TWI673524B - 長條狀之光學積層體及圖像顯示裝置 - Google Patents

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TWI673524B TW105139127A TW105139127A TWI673524B TW I673524 B TWI673524 B TW I673524B TW 105139127 A TW105139127 A TW 105139127A TW 105139127 A TW105139127 A TW 105139127A TW I673524 B TWI673524 B TW I673524B
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Abstract

本發明提供一種可於裁斷為特定尺寸而應用於圖像顯示裝置之情形時減小各製品之顯示特性之偏差的長條狀之光學積層體。本發明之光學積層體為長條狀，且依序具有：包含偏光元件及位於偏光元件之至少一側之保護層之偏光板、第1相位差層、第2相位差層、導電層、及與導電層密接積層之基材。基材之面內相位差Re(550)為3 nm～6 nm，寬度方向上之相位差之偏差為10%～30%，寬度方向上之遲相軸方向之偏差為1°～5°。第1相位差層之面內相位差Re(550)為220 nm～250 nm，第1相位差層之遲相軸與偏光元件之吸收軸所成之角度為10°～20°，第2相位差層之面內相位差Re(550)為110 nm～125 nm，第2相位差層之遲相軸與偏光元件之吸收軸所成之角度為65°～85°。

Description

長條狀之光學積層體及圖像顯示裝置
本發明係關於一種長條狀之光學積層體及使用其之圖像顯示裝置。
近年來，隨著薄型顯示器之普及，提出有搭載有機EL面板之顯示器(有機EL顯示裝置)。由於有機EL面板具有反射性較高之金屬層，故而容易產生外界光反射或背景之映入等問題。因此，已知有藉由於視認側設置圓偏光板而防止該等問題。另一方面，於顯示單元(例如有機EL單元)與偏光板之間組入有觸控感測器之所謂內部觸控面板型輸入顯示裝置之需求不斷提高。此種構成之輸入顯示裝置由於圖像顯示單元與觸控感測器之距離較近，故而可對使用者賦予自然之輸入操作感。
對於內部觸控面板型輸入顯示裝置用偏光板(或圓偏光板)，就薄型化、防止品質之偏差、提高製造效率等觀點而言，業界在研究偏光板(或圓偏光板)與觸控感測器用導電性膜之一體化。例如嘗試將長條狀之偏光板(或圓偏光板)與長條狀之導電性膜藉由所謂輥對輥(roll to roll)而貼合。但是，藉由輥對輥與導電性膜一體化後之偏光板存在寬度方向之特性之偏差較大之問題。結果於將此種與導電性膜一體化後之偏光板裁斷為特定尺寸而應用於圖像顯示裝置之情形時，有各製品之顯示特性產生難以容許之偏差之情形。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2003-311239號公報
[專利文獻2]日本專利特開2002-372622號公報
[專利文獻3]日本專利第3325560號公報
[專利文獻4]日本專利特開2003-036143號公報
本發明係為了解決上述先前之問題而完成者，其主要目的在於提供一種可於裁斷為特定尺寸而應用於圖像顯示裝置之情形時減小各製品之顯示特性之偏差的長條狀之光學積層體。
本發明之光學積層體為長條狀，且依序具有：包含偏光元件及位於該偏光元件之至少一側之保護層之偏光板、第1相位差層、第2相位差層、導電層、及與該導電層密接積層之基材。該基材之面內相位差Re(550)為3nm~6nm，該基材之寬度方向上之相位差之偏差為10%~30%，該基材之寬度方向上之遲相軸方向之偏差為1°~5°。本發明之光學積層體中，該第1相位差層之面內相位差Re(550)為220nm~250nm，該第1相位差層之遲相軸與該偏光元件之吸收軸所成之角度為10°~20°；該第2相位差層之面內相位差Re(550)為110nm~125nm，該第2相位差層之遲相軸與該偏光元件之吸收軸所成之角度為65°~85°。
於一實施形態中，上述光學積層體為捲筒狀。
於一實施形態中，上述光學積層體之寬度為500mm以上。
於一實施形態中，上述第1相位差層及上述第2相位差層包含環狀烯烴系樹脂膜。於另一實施形態中，上述第1相位差層及上述第2相位差層為 液晶化合物之配向固化層。
根據本發明之另一態樣，提供一種圖像顯示裝置。該圖像顯示裝置具備裁斷為特定尺寸之上述光學積層體。
根據本發明，對於具有偏光板、相位差層及觸控感測器用導電層之長條狀之光學積層體，藉由將特定之2個相位差層進行組合作為相位差層而進行光學補償，儘管存在因形成有導電層之基材之相位差及相位差之寬度方向之偏差等所引起之光學積層體之寬度方向之特性之偏差，但可於將該光學積層體裁斷為特定尺寸而應用於圖像顯示裝置之情形時減小各製品之顯示特性之偏差。
10‧‧‧偏光板
11‧‧‧偏光元件
12‧‧‧第1保護層
13‧‧‧第2保護層
20‧‧‧第1相位差層
30‧‧‧第2相位差層
41‧‧‧導電層
42‧‧‧基材
100‧‧‧光學積層體
圖1係本發明之一實施形態之光學積層體之概略剖視圖。
圖2係說明參考例4中所使用之斜向延伸裝置之整體構成的概略俯視圖。
圖3係用以說明於圖2之斜向延伸裝置中改變夾具間距之連接機構的主要部分概略俯視圖，表示夾具間距最小之狀態。
圖4係用以說明於圖2之斜向延伸裝置中改變夾具間距之連接機構的主要部分概略俯視圖，表示夾具間距最大之狀態。
圖5係說明參考例4中所採用之斜向延伸之實施形態的模式圖。
圖6係表示圖5所示之斜向延伸時之斜向延伸裝置之各區域與夾具間距之關係的圖表。
以下，對本發明之實施形態進行說明，但本發明並不限定於該等實 施形態。
(用語及符號之定義)
本說明書中之用語及符號之定義如下所述。
(1)折射率(nx、ny、nz)
「nx」為面內之折射率成為最大之方向(即遲相軸方向)之折射率，「ny」為面內與遲相軸正交之方向(即進相軸方向)之折射率，「nz」為厚度方向之折射率。
(2)面內相位差(Re)
「Re(λ)」為23℃下利用波長λ nm之光所測得之面內相位差。例如「Re(550)」為23℃下利用波長550nm之光所測得之面內相位差。於將層(膜)之厚度設為d(nm)時，Re(λ)可藉由式：Re(λ)=(nx-ny)×d而求出。
(3)厚度方向之相位差(Rth)
「Rth(λ)」為23℃下利用波長λ nm之光所測得之厚度方向之相位差。例如「Rth(550)」為23℃下利用波長550nm之光所測得之厚度方向之相位差。於將層(膜)之厚度設為d(nm)時，Rth(λ)可藉由式：Rth(λ)=(nx-nz)×d而求出。
(4)Nz係數
Nz係數可藉由Nz=Rth/Re而求出。
A.光學積層體之整體構成
