CN104299759A - 铁素体及包括该铁素体的电感器 - Google Patents

铁素体及包括该铁素体的电感器 Download PDF

Info

Publication number
CN104299759A
CN104299759A CN201410222685.4A CN201410222685A CN104299759A CN 104299759 A CN104299759 A CN 104299759A CN 201410222685 A CN201410222685 A CN 201410222685A CN 104299759 A CN104299759 A CN 104299759A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ferrite
vanadium
oxide
nickel
iron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410222685.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104299759B (zh
Inventor
李永日
文炳喆
宋昭娟
金益燮
孙受焕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020130122172A external-priority patent/KR101525678B1/ko
Application filed by Samsung Electro Mechanics Co Ltd filed Critical Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Publication of CN104299759A publication Critical patent/CN104299759A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104299759B publication Critical patent/CN104299759B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/26—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
    • H01F1/342—Oxides
    • H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/04—Fixed inductances of the signal type  with magnetic core
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/24—Magnetic cores
    • H01F27/245—Magnetic cores made from sheets, e.g. grain-oriented
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H01F27/292—Surface mounted devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3239—Vanadium oxides, vanadates or oxide forming salts thereof, e.g. magnesium vanadate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3279—Nickel oxides, nickalates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3284—Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
    • C04B2235/85—Intergranular or grain boundary phases

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Abstract

提供了一种铁素体及包括该铁素体的电感器，所述电感器包括多层主体，多个包含铁素体的磁性层层叠在多层主体中。包括多个导电图案的线圈部设置在多层主体中。外电极电连接到线圈部。铁素体可以包含铁(Fe)、锰(Mn)、镍(Ni)、锌(Zn)和钒(V)，并且铁素体可以包含按氧化铁(Fe2O3)计算的40mol％到55mol％的铁(Fe)、按氧化镍(NiO)计算的5mol％到20mol％的镍(Ni)、按氧化锌(ZnO)计算的15mol％到25mol％的锌(Zn)、按氧化锰(MnO)计算的15mol％到30mol％锰(Mn)和按氧化钒(V2O5)计算的1mol％到4mol％的钒(V)。

