CN104252968B - 层叠陶瓷电子部件及其安装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种防止Ag迁移,并且不容易发生安装时的导电性粘接剂的渗出或者由于外部电极之间的接触而导致的短路故障的层叠陶瓷电子部件。层叠陶瓷电子部件形成为包括包含多个被层叠的陶瓷层的陶瓷坯体。在陶瓷坯体内部,配置具有在陶瓷坯体的端面露出的露出部的内部电极。在陶瓷坯体的端面,按照从陶瓷坯体的端面起迂回至两个主面以及两个侧面的方式来形成一对外部电极。外部电极包括:在陶瓷坯体上形成的基底电极层、在基底电极层上由Ni镀敷形成的中间电极层、和在中间电极层上由Pd镀敷形成的上层电极层,在陶瓷坯体的主面以及侧面形成的中间电极层的厚度比在陶瓷坯体的端面形成的中间电极层的厚度大。

Description

层叠陶瓷电子部件及其安装结构
技术领域
本发明涉及层叠陶瓷电子部件,特别地,例如涉及在层叠体的两个端 面形成有外部电极的层叠陶瓷电子部件。
背景技术
近年来,在装载于电子设备内部的布线基板上,安装多个陶瓷电子部 件等电子部件。以往,在这些电子部件向布线基板的安装中,一般使用包 含Pb在内的焊锡,但是近年来,从减轻环境负荷的观点出发,盛行在不 使用Pb的情况下进行电子部件的安装的尝试。
作为在不使用Pb的情况下将电子部件安装在布线基板上的方法,已 知有例如使用在环氧类热固化性树脂等热固化性树脂中添加了金属填充 物等导电性微粒子的导电性粘接剂、无铅焊锡等来进行电子部件的安装的 方法。作为适合于这种安装的层叠陶瓷电子部件,公开有如下的电子部件, 该电子部件具有陶瓷坯体,该陶瓷坯体具有由Ni或者Ni合金构成的内部 电极,在其端面,形成以Cu或者Cu合金为主要成分的基底电极,在其上 具有形成了以Ag或者Ag合金为主要成分的最外部电极层的外部电极。 在这样的电子部件中,通过在外部电极的最外部电极层形成包含Ag在内 的电极层,从而能够提高外部电极与导电性粘接剂之间的亲和性,并能够 提高电子部件的安装强度(参见专利文献1)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-158137号公报
但是,在专利文献1所述的层叠陶瓷电子部件中,存在由于Ag的迁 移(migration)而产生外部电极之间的短路故障的担心。特别地,在汽车 的电子控制单元(ECU,Electronic Control Unit)的内部或者ECU的附近 使用等的情况下,存在电子部件所被放置的环境的温度为150℃以上的高温的情况。若在这样的环境中使用专利文献1所述的层叠陶瓷电子部件,则容易产生由于Ag的迁移而导致的短路故障。
此外,图6所示,在布线基板1的连接盘2上涂敷导电性粘接剂3,在将层叠陶瓷电子部件4安装在其上时,存在如下情况:由于在导电性粘接剂3上安装层叠陶瓷电子部件4而导致导电性粘接剂3被压扁,在陶瓷坯体5的表面上或者陶瓷坯体5与布线基板1之间扩散,由于毛细现象 (capillary phenomenon)而在陶瓷坯体5的表面移动,导电性粘接剂3在陶瓷坯体5的表面上渗出,由于导电性粘接剂3而导致外部电极6之间连结,产生短路故障。
发明内容
本发明的主要目的在于,提供一种防止Ag的迁移,并且不容易产生安装时的导电性粘接剂的渗出或者由于外部电极之间的导电性粘接剂的接触而导致的短路故障的层叠陶瓷电子部件。
本发明是一种层叠陶瓷电子部件,其特征在于,包括:陶瓷坯体,其包含多个被层叠的陶瓷层,具有相互对置的主面、相互对置的侧面以及相互对置的端面;内部电极,其被配置在陶瓷坯体内部,并具有在陶瓷坯体的端面露出的露出部;以及一对外部电极,内部电极的露出部连接,形成在陶瓷坯体的端面,并且按照从陶瓷坯体的端面起迂回至两个主面以及两个侧面的方式形成,外部电极包括:在陶瓷坯体上形成的基底电极层、在基底电极层上由Ni镀敷构成的中间电极层、和在中间电极层上由Pd镀敷或者Pd-Ni合金构成的上层电极层,在陶瓷坯体的主面以及侧面形成的中间电极层的厚度比在陶瓷坯体的端面形成的中间电极层的厚度大。
通过将外部电极的最外层设为不使用Ag的Pd电极或者Pd-Ni合金电极,能够成为与基于导电性粘接剂的安装对应的层叠陶瓷电子部件,并且能够防止迁移的产生。此外,通过使陶瓷坯体的主面以及侧面的中间电极层的厚度形成为比陶瓷坯体的端面的中间电极层的厚度大,从而能够增大与布线基板安装面的粘接剂接触的部分的外部电极的厚度。因此,能够充分地确保从层叠陶瓷电子部件的安装面中的外部电极的最下点起到陶瓷坯体的表面为止的间隔(基准距)。因此,在通过导电性粘接剂将层叠陶瓷电子部件安装在布线基板时,能够抑制导电性粘接剂向层叠陶瓷电子部件的扩散(渗出)。因此,能够得到不容易产生短路故障的层叠陶瓷电子部件。另外,通过使外部电极的最外层为Pd电极或者Pd-Ni合金电极,则也能够适合于焊锡安装或者引线键合安装,也适用于与导电性粘接剂安装组合的安装(例如,导电性粘接剂安装与引线键合安装的组合)等。
在这样的层叠陶瓷电子部件中,在陶瓷坯体的主面以及侧面形成的中间电极层的厚度最好是在陶瓷坯体的端面形成的中间电极层的厚度的 120%以上、300%以下。