圖1係本發明之一實施形態之光學積層體之概略剖視圖。本實施形態之光學積層體100依序具有偏光板10、第1相位差層20、第2相位差層30、導電層41、及基材42。偏光板10包含偏光元件11、配置於偏光元件11之一側之第1保護層12、及配置於偏光元件11之另一側之第2保護層13。根 據目的，亦可省略第1保護層12及第2保護層13之一者。例如於第1相位差層20亦可發揮作為偏光元件11之保護層之功能之情形時，可省略第2保護層13。基材42與導電層41密接積層。於本說明書中，所謂「密接積層」，係指2個層之間無接著層(例如接著劑層、黏著劑層)而直接且固著地積層。導電層41及基材42代表性而言可以基材42與導電層41之積層體之形式導入至光學積層體100。再者，為了容易觀察，圖式中之各層之厚度之比率與實際不同。
雖然根據圖式並不明瞭，但本發明之實施形態之光學積層體為長條狀。因此，光學積層體之構成要素(例如偏光板、相位差層、基材)亦為長條狀。於一實施形態中，將光學積層體捲繞成捲筒狀。於本說明書中，所謂「長條狀」，意指相對於寬度而長度充分長之細長形狀，例如包含相對於寬度而長度為10倍以上、較佳為20倍以上之細長形狀。因此，光學積層體100例如可藉由如下方式製作：將長條狀之偏光板10、構成第1相位差層20之長條狀之相位差膜、構成第2相位差層30之長條狀之相位差膜、及長條狀之導電性膜(導電層41與基材之積層體)藉由輥對輥而積層。再者，於本說明書中，所謂「輥對輥」，係指一面搬送捲筒狀之膜一面使相互之長條方向一致而貼合。
如上所述，光學積層體100具有2個相位差層(第1相位差層20及第2相位差層30)。第1相位差層20具有遲相軸。第1相位差層20之遲相軸與偏光元件11之吸收軸所成之角度為10°~20°，較佳為13°~17°，更佳為約15°。第1相位差層較佳為折射率特性顯示nx>ny≧nz之關係。第1相位差層之面內相位差Re(550)為220nm~250nm，較佳為230nm~240nm。第2相位差層30亦具有遲相軸。第2相位差層30之遲相軸與偏光元件11之 吸收軸所成之角度為65°~85°，較佳為72°~78°，更佳為約75°。第2相位差層較佳為折射率特性顯示nx>ny≧nz之關係。第2相位差層之面內相位差Re(550)為110nm~125nm，較佳為115nm~120nm。如上所述，第1相位差層之面內相位差被設定為略小於所謂λ/2板，第2相位差層之面內相位差被設定為略小於所謂λ/4板。藉由如此設定，可於使用下述材料構成各個相位差層之情形時，實現非常優異之反射率及反射色相。根據本發明，藉由將具有如上所述之特性之2個相位差層進行組合而進行光學補償，儘管存在因基材之相位差及相位差之寬度方向之偏差等所引起之光學積層體之寬度方向之特性之偏差，但可於將該光學積層體裁斷為特定尺寸而應用於圖像顯示裝置之情形時減小各製品之顯示特性之偏差。此種效果以具有與上述2個相位差層之組合在光學上等效之特性的單一之相位差層無法獲得。即，此種效果係將上述2個相位差層組合使用而製作光學積層體，進而將該光學積層體裁斷為特定尺寸而應用於圖像顯示裝置後方才獲得之見解，係預料外之優異之效果。
基材42之面內相位差Re(550)為3nm~6nm，較佳為4nm~5nm。基材42之寬度方向上之相位差之偏差為10%~30%，較佳為15%~25%。基材42之寬度方向上之遲相軸方向之偏差為1°~5°，較佳為1°~3°。根據本發明，即便於因基材具有相位差，進而於寬度方向上該相位差及遲相軸方向存在偏差而導致光學積層體之寬度方向之特性存在偏差之情形時，藉由如上所述將特定之2個相位差層進行組合而進行光學補償，可於將該光學積層體裁斷為特定尺寸而應用於圖像顯示裝置之情形時減小各製品之顯示特性之偏差。再者，於本說明書中，所謂「相位差之偏差」，係指相對於設定相位差之偏差之最大值，所謂「遲相軸方向之偏差」，係指相對於 設定遲相軸方向之偏差之最大值。
光學積層體之寬度較佳為500mm以上，更佳為800mm以上。寬度之上限例如為1500mm。由於寬度越寬，則因上述基材之相位差等所引起之光學積層體之寬度方向之特性之偏差越大，故而顯著地發揮本發明之效果。
於一實施形態中，第1相位差層20及第2相位差層30分別包含樹脂膜。於另一實施形態中，第1相位差層20及第2相位差層30可分別為液晶化合物之配向固化層。再者，關於樹脂膜於C-2項及D-2項中進行詳細說明，關於液晶化合物之配向固化層於C-3項及D-3項中進行詳細說明。
除導電層41與基材42之密接積層以外，構成光學積層體之各層可經由任意適當之接著層(接著劑層或黏著劑層：未圖示)而積層，亦可與導電層41及基材42之情形同樣地密接積層。
光學積層體之尺寸變化率較佳為1%以下，更佳為0.95%以下。光學積層體之尺寸變化率越小越佳。光學積層體之尺寸變化率之下限例如為0.01%。若光學積層體之尺寸變化率為此種範圍內，則可顯著地抑制高溫高濕下之導電層之龜裂之產生。
光學積層體之總厚度較佳為220μm以下，更佳為80μm~190μm。於第1相位差層20及第2相位差層30為液晶化合物之配向固化層之情形時，光學積層體之總厚度較佳為175μm以下，更佳為80μm~140μm。
以下，對構成光學積層體之各層、光學膜、及黏著劑進行更詳細之說明。
B.偏光板
B-1.偏光元件
作為偏光元件11，可採用任意適當之偏光元件。例如形成偏光元件之樹脂膜可為單層之樹脂膜，亦可為兩層以上之積層體。
作為包含單層之樹脂膜之偏光元件之具體例，可列舉：對聚乙烯醇(PVA)系膜、部分縮甲醛化PVA系膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化膜等親水性高分子膜實施利用碘或二色性染料等二色性物質之染色處理及延伸處理而成者、PVA之脫水處理物或聚氯乙烯之脫氯化氫處理物等多烯系配向膜等。較佳為就光學特性優異之方面而言，使用將PVA系膜利用碘進行染色並進行單軸延伸而獲得之偏光元件。
上述利用碘之染色例如係藉由將PVA系膜浸漬於碘水溶液中而進行。上述單軸延伸之延伸倍率較佳為3~7倍。延伸可於染色處理後進行，亦可一面染色一面進行。又，亦可於延伸後進行染色。視需要對PVA系膜實施膨潤處理、交聯處理、洗淨處理、乾燥處理等。例如藉由於染色前將PVA系膜浸漬於水中進行水洗，不僅可洗淨PVA系膜表面之污垢或抗黏連劑，亦可使PVA系膜膨潤而防止染色不均等。
作為使用積層體而獲得之偏光元件之具體例，可列舉使用樹脂基材與積層於該樹脂基材上之PVA系樹脂層(PVA系樹脂膜)之積層體、或樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材上之PVA系樹脂層之積層體而獲得的偏光元件。使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材上之PVA系樹脂層之積層體而獲得之偏光元件例如可藉由如下方式製作：將PVA系樹脂溶液塗佈於樹脂基材上，使其乾燥而於樹脂基材上形成PVA系樹脂層，而獲得樹脂基材與PVA系樹脂層之積層體；將該積層體進行延伸及染色而將PVA系樹脂層製成偏光元件。於本實施形態中，延伸代表性而言包含使積層體浸漬於硼酸水溶液中進行延伸。進而，延伸可視需要進而包含於在硼酸水溶液中延伸 之前將積層體於高溫下(例如95℃以上)進行空中延伸。所獲得之樹脂基材/偏光元件之積層體可直接使用(即，可將樹脂基材設為偏光元件之保護層)，亦可自樹脂基材/偏光元件之積層體剝離樹脂基材，並於該剝離面上積層對應目的之任意適當之保護層而使用。此種偏光元件之製造方法之詳情例如記載於日本專利特開2012-73580號公報中。該公報之全部記載係作為參考而援用於本說明書中。