Description

铁素体及包括该铁素体的电感器
本申请要求于2013年7月19日提交到韩国知识产权局的第10-2013-0085289号韩国专利申请以及于2013年10月14日提交到韩国知识产权局的第10-2013-0122172号韩国专利申请的权益，上述韩国专利申请的公开通过引用被包含于此。
技术领域
本公开涉及一种铁素体及一种包括铁素体的电感器。
背景技术
使用陶瓷材料的电子组件的示例包括电容器、电感器、压电元件、变阻器、热敏电阻器等。
作为陶瓷电子组件的电感器是一种与电阻器和电容器一起构成电路的重要的无源元件，并且可以被用于去除噪声或者被用作构成LC谐振电路的组件。
电感器可以通过将线圈缠绕或印刷在铁素体芯上并且在芯的两端处形成电极，或者通过将内电极印刷在磁性片或介电片上然后堆叠所述片来形成。
电感器的类型可以根据其结构被不同地分为多层电感器、绕组电感器、薄膜电感器等。各种电感器在制造方法和应用范围方面不同。
在这些电感器中，例如，可以通过将线圈绕铁素体缠绕而形成绕组电感器。通过增加缠绕数量以获得高电感，会在线圈之间产生杂散电容，即，会在导线之间产生电容，从而会劣化产品的高频率特性。
另外，多层电感器可以以多层主体的形式制造，其中，多个铁素体片或由低磁导率介电材料形成的陶瓷片层叠在多层主体中。
线圈形金属图案形成在陶瓷片上，形成在单独的陶瓷片上的线圈形金属图案通过导电通孔顺序地彼此连接并且沿着片的竖直层叠方向叠置。
根据现有技术，多层电感器的电感器主体通常由铁素体材料形成。
然而，当铁素体材料在还原气氛下烧结时，铁素体材料被还原，从而铁素体材料的电气性能会劣化。
发明内容
本公开的方面可以提供一种能够在还原气氛下被烧结并且改善了绝缘电阻的铁素体以及一种包括该铁素体的电感器。
根据本公开的一方面，电感器可以包括多层主体，多个包含铁素体的磁性层层叠在多层主体中。包括多个导电图案的线圈部设置在多层主体中。外电极电连接到线圈部。铁素体可以包含铁(Fe)、锰(Mn)、镍(Ni)、锌(Zn)和钒(V)，并且铁素体可以包含按氧化铁(Fe2O3)计算的40mol％到55mol％的铁(Fe)、按氧化镍(NiO)计算的5mol％到20mol％的镍(Ni)、按氧化锌(ZnO)计算的15mol％到25mol％的锌(Zn)、按氧化锰(MnO)计算的15mol％到30mol％锰(Mn)和按氧化钒(V2O5)计算的1mol％到4mol％的钒(V)。
线圈部可以包含铜和铜-镍合金中的至少一种。
铁素体可以与线圈部同时进行烧结。
铁素体可以在具有比Cu-Cu2O平衡氧分压低的压力的气氛下烧结。
当存在于铁素体晶粒中的钒(V)的含量被定义为a并且存在于铁素体晶粒边界处的钒(V)的含量被定义为b时，a/b可以为0.8或更小(a/b≤0.8)。
铁素体在晶粒边界处的绝缘电阻可以比在晶粒中的绝缘电阻高。
铁素体的绝缘电阻可以为10000Ωcm或更高。
根据本公开的另一方面，一种电感器可以包括：多层主体，多个包含铁素体的磁性层层叠在多层主体中；线圈部，包括设置在多层主体中的多个导电图案；以及外电极，电连接到线圈部，其中，铁素体可以包含铁(Fe)、锰(Mn)、镍(Ni)、锌(Zn)和钒(V)，并且基于按氧化铁(Fe2O3)计算的100份的摩尔的铁(Fe)，铁素体可以包含按氧化钒计算的1.82到10份的摩尔的钒(V)。
根据本公开的另一方面，一种电感器可以包括多层主体，多个包含铁素体的磁性层层叠在多层主体中。线圈部设置在多层主体中并且包含铜(Cu)，其中，铁素体可以与线圈部在还原气氛下同时烧结。
铁素体可以包含铁(Fe)、锰(Mn)、镍(Ni)、锌(Zn)和钒(V)，并且铁素体可以包含按氧化铁(Fe2O3)计算的40mol％到55mol％的铁(Fe)、按氧化镍(NiO)计算的5mol％到20mol％的镍(Ni)、按氧化锌(ZnO)计算的15mol％到25mol％的锌(Zn)、按氧化锰(MnO)计算的15mol％到30mol％锰(Mn)和按氧化钒(V2O5)计算的1mol％到4mol％的钒(V)。
当存在于铁素体晶粒中的钒(V)的含量被定义为a并且存在于铁素体晶粒边界处的钒(V)的含量被定义为b时，a/b可以为0.8或更小(a/b≤0.8)。
根据本公开的另一方面，一种铁素体可以包含铁(Fe)、锰(Mn)、镍(Ni)、锌(Zn)和钒(V)，其中，所述铁素体可以包含按氧化铁(Fe2O3)计算的40mol％到55mol％的铁(Fe)、按氧化镍(NiO)计算的5mol％到20mol％的镍(Ni)、按氧化锌(ZnO)计算的15mol％到25mol％的锌(Zn)、按氧化锰(MnO)计算的15mol％到30mol％锰(Mn)和按氧化钒(V2O5)计算的1mol％到4mol％的钒(V)。
铁素体可以在具有比Cu-Cu2O平衡氧分压低的压力的气氛下烧结。
当存在于铁素体晶粒中的钒(V)的含量被定义为a并且存在于铁素体晶粒边界处的钒(V)的含量被定义为b时，a/b为0.8或更小(a/b≤0.8)。
根据本公开的另一实施例，提供了一种电感器，所述电感器包括具有第一相对侧和第二相对侧的铁素体主体。导电线圈设置在铁素体主体中。第一外电极设置在电连接到导电线圈的铁素体主体的第一相对侧上，第二外电极设置在电连接到导电线圈的铁素体主体的第二相对侧上。铁素体包括铁(Fe)、锰(Mn)、镍(Ni)、锌(Zn)和钒(V)。导电线圈包括铜、铜-镍合金或者它们的混合物。
在某些实施例中，铁素体可以包含按氧化铁(Fe2O3)计算的40mol％到55mol％的铁(Fe)、按氧化镍(NiO)计算的5mol％到20mol％的镍(Ni)、按氧化锌(ZnO)计算的15mol％到25mol％的锌(Zn)、按氧化锰(MnO)计算的15mol％到30mol％锰(Mn)和按氧化钒(V2O5)计算的1mol％到4mol％的钒(V)。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的上述和其它方面、特征和其它优点将被更清楚地理解。
图1是示出根据本公开示例性实施例的电感器的透视图。
图2是示出根据本公开示例性实施例的其中形成有磁性层和导电图案的电感器的结构的分解透视图。
图3是示意性地示出了根据本公开示例性实施例的电感器的剖视图。
图4和图5是示出多层电感器的根据频率的阻抗特性的曲线图。
具体实施方式
现在将参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。