在陶瓷坯体的主面以及侧面形成的中间电极层的厚度不到在陶瓷坯体的端面形成的中间电极层的厚度的120%的情况下,不能够充分地确保从层叠陶瓷电子部件的安装面中的外部电极的最下点起到陶瓷坯体的表面为止的间隔,存在不能对安装时的导电性粘接剂的扩散等进行抑制的可能性。此外,在陶瓷坯体的主面以及侧面形成的中间电极层的厚度超过了在陶瓷坯体的端面形成的中间电极层的厚度的300%的情况下,在温度循环测试中,由于镀敷的拉伸应力,因此有在陶瓷坯体产生裂缝的可能性。
此外,本发明是一种层叠陶瓷电子部件的安装结构,其特征在于,具备:层叠陶瓷电子部件、安装基板和一对导电性粘接剂,其中,所述层叠陶瓷电子部件包括:陶瓷坯体,其包含多个被层叠的陶瓷层,具有相互对置的主面、相互对置的侧面以及相互对置的端面;内部电极,其被配置在所述陶瓷坯体内部,并具有在所述陶瓷坯体的所述端面露出的露出部;和一对外部电极,与所述内部电极的露出部连接,形成在所述陶瓷坯体的所述端面,并且按照从所述陶瓷坯体的所述端面起迂回至两个主面以及两个侧面的方式形成,所述外部电极包括:在所述陶瓷坯体上形成的基底电极层、在所述基底电极层上由Ni镀敷构成的中间电极层、和在所述中间电极层上由Pd镀敷或者Pd-Ni合金构成的上层电极层,在所述陶瓷坯体的所述主面以及所述侧面形成的所述中间电极层的厚度比在所述陶瓷坯体的端面形成的所述中间电极层的厚度大,所述安装基板具有分别与所述一对外部电极电连接的一对连接盘,所述一对导电性粘接剂将所述一对外部电极与所述安装基板的所述一对连接盘接合,所述一对外部电极通过所述一对导电性粘接剂而被安装在所述安装基板,从层叠陶瓷电子部件的安装面中的所述外部电极的最下点起到所述陶瓷坯体的表面为止的距离(基准距)为10.1μm以上20.1μm以下。
通过使用导电性粘接剂,通过使安装基板的连接盘与层叠陶瓷电子部件的外部电极连接,从而得到层叠陶瓷电子部件的安装结构。导电性粘接剂具有在环氧树脂等热固化性树脂中掺和了Ag等金属填充物的组成,使用具有流动性的导电性粘接剂,将层叠陶瓷电子部件的外部电极配置在安装基板的连接盘上,通过利用加热使导电性粘接剂固化,从而使外部电极与连接盘接合。由于加热前的导电性粘接剂具有流动性,因此在通过导电性粘接剂将外部电极按压在连接盘上时,会在陶瓷坯体的表面上或者陶瓷坯体与安装基板之间扩散,由于毛细现象而顺着陶瓷坯体的表面,导电性粘接剂在陶瓷坯体的表面渗出。但是,通过使陶瓷坯体的主面以及侧面的中间电极层的厚度形成为比陶瓷坯体的端面的中间电极层的厚度大,充分确保从层叠陶瓷电子部件的安装面中的外部电极的最下点起到陶瓷坯体的表面为止的间隔(基准距)在10.1μm以上20.1μm以下的范围内,从而能够对层叠陶瓷电子部件的安装时的导电性粘接剂的扩散(渗出)进行抑制。因此,能够得到短路故障少的层叠陶瓷电子部件的安装结构。
-发明效果-
根据本发明,能够得到一种在将层叠陶瓷电子部件安装在布线基板时,导电性粘接剂的渗出或者随之而来的短路故障不容易产生,并且Ag 的迁移不容易产生的层叠陶瓷电子部件。
根据参照附图而进行的下面的具体实施方式的说明,本发明的上述目的、其它目的、特征以及优点会更加明了。
附图说明
图1是表示作为本发明的层叠陶瓷电子部件的一个例子的层叠陶瓷电容器的立体图。
图2是图1所示的层叠陶瓷电容器的俯视图。
图3是图1所示的层叠陶瓷电容器的剖视图。
图4是表示图1所示的层叠陶瓷电容器的外部电极的结构的示意图。
图5是表示将层叠陶瓷电子部件安装在布线基板的状态的示意图。
图6是表示在通过导电性粘接剂将层叠陶瓷电子部件安装在布线基板上时所产生的导电性粘接剂的变动的示意图。
-符号说明-
10 层叠陶瓷电容器
12 陶瓷坯体
20a 第1内部电极
20b 第2内部电极
22a 第1外部电极
22b 第2外部电极
24 基底电极层
26 中间电极层
28 上层电极层
30 布线基板
32a 第1连接盘
32b 第2连接盘
34a 第1导电性粘接剂
34b 第2导电性粘接剂
具体实施方式
图1是表示作为本发明的层叠陶瓷电子部件的一个例子的层叠陶瓷电容器的立体图,图2是其俯视图。层叠陶瓷电容器10包含大概长方体状的陶瓷坯体12。陶瓷坯体12具有:对置的2个主面(由长边方向L与宽度方向W围起的面)14a、14b、对置的2个侧面(由长边方向L与厚度方向T围起的面)16a、16b以及对置的2个端面(由宽度方向W与厚度方向T围起的面)18a、18b。在这种情况下,在陶瓷坯体12的拐角部以及棱线部最好形成为圆弧。另外,虽然在图1中,陶瓷坯体12形成为长方体状,但也可以根据层叠陶瓷电子部件的种类,设置为长方体以外的形状的陶瓷坯体12。
作为陶瓷坯体12的材料,可以使用由例如BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、 CaZrO3等主要成分构成的电介质陶瓷。此外,也可以使用在这些主要成分中添加了Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物等副成分的材料。另外,也可以使用PZT系陶瓷等压电体陶瓷、尖晶石系陶瓷等半导体陶瓷、铁氧体等磁性体陶瓷等。
