JP6257062B2 - フェライト及びこれを適用したインダクタ - Google Patents
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Description
上記コイル部と電気的に接続される外部電極と、を含み、上記フェライトは、鉄(Fe)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)及びバナジウム(V)を含み、上記フェライトにおいて酸化バナジウムに換算した上記バナジウムは、酸化鉄(Fe2O3)に換算した上記鉄(Fe)100モル部に対して1.82〜10モル部含まれるインダクタを提供することができる。
110 積層本体
120 コイル部
130 外部電極
Claims (16)
- フェライトを含む複数の磁性体層が積層された積層本体と、
前記積層本体内部に配置される複数の導体パターンを含むコイル部と、
前記コイル部と電気的に接続される外部電極と、を含み、
前記フェライトは、鉄(Fe)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)及びバナジウム(V)を含み、前記フェライトにおいて前記鉄(Fe)は酸化鉄(Fe2O3)に換算して40〜55mol%、前記ニッケル(Ni)は酸化ニッケル(NiO)に換算して5〜20mol%、前記亜鉛(Zn)は酸化亜鉛(ZnO)に換算して15〜25mol%、前記マンガン(Mn)は酸化マンガン(MnO)に換算して15〜30mol%、及び前記バナジウム(V)は酸化バナジウム(V2O5)に換算して1〜4mol%含まれる、インダクタ。 - 前記コイル部は、銅及び銅−ニッケル合金のうち少なくとも一つ以上を含む、請求項1に記載のインダクタ。
- 前記フェライトは、前記コイル部と同時焼成することができる、請求項1または2に記載のインダクタ。
- 前記フェライトは、Cu−Cu2Oの平衡酸素分圧以下の雰囲気において焼成することができる、請求項2に従属する場合の請求項3に記載のインダクタ。
- 前記フェライトの結晶粒(grain)に存在するバナジウム(V)の含量をa、前記フェライトの粒界(grain boundary)に存在するバナジウム(V)の含量をbとするとき、a/b≦0.8を満たす、請求項1から4の何れか1項に記載のインダクタ。
- 前記フェライトは、結晶粒(grain)より粒界(grain boundary)の絶縁抵抗が大きい、請求項1から5の何れか1項に記載のインダクタ。
- 前記フェライトは、絶縁抵抗が10000Ωcm以上である、請求項1から6の何れか1項に記載のインダクタ。
- フェライトを含む複数の磁性体層が積層された積層本体と、
前記積層本体内部に配置される複数の導体パターンを含むコイル部と、
前記コイル部と電気的に接続される外部電極と、を含み、
前記フェライトは、鉄(Fe)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)及びバナジウム(V)を含み、
前記フェライトにおいて酸化バナジウムに換算した前記バナジウムは、酸化鉄(Fe2O3)に換算した前記鉄(Fe)100モル部に対して1.82〜10モル部含まれる、インダクタ。 - フェライトを含む複数の磁性体層を積層した積層本体と、
前記積層本体内部に配置され、銅(Cu)を含むコイル部と、を含み、
前記フェライトは、鉄(Fe)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)及びバナジウム(V)を含み、前記フェライトにおいて前記鉄(Fe)は酸化鉄(Fe 2 O 3 )に換算して40〜55mol%、前記ニッケル(Ni)は酸化ニッケル(NiO)に換算して5〜20mol%、前記亜鉛(Zn)は酸化亜鉛(ZnO)に換算して15〜25mol%、前記マンガン(Mn)は酸化マンガン(MnO)に換算して15〜30mol%、及び前記バナジウム(V)は酸化バナジウム(V 2 O 5 )に換算して1〜4mol%含み、
前記フェライトは、還元雰囲気において前記コイル部と同時焼成することができる、インダクタ。 - 前記フェライトの結晶粒(grain)に存在するバナジウム(V)の含量をa、前記フェライトの粒界(grain boundary)に存在するバナジウム(V)の含量をbとするとき、a/b≦0.8を満たす、請求項9に記載のインダクタ。
- 鉄(Fe)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)及びバナジウム(V)を含み、前記鉄(Fe)は酸化鉄(Fe2O3)に換算して40〜55mol%、前記ニッケル(Ni)は酸化ニッケル(NiO)に換算して5〜20mol%、前記亜鉛(Zn)は酸化亜鉛(ZnO)に換算して15〜25mol%、前記マンガン(Mn)は酸化マンガン(MnO)に換算して15〜30mol%、及び前記バナジウム(V)は酸化バナジウム(V2O5)に換算して1〜4mol%含まれる、フェライト。
- 前記フェライトの結晶粒(grain)に存在するバナジウム(V)の含量をa、前記フェライトの粒界(grain boundary)に存在するバナジウム(V)の含量をbとするとき、a/b≦0.8を満たす、請求項11に記載のフェライト。
- 対向する第1側面及び第2側面を有するフェライト本体と、
前記フェライト本体内部に配置される導電性コイルと、
前記フェライト本体の前記第1側面に配置され、前記導電性コイルと電気的に連結される第1外部電極と、
前記フェライト本体の前記第2側面に配置され、前記導電性コイルと電気的に連結される第2外部電極と、を含み、
前記フェライト本体に含まれたフェライトは鉄(Fe)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)及びバナジウム(V)を含み、前記導電性コイルは銅、銅−ニッケル合金またはこれらの混合物を含み、
前記フェライトにおいて、前記鉄(Fe)は酸化鉄(Fe 2 O 3 )に換算して40〜55mol%、前記ニッケル(Ni)は酸化ニッケル(NiO)に換算して5〜20mol%、前記亜鉛(Zn)は酸化亜鉛(ZnO)に換算して15〜25mol%、前記マンガン(Mn)は酸化マンガン(MnO)に換算して15〜30mol%、及び前記バナジウム(V)は酸化バナジウム(V 2 O 5 )に換算して1〜4mol%含む、インダクタ。 - 前記フェライトの結晶粒(grain)に存在するバナジウム(V)の含量をa、前記フェライトの粒界(grain boundary)に存在するバナジウム(V)の含量をbとするとき、a/b≦0.8を満たす、請求項13に記載のインダクタ。
- 前記フェライトは、結晶粒(grain)より粒界(grain boundary)の絶縁抵抗が大きい、請求項13または14に記載のインダクタ。
- 前記フェライトは、絶縁抵抗が10000Ωcm以上である、請求項13から15の何れか1項に記載のインダクタ。
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