Ω/□であり、全光線透過率は91.4%であり、ヘイズは2.0%であった。
透明基材としてノルボルネン系シクロオレフィンフィルム(日本ゼオン株式会社製、商品名「ゼオノア」、面内位相差Re=1.7nm、厚み方向の位相差Rth=1.8nm)を用いた。
この透明基材上に、バーコーター(第一理科株式会社製 製品名「バーコーター No.10」)を用いて上記銀ナノワイヤ分散液を塗布し、120℃の送風乾燥機内で2分間乾燥させた。その後、上記保護層形成用組成物をWet膜厚4μmでスロットダイにて塗布し、120℃の送風乾燥機内で2分間乾燥させた。次いで、酸素濃度100ppmとした紫外光照射装置(Fusion UV Systems社製)で積算照度400mJ/cm2の紫外光を照射して保護層形成用組成物を硬化させて保護層を形成し、透明導電性フィルム(1)[透明基材/透明導電性層(金属ナノワイヤおよび保護層を含む)]を得た。
この透明導電性フィルム(1)の表面抵抗値は151Ω/□であり、全光線透過率は91.4%であり、ヘイズは2.0%であった。
(拡散反射率Aの測定)
上記円偏光板(1)と、上記透明導電性フィルム(1)とを、透光性粘着剤(日東電工社製、商品名「CS9662」)を介して貼り合わせて積層体Iを得た。このとき、円偏光板(1)の第2の位相差層と、透明導電性フィルム(1)の透明導電性層とを対向させて貼り合わせた。さらに該積層体Iを、円偏光板が外側(外光の入射側)となるようにして、アルミニウム製反射板に載せ、上記(4)の方法に従い、拡散反射率Aを測定した。結果を表2に示す。
なお、別途、アルミニウム製反射板単体での拡散反射率Bを、上記(4)の方法に従って測定したところ、拡散反射率Bは59.16%であった。
上記円偏光板(1)と、上記透明導電性フィルム(1)とを、透光性粘着剤(日東電工社製、商品名「CS9662」)を介して貼り合わせて積層体Iを得た。このとき、円偏光板(1)の第2の位相差層と、透明導電性フィルム(1)の透明導電性層とを対向させて貼り合わせた。さらに該積層体Iを、円偏光板が外側(外光の入射側)となるようにして、アルミニウム製反射板に載せ、上記(4)の方法に従い、拡散反射率Aを測定した。結果を表2に示す。
なお、別途、アルミニウム製反射板単体での拡散反射率Bを、上記(4)の方法に従って測定したところ、拡散反射率Bは59.16%であった。
(拡散反射率A’の測定)
上記透明導電性フィルム(1)を、エッチング処理し、金属ナノワイヤを除去した。エッチング処理は、透明導電性フィルム(1)を、40℃に熱したエッチャント(関東化学株式会社製、製品名「混酸Alエッチング液」)に15秒間浸漬させて行った。エッチング処理後のフィルムの表面抵抗値は装置の測定上限(1,500Ω/□)以上であり、全光線透過率は92.1%であり、ヘイズは1.7%であった。
上記円偏光板(1)とエッチング処理後のフィルムとを、透光性粘着剤(日東電工社製、商品名「CS9662」)を介して貼り合わせて積層体I’を得た。このとき、円偏光板(1)の第2の位相差層を、エッチング処理後のフィルムの保護層に対向させて貼り合わせた。さらに該積層体I’を、円偏光板が外側となるようにして、アルミニウム製反射板(拡散反射率B:59.16%)に載せ、上記(4)の方法に従い、拡散反射率A’を測定した。結果を表2に示す。
上記透明導電性フィルム(1)を、エッチング処理し、金属ナノワイヤを除去した。エッチング処理は、透明導電性フィルム(1)を、40℃に熱したエッチャント(関東化学株式会社製、製品名「混酸Alエッチング液」)に15秒間浸漬させて行った。エッチング処理後のフィルムの表面抵抗値は装置の測定上限(1,500Ω/□)以上であり、全光線透過率は92.1%であり、ヘイズは1.7%であった。
上記円偏光板(1)とエッチング処理後のフィルムとを、透光性粘着剤(日東電工社製、商品名「CS9662」)を介して貼り合わせて積層体I’を得た。このとき、円偏光板(1)の第2の位相差層を、エッチング処理後のフィルムの保護層に対向させて貼り合わせた。さらに該積層体I’を、円偏光板が外側となるようにして、アルミニウム製反射板(拡散反射率B:59.16%)に載せ、上記(4)の方法に従い、拡散反射率A’を測定した。結果を表2に示す。
[実施例2]
(円偏光板の作製)
実施例1と同様にして、第1の位相差層、第2の位相差層を作製し、さらに、円偏光板を作製した。
(円偏光板の作製)
実施例1と同様にして、第1の位相差層、第2の位相差層を作製し、さらに、円偏光板を作製した。
(透明導電性フィルム(2)の作製)