在陶瓷坯体12的内部,如图3所示,大概矩形状的多个第1内部电极20a以及第2内部电极20b沿着陶瓷坯体12的厚度方向T而被等间隔地交替配置。第1内部电极20a的端部在陶瓷坯体12的一个端面18a露出,第2内部电极20b的端部在陶瓷坯体12的另一个端面18b露出。第1 内部电极20a的主面与第2内部电极20b的主面,与陶瓷层叠体12的主面14a、14b平行配置,并且互相平行地配置。因此,第1内部电极20a 与第2内部电极20b在陶瓷坯体12的厚度方向T上隔着陶瓷层而相互对置。
第1内部电极20a以及第2内部电极20b的厚度并未被特别限定。第 1内部电极20a以及第2内部电极20b的厚度可以为例如0.2μm~2μm。第1内部电极20a以及第2内部电极20b可以由例如Ni、Cu、Ag、Pd、 Au等金属或者包含这些金属的一种的例如Ag-Pd合金等构成。
另外,虽然在本实施方式的陶瓷坯体12中,通过将第1内部电极20a 与第2内部电极20b隔着电介质陶瓷层而相互平行地配置,从而成为层叠陶瓷电容器用的陶瓷坯体,但在使用压电体陶瓷层的情况下作为压电元件而起作用,在使用半导体陶瓷层的情况下作为热敏电阻而起作用,在使用磁性体陶瓷层的情况下作为电感器而起作用。其中,陶瓷层的厚度最好为 0.5~10μm。
在陶瓷坯体12的第1端面18a形成第1外部电极22a,在陶瓷坯体 12的第2端面18b形成第2外部电极22b。第1外部电极22a从陶瓷坯体 12的第1端面18a迂回至两主面14a、14b以及两侧面16a、16b的方式而形成,第2外部电极22b按照从第2端面18b起迂回至两主面14a、14b 以及两侧面16a、16b的方式而形成。如图4所示,第1外部电极22a以及第2外部电极22b分别包括:基底电极层24、在基底电极层24上形成的中间电极层26以及在中间电极层上形成的上层电极层28。另外,在图 4中对一个外部电极22a进行了表示,但在另一个外部电极22b也具有相同的结构。
基底电极层24形成为与在陶瓷坯体12的2个端面18a、18b露出的第1内部电极20a以及第2内部电极20b连接。基底电极层24包含玻璃成分以及金属成分。作为在基底金属层24中使用的金属,可以使用例如 Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。基底电极层24的厚度在安装时的底面侧(例如,陶瓷坯体12的主面14a、14b侧),最好为1~15μm。
此外,中间电极层26由Ni镀敷膜形成。通过形成Ni镀敷膜,从而即使浸渍在用于形成上层电极层28的Pd镀敷膜的Pd镀敷浴中,也能够使基底电极层24不溶化在上层电极层28用的Pd镀敷浴中,该上层电极层28形成在中间电极层26上。此外,通过形成Ni镀敷膜,从而能够对基底电极层24的表面的凹凸部分或者玻璃成分的偏析部分等不容易镀敷的部分进行覆盖,并且由于能够使其表面平滑,因此能够优化上层电极层的附着,并且能够使Pd镀敷膜较薄。在陶瓷坯体12的端面18a、18b形成的中间电极层26的厚度最好为2~10μm。此外,在陶瓷坯体12的主面 14a、14b以及侧面16a、16b形成的中间电极层26的厚度最好为5~20μm。
此外,上层电极层28由Pd镀敷膜或者Pd-Ni的合金膜形成。通过利用Pd镀敷膜或者Pd-Ni的合金膜来形成第1外部电极22a以及第2外部电极22b的最外层,从而能够确保与用于在布线基板进行安装的导电性粘接剂中使用的Ag等金属填充物之间的电接合的可靠性,等同于导电性粘接剂。若作为上层电极层28的镀敷,使用Sn等卑金属,则由于电腐蚀或者氧化的问题,导致不能得到接合可靠性。此外,由于Pd镀敷膜或者Pd-Ni 合金膜不包含Ag,因此能够抑制迁移。上层电极层28的厚度最好为0.01~ 0.5μm。
另外,在陶瓷坯体12的主面14a、14b以及侧面16a、16b形成的中间电极层26的厚度比在陶瓷坯体12的端面18a、18b形成的中间电极层 26的厚度大。由此,能够在不使层叠陶瓷电容器10的长边方向的尺寸大到必须以上的情况下,增大布线基板的安装面上的层叠陶瓷电容器10的外部电极22a、22b的厚度。
如图5所示,该层叠陶瓷电容器10按照陶瓷坯体12的主面14a、14b 或者侧面16a、16b与作为安装基板的布线基板30对置的方式而被安装。此时,在形成于布线基板30的第1连接盘32a、第2连接盘32b上承载层叠陶瓷电容器10的第1外部电极22a、第2外部电极22b,利用第1导电性粘接剂34a、第2导电性粘接剂34b,将外部电极22a、22b与连接盘32a、 32b固定。
导电性粘接剂34a、34b具有在环氧树脂等热固化性树脂中掺和了Ag 等金属填充物的组成。在将外部电极22a、22b与连接盘32a、32b接合时,通过具有流动性的未固化的导电性粘接剂34a、34b,将外部电极22a、22b 配置在连接盘32a、32b上,并通过加热,使导电性粘接剂34a、34b固化。