偏光元件之厚度較佳為18μm以下，更佳為1μm~12μm，進而較佳為3μm~12μm，尤佳為5μm~12μm。
偏光元件之硼酸含量較佳為18重量%以上，更佳為18重量%~25重量%。若偏光元件之硼酸含量為此種範圍內，則可藉由與下述碘含量之協同效應，良好地維持貼合時之捲曲調整之容易性，且良好地抑制加熱時之捲曲，並且改善加熱時之外觀耐久性。硼酸含量例如可根據中和法使用下述式，作為每單位重量之偏光元件中所包含之硼酸量而算出。
偏光元件之碘含量較佳為2.1重量%以上，更佳為2.1重量%~3.5重量%。若偏光元件之碘含量為此種範圍內，則可藉由與上述硼酸含量之協同效應，良好地維持貼合時之捲曲調整之容易性，且良好地抑制加熱時之捲曲，並且改善加熱時之外觀耐久性。於本說明書中，所謂「碘含量」，意指偏光元件(PVA系樹脂膜)中所包含之所有碘之量。更具體而言，於偏光元件中碘以碘離子(I-)、碘分子(I2)、多碘離子(I3 -、I5 -)等形態存在時，本說明書中之碘含量意指該等形態全部包含在內之碘之量。碘含量例如可藉由螢光X射線分析之校準曲線法而算出。再者，多碘離子於偏光元件中以 形成PVA-碘錯合物之狀態存在。藉由形成此種錯合物，可於可見光之波長範圍內表現出吸收二色性。具體而言，PVA與三碘化物離子之錯合物(PVA-I3 -)於470nm附近具有吸光峰，PVA與五碘化物離子之錯合物(PVA-I5 -)於600nm附近具有吸光峰。結果多碘離子可根據其形態於可見光之廣泛範圍內吸收光。另一方面，碘離子(I-)於230nm附近具有吸光峰，實質上不干預可見光之吸收。因此，以與PVA之錯合物之狀態存在之多碘離子可主要干預偏光元件之吸收性能。
偏光元件較佳為於波長380nm~780nm之任一波長下顯示出吸收二色性。偏光元件之單體透過率(single transmission)如上所述為43.0%~46.0%，較佳為44.5%~46.0%。偏光元件之偏光度較佳為97.0%以上，更佳為99.0%以上，進而較佳為99.9%以上。
B-2.第1保護層
第1保護層12係由可用作偏光元件之保護層之任意適當之膜所形成。作為成為該膜之主要成分之材料之具體例，可列舉：三乙醯纖維素(TAC)等纖維素系樹脂、或聚酯系、聚乙烯醇系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚降烯系、聚烯烴系、(甲基)丙烯酸系、乙酸酯系等之透明樹脂等。又，亦可列舉(甲基)丙烯酸系、胺基甲酸酯系、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯系、環氧系、聚矽氧系等之熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等。此外，例如亦可列舉矽氧烷系聚合物等玻璃質系聚合物。又，亦可使用日本專利特開2001-343529號公報(WO01/37007)中所記載之聚合物膜。作為該膜之材料，例如可使用含有側鏈具有經取代或未經取代之醯亞胺基之熱塑性樹脂、及側鏈具有經取代或未經取代之苯基以及腈基之熱塑性樹脂的樹脂組合物，例如可列舉含有 包含異丁烯與N-甲基馬來醯亞胺之交替共聚物、及丙烯腈-苯乙烯共聚物之樹脂組合物。該聚合物膜例如可為上述樹脂組合物之擠出成形物。
本發明之光學積層體如下所述代表性而言配置於圖像顯示裝置之視認側，第1保護層12代表性而言配置於其視認側。因此，可對第1保護層12視需要實施硬塗處理、抗反射處理、抗沾黏處理、防眩處理等表面處理。進而/或者，亦可對第1保護層12視需要實施改善介隔偏光太陽眼鏡進行視認之情形時之視認性之處理(代表性而言，賦予(橢)圓偏光功能、賦予超高相位差)。藉由實施此種處理，即便於介隔偏光太陽眼鏡等偏光透鏡而視認顯示畫面之情形時，亦可實現優異之視認性。因此，光學積層體亦可較佳地應用於可於室外使用之圖像顯示裝置。
關於第1保護層之厚度，只要可獲得上述所需之偏光板之厚度及與第2保護層之厚度之差，則可採用任意適當之厚度。第1保護層之厚度例如為10μm~50μm，較佳為15μm~40μm。再者，於實施表面處理之情形時，第1保護層之厚度係包括表面處理層之厚度在內之厚度。
B-3.第2保護層
第2保護層13亦由可用作偏光元件之保護層之任意適當之膜所形成。成為該膜之主要成分之材料如關於第1保護層於上述B-2項中所說明。第2保護層13較佳為於光學上為等向性。於本說明書中，所謂「於光學上為等向性」，係指面內相位差Re(550)為0nm~10nm，厚度方向之相位差Rth(550)為-10nm~+10nm。
第2保護層之厚度例如為15μm~35μm，較佳為20μm~30μm。第1保護層之厚度與第2保護層之厚度之差較佳為15μm以下，更佳為10μm以下。若厚度之差為此種範圍內，則可良好地抑制貼合時之捲曲。第1保 護層之厚度與第2保護層之厚度可相同，可第1保護層厚得多，亦可第2保護層厚得多。代表性而言，與第2保護層相比第1保護層厚得多。
C.第1相位差層
C-1.第1相位差層之特性
第1相位差層20如上所述具有遲相軸。第1相位差層20之遲相軸與偏光元件11之吸收軸所成之角度較佳為10°~20°，更佳為13°~17°，進而較佳為約15°。若第1相位差層20之遲相軸與偏光元件11之吸收軸所成之角度為此種範圍內，則可藉由如下所述將第1相位差層及第2相位差層之面內相位差分別設定為特定之範圍，並以相對於偏光元件之吸收軸為特定之角度配置第2相位差層之遲相軸，而獲得於寬頻帶內具有非常優異之圓偏光特性(結果為非常優異之抗反射特性)之光學積層體。
第1相位差層較佳為折射率特性顯示nx>ny≧nz之關係。第1相位差層之面內相位差Re(550)為220nm~250nm，較佳為230nm~240nm。再者，此處，「ny=nz」不僅包含ny與nz完全相等之情形，亦包含實質上相等之情形。因此，可於無損本發明之效果之範圍內，存在ny<nz之情形。
第1相位差層之Nz係數較佳為0.9~3，更佳為0.9~2.5，進而較佳為0.9~1.5，尤佳為0.9~1.3。藉由滿足此種關係，可於將所獲得之光學積層體用於圖像顯示裝置之情形時，達成非常優異之反射色相。
第1相位差層可顯示相位差值根據測定光之波長而變大之反分散波長特性，可顯示相位差值根據測定光之波長而變小之正波長分散特性，亦可顯示相位差值根據測定光之波長而幾乎無變化之平坦之波長分散特性。於一實施形態中，第1相位差層顯示相位差值根據測定光之波長而幾乎無變 化之平坦之波長分散特性。於該情形時，相位差層之Re(450)/Re(550)較佳為0.99~1.03，Re(650)/Re(550)較佳為0.98~1.02。藉由將顯示平坦之波長分散特性且具有特定之面內相位差之第1相位差層與顯示平坦之波長分散特性且具有特定之面內相位差之第2相位差層以特定之遲相軸角度進行組合而使用，可於寬頻帶內實現非常優異之抗反射特性。