然而，本公开可以以许多不同的形式来解释说明，并且不应被解释为局限于这里阐述的特定实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将把本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚起见，可以夸大元件的形状和尺寸，相同的标号将始终用于指示相同或相似的元件。
图1是示出根据本公开示例性实施例的电感器的透视图。图2是示出根据本公开示例性实施例的其中形成有磁性层和导电图案的电感器的结构的分解透视图。图3是示意性地示出了根据本公开示例性实施例的电感器的剖视图。
参照图1到图3，根据本公开示例性实施例的多层电感器100可以包括多层主体110、线圈部120和外电极130。
多层主体110可以通过沿厚度方向堆叠多个磁性层111然后对堆叠的磁性层111进行烧结而形成。在这种情况下，多层主体110的形状和尺寸以及堆叠的磁性层111的数量不限于附图中示出的示例性实施例的形状、尺寸以及数量。
多层主体110的形状不被具体地限制，但是可以例如是六面体的形状。在该示例性实施例中，为了便于解释，多层主体110沿厚度方向彼此面对的两个表面可以被定义为上表面和下表面。多层主体110的将上表面和下表面彼此连接并且沿长度方向彼此面对的两个表面可以被定义为端表面。多层主体110的与端表面垂直地相交并且沿宽度方向彼此面对的两个表面可以被定义为侧表面。
磁性层111可以包含根据本公开示例性实施例的铁素体。铁素体可以包含铁(Fe)、锰(Mn)、镍(Ni)、锌(Zn)和钒(V)。铁素体可以包含按氧化铁(Fe2O3)计算的40mol％到55mol％的铁(Fe)、按氧化镍(NiO)计算的5mol％到20mol％的镍(Ni)、按氧化锌(ZnO)计算的15mol％到25mol％的锌(Zn)、按氧化锰(MnO)计算的15mol％到30mol％锰(Mn)和按氧化钒(V2O5)计算的1mol％到4mol％的钒(V)。换言之，铁素体中金属的含量基于铁素体中特定金属氧化物的含量来确定。
包含铁、锰、镍、锌和钒的铁素体包含按氧化钒计算的1mol％到4mol％的钒，从而可以改善耐还原性，并且铁素体可以在线圈部不被氧化的还原条件下进行烧结。因此，包含铁素体的磁性层可以与线圈部同时烧结。
具体地，当线圈部包含具有高反应性的铜时，为了同时烧结磁性层和线圈部，烧结工艺应该在具有比Cu-Cu2O平衡氧分压低的压力的气氛下来执行，从而包含在线圈部中的铜不被氧化。由于改善了耐还原性，所以铁素体可以在具有比Cu-Cu2O平衡氧分压低的压力的气氛下进行烧结。在磁性层包含铁素体的情况下，磁性层可以与包含铜的线圈部同时烧结。
此外，存在于铁素体晶粒边界处的钒(V)的含量可以比存在于铁素体晶粒中的钒(V)的含量高。当存在于铁素体晶粒中的钒(V)的含量被定义为a并且存在于铁素体晶粒边界处的钒(V)的含量被定义为b时，a/b可以为0.8或更小(a/b≤0.8)。
在a/b大于0.8的情况下，存在于晶粒中的钒的含量和存在于晶粒边界处的钒的含量相近，从而使晶粒边界电阻增大的效果会降低。即，在a/b大于0.8的情况下，因添加钒而使铁素体的绝缘电阻增加的效果不会显著地表现出来。
存在于晶粒边界中的钒可以使晶粒边界的绝缘电阻增加，从而铁素体在晶粒边界处的绝缘电阻可以比在晶粒中的绝缘电阻高。
铁素体的绝缘电阻可以为10000Ωcm或更高。当内电极形成为具有多层结构时，在包含于磁性层中的铁素体的绝缘电阻低的情况下，由于设置在电极层之间的磁性层的绝缘性能劣化会额外产生并联电阻，从而产品的电容会劣化。然而，在铁素体的绝缘电阻为10000Ωcm或更高的情况下，即使当内电极由多个电极层形成时，仍可以确保足够的绝缘性能。
形成线圈部120的导电图案120a可以形成在多个磁性层的一个表面上，并且用于将沿竖直方向设置的彼此相邻的导电图案彼此电连接的导电通孔120b可以被形成为沿磁性层的厚度方向贯穿磁性层。
因此，形成在磁性层上的导电图案的一个端部可以通过形成在磁性层中的导电通孔电连接到形成在相邻磁性层上的导电图案的一个端部，从而形成线圈部120a。
另外，线圈部120的两端可以引出至多层主体110的外部，从而分别被电连接到形成在多层主体110的外表面上的一对外电极130。
具体地，线圈部120的两端可以引出至多层主体110的两端，并且一对外电极可以形成在多层主体110的两端上。
导电图案可以通过厚膜印刷方法、涂覆方法、沉积方法和溅射方法等使用用于导电图案的导电膏而形成在形成磁性层的片上，但是本公开不限于此。
导电通孔可以通过沿厚度方向在每个片上形成通孔并利用导电膏等填充该通孔而形成，但是本公开不限于此。
此外，可以使用银(Ag)、钯(Pd)、铂(Pt)、镍(Ni)和铜(Cu)中的一种或者它们的合金作为包含于用于导电图案的导电膏中的导电金属，但是本公开不限于此。
一般来讲，铜或镍比诸如银、钯和铂的贵金属便宜，但是其反应性高。因此，在线圈部包含铜或镍的情况下，难以同时烧结磁性层和线圈部。
然而，根据本公开的示例性实施例，可以提供一种即使线圈部包含铜(Cu)或镍(Ni)(比其它的上面提及的金属便宜的金属)的情况下仍能够同时烧结线圈部和磁性层的铁素体。
现有技术中通常使用的NiZn-基铁素体或NiCuZn-基铁素体需要在空气气氛下烧结，在诸如镍或铜等的具有高反应性金属材料与铁素体一起在空气气氛下被烧结的情况下，金属材料会被氧化。
因此，为了将反应性比银(Ag)、钯(Pd)和铂(Pt)的反应性高的金属(诸如镍和铜)应用于多层电感器的内导电图案并与包含于磁性层中的铁素体同时烧结，将包含镍或铜的导电膏涂覆于磁性层，然后需要在金属不被氧化的气氛(诸如还原气氛)下执行烧结工艺。
同时，当烧结工艺在还原气氛下执行以避免金属材料氧化时，在NiZn-基铁素体或NiCuZn-基铁素体的情况下，铁素体中的Fe2O3可以被还原成Fe3O4，从而比电阻ρ会被劣化。即，由于诸如阻抗等的电学性能会因比电阻的劣化而劣化，因此需要一种即使在与具有高反应性的金属材料同时烧结的情况下仍能够保证绝缘和电学性能的铁素体。
在下文中，将通过示例的方式来描述多层电感器(其中，线圈部包含铜(Cu))，以说明在即使线圈部包含铜的情况下，包含根据本公开示例性实施例的铁素体的磁性层仍可以与线圈部同时烧结。