在这样的层叠陶瓷电容器10的安装结构中,通过使在陶瓷坯体12的主面14a、14b以及侧面16a、16b形成的中间电极层26的厚度比在陶瓷坯体12的端面18a、18b形成的中间电极层26的厚度大,从而能够充分地确保从层叠陶瓷电容器10的安装面上的外部电极22a、22b的最下点起到陶瓷坯体12的表面为止的距离(基准距,stand-off)。这里,基准距最好为10.1μm以上20.1μm以下。这样,通过充分地确保基准距,从而在使用导电性粘接剂34a、34b将层叠陶瓷电容器10安装在布线基板30时,能够对导电性粘接剂34a、34b向层叠陶瓷电容器10的扩散(渗出)进行抑制。另外,这里,对于层叠陶瓷电容器10,将从其安装面上的外部电极 22a、22b的最下点起到陶瓷坯体12的表面为止的距离称之为基准距,一般来讲,将从层叠陶瓷电子部件的安装面上的外部电极的最下点起到陶瓷坯体的表面为止的距离都称为基准距。
为了确保上述范围的基准距,在陶瓷坯体12的主面14a、14b以及侧面16a、16b形成的中间电极层26的厚度最好为在陶瓷坯体12的端面18a、 18b形成的中间电极层26的厚度的120%以上、300%以下。在陶瓷坯体12 的主面14a、14b以及侧面16a、16b形成的中间电极层26的厚度不到在陶瓷坯体12的端面18a、18b形成的中间电极层26的厚度的120%的情况下,不能够充分地确保从层叠陶瓷电容器10的安装面上的外部电极22a、 22b的最下点起到陶瓷坯体12为止的距离。因此,在将层叠陶瓷电容器 10安装在导电性粘接剂上时,不能够充分地抑制由于导电性粘接剂被按扁而产生的导电性粘接剂向陶瓷坯体12的扩散或者由于毛细现象而产生的导电性粘接剂向陶瓷坯体12的渗出,存在产生短路故障的可能性。此外,在陶瓷坯体12的主面14a、14b以及侧面16a、16b形成的中间电极层26 的厚度超过了在陶瓷坯体12的端面18a、18b形成的中间电极层26的厚度的300%的情况下,在温度循环测试中,有时会产生由于镀敷的拉伸应力而导致在陶瓷坯体12中产生裂缝的问题。
另外,中间电极层26的厚度表示:沿着陶瓷坯体12的长边方向,进行剖面抛光直到主面14a、14b的宽度方向的中央部为止,其剖面的单侧的外部电极的端面中央部的中间电极层26的厚度以及位于陶瓷坯体12的安装面侧的主面中央部的中间电极层26的厚度。
这样,为了在陶瓷坯体12的主面14a、14b、侧面16a、16b与端面 18a、18b之间改变中间电极层26的厚度,采用例如下面的方法。在滚镀中,将被填充的陶瓷坯体12与金属媒介的掺和量的比率设置成陶瓷坯体 12为整体的40%以上,来填充桶容积的1/3以上。若以这样的状态,使桶容器以20rpm以下的低速旋转,则在桶容器内,陶瓷坯体12的长边方向以横卧的状态排列着被镀敷的概率变高,陶瓷坯体12的主面以及侧面上的镀敷附着变多。因此,能够增大相对于陶瓷坯体12的端面18a、18b而言的主面14a、14b以及侧面16a、16b的中间电极层26的厚度。
另外,上述滚镀时的陶瓷坯体12表示的是形成了基底电极层的状态的坯体。
从层叠陶瓷电容器10的安装时的陶瓷坯体12的布线基板30侧的面起到与布线基板30的连接盘32a、32b接触的外部电极22a、22b的最下面为止的距离最好为10~50μm。在从陶瓷坯体12的面起到外部电极22a、 22b的最下面为止的距离小于10μm的情况下,不能够充分地确保从陶瓷坯体12起到布线基板30的连接盘32a、32b为止的距离(基底电极层+中间电极层+上层电极层的厚度)。因此,在将层叠陶瓷电容器10安装到导电性粘接剂上时,不能够充分地抑制由于导电性粘接剂被按扁而产生的导电性粘接剂向陶瓷坯体12的扩散或者由于毛细现象而产生的导电性粘接剂向陶瓷坯体12的渗出,存在产生短路故障的可能性。此外,在从陶瓷坯体12的面起到外部电极22a、22b的最下面为止的距离超过50μm的情况下,在从陶瓷坯体12的面起到外部电极22a、22b的最下面为止的距离 (基底电极层+中间电极层+上层电极层的厚度)大于50μm的情况下,在温度循环测试中,有时会产生由于镀敷的拉伸应力而导致在陶瓷坯体12 中产生裂缝的问题。
另外,作为不通过基底电极层24的厚度来调整基准距的理由,是因为需要多次分开在陶瓷坯体12对基底电极材料进行浸泡形成、干燥、烧制,提高了生产成本。此外,作为不通过上层电极层28的厚度来调整基准距的理由,是因为Pd的材料成本变高。
为了制造这样的层叠陶瓷电容器10,准备包含用于构成陶瓷坯体12 的陶瓷材料的陶瓷生片。接下来,在陶瓷生片上涂敷导电性浆料,来形成与第1内部电极20a以及第2内部电极20b对应的导电图案。导电性浆料的涂敷可以通过例如丝网印刷法等各种印刷法来进行。导电性浆料除了导电性微粒子,还可以包含公知的粘接剂或者溶剂。
通过将未形成导电图案的多个陶瓷生片、形成了与第1或者第2内部电极20a、20b对应的形状的导电图案的陶瓷生片以及未形成导电图案的多个陶瓷生片按照这个顺序层叠,并在层叠方向上进行按压,从而制作出母层叠体。
通过沿着母层叠体上的假想的切线来切割母层叠体,从而制作出多个未加工的陶瓷坯体。另外,母层叠体的切割可以通过切断或者剪断来进行。进一步地,可以对未加工的陶瓷坯体实施转鼓抛光等,来将棱线部、角部弄圆。
通过对未加工的陶瓷坯体进行烧结,得到形成有第1内部电极20a以及第2内部电极20b的陶瓷坯体12。此时的烧结温度可以为例如900℃~ 1300℃。
使得从烧结后的陶瓷坯体12的两个端面18a、18b连上主面14a、14b 以及侧面16a、16b,通过浸泡等方法来涂敷金属浆料,并通过烧制来形成基底电极层24。金属浆料的烧制温度最好为700~900℃。