第1相位差層包含光彈性係數之絕對值較佳為2×10-11m2/N以下、更佳為2.0×10-13m2/N~1.5×10-11m2/N、進而較佳為1.0×10-12m2/N~1.2×10-11m2/N之樹脂。若光彈性係數之絕對值為此種範圍內，則於產生加熱時之收縮應力之情形時不易產生相位差變化。其結果為，可良好地防止所獲得之圖像顯示裝置之熱不均。
第1相位差層之尺寸變化率較佳為1%以下，更佳為0.95%以下。第1相位差層之尺寸變化率越小越佳。第1相位差層之尺寸變化率之下限例如為0.01%。若第1相位差層之尺寸變化率為此種範圍內，則可顯著地抑制高溫高濕下之導電層之龜裂之產生。
C-2.包含樹脂膜之第1相位差層
於第1相位差層包含樹脂膜之情形時，其厚度較佳為60μm以下，較佳為30μm~50μm。若第1相位差層之厚度為此種範圍內，則可獲得所需之面內相位差。
第1相位差層20可包含可滿足上述C-1項中所記載之特性之任意適當之樹脂膜。作為此種樹脂之代表例，可列舉：環狀烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、纖維素系樹脂、聚酯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醚系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、丙烯酸系樹脂。於第1相位差層包含顯示平坦之波長特性之樹脂膜之情形時，可較佳地使用環狀 烯烴系樹脂。
環狀烯烴系樹脂係以環狀烯烴作為聚合單元進行聚合之樹脂之總稱，例如可列舉日本專利特開平1-240517號公報、日本專利特開平3-14882號公報、日本專利特開平3-122137號公報等中所記載之樹脂。作為具體例，可列舉：環狀烯烴之開環(共)聚合物、環狀烯烴之加成聚合物、環狀烯烴與乙烯、丙烯等α-烯烴之共聚物(代表性而言為無規共聚物)、及將該等利用不飽和羧酸或其衍生物進行改性而成之接枝改性體、以及其等之氫化物。作為環狀烯烴之具體例，可列舉降烯系單體。作為降烯系單體，例如可列舉：降烯、及其烷基及/或亞烷基取代體、例如5-甲基-2-降烯、5-二甲基-2-降烯、5-乙基-2-降烯、5-丁基-2-降烯、5-亞乙基-2-降烯等、該等之鹵素等極性基取代體；二環戊二烯、2,3-二氫二環戊二烯等；二甲橋八氫萘、其烷基及/或亞烷基取代體、及鹵素等極性基取代體、例如6-甲基-1,4：5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘、6-乙基-1,4：5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘、6-亞乙基-1,4：5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘、6-氯-1,4：5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘、6-氰基-1,4：5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘、6-吡啶基-1,4：5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘、6-甲氧基羰基-1,4：5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘等；環戊二烯之三~四聚物、例如4,9：5,8-二甲橋-3a,4,4a,5,8,8a,9,9a-八氫-1H-苯并茚、4,11：5,10：6,9-三甲橋-3a,4,4a,5,5a,6,9,9a,10,10a,11,11a-十二氫-1H-環戊並蒽等。
於本發明中，可於無損本發明之目的之範圍內，併用可開環聚合之其他環烯烴類。作為此種環烯烴之具體例，例如可列舉：環戊烯、環辛烯、5,6-二氫二環戊二烯等具有1個反應性雙鍵之化合物。
關於上述環狀烯烴系樹脂，藉由利用甲苯溶劑之凝膠滲透層析(GPC)法所測得之數量平均分子量(Mn)較佳為25,000~200,000，進而較佳為30,000~100,000，最佳為40,000~80,000。若數量平均分子量為上述範圍內，則可成為機械強度優異，溶解性、成形性、流延之操作性良好者。
於上述環狀烯烴系樹脂為將降烯系單體之開環聚合物氫化而獲得者之情形時，氫化率較佳為90%以上，進而較佳為95%以上，最佳為99%以上。若為此種範圍內，則耐熱劣化性及耐光劣化性等優異。
亦可使用市售之膜作為上述環狀烯烴系樹脂膜。作為具體例，可列舉：日本ZEON公司製造之商品名「ZEONEX」、「ZEONOR」、JSR公司製造之商品名「Arton」、TICONA公司製造之商品名「TOPAS」、三井化學公司製造之商品名「APEL」。
第1相位差層20例如可藉由將由上述環狀烯烴系樹脂所形成之膜進行延伸而獲得。作為由環狀烯烴系樹脂形成膜之方法，可採用任意適當之成形加工法。作為具體例，可列舉：壓縮成形法、轉移成形法、射出成形法、擠出成形法、吹塑成形法、粉末成形法、FRP成形法、澆鑄塗佈法(例如流延法)、壓延成形法、熱壓法等。較佳為擠出成形法或澆鑄塗佈法。其原因在於：可提高所獲得之膜之平滑性，而獲得良好之光學均一性。成形條件可根據所使用之樹脂之組成或種類、相位差層所需之特性等而適當設定。再者，如上所述，環狀烯烴系樹脂由於市售有大量膜製品，故而可將該市售膜直接供至延伸處理。
樹脂膜(未延伸膜)之厚度可根據第1相位差層所需之厚度、所需之光學特性、下述延伸條件等而設定為任意適當之值。較佳為50μm~300μm。
上述延伸可採用任意適當之延伸方法、延伸條件(例如延伸溫度、延伸倍率、延伸方向)。具體而言，可將自由端延伸、固定端延伸、自由端收縮、固定端收縮等各種延伸方法單獨使用，亦可同時或逐次使用。關於延伸方向，亦可於長度方向、寬度方向、厚度方向、斜向方向等各種方向或維度進行。延伸之溫度較佳為相對於樹脂膜之玻璃轉移溫度(Tg)為Tg-30℃~Tg+60℃，更佳為Tg-10℃~Tg+50℃。
藉由適當選擇上述延伸方法、延伸條件，可獲得具有上述所需之光學特性(例如折射率特性、面內相位差、Nz係數)之相位差膜。
於一實施形態中，相位差膜可藉由將長條狀之樹脂膜於相對於長邊方向為特定角度之方向上連續地進行斜向延伸而製作。藉由採用斜向延伸，可獲得具有相對於膜之長邊方向為特定角度之配向角(於該角度之方向上具有遲相軸)之長條狀之延伸膜，例如可於與偏光元件之積層時進行輥對輥，可簡化製造步驟。再者，該角度可為光學積層體中偏光元件之吸收軸與第1相位差層之遲相軸所成之角度。該角度如上所述較佳為10°~20°，更佳為13°~17°，進而較佳為約15°。
作為用於斜向延伸之延伸機，例如可列舉可於橫及/或縱方向上附加左右不同速度之進給力或拉伸力或拉取力之拉幅式延伸機。拉幅式延伸機有橫單軸延伸機、同時雙軸延伸機等，只要可將長條狀之樹脂膜連續地進行斜向延伸，則可使用任意適當之延伸機。