然而，应当明白的是，当根据本公开示例性实施例的铁素体被应用于磁性层时，即使在将具有比铜的反应性低的反应性的金属(例如，银、钯或铂等)应用于线圈部的情况下，磁性层和线圈部也可以同时烧结。
在多层电感器的线圈部包含铜(Cu)的情况下，还原气氛可以指的是具有比Cu-Cu2O平衡氧分压低的压力的气氛。
在第10-2013-0025835号(KR10-2013-0025835)韩国专利公布中已经公开了即使在与包含铜(Cu)作为主要成分的金属材料同时烧结的情况下仍能够保证绝缘性能的NiMnZn-基铁素体磁性合成物以及使用该磁性合成物的陶瓷电子组件。
在KR10-2013-0025835中公开的NiMnZn-基铁素体磁性合成物的情况下，已经确认的是，在将合成物应用于包括单层铜(Cu)导电图案的产品的情况下的电学性能与在将合成物应用于包括单层银(Ag)导电图案的产品的情况下的电学性能相似。然而，已经确认的是，在KR10-2013-0025835中公开的包含NiMnZn-基铁素体磁性合成物的电子组件中，在使用由铜(Cu)形成的导电图案并具有多层结构而不是单层结构的情况下，电容减小，并且未展示出铁素体的电学性能。
详细地说，图4是示出包含了在KR10-2013-0025835(即，专利文件1)中公开的范围内的铁素体合成物的多层电感器在使用由银(Ag)和铜(Cu)形成的导电图案的情况下根据频率的阻抗特性。图4中示出的阻抗特性使用通过使用包含Fe2O3(46mol％)、NiO(11mol％)、MnO(23mol％)和ZnO(20mol％)的铁素体合成物(满足专利文件1中公开的范围)形成磁性层然后堆叠五层导电图案而获得的多层电感器来测量。此外，在使用由银(Ag)形成的导电图案的情况下，电气性能使用在大约900℃烧结的多层电感器来测量，而在使用由铜(Cu)形成的导电图案的情况下，阻抗特性使用在大约906℃、917℃和942℃烧结的三种多层电感器来测量。烧结气氛均被设置为导电图案不被氧化的气氛。
如图4中所示，在将在KR10-2013-0025835中公开的范围内的铁素体合成物应用于磁性层并使用由铜(Cu)形成的导电图案的情况下，具有多层导电图案的电感器的电感特性与应用由银(Ag)形成的导电图案的情况相比显著地劣化。
已经确认的是，在使用由铜(Cu)形成的导电图案的情况下的阻抗特性的劣化是由于多层导电图案和具有铁素体的磁性层之间的绝缘性能的降低而引起的。一般来讲，在烧结片时，包含在用于形成导电图案的膏中的粘合剂可以被共烧结。在这种情况下，相对强的还原气氛可以形成在电极附近同时耗尽环境中的氧。在导电图案由单层形成的片中，导电图案的影响会是小的，但是随着导电图案的层数增加，包含在导电图案之间的磁性层中的铁素体会由于导电图案之间的强还原气氛而被分解，从而劣化绝缘性能。即，由于导电图案之间的铁素体的绝缘性能的劣化会额外产生并联电阻，从而产品的电容会减小。
然而，在根据本公开实施例的铁素体在导电图案的层之间使用的情况下，绝缘性能(产品的电容)不会被劣化。
详细地说，根据本公开实施例的铁素体可以包含铁(Fe)、锰(Mn)、镍(Ni)、锌(Zn)和钒(V)。更具体地说，铁素体可以包含按氧化铁(Fe2O3)计算的40mol％到55mol％的铁(Fe)、按氧化镍(NiO)计算的5mol％到20mol％的镍(Ni)、按氧化锌(ZnO)计算的15mol％到25mol％的锌(Zn)、按氧化锰(MnO)计算的15mol％到30mol％锰(Mn)和按氧化钒(V2O5)计算的1mol％到4mol％的钒(V)。
包含0.01wt％到0.1wt％的氧化钒(V2O5)的铁素体已经在第10-2001-0050934号韩国专利公布(KR10-2001-0050934)中公开，包含0.001质量％到0.05质量％的氧化钒(V2O5)的铁素体已经在第2006-202796号韩国专利公布(KR2006-202796)中公开。
然而，包含在KR10-2001-0050934中铁素体中的氧化钒(V2O5)的含量和包含在KR2006-202796中铁素体中的氧化钒(V2O5)的含量与本公开的实施例中的氧化钒(V2O5)的含量不同，KR10-2001-0050934和KR2006-202796未公开与应用单层导电图案的情况相比，对于在电子组件中具有多层导电图案的情况下，在处于强还原气氛下烧结铁素体时可以提高铁素体的电学性能。
此外，KR2006-202796公开了晶粒边界处的电阻可以通过添加氧化钒(V2O5)来增加，但是在KR2006-202796中，晶粒边界处的电阻通过抑制铁素体的晶粒生长而增加，这与本公开不同。
即，在KR10-2001-0050934和KR2006-202796中，晶粒的生长通过增加非常少量的氧化钒来抑制；然而，根据本公开的实施例，氧化钒的含量比KR10-2001-0050934和KR2006-202796中公开氧化钒的含量高。在添加如KR10-2001-0050934和KR2006-202796所公开的非常小量的氧化钒的情况下，晶粒生长会被抑制，从而晶粒边界的数量会增加。由于铁素体在晶粒边界处的电阻比在晶粒中的电阻高，因此当铁素体内的晶粒边界所占比率增加时，电阻可以增加。在添加如KR10-2001-0050934和KR2006-202796所公开的非常小量的氧化钒的情况下，铁素体内的晶粒边界所占比率增加，因此，仅铁素体的电阻增加，但是难以产生使晶粒边界自身的比电阻值增加的效果。
即，因如KR10-2001-0050934和KR2006-202796所公开的抑制晶粒生长而使得晶粒边界处的电阻增加的效果可以通过除了氧化钒之外的添加物来获得。这可以从KR10-2001-0050934和KR2006-202796中的下述描述中清除地证实：列举出包括氧化钒的多个氧化物并且可以添加它们中的至少一种(从Ta2O5(0.005～0.1质量％)、ZrO2(0.01～0.15质量％)、Nb2O5(0.005～0.05质量％)、V2O5(0.001～0.05质量％)、HfO2(0.005～0.05质量％)、Bi2O3(0.003～0.03质量％)、MoO3(0.003～0.03质量％)、TiO2(0.01～0.3质量％)和SnO2(0.01～2.0质量％)中选择的至少一种或两种氧化物)。另外，如上所述的抑制晶粒生长以增加电阻的效果可以通过调节烧结条件(诸如烧结温度或烧结时间)而获得。