在基底电极层24上形成中间电极层26。此时,通过增加层叠陶瓷坯体12的填充量,能够增大陶瓷坯体12的主面侧以及侧面侧的中间电极层 26的厚度。具体来讲,在滚镀中,使陶瓷坯体12的掺和量相对于被填充的陶瓷坯体12与金属媒介的总量为40%以上,并填充桶容器的1/3以上。若以这样的状态,使桶容器以20rpm以下的低速旋转,则在桶容器内,陶瓷坯体12的长边方向以横卧的状态排列着被镀敷的概率变高,陶瓷坯体12的主面以及侧面上的镀敷附着变多。因此,能够增大相对于陶瓷坯体 12的端面18a、18b的主面14a、14b以及侧面16a、16b的中间电极层26 的厚度。
另外,上述滚镀时的陶瓷坯体12表示的是形成了基底电极层的状态的坯体。
进一步地,通过在中间电极层26上形成上层电极层28,从而制作层叠陶瓷电容器10。
在该层叠陶瓷电容器10中,由于使用Pd或者Pd-Ni合金来作为第1 外部电极22a以及第2外部电极22b的上层电极层28,因此不会产生Ag的迁移。此外,通过将陶瓷坯体12的主面、侧面与端面之间的外部电极22a、 22b的厚度的比率设定在一定的范围内,从而在将层叠陶瓷电容器10安装在布线基板30时,能够防止导电性粘接剂的扩散或者渗出,并且能够对由于外部电极22a、22b的应力而导致的陶瓷坯体12的裂缝的产生进行抑制。因此,能够得到不容易产生短路故障的层叠陶瓷电子部件,并且能够得到在安装到布线基板30时不容易破损的层叠陶瓷电子部件的安装结构。
[实施例1]
作为层叠陶瓷电容器用的陶瓷坯体,准备了具有由BaTiO3构成的陶瓷层以及由Ni构成的内部电极的、芯片尺寸 L×W×T=1.0mm×0.5mm×0.5mm的陶瓷坯体。这里,由Cu构成的基底电极层的厚度在陶瓷坯体的端面中央部为30μm,在主面以及侧面为5μm。此外,中间电极层的厚度在陶瓷坯体的端面中央部为5μm。此外,上层电极层的厚度在陶瓷坯体的端面中央部为0.1μm,在主面以及侧面为 0.1μm。中间电极层通过Ni镀敷形成,使用瓦特浴,以媒介尺寸镀敷时间60分钟来形成Ni镀敷层。其它的条件在表1表示。此外,上层电极层通过Pd镀敷来形成,使用电场镀敷用Pd浴,以媒介尺寸镀敷时间20分钟来形成Pd镀敷层。另外,除了上述的镀敷条件以外,通过对形成中间电极层时的镀敷的桶内的陶瓷坯体的填充率、陶瓷坯体体积 /(陶瓷坯体体积+金属媒介的体积)进行控制,从而实现中间电极层的主面、侧面厚度/端面厚度(%)。
在这样的陶瓷坯体中,如表1所示,改变其主面以及侧面与端面之间的中间电极层的厚度的比率,设定为实施例1~实施例5。此外,使陶瓷坯体的主面以及侧面与端面之间的中间电极层的厚度相等,设定为比较例 1。进一步地,使主面以及侧面的中间电极层的厚度相对于陶瓷坯体的端面上的中间电极层的厚度超过本发明的上限,设定为比较例2。此外,通过由Cu构成的基底电极层、和在基底电极层上由Ag-Pd合金形成的厚膜电极,来形成外部电极,将陶瓷坯体的端面中央部的外部电极厚为50μm 且主面以及侧面的外部电极厚为5μm的层叠陶瓷电容器设为比较例3。
使用导电性粘接剂34a、34b,将上述各样本安装在上面形成有由Ag 构成的第1、第2连接盘32a、32b的、由铝构成的布线基板30上。作为导电性粘接剂34a、34b,使用在环氧树脂中以大约50体积%的比例包含 Ag粉末的导电性粘接剂。在第1、第2连接盘32a、32b上涂敷未固化的导电性粘接剂34a、34b,并在此之后,配置各样本,以140℃的温度加热 30分钟,使其固化。这样,得到各样本的安装结构。
作为中间电极层的厚度的测定方法,是在通过上述得到的各试料中,沿着试料的长度方向L,剖面抛光至试料的主面的宽度方向中央部为上,通过光学显微镜来对位于该面的单侧的外部电极的端面中央部、安装面侧的侧面的外部电极中央部的中间电极层的厚度进行测定,并据此来计算出比率。
对于这些层叠陶瓷电容器,进行了迁移的确认、短路故障的确认、热冲击循环试验以及裂缝的确认。
关于迁移的确认,以温度150℃,向各试料施加2000小时的32V的电压,进行高温负荷试验,对作为试验后的试料的电极之间的陶瓷坯体是否变色以及枝晶(dendrites)的长度进行确认,将发现了试料的电极之间的变色以及枝晶的长度为50μm的试料判断为迁移。
关于短路故障的确认,通过IR测量器(SS-867),以DC25V的条件对各试料的电阻值进行测定。将电阻值为1MΩ以下的试料设为短路故障,将短路故障数相对于评价总数的比例设为短路率。
关于热冲击循环试验以及裂缝的确认,将气槽-55℃保持30分钟与气槽150℃保持30分钟的反复实施2000次循环,进行热冲击循环试验。在热冲击循环试验实施后,将试料相对于基板安装面垂直,并沿着试料的长边方向进行抛光直到主面的宽度方向的一半,通过金属显微镜100~500 倍的倍率对其抛光面进行观察,对是否存在从外部电极的折回部的边缘部向陶瓷延伸的裂缝进行确认。
关于基准距的距离的测定方法,在从能够成为安装面的陶瓷坯体表面起,到形成于能够成为相同的安装面的陶瓷坯体表面的外部电极的厚度方向上,使用激光位移计,对从能够成为安装面的陶瓷坯体表面起到相离最远的点为止的距离进行测定。表1的值表示各样本20个的平均值。