藉由對於上述延伸機分別適當地控制左右之速度，可獲得具有上述所需之面內相位差且於上述所需之方向上具有遲相軸之第1相位差層(實質上為長條狀之相位差膜)。
上述膜之延伸溫度可根據第1相位差層所需之面內相位差值及厚度、 所使用之樹脂之種類、所使用之膜之厚度、延伸倍率等而變化。具體而言，延伸溫度較佳為Tg-30℃~Tg+30℃，進而較佳為Tg-15℃~Tg+15℃，最佳為Tg-10℃~Tg+10℃。藉由於此種溫度下進行延伸，可於本發明中獲得具有適當之特性之第1相位差層。再者，Tg為膜之構成材料之玻璃轉移溫度。
C-3.包含液晶化合物之配向固化層之第1相位差層
第1相位差層20亦可為液晶化合物之配向固化層。藉由使用液晶化合物，可與非液晶材料相比明顯增大所獲得之相位差層之nx與ny之差，因此可明顯減小用以獲得所需之面內相位差之第1相位差層之厚度。其結果為，可實現光學積層體之進一步薄型化。於第1相位差層20包含液晶化合物之配向固化層之情形時，其厚度較佳為1μm~7μm，更佳為1.5μm~2.5μm。藉由使用液晶化合物，可以明顯薄於樹脂膜之厚度實現與樹脂膜同等之面內相位差。
於本說明書中，所謂「配向固化層」，係指液晶化合物於層內於特定之方向上配向且其配向狀態固定之層。再者，「配向固化層」係包含如下所述使液晶單體硬化而獲得之配向硬化層之概念。於本實施形態中，代表性而言，棒狀之液晶化合物以排列於第1相位差層之遲相軸方向之狀態配向(水平配向)。作為液晶化合物，例如可列舉液晶相為向列相之液晶化合物(向列液晶)。作為此種液晶化合物，例如可使用液晶聚合物或液晶單體。液晶化合物之液晶性之表現機制不論為向液性抑或向熱性均可。液晶聚合物及液晶單體可分別單獨使用，亦可進行組合。
於液晶化合物為液晶單體之情形時，該液晶單體較佳為聚合性單體及交聯性單體。其原因在於：藉由使液晶單體聚合或交聯(即硬化)，可使 液晶單體之配向狀態固定。若於使液晶單體配向後，例如使液晶單體彼此聚合或交聯，則可藉此使上述配向狀態固定。此處，藉由聚合而形成聚合物，藉由交聯而形成三維網狀結構，該等為非液晶性。因此，所形成之第1相位差層例如不會發生液晶性化合物所特有之因溫度變化所引起之向液晶相、玻璃相、結晶相之轉移。其結果為，第1相位差層成為不受溫度變化影響之穩定性極其優異之相位差層。
液晶單體顯示液晶性之溫度範圍根據其種類而異。具體而言，該溫度範圍較佳為40℃~120℃，進而較佳為50℃~100℃，最佳為60℃~90℃。
作為上述液晶單體，可採用任意適當之液晶單體。例如可使用日本專利特表2002-533742(WO00/37585)、EP358208(US5211877)、EP66137(US4388453)、WO93/22397、EP0261712、DE19504224、DE4408171、及GB2280445等中所記載之聚合性液晶原基化合物等。作為此種聚合性液晶原基化合物之具體例，例如可列舉：BASF公司之商品名LC242、Merck公司之商品名E7、Wacker-Chem公司之商品名LC-Sillicon-CC3767。作為液晶單體，例如較佳為向列性液晶單體。
液晶化合物之配向固化層可藉由如下方式形成：對特定之基材之表面實施配向處理，於該表面塗佈包含液晶化合物之塗佈液而使該液晶化合物於與上述配向處理對應之方向上配向，並使該配向狀態固定。藉由使用此種配向處理，可於相對於長條狀之基材之長條方向為特定之方向上使液晶化合物配向，結果可於所形成之相位差層之特定方向上表現出遲相軸。例如可於長條狀之基材上形成於相對於長條方向為15°之方向上具有遲相軸之相位差層。此種相位差層即便於希望於斜向方向上具有遲相軸之情形 時亦可使用輥對輥進行積層，因此光學積層體之生產性可明顯提高。於一實施形態中，基材為任意適當之樹脂膜，形成於該基材上之配向固化層可轉印至偏光板10之表面。於另一實施形態中，基材可為第2保護層13。於該情形時可省略轉印步驟，自配向固化層(第1相位差層)之形成連續地藉由輥對輥進行積層，因此生產性進一步提高。
作為上述配向處理，可採用任意適當之配向處理。具體而言，可列舉機械性配向處理、物理性配向處理、化學性配向處理。作為機械性配向處理之具體例，可列舉摩擦處理、延伸處理。作為物理性配向處理之具體例，可列舉磁場配向處理、電場配向處理。作為化學性配向處理之具體例，可列舉斜向蒸鍍法、光配向處理。各種配向處理之處理條件可根據目的而採用任意適當之條件。
液晶化合物之配向係藉由根據液晶化合物之種類於顯示液晶相之溫度下進行處理而進行。藉由進行此種溫度處理，而使液晶化合物獲得液晶狀態，使該液晶化合物根據基材表面之配向處理方向而配向。
於一實施形態中，配向狀態之固定係藉由將如上所述般配向之液晶化合物冷卻而進行。於液晶化合物為聚合性單體或交聯性單體之情形時，配向狀態之固定係藉由對如上所述般配向之液晶化合物實施聚合處理或交聯處理而進行。
液晶化合物之具體例及配向固化層之形成方法之詳情記載於日本專利特開2006-163343號公報中。該公報之記載係作為參考而援用於本說明書中。
D.第2相位差層
D-1.第2相位差層之特性
第2相位差層30如上所述具有遲相軸。第2相位差層30之遲相軸與偏光元件11之吸收軸所成之角度較佳為65°~85°，更佳為72°~78°，進而較佳為約75°。第2相位差層30之遲相軸與第1相位差層20之遲相軸所成之角度較佳為52°~68°，更佳為57°~63°，進而較佳為約60°。若第2相位差層30之遲相軸與偏光元件11之吸收軸所成之角度為此種範圍內，則可藉由如上所述將第1相位差層之面內相位差設定為特定之範圍，以相對於偏光元件之吸收軸為特定之角度配置第1相位差層之遲相軸，並如下所述將第2相位差層之面內相位差設定為特定之範圍，而獲得於寬頻帶內具有非常優異之圓偏光特性(結果為非常優異之抗反射特性)之光學積層體。
第2相位差層較佳為折射率特性顯示nx>ny≧nz之關係。第2相位差層之面內相位差Re(550)為110nm~125nm，較佳為115nm~120nm。
第2相位差層之尺寸變化率較佳為1%以下，更佳為0.95%以下。第2相位差層之尺寸變化率越小越佳。第2相位差層之尺寸變化率之下限例如為0.01%。若第2相位差層之尺寸變化率為此種範圍內，則可顯著地抑制高溫高濕下之導電層之龜裂之產生。
關於第2相位差層之其他特性，如關於第1相位差層於上述C-1項中所說明。
D-2.包含樹脂膜之第2相位差層
於第2相位差層包含樹脂膜之情形時，其厚度較佳為40μm以下，較佳為25μm~35μm。若第2相位差層之厚度為此種範圍內，則可獲得所需之面內相位差。於第2相位差層包含樹脂膜之情形時，其材料、特性、製造方法等如關於第1相位差層於上述C-2項中所說明。
D-3.包含液晶化合物之配向固化層之第2相位差層
第2相位差層30可與第1相位差層同樣地為液晶化合物之配向固化層。於第2相位差層30包含液晶化合物之配向固化層之情形時，其厚度較佳為0.5μm~2μm，更佳為1μm~1.5μm。於第2相位差層包含液晶化合物之配向固化層之情形時，其材料、特性、製造方法等如關於第1相位差層於上述C-3項中所說明。