透明基材としてノルボルネン系シクロオレフィンフィルム(日本ゼオン株式会社製、商品名「ゼオノア」、面内位相差Re=1.7nm、厚み方向の位相差Rth=1.8nm)を用いた。該ノルボルネン系シクロオレフィンフィルム表面にコロナ処理を行い、該表面を親水化した。
その後、該ノルボルネン系シクロオレフィンフィルムの片面に、銀ペースト(トーヨーケム株式会社製、商品名「RA FS 039」)を用いてスクリーン印刷法にて金属メッシュを形成し(線幅:8.5μm、ピッチ300μmの格子)、120℃で10分間焼結し、透明導電性フィルム(2)[透明基材/透明導電性層(金属メッシュを含む)]を得た。
この透明導電性フィルムの表面抵抗値は155Ω/□であり、全光線透過率は88.1%であり、ヘイズは7.0%であった。
透明基材としてノルボルネン系シクロオレフィンフィルム(日本ゼオン株式会社製、商品名「ゼオノア」、面内位相差Re=1.7nm、厚み方向の位相差Rth=1.8nm)を用いた。該ノルボルネン系シクロオレフィンフィルム表面にコロナ処理を行い、該表面を親水化した。
その後、該ノルボルネン系シクロオレフィンフィルムの片面に、銀ペースト(トーヨーケム株式会社製、商品名「RA FS 039」)を用いてスクリーン印刷法にて金属メッシュを形成し(線幅:8.5μm、ピッチ300μmの格子)、120℃で10分間焼結し、透明導電性フィルム(2)[透明基材/透明導電性層(金属メッシュを含む)]を得た。
この透明導電性フィルムの表面抵抗値は155Ω/□であり、全光線透過率は88.1%であり、ヘイズは7.0%であった。
(拡散反射率Aの測定)
透明導電性フィルム(1)に代えて透明導電性フィルム(2)を用いた以外は、実施例1と同様にして、積層体IIを得、該積層体IIについて拡散反射率Aを測定した。結果を表2に示す。
透明導電性フィルム(1)に代えて透明導電性フィルム(2)を用いた以外は、実施例1と同様にして、積層体IIを得、該積層体IIについて拡散反射率Aを測定した。結果を表2に示す。
(拡散反射率A’の測定)
上記透明導電性フィルム(2)を、エッチング処理し、金属メッシュを除去した。エッチング処理は、透明導電性フィルムを、40℃に熱したエッチャント(関東化学株式会社製、製品名「混酸Alエッチング液」)に15秒間浸漬させて行った。エッチング処理後のフィルムの表面抵抗値は装置の測定上限(1,500Ω/□)以上であり、全光線透過率は92.4%であり、ヘイズは0.7%であった。
エッチング処理後のフィルムに対し、実施例1と同様にして散乱反射率A’を測定した。結果を表2に示す。
上記透明導電性フィルム(2)を、エッチング処理し、金属メッシュを除去した。エッチング処理は、透明導電性フィルムを、40℃に熱したエッチャント(関東化学株式会社製、製品名「混酸Alエッチング液」)に15秒間浸漬させて行った。エッチング処理後のフィルムの表面抵抗値は装置の測定上限(1,500Ω/□)以上であり、全光線透過率は92.4%であり、ヘイズは0.7%であった。
エッチング処理後のフィルムに対し、実施例1と同様にして散乱反射率A’を測定した。結果を表2に示す。
[実施例3]
(ポリカーボネート系樹脂フィルムの作製)
イソソルビド(ISB)37.5重量部、9,9−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]フルオレン(BHEPF)91.5重量部、平均分子量400のポリエチレングリコール(PEG)8.4重量部、ジフェニルカーボネート(DPC)105.7重量部、および、触媒として炭酸セシウム(0.2重量%水溶液)0.594重量部をそれぞれ反応容器に投入し、窒素雰囲気下にて、反応の第1段目の工程として、反応容器の熱媒温度を150℃にし、必要に応じて攪拌しながら、原料を溶解させた(約15分)。
(ポリカーボネート系樹脂フィルムの作製)
イソソルビド(ISB)37.5重量部、9,9−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]フルオレン(BHEPF)91.5重量部、平均分子量400のポリエチレングリコール(PEG)8.4重量部、ジフェニルカーボネート(DPC)105.7重量部、および、触媒として炭酸セシウム(0.2重量%水溶液)0.594重量部をそれぞれ反応容器に投入し、窒素雰囲気下にて、反応の第1段目の工程として、反応容器の熱媒温度を150℃にし、必要に応じて攪拌しながら、原料を溶解させた(約15分)。
次いで、反応容器内の圧力を常圧から13.3kPaにし、反応容器の熱媒温度を190℃まで1時間で上昇させながら、発生するフェノールを反応容器外へ抜き出した。