[表1]
根据表1可知,在本发明中,通过将外部电极的最外层设为不使用 Ag的Pd电极,能够与导电性粘接剂对应,并能够防止迁移的产生。此外,通过形成为在陶瓷坯体的主面以及侧面形成的中间电极层的厚度比在端面上形成的中间电极层的厚度大,能够增大基板安装面的外部电极的厚度。因此,能够充分地确保从层叠陶瓷电子部件的安装面的外部电极的最下点起到陶瓷坯体的表面为止的距离(基准距),并且在通过导电性粘接剂来将层叠陶瓷电子部件安装在布线基板时,能够抑制导电性粘接剂向层叠陶瓷电子部件的扩散(渗出)。由此,能够提供一种不容易产生短路故障的层叠陶瓷电子部件。
另外,表1的陶瓷坯体表示的是形成了基底电极层的状态的坯体。

Claims (3)

1.一种层叠陶瓷电子部件,其特征在于,包括:
陶瓷坯体,其包含多个被层叠的陶瓷层,具有相互对置的主面、相互对置的侧面以及相互对置的端面;
内部电极,其被配置在所述陶瓷坯体内部,并具有在所述陶瓷坯体的所述端面露出的露出部;以及
一对外部电极,与所述内部电极的露出部连接,形成在所述陶瓷坯体的所述端面上,并且形成为从所述陶瓷坯体的所述端面起迂回至两个主面以及两个侧面,
所述外部电极包括:在所述陶瓷坯体上形成的基底电极层、在所述基底电极层上由Ni镀敷构成的中间电极层、和在所述中间电极层上由Pd镀敷或者Pd-Ni合金构成的上层电极层,
在所述陶瓷坯体的所述主面以及所述侧面形成的所述中间电极层的厚度比在所述陶瓷坯体的端面形成的所述中间电极层的厚度大,
在所述陶瓷坯体的主面以及侧面形成的所述中间电极层的厚度是在所述陶瓷坯体的端面形成的所述中间电极层的厚度的120%以上且300%以下。
2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件,其特征在于,
从层叠陶瓷电子部件的安装面中的所述外部电极的最下点起到所述陶瓷坯体的表面为止的距离、即基准距为10.1μm以上且20.1μm以下。
3.一种层叠陶瓷电子部件的安装结构,其特征在于,具备:层叠陶瓷电子部件、安装基板和一对导电性粘接剂,其中,
所述层叠陶瓷电子部件包括:
陶瓷坯体,其包含多个被层叠的陶瓷层,具有相互对置的主面、相互对置的侧面以及相互对置的端面;
内部电极,其被配置在所述陶瓷坯体内部,并具有在所述陶瓷坯体的所述端面露出的露出部;和
一对外部电极,与所述内部电极的露出部连接,形成在所述陶瓷坯体的所述端面,并且形成为从所述陶瓷坯体的所述端面起迂回至两个主面以及两个侧面,
所述外部电极包括:在所述陶瓷坯体上形成的基底电极层、在所述基底电极层上由Ni镀敷构成的中间电极层、和在所述中间电极层上由Pd镀敷或者Pd-Ni合金构成的上层电极层,
在所述陶瓷坯体的所述主面以及所述侧面形成的所述中间电极层的厚度比在所述陶瓷坯体的端面形成的所述中间电极层的厚度大,
在所述陶瓷坯体的主面以及侧面形成的所述中间电极层的厚度是在所述陶瓷坯体的端面形成的所述中间电极层的厚度的120%以上且300%以下,
所述安装基板具有分别与所述一对外部电极电连接的一对连接盘,
所述一对导电性粘接剂将所述一对外部电极与所述安装基板的所述一对连接盘接合,
所述一对外部电极通过所述一对导电性粘接剂而被安装在所述安装基板,
从层叠陶瓷电子部件的安装面中的所述外部电极的最下点起到所述陶瓷坯体的表面为止的距离、即基准距为10.1μm以上且20.1μm以下。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9293683B2 (en) * 2014-05-12 2016-03-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for connecting piezoelectric element and cable substrate, piezoelectric element having cable substrate, and inkjet head including piezoelectric element with cable substrate
JP2016012689A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 株式会社村田製作所 セラミック電子部品
JP6502627B2 (ja) 2014-07-29 2019-04-17 太陽誘電株式会社 コイル部品及び電子機器
KR102025708B1 (ko) * 2014-08-11 2019-09-26 삼성전기주식회사 칩 전자부품 및 그 실장기판
US11205305B2 (en) * 2014-09-22 2021-12-21 Samsung Electronics Company, Ltd. Presentation of three-dimensional video
EP3944271A1 (en) * 2016-12-22 2022-01-26 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Inductor made of component carrier material comprising electrically conductive plate structures