D-4.第1相位差層與第2相位差層之組合
第1相位差層及第2相位差層可作為任意適當之組合而使用。具體而言，可第1相位差層包含樹脂膜，且第2相位差層包含液晶化合物之配向固化層；可第1相位差層包含液晶化合物之配向固化層，且第2相位差層包含樹脂膜；可第1相位差層及第2相位差層均包含樹脂膜；亦可第1相位差層及第2相位差層均包含液晶化合物之配向固化層。較佳為於第1相位差層包含樹脂膜之情形時，第2相位差層亦包含樹脂膜；於第1相位差層包含液晶化合物之配向固化層之情形時，第2相位差層亦包含液晶化合物之配向固化層。再者，於第1相位差層及第2相位差層均包含樹脂膜之情形時，第1相位差層及第2相位差層可相同，亦可詳細之構成不同。於第1相位差層及第2相位差層均包含液晶化合物之配向固化層之情形時亦同樣。
E.導電層
導電層可藉由任意適當之成膜方法(例如真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD法、離子鍍覆法、噴霧法等)於任意適當之基材上成膜金屬氧化物膜而形成。於成膜後，可視需要進行加熱處理(例如100℃~200℃)。藉由進行加熱處理，可使非晶質膜結晶化。作為金屬氧化物，例如可列舉：氧化銦、氧化錫、氧化鋅、銦-錫複合氧化物、錫-銻複合氧化物、鋅-鋁複合氧化物、銦-鋅複合氧化物。亦可於銦氧化物中摻雜2價金屬離子或4價金屬離 子。較佳為銦系複合氧化物，更佳為銦-錫複合氧化物(ITO)。銦系複合氧化物具有於可見光區域(380nm~780nm)具有較高之透過率(例如80%以上)且每單位面積之表面電阻值較低之特徵。
於導電層包含金屬氧化物之情形時，該導電層之厚度較佳為50nm以下，更佳為35nm以下。導電層之厚度之下限較佳為10nm。
導電層之表面電阻值較佳為300Ω/□以下，更佳為150Ω/□以下，進而較佳為100Ω/□以下。
導電層可視需要進行圖案化。藉由圖案化，可形成導通部及絕緣部。作為圖案化方法，可採用任意適當之方法。作為圖案化方法之具體例，可列舉濕式蝕刻法、網版印刷法。
F.基材
作為基材，可使用任意適當之樹脂膜。較佳為具有優異之透明性之樹脂膜。作為構成材料之具體例，可列舉：環狀烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、纖維素系樹脂、聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂。
如上所述，基材具有面內相位差及遲相軸，該面內相位差及遲相軸方向於寬度方向上具有偏差。如上所述，根據本發明，即便於存在因此種基材所引起之寬度方向之特性之偏差之情形時，亦可於將光學積層體裁斷為特定尺寸而應用於圖像顯示裝置之情形時減小各製品之顯示特性之偏差。
基材之厚度較佳為10μm~200μm，更佳為20μm~60μm。
亦可視需要於導電層41與基材42之間設置硬塗層(未圖示)。作為硬塗層，可使用具有任意適當之構成之硬塗層。硬塗層之厚度例如為0.5μm~2μm。只要霧度為容許範圍內，則亦可於硬塗層中添加用以降低牛頓 環之微粒子。進而，亦可視需要於導電層41與基材42(於存在硬塗層之情形時為硬塗層)之間設置用以提高導電層之密接性之增黏塗層及/或用以調整反射率之折射率調整層。作為增黏塗層及折射率調整層，可採用任意適當之構成。增黏塗層及折射率調整層可為數nm~數十nm之薄層。
亦可視需要於基材42之與導電層相反之側(光學積層體之最外側)設置其他硬塗層。該硬塗層代表性而言包含黏合劑樹脂層及球狀粒子，且球狀粒子自黏合劑樹脂層突出而形成凸部。此種硬塗層之詳情記載於日本專利特開2013-145547號公報中，該公報之記載係作為參考而援用於本說明書中。
G.其他
本發明之實施形態之光學積層體亦可進而包含其他相位差層。其他相位差層之光學特性(例如折射率特性、面內相位差、Nz係數、光彈性係數)、厚度、配置位置等可根據目的而適當設定。
於實用上，於基材42之表面設置有用以貼合至顯示單元之黏著劑層(未圖示)。較佳為於光學積層體供至使用之前於該黏著劑層之表面貼合有剝離膜。
H.圖像顯示裝置
上述A項至G項中所記載之長條狀之光學積層體可裁斷為特定尺寸而應用於圖像顯示裝置。因此，本發明包含使用此種光學積層體之圖像顯示裝置。作為圖像顯示裝置之代表例，可列舉液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置。本發明之實施形態之圖像顯示裝置於其視認側具備裁斷為特定尺寸之上述A項至G項中所記載之光學積層體。光學積層體係以導電層成為顯示單元(例如液晶單元、有機EL單元)側之方式(以偏光元件成為視認側之 方式)進行積層。即，本發明之實施形態之圖像顯示裝置可為於顯示單元(例如液晶單元、有機EL單元)與偏光板之間組入有觸控感測器之所謂內部觸控面板型輸入顯示裝置。於該情形時，觸控感測器可配置於導電層(或附有基材之導電層)與顯示單元之間。關於觸控感測器之構成可採用業界所周知之構成，因此省略詳細之說明。
[實施例]
以下，藉由實施例具體地說明本發明，但本發明並不受該等實施例限定。再者，各特性之測定方法如下所述。
(1)厚度
對於塗佈形成之相位差層(液晶化合物之配向固化層)，使用大塚電子製造之MCPD2000，藉由干涉膜厚測定法進行測定。對於其他膜，使用數位式測微計(Anritsu公司製造之KC-351C)進行測定。
(2)相位差值
藉由自動雙折射測定裝置(王子計測機器股份有限公司製造，自動雙折射計KOBRA-WPR)測量實施例及比較例中所使用之相位差層及基材之折射率nx、ny及nz。面內相位差Re之測定波長為450nm及550nm，厚度方向相位差Rth之測定波長為550nm，測定溫度為23℃。
(3)相位差值及遲相軸方向之偏差
於構成實施例及比較例中所使用之附有基材之導電層之基材的膜捲筒(參考例5之聚環烯烴膜捲筒)之寬度方向上以等間隔切出5件50mm×50mm之樣品。對於所切出之樣品，使用自動雙折射測定裝置(王子計測機器股份有限公司製造，自動雙折射計KOBRA-WPR)求出面內相位差Re(550)及遲相軸。將相對於設定相位差之偏差之最大值(%)設為相位差值之偏 差，將相對於設定遲相軸方向之偏差之最大值設為遲相軸方向之偏差。
(4)圖像顯示裝置之顯示特性
將三星無線公司製造之智慧型手機(Galaxy-S5)分解而取出有機EL面板。於實施例及比較例中所獲得之寬度500mm之光學積層體捲筒之寬度方向上以等間隔切出5件50mm×50mm之樣品。將所切出之樣品與有機EL面板貼合，並以目視確認反射色相。評價基準如下所述。
良好：顯示中性之反射色相，且對於5個樣品反射色相未見差異
不良：雖然為中性之反射色相，但對於各樣品可見色調之差異
[參考例1：偏光板之製作]
對於厚度30μm之聚乙烯醇(PVA)系樹脂膜(Kuraray製造，製品名「PE3000」)之長條捲筒，一面藉由輥延伸機以長條方向上成為5.9倍之方式於長條方向上進行單軸延伸，一面同時實施膨潤、染色、交聯、洗淨處理，最後實施乾燥處理，藉此製作厚度12μm之偏光元件1。