然而，根据本公开的实施例，不管晶粒生长与否，存在于晶粒边界处的氧化钒的组成范围都能够均匀地存在晶粒边界中，并且使晶粒边界的比电阻增加，从而可以提供一种与KR10-2001-0050934和KR2006-202796中公开的铁素体相比可以显著提高比电阻的铁素体。即，在如KR10-2001-0050934和KR2006-202796所公开的添加非常小量的氧化钒的情况下，难以使钒均匀地分布在晶粒边界处，因此，使晶粒边界的比电阻增加的效果未展现出来；然而，在如在本公开中所公开的包含按氧化钒计算的至少1mol％或更多的钒的情况下，氧化钒可以均匀地存在于晶粒边界处，从而晶粒边界的比电阻可以增加。
换言之，在添加如KR10-2001-0050934和KR2006-202796所公开的非常小量的氧化钒的情况下，钒可以呈点状局部地存在，从而比电阻未增加。然而，在如本公开实施例所公开的包含按氧化钒计算的至少1mol％或更多的钒的情况下，氧化钒可以呈连续的形状均匀地分布在铁素体的晶粒边界处。
如将在下面描述的试验示例，可以认识到的是，在添加在KR10-2001-0050934和KR2006-202796中公开的范围内的氧化钒的情况下，使铁素体的电阻增加的效果不明显，但是在添加到铁素体的氧化钒处于根据本公开实施例的数值范围内的情况下，在数值范围的上下限处清晰地展示出比电阻值增加。因此，所包含的氧化钒(V2O5)的范围可以为1mol％到4mol％。
在根据本公开实施例的铁素体中，所包含的按氧化铁(Fe2O3)计算的铁(Fe)的范围可以为40mol％到55mol％。在氧化铁(Fe2O3)的含量低于40mol％的情况下，比电阻会减小。在氧化铁(Fe2O3)的含量高于55mol％的情况下，即，氧化铁(Fe2O3)的含量过高的情况下，Fe2O3会被容易地还原成Fe3O4，从而比电阻会减小。
在根据本公开实施例的铁素体中，所包含的按氧化锰(MnO)计算的锰(Mn)的范围可以为15mol％到30mol％。由于氧化锰(MnO)在高温下先于氧化铁(Fe2O3)被还原，因此对铁素体的烧结需要在Fe2O3被还原成Fe3O4之前完成。然而，在氧化锰(MnO)的含量低于15mol％的情况下，Fe2O3会被容易地还原成Fe3O4，从而比电阻会减小，而即使在氧化锰(MnO)的含量高于30mol％的情况下，比电阻仍会减小，从而难以保证绝缘性能。
此外，所包含的按氧化锌(ZnO)计算的锌(Zn)的范围可以为15mol％到25mol％。在ZnO的含量大于25mol％的情况下，居里温度(Tc)会降低，因此，当将铁素体应用于电子组件时，温度可靠性会降低。此外，在ZnO的含量低于15mol％的情况下，难以展示出使磁导率增加的效果。
另外，镍的含量可以根据铁、锰、锌和钒的含量适当地确定。所包含的按氧化镍(NiO)计算的镍(Ni)的范围可以为5mol％到20mol％。
根据本公开实施例的铁素体可以与包含铜(Cu)的线圈部同时进行烧结并且在具有比Cu-Cu2O平衡氧分压低的压力的气氛下烧结。此外，由于包含铜的线圈部具有包括多个导电图案的多层结构，因此即使在烧结时形成强的还原气氛的情况下，仍可以保证足够的比电阻，从而可以提高阻抗特性。
更具体地说，如图5中所示，可以认识到的是，在根据本公开实施例的铁素体被用于磁性层中的电感器(发明示例)的情况下，即使铁素体与包含铜的线圈部同时在具有比Cu-Cu2O平衡氧分压低的压力的气氛下烧结时，仍确保了阻抗特性处于与包括由银(Ag)形成的线圈部的电感器(对比示例)的阻抗特性相似的水平。
此外，存在于铁素体晶粒边界处的钒(V)的含量比存在于铁素体晶粒中的钒(V)的含量高。当存在于铁素体晶粒中的钒(V)的含量被定义为a并且存在于铁素体晶粒边界处的钒(V)的含量被定义为b时，a/b可以为0.8或更小(a/b≤0.8)。
基于100份的按氧化铁(Fe2O3)计算的铁(Fe)，铁素体可以包含按氧化钒计算的1.82到10份的摩尔的钒(V)。
铁素体的绝缘电阻可以为10000Ωcm或更高，并且铁素体在晶粒边界处的绝缘电阻可以比在晶粒中的绝缘电阻高。
根据本公开实施例的磁性层111可以包含上面描述的铁素体并且可以通过烧结来形成。形成磁性层的方法不具体地限制于此，并且磁性层111可以通过下述步骤形成：将包含根据本公开实施例的铁素体的陶瓷磁性材料粉末在溶剂中与粘合剂等一起混合、使用球磨方法等使陶瓷磁性材料粉末均匀地分散在溶剂中、使用刮板涂覆方法等制造薄的磁性片、然后烧结制造好的磁性片。
此外，至少一层覆盖层111c可以分别形成在多层主体110的上部分和下部分中。
除了覆盖层111c不包括线圈部的导电图案之外，覆盖层111c可以具有与磁性层111的材料和构造相同的材料的和构造。
覆盖层111c可以基本地用于防止线圈部120不受物理或化学应力的损坏。
外电极130可以接触通过多层主体110暴露的线圈部120的两端，从而被分别电连接到线圈部120的两端。
如上所述的外电极130可以通过将多层主体110浸渍在导电膏中或者使用诸如印刷方法、沉积方法或溅射方法等的各种方法而形成在多层主体110上。
导电膏可以由包含银(Ag)、铜(Cu)和铜(Cu)合金中的至少一种的材料形成，但是本公开不限于此。
另外，如果必要，镍(Ni)镀层(未示出)和锡(Sn)镀层(未示出)还可以形成在外电极30的外表面上。
试验示例
下面的表1示出的数据表示了通过评估NiZnMn-基铁素体的根据氧化钒(V2O5)的含量的比电阻而获得的试验结果。
利用具有不同的含量的氧化钒的铁素体来形成磁性片。铜导电图案形成在每个磁性片上，然后堆叠五个包括形成于其上的铜导电图案的磁性片。然后，堆叠的磁性片在具有25ppm或更低的氧浓度的气氛下进行烧结，从而磁性片和导电图案同时烧结。然后，测量通过烧结磁性片形成的磁性层的比电阻值。
表1
*:对比示例
如表1中所示，在氧化钒(V2O5)的含量为1mol％或更高的情况下，铁素体的比电阻显著增高，并且在氧化钒(V2O5)的含量大于4mol％的情况下，比电阻开始降低。
因此，可以认识到的是，所包含的氧化钒(V2O5)的范围可以为1mol％到4mol％。
如上所述，根据本公开的示例性实施例，可以提供一种能够在还原气氛下被烧结并且改善了绝缘电阻的铁素体以及一种包括该铁素体的电感器。
虽然上面已经示出并描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员来讲将明显的是，在不脱离由权利要求所限定的本公开的精神和范围的情况下，可以进行修改和变型。