JP6777065B2 (ja) * 2017-12-27 2020-10-28 Tdk株式会社 積層電子部品
JP6777066B2 (ja) * 2017-12-27 2020-10-28 Tdk株式会社 積層電子部品
CN112074954B (zh) * 2018-05-09 2024-05-14 三菱电机株式会社 功率半导体模块及其制造方法以及电力变换装置
US10910163B2 (en) * 2018-06-29 2021-02-02 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer electronic component and board having the same mounted thereon
KR102653206B1 (ko) * 2018-08-16 2024-04-01 삼성전기주식회사 적층형 커패시터
JP7151285B2 (ja) * 2018-08-31 2022-10-12 Tdk株式会社 圧電素子
CN113508444B (zh) * 2019-02-28 2023-03-28 株式会社村田制作所 电子部件的制造方法
JP7505679B2 (ja) * 2019-03-27 2024-06-25 サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド. 積層型キャパシタ
JP6904383B2 (ja) 2019-07-17 2021-07-14 Tdk株式会社 積層電子部品およびその実装構造
JP7379899B2 (ja) * 2019-07-22 2023-11-15 Tdk株式会社 セラミック電子部品
KR20230102659A (ko) 2021-12-30 2023-07-07 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품
WO2024034187A1 (ja) * 2022-08-10 2024-02-15 太陽誘電株式会社 電子部品、回路基板、電子機器および電子部品の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01289231A (ja) * 1988-05-17 1989-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd リードレスチップ部品の製造方法
CN1604244A (zh) * 2003-09-29 2005-04-06 Tdk株式会社 电子零件的安装方法及电子零件的安装构造
JP2005243835A (ja) * 2004-02-25 2005-09-08 Murata Mfg Co Ltd チップ型電子部品
CN102820132A (zh) * 2011-06-07 2012-12-12 株式会社村田制作所 电子部件

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05283273A (ja) * 1992-04-02 1993-10-29 Toshiba Corp 積層セラミックコンデンサ
JPH09270342A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Tokin Corp 電子部品及びその製造方法
JPH10233121A (ja) * 1997-02-18 1998-09-02 Hitachi Cable Ltd リードワイヤ
JP2000299243A (ja) * 1999-04-16 2000-10-24 Tdk Corp 積層チップ型電子部品
JP4083971B2 (ja) 2000-11-22 2008-04-30 Tdk株式会社 積層セラミック電子部品及びその製造方法
US7786652B2 (en) * 2004-03-29 2010-08-31 Kyocera Corporation Multi-layer piezoelectric element
KR20060046935A (ko) * 2004-11-12 2006-05-18 삼성코닝 주식회사 신규 블랙 매트릭스, 그 제조방법 및 그를 이용한평판표시소자 및 전자파차폐 필터
JP4747604B2 (ja) * 2005-02-18 2011-08-17 Tdk株式会社 セラミック電子部品
US7808770B2 (en) * 2007-06-27 2010-10-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Monolithic ceramic capacitor
JP4962536B2 (ja) 2009-07-01 2012-06-27 株式会社村田製作所 電子部品