具體而言，膨潤處理係一面利用20℃之純水進行處理一面延伸至2.2倍。繼而，染色處理係一面於以所獲得之偏光元件之單體透過率成為45.0%之方式調整碘濃度後之碘與碘化鉀之重量比為1：7的30℃之水溶液中進行處理一面延伸至1.4倍。進而，交聯處理係採用2階段之交聯處理，第1階段之交聯處理係一面於40℃之溶解有硼酸及碘化鉀之水溶液中進行處理一面延伸至1.2倍。第1階段之交聯處理之水溶液之硼酸含量係設為5.0重量%，碘化鉀含量係設為3.0重量%。第2階段之交聯處理係一面於65℃之溶解有硼酸及碘化鉀之水溶液中進行處理一面延伸至1.6倍。第2階段之交聯處理之水溶液之硼酸含量係設為4.3重量%，碘化鉀含量係設為5.0重量%。又，洗淨處理係利用20℃之碘化鉀水溶液進行處理。洗淨處理之 水溶液之碘化鉀含量係設為2.6重量%。最後，乾燥處理係於70℃下乾燥5分鐘，而獲得長條狀之偏光元件1。
經由聚乙烯醇系接著劑，將Konica Minolta股份有限公司製造之TAC膜(製品名：KC2UA，厚度：25μm，對應於第2保護層)及於該TAC膜之單面具有藉由硬塗處理所形成之硬塗(HC)層之HC-TAC膜(厚度：32μm，對應於第1保護層)分別藉由輥對輥而貼合於所獲得之長條狀之偏光元件1之兩面，而獲得具有第1保護層/偏光元件1/第2保護層之構成之長條狀之偏光板1。
[參考例2：構成第1相位差層之液晶配向固化層之製作]
將顯示向列液晶相之聚合性液晶(BASF公司製造：商品名「Paliocolor LC242」，以下述式表示)10g及針對該聚合性液晶化合物之光聚合起始劑(BASF公司製造：商品名「Irgacure 907」)3g溶解於甲苯40g中，而製備液晶組合物(塗佈液)。
使用摩擦布摩擦長條狀之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(厚度38μm)表面，而實施配向處理。關於配向處理之條件，摩擦次數(摩擦輥個數)為1，摩擦輥半徑r為76.89mm，摩擦輥轉數nr為1500rpm，膜搬送速度v為83mm/sec，且於摩擦強度RS及壓入量M如表1所示之5種條件(a)~(e)下進行配向處理。
配向處理之方向係設為於貼合至偏光板時相對於偏光元件之吸收軸之方向自視認側觀察成為-75°方向。於該配向處理表面藉由棒式塗佈機塗佈上述液晶塗佈液，並於90℃下加熱乾燥2分鐘，藉此使液晶化合物配向。於條件(a)~(c)下液晶化合物之配向狀態非常良好。於條件(d)及(e)下液晶化合物之配向產生若干混亂，但為實用上無問題之級別。對於如此形成之液晶層，使用金屬鹵化物燈照射1mJ/cm2之光，而使該液晶層硬化，藉此於長條狀之PET膜上形成相位差層(液晶配向固化層)1。相位差層1之厚度為2μm，面內相位差Re(550)為236nm。進而，相位差層1具有nx>ny=nz之折射率分佈。
[參考例3：構成第2相位差層之液晶配向固化層之製作]
使用摩擦布摩擦長條狀之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(厚度38μm)表面，而實施配向處理。配向處理之方向係設為於貼合至偏光板時相對於偏光元件之吸收軸之方向自視認側觀察成為-15°方向。於該配向處理表面塗佈與參考例2相同之液晶塗佈液，並以與參考例2相同之方式使液晶化合物配向及硬化，而於長條狀之PET膜上形成相位差層2。相位差層2之厚度為1.2μm，面內相位差Re(550)為115nm。進而，相位差層2具有nx>ny=nz之折射率分佈。
[參考例4：構成相位差層之相位差膜之製作]
使用包含2台具備攪拌葉片及控制為100℃之回流冷卻器之立式反應器的分批聚合裝置進行聚合。將9,9-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]茀(BHEPF)、異山梨酯(ISB)、二乙二醇(DEG)、碳酸二苯酯(DPC)、及乙酸鎂四水合物以按莫耳比率計成為BHEPF/ISB/DEG/DPC/乙酸鎂=0.348/0.490/0.162/1.005/1.00×10-5之方式進行添加。將反應器內充分進行氮氣置換後(氧濃度0.0005~0.001vol%)，利用熱介質進行加溫，於內溫成為100℃之時間點開始攪拌。於升溫開始40分鐘後使內溫達到220℃，以保持該溫度之方式進行控制，同時開始減壓，於達到220℃後以90分鐘設為13.3kPa。將與聚合反應一併副產之苯酚蒸氣導入至100℃之回流冷卻器中，使苯酚蒸氣中所包含之若干量之單體成分返回至反應器中，將未冷凝之苯酚蒸氣導入至45℃之冷凝器中加以回收。
向第1反應器中導入氮氣而暫時恢復壓力至大氣壓後，將第1反應器內之低聚物化之反應液轉移至第2反應器中。繼而，開始第2反應器內之升溫及減壓，以50分鐘設為內溫240℃、壓力0.2kPa。其後，進行聚合直至成為特定之攪拌動力。於達到特定動力之時間點向反應器中導入氮氣而恢復壓力，將反應液以股線之形態抽出，並利用旋轉式切割器進行顆粒化，而獲得BHEPF/ISB/DEG=34.8/49.0/16.2[mol%]之共聚合組成之聚碳酸酯樹脂A。該聚碳酸酯樹脂之還原黏度為0.430dL/g，玻璃轉移溫度為128℃。
將所獲得之聚碳酸酯樹脂於80℃下真空乾燥5小時後，使用具備單軸擠出機(五十鈴化工機公司製造，螺桿直徑25mm，缸體設定溫度：220℃)、T型模頭(寬度900mm，設定溫度：220℃)、冷卻輥(設定溫度：125℃)及捲取機之膜製膜裝置，製作厚度130μm之聚碳酸酯樹脂膜。
(斜向延伸)
將以上述方式獲得之聚碳酸酯樹脂膜藉由依據日本專利特開2014-194483號公報之實施例1之方法進行斜向延伸，而獲得相位差膜。即，使用如圖2~圖5所示之裝置，以如圖6所示之夾具間距之分佈供至預熱處理、斜向延伸及MD收縮處理，而獲得相位差膜。再者，關於裝置之詳細構成，將日本專利特開2014-194483號公報之記載作為參考而援用於本說明書中。相位差膜之具體之製作順序如下所述：將聚碳酸酯樹脂膜(厚度130μm，寬度765mm)於延伸裝置之預熱區域中預熱至142℃。於預熱區域中，左右之夾具之夾具間距為125mm。其次，於膜進入至第1斜向延伸區域C1之同時，開始增大右側夾具之夾具間距，於第1斜向延伸區域C1中自125mm增大至177.5mm。夾具間距變化率為1.42。於第1斜向延伸區域C1中，對於左側夾具之夾具間距開始減少夾具間距，於第1斜向延伸區域C1中自125mm減少至90mm。夾具間距變化率為0.72。進而，於膜進入至第2斜向延伸區域C2之同時，開始增大左側夾具之夾具間距，於第2斜向延伸區域C2中自90mm增大至177.5mm。另一方面，右側夾具之夾具間距於第2斜向延伸區域C2中依舊維持177.5mm。又，於上述斜向延伸之同時，亦於寬度方向上進行1.9倍之延伸。再者，上述斜向延伸係於135℃下進行。
(MD收縮處理)
繼而，於收縮區域中進行MD收縮處理。具體而言，使左側夾具及右側夾具之夾具間距均自177.5mm減少至165mm。MD收縮處理中之收縮率為7.0%。