反応容器内温度を190℃で15分保持した後、第2段目の工程として、反応容器内の圧力を6.67kPaとし、反応容器の熱媒温度を230℃まで、15分で上昇させ、発生するフェノールを反応容器外へ抜き出した。攪拌機の攪拌トルクが上昇してくるので、8分で250℃まで昇温し、さらに発生するフェノールを取り除くため、反応容器内の圧力を0.200kPa以下に減圧した。所定の攪拌トルクに到達後、反応を終了し、生成した反応物を水中に押し出した後に、ペレット化を行い、BHEPF/ISB/PEG=42.9モル%/52.8モル%/4.3モル%の割合でジヒドロキシ化合物に由来する構造単位を含むポリカーボネート系樹脂Aを得た。
得られたポリカーボネート系樹脂Aのガラス転移温度は126℃であり、還元粘度は0.372dL/gであった。
反応容器内温度を190℃で15分保持した後、第2段目の工程として、反応容器内の圧力を6.67kPaとし、反応容器の熱媒温度を230℃まで、15分で上昇させ、発生するフェノールを反応容器外へ抜き出した。攪拌機の攪拌トルクが上昇してくるので、8分で250℃まで昇温し、さらに発生するフェノールを取り除くため、反応容器内の圧力を0.200kPa以下に減圧した。所定の攪拌トルクに到達後、反応を終了し、生成した反応物を水中に押し出した後に、ペレット化を行い、BHEPF/ISB/PEG=42.9モル%/52.8モル%/4.3モル%の割合でジヒドロキシ化合物に由来する構造単位を含むポリカーボネート系樹脂Aを得た。
得られたポリカーボネート系樹脂Aのガラス転移温度は126℃であり、還元粘度は0.372dL/gであった。
得られたポリカーボネート系樹脂Aを80℃で5時間真空乾燥をした後、単軸押出機(いすず化工機社製、スクリュー径25mm、シリンダー設定温度:220℃)、Tダイ(幅300mm、設定温度:220℃)、チルロール(設定温度:120〜130℃)および巻取機を備えたフィルム製膜装置を用いて、長さ3m、幅300mm、厚み120μmのポリカーボネート系樹脂フィルムを作製した。
得られたポリカーボネート系樹脂フィルムの吸水率は1.2%であった。
得られたポリカーボネート系樹脂フィルムの吸水率は1.2%であった。
(第1の位相差層の作製)
得られたポリカーボネート系樹脂フィルムを、長さ300mm、幅300mmに切り出し、ラボストレッチャーKARO IV(Bruckner社製)を用いて、温度136℃、倍率2倍で縦延伸を行い、延伸フィルム(2)を得た。
得られた延伸フィルム(2)のRe(550)は141nm、Rth(550)は141nmであり(nx:1.5969、ny:1.5942、nz:1.5942)、nx>ny=nzの屈折率特性を示した。また、得られた延伸フィルム(2)のRe(450)/Re(550)は0.89であった。
得られたポリカーボネート系樹脂フィルムを、長さ300mm、幅300mmに切り出し、ラボストレッチャーKARO IV(Bruckner社製)を用いて、温度136℃、倍率2倍で縦延伸を行い、延伸フィルム(2)を得た。
得られた延伸フィルム(2)のRe(550)は141nm、Rth(550)は141nmであり(nx:1.5969、ny:1.5942、nz:1.5942)、nx>ny=nzの屈折率特性を示した。また、得られた延伸フィルム(2)のRe(450)/Re(550)は0.89であった。
(円偏光板の作製)
第1の位相差層として、延伸フィルム(2)を用いた以外は、実施例1と同様にして円偏光板(2)を得た。なお、第1の位相差層と第2の位相差層とから構成される積層位相差フィルムの面内位相差Re(550)は141nmであり、厚み方向の位相差Rth(550)は70nmであった。
第1の位相差層として、延伸フィルム(2)を用いた以外は、実施例1と同様にして円偏光板(2)を得た。なお、第1の位相差層と第2の位相差層とから構成される積層位相差フィルムの面内位相差Re(550)は141nmであり、厚み方向の位相差Rth(550)は70nmであった。
(透明導電性フィルムの作製)
実施例1と同様にして、透明導電性フィルムを得た。
実施例1と同様にして、透明導電性フィルムを得た。
(拡散反射率A、A’の測定)
円偏光板(1)に代えて、円偏光板(2)を用いた以外は、実施例1と同様にして、積層体を作製し、拡散反射率A、A’を測定した。結果を表2に示す。
円偏光板(1)に代えて、円偏光板(2)を用いた以外は、実施例1と同様にして、積層体を作製し、拡散反射率A、A’を測定した。結果を表2に示す。
[実施例4]
第1の位相差層として、実施例3で作製した延伸フィルム(2)を用いた以外は、実施例2と同様にして円偏光板、導電性フィルムおよび積層体を作製し、拡散反射率A、A’を測定した。結果を表2に示す。