Claims (19)

1.一种电感器，包括：
多层主体，多个包含铁素体的磁性层层叠在多层主体中；
线圈部，包括设置在多层主体中的多个导电图案；以及
外电极，电连接到线圈部，
其中，铁素体包含铁、锰、镍、锌和钒，并且
铁素体包含按氧化铁计算的40mol％到55mol％的铁、按氧化镍计算的5mol％到20mol％的镍、按氧化锌计算的15mol％到25mol％的锌、按氧化锰计算的15mol％到30mol％锰和按氧化钒计算的1mol％到4mol％的钒。
2.如权利要求1所述的电感器，其中，线圈部包含铜和铜-镍合金中的至少一种。
3.如权利要求1所述的电感器，其中，铁素体与线圈部同时进行烧结。
4.如权利要求1所述的电感器，其中，铁素体在具有比Cu-Cu2O平衡氧分压低的压力的气氛下烧结。
5.如权利要求1所述的电感器，其中，当存在于铁素体晶粒中的钒的含量被定义为a并且存在于铁素体晶粒边界处的钒的含量被定义为b时，a/b为0.8或更小。
6.如权利要求1所述的电感器，其中，铁素体在晶粒边界处的绝缘电阻比在晶粒中的绝缘电阻高。
7.如权利要求1所述的电感器，其中，铁素体的绝缘电阻为10000Ωcm或更高。
8.一种电感器，包括：
多层主体，多个包含铁素体的磁性层层叠在多层主体中；
线圈部，包括设置在多层主体中的多个导电图案；以及
外电极，电连接到线圈部，
其中，铁素体包含铁、锰、镍、锌和钒，并且基于按氧化铁计算的100份的摩尔的铁，铁素体包含按氧化钒计算的1.82到10份的摩尔的钒。
9.一种电感器，包括：
多层主体，多个包含铁素体的磁性层层叠在多层主体中；以及
线圈部，设置在多层主体中并且包含铜，
其中，铁素体与线圈部在还原气氛下同时烧结。
10.如权利要求9所述的电感器，其中，铁素体包含铁、锰、镍、锌和钒，并且铁素体包含按氧化铁计算的40mol％到55mol％的铁、按氧化镍计算的5mol％到20mol％的镍、按氧化锌计算的15mol％到25mol％的锌、按氧化锰计算的15mol％到30mol％锰和按氧化钒计算的1mol％到4mol％的钒。
11.如权利要求9所述的电感器，其中，当存在于铁素体晶粒中的钒的含量被定义为a并且存在于铁素体晶粒边界处的钒的含量被定义为b时，a/b为0.8或更小。
12.一种包含铁、锰、镍、锌和钒的铁素体，其中，所述铁素体包含按氧化铁计算的40mol％到55mol％的铁、按氧化镍计算的5mol％到20mol％的镍、按氧化锌计算的15mol％到25mol％的锌、按氧化锰计算的15mol％到30mol％锰和按氧化钒计算的1mol％到4mol％的钒。
13.如权利要求12所述的铁素体，其中，铁素体在具有比Cu-Cu2O平衡氧分压低的压力的气氛下烧结。
14.如权利要求12所述的铁素体，其中，当存在于铁素体晶粒中的钒的含量被定义为a并且存在于铁素体晶粒边界处的钒的含量被定义为b时，a/b为0.8或更小。
15.一种电感器，包括：
铁素体主体，具有第一相对侧和第二相对侧；
导电线圈，设置在铁素体主体中；
第一外电极，设置在电连接到导电线圈的铁素体主体的第一相对侧上；以及
第二外电极，设置在电连接到导电线圈的铁素体主体的第二相对侧上，
其中，铁素体包括铁、锰、镍、锌和钒，导电线圈包括铜、铜-镍合金或者它们的混合物。
16.如权利要求15所述的电感器，其中，铁素体包含按氧化铁计算的40mol％到55mol％的铁、按氧化镍计算的5mol％到20mol％的镍、按氧化锌计算的15mol％到25mol％的锌、按氧化锰计算的15mol％到30mol％锰和按氧化钒计算的1mol％到4mol％的钒。
17.如权利要求15所述的电感器，其中，当存在于铁素体晶粒中的钒的含量被定义为a并且存在于铁素体晶粒边界处的钒的含量被定义为b时，a/b为0.8或更小。
18.如权利要求15所述的电感器，其中，铁素体在晶粒边界处的绝缘电阻比在晶粒中的绝缘电阻高。
19.如权利要求15所述的电感器，其中，铁素体的绝缘电阻为10000Ωcm或更高。
CN201410222685.4A 2013-07-19 2014-05-23 铁氧体及包括该铁氧体的电感器 Expired - Fee Related CN104299759B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130085289 2013-07-19
KR10-2013-0085289 2013-07-19
KR10-2013-0122172 2013-10-14
KR1020130122172A KR101525678B1 (ko) 2013-07-19 2013-10-14 페라이트 및 이를 적용한 인덕터