以上述方式獲得相位差膜(厚度50μm)。所獲得之相位差膜之 Re(550)為141nm，雙折射△nxy為0.00282。將所獲得之相位差膜設為相位差層3。
[參考例5：導電性膜(附有基材之導電層)之製作]
使用厚度50μm之長條狀之聚環烯烴膜(日本ZEON製造，商品名「ZEONOR(註冊商標)」)作為基材。於該基材之一面塗佈紫外線硬化性樹脂組合物(DIC公司製造商品名「UNIDIC(註冊商標)RS29-120」)，並於80℃下乾燥1分鐘後，進行紫外線硬化，而形成厚度1.0μm之硬塗層。繼而，於基材之另一面塗佈包含與上述相同之紫外線硬化性樹脂組合物100重量份、及最頻粒徑為1.9μm之丙烯酸系球狀粒子(綜研化學公司製造，商品名「MX-180TA」)0.002重量份之加入有球狀粒子之硬化性樹脂組合物，其後進行紫外線硬化，而形成厚度1.0μm之硬塗層。將上述所獲得之聚環烯烴膜投入至濺鍍裝置中，於未含有粒子之硬塗層表面形成厚度27nm之銦錫氧化物之非晶質層。繼而，將形成有銦錫氧化物之非晶質層之聚環烯烴膜於130℃之加熱烘箱中進行90分鐘加熱處理，而製作表面電阻值為100Ω/□之透明導電性膜。基材之面內相位差Re(550)為4nm，寬度方向之相位差之偏差為20%，寬度方向之配向角(遲相軸之方向)之偏差為2°。
[參考例6：導電性膜(附有基材之導電層)之製作]
使用厚度50μm之PET膜(東麗製造，商品名「Lumirror#50」)作為基材，除此以外，以與參考例5相同之方式製作表面電阻值為100Ω/□之透明導電性膜。
[參考例7：黏著劑層之製作]
於具備冷凝管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中，一 併添加丙烯酸丁酯99份、丙烯酸4-羥基丁酯1.0份及2,2'-偶氮二異丁腈0.3份與乙酸乙酯。使反應容器中之混合物於氮氣氣流下於60℃下反應4小時後，向該反應液中添加乙酸乙酯，而獲得含有重量平均分子量165萬之丙烯酸系聚合物之溶液(固形物成分濃度30%)。相對於上述丙烯酸系聚合物溶液之固形物成分每100份調配0.15份之過氧化二苯甲醯(日本油脂(股)製造：Nyper BO-Y)、0.1份之三羥甲基丙烷二甲苯二異氰酸酯(三井武田化學(股)：Takenate D110N)、及0.2份之矽烷偶合劑(綜研化學股份有限公司製造：A-100，含有乙醯乙醯基之矽烷偶合劑)，而獲得黏著劑層形成用溶液。將上述黏著劑層形成用溶液塗佈於包含利用聚矽氧系剝離劑進行過表面處理之聚酯膜之隔離件上，並於155℃下進行3分鐘加熱處理，而獲得厚度15μm之黏著劑層A。
[參考例8：黏著劑層之製作]
於具備冷凝管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中，一併添加丙烯酸丁酯94.9份、丙烯酸5份及丙烯酸2-羥基乙酯0.1份、以及相對於該等單體(固形物成分)100份為0.3份之過氧化苯甲醯與乙酸乙酯。使反應容器中之混合物於氮氣氣流下於60℃下反應7小時後，向該反應液中添加乙酸乙酯，而獲得含有重量平均分子量220萬之丙烯酸系聚合物之溶液(固形物成分濃度30重量%)。相對於上述丙烯酸系聚合物溶液之固形物成分每100份調配0.6份之三羥甲基丙烷甲苯二異氰酸酯(Nippon Polyurethane(股)製造：Coronate L)、及0.075份之γ-縮水甘油氧基丙基甲氧基矽烷(信越化學工業(股)製造：KBM-403)，而獲得黏著劑層形成用溶液。將上述黏著劑層形成用溶液塗佈於包含利用聚矽氧系剝離劑進行過表面處理之聚酯膜之隔離件上，並於155℃下進行3分鐘加熱處理，而獲得 厚度15μm之黏著劑層B。
[實施例1]
將偏光板1之第2保護層面與相位差層1經由厚度5μm之丙烯酸系接著劑藉由輥對輥而貼合。其結果為，偏光元件之吸收軸與相位差層1之遲相軸所成之角度成為15°。繼而，將形成有相位差層1之PET膜剝離，於該剝離面經由厚度5μm之丙烯酸系接著劑藉由輥對輥而貼合相位差層2。其結果為，偏光元件之吸收軸與相位差層2之遲相軸所成之角度成為75°。進而，將形成有相位差層2之PET膜剝離，而獲得具有偏光板/第1相位差層/第2相位差層之構成之圓偏光板1。將圓偏光板1之第2相位差層與參考例5中所獲得之附有基材之導電層之導電層經由黏著劑層A藉由輥對輥而貼合，而獲得長條狀(寬度500mm之捲筒狀)之光學積層體1。將所獲得之光學積層體1供至上述(4)之評價。將結果示於表2。
[比較例1]
將偏光板1之第2保護層面與相位差層3經由厚度12μm之丙烯酸系接著劑藉由輥對輥而貼合，而獲得具有偏光板/相位差層之構成之圓偏光板2。其結果為，偏光元件之吸收軸與相位差層3之遲相軸所成之角度成為45°。該構成與實施例1中之將2個相位差層組合而成之構成於光學上實質上等效。將圓偏光板2之相位差層與參考例5中所獲得之附有基材之導電層之導電層經由黏著劑層A而貼合，而獲得長條狀(寬度500mm之捲筒狀)之光學積層體2。將所獲得之光學積層體2供至上述(4)之評價。將結果示於表2。
<評價>
根據表2中之實施例與比較例之比較可明確，儘管形成有導電層之基材之相位差及遲相軸方向之寬度方向之偏差相同，且相位差層之補償功能於光學上等效，但藉由將特定之2個相位差層進行組合作為相位差層而進行光學補償，可於將寬幅捲筒狀之光學積層體裁斷為特定尺寸而應用於圖像顯示裝置之情形時減小各製品之顯示特性之偏差。
[產業上之可利用性]
本發明之光學積層體可較佳地用於如液晶顯示裝置及有機EL顯示裝置之圖像顯示裝置，尤其是可較佳地用作有機EL顯示裝置之抗反射膜。進而，本發明之光學積層體可較佳地用於內部觸控面板型輸入顯示裝置。

Claims (7)

  1. 一種長條狀之光學積層體，其依序具有： 包含偏光元件及位於該偏光元件之至少一側之保護層之偏光板、第1相位差層、第2相位差層、導電層、及與該導電層密接積層之基材， 該基材之面內相位差Re(550)為3 nm～6 nm，該基材之寬度方向上之相位差之偏差為10%～30%，該基材之寬度方向上之遲相軸方向之偏差為1°～5°， 該第1相位差層之面內相位差Re(550)為220 nm～250 nm，該第1相位差層之遲相軸與該偏光元件之吸收軸所成之角度為10°～20°， 該第2相位差層之面內相位差Re(550)為110 nm～125 nm，該第2相位差層之遲相軸與該偏光元件之吸收軸所成之角度為65°～85°。
  2. 如請求項1之長條狀之光學積層體，其為捲筒狀。
  3. 如請求項1之長條狀之光學積層體，其寬度為500 mm以上。
  4. 如請求項2之長條狀之光學積層體，其寬度為500 mm以上。
  5. 如請求項1至4中任一項之長條狀之光學積層體，其中上述第1相位差層及上述第2相位差層包含環狀烯烴系樹脂膜。
  6. 如請求項1至4中任一項之長條狀之光學積層體，其中上述第1相位差層及上述第2相位差層為液晶化合物之配向固化層。
  7. 一種圖像顯示裝置，其具備裁斷為特定尺寸之如請求項1至6中任一項之光學積層體。
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