第1の位相差層として、実施例3で作製した延伸フィルム(2)を用いた以外は、実施例2と同様にして円偏光板、導電性フィルムおよび積層体を作製し、拡散反射率A、A’を測定した。結果を表2に示す。
[比較例1]
第2の位相差層を用いずに作製した円偏光板、すなわち、位相差層として延伸フィルム(1)(第1の位相差層)のみを有する円偏光板を用いた以外は、実施例1と同様にして積層体を作製し、拡散反射率A、A’を測定した。結果を表2に示す。
第2の位相差層を用いずに作製した円偏光板、すなわち、位相差層として延伸フィルム(1)(第1の位相差層)のみを有する円偏光板を用いた以外は、実施例1と同様にして積層体を作製し、拡散反射率A、A’を測定した。結果を表2に示す。
[比較例2]
第2の位相差層を用いずに作製した円偏光板、すなわち、位相差層として延伸フィルム(1)(第1の位相差層)のみを有する円偏光板を用いた以外は、実施例2と同様にして積層体を作製し、拡散反射率A、A’を測定した。結果を表2に示す。
第2の位相差層を用いずに作製した円偏光板、すなわち、位相差層として延伸フィルム(1)(第1の位相差層)のみを有する円偏光板を用いた以外は、実施例2と同様にして積層体を作製し、拡散反射率A、A’を測定した。結果を表2に示す。
実施例1〜4および比較例1、2において、拡散反射率Aの測定に供した構成を表1にまとめる。
表1から明らかなように、本発明の積層体を用いれば、拡散反射率Aが低減される。本発明の積層体を備える画像表示装置において、金属ナノワイヤに反射した外光は強度が弱く、金属ナノワイヤに反射した外光と金属ナノワイヤ以外の部分に反射した外光との光強度差が小さいため、導電パターンが視認されがたい。また、外光反射が少ないため、コントラストが高い。
1 金属ナノワイヤ
2 保護層
10 円偏光板
11 偏光子
12 第1の位相差フィルム
13 第2の位相差フィルム
20 透明導電性フィルム
21 透明基材
22 透明導電性層
2 保護層
10 円偏光板
11 偏光子
12 第1の位相差フィルム
13 第2の位相差フィルム
20 透明導電性フィルム
21 透明基材
22 透明導電性層
Claims (9)
- 円偏光板と、透明導電性フィルムとを備える積層体であって、
該円偏光板が、透明導電性フィルムとは反対側の面から順に、偏光子と、第1の位相差層と、第2の位相差層とを有し、
該第1の位相差層が、nx>ny≧nzの屈折率特性を示し、
該第2の位相差層が、nz>nx≧nyの屈折率特性を示し、
該第1の位相差層と該第2の位相差層とから構成される積層位相差フィルムの面内位相差Re(550)が120nm〜160nmで、厚み方向の位相差Rth(550)が40nm〜100nmであり、
該透明導電性フィルムが、透明基材と、該透明基材の少なくとも片側に配置された透明導電性層とを有し、
該透明基材の面内位相差Reが、1nm〜100nmであり、
該透明導電性層が、金属ナノワイヤまたは金属メッシュを含む、
積層体。 - 前記積層位相差フィルムが、第1の位相差層および第2の位相差層以外の光学異方性層を含まない、請求項1に記載の積層体。
- 前記第1の位相差層の面内位相差が、Re(450)<Re(550)の関係を満たす、請求項1または2に記載の積層体。
- 前記第1の位相差層の吸水率が、3%以下である、請求項1から3のいずれかに記載の積層体。
- 前記第1の位相差層が、斜め延伸により得られる、請求項1から4のいずれかに記載の積層体。
- 前記透明導電性層がパターン化されている、請求項1から5のいずれかに記載の積層体。
- 前記金属ナノワイヤが、金、白金、銀および銅からなる群より選ばれた1種以上の金属により構成される、請求項1から6のいずれかに記載の積層体。
- 視認側から順に、請求項1から7のいずれかに記載の積層体と、金属製の反射体とを備える、画像表示装置。
- 前記画像表示装置における円偏光板および透明導電性フィルムの積層部分において、拡散反射率が90%以上低減されている、請求項8に記載の画像表示装置。
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- 2014-06-10 JP JP2014119701A patent/JP2015232647A/ja active Pending
-
2015
- 2015-06-08 WO PCT/JP2015/066448 patent/WO2015190428A1/ja active Application Filing
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