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104299759A true CN104299759A (zh) 2015-01-21
CN104299759B CN104299759B (zh) 2017-08-04

Family

ID=52319448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410222685.4A Expired - Fee Related CN104299759B (zh) 2013-07-19 2014-05-23 铁氧体及包括该铁氧体的电感器

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10236104B2 (zh)
CN (1) CN104299759B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108281274A (zh) * 2016-12-28 2018-07-13 株式会社村田制作所 层叠型电子部件的制造方法以及层叠型电子部件
CN109698059A (zh) * 2017-10-24 2019-04-30 三星电机株式会社 线圈电子组件及其制造方法
CN109961936A (zh) * 2017-12-26 2019-07-02 三星电机株式会社 片式电子组件
CN109979709A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 三星电机株式会社 线圈电子组件

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9693231B2 (en) * 2014-01-27 2017-06-27 Time Warner Cable Enterprises Llc Wireless gateway, network access, and management
JP2016025192A (ja) * 2014-07-18 2016-02-08 株式会社村田製作所 積層コイル部品およびその製造方法
US20160224736A1 (en) * 2015-02-02 2016-08-04 Upendra Patel Portable healthcare information readable device and methods of using such a device
KR101912291B1 (ko) 2017-10-25 2018-10-29 삼성전기 주식회사 인덕터
KR102261729B1 (ko) * 2019-07-19 2021-06-08 엘지이노텍 주식회사 자성 코어
CN113593847B (zh) * 2021-07-29 2022-05-06 沭阳康顺磁性器材有限公司 一种变压器用多层锰锌铁氧体磁芯