US9021880B2 (en) * 2010-04-30 2015-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Micromachined piezoelectric three-axis gyroscope and stacked lateral overlap transducer (slot) based three-axis accelerometer
JP2012156315A (ja) * 2011-01-26 2012-08-16 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品
JP5776583B2 (ja) * 2011-03-18 2015-09-09 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP5663379B2 (ja) * 2011-04-11 2015-02-04 新光電気工業株式会社 接続端子構造及びソケット並びに電子部品パッケージ
JP2013165180A (ja) * 2012-02-10 2013-08-22 Tdk Corp 電子部品及び電子部品の製造方法
JP5783096B2 (ja) 2012-03-16 2015-09-24 株式会社村田製作所 セラミックコンデンサ
JP6282111B2 (ja) * 2013-03-26 2018-02-21 株式会社村田製作所 セラミック電子部品
KR101508540B1 (ko) * 2013-08-09 2015-04-06 삼성전기주식회사 기판 내장용 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 내장형 인쇄회로기판
JP5920303B2 (ja) * 2013-09-25 2016-05-18 株式会社村田製作所 電子部品およびその製造方法
JP5920304B2 (ja) * 2013-09-25 2016-05-18 株式会社村田製作所 電子部品およびその製造方法
US9390858B2 (en) * 2014-04-03 2016-07-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component, method of manufacturing the same, and mount structure of electronic component
JP2015035631A (ja) * 2014-11-14 2015-02-19 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
US9881741B2 (en) * 2014-12-11 2018-01-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic electronic component
JP6524734B2 (ja) * 2015-03-19 2019-06-05 株式会社村田製作所 電子部品およびこれを備えた電子部品連
KR101824904B1 (ko) * 2015-04-01 2018-02-02 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 콘덴서 소자, 및 그것을 포함하는 복합 전자부품
JP6597008B2 (ja) * 2015-07-16 2019-10-30 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法
JP6933881B2 (ja) * 2015-09-03 2021-09-08 株式会社村田製作所 セラミック電子部品の製造方法
JP2018181956A (ja) * 2017-04-06 2018-11-15 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01289231A (ja) * 1988-05-17 1989-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd リードレスチップ部品の製造方法
CN1604244A (zh) * 2003-09-29 2005-04-06 Tdk株式会社 电子零件的安装方法及电子零件的安装构造
JP2005243835A (ja) * 2004-02-25 2005-09-08 Murata Mfg Co Ltd チップ型電子部品
CN102820132A (zh) * 2011-06-07 2012-12-12 株式会社村田制作所 电子部件

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Publication number Publication date
JP2015029050A (ja) 2015-02-12
US20170222117A1 (en) 2017-08-03
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