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1286366A2 (en) * 2001-08-22 2003-02-26 Minebea Co., Ltd. Mn-Zn ferrite and coil component with magnetic core made of same
CN101241792A (zh) * 2007-02-06 2008-08-13 昆山尼赛拉电子器材有限公司 Mn-Zn系软磁铁氧体及生产工艺
CN101274846A (zh) * 2007-03-30 2008-10-01 Tdk株式会社 MnZn类铁氧体的制造方法
CN101429017A (zh) * 2008-12-06 2009-05-13 广东风华高新科技股份有限公司 一种网络通讯用铁氧体磁芯及其制备方法
CN101857426A (zh) * 2009-04-08 2010-10-13 广东江粉磁材股份有限公司 一种宽频高阻抗MnZn铁氧体材料及其制造方法
CN102792395A (zh) * 2010-03-05 2012-11-21 株式会社村田制作所 陶瓷电子元件及陶瓷电子元件的制造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60210572A (ja) 1984-04-04 1985-10-23 日本電気株式会社 低温焼結酸化物磁性材料
JP3300522B2 (ja) 1994-03-30 2002-07-08 川崎製鉄株式会社 低損失酸化物軟質磁性材料
JPH09306718A (ja) 1996-05-14 1997-11-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd フェライト磁性材料とその製造方法
JP3672161B2 (ja) * 1997-07-16 2005-07-13 Ｔｄｋ株式会社 フェライトの製造方法およびインダクタの製造方法
JP2001076923A (ja) * 1999-09-07 2001-03-23 Tokin Corp 低損失酸化物磁性材料
JP3389170B2 (ja) 1999-10-12 2003-03-24 ティーディーケイ株式会社 ＮｉＭｎＺｎ系フェライト
JP2004067444A (ja) 2002-08-06 2004-03-04 Minebea Co Ltd 低損失ＭｎＺｎフェライトの製造方法および仮焼成粉末
JP2005179098A (ja) 2003-12-17 2005-07-07 Jfe Steel Kk Ｍｎ−Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト
JP4523430B2 (ja) 2005-01-18 2010-08-11 Ｊｆｅフェライト株式会社 高飽和磁束密度Ｍｎ−Ｚｎ−Ｎｉ系フェライト
JP4656949B2 (ja) 2005-01-18 2011-03-23 Ｊｆｅフェライト株式会社 高飽和磁束密度Ｍｎ−Ｚｎ−Ｎｉ系フェライト
JP2007223863A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Tdk Corp 誘電体磁器組成物およびその製造方法
JP2008251848A (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Tdk Corp ＮｉＭｎＺｎ系フェライトおよびその製造方法
JP5761610B2 (ja) 2011-09-02 2015-08-12 株式会社村田製作所 セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法
JP5761609B2 (ja) 2011-09-02 2015-08-12 株式会社村田製作所 セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法
KR101548775B1 (ko) 2011-09-14 2015-09-01 삼성전기주식회사 니켈-아연-구리계 페라이트 조성물, 및 이를 이용한 적층형 칩 소자

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1286366A2 (en) * 2001-08-22 2003-02-26 Minebea Co., Ltd. Mn-Zn ferrite and coil component with magnetic core made of same
CN101241792A (zh) * 2007-02-06 2008-08-13 昆山尼赛拉电子器材有限公司 Mn-Zn系软磁铁氧体及生产工艺
CN101274846A (zh) * 2007-03-30 2008-10-01 Tdk株式会社 MnZn类铁氧体的制造方法
CN101429017A (zh) * 2008-12-06 2009-05-13 广东风华高新科技股份有限公司 一种网络通讯用铁氧体磁芯及其制备方法
CN101857426A (zh) * 2009-04-08 2010-10-13 广东江粉磁材股份有限公司 一种宽频高阻抗MnZn铁氧体材料及其制造方法
CN102792395A (zh) * 2010-03-05 2012-11-21 株式会社村田制作所 陶瓷电子元件及陶瓷电子元件的制造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108281274A (zh) * 2016-12-28 2018-07-13 株式会社村田制作所 层叠型电子部件的制造方法以及层叠型电子部件
CN109698059A (zh) * 2017-10-24 2019-04-30 三星电机株式会社 线圈电子组件及其制造方法
CN109698059B (zh) * 2017-10-24 2024-03-05 三星电机株式会社 线圈电子组件及其制造方法
CN109961936A (zh) * 2017-12-26 2019-07-02 三星电机株式会社 片式电子组件
US11342107B2 (en) 2017-12-26 2022-05-24 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Chip electronic component
CN109979709A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 三星电机株式会社 线圈电子组件
CN109979709B (zh) * 2017-12-27 2021-10-29 三星电机株式会社 线圈电子组件

Also Published As

Publication number Publication date
US10236104B2 (en) 2019-03-19
US20150022305A1 (en) 2015-01-22
CN104299759B (zh) 2017-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104299759A (zh) 铁素体及包括该铁素体的电感器
KR100811731B1 (ko) 비자성 Ｚｎ 페라이트 및 이를 이용한 복합 적층형 전자부품
CN101651451B (zh) 叠层型滤波器
US20140002221A1 (en) Power inductor and method of manufacturing the same
EP2722857A1 (en) Multilayer coil part
WO2013031842A1 (ja) フェライト磁器組成物、セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法
KR101010874B1 (ko) 적층 인덕터 부품
KR101935091B1 (ko) 전자 부품 및 그 제조 방법
US9296659B2 (en) Ferrite ceramic composition, ceramic electronic component, and method for manufacturing ceramic electronic component
US20150022308A1 (en) Magnetic material, method for manufacturing the same, and electronic component including the same
JP6257062B2 (ja) フェライト及びこれを適用したインダクタ
JP5761610B2 (ja) セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法
US8981890B2 (en) Non-magnetic composition for multilayer electronic component, multilayer electronic component manufactured by using the same and manufacturing method thereof
KR101408617B1 (ko) 적층형 코일 부품
KR20130134868A (ko) 적층형 인덕터
JP5733572B2 (ja) セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法
US20140191837A1 (en) Coil element and method for manufacturing the same
KR101408525B1 (ko) 적층형 코일 부품
JP7453758B2 (ja) コイル部品
KR102052765B1 (ko) 페라이트 및 이를 적용한 칩 전자부품
JP2017119609A (ja) 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシター
KR101232097B1 (ko) 적층형 칩 타입 파워 인덕터 및 그 제조방법
JP2005294637A (ja) 積層コイルアレイ

